JP2016035945A - パワーモジュールおよび熱拡散板 - Google Patents
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Abstract
【課題】 ヒートシンクの全面を有効に活用することによってパワーモジュールの冷却効率を高めながら、はんだ接続部の疲労寿命を向上させる。【解決手段】 本発明のパワーモジュールは、アルミニウム製のベース板に蛇行細管型ヒートパイプとその表裏両面にカーボンシートを積層したものを内蔵することを特徴とする。前記ベース板は、鋳造によってヒートパイプとカーボンシートをアルミニウムで鋳ぐるみにすることにより形成される。【選択図】 図3
Description
本発明はパワーモジュールおよび熱拡散板に関し、特に冷却能力を促進するためのベース板を備えたパワーモジュールおよび冷却能力を促進するための熱拡散板に関する。
従来、パワーモジュールのベース板を構成する材料に係る技術として、アルミ−シリコンカーバイド(AlSiC)複合材料を用いてベース板を構成する技術があった(例えば、特許文献1参照)。
インバータ等のパワーエレクトロニクス機器にはIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、ダイオードなどの電力用半導体素子を内蔵したパワーモジュールが搭載される。パワーモジュールはベース板の上に絶縁基板を搭載し、その絶縁基板上に電力用半導体素子を搭載する構造のものが一般に用いられている。絶縁基板にはアルミナや窒化アルミニウムなどのセラミック材料が主に用いられており、ベース板の材料としては、銅などの金属か、あるいはアルミ−シリコンカーバイド(AlSiC)などの複合材料がよく用いられる。
パワーモジュールは電力変換の損失のために大量の熱を発生するため、冷却効率を高めることが必要である。したがって、ベース板の材料としては熱伝導率の高いものが望ましく、その観点では銅材料が有利である。一方、一般にベース板と絶縁基板ははんだで接合されるが、ベース板と絶縁基板の熱膨張率差が大きいと接合はんだが熱疲労を起しやすい。したがって、ベース板の熱膨張率は絶縁基板材料であるセラミックに近いものが望ましい。その観点では銅よりもAlSiC等の方が有利である。
パワーモジュールのベース板としてAlSiC複合材料を用いたものは一般的であるが、例えば特許文献1にその構造が開示されている。
特許文献1に記載されたパワーモジュールにおいては、銅などの金属製のベース板を用いる場合には絶縁基板の接続はんだの疲労寿命が比較的短いことが課題となる。一方、AlSiCなどの低膨張率の複合材料を用いたベース板の場合には熱伝導率が比較的小さいため、冷却性能が低いことが課題となる。
また、金属製のベース板を用いたとしても、水冷などの能力の大きい冷却手段を用いた場合、板の厚さ方向の熱抵抗は十分に小さくできたとしても、板の面方向に熱を広げるためには銅をもってしても熱伝導が十分でなく、パワーモジュール内部に搭載された半導体の直下の部分のベース板温度が局所的に高くなってしまう。すると、パワーモジュールに取り付けたヒートシンクのうち、半導体直下の部分からの放熱が局所的に大きく、ヒートシンクの全面を有効に活用することができない。その結果として、ヒートシンク全面から均一に放熱した場合と比べるとヒートシンクの放熱性能が低くなってしまう。
本発明はヒートシンクの全面を有効に活用することによってパワーモジュールの冷却効率を高めながら、はんだ接続部の疲労寿命を向上させることを目的とする。
本発明のパワーモジュールは、例えば、パワー半導体と、該パワー半導体を搭載した絶縁基板と、ベース板とを備え、前記絶縁基板と前記ベース板とがはんだ接合されて成るパワーモジュールであって、前記ベース板の内部に蛇行細管型ヒートパイプと低熱膨張率シートとが内蔵されることを特徴とする。
また、本発明の熱拡散板は、例えば、蛇行細管ヒートパイプを表裏の両面から2枚の低熱膨張率のシートで挟んだ上、該蛇行細管ヒートパイプと低熱膨張率シートの3層を金属で鋳ぐるみにして一体成型したものであることを特徴とする。
