JP2016027325A - 位置検出装置、位置検出方法、インプリント装置及び物品の製造方法 - Google Patents
位置検出装置、位置検出方法、インプリント装置及び物品の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016027325A JP2016027325A JP2015116883A JP2015116883A JP2016027325A JP 2016027325 A JP2016027325 A JP 2016027325A JP 2015116883 A JP2015116883 A JP 2015116883A JP 2015116883 A JP2015116883 A JP 2015116883A JP 2016027325 A JP2016027325 A JP 2016027325A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffraction grating
- pattern
- patterns
- moire
- position detection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
- G01B11/25—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures by projecting a pattern, e.g. one or more lines, moiré fringes on the object
- G01B11/254—Projection of a pattern, viewing through a pattern, e.g. moiré
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7038—Alignment for proximity or contact printer
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Optical Transform (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
【解決手段】第1方向に配列されたパターンを含む第1回折格子4と、前記第1方向に配列されたパターンを含む第2回折格子5とが重なることで生じるモアレを検出する検出部25と、前記モアレに基づいて、前記第1回折格子と前記第2回折格子との相対位置を求める処理部26と、を有し、前記第1回折格子及び前記第2回折格子のうち少なくとも一方の回折格子に含まれるパターンの端のパターンの前記第1方向における幅は、前記少なくとも一方の回折格子の他のパターンの前記第1方向における幅よりも小さい。
【選択図】図2
Description
図1は、本発明の一側面としてのインプリント装置100の構成を示す概略図である。インプリント装置100は、基板上のインプリント材をモールドで成形して基板上にパターンを形成するインプリント処理を行う。本実施形態では、インプリント材として、樹脂を使用し、樹脂硬化法として、紫外線の照射によって樹脂を硬化させる光硬化法を採用する。
図7(a)に示す回折格子において、回折格子の端のパターンGP1とパターンGP1に最も近い(即ち、1つ内側の)パターンGP2との間隔を変化させることによって、回折格子のパターンの両端からの信号を変化させることができる。図7(a)に示す回折格子のパターンGP1とパターンGP2との間隔を変化させた際の回折格子の端部(パターンGP1)からの信号の変化を光学シミュレーションによって求めた結果を図10に示す。図10では、回折格子のパターンGP2及びGP3を含む他のパターン同士の間隔を1μmとし、パターンGP1とパターンGP2との間隔の1μmからの差分(間隔差)を横軸に採用している。横軸において、マイナス方向がパターンGP1とパターンGP2との間隔を狭める方向、プラス方向がパターンGP1とパターンGP2との間隔を広げる方向を示す。また、回折格子のパターンGP1とパターンGP2との間隔が1μmである場合の回折格子の端部からの信号の強度を1としたときの相対比(信号強度比)を縦軸に採用している。
回折格子の端部からの信号の強度を低減するためには、回折格子の両端のパターン及び他のパターンのそれぞれから異なる位相の光が発生させればよい。従って、モールド2及び基板1のそれぞれに設けられる回折格子のうち少なくとも一方の回折格子が、同一の位相の光が入射したときに両端のパターンからの光の位相と他のパターンからの光の位相とを異ならせる構造を含んでいればよい。
第1の実施形態及び第2の実施形態では、上述したように、回折格子(マーク4やマーク5)を大きくせずに、回折格子のパターンの両端の線幅を細くすることで、回折格子のパターンの両端で発生する信号(不要光)を低減させている。
d4=3/4×d0
d3=2/4×d0
d2=1/4×d0
このように、第2パターンの線幅d4、d3及びd2を設定することで、回折格子の端部からの不要光を低減する効果が高くなることが分かっている。
第4の実施形態のように、回折格子の端のパターンを含む複数のパターンの線幅を、回折格子の他のパターンの線幅よりも小さくすることによって、回折格子の端部からの不要光を低減する場合、端のパターンの線幅が最も小さくなくてもよい。
第2の実施形態では、回折格子の端のパターンと、かかるパターンに最も近いパターンとの間隔を、他のパターン同士(計測に使用するパターン)の間隔よりも広くすることで、回折格子の端部からの不要光を低減させている。このような場合、回折格子の端のパターンと、かかるパターンに最も近いパターンとの間隔だけに限らず、複数のパターン同士の間隔を広げてもよい。
物品としてのデバイス(半導体デバイス、磁気記憶媒体、液晶表示素子等)の製造方法について説明する。かかる製造方法は、インプリント装置100を用いてパターンを基板(ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等)に形成する工程を含む。かかる製造方法は、パターンを形成された基板を処理する工程を更に含む。当該処理ステップは、当該パターンの残膜を除去するステップを含みうる。また、当該パターンをマスクとして基板をエッチングするステップなどの周知の他のステップを含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
