JP2016025303A - リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、半導体装置の多面付け体 - Google Patents

Abstract

【課題】枠体上に形成された不要な樹脂部分を容易に除去することができるリードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、半導体装置の多面付け体を提供する。
【解決手段】リードフレームの多面付け体ＭＳは、枠体Ｆ内にリードフレーム１０が多面付けされ、リードフレーム１０の一方の面側から樹脂が充填されるリードフレームの多面付け体ＭＳにおいて、枠体Ｆには、枠体Ｆの一方の面側から他方の面側に通じる貫通孔Ｈが形成され、貫通孔Ｈの開口部は、枠体Ｆの一方の面側から他方の面側に向かうにつれて徐々に狭くなるように形成されることを特徴とする。
【選択図】図４

Description

本発明は、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、半導体装置の多面付け体に関するものである。

従来、ＬＥＤ素子等の半導体素子は、電気的に絶縁され、周囲に樹脂層を設けた複数の端子部を有するリードフレームに固定され、その上部を封止樹脂層により封止され、半導体装置として基板に実装されていた（例えば、特許文献１）。
このような半導体装置は、多面付けされたリードフレーム（リードフレームの多面付け体）に樹脂層を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体を作製し、半導体素子を電気的に接続し、封止樹脂層を形成した後に、パッケージ単位に個片化することによって同時に複数製造される。
このリードフレームの多面付け体の中には、リードフレームを多面付けする枠体に貫通孔や未貫通の穴が形成されており、この貫通孔等が、加工等のマークとして利用されている。例えば、この貫通孔等は、半導体装置をパッケージ単位に個片化する場合に、多面付けされたリードフレーム間を切断（ダイシング）する刃物の位置決めを行うダイシングマークとして利用される。

この貫通孔等は、リードフレームの母材となる金属板（例えば、銅板）をハーフエッチング加工することによって形成される。そのため、貫通孔が形成された場合は、孔の内壁に複数の突起が形成されてしまったり、表面側の開口部が、裏面側の開口部よりも狭く形成されてしまったりする場合があった（図１５参照）。また、未貫通の穴が形成された場合も、穴の内壁に突起が形成されてしまう場合があった。
ここで、リードフレームの多面付け体に樹脂層を形成する場合、リードフレームの多面付け体を成形用金型に配置し、枠体の表面側の端部から多面付けされるリードフレームに向かって樹脂が充填されるため、枠体に形成された貫通孔等の内側にも樹脂が充填されてしまうこととなる。
この枠体上に形成された樹脂は、製品となる樹脂層ではないので、樹脂の硬化後に除去されることとなるが、上述の貫通孔等にも樹脂が充填されていると、樹脂が貫通孔内の突起に引っ掛かり枠体から外せなくなったり、除去する際に枠体やリードフレームが変形したり、貫通孔内に不要な樹脂が残存してしまったりする場合があった。

特開２０１１−１５１０６９号公報

本発明の課題は、枠体上に形成された不要な樹脂部分を容易に除去することができるリードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、半導体装置の多面付け体を提供することである。

本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。また、符号を付して説明した構成は、適宜改良してもよく、また、少なくとも一部を他の構成物に代替してもよい。

第１の発明は、枠体（Ｆ）内にリードフレーム（１０）が多面付けされ、前記リードフレームの一方の面側から樹脂が充填されるリードフレームの多面付け体（ＭＳ）において、前記枠体には、前記枠体の一方の面側から他方の面側に通じる貫通孔（Ｈ）が形成され、前記貫通孔の開口部は、前記枠体の一方の面側から他方の面側に向かうにつれて徐々に狭くなるように形成されること、を特徴とするリードフレームの多面付け体である。
第２の発明は、第１の発明のリードフレームの多面付け体（ＭＳ）において、前記貫通孔（Ｈ）の内壁は、連続した曲面又は平面によって形成されていること、を特徴とするリードフレームの多面付け体である。
第３の発明は、第１の発明又は第２の発明のリードフレームの多面付け体（ＭＳ）において、前記貫通孔（Ｈ）は、前記枠体（Ｆ）に多面付けされた前記リードフレーム（１０）を個片化するダイシングマークであり、前記リードフレームの１パッケージの幅寸法毎に複数形成されること、を特徴とするリードフレームの多面付け体である。
第４の発明は、枠体（Ｆ）内にリードフレーム（１０）が多面付けされ、前記リードフレームの一方の面側から樹脂が充填されるリードフレームの多面付け体（ＭＳ）において、前記枠体には、前記枠体の一方の面側又は他方の面側から窪んだ穴（ｈ）が形成され、前記穴の開口部（ｈ１）は、前記枠体の一方の面側又は他方の面側から底面（ｈ２）に向かうにつれて徐々に狭くなるように形成されること、を特徴とするリードフレームの多面付け体である。
第５の発明は、第４の発明のリードフレームの多面付け体（ＭＳ）において、前記穴（ｈ）の内壁は、連続した曲面又は平面によって形成されていること、を特徴とするリードフレームの多面付け体である。
第６の発明は、第４の発明又は第５の発明のリードフレームの多面付け体（ＭＳ）において、前記穴（ｈ）は、前記枠体（Ｆ）に多面付けされた前記リードフレーム（１０）を個片化するダイシングマークであり、前記リードフレームの１パッケージの幅寸法毎に複数形成されること、を特徴とするリードフレームの多面付け体である。
第７の発明は、第１の発明から第６の発明までのいずれかのリードフレームの多面付け体（ＭＳ）と、少なくとも前記リードフレーム（１０）の外周部に形成される樹脂層（２０）と、を備える樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）である。
第８の発明は、第７の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）と、前記リードフレーム（１０）に接続される半導体素子（２）と、前記リードフレームの前記半導体素子が接続される側の面に形成され、前記半導体素子を覆う第２樹脂層（３０）と、を備える半導体装置の多面付け体である。