本発明によれば、パワーモジュールの冷却効率を高め、同時に絶縁基板接合部の熱疲労寿命を向上させることができる。
本発明は、アルミニウム製のベース板に蛇行細管型ヒートパイプとその表裏両面にカーボンシートを積層したものを内蔵する。前記ベース板の製造方法としては、鋳造によってヒートパイプとカーボンシートをアルミニウムで鋳ぐるみにしたことを特徴とする。
蛇行細管型ヒートパイプによってベース板の内部で熱を十分に拡散することができ、ベース板全体の温度を均一化することができるため、パワーモジュールに接続したヒートシンクの全面を有効に活用することができるようになる。するとパワーモジュールの冷却能力を向上させることができる。また、ベース板に内蔵したカーボンシートによってベース板の熱膨張率を下げて絶縁基板と近づけることができるため、絶縁基板接合はんだの疲労寿命を向上させることができる。
以下、図1から図5を参照して本発明を実施するための第1の形態について説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態である実施例1に係るパワーモジュールを示す斜視図である。パワーモジュールはケース1とベース板2に収められる。外部と接続される電力端子としてDC端子31とAC端子32を備える。本パワーモジュールをインバータとして用いる場合には、直流電流がDC端子に供給され、パワー半導体によってPWM変調された交流電流がAC端子より流出する。
図2はケース1を外したパワーモジュールの内部を示す。パワーモジュールの内部にはスイッチング素子51とダイオード52のパワー半導体が搭載される。スイッチング素子はIGBTあるいはMOS−FETなどである。スイッチング素子51はゲート信号によって表面側と裏面側の接続ON/OFFを切り替えて電流の制御を行う。ケースの内部には絶縁性のゲル等の高分子材料が充填される構造が一般的である。
図3はパワーモジュールの断面図を示す。図の下半分は断面の拡大図である。パワー半導体5は絶縁基板4に搭載され、絶縁基板4はベース板2に搭載される。ベース板2の内部には蛇行細管型ヒートパイプ10とカーボンシート91,92が内蔵される。パワー半導体の表面側電極にはボンディングワイヤ6が接続され、パワー半導体の裏面側電極は絶縁基板4にはんだ7で接続される。さらに絶縁基板4はベース板2にはんだ8で接続される。
図1、図2には6組のパワー半導体を備え、3相の交流電流を扱うことができるいわゆる6in1モジュールを示したが、パワー半導体が2組の2in1モジュールや1組の1in1モジュールも図3に示した断面構造は同様の構成である。
図4にベース板2の横断面図を示す。細管型ヒートパイプ10は左右に蛇行した上で両端を接続したループ型であることが望ましい。さらに、ヒートパイプの内部に冷媒を注入するためのベース板の外へ連通する注入口11を設ける。
図5にベース板2の製造方法を示す。まず、蛇行細管ヒートパイプ10をカーボンシート91,92で挟んだ状態で型12に挿入する。そこで溶融したアルミニウムを型12に流し入れ、蛇行細管ヒートパイプとカーボンシート91,92を鋳ぐるみにして一体成型する。その際、蛇行細管ヒートパイプの冷媒注入口11は型12から上に突き出した形にしておき、成形されたベース板より外に注入口を突出させる。
ベース板2は鋳造の後に冷える過程において、アルミニウムとカーボンの熱膨張率差によって内部に応力が発生する。ベース板2をモジュール組み立てに供する際には、その表面に絶縁基板4を搭載する必要があるため、ベース板は粗利が小さく平坦な形状でなければならない。したがって、ベース板2の内部応力は表面側と裏面側で釣り合わなければならないため、表面側のシート91と裏面側のシート92の厚さは等しくすると好適である。