Claims (20)
- 第1方向に配列されたパターンを含む第1回折格子と、前記第1方向に配列されたパターンを含む第2回折格子とが重なることで生じるモアレを検出する検出部と、
前記モアレに基づいて、前記第1回折格子と前記第2回折格子との相対位置を求める処理部と、を有し、
前記第1回折格子及び前記第2回折格子のうち少なくとも一方の回折格子に含まれるパターンの端のパターンの前記第1方向における幅は、前記少なくとも一方の回折格子の他のパターンの前記第1方向における幅よりも小さいことを特徴とする位置検出装置。 - 前記他のパターンの前記第1方向における幅は、同一であることを特徴とする請求項1に記載の位置検出装置。
- 前記端のパターンの前記第1方向における幅は、前記他のパターンの前記第1方向における幅の半分であることを特徴とする請求項1又は2に記載の位置検出装置。
- 前記端のパターンと、前記端のパターンに最も近い他のパターンとの前記第1方向における間隔は、前記他のパターン同士の前記第1方向における間隔よりも広いことを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の位置検出装置。
- 前記他のパターン同士の前記第1方向における間隔は、同一であることを特徴とする請求項4に記載の位置検出装置。
- 第1方向に配列されたパターンを含む第1回折格子と、前記第1方向に配列されたパターンを含む第2回折格子とが重なることで生じるモアレを検出する検出部と、
前記モアレに基づいて、前記第1回折格子と前記第2回折格子との相対位置を求める処理部と、を有し、
前記第1回折格子及び前記第2回折格子のうち少なくとも一方の回折格子に含まれるパターンの端のパターンと、前記端のパターンに最も近いパターンとの前記第1方向における間隔は、前記少なくとも一方の回折格子のパターンの線幅の範囲内で前記少なくとも一方の回折格子の他のパターン同士の前記第1方向における間隔よりも広いことを特徴とする位置検出装置。 - 前記端のパターンと、前記端のパターンに最も近いパターンとの前記第1方向における間隔は、前記他のパターン同士の前記第1方向における間隔の1.3倍以下であることを特徴とする請求項6に記載の位置検出装置。
- 前記端のパターンと、前記端のパターンに最も近いパターンとの前記第1方向における間隔は、前記他のパターン同士の前記第1方向における間隔の1.15倍以下であることを特徴とする請求項6に記載の位置検出装置。
- 前記第1回折格子及び前記第2回折格子のうち少なくとも一方の回折格子は、前記第1方向に直交する第2方向に配列されたパターンを含むことを特徴とする請求項1乃至8のうちいずれか1項に記載の位置検出装置。
- 第1方向に配列されたパターンを含む第1回折格子と、前記第1方向に配列されたパターンを含む第2回折格子とが重なることで生じるモアレを検出する検出部と、
前記モアレに基づいて、前記第1回折格子と前記第2回折格子との相対位置を求める処理部と、を有し、
前記第1回折格子及び前記第2回折格子のうち少なくとも一方の回折格子は、同一の位相の光が入射したときに前記少なくとも一方の回折格子に含まれるパターンの端のパターンからの光の位相と前記少なくとも一方の回折格子の他のパターンからの光の位相とを異ならせる構造を含むことを特徴とする位置検出装置。 - 前記構造は、前記端のパターンを構成する物質の屈折率と前記他のパターンを構成する物質の屈折率とを異ならせることで構成されていることを特徴とする請求項10に記載の位置検出装置。
- 前記構造は、前記端のパターンを構成する物質の厚さと前記他のパターンを構成する物質の厚さとを異ならせることで構成されていることを特徴とする請求項10に記載の位置検出装置。
- 前記構造は、前記端のパターンを構成する段差の深さと前記他のパターンを構成する段差の深さとを異ならせることで構成されていることを特徴とする請求項10に記載の位置検出装置。
- 前記パターンは、複数のセグメントで構成されていることを特徴とする請求項1乃至13のうちいずれか1項に記載の位置検出装置。
- 前記第1方向に垂直に入射する光と前記第1方向に平行に入射する光によって前記第1回折格子及び前記第2回折格子を照明する照明光学系を更に有することを特徴とする請求項1乃至14のうちいずれか1項に記載の位置検出装置。
- 第1方向に配列されたパターンを含む第1回折格子と、前記第1方向に配列されたパターンを含む第2回折格子とが重なることで生じるモアレを検出する検出部と、
前記モアレに基づいて、前記第1回折格子と前記第2回折格子との相対位置を求める処理部と、を有し、
前記第1回折格子及び前記第2回折格子のうち少なくとも一方の回折格子に含まれるパターンのうち、前記モアレを検出する際に不要光が生じるパターンの前記第1方向における幅は、前記少なくとも一方の回折格子に含まれるパターンのうち、前記相対位置を求める際に用いられる回折格子のパターンの前記第1方向における幅よりも小さいことを特徴とする位置検出装置。 - 第1方向に配列されたパターンを含む第1回折格子と、前記第1方向に配列されたパターンを含む第2回折格子とが重なることで生じるモアレを検出する検出部と、
前記モアレに基づいて、前記第1回折格子と前記第2回折格子との相対位置を求める処理部と、を有し、
前記第1回折格子及び前記第2回折格子のうち少なくとも一方の回折格子に含まれるパターンのうち、前記モアレを検出する際に不要光が生じるパターンに最も近いパターンとの前記第1方向における間隔は、前記少なくとも一方の回折格子に含まれるパターンのうち、前記相対位置を求める際に用いられるパターン同士の前記第1方向における間隔よりも広いことを特徴とする位置検出装置。 - 第1方向に配列されたパターンを含む第1回折格子と、前記第1方向に配列されたパターンを含む第2回折格子とが重なることで生じるモアレを検出する工程と、
前記モアレに基づいて、前記第1回折格子と前記第2回折格子との相対位置を求める工程と、を有し、
