JP2016033481A - 物理量センサー装置、物理量センサー装置の製造方法、電子機器および移動体 - Google Patents

Abstract

【課題】内部空間内の気密性が確保され、高精度な素子特性が維持された物理量センサーを備える物理量センサー装置、かかる物理量センサー装置を製造する物理量センサー装置の製造方法、かかる物理量センサーを備える、電子機器および移動体を提供すること。【解決手段】物理量センサー装置１００は、物理量センサー１と、物理量センサー１を支持する支持基板１０１と、物理量センサー１が備える配線溝２２１と蓋体３とで画成され、内部空間（センサー素子収納部）Ｓに延びる連通孔の端子７２１ａ側の開口を封止する第１封止部Ｍ１と、支持基板１０１上で物理量センサー１を封止する第２封止部Ｍ２とを有している。【選択図】図７

Description

本発明は、物理量センサー装置、物理量センサー装置の製造方法、電子機器および移動体に関するものである。

ベース基板上に設けられたセンサー素子（センシング素子）を、このセンサー素子を収納し得る凹部を備える蓋体で気密封止する構造を備える物理量センサーが知られている（例えば、特許文献１参照。）。

かかる物理量センサーにおいて、センサー素子は、前記凹部とベース基板の上面とで画成された内部空間内に収納されるが、この内部空間内は最終的にＮ_２雰囲気のような不活性雰囲気下で、蓋体が備える貫通孔を封止することで良好なセンシング性能を実現する。

ところで、センサー素子が備える端子から延びる配線は、ベース基板と蓋体との接合面より一段低い位置に、ベース基板に配置された配線溝に設けられ、ベース基板のベース基板と蓋体とが重なる位置の外側に形成された接続端子に接続される。

この際、配線溝は、ベース基板と蓋体との接合では封止されず、蓋体の下に連通孔を形成しており、単に、蓋体が備える貫通孔を封止するだけでは、内部空間内を不活性雰囲気下とすることはできず、かかる連通孔を封止する必要がある。

そこで、連通孔の封止は、蓋体の配線溝に対応する位置に、配線溝にまで到達する開口部を形成し、この開口部を包含するように蓋体の上面と配線溝とを気相成膜法を用いて成膜された封止膜で覆う構造により実現している。

さらに、この物理量センサーは、支持基板上に接合層（ダイボンディング）により接合され、また、ワイヤーボンディングにより、物理量センサー上に配設された半導体装置と支持基板との双方に電気的に接続された後、トランスファーモールドにより支持基板上で封止部により封止されており、これにより、支持基板上で封止部により封止された物理量センサーを備える物理量センサー装置が製造される。

ここで、トランスファーモールドによる物理量センサーの封止は、樹脂成形金型中に配置された物理量センサーに対して、溶融状態とされた樹脂材料を、高圧下で供給（充填）することにより行われる。

そのため、蓋体の開口部付近に圧力が加わり、その結果、ベース基板と蓋体とが接合している開口部付近の蓋体の端部に剥離する力が付与されて封止膜が剥離することに起因して、内部空間内の気密性が確保されないという問題があった。

特開２０１２−９８２０８号公報

本発明の目的は、内部空間内の気密性が確保され、高精度な素子特性が維持された物理量センサーを備える物理量センサー装置、かかる物理量センサー装置を製造する物理量センサー装置の製造方法、かかる物理量センサーを備える、電子機器および移動体を提供することにある。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］
本発明の物理量センサー装置は、センサー素子、前記センサー素子を支持するベース基板、前記ベース基板上に接合され、前記センサー素子を収納するセンサー素子収納部を構成する凹部を備える蓋体、前記ベース基板に配置された配線溝に設けられた配線、前記ベース基板の前記蓋体と重なる位置の外側に設けられた接続端子、前記蓋体の前記配線溝に対応する位置に設けられ、前記配線溝に連通する開口部、および前記開口部を包含して前記蓋体の上面および前記配線溝を覆う封止膜、を有する物理量センサーと、
前記物理量センサーを支持する支持基板と、
前記配線溝と前記蓋体とで画成され、前記センサー素子収納部に延びる連通孔の前記接続端子側の開口を封止する第１樹脂材料で構成された第１封止部と、
前記支持基板上で前記物理量センサーを封止する、第２樹脂材料を含有する第２封止部とを、有することを特徴とする。

これにより、内部空間内の気密性が確保され、高精度な素子特性が維持された物理量センサーを備える物理量センサー装置とすることができる。

［適用例２］
本発明の物理量センサー装置では、前記第１封止部と前記第２封止部とは、同一の物性値を有していることが好ましい。

これにより、物理量センサー装置の駆動時に、物理量センサーの発熱により第１封止部および第２封止部が加熱されたとしても、第１封止部と第２封止部との界面において、剥離・亀裂等が生じるのを低減させることができる。

［適用例３］
本発明の物理量センサー装置では、前記物性値は、ヤング率および熱膨張率のうちの少なくとも１つであることが好ましい。

このような物性値が同一であると、第１封止部と第２封止部との界面において、剥離・亀裂等が発生するのをより確実に低減させることができる。

［適用例４］
本発明の物理量センサー装置では、前記第１樹脂材料と前記第２樹脂材料とは、同種または同一の樹脂材料を含んでいることが好ましい。

これにより、第１封止部と第２封止部とを、容易に同一の物性値を有しているものとすることができる。

［適用例５］
本発明の物理量センサー装置では、前記蓋体は、前記開口部よりも前記接続端子側に、前記配線溝を覆う被覆部を備えることが好ましい。

これにより、接続端子が不本意に封止膜で被覆されるのを防止することができる。

［適用例６］
本発明の物理量センサー装置では、前記封止膜は、無機材料を含んでいることが好ましい。

無機材料によれば緻密性の高い封止膜を成膜し得ることから、優れた気密性をもってセンサー素子収納部を封止することができる。

［適用例７］
本発明の物理量センサー装置では、前記接続端子と、前記物理量センサー上に接合された半導体チップとを電気的に接続するボンディングワイヤーを備え、
前記第１封止部は、さらに前記ボンディングワイヤーを封止していることが好ましい。