本発明によれば、枠体上に形成された不要な樹脂部分を容易に除去することができる。

第１実施形態の光半導体装置の全体構成を示す図である。 第１実施形態のリードフレームの多面付け体の全体図である。 第１実施形態のリードフレームの多面付け体の詳細を説明する図である。 第１実施形態の枠体の詳細を説明する図である。 第１実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体の全体図である。 第１実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体の詳細を説明する図である。 第１実施形態のリードフレームの製造過程を説明する図である。 第１実施形態の光半導体装置の製造過程を説明する図である。 第１実施形態の光半導体装置の多面付け体を示す図である。 樹脂付きリードフレームの多面付け体を製造する金型及びその製造工程を説明する図である。 ゲート樹脂部の除去前の樹脂付きリードフレームの多面付け体を示す図である。 ゲート樹脂部Ｇの除去前の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ‘の詳細を示す図である。 第２実施形態の枠体の詳細を説明する図である。 第３実施形態の枠体の詳細を説明する図である。 比較例の貫通孔を示す図である。

（第１実施形態）
以下、図面等を参照して、本発明の第１実施形態について説明する。
図１は、本実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。
図１（ａ）、図１（ｂ）、図１（ｃ）は、それぞれ、光半導体装置１の平面図、側面図、裏面図を示す。図１（ｄ）は、図１（ａ）のｄ−ｄ断面図を示す。
図２は、本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図である。
図３は、本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図３（ａ）は、リードフレームの多面付け体ＭＳの平面図を示し、図２のａ部詳細図である。図３（ｂ）は、リードフレームの多面付け体ＭＳの裏面図を示し、図３（ｃ）、図３（ｄ）は、それぞれ図３（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
図４は、本実施形態の枠体の詳細を説明する図である。図４（ａ）は、枠体Ｆの拡大平面図を示しており、図３（ａ）のａ部詳細図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）のｂ−ｂ断面図を示す。
図５は、本実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの全体図である。図５（ａ）、図５（ｂ）、図５（ｃ）は、それぞれ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図、裏面図、側面図を示す。
図６は、本実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。図６（ａ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図を示し、図５（ａ）のａ部詳細図を示す。図６（ｂ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの裏面図を示し、図６（ｃ）、図６（ｄ）は、それぞれ図６（ａ）のｃ−ｃ断面図と、ｄ−ｄ断面図を示す。
各図において、光半導体装置（リードフレーム）の平面図における端子部１１、１２の配列方向をＸ方向とし、リードフレームの平面内におけるＸ方向に垂直な方向をＹ方向とし、端子部の厚み方向（ＸＹ平面に直交する方向）をＺ方向とする。また、リードフレーム等のＬＥＤ素子が接続される側（＋Ｚ側）の面を表面とし、−Ｚ側の面を裏面とする。

光半導体装置１は、外部機器等の基板に取り付けられることによって、実装したＬＥＤ素子２が発光する照明装置である。光半導体装置１は、図１に示すように、ＬＥＤ素子２（半導体素子）、リードフレーム１０、光反射樹脂層２０（樹脂層）、透明樹脂層３０（第２樹脂層）を備える。
光半導体装置１は、多面付けされたリードフレーム１０（リードフレームの多面付け体ＭＳ、図２参照）に光反射樹脂層２０を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ（図５参照）を作製し、ＬＥＤ素子２を電気的に接続し、透明樹脂層３０を形成して、パッケージ単位に切断（ダイシング）することによって製造される（詳細は後述する）。
ＬＥＤ素子２は、発光層として一般に用いられるＬＥＤ（発光ダイオード）の素子であり、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ等の化合物半導体単結晶、又は、ＩｎＧａＮ等の各種ＧａＮ系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。

リードフレーム１０は、一対の端子部、すなわち、ＬＥＤ素子２が載置、接続される端子部１１と、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２に接続される端子部１２とから構成される。
端子部１１、１２は、それぞれ導電性のある材料、例えば、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）等により形成されており、本実施形態では、熱伝導及び強度の観点から銅合金から形成されている。
端子部１１、１２は、図３に示すように、互いに対向する辺の間に空隙部Ｓが形成されており、電気的に独立している。端子部１１、１２は、１枚の金属基板（銅版）をプレス又はエッチング加工することにより形成されるため、両者の厚みは同等である。

端子部１１は、図１に示すように、その表面にＬＥＤ素子２が載置、接続されるＬＥＤ端子面１１ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１１ｂが形成される、いわゆるダイパッドを構成する。端子部１１は、ＬＥＤ素子２が載置されるため、端子部１２に比べ、その外形が大きく形成されている。
端子部１２は、その表面にＬＥＤ素子２のボンディングワイヤ２ａが接続されるＬＥＤ端子面１２ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１２ｂが形成される、いわゆるリード側端子部を構成する。
端子部１１、１２は、その表面及び裏面にめっき層Ｃが形成されており（図７（ｅ）参照）、表面側のめっき層Ｃは、ＬＥＤ素子２の発する光を反射する反射層としての機能を有し、裏面側のめっき層Ｃは、外部機器に実装されるときの半田の溶着性を高める機能を有する。なお、図１〜図６等において、めっき層Ｃの図示は省略している。

端子部１１、１２は、図３に示すように、それぞれの裏面側の外周部に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、リードフレーム１０の裏面側から見て、各端子部１１、１２の外周部に形成された窪みであり、その窪みの厚みは、端子部１１、１２の厚みの１／３〜２／３程度に形成されている。

リードフレーム１０は、端子部１１、１２の周囲や、端子部１１、１２間の空隙部Ｓ等に、光反射樹脂層２０を形成する樹脂が充填される場合に、図６に示すように、凹部Ｍにも樹脂が充填され、光反射樹脂層２０と各端子部１１、１２との接触面積を大きくしている。また、厚み（Ｚ）方向において、リードフレーム１０と光反射樹脂層２０とを交互に構成することができる。これにより、凹部Ｍは、光反射樹脂層２０が、平面方向（Ｘ方向、Ｙ方向）及び厚み方向において、リードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。

連結部１３は、枠体Ｆ内に多面付けされた各リードフレーム１０の端子部１１、１２を、隣接する他のリードフレーム１０の端子部や、枠体Ｆに連結している。連結部１３は、多面付けされた各リードフレーム１０上にＬＥＤ素子２等が搭載され、光半導体装置の多面付け体（図９参照）が形成された場合に、リードフレーム１０を形成する外形線（図３、図９中の破線）でダイシング（切断）される。
連結部１３は、端子部１１、１２を形成する各辺のうち、端子部１１、１２が対向する辺を除いた辺に形成されている。