絶縁基板4はベース板2に実装される前にスイッチング素子51およびダイオード52を搭載してはんだ接続し、ボンディングワイヤ6によってスイッチング素子51およびダイオード52の表面側電極と絶縁基板4上の配線パターンを接続する。その後、パワー半導体が搭載された絶縁基板4をベース板2に搭載し、はんだ接続する。はんだ接続の際には絶縁基板4を搭載したベース板を炉に入れて加熱するため、蛇行細管ヒートパイプ10への冷媒の注入は、パワーモジュールの組み立て後に行う。絶縁基板4のはんだ付けの際にも温度変化によって熱応力が発生するため、カーボンシートによってベース板の熱膨張率を絶縁基板と整合させておくことは組み立て後の初期のはんだひずみの低減にも効果的である。また、パワーモジュールが実際に稼働する際の温度の上下に起因する熱疲労に関しても、本発明のベース板構造によって寿命改善効果が期待できる。
ベース板2はアルミニウムとカーボンシートを重ね合わせた多層構造となる。この際のベース板2の熱膨張率は、それを構成する各々の層の膨張率を、各層の厚さとヤング率の積(剛性)で加重平均したものになる。そのようにして求めたベース板2の熱膨張率が絶縁基板4の熱膨張率に近い値になるように設計することにより、接続はんだ8の熱疲労寿命を向上させることができる。
蛇行細管ヒートパイプ10への冷媒の注入方法について説明する。冷媒としては水を使った場合に高い冷却性能が得られる。冷媒に水を選択した場合には、腐食を防止する観点で蛇行細管ヒートパイプの材料としては銅あるいはステンレス鋼が望ましい。その際には、鋳ぐるみを行う際にアルミニウムと接合するためにパイプの表面に予めニッケルメッキを施しておくと好適である。あるいは、アルコール系ないしはフッ化炭素系などの冷媒を選択することもできる。その場合には、冷媒がアルミニウムを腐食させないので、蛇行細管ヒートパイプの材料としてアルミニウム管を使用することができる。アルコールないしフッ化炭素系冷媒を用いると、冷却能力は水よりも劣るが、パイプ材料をアルミニウムにでき、パイプのメッキ加工も不要となるため製造プロセスの簡略化と低コスト化を図ることができる。
冷媒を注入する際には、空気などのガスが混入するとヒートパイプの性能を損なうため、ガスを脱気する必要がある。そのためには、例えば一旦水を封入した後にベース板を加熱し、水を沸騰させながら空気を追い出してから注入口を封じ切る方法がある。あるいは、真空に引いたチャンバーの中で、予め脱気した冷媒を注入して注入口を封じ切ってもよい。
ベース板2に内蔵するシート91および92に関しては、カーボンの繊維で織ったものあるいは編んだものであってもよい。それらの多孔質のシートを用いた場合には、鋳ぐるみのプロセスにおいてシートの内部にアルミニウムが浸透し、シートの厚さ方向の熱伝導を高めるように働き、好適である。あるいは、シート91および92を構成する繊維として、アルミナ等のセラミック材料を用いることもできる。この場合はカーボンに比べると熱伝導率が劣るが、ベース板の熱膨張率を調整することは可能であり、コストの点ではカーボンより優れる。
以上に述べたように、本発明のベース板2を用いることによって、パワー半導体で発生した熱はパワーモジュールのベース板全体に広がり、ベース板2の裏面(ヒートシンク側)の温度はほぼ均一になるため、ヒートシンクの全面が有効に活用され、冷却能力を高めることができる。一方、カーボンシートによってベース板2の熱膨張率は絶縁基板4の膨張率と近い値に抑えられるので、基板の接続はんだ8の熱疲労寿命を向上させることができる。
次に、本発明の第2の実施形態である実施例2について、図6を用いて説明する。本実施例では、ベース板2に対してスイッチング素子51およびダイオード52が搭載される部分について、カーボンシート91および92を切り取って窓を開けたものである。カーボンシートは厚さ方向への熱伝導率が小さいため、パワー半導体の直下に関してはカーボンシートを取り除いた方が冷却性能が向上し、好適である。一方、半導体の直下の部分についてベース板の膨張率が大きくなる。ここで、絶縁基板4の接続はんだ8の熱疲労に関しては、絶縁基板4の外縁部から疲労亀裂が発生するため、絶縁基板4の外縁部でのはんだのひずみを小さくすることが有効である。したがって、窓の大きさを絶縁基板4よりも小さくしておけば、はんだの疲労寿命向上の効果が保たれる。