前記第1回折格子及び前記第2回折格子のうち少なくとも一方の回折格子に含まれるパターンの端のパターンの前記第1方向における幅は、前記少なくとも一方の回折格子の他のパターンの前記第1方向における幅よりも小さいことを特徴とする位置検出方法。 - 基板上のインプリント材をモールドで成形して前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記モールドに設けられた第1方向に配列されたパターンを含む第1回折格子と、前記基板に設けられた前記第1方向に配列されたパターンを含む第2回折格子とが重なることで生じるモアレを検出する検出部と、
前記モアレに基づいて、前記第1回折格子と前記第2回折格子との相対位置を求める処理部と、
前記相対位置に基づいて、前記モールドと前記基板との位置合わせを行う制御部と、を有し、
前記第1回折格子及び前記第2回折格子のうち少なくとも一方の回折格子に含まれるパターンの端のパターンの前記第1方向における幅は、前記少なくとも一方の回折格子の他のパターンの前記第1方向における幅よりも小さいことを特徴とするインプリント装置。 - 請求項19に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015116883A JP6341883B2 (ja) | 2014-06-27 | 2015-06-09 | 位置検出装置、位置検出方法、インプリント装置及び物品の製造方法 |
US14/750,193 US10337856B2 (en) | 2014-06-27 | 2015-06-25 | Position detection apparatus, position detection method, imprint apparatus, and method of manufacturing article |
CN201810126879.2A CN108180836B (zh) | 2014-06-27 | 2015-06-26 | 位置检测装置 |
KR1020150091007A KR20160001693A (ko) | 2014-06-27 | 2015-06-26 | 위치 검출 장치, 위치 검출 방법, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법 |
CN201810939318.4A CN109059765B (zh) | 2014-06-27 | 2015-06-26 | 位置检测装置 |
CN201510369385.3A CN105222705B (zh) | 2014-06-27 | 2015-06-26 | 位置检测装置、位置检测方法、压印装置及物品的制造方法 |
KR1020170148768A KR101963636B1 (ko) | 2014-06-27 | 2017-11-09 | 위치 검출 장치, 위치 검출 방법, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법 |
KR1020190033057A KR102277746B1 (ko) | 2014-06-27 | 2019-03-22 | 위치 검출 장치, 위치 검출 방법, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법 |
US16/427,406 US10989527B2 (en) | 2014-06-27 | 2019-05-31 | Position detection apparatus, position detection method, imprint apparatus, and method of manufacturing article |
KR1020200040205A KR20200038223A (ko) | 2014-06-27 | 2020-04-02 | 위치 검출 장치, 위치 검출 방법, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014133245 | 2014-06-27 | ||
JP2014133245 | 2014-06-27 | ||
JP2015116883A JP6341883B2 (ja) | 2014-06-27 | 2015-06-09 | 位置検出装置、位置検出方法、インプリント装置及び物品の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018094728A Division JP6701263B2 (ja) | 2014-06-27 | 2018-05-16 | 位置検出装置、位置検出方法、インプリント装置及び物品の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016027325A true JP2016027325A (ja) | 2016-02-18 |
JP2016027325A5 JP2016027325A5 (ja) | 2017-08-31 |
JP6341883B2 JP6341883B2 (ja) | 2018-06-13 |
Family
ID=54930130
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015116883A Active JP6341883B2 (ja) | 2014-06-27 | 2015-06-09 | 位置検出装置、位置検出方法、インプリント装置及び物品の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10337856B2 (ja) |
JP (1) | JP6341883B2 (ja) |
KR (4) | KR20160001693A (ja) |
CN (3) | CN109059765B (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017204539A (ja) * | 2016-05-10 | 2017-11-16 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置、位置検出方法、インプリント装置及び物品の製造方法 |
JP2019009384A (ja) * | 2017-06-28 | 2019-01-17 | 東芝メモリ株式会社 | ナノインプリント用テンプレート及び集積回路装置の製造方法 |