これにより、接続端子と接続するボンディングワイヤーの先端で、接続端子とボンディングワイヤーとの接合が切断されるのを防止することができる。

［適用例８］
本発明の物理量センサー装置の製造方法は、センサー素子、前記センサー素子を支持するベース基板、前記ベース基板上に接合され、前記センサー素子を収納するセンサー素子収納部を構成する凹部を備える蓋体、前記ベース基板に配置された配線溝に設けられた配線、前記ベース基板の前記蓋体と重なる位置の外側に設けられた接続端子、前記蓋体の前記配線溝に対応する位置に設けられ、前記配線溝に連通する開口部、および前記開口部を包含して前記蓋体の上面および前記配線溝を覆う封止膜、を有する物理量センサーを、支持基板上に接合する第１の工程と、
前記配線溝と前記蓋体とで構成され前記センサー素子収納部に延びる連通孔の前記接続端子側の開口を、第１樹脂材料で封止する第２の工程と、
前記支持基板上で前記物理量センサーを、前記第２の工程における雰囲気よりも圧力が高い雰囲気下で、第２樹脂材料で封止する第３の工程とを、含むことを特徴とする。

これにより、内部空間内の気密性が確保され、高精度な素子特性が維持された物理量センサーを備える物理量センサー装置を得ることができる。

［適用例９］
本発明の電子機器は、本発明の物理量センサーを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器を得ることができる。

［適用例１０］
本発明の移動体は、本発明の物理量センサーを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い移動体を得ることができる。

本発明の物理量センサー装置が備える物理量センサーの実施形態を示す平面図（上面図）である。 図１に示す物理量センサーが有する機能素子の平面図（上面図）である。 図１に示す物理量センサーが有する機能素子の平面図（上面図）である。 図１に示す物理量センサーが有する機能素子の平面図（上面図）である。 図１中のＡ−Ａ線断面図である。 図１中のＢ−Ｂ線断面図である。 図１に示す物理量センサーを備える物理量センサー装置の実施形態を示す断面図である。 図７に示す物理量センサー装置の製造方法を説明するための断面図である。 図７に示す物理量センサー装置の製造方法を説明するための断面図である。 図７に示す物理量センサー装置の製造方法を説明するための断面図である。 図７に示す物理量センサー装置の製造方法を説明するための断面図である。 図７に示す物理量センサー装置の製造方法を説明するための断面図である。 図７に示す物理量センサー装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器を適用した携帯電話機（スマートフォン、ＰＨＳ等も含む）の構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。 本発明の移動体を適用した自動車を示す斜視図である。

以下、本発明の物理量センサー装置、物理量センサー装置の製造方法、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。

まず、本発明の物理量センサー装置を説明するのに先立って、本発明の物理量センサー装置が備える物理量センサー１について説明する。

なお、以下では、物理量センサー１を、Ｘ軸方向（面内方向）、Ｙ軸方向（面内方向）およびＺ軸方向（鉛直方向）のそれぞれの加速度を測定することのできる３軸加速度センサーに適用した場合を一例に説明する。

＜物理量センサー＞
図１は、本発明の物理量センサー装置が備える物理量センサーの実施形態を示す平面図（上面図）である。図２ないし図４は、それぞれ、図１に示す物理量センサーが有する機能素子の平面図（上面図）である。図５は、図１中のＡ−Ａ線断面図である。図６は、図１中のＢ−Ｂ線断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図１中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」とも言う。また、各図には、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸が図示されている。また、以下では、Ｘ軸に平行な方向を「Ｘ軸方向」、Ｙ軸に平行な方向を「Ｙ軸方向」、Ｚ軸に平行な方向を「Ｚ軸方向」とも言う。また、Ｘ軸とＹ軸とを含む面を「ＸＹ面」とも言う。

図１に示す物理量センサー１は、上記の通り、Ｘ軸方向（面内方向）、Ｙ軸方向（面内方向）およびＺ軸方向（鉛直方向）のそれぞれの加速度を測定することのできる３軸加速度センサーである。

この物理量センサー１（３軸加速度センサー）は、本実施形態では、ベース基板２および蓋体３を有しているパッケージ１０と、パッケージ１０内の内部空間（センサー素子収納部）Ｓに配置されている３つの機能素子（センサー素子）４、５、６と、を有している。

以下、この物理量センサー１が備える各部材について、詳細に説明する。
−ベース基板２−
ベース基板２は、その上面に、機能素子４、５、６がそれぞれ配置され、これらを支持するものである。

このベース基板２には上面に開口する凹部２１、２２、２３が形成されている。これらのうち、凹部２１は、その上方に配置されている機能素子４とベース基板２との接触を防止するための逃げ部として機能する。同様に、凹部２２は、その上方に配置されている機能素子５とベース基板２との接触を防止するための逃げ部として機能する。また、凹部２３は、その上方に配置されている機能素子６とベース基板２との接触を防止するための逃げ部として機能する。また、凹部２３の底面には第１検出電極７４１および第２検出電極７４２が配置されている。これら凹部２１、２２、２３の配置や形状としては、特に限定されないが、本実施形態では、凹部２１と凹部２３とがＸ軸方向に並んで配置され、共にＹ軸方向に延在する長手形状（略長方形）をなし、凹部２２は、これら凹部２１、２３の−Ｙ軸側に配置され、Ｘ軸方向に延在する長手形状（略長方形）をなしている。このような配置および形状とすることで、凹部２１、２２、２３を省スペースで配置することができ、物理量センサー１の小型化を図ることができる。

また、ベース基板２には上面に開口する配線溝２１１、２１２、２１３、配線溝２２１、２２２、２２３および配線溝２３１、２３２、２３３が形成（配置）されている。

これらのうち、配線溝２１１、２１２、２１３は、凹部２１の周囲に配置されており、配線溝２１１、２１２、２１３内には機能素子４用の配線７１１、７１２、７１３および端子（接続端子）７１１ａ、７１２ａ、７１３ａが配置されている。これら配線７１１、７１２、７１３の一端が機能素子４に電気的に接続され、他端が端子７１１ａ、７１２ａ、７１３ａに電気的に接続されている。同様に、配線溝２２１、２２２、２２３は、凹部２２の周囲に配置されており、配線溝２２１、２２２、２２３内には機能素子５用の配線７２１、７２２、７２３および端子（接続端子）７２１ａ、７２２ａ、７２３ａが配置されている。これら配線７２１、７２２、７２３の一端が機能素子５に電気的に接続され、他端が端子７２１ａ、７２２ａ、７２３ａに電気的に接続されている。また、配線溝２３１、２３２、２３３は、凹部２３の周囲に配置されており、配線溝２３１、２３２、２３３内には機能素子６用の配線７３１、７３２、７３３および端子（接続端子）７３１ａ、７３２ａ、７３３ａが配置されている。これら配線７３１、７３２、７３３の一端が機能素子６に電気的に接続され、他端が端子７３１ａ、７３２ａ、７３３ａに電気的に接続されている。また、配線７３２は、凹部２３内の第１検出電極７４１と電気的に接続されており、配線７３３は、凹部２３内の第２検出電極７４２と電気的に接続されている。