あるいは、カーボンシートに窓を開くのは半導体を搭載する側のシート91のみにとどめ、ヒートシンク側のシート92については窓を開けない状態で使用してもよい。
さらに、前記の蛇行細管ヒートパイプ10およびカーボンシート91,92を内蔵したベース板2は、その上に個別のパワーモジュールを搭載して冷却を促進するための熱拡散板として使用することもできる。
以上、本発明の上記各実施例によれば、パワーモジュールの冷却効率を高め、同時に絶縁基板接合部の熱疲労寿命を向上させることができる。したがって、冷却の温度と疲労寿命が定められた場合には、パワー半導体の温度を保ったままチップサイズを小さくして、電力密度を上げることができる。ひいては、パワーモジュールを小型化することができ、また、製造コストを下げることができる。
1:ケース
2:ベース板
31:DC端子
32:AC端子
4:絶縁基板
5:パワー半導体
51:スイッチング素子
52:ダイオード
6:ボンディングワイヤ
7:素子接続はんだ
8:絶縁基板接続はんだ
91:表面カーボンシート
92:裏面カーボンシート
10:蛇行細管ヒートパイプ
11:冷媒注入口
12:型
2:ベース板
31:DC端子
32:AC端子
4:絶縁基板
5:パワー半導体
51:スイッチング素子
52:ダイオード
6:ボンディングワイヤ
7:素子接続はんだ
8:絶縁基板接続はんだ
91:表面カーボンシート
92:裏面カーボンシート
10:蛇行細管ヒートパイプ
11:冷媒注入口
12:型
Claims (10)
- パワー半導体と、該パワー半導体を搭載した絶縁基板と、ベース板とを備え、前記絶縁基板と前記ベース板とがはんだ接合されて成るパワーモジュールであって、
前記ベース板の内部に蛇行細管型ヒートパイプと低熱膨張率シートとが内蔵される
ことを特徴とするパワーモジュール。 - 請求項1に記載のパワーモジュールにおいて、
前記低熱膨張率シートの前記パワー半導体が搭載される部分の直下の部分には開口部が設けられる
ことを特徴とするパワーモジュール。 - 請求項1に記載のパワーモジュールにおいて、
前記低熱膨張率シートはカーボンシートであり、鋳造に用いる前記金属はアルミニウムである
ことを特徴とするパワーモジュール。 - 請求項3に記載のパワーモジュールにおいて、
前記低熱膨張率シートの前記パワー半導体が搭載される部分の直下の部分には開口部が設けられる
ことを特徴とするパワーモジュール。 - 請求項1に記載のパワーモジュールにおいて、
前記ベース板は、前記蛇行細管型ヒートパイプを表裏の両面から2枚の前記低熱膨張率シートで挟んだ上、該蛇行細管型ヒートパイプと前記2枚の前記低熱膨張率シートとの3層を金属で鋳ぐるみにして一体成型したものである
ことを特徴とするパワーモジュール。 - 請求項5に記載のパワーモジュールにおいて、
前記低熱膨張率シートの前記パワー半導体が搭載される部分の直下の部分には開口部が設けられる
ことを特徴とするパワーモジュール。 - 請求項5に記載のパワーモジュールにおいて、
前記低熱膨張率シートはカーボンシートであり、鋳造に用いる前記金属はアルミニウムである
ことを特徴とするパワーモジュール。 - 請求項7に記載のパワーモジュールにおいて、
前記低熱膨張率シートの前記パワー半導体が搭載される部分の直下の部分には開口部が設けられる
ことを特徴とするパワーモジュール。 - 蛇行細管ヒートパイプを表裏の両面から2枚の低熱膨張率のシートで挟んだ上、該蛇行細管ヒートパイプと低熱膨張率シートの3層を金属で鋳ぐるみにして一体成型したものである
ことを特徴とする熱拡散板。 - 請求項9に記載の熱拡散板において、
前記低熱膨張率シートはカーボンシートであり、鋳造に用いる前記の金属はアルミニウムである
ことを特徴とする熱拡散板。
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