JP2019054099A (ja) * | 2017-09-14 | 2019-04-04 | 東芝メモリ株式会社 | インプリント装置、インプリント方法および半導体装置の製造方法 |
JP2019158516A (ja) * | 2018-03-12 | 2019-09-19 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置、位置検出方法、インプリント装置及び物品の製造方法 |
JP2019212672A (ja) * | 2018-05-31 | 2019-12-12 | キヤノン株式会社 | 検出装置、インプリント装置、平坦化装置、検出方法及び物品製造方法 |
WO2020031980A1 (ja) * | 2018-08-10 | 2020-02-13 | 株式会社エンプラス | レンズマーカ画像の補正方法、補正装置、プログラム、および記録媒体 |
JPWO2019130835A1 (ja) * | 2017-12-27 | 2021-03-11 | 株式会社日立ハイテク | 凹面回折格子の製造方法、凹面回折格子及びそれを用いた分析装置 |
JP2023511729A (ja) * | 2020-01-29 | 2023-03-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板上の周期構造を測定するための計測方法およびデバイス |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6701263B2 (ja) * | 2014-06-27 | 2020-05-27 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置、位置検出方法、インプリント装置及び物品の製造方法 |
JP6341883B2 (ja) | 2014-06-27 | 2018-06-13 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置、位置検出方法、インプリント装置及び物品の製造方法 |
JP6685821B2 (ja) * | 2016-04-25 | 2020-04-22 | キヤノン株式会社 | 計測装置、インプリント装置、物品の製造方法、光量決定方法、及び、光量調整方法 |
JP7222702B2 (ja) * | 2018-12-26 | 2023-02-15 | 三星電子株式会社 | ウエハの接合方法、半導体装置の製造方法、及びその装置 |
CN109751959B (zh) * | 2019-01-17 | 2020-10-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 线宽测量方法 |
CN111752112B (zh) * | 2019-03-27 | 2021-09-10 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 掩膜对准标记组合、掩膜对准***、光刻装置及其方法 |
US11748869B1 (en) * | 2019-07-08 | 2023-09-05 | Intel Corporation | Image-based overlay targets incorporating features for pattern recognition and moire fringe patterns for measurement |
CN114688972B (zh) * | 2020-12-31 | 2024-04-02 | 深圳中科飞测科技股份有限公司 | 检测设备及其检测方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08321452A (ja) * | 1995-05-26 | 1996-12-03 | Nikon Corp | アライメント結果評価方法及び該方法を使用するアライメント装置 |
JPH09152309A (ja) * | 1995-11-29 | 1997-06-10 | Nikon Corp | 位置検出装置および位置検出方法 |
JP2004103697A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 位置合わせマークおよび位置合わせ方法 |
JP2007142419A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Asml Netherlands Bv | アライメントマークとしての2元正弦サブ波長回折格子 |
JP2009302534A (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-24 | Asml Netherlands Bv | サブセグメント化されたアライメントマーク構成 |
US20120244319A1 (en) * | 2009-12-18 | 2012-09-27 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
US20120328725A1 (en) * | 2011-06-21 | 2012-12-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detection apparatus, imprint apparatus, and position detection method |
Family Cites Families (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2072056B1 (ja) * | 1969-12-24 | 1974-09-27 | Shimadzu Corp | |
JPS4986980A (ja) | 1972-12-23 | 1974-08-20 | ||
US4177255A (en) | 1977-09-02 | 1979-12-04 | Eastman Kodak Company | Rumen-stable pellets |
US4568189A (en) | 1983-09-26 | 1986-02-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Apparatus and method for aligning a mask and wafer in the fabrication of integrated circuits |