具体的には、連結部１３ａは、図３（ａ）に示すように、端子部１２の右（＋Ｘ）側の辺と、右側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の左（−Ｘ）側の辺とを接続し、また、端子部１１の左側の辺と、左側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の右側の辺とを接続している。枠体Ｆに隣接する端子部１１、１２に対しては、連結部１３ａは、端子部１１の左側の辺又は端子部１２の右側の辺と、枠体Ｆとを接続している。

連結部１３ｂは、端子部１１の上（＋Ｙ）側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の下（−Ｙ）側の辺とを接続し、また、端子部１１の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の上側の辺とを接続する。枠体Ｆに隣接する端子部１１に対しては、連結部１３ｂは、端子部１１の上側又は下側の辺と、枠体Ｆとを接続している。
連結部１３ｃは、端子部１２の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の下側の辺とを接続し、また、端子部１２の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の上側の辺とを接続する。枠体Ｆに隣接する端子部１２に対しては、連結部１３ｃは、端子部１２の上側又は下側の辺と、枠体Ｆとを接続している。

連結部１３ｄは、端子部１１及び端子部１２間の空隙部Ｓの延長上を横切るようにして形成される。ここで、空隙部Ｓの延長上とは、空隙部Ｓを上下（Ｙ）方向に延長させた領域をいう。本実施形態では、連結部１３ｄは、一の端子部（１２、１１）と、その端子部の空隙部Ｓを挟んだ対向する側に位置し、上又は下に隣接する他のリードフレームの端子部（１１、１２）とを連結するために、端子部１１の上側の辺及び端子部１２の下側の辺に対して、傾斜（例えば、４５度）した形状に形成される。
具体的には、連結部１３ｄは、端子部１２の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の下側の辺とを接続し、また、端子部１１の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の上側の辺とを接続する。また、枠体Ｆに隣接する端子部１１、１２に対しては、連結部１３ｄは、端子部１２の上側の辺又は端子部１１の下側の辺と、枠体Ｆとを接続している。

連結部１３ｄが設けられることによって、リードフレームの多面付け体ＭＳは、光反射樹脂層２０を形成する工程において、端子部１１と端子部１２との間隔がずれたり、各端子部１１、１２が枠体Ｆに対して捩れたりするのを抑制することができる。また、連結部１３ｄは、光半導体装置１の空隙部Ｓの強度を向上させることができ、空隙部Ｓにおいて破損してしまうのを抑制することができる。

なお、端子部１１、１２は、連結部１３によって、隣り合う他のリードフレーム１０の端子部１１、１２と電気的に導通されるが、光半導体装置１の多面付け体を形成した後に、光半導体装置１（リードフレーム１０）の外形（図３（ａ）の破線）に合わせて各連結部１３を切断（ダイシング）することによって絶縁される。また、個片化された場合に、各々の個片を同じ形状にすることができる。

連結部１３は、図３（ｂ）、図３（ｃ）に示すように、端子部１１、１２の厚みよりも薄く、かつ、その表面が端子部１１、１２の表面と同一平面内に形成されている。具体的には、連結部１３は、その裏面が、各端子部１１、１２の凹部Ｍの底面（窪んだ部分）と略同一面内に形成されている。これにより、光反射樹脂層２０の樹脂が充填された場合に、図６（ｂ）〜図６（ｄ）に示すように、連結部１３の裏面にも樹脂が流れ込み、光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の裏面には、図６（ｂ）に示すように、矩形状の外部端子面１１ｂ、１２ｂが表出することとなり、光半導体装置１の外観を向上させることができることに加え、半田で基板に実装する場合に、基板側への半田印刷を容易にしたり、半田を均一に塗布したり、リフロー後に半田内へのボイドの発生を抑制したりすることができる。また、光半導体装置１の面内（ＸＹ平面内）の中心線に対して線対称であることから、熱応力等に対する信頼性を向上させることができる。

リードフレームの多面付け体ＭＳは、上述のリードフレーム１０を枠体Ｆ内に多面付けしたものをいう。本実施形態では、図２及び図３に示すように、縦横に複数個、連結部１３によって連結されたリードフレーム１０の集合体Ｐを、複数組（本実施形態では４組、Ｐ１〜Ｐ４）、左右方向に配列させて枠体Ｆ内に形成したものである。
枠体Ｆは、リードフレーム１０の集合体Ｐ毎に、リードフレーム１０を固定する部材であり、その外形が矩形状に形成される。なお、枠体Ｆは、１枚の金属基板をプレス加工又はエッチング加工することによってリードフレームとともに形成されるので、その厚みが各端子部の厚みと同等である。
枠体Ｆには、その矩形状の各辺に、表面側から裏面側に通じる貫通孔Ｈが複数形成されている。この貫通孔Ｈは、多面付けされたリードフレーム（光半導体装置）を個片化するために、リードフレームの多面付け体ＭＳに対して切断用の刃物の位置決めを行う加工用のマーク、いわゆるダイシングマークであり、枠体Ｆの各辺上において、１パッケージの幅寸法毎に形成されている。

ここで、貫通孔Ｈは、その開口部が、光反射樹脂層２０を形成する樹脂が充填される枠体Ｆの一方の面側から、他方の面側に向かうにつれて狭くなるように形成されており、この貫通孔Ｈの内壁は、凹凸なく滑らかに形成されている。本実施形態では、光反射樹脂層２０を形成する樹脂が枠体Ｆの表面側から充填されるので（詳細は後述する）、貫通孔Ｈは、図４に示すように、その開口部が表面側から裏面側に向かうにつれて狭くなるように形成される。
貫通孔Ｈは、厚み方向（Ｚ方向）から見て、長方形の長手方向の両端に半円をつなぎ合わせた形状、いわゆるレーストラック型の形状に形成されており、表面側の開口部Ｈ１が裏面側の開口部Ｈ２に比して広く形成されている。
なお、本実施形態では、表面側の開口部Ｈ１及び裏面側の開口部Ｈ２の半円部分の中心位置が厚み方向から見てそれぞれ重なるように形成されており、０．２５ｍｍの枠体Ｆの厚みに対して、開口部Ｈ１の半円部分の半径ｒ１が０．２５ｍｍ、開口部Ｈ２の半円部分の半径ｒ２が０．１５ｍｍ、半円部分の中心点間の距離ｌが２．４ｍｍに形成されている。