また、各配線溝２１１、２１２、２１３、２２１、２２２、２２３、２３１、２３２、２３３は、ベース基板２と蓋体３とを重ね合わせてパッケージ１０とした際に、ベース基板２と蓋体３との接合面より一段低い位置に、これらの底部が位置し、これら底部に、各配線７１１、７１２、７１３、７２１、７２２、７２３、７３１、７３２、７３３が引き伸ばされている。

さらに、各端子７１１ａ、７１２ａ、７１３ａ、７２１ａ、７２２ａ、７２３ａ、７３１ａ、７３２ａ、７３３ａは、ベース基板２と蓋体３とを重ね合わせてパッケージ１０とした際に、ベース基板２と蓋体３とが重なる位置の外側で、外部に露出するように配置されており、これにより、外部（例えば後述するＩＣチップ１０２）との電気的な接続が可能となっている。

このようなベース基板２は、アルカリ金属イオン（可動イオン）を含むガラス材料（例えば、パイレックスガラス（登録商標）のような硼珪酸ガラス）から形成されている。これにより、シリコン基板から形成されている機能素子４、５、６をベース基板２に対して陽極接合により強固に接合することができる。ただし、ベース基板２の構成材料としては、ガラス材料に限定されず、例えば、高抵抗なシリコン材料を用いることができる。この場合、機能素子４、５、６との接合は、例えば、樹脂系接着剤、ガラスペースト、金属層等を介して行うことができる。

また、配線７１１〜７１３、７２１〜７２３、７３１〜７３３および端子７１１ａ〜７１３ａ、７２１ａ〜７２３ａ、７３１ａ〜７３３ａの構成材料としては、それぞれ、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができる。例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等の金属単体またはこれらを含む合金等の金属が好適に用いられる。

−蓋体３−
蓋体３は、ベース基板２に重ね合わせることでパッケージ１０とした際に、ベース基板２上に配置された、機能素子（センサー素子）４、５、６すなわち加速度センサーを蓋（封止）するためのものである。

この蓋体３は、図５、６に示すように、下面に開口する凹部３１を有しており、この凹部３１が機能素子４、５、６に対応するように設けられている。

そして、蓋体３がベース基板２に重ね合わせるように接合されることで、凹部３１と、ベース基板２が備える凹部２１、２２、２３とにより内部空間（センサー素子収納部）Ｓが画成（構成）され、この内部空間Ｓ内に、機能素子４、５、６（加速度センサー）が収納されている。

また、内部空間Ｓの真空度は、特に限定されないが、好ましくは５００Ｐａ以下、より好ましくは１０Ｐａ以上４００Ｐａ以下に設定される。

さらに、内部空間Ｓの雰囲気は、特に限定されないが、窒素、アルゴンのような不活性雰囲気であることが好ましい。これにより、機能素子４、５、６による加速度の検出を高精度に行うことができる。

また、蓋体３は、厚さ方向に貫通して、凹部３１に連通する貫通孔３３を有している。この貫通孔３３は、上面側に位置する第１部分３３１と下面（凹部３１）側に位置する第２部分３３２とからなり、その内径が、第１部分３３１と第２部分３３２とでは、第２部分３３２の方が小さくなっている。

また、この貫通孔３３は、例えば、Ａｕ−Ｇｅ系合金等の金属からなる封止材９で封止されている。これにより、内部空間Ｓが気密封止されている。なお、図示しないが、貫通孔３３の内周面には、封止材９との密着性を高めるための金属層が成膜されていてもよい。

このような蓋体３は、本実施形態では、シリコン基板で形成されている。これにより、蓋体３とベース基板２とを陽極接合によって強固に接合することができる。

なお、単に、蓋体３をベース基板２に重ね合わせた状態で接合してパッケージ１０としただけでは、前述の通り、ベース基板２には、配線溝２１１〜２１３、２２１〜２２３、２３１〜２３３が形成されている。そのため、この配線溝２１１〜２１３、２２１〜２２３、２３１〜２３３と蓋体３の下面とで連通孔が、内部空間Ｓとパッケージ１０の外部とを連通するように画成される。すなわち、貫通孔３３の他にも、内部空間Ｓとパッケージ１０の外部とを連通する連通孔が、配線溝２１１〜２１３、２２１〜２２３、２３１〜２３３と、蓋体３の下面により形成されている。

そこで、図６に示すように、蓋体３の配線溝２１１〜２１３、２２１〜２２３、２３１〜２３３に対応する位置に、配線溝にまで到達する開口部３５を形成し、この開口部３５を包含するように蓋体３の上面と配線溝２１１〜２１３、２２１〜２２３、２３１〜２３３とを覆う封止膜８を形成している。これにより、前記連通孔が封止され、その結果、内部空間Ｓの気密性が確保される。

この封止膜８としては、特に限定されないが、例えば、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、シリカ（ＳｉＯ_２）、チタニア（ＴｉＯ_２）、ジルコニア（ＺｎＯ_２）等の無機酸化物、窒化珪素、窒化アルミ、窒化チタン等の無機窒化物のような無機材料を主材料として構成されることが好ましい。無機材料によれば緻密性の高い封止膜８を成膜し得ることから、優れた気密性をもって内部空間（センサー素子収納部）Ｓを封止することができる。これらの中でも、封止膜８は、特に、主としてシリカで構成されることが好ましい。これにより、ＴＥＯＳＣＶＤ法等の気相成膜法を用いて、優れた成膜精度により、封止膜８を形成することができる。

なお、連通孔の封止は、例えば、パッケージ１０の外部と連通する側の連通孔の開口を直接、封止することも考えられるが、物理量センサー１では、前述の通り、開口部３５を形成して、連通孔の途中を封止膜８で封止する構成となっている。このように、開口部３５を形成することで、蓋体３は、開口部３５よりも端子７１１ａ、７１２ａ、７１３ａ、７２１ａ、７２２ａ、７２３ａ、７３１ａ、７３２ａ、７３３ａ側に、配線溝２１１、２１２、２１３、２２１、２２２、２２３、２３１、２３２、２３３を覆う被覆部３６を備える構成となる。

このような被覆部３６を備える構成とすることで、端子７１１ａ、７１２ａ、７１３ａ、７２１ａ、７２２ａ、７２３ａ、７３１ａ、７３２ａ、７３３ａが封止膜８で被覆されることなく、連通孔を封止膜８で封止することができるが、その理由については、後述することとする。

−機能素子４−
機能素子４は、Ｘ軸方向の加速度を検出するための加速度センサー素子である。このような機能素子４は、図２に示すように、支持部４１、４２と、可動部４３と、連結部４４、４５と、複数の第１固定電極指４８と、複数の第２固定電極指４９と、を有している。また、可動部４３は、基部４３１と、基部４３１からＹ軸方向両側に突出している複数の可動電極指４３２と、を有している。このような機能素子４は、例えば、リン、ボロン等の不純物がドープされたシリコン基板から形成されている。