DE3809569A1 (de) | 1988-03-22 | 1989-10-05 | Frankl & Kirchner | Positionsgeber |
JPH0784110A (ja) | 1993-09-20 | 1995-03-31 | Toppan Printing Co Ltd | 回折格子パターンを有するディスプレイ |
US5719676A (en) * | 1996-04-12 | 1998-02-17 | Tropel Corporation | Diffraction management for grazing incidence interferometer |
US5971546A (en) * | 1996-06-15 | 1999-10-26 | Lg Electronics Inc. | Image display device |
US6590605B1 (en) * | 1998-10-14 | 2003-07-08 | Dimension Technologies, Inc. | Autostereoscopic display |
DE19918101A1 (de) * | 1999-04-22 | 2000-10-26 | Heidenhain Gmbh Dr Johannes | Optische Positionsmeßeinrichtung |
US6509559B1 (en) * | 2000-06-20 | 2003-01-21 | Ppt Vision, Inc. | Binary optical grating and method for generating a moire pattern for 3D imaging |
US20040032659A1 (en) * | 2000-07-18 | 2004-02-19 | Drinkwater John K | Difractive device |
SG152898A1 (en) * | 2002-09-20 | 2009-06-29 | Asml Netherlands Bv | Alignment systems and methods for lithographic systems |
SG124270A1 (en) * | 2002-12-16 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus with alignment subsystem, device manufacturing method using alignment, and alignment structure |
US7230704B2 (en) * | 2003-06-06 | 2007-06-12 | Tokyo Electron Limited | Diffracting, aperiodic targets for overlay metrology and method to detect gross overlay |
JP2005172459A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Fujinon Corp | 格子パターン投影形状測定装置 |
US7349105B2 (en) * | 2004-09-01 | 2008-03-25 | Intel Corporation | Method and apparatus for measuring alignment of layers in photolithographic processes |
US7292326B2 (en) | 2004-11-30 | 2007-11-06 | Molecular Imprints, Inc. | Interferometric analysis for the manufacture of nano-scale devices |
US7485845B2 (en) * | 2005-12-06 | 2009-02-03 | Mitutoyo Corporation | Photoelectric encoder capable of effectively removing harmonic components |
CN2903975Y (zh) * | 2006-01-17 | 2007-05-23 | 浙江大学 | 基于光纤布拉格光栅的湿度分布式检测装置 |
DE102006042743A1 (de) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh | Positionsmesseinrichtung |
US7612882B2 (en) * | 2006-10-20 | 2009-11-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optical gratings, lithography tools including such optical gratings and methods for using same for alignment |
NL1036080A1 (nl) * | 2007-11-01 | 2009-05-07 | Asml Netherlands Bv | Position measurement system and Lithographic Apparatus. |
CN100561258C (zh) * | 2008-02-01 | 2009-11-18 | 黑龙江科技学院 | 一种三维测量***中相移光栅 |
US7608813B1 (en) * | 2008-11-18 | 2009-10-27 | Mitutoyo Corporation | Scale track configuration for absolute optical encoder including a detector electronics with plurality of track detector portions |
CN101441066B (zh) * | 2008-12-23 | 2010-07-21 | 西安交通大学 | 彩色条纹编码的相位去包裹方法 |