光反射樹脂層２０は、図５及び図６に示すように、フレーム樹脂部２０ａと、リフレクタ樹脂部２０ｂとから構成される。
フレーム樹脂部２０ａは、端子部１１、１２の外周側面（リードフレーム１０の外周及び空隙部Ｓ）だけでなく、各端子部に設けられた凹部Ｍや、連結部１３の裏面にも形成される。フレーム樹脂部２０ａは、リードフレーム１０の厚みとほぼ同等の厚みに形成されている。
リフレクタ樹脂部２０ｂは、リードフレーム１０の表面側（リードフレーム１０のＬＥＤ素子２が接続される側）に突出するように形成され、リードフレーム１０に接続されるＬＥＤ素子２から発光する光の方向等を制御するリフレクタを構成する。このリフレクタ樹脂部２０ｂは、端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａを囲むようにして、リードフレーム１０の表面側に突出しており、ＬＥＤ端子面１１ａに接続されるＬＥＤ素子２から発光する光を反射させて、光半導体装置１から光を効率よく照射させる。

リフレクタ樹脂部２０ｂは、リードフレーム１０の多面付け体ＭＳの状態において、その外形が、枠体Ｆの内周縁に沿うようにして形成されており、その厚み（高さ）寸法が、ＬＥＤ端子面１１ａに接続されるＬＥＤ素子２の厚み寸法よりも大きい寸法で形成される。リフレクタ樹脂部２０ｂは、端子部１１、１２の外周縁に形成されたフレーム樹脂部２０ａの表面に形成されており、フレーム樹脂部２０ａと結合している。

光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０に載置されるＬＥＤ素子２の発する光を反射させるために、光反射特性を有する熱可塑性樹脂や、熱硬化性樹脂が用いられる。
光反射樹脂層２０を形成する樹脂は、樹脂充填に関しては、樹脂形成時には流動性が高いことが、端子部との接着性に関しては、分子内に反応基を導入しやすいためにリードフレームとの化学接着性を得られることが必要なため、熱硬化性樹脂が望ましい。
例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン等を用いることができる。
また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタン及びポリブチレンアクリレート等を用いることができる。
さらに、これらの樹脂中に光反射材として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることができる。
また、ポリオレフィンなどの熱可塑性樹脂や、アリル基を有する熱可塑性樹脂、複数のアリル基を有する化合物を添加した樹脂を成形した後に、電子線を照射することで架橋させる方法を用いた、いわゆる電子線硬化樹脂を用いてもよい。

透明樹脂層３０は、リードフレーム１０上に載置されたＬＥＤ素子２を保護するとともに、発光したＬＥＤ素子２の光を外部に透過させるために設けられた透明又は略透明に形成された樹脂層である。透明樹脂層３０は、光反射樹脂層２０のリフレクタ樹脂部２０ｂによって囲まれたＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａ上に形成される。
透明樹脂層３０は、光の取り出し効率を向上させるために、ＬＥＤ素子２の発光波長において光透過率が高く、また、屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂を選択することができる。特に、ＬＥＤ素子２に高輝度ＬＥＤ素子を用いる場合、透明樹脂層３０は、強い光にさらされるため、高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。また、波長変換用の蛍光体を使用してもよく、透明樹脂に分散させてもよい。

次に、リードフレーム１０の製造方法について説明する。
図７は、本実施形態のリードフレーム１０の製造過程を説明する図である。
図７（ａ）は、レジストパターンを形成した金属基板１００を示す平面図と、その平面図のａ−ａ断面図とを示す。図７（ｂ）は、エッチング加工されている金属基板１００を示す図である。図７（ｃ）は、エッチング加工後の金属基板１００を示す図である。図７（ｄ）は、レジストパターンが除去された金属基板１００を示す図である。図７（ｅ）は、めっき処理が施された金属基板１００を示す図である。
図１５は、比較例の枠体Ｆ‘を示す図である。図１５（ａ）は、比較例の枠体の詳細を示す平面拡大図であり、図４（ａ）に対応する図である。図１５（ｂ）は、図１５（ａ）のｂ−ｂ断面図であり、図４（ｂ）に対応する図である。
なお、図７においては、１つのリードフレーム１０の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００からリードフレームの多面付け体ＭＳが製造される。

リードフレーム１０の製造において、金属基板１００を加工してリードフレーム１０を形成するが、その加工は、プレス加工でも良いが、薄肉部を形成しやすいエッチング処理が望ましい。以下にエッチング処理によるリードフレーム１０の製造方法について説明する。

まず、平板状の金属基板１００を用意し、図７（ａ）に示すように、その表面及び裏面のエッチング加工を施さない部分にレジストパターン４０ａ、４０ｂを形成する。なお、レジストパターン４０ａ、４０ｂの材料及び形成方法は、エッチング用レジストとして従来公知の技術を用いる。
次に、図７（ｂ）に示すように、レジストパターン４０ａ、４０ｂを耐エッチング膜として、金属基板１００に腐食液でエッチング処理を施す。腐食液は、使用する金属基板１００の材質に応じて適宜選択することができる。本実施形態では、金属基板１００として銅板を使用しているため、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板１００の両面からスプレーエッチングすることができる。

ここで、リードフレーム１０には、端子部１１、１２の外周部や、各端子部１１、１２間の空隙部Ｓのように貫通した空間と、凹部Ｍや、連結部１３の裏面のように貫通せずに厚みが薄くなった窪んだ空間とが存在する（図３参照）。本実施形態では、金属基板１００の板厚の半分程度までをエッチング加工する、いわゆるハーフエッチング処理を主に行う。
端子部１１、１２の外周部や、空隙部Ｓに対しては、金属基板１００の両面にレジストパターンを形成しないようにし、金属基板１００の両面からハーフエッチング処理をして、貫通した空間を形成する。また、凹部Ｍや、連結部１３の裏面に対しては、厚みが薄くなる側とは反対側の面にのみレジストパターンを形成して、レジストパターンがない面のみをハーフエッチング処理をして、窪んだ空間を形成する。