支持部４１、４２は、それぞれ、ベース基板２の上面に接合されており、支持部４１が配線７１１との間に配置されている導電性バンプＢ１１を介して配線７１１と電気的に接続されている。そして、これら支持部４１、４２の間に可動部４３が設けられている。可動部４３は、−Ｘ軸側において連結部４４を介して支持部４１に連結されると共に、＋Ｘ軸側において連結部４５を介して支持部４２に連結されている。これにより、可動部４３が支持部４１、４２に対して矢印ａで示すようにＸ軸方向に変位可能となる。

複数の第１固定電極指４８は、可動電極指４３２のＸ軸方向一方側に配置され、対応する可動電極指４３２に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並んでいる。このような複数の第１固定電極指４８は、その基端部にてベース基板２の上面に接合され、配線７１２との間に配置されている導電性バンプＢ１２を介して配線７１２に電気的に接続されている。

これに対して、複数の第２固定電極指４９は、可動電極指４３２のＸ軸方向他方側に配置され、対応する可動電極指４３２に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並んでいる。このような複数の第２固定電極指４９は、その基端部にて、ベース基板２の上面に接合され、配線７１３との間に配置されている導電性バンプＢ１３を介して配線７１３に電気的に接続されている。

このような機能素子４は、次のようにしてＸ軸方向の加速度を検出する。すなわち、Ｘ軸方向の加速度が物理量センサー１に加わると、その加速度の大きさに基づいて、可動部４３が、連結部４４、４５を弾性変形させながら、Ｘ軸方向に変位する。このような変位に伴って、可動電極指４３２と第１固定電極指４８との間の静電容量Ｃ１および可動電極指４３２と第２固定電極指４９との間の静電容量Ｃ２の大きさがそれぞれ変化する。そのため、これら静電容量Ｃ１、Ｃ２の変化（差動信号）に基づいて加速度を検出することができる。

−機能素子５−
機能素子５は、Ｙ軸方向の加速度を検出するための加速度センサー素子である。このような機能素子５は、図３に示すように、平面視で９０°回転した状態で配置されている以外は、機能素子４と同様の構成となっている。すなわち、機能素子５は、支持部５１、５２と、可動部５３と、連結部５４、５５と、複数の第１固定電極指５８と、複数の第２固定電極指５９と、を有している。また、可動部５３は、基部５３１と、基部５３１からＸ軸方向両側に突出している複数の可動電極指５３２と、を有している。

支持部５１、５２は、それぞれ、ベース基板２の上面に接合されており、支持部５１が配線７２１との間に配置されている導電性バンプＢ２１を介して配線７２１と電気的に接続されている。そして、これら支持部５１、５２の間に可動部５３が設けられている。可動部５３は、−Ｙ軸側において連結部５４を介して支持部５１に連結されると共に、＋Ｙ軸側において連結部５５を介して支持部５２に連結されている。これにより、可動部５３が支持部５１、５２に対して矢印ｂで示すようにＹ軸方向に変位可能となる。

複数の第１固定電極指５８は、可動電極指５３２のＹ軸方向一方側に配置され、対応する可動電極指５３２に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並んでいる。このような複数の第１固定電極指５８は、その基端部にてベース基板２の上面に接合され、配線７２２との間に配置されている導電性バンプＢ２２を介して配線７２２に電気的に接続されている。

これに対して、複数の第２固定電極指５９は、可動電極指５３２のＹ軸方向他方側に配置され、対応する可動電極指５３２に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並んでいる。このような複数の第２固定電極指５９は、その基端部にて、ベース基板２の上面に接合され、配線７２３との間に配置されている導電性バンプＢ２３を介して配線７２３に電気的に接続されている。

このような機能素子５は、次のようにしてＹ軸方向の加速度を検出する。すなわち、Ｙ軸方向の加速度が物理量センサー１に加わると、その加速度の大きさに基づいて、可動部５３が、連結部５４、５５を弾性変形させながら、Ｙ軸方向に変位する。このような変位に伴って、可動電極指５３２と第１固定電極指５８との間の静電容量Ｃ３および可動電極指５３２と第２固定電極指５９との間の静電容量Ｃ４の大きさがそれぞれ変化する。そのため、これら静電容量Ｃ３、Ｃ４の変化（差動信号）に基づいて加速度を検出することができる。

−機能素子６−
機能素子６は、Ｚ軸方向（鉛直方向）の加速度を検出するための加速度センサー素子である。このような機能素子６は、図４に示すように、一対の支持部６１、６２と、可動部６３と、可動部６３を支持部６１、６２に対して揺動可能とするように可動部６３と支持部６１、６２とを連結する一対の連結部６４、６５と、を有し、連結部６４、６５を軸Ｊとして、可動部６３が支持部６１、６２に対してシーソー揺動するように構成されている。

支持部６１、６２は、それぞれ、ベース基板２の上面に接合されており、支持部６１が配線７３１との間に配置されている導電性バンプＢ３１を介して配線７３１と電気的に接続されている。そして、これら支持部６１、６２の間に可動部６３が設けられている。可動部６３は、軸Ｊよりも＋Ｙ方向側に位置する第１可動部６３１と、軸Ｊよりも−Ｙ方向側に位置する第２可動部６３２とを有している。また、第１可動部６３１は、第１検出電極７４１と対向配置されており、第１検出電極７４１との間に静電容量Ｃａを形成し、第２可動部６３２は、第２検出電極７４２と対向配置されており、第２検出電極７４２との間に静電容量Ｃｂを形成している。このような機能素子６は、例えば、リン、ボロン等の不純物がドープされたシリコン基板から形成されている。

第１、第２可動部６３１、６３２は、鉛直方向（Ｚ軸方向）の加速度が加わったときの回転モーメントが互いに異なっており、加速度に応じて可動部６３に所定の傾きが生じるように設計されている。これにより、鉛直方向の加速度が生じると、可動部６３が軸Ｊまわりにシーソー揺動する。具体的には、本実施形態では、平面視で、第１可動部６３１の面積（長さ）よりも第２可動部６３２の面積（長さ）を大きくすることで、第１可動部６３１の回転モーメントよりも第２可動部６３２の回転モーメントが大きくなるように設計されている。

このような機能素子６は、次のようにしてＺ軸方向の加速度を検出する。すなわち、物理量センサー１に鉛直方向の加速度が加わると、可動部６３は、軸Ｊまわりにシーソー揺動する。このような可動部６３のシーソー揺動によって、第１可動部６３１と第１検出電極７４１の離間距離および第２可動部６３２と第２検出電極７４２の離間距離が変化し、これに応じて静電容量Ｃａ、Ｃｂが変化する。そのため、これら静電容量Ｃａ、Ｃｂの変化量（静電容量Ｃａ、Ｃｂの差動信号）に基づいて加速度の値を検出することができ、静電容量Ｃａ、Ｃｂの変化の方向から加速度の方向を特定することができる。