IN2012DN03206A (ja) * | 2009-10-19 | 2015-10-23 | Sumitomo Electric Industries | |
JP5618588B2 (ja) | 2010-03-24 | 2014-11-05 | キヤノン株式会社 | インプリント方法 |
US20130077100A1 (en) * | 2010-12-17 | 2013-03-28 | Atsushi Fukui | Surface shape measurement method and surface shape measurement apparatus |
NL2008110A (en) * | 2011-02-18 | 2012-08-21 | Asml Netherlands Bv | Measuring method, measuring apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
CN102155914B (zh) * | 2011-03-08 | 2012-07-04 | 西安邮电学院 | 基于伪随机序列的绝对位置栅尺编码和测量方法及其装置 |
WO2012127552A1 (ja) * | 2011-03-23 | 2012-09-27 | パナソニック株式会社 | 画像処理装置、撮像装置及び画像処理方法 |
DE102011076055A1 (de) * | 2011-05-18 | 2012-11-22 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh | Optische Positionsmesseinrichtung |
JP5706861B2 (ja) | 2011-10-21 | 2015-04-22 | キヤノン株式会社 | 検出器、検出方法、インプリント装置及び物品製造方法 |
JP5967924B2 (ja) | 2011-12-21 | 2016-08-10 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置、インプリント装置およびデバイス製造方法 |
US8941052B2 (en) * | 2011-12-23 | 2015-01-27 | Mitutoyo Corporation | Illumination portion for an adaptable resolution optical encoder |
US9080899B2 (en) * | 2011-12-23 | 2015-07-14 | Mitutoyo Corporation | Optical displacement encoder having plural scale grating portions with spatial phase offset of scale pitch |
JP5924765B2 (ja) * | 2012-02-23 | 2016-05-25 | 本田技研工業株式会社 | 距離測定装置及び距離測定方法 |
JP5943717B2 (ja) | 2012-06-05 | 2016-07-05 | キヤノン株式会社 | 位置検出システム、インプリント装置、デバイス製造方法、および位置検出方法 |
US8913237B2 (en) * | 2012-06-26 | 2014-12-16 | Kla-Tencor Corporation | Device-like scatterometry overlay targets |
CN102914276B (zh) * | 2012-08-03 | 2015-04-22 | 南京理工大学 | 三维光学测量中基于三灰阶空间脉冲宽度调制的正弦光栅构造方法 |
CN102798354B (zh) * | 2012-08-28 | 2014-11-05 | 西北工业大学 | 基于二进制条纹叠加的正弦光栅生成方法 |
CN103411540B (zh) * | 2013-07-26 | 2016-01-20 | 广东工业大学 | 一种高精密的光栅位移测量装置 |
JP6359340B2 (ja) * | 2014-05-27 | 2018-07-18 | 株式会社ミツトヨ | スケール及び光学式エンコーダ |
JP6341883B2 (ja) | 2014-06-27 | 2018-06-13 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置、位置検出方法、インプリント装置及び物品の製造方法 |
JP6437802B2 (ja) * | 2014-11-28 | 2018-12-12 | 株式会社ミツトヨ | 光学式エンコーダ |
JP2016188907A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-04 | セイコーエプソン株式会社 | 体積ホログラフィック素子、体積ホログラフィック素子の製造方法、および表示装置 |
JP6651371B2 (ja) * | 2016-02-05 | 2020-02-19 | 株式会社ミツトヨ | 光電式エンコーダ |
JP6400036B2 (ja) * | 2016-03-14 | 2018-10-03 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置、工作装置、および、露光装置 |
JP6884515B2 (ja) * | 2016-05-10 | 2021-06-09 | キヤノン株式会社 | 位置検出方法、インプリント装置及び物品の製造方法 |
-
2015
- 2015-06-09 JP JP2015116883A patent/JP6341883B2/ja active Active
- 2015-06-25 US US14/750,193 patent/US10337856B2/en active Active
- 2015-06-26 CN CN201810939318.4A patent/CN109059765B/zh active Active
- 2015-06-26 KR KR1020150091007A patent/KR20160001693A/ko not_active Application Discontinuation