ここで、枠体Ｆの貫通孔Ｈは、上述の空隙部Ｓと同様に貫通した空間であるが、ハーフエッチング処理のように、金属基板１００の両面側から加工すると、図１５（ｂ）に示すように、貫通孔Ｈ‘の内側の壁面に突起Ｋが形成されてしまうこととなる。
そのため、本実施形態では、枠体Ｆの貫通孔Ｈに対してのみハーフエッチング処理ではなく、通常のエッチング処理を適用し、その表面側からのみ腐食液をスプレーして、裏面側に通じる貫通孔Ｈを形成する。
これにより、枠体Ｆには、図４に示すように、表面側から裏面側に向かうにつれて開口部が狭くなる貫通孔Ｈが形成され、その貫通孔Ｈの内壁は、凹凸が無く滑らかに形成される。

エッチング処理により金属基板１００には、図７（ｃ）に示すように、凹部Ｍが形成された端子部１１、１２が形成されるとともに、貫通孔Ｈが形成された枠体Ｆが形成される。

次に、図７（ｄ）に示すように、金属基板１００（リードフレーム１０）からレジストパターン４０を除去する。
そして、図７（ｅ）に示すように、リードフレーム１０が形成された金属基板１００にめっき処理を行い、端子部１１、１２にめっき層Ｃを形成する。めっき処理は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電界めっきを施すことにより行われる。
なお、めっき層Ｃを形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき層Ｃを形成してもよい。
以上により、リードフレーム１０が、図２及び図３に示すように、枠体Ｆに多面付けされた状態で製造される（リードフレームの多面付け体ＭＳ）。

次に、光半導体装置１の製造方法について説明する。
図８は、本実施形態の光半導体装置１の製造過程を説明する図である。
図８（ａ）は、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の断面図であり、図８（ｂ）は、ＬＥＤ素子２が電気的に接続されたリードフレーム１０の断面図を示す。図８（ｃ）は、透明樹脂層３０が形成されたリードフレーム１０の断面図を示す。図８（ｄ）は、ダイシングにより個片化された光半導体装置１の断面図を示す。
図９は、本実施形態の光半導体装置の多面付け体を示す図である。
なお、図８においては、１台の光半導体装置１の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００から複数の光半導体装置１が製造されるものとする。また、図８（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ図７（ａ）の断面図に基づくものである。

図８（ａ）に示すように、金属基板１００上にエッチング加工により形成されたリードフレーム１０の外周等に上述の光反射特性を有する樹脂を充填し、光反射樹脂層２０を形成する。光反射樹脂層２０は、射出成形用金型にリードフレーム１０（リードフレームの多面付け体ＭＳ）をインサートし、樹脂を注入する方法によって形成される（詳細は後述する）。このとき、樹脂は、各端子部１１、１２の外周側から凹部Ｍや、連結部１３の裏面へと流れ込み、フレーム樹脂部２０ａが形成されるとともに、リフレクタ樹脂部２０ｂが表面側に形成され、リードフレーム１０と接合する。
以上により、図５及び図６に示す樹脂付きのリードフレームの多面付け体Ｒが形成される。

次に、図８（ｂ）に示すように、端子部１１のＬＥＤ端子面１１ａに、ダイアタッチペーストや半田等の放熱性接着剤を介してＬＥＤ素子２を載置し、また、端子部１２のＬＥＤ端子面１２ａに、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２を電気的に接続する。ここで、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａは複数あってもよく、一つのＬＥＤ素子２に複数のボンディングワイヤ２ａが接続されてもよく、ボンディングワイヤ２ａをダイパッドに接続させてもよい。また、ＬＥＤ素子２を載置面で電気的に接続してもよい。ここで、ボンディングワイヤ２ａは、例えば、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の導電性の良い材料からなる。

そして、図８（ｃ）に示すように、リードフレームの多面付け体ＭＳの表面にＬＥＤ素子２を覆うようにして透明樹脂層３０を形成する。
透明樹脂層３０は平坦な形状のほかレンズ形状、屈折率勾配等、光学的な機能を持たせてもよい。以上により、図９に示すように、光半導体装置の多面付け体が製造される。
最後に、図８（ｄ）に示すように、光半導体装置１の外形に合わせて、光反射樹脂層２０及び透明樹脂層３０とともに、リードフレーム１０の連結部１３を切断（ダイシング、パンチング、カッティング等）して、１パッケージに分離（個片化）された光半導体装置１（図１参照）を得る。このとき、切断用の刃物は、ダイシングマークとして枠体Ｆに設けられた貫通孔Ｈに対して位置決めされるので、光半導体装置１を適正に個片化させることができる。

次に、上述の図８（ａ）におけるリードフレーム１０に光反射樹脂層２０を形成する射出成形処理に使用する成形装置について説明する。
図１０は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒを製造する金型及びその製造工程を説明する図である。図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成するまでの工程を説明する図である。
図１１は、ゲート樹脂部Ｇの除去前の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ‘を示す図である。図１１（ａ）、図１１（ｂ）、図１１（ｃ）は、それぞれ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ‘の平面図、裏面図、側面図を示す。
図１２は、ゲート樹脂部Ｇの除去前の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ‘の詳細を示す図である。図１２（ａ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ’の平面図を示し、図１１（ａ）のａ部詳細図である。図１２（ｂ）は、リードフレームの多面付け体ＭＳの裏面図を示し、図１２（ｃ）は、図１２（ａ）のｃ−ｃ断面図を示す。図１２（ｄ）は、図１２（ａ）のｄ−ｄ断面の拡大図を示す。

成形装置１１０は、図１０（ａ）に示すように、金型１２０、ノズル部１３０等から構成されている。
金型１２０は、上から順に、ベースプレート１２１、ストリッパープレート１２２、固定側モールドベース１２３（上型）、可動側モールドベース１２４、イジェクタープレート１２５等が積層された構成を有する。
ベースプレート１２１は、ノズル部１３０から射出された樹脂をストリッパープレート１２２のスプルー部Ｕへと導くプレートであり、その表面上のノズル部１３０と対向する位置に、開口部が半球状に形成されたノズルタッチ部１２１ａが設けられている。

ストリッパープレート１２２は、金型を成形機の固定側プラテン（図示せず）に固定し、かつ、その表面から裏面に貫通するスプルー部Ｕが形成されたプレートであり、ベースプレート１２１のノズルタッチ部１２１ａを介してノズル部１３０から射出された樹脂を、固定側モールドベース１２３のランナー部Ｖへと導く。
なお、スプルー部Ｕは、射出成形後においてスプルー部Ｕに残存する樹脂を容易に取り除く観点から、下側の流路径が上側の流路径よりも大きくなるようにテーパー状に形成されている。

固定側モールドベース１２３は、複数のランナー部Ｖと、そのランナー部のそれぞれに接続された複数のスプルーランナー部Ｗとが形成されたプレートである。
ランナー部Ｖは、固定側モールドベース１２３の表面上に形成されており、スプルー部Ｕに対応する位置を中心にして複数本、放射状に形成された樹脂の流路溝であり、スプルー部Ｕから流し出される樹脂を複数に分岐する。本実施形態では、リードフレームの多面付け体ＭＳが、図２に示すように、４つの集合体Ｐから形成されており、各集合体ＰのＹ方向の両端側から樹脂を充填するために、ランナー部は８本設けられている。

スプルーランナー部Ｗは、ランナー部Ｖのスプルー部Ｕ側とは反対側の端部に設けられた流路であり、固定側モールドベース１２３の表面側から裏面側に貫通しており、ランナー部Ｖに流れる樹脂を可動側モールドベース１２４側へと導く。本実施形態では、上述したようにランナー部Ｖが８本設けられているので、スプルーランナー部Ｗも８本設けられている。

各スプルーランナー部Ｗは、可動側モールドベース１２４に配置されるリードフレームの多面付け体ＭＳの集合体ＰのＹ方向の端部に対応する位置よりも外側に設けられており、これにより、各集合体ＰのＹ方向の各端部側（図２中の＋Ｙ端部側、−Ｙ端部側）のそれぞれから樹脂を流し込むことができる。
なお、スプルーランナー部Ｗは、射出成形後にランナー部Ｖ及びスプルーランナー部Ｗに残存する樹脂を容易に取り除く観点から、上側の流路径が下側の流路径よりも大きくなるようにテーパー状に形成されている。

可動側モールドベース１２４は、その表面に、リードフレームの多面付け体ＭＳが配置され、配置されたリードフレームの多面付け体ＭＳの周囲に樹脂が流し込まれる金型空間（キャビティ）１２４ａが設けられたプレートである。本実施形態では、リードフレームの多面付け体ＭＳは、その表面（光反射樹脂層２０が形成される側の面）が下側を向くようにして金型空間１２４ａ内に配置され、その裏面側から樹脂が充填されることによって、光反射樹脂層２０が成形される。

なお、金型空間１２４ａは、リードフレームの多面付け体ＭＳの幅よりも広い幅に形成され、配置されたリードフレームの多面付け体ＭＳのＹ方向の側面側に余剰空間Ｊが設けられており、スプルーランナー部Ｗから流入する樹脂をリードフレームの多面付け体ＭＳの側面を介して表面側に効率よく流している。そのため、金型空間１２４ａから取り出された樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ‘には、図１１に示すように、余剰空間Ｊに対応するようにして、Ｙ方向の側面や枠体Ｆの表面上にゲート樹脂部Ｇが形成されることとなる。

イジェクタープレート１２５は、複数のイジェクターピンＱが設けられたプレートであり、イジェクターピンＱによって、金型空間１２４ａから被成形体（樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ‘）を離型する。
イジェクターピンＱは、イジェクタープレート１２５が可動側モールドベース１２４側に不図示の駆動機構により移動することによって、その先端部が、金型空間１２４ａの底面から突出し、被成形体を金型空間１２４ａから押し出す。イジェクターピンＱは、より安定して可動側モールドベース１２４から被成形体を離型する観点から、複数箇所に設けられているのが望ましい。本実施形態では、イジェクターピンＱは、８本設けられ、そのそれぞれが樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ‘の各ゲート樹脂部Ｇを押し出すようにしている。ここで、ゲート樹脂部Ｇは、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの製造後に除去されてしまう部分なので、イジェクターピンＱの接触する部分にすることによって、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの製品となる部分に傷等がついてしまうのを回避することができる。
ノズル部１３０は、樹脂を金型１２０内へ射出する噴射装置である。

次に、上述の図８（ａ）におけるリードフレームの多面付け体ＭＳに光反射樹脂層２０を形成する射出成形の成形工程について説明する。
まず、作業者は、図１０（ａ）に示すように、固定側モールドベース１２３及び可動側モールドベース１２４間にリードフレームの多面付け体ＭＳを配置して、金型１２０を閉じる（型締め）。
そして、図１０（ｂ）に示すように、ノズル部１３０をベースプレート１２１のノズルタッチ部１２１ａに配置して、光反射樹脂層２０を形成する樹脂を金型１２０内に射出する。ノズル部１３０から射出された樹脂は、ストリッパープレート１２２のスプルー部Ｕを通過し、固定側モールドベース１２３のランナー部Ｖにより８つに均等に分岐され、各スプルーランナー部Ｗを通過した上で、リードフレームの多面付け体ＭＳが配置された金型空間１２４ａ内へと充填される（樹脂充填工程）。このとき、金型空間１２４ａ内へ充填された樹脂は、リードフレームの多面付け体ＭＳの側面を介して表面側から、リードフレーム１０の外周部や空隙部Ｓ等に流れ込むとともに、枠体ＦのＹ方向側の端部に設けられた貫通孔Ｈ内へも流れ込む。

金型空間１２４ａ内に適量の樹脂が充填され、所定の時間保持した後に、作業者は、図１０（ｃ）に示すように、固定側モールドベース１２３を可動側モールドベース１２４から開き、イジェクターピンＱによって、光反射樹脂層２０が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ‘を可動側モールドベース１２４から取り出す。
そして、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ‘からゲート樹脂部Ｇや、余分なバリ等を除去することによって、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成する。

ここで、リードフレームの多面付け体ＭＳの枠体Ｆに設けられた貫通孔Ｈのうち、枠体ＦのＹ方向側の端部に設けられた貫通孔Ｈには、樹脂が充填されてしまい（図１２参照）、その樹脂がゲート樹脂部Ｇと一体になっている。
上述の比較例の枠体Ｆ‘のように、貫通孔Ｈ‘の内壁に突起Ｋが形成されている場合（図１５参照）、貫通孔Ｈ‘内の樹脂と一体になったゲート樹脂部を枠体Ｆ’から引き剥がして除去する際に、ゲート樹脂部が枠体Ｆ‘から外せなくなったり、枠体Ｆ’やリードフレームが変形したり、樹脂が貫通孔Ｈ‘内に残存したりしてしまう場合があった。
しかし、本実施形態の枠体Ｆの貫通孔Ｈは、上述したように、ゲート樹脂部Ｇが形成される表面側から裏面側に向かうにつれて開口部が狭くなるように、表面側の開口部Ｈ１が、裏面側の開口部Ｈ２よりも広く形成され、貫通孔Ｈの内壁が、凹凸が無く滑らかに形成されている。ここで、凹凸が無く滑らかに形成されているとは、その内壁が連続した曲面又は平面によって形成されているこという。そのため、ゲート樹脂部Ｇを枠体Ｆから引き剥がす場合に、貫通孔Ｈ内の樹脂が内壁に引っ掛かってしまうのを回避することができ、円滑にゲート樹脂部Ｇを枠体Ｆから除去することができる。

本実施形態の発明には、以下のような効果がある。
（１）本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、貫通孔Ｈの開口部が、樹脂が充填される枠体Ｆの一方の面（表面）側から他方の面（裏面）側に向かうにつれて徐々に狭くなるように形成されているので、貫通孔Ｈの内壁に突起等の凹凸が形成されてしまうのを回避することができる。これにより、貫通孔Ｈ内に樹脂が充填されてしまったとしても、不要となるゲート樹脂部Ｇを枠体Ｆから容易に引き剥がすことができる。また、ゲート樹脂部Ｇの除去とともに、不要となる貫通孔Ｈ内の樹脂も容易に除去することができる。
（２）枠体Ｆに設けられた貫通孔は、ダイシングマークとして用いられているので、多面付けされた光半導体装置を効率よく、正確に個片化することができる。
また、上述したように、引き剥がしによる不具合を防ぐことが出来るため、ゲート樹脂部Ｇの形状を貫通孔Ｈ上に配置することができ、ゲート樹脂部Ｇの主目的である製品部分への樹脂充填の機能を追求した形状とすることができる。
特に、リフレクタ樹脂部２０ｂを有するカップ型の光半導体装置１を形成するリードフレームの多面付け体ＭＳでは、ダイシングマークが光半導体装置（リードフレーム）の各パッケージ間に配置され、このダイシングマークの端子部の配列方向（Ｘ方向）とそれに垂直な方向（Ｙ方向）との延長線上に、主要な流路となるリフレクタ樹脂部の表面側への突出部が配置されることになるため、このダイシングマークの上にゲート樹脂部Ｇによる樹脂の流路が確保できることは、ゲート樹脂部Ｇが形成される部分と枠体Ｆよりも内側の領域とにおいて均一な樹脂の充填が可能となり、非常に有用である。

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図１３は、第２実施形態の枠体の詳細を説明する図である。図１３（ａ）は、枠体Ｆの拡大平面図を示しており、図４（ａ）に対応する図である。図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のｂ部断面図を示す。図１３（ｃ）は、枠体の他の形態例を示す図であり、図１３（ｂ）に対応する図である。図１３（ｄ）は、ゲート樹脂部Ｇ等が形成された枠体の他の形態例を示す図であり、図１３（ｃ）に対応する図である。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。

本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、貫通孔Ｈが形成される代わりに、枠体Ｆの表面側に未貫通の穴ｈが形成されている点で、上述の第１実施形態と相違する。
枠体Ｆは、その矩形状の各辺の表面側に、未貫通の穴ｈが複数形成されている。この穴ｈは、多面付けされたリードフレーム（光半導体装置）を個片化するために、リードフレームの多面付け体ＭＳに対して切断用の刃物の位置決めを行う加工用のマーク、いわゆるダイシングマークであり、枠体Ｆの各辺上において、１パッケージの幅寸法毎に形成されている。

穴ｈは、図１３に示すように、その開口部ｈ１が底面ｈ２に向かうにつれて狭くなるように形成されており、この穴ｈの内壁は、凹凸なく滑らかに形成されている。ここで、凹凸が無く滑らかに形成されているとは、その内壁が連続した曲面又は平面によって形成されているこという。本実施形態では、穴ｈは、厚み方向（Ｚ方向）から見て、長方形の長手方向の両端に半円をつなぎ合わせた形状、いわゆるレーストラック型の形状に形成されており、開口部ｈ１が底面ｈ２に比して広くなるように形成されている。
本実施形態のリードフレームの多面付け体が金型内に配置され、光反射樹脂層２０を形成する樹脂が金型内に充填された場合、穴ｈ内にも樹脂が充填され、その樹脂がゲート樹脂部と一体となる。

しかし、上述したように、穴ｈの開口部ｈ１が底面ｈ２に向かうにつれて狭くなるように形成されているので、穴ｈの内壁に突起等の凹凸が形成されてしまうのを回避することができる。これにより、リードフレームの多面付け体ＭＳに光反射樹脂層２０を形成する樹脂が充填され、穴ｈ内に樹脂が充填されたとしても、不要となるゲート樹脂部を枠体Ｆから容易に引き剥がすことができる。また、ゲート樹脂部の除去とともに穴ｈ内の樹脂も容易に除去することができる。

（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
図１４は、第３実施形態の枠体の詳細を説明する図である。図１４（ａ）は、枠体Ｆの拡大断面図を示しており、図１３（ｂ）に対応する図である。図１４（ｂ）は、図１４（ａ）に示す枠体に樹脂が充填され、ゲート樹脂部Ｇ及び光反射樹脂層２０が形成された状態を示す。
なお、以下の説明及び図面において、前述した各実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。

本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、未貫通の穴ｈが枠体Ｆの裏面側に形成されている点で、上述の第２実施形態と相違する。
枠体Ｆは、その矩形状の各辺の裏面側に、未貫通の穴ｈが複数形成されている。この穴ｈは、多面付けされたリードフレーム（光半導体装置）を個片化するために、リードフレームの多面付け体ＭＳに対して切断用の刃物の位置決めを行う加工用のマーク、いわゆるダイシングマークであり、枠体Ｆの各辺上において、１パッケージの幅寸法毎に形成されている。

穴ｈは、図１４（ａ）に示すように、その開口部ｈ１が底面ｈ２に向かうにつれて狭くなるように形成されており、この穴ｈの内壁は、凹凸なく滑らかに形成されている。ここで、凹凸が無く滑らかに形成されているとは、その内壁が連続した曲面又は平面によって形成されているこという。本実施形態では、穴ｈは、厚み方向（Ｚ方向）から見て、長方形の長手方向の両端に半円をつなぎ合わせた形状、いわゆるレーストラック型の形状に形成されており、開口部ｈ１が底面ｈ２に比して広くなるように形成されている。

本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳが金型内に配置され、光反射樹脂層２０を形成する樹脂が金型内に充填された場合、枠体Ｆの表面側にも樹脂が充填され、ゲート樹脂部Ｇが形成される。ここで、枠体Ｆは、穴ｈが形成された部分が、樹脂の圧力によって、図１４（ｂ）に示すように、裏面側（−Ｚ側）に向けて凹んでしまう場合があり、その凹みｈ‘にも樹脂が充填されることとなる。この凹みｈ’に充填された樹脂は、ゲート樹脂部Ｇと一体となるが、凹みｈ‘の内側が滑らかに形成されるので、不要となるゲート樹脂部Ｇ及び凹みｈ’内の樹脂を容易に枠体Ｆから引き剥がすことができる。
また、穴ｈの底面ｈ２が、開口部ｈ１よりも狭く形成されているので、凹みｈ‘が形成されてしまう面積を極力小さくすることができ、凹みｈ’内における樹脂の接触面積を減らすことができ、これによっても、ゲート樹脂部Ｇ及び凹みｈ‘内の樹脂の除去をより容易にすることができる。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、後述する変形形態のように種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の技術的範囲内である。また、実施形態に記載した効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、実施形態に記載したものに限定されない。なお、前述した実施形態及び後述する変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。

（変形形態）
（１）各実施形態において、枠体Ｆに設けられた貫通孔Ｈや未貫通の穴ｈは、多面付けされたリードフレーム（光半導体装置）を１パッケージに個片化するダイシングマークである例を示したが、これに限定されるものでない。例えば、貫通孔Ｈや穴ｈは、組立工程における位置決めマークや、アライメントマーク、ダイシング時のブレード摩耗を低減するために設けられるスリット、検査用のマーク等に用いるようにしてもよい。

（２）各実施形態において、貫通孔Ｈや未貫通の穴ｈは、レーストラック状に形成される例を説明したが、これに限定されるものでない。貫通孔Ｈや未貫通の穴ｈは、例えば、円状や、楕円状、多角形状等に形成されるようにしてもよい。

（３）各実施形態において、半導体素子としてＬＥＤ素子２をリードフレーム１０に接続し、光半導体装置１が製造される例を説明したが、これに限定されるものでなく、トランジスタ等の半導体素子が接続された半導体装置が製造されるようにしてもよい。なお、この場合、半導体素子を封止する樹脂は、透明である必要がなく、適宜不透明な樹脂を使用してもよい。

（４）各実施形態において、金型１２０のランナー部Ｖ及びスプルーランナー部Ｗは、それぞれ８本設けられる例を示したが、これに限定されるものでなく、リードフレームの多面付け体ＭＳの形状や、集合体Ｐの数等に応じて適宜８本以外の数を設けるようにしてもよい。

１ 光半導体装置
２ ＬＥＤ素子
１０ リードフレーム
１１ 端子部
１２ 端子部
１３ 連結部
２０ 光反射樹脂層
２０ａ フレーム樹脂部
２０ｂ リフレクタ樹脂部
３０ 透明樹脂層
１１０ 成形装置
１２０ 金型
１２１ ベースプレート
１２２ ストリッパープレート
１２３ 固定側モールドベース
１２４ 可動側モールドベース
１２５ イジェクタープレート
１３０ ノズル部
Ｆ 枠体
Ｇ ゲート樹脂部
Ｈ 貫通孔
ｈ 未貫通の穴
ＭＳ リードフレームの多面付け体
Ｐ 集合体
Ｒ、Ｒ‘ 樹脂付きリードフレームの多面付け体

Claims (8)

1. 枠体内にリードフレームが多面付けされ、前記リードフレームの一方の面側から樹脂が充填されるリードフレームの多面付け体において、
   前記枠体には、前記枠体の一方の面側から他方の面側に通じる貫通孔が形成され、
   前記貫通孔の開口部は、前記枠体の一方の面側から他方の面側に向かうにつれて徐々に狭くなるように形成されること、
   を特徴とするリードフレームの多面付け体。
2. 請求項１に記載のリードフレームの多面付け体において、
   前記貫通孔の内壁は、連続した曲面又は平面によって形成されていること、
   を特徴とするリードフレームの多面付け体。
3. 請求項１又は請求項２に記載のリードフレームの多面付け体において、
   前記貫通孔は、前記枠体に多面付けされた前記リードフレームを個片化するダイシングマークであり、前記リードフレームの１パッケージの幅寸法毎に複数形成されること、
   を特徴とするリードフレームの多面付け体。
4. 枠体内にリードフレームが多面付けされ、前記リードフレームの一方の面側から樹脂が充填されるリードフレームの多面付け体において、
   前記枠体には、前記枠体の一方の面側又は他方の面側から窪んだ穴が形成され、
   前記穴の開口部は、前記枠体の一方の面側又は他方の面側から底面に向かうにつれて徐々に狭くなるように形成されること、
   を特徴とするリードフレームの多面付け体。
5. 請求項４に記載のリードフレームの多面付け体において、
   前記穴の内壁は、連続した曲面又は平面によって形成されていること、
   を特徴とするリードフレームの多面付け体。
6. 請求項４又は請求項５に記載のリードフレームの多面付け体において、
   前記穴は、前記枠体に多面付けされた前記リードフレームを個片化するダイシングマークであり、前記リードフレームの１パッケージの幅寸法毎に複数形成されること、
   を特徴とするリードフレームの多面付け体。
7. 請求項１から請求項６までのいずれか１項に記載のリードフレームの多面付け体と、
   少なくとも前記リードフレームの外周部に形成される樹脂層と、
   を備える樹脂付きリードフレームの多面付け体。
8. 請求項７に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体と、
   前記リードフレームに接続される半導体素子と、
   前記リードフレームの前記半導体素子が接続される側の面に形成され、前記半導体素子を覆う第２樹脂層と、
   を備える半導体装置の多面付け体。

Images