＜物理量センサー装置＞
次に、上述した物理量センサー１を備える物理量センサー装置（本発明の物理量センサー装置）１００について説明する。

図７は、図１に示す物理量センサーを備える物理量センサー装置の実施形態を示す断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図７中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

図７に示す物理量センサー装置１００は、支持基板１０１と、接着層１０３を介して支持基板１０１の上面で支持（固定）されている物理量センサー１と、接着層１０４を介して物理量センサー１の上面に固定されているＩＣチップ（半導体チップ）１０２と、を有している。

また、ＩＣチップ（電子部品）１０２と、物理量センサー１の端子７１１ａ〜７１３ａ、７２１ａ〜７２３ａ、７３１ａ〜７３３ａとを電気的に接続するボンディングワイヤー１０５と、ＩＣチップ１０２と、支持基板１０１の端子１０１ａとを電気的に接続するボンディングワイヤー１０６とを有している。

さらに、配線溝２１１〜２１３、２２１〜２２３、２３１〜２３３と蓋体３の下面とで画成される連通孔の端子７１１ａ、７１２ａ、７１３ａ、７２１ａ、７２２ａ、７２３ａ、７３１ａ、７３２ａ、７３３ａ側の開口を封止（モールド）する第１封止部Ｍ１と、支持基板１０１上で物理量センサー１およびＩＣチップ１０２を、支持基板１０１の下面を露出させた状態で、封止する第２封止部Ｍ２とを有している。なお、本実施形態では、第１封止部Ｍ１は、図７に示す通り、前記開口を封止する際に、端子７１１ａ、７１２ａ、７１３ａ、７２１ａ、７２２ａ、７２３ａ、７３１ａ、７３２ａ、７３３ａ、被覆部３６および封止膜８を覆っている。

支持基板１０１の上面には複数の端子１０１ａが配置されており、下面には図示しない内部配線やキャスタレーションを介して端子１０１ａに接続されている複数の実装端子１０１ｂが配置されている。このような支持基板１０１としては、特に限定されないが、例えば、シリコン基板、セラミック基板、樹脂基板、ガラス基板、ガラスエポキシ基板等を用いることができる。

また、ＩＣチップ１０２には、例えば、物理量センサー１を駆動する駆動回路や、物理量センサー１からの信号に基づいてＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸の各軸方向の加速度を検出する検出回路や、検出回路からの信号を所定の信号に変換して出力する出力回路等が含まれている。

さらに、接着層１０３、１０４は、それぞれ、例えば、半田、銀ペーストで構成されるものの他、熱硬化性樹脂組成物の硬化物で構成されるもの等が用いられる。

また、熱硬化性樹脂組成物に含まれる熱硬化性樹脂としては、特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、アクリル系化合物、ポリイミド樹脂およびシアネート樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、中でも、エポキシ樹脂を含有するものを用いるのが好ましい。これにより、接着層１０３、１０４に優れた接合強度を付与することができる。

なお、熱硬化性樹脂組成物には、熱硬化性樹脂の他、銀粉、金粉、銅粉のような充填材や、硬化剤および硬化促進剤等が含まれていてもよい。

また、第１封止部Ｍ１は、特に限定されないが、例えば、第１樹脂材料を含有する第１樹脂組成物の固化物（硬化物）で構成される。

第１樹脂材料としては、熱硬化性樹脂であることが好ましく、この熱硬化性樹脂としては、具体的には、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができ、中でも、フェノール樹脂であることが好ましい。フェノール樹脂は、流動性が良好であるため、連通孔の端子７１１ａ、７１２ａ、７１３ａ、７２１ａ、７２２ａ、７２３ａ、７３１ａ、７３２ａ、７３３ａ側の開口を確実に封止することができる。

なお、第１樹脂組成物には、第１樹脂材料の他、ガラス繊維、シリカ等の無機酸化物、銀粉、金粉および銅粉等の金属粉末のような充填材や、硬化剤および硬化促進剤等の他の構成材料が含まれていてもよい。

さらに、第２封止部Ｍ２は、特に限定されないが、例えば、第２樹脂材料を含有する第２樹脂組成物の固化物（硬化物）で構成される。

第２樹脂材料としては、熱硬化性樹脂であることが好ましく、この熱硬化性樹脂としては、前記第１樹脂材料で挙げたのと同様のものが用いられる。

なお、第２樹脂組成物には、第２樹脂材料の他、前記第１樹脂材料で挙げた他の構成材料が含まれていてもよい。

このような第１封止部Ｍ１と第２封止部Ｍ２とは、同一の物性値を有していることがこのましい。これにより、物理量センサー装置１００の駆動時に、例えば、物理量センサー１およびＩＣチップ１０２の発熱により第１封止部Ｍ１および第２封止部Ｍ２が加熱されたとしても、第１封止部Ｍ１と第２封止部Ｍ２との界面における剥離・亀裂等の発生を低減させることができる。

なお、第１封止部Ｍ１と第２封止部Ｍ２とが同一の物性値を有しているとは、第１封止部Ｍ１の物性値をＰ１とし、と第２封止部Ｍ２の物性値をＰ２としたとき、物性値の差である｜Ｐ２−Ｐ１｜がＰ１に対して、３０％以下、好ましくは１０％以下であることを言う。

このように同一となっている物性値としては、特に限定されないが、例えば、ヤング率（引張弾性率）、熱膨張率、水の接触角、ガラス転移点および溶融粘度等が挙げられるが、中でも、ヤング率および熱膨張率のうちの少なくとも１種であることが好ましい。このような物性値が同一であると、第１封止部Ｍ１と第２封止部Ｍ２との界面における剥離・亀裂等の発生をより確実に低減させることができる。

以上のことから、第１封止部Ｍ１と第２封止部Ｍ２とに、それぞれ含まれる第１樹脂材料と第２樹脂材料とは、同種または同一の樹脂材料であることが好ましい。これにより、第１封止部Ｍ１と第２封止部Ｍ２とを、容易に同一の物性値を有しているものとすることができる。

＜物理量センサー装置の製造方法＞
以上のような物理量センサー装置１００は、例えば、以下に示すような物理量センサー装置１００の製造方法（本発明の物理量センサー装置の製造方法）により製造することができる。

図８〜図１３は、それぞれ、図７に示す物理量センサー装置の製造方法を説明するための断面図である。なお、図８〜図１３は、図６または図７に示す断面に対応する図であるため、図８〜図１３では物理量センサー１の構成の一部が図示されていない。

物理量センサー装置１００の製造方法は、物理量センサー１を用意し、この物理量センサー１を、支持基板１０１上に接合する第１の工程と、配線溝２１１〜２１３、２２１〜２２３、２３１〜２３３と蓋体３の下面とで画成される連通孔の端子７１１ａ、７１２ａ、７１３ａ、７２１ａ、７２２ａ、７２３ａ、７３１ａ、７３２ａ、７３３ａ側の開口を、第１封止部Ｍ１により封止する第２の工程と、支持基板１０１上で物理量センサー１を、前記第２の工程における雰囲気よりも高圧な雰囲気下で、第２封止部Ｍ２により封止する第３の工程とを、有する。

以下、各工程について詳述する。
［第１の工程］
［１−１］まず、物理量センサー１を用意する。

この物理量センサー１の製造方法は、ベース基板２に、機能素子４、５、６を配置する工程と、蓋体３をベース基板２との間に機能素子４、５、６を収容する内部空間Ｓを形成し、かつ、内部空間Ｓに貫通孔３３が連通するようにベース基板２に接合する工程と、貫通孔３３を封止材９で封止する工程と、を含んでいる。

［１−１Ａ］
まず、図８（ａ）に示すように、複数のベース基板２が一体形成されているガラス基板２０を用意する。

このガラス基板２０は、例えば、板状のガラス基板にフォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いて凹部２１、２２、２３、配線溝２１１〜２１３、配線溝２２１〜２２３および配線溝２３１〜２３３を形成することで得られる。

また、各ベース基板２に配置されている配線７１１〜７１３、７２１〜７２３、７３１〜７３３、端子７１１ａ〜７１３ａ、７２１ａ〜７２３ａ、７３１ａ〜７３３ａおよび第１、第２検出電極７４１、７４２は、例えば、スパッタ、蒸着等によってガラス基板２０の上面に金属膜を製膜し、この金属膜をフォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いてパターニングすることで得られる。

次に、図８（ｂ）に示すように、ガラス基板２０の上面にシリコン基板４０を陽極接合する。ただし、接合方法としては陽極接合に限定されない。

次に、図８（ｃ）に示すように、シリコン基板４０をフォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いてパターニングする。

これにより、各ベース基板２の凹部２１、２２、２３に対応させて機能素子４、５、６を形成する。その結果、各ベース基板２上に凹部２１、２２、２３と重なるようにして機能素子４、５、６が接合（配置）された状態となる。

［１−１Ｂ］
次に、複数の蓋体３が一体形成されているシリコン基板３０を用意し、図９（ａ）に示すように、このシリコン基板３０の下面をガラス基板２０の上面に陽極接合する。

これにより、シリコン基板３０とガラス基板２０との間に機能素子４、５、６を収容する内部空間Ｓが形成される。

なお、この際、内部空間Ｓは、貫通孔３３を介して外部空間に対して連通した状態となっている。

ただし、ガラス基板２０とシリコン基板３０の接合方法としては陽極接合に限定されない。

ここで、シリコン基板３０は、例えば、シリコン基板をその上面側からフォトリソグラフィー技法およびウエットエッチング技法を用いてパターニングすることで各蓋体３の外形形状、開口部３５および貫通孔３３の第１部分３３１を形成し、反対に、その下面側からフォトリソグラフィー技法およびドライエッチング技法を用いてパターニングすることで、凹部３１および貫通孔３３の第２部分３３２を形成することで得られる。このように、凹部３１および第２部分３３２の形成にドライエッチング技法（異方性のエッチング技法）を用いることで、前述したような、ストレート状の第２部分３３２を簡単に形成することができる。

ここで、凹部３１、および第２部分３３２と同じ工程において、シリコン基板３０の下面に凹部３４を形成しておくことが好ましい。この凹部３４は、ガラス基板２０と接合した状態で端子７１１ａ〜７１３ａ、７２１ａ〜７２３ａ、７３１ａ〜７３３ａ上に位置しており、これにより、後に行われる端子７１１ａ〜７１３ａ、７２１ａ〜７２３ａ、７３１ａ〜７３３ａを露出させる際のハーフダイシングが行い易くなる。

［１−１Ｃ］
次に、図９（ｂ）に示すように、例えば、ＴＥＯＳＣＶＤ法のような気相成膜法を用いて、開口部３５を包含するように蓋体３の上面と配線溝２１１〜２１３、２２１〜２２３、２３１〜２３３との一部を覆う封止膜８を形成する。

これにより、蓋体３の下面と配線溝２１１〜２１３、２２１〜２２３、２３１〜２３３とで画成される連通孔が、その途中で、封止膜８により封止される。

ここで、シリコン基板３０に開口部３５を形成することで、シリコン基板３０（蓋体３）は、開口部３５よりも端子７１１ａ、７１２ａ、７１３ａ、７２１ａ、７２２ａ、７２３ａ、７３１ａ、７３２ａ、７３３ａ側に、配線溝２１１、２１２、２１３、２２１、２２２、２２３、２３１、２３２、２３３を覆う被覆部３６を備える構成となっている。

そのため、本工程において、開口部３５に封止膜８を形成して、連通孔の途中を封止膜８で封止する際に、端子７１１ａ、７１２ａ、７１３ａ、７２１ａ、７２２ａ、７２３ａ、７３１ａ、７３２ａ、７３３ａが被覆部３６により覆われていることから、端子７１１ａ、７１２ａ、７１３ａ、７２１ａ、７２２ａ、７２３ａ、７３１ａ、７３２ａ、７３３ａが不本意に封止膜８で被覆されるのを防止することができる。

次に、貫通孔３３を介して内部空間Ｓを所定雰囲気とした後、図１０（ａ）に示すように貫通孔３３（第１部分３３１）内に、球状の封止材９を配置し、レーザー照射等によって封止材９を溶融させる。

これにより、図１０（ｂ）に示すように、貫通孔３３が封止材９で封止された状態となる。その結果、内部空間Ｓの気密性が確保され、内部空間Ｓ内の減圧状態を維持することが可能となる。

ここで、前述したように、蓋体３の下面と配線溝２１１〜２１３、２２１〜２２３、２３１〜２３３とで画成される連通孔が、その途中で、封止膜８により封止されるため、封止材９の形成により、内部空間Ｓの気密性を確保することができ、その結果、内部空間Ｓを閉空間として構成させることができる。

次に、ダイシングブレード等を用いたハーフダイシングによって、図１１（ａ）に示すように、シリコン基板３０の被覆部３６の一部（凹部３４と重なっている領域）を除去して、端子７１１ａ〜７１３ａ、７２１ａ〜７２３ａ、７３１ａ〜７３３ａを外部に露出させる。

ここで、前述したように、端子７１１ａ〜７１３ａ、７２１ａ〜７２３ａ、７３１ａ〜７３３ａと重なるように凹部３４を形成していることで、例えば、ダイシングブレードがガラス基板２０に接触し難くなり、ガラス基板２０（ベース基板２）の損傷を低減しつつ、端子７１１ａ〜７１３ａ、７２１ａ〜７２３ａ、７３１ａ〜７３３ａを確実に露出させることができる。

なお、このハーフダイシングの際に、図１１（ａ）に示すように、開口部３５よりも端子７１１ａ、７１２ａ、７１３ａ、７２１ａ、７２２ａ、７２３ａ、７３１ａ、７３２ａ、７３３ａ側に、被覆部３６の一部が残存する。

次に、例えば、ダイシングソーを用いて、図１１（ｂ）に示すように、ガラス基板２０をベース基板２毎に個片化する。これにより、複数の物理量センサー１が得られる。

［１−２］次いで、図１２（ａ）に示すように、得られた物理量センサー１上にＩＣチップ１０２を、接着層１０４を介して接合するとともに、支持基板１０１上に物理量センサー１を、接着層１０３を介して接合する。

［第２の工程］
［２−１］まず、図１２（ｂ）に示すように、ＩＣチップ１０２と、物理量センサー１の端子７１１ａ〜７１３ａ、７２１ａ〜７２３ａ、７３１ａ〜７３３ａとを電気的に接続するボンディングワイヤー１０５をワイヤーボンディングにより形成するとともに、ＩＣチップ１０２と、支持基板１０１の端子１０１ａとを電気的に接続するボンディングワイヤー１０６をワイヤーボンディングにより形成する。

［２−２］次に、図１３（ａ）に示すように、第１封止部Ｍ１を形成して、配線溝２１１〜２１３、２２１〜２２３、２３１〜２３３と蓋体３の下面とで画成される連通孔の端子７１１ａ、７１２ａ、７１３ａ、７２１ａ、７２２ａ、７２３ａ、７３１ａ、７３２ａ、７３３ａ側の開口を封止（モールド）する。

なお、本実施形態では、図１３（ａ）に示す通り、前記開口を封止する際に、端子７１１ａ、７１２ａ、７１３ａ、７２１ａ、７２２ａ、７２３ａ、７３１ａ、７３２ａ、７３３ａおよび封止膜８を覆うとともに、開口部３５よりも端子７１１ａ、７１２ａ、７１３ａ、７２１ａ、７２２ａ、７２３ａ、７３１ａ、７３２ａ、７３３ａ側に残存する被覆部３６をも覆うように、第１封止部Ｍ１を形成する。

［第３の工程］
次に、前記第２の工程における雰囲気よりも高圧な雰囲気下で、支持基板１０１上に固定された物理量センサー１およびＩＣチップ１０２を、支持基板１０１、物理量センサー１およびＩＣチップ１０２を、支持基板１０１の下面を露出させた状態で覆うようにして、第２封止部Ｍ２で封止する。

このような第２封止部Ｍ２の形成には、通常、前記第２樹脂組成物を溶融させた状態で、支持基板１０１の上面側の第２封止部Ｍ２を形成すべき領域に供給した後、この溶融状態の前記第２樹脂組成物を硬化させることで第２封止部Ｍ２を成形するトランスファーモールド法が用いられる。

このトランスファーモールド法を用いた第２封止部Ｍ２の形成では、溶融した状態の前記第２樹脂組成物が、高温・高圧下で支持基板１０１の上面側に供給される。そのため、蓋体３の縁部、特に、微細な構造を有する被覆部３６に圧力が作用し、その結果、被覆部３６をベース基板２から剥離する力が付与される。

そのため、第１封止部Ｍ１の形成を省略した場合には、被覆部３６が剥離し、さらには封止膜８をも剥離されることに起因して、内部空間Ｓ内の気密性が確保されず、高精度な素子特性が維持されなくなるという問題が生じる。

これに対して、被覆部３６を覆う第１封止部Ｍ１を形成することで、たとえ、被覆部３６に圧力が作用したとしても、被覆部３６がベース基板２から剥離してしまうのを防止することができる。その結果、内部空間Ｓ内の気密性が確保されるため、高精度な素子特性を維持することができる。

なお、本実施形態では、前記工程［２−２］における第１封止部Ｍ１の形成に先立って、前記工程［２−１］において、ＩＣチップ１０２と端子７１１ａ〜７１３ａ、７２１ａ〜７２３ａ、７３１ａ〜７３３ａとを電気的に接続するボンディングワイヤー１０５が形成されるため、ボンディングワイヤー１０５の端子７１１ａ〜７１３ａ、７２１ａ〜７２３ａ、７３１ａ〜７３３ａ側の先端が、第１封止部Ｍ１で封止されている。そのため、本工程において、かかる先端で、端子７１１ａ〜７１３ａ、７２１ａ〜７２３ａ、７３１ａ〜７３３ａとボンディングワイヤー１０５との接合が切断されるのを防止することができる。
以上のような工程を経て、物理量センサー装置１００が得られる。

（電子機器）
次に、本発明の電子機器を説明する。

図１４は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。

この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には、加速度センサー等として機能する物理量センサー１を備える物理量センサー装置１００が内蔵されている。

図１５は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（スマートフォン、ＰＨＳ等も含む）の構成を示す斜視図である。

この図において、携帯電話機１２００は、アンテナ（図示せず）、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部が配置されている。このような携帯電話機１２００には、加速度センサー等として機能する物理量センサー１を備える物理量センサー装置１００が内蔵されている。

図１６は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。

ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部は、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。

撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリ１３０８に転送・格納される。また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリ１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。このようなディジタルスチルカメラ１３００には、例えば、加速度センサーとして手振れ補正に用いられる物理量センサー１を備える物理量センサー装置１００が内蔵されている。

このような電子機器は、物理量センサー装置１００を備えているので、優れた信頼性を有している。

なお、本発明の電子機器は、図１４のパーソナルコンピューター、図１５の携帯電話機、図１６のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンタ）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ等に適用することができる。

（移動体）
次に、本発明の移動体を説明する。

図１７は、本発明の移動体を適用した自動車を示す斜視図である。
図１７に示すように、自動車１５００には物理量センサー１を備える物理量センサー装置１００が内蔵されており、例えば、物理量センサー１によって車体１５０１の姿勢を検出することができる。物理量センサー１の検出信号は、車体姿勢制御装置１５０２に供給され、車体姿勢制御装置１５０２は、その信号に基づいて車体１５０１の姿勢を検出し、検出結果に応じてサスペンションの硬軟を制御したり、個々の車輪１５０３のブレーキを制御したりすることができる。また、物理量センサー１は、他にもキーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：Tire Pressure Monitoring System）、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター等の電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）に広く適用できる。

以上、本発明の物理量センサー装置、物理量センサー装置の製造方法、電子機器および移動体を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。

また、前述した実施形態では、物理量センサーが３つの機能素子を有している構成について説明したが、機能素子の数としては、これに限定されず、１つまたは２つであってもよいし、４つ以上であってもよい。また、前述した実施形態では、３つの機能素子が全て加速度センサー素子である構成について説明したが、機能素子としては、これに限定されず、角速度センサー素子であってもよい。また、加速度センサー素子の検出軸としても特に限定されない。また、機能素子として、加速度センサー素子と角速度センサー素子との両方を備えていてもよい。これにより、物理量センサーを加速度と角速度を検出することのできる複合センサーとして利用することができる。また、機能素子としては、加速度センサー素子や角速度センサー素子に限定されず、例えば、発振器等に利用可能な振動子、ＳＡＷ共振子等であってもよい。

１……物理量センサー
２……ベース基板
３……蓋体
４……機能素子
５……機能素子
６……機能素子
８……封止膜
９……封止材
１０……パッケージ
２０……ガラス基板
２１、２２、２３……凹部
３０……シリコン基板
３１、３４……凹部
３３……貫通孔
３５……開口部
３６……被覆部
４０……シリコン基板
４１、４２……支持部
４３……可動部
４４、４５……連結部
４８……第１固定電極指
４９……第２固定電極指
５１、５２……支持部
５３……可動部
５４、５５……連結部
５８……第１固定電極指
５９……第２固定電極指
６１……支持部
６３……可動部
６４……連結部
１００……物理量センサー装置
１０１……支持基板
１０１ａ……端子
１０１ｂ……実装端子
１０２……ＩＣチップ
１０３……接着層
１０４……接着層
１０５、１０６……ボンディングワイヤー
２１１、２１２、２１３、２２１、２２２、２２３、２３１、２３２、２３３……配線溝
３３１……第１部分
３３２……第２部分
４３１……基部
４３２……可動電極指
５３１……基部
５３２……可動電極指
６３１……第１可動部
６３２……第２可動部
７１１、７１２、７１３、７２１、７２２、７２３、７３１、７３２、７３３……配線
７１１ａ、７１２ａ、７１３ａ、７２１ａ、７２２ａ、７２３ａ、７３１ａ、７３２ａ、７３３ａ……端子
７４１……第１検出電極
７４２……第２検出電極
１１００……パーソナルコンピューター
１１０２……キーボード
１１０４……本体部
１１０６……表示ユニット
１２００……携帯電話機
１２０２……操作ボタン
１２０４……受話口
１２０６……送話口
１３００……ディジタルスチルカメラ
１３０２……ケース
１３０４……受光ユニット
１３０６……シャッタボタン
１３０８……メモリ
１３１２……ビデオ信号出力端子
１３１４……入出力端子
１４３０……テレビモニタ
１４４０……パーソナルコンピューター
１５００……自動車
１５０１……車体
１５０２……車体姿勢制御装置
１５０３……車輪
Ｂ１１、Ｂ１２、Ｂ１３、Ｂ２１、Ｂ２２、Ｂ２３、Ｂ３１……導電性バンプ
Ｊ……軸
Ｍ１……第１封止部
Ｍ２……第２封止部
Ｓ……内部空間

Claims (10)

1. センサー素子、前記センサー素子を支持するベース基板、前記ベース基板上に接合され、前記センサー素子を収納するセンサー素子収納部を構成する凹部を備える蓋体、前記ベース基板に配置された配線溝に設けられた配線、前記ベース基板の前記蓋体と重なる位置の外側に設けられた接続端子、前記蓋体の前記配線溝に対応する位置に設けられ、前記配線溝に連通する開口部、および前記開口部を包含して前記蓋体の上面および前記配線溝を覆う封止膜、を有する物理量センサーと、
   前記物理量センサーを支持する支持基板と、
   前記配線溝と前記蓋体とで画成され、前記センサー素子収納部に延びる連通孔の前記接続端子側の開口を封止する第１樹脂材料を含有する第１封止部と、
   前記支持基板上で前記物理量センサーを封止する、第２樹脂材料を含有する第２封止部とを、有することを特徴とする物理量センサー装置。
2. 前記第１封止部と前記第２封止部とは、同一の物性値を有している請求項１に記載の物理量センサー装置。
3. 前記物性値は、ヤング率および熱膨張率のうちの少なくとも１つである請求項２に記載の物理量センサー装置。
4. 前記第１樹脂材料と前記第２樹脂材料とは、同種または同一の樹脂材料を含んでいる請求項１ないし３のいずれか１項に記載の物理量センサー装置。
5. 前記蓋体は、前記開口部よりも前記接続端子側に、前記配線溝を覆う被覆部を備える請求項１ないし４のいずれか１項に記載の物理量センサー装置。
6. 前記封止膜は、無機材料を含んでいる請求項１ないし５のいずれか１項に記載の物理量センサー装置。
7. 前記接続端子と、前記物理量センサー上に接合された半導体チップとを電気的に接続するボンディングワイヤーを備え、
   前記第１封止部は、さらに前記ボンディングワイヤーを封止している請求項１ないし６のいずれか１項に記載の物理量センサー装置。
8. センサー素子、前記センサー素子を支持するベース基板、前記ベース基板上に接合され、前記センサー素子を収納するセンサー素子収納部を構成する凹部を備える蓋体、前記ベース基板に配置された配線溝に設けられた配線、前記ベース基板の前記蓋体と重なる位置の外側に設けられた接続端子、前記蓋体の前記配線溝に対応する位置に設けられ、前記配線溝に連通する開口部、および前記開口部を包含して前記蓋体の上面および前記配線溝を覆う封止膜、を有する物理量センサーを、支持基板上に接合する第１の工程と、
   前記配線溝と前記蓋体とで構成され前記センサー素子収納部に延びる連通孔の前記接続端子側の開口を、第１樹脂材料で封止する第２の工程と、
   前記支持基板上で前記物理量センサーを、前記第２の工程における雰囲気よりも圧力が高い雰囲気下で、第２樹脂材料で封止する第３の工程とを、含むことを特徴とする物理量センサー装置の製造方法。
9. 請求項１ないし７のいずれか１項に記載の物理量センサー装置を備えることを特徴とする電子機器。
10. 請求項１ないし７のいずれか１項に記載の物理量センサー装置を備えることを特徴とする移動体。

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