- 2015-06-26 CN CN201510369385.3A patent/CN105222705B/zh active Active
- 2015-06-26 CN CN201810126879.2A patent/CN108180836B/zh active Active
-
2017
- 2017-11-09 KR KR1020170148768A patent/KR101963636B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-03-22 KR KR1020190033057A patent/KR102277746B1/ko active IP Right Grant
- 2019-05-31 US US16/427,406 patent/US10989527B2/en active Active
-
2020
- 2020-04-02 KR KR1020200040205A patent/KR20200038223A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08321452A (ja) * | 1995-05-26 | 1996-12-03 | Nikon Corp | アライメント結果評価方法及び該方法を使用するアライメント装置 |
JPH09152309A (ja) * | 1995-11-29 | 1997-06-10 | Nikon Corp | 位置検出装置および位置検出方法 |
JP2004103697A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 位置合わせマークおよび位置合わせ方法 |
JP2007142419A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Asml Netherlands Bv | アライメントマークとしての2元正弦サブ波長回折格子 |
JP2009302534A (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-24 | Asml Netherlands Bv | サブセグメント化されたアライメントマーク構成 |
US20120244319A1 (en) * | 2009-12-18 | 2012-09-27 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
JP2013514638A (ja) * | 2009-12-18 | 2013-04-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | インプリントリソグラフィ |
US20120328725A1 (en) * | 2011-06-21 | 2012-12-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detection apparatus, imprint apparatus, and position detection method |
JP2013030757A (ja) * | 2011-06-21 | 2013-02-07 | Canon Inc | 位置検出装置、インプリント装置及び位置検出方法 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10634995B2 (en) | 2016-05-10 | 2020-04-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detector, position detection method, imprint apparatus, and product manufacturing method |
US20170329217A1 (en) | 2016-05-10 | 2017-11-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detector, position detection method, imprint apparatus, and product manufacturing method |
JP2017204539A (ja) * | 2016-05-10 | 2017-11-16 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置、位置検出方法、インプリント装置及び物品の製造方法 |
JP2019009384A (ja) * | 2017-06-28 | 2019-01-17 | 東芝メモリ株式会社 | ナノインプリント用テンプレート及び集積回路装置の製造方法 |
JP2019054099A (ja) * | 2017-09-14 | 2019-04-04 | 東芝メモリ株式会社 | インプリント装置、インプリント方法および半導体装置の製造方法 |
JPWO2019130835A1 (ja) * | 2017-12-27 | 2021-03-11 | 株式会社日立ハイテク | 凹面回折格子の製造方法、凹面回折格子及びそれを用いた分析装置 |
JP7030569B2 (ja) | 2018-03-12 | 2022-03-07 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置、位置検出方法、インプリント装置及び物品の製造方法 |
JP2019158516A (ja) * | 2018-03-12 | 2019-09-19 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置、位置検出方法、インプリント装置及び物品の製造方法 |
JP2019212672A (ja) * | 2018-05-31 | 2019-12-12 | キヤノン株式会社 | 検出装置、インプリント装置、平坦化装置、検出方法及び物品製造方法 |
JP7182904B2 (ja) | 2018-05-31 | 2022-12-05 | キヤノン株式会社 | 検出装置、インプリント装置、平坦化装置、検出方法及び物品製造方法 |
WO2020031980A1 (ja) * | 2018-08-10 | 2020-02-13 | 株式会社エンプラス | レンズマーカ画像の補正方法、補正装置、プログラム、および記録媒体 |
JP2023511729A (ja) * | 2020-01-29 | 2023-03-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板上の周期構造を測定するための計測方法およびデバイス |
JP7365510B2 (ja) | 2020-01-29 | 2023-10-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板上の周期構造を測定するための計測方法およびデバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101963636B1 (ko) | 2019-04-01 |
US20150377614A1 (en) | 2015-12-31 |
US20190285403A1 (en) | 2019-09-19 |
JP6341883B2 (ja) | 2018-06-13 |
KR20190034178A (ko) | 2019-04-01 |
KR20170126833A (ko) | 2017-11-20 |
KR20200038223A (ko) | 2020-04-10 |
KR102277746B1 (ko) | 2021-07-16 |
CN109059765B (zh) | 2021-06-11 |
CN108180836B (zh) | 2021-06-15 |
CN105222705A (zh) | 2016-01-06 |
KR20160001693A (ko) | 2016-01-06 |
CN109059765A (zh) | 2018-12-21 |
US10337856B2 (en) | 2019-07-02 |
CN105222705B (zh) | 2018-08-31 |
CN108180836A (zh) | 2018-06-19 |
US10989527B2 (en) | 2021-04-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6341883B2 (ja) | 位置検出装置、位置検出方法、インプリント装置及び物品の製造方法 | |
US8842294B2 (en) | Position detection apparatus, imprint apparatus, and position detection method | |
JP5943717B2 (ja) | 位置検出システム、インプリント装置、デバイス製造方法、および位置検出方法 | |
US8922786B2 (en) | Detector, imprint apparatus, and article manufacturing method | |
KR102507709B1 (ko) | 검출 장치, 임프린트 장치, 평탄화 장치, 검출 방법 및 물품 제조 방법 | |
JP2018098456A (ja) | 位置合わせ装置、位置合わせ方法、リソグラフィ装置、および物品製造方法 | |
JP2022502689A (ja) | マークの位置を測定するための装置及び方法 | |
TWI447531B (zh) | 曝光設備及裝置製造方法 | |
JP2019004143A (ja) | 検出装置、リソグラフィー装置および物品製造方法 | |
JP2017092294A (ja) | インプリント装置、型、および物品の製造方法 | |
JP6701263B2 (ja) | 位置検出装置、位置検出方法、インプリント装置及び物品の製造方法 | |
CN106610571B (zh) | 一种用于光刻装置的对准方法及*** | |
US11360403B2 (en) | Bandwidth calculation system and method for determining a desired wavelength bandwidth for a measurement beam in a mark detection system | |
JP2015220343A (ja) | 検出装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 | |
JP2024037437A (ja) | マークの相対位置の計測方法、計測装置及び物品の製造方法 | |
JP2014203984A (ja) | 計測装置、計測方法、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170530 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170714 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20170714 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170804 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20170825 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170901 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171031 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180109 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180312 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180416 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180515 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6341883 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |