JP2016018876A - 電子装置又はその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 302
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 20
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 3-morpholin-4-yl-1-oxa-3-azonia-2-azanidacyclopent-3-en-5-imine;hydrochloride Chemical compound Cl.[N-]1OC(=N)C=[N+]1N1CCOCC1 NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
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Abstract
【解決手段】フェイスアップで配置され、上側端子面に少なくとも一つの下層端子が配置される第1および第2下層電子部品と、前記第1および第2下層電子部品に跨ってフェイスダウンで搭載されて、下側端子面に、前記第1下層電子部品の前記下層端子にバンプ接続される少なくとも一つの第1上層端子および前記第2下層電子部品の前記下層端子にバンプ接続される少なくとも一つの第2上層端子が配置される、少なくとも一つの上層電子部品と、を備え、前記第1下層電子部品の前記下層端子と前記第2下層電子部品の前記下層端子との間の距離が、前記第1上層端子と前記第2上層端子との間の距離よりも長い。
【選択図】図5
Description
第1実施形態に係る電子装置、特に、三個の下層半導体チップと、二個の上層半導体チップを備える、マルチチップモジュール型の半導体装置について説明する。図1(A)は、第1実施形態の半導体装置の概略構成を説明するためのレイアウト図、図1(B)は図1(A)のA−A断面図である。
t0=接合材料5の厚み
t11=第1下層半導体チップ11の厚み
t13=第2下層半導体チップ13の厚み
と定義すると、
第1上層半導体チップ12の搭載時の傾きは:sin-1((t13-t11)/L12)であり、
第1上層半導体チップ12の搭載時の第1上層端子7(12)と第2上層端子8(12)の間の距離の水平成分は:L12×cos(sin-1((t13-t11)/L12))となる。
t0=接合材料5の厚み
t13=第2下層半導体チップ13の厚み
t15=第3下層半導体チップ15の厚み
と定義すると
第2上層半導体チップ14の搭載時の傾きは:sin-1((t15-t13)/L14)であり、
第2上層半導体チップ14の第1上層端子7(14)と第2上層端子8(14)の間の距離の水平成分は:L14×cos(sin-1((t15-t13)/L14))となる。
(1)上層電子部品12,14を斜め搭載する場合においても、特に、低い方の下層端子8,7が滑り止めとして機能するため、上層電子部品12,14の接続不良が防止される。
(2)第1および第2上層端子7,8が、下層端子8,7間に挟まることによって、上層電子部品12,14の接続信頼性はさらに向上される。
(3)チップ厚みが相違する下層半導体チップ11,13,15を用いても、上層電子部品12,14の接続信頼性が確保される。
(4)複数の下層半導体チップ(11,13),(13,15)間の搭載距離の調整によって、上層半導体チップ12,14の第1および第2上層端子7,8間の距離を変更せず、所望の下層端子間距離を簡単に得ることができる。
(1)第1の効果は、フェイスアップの向きに搭載した隣り合う複数の下層半導体チップ11,13の信号入力端子7(11)と信号出力端子8(13)の段差に合わせて、それらに、フェイスダウンの向きに搭載する上層半導体チップ12の信号入力端子7(12)と信号出力端子8(12)を高信頼性で接合できることで、接合材料5の厚みを変えてフェイスアップの向きに搭載した複数の下層半導体チップ11,13の搭載高さを揃える必要がなく、放熱性と接合信頼性のバランスが一番良くなる厚みに統一することができ品質が向上することである。
(2)第2の効果は、半導体チップ11〜15と回路基板1との接続において、用途に応じてワイヤ接続を取り入れることもでき、接続の自由度が高く、接続範囲が広いということである。
(3)第3の効果は、一体構造の回路基板1にフェイスアップの向きに搭載した下層半導体チップ11,13,15が強固に固定されており、それらの上にフェイスダウンの向きに搭載した上層半導体チップ12,14が高い強度で接続されているため、アンダーフィル樹脂による補強が不要となることである。
(4)第4の効果は、フェイスアップにした下層半導体チップ11,13,15と、フェイスダウンにした上層半導体チップ12,14を交互に配置させ、半導体チップ11〜15の端子7,8間をバンプ接続することで、従来のワイヤ接続や配線部材による接続よりも短距離で接続することができることである。
(5)第5の効果は、フェイスアップにした下層半導体チップ11,13,15と、フェイスダウンにした上層半導体チップ12,14を交互に配置することで、チップ面を重ねて搭載することができ、従来のように上層半導体チップをフェイスアップに搭載する場合よりも、実装面積を小さくすることができることである。
(6)第6の効果は、半導体チップ11〜15の信号出力端子8と信号入力端子7とを向かい合うよう配置させてバンプ接続させることで、ワイヤや配線部材が不要になり資材費を低減でき、また、ワイヤボンディング工程や配線部材の接続工程が不要になることである。
(1)第1実施形態のような、マルチチップモジュール型の半導体装置は、組立性が高い。下層半導体チップ11〜13間に段差があってもよく、下層半導体チップ高さの調整を不要とすることができ、通常のマウンタを使用することが可能であり、基本的に同サイズである半導体チップ11〜15の端子(電極)同士をバンプ接続するため接触検知が容易で荷重バランスがよく、搭載接続条件が定まり易く、歩留まりが高くなるからである。
(2)半導体チップ11〜15上に多数の端子を配置できる余裕があるので、半導体チップ11〜15を配線基板1に接続するための端子数を増加できることである。なお、半導体チップ11〜15からは電源用およびグランド用そして信号用となるべく多数の端子がある方が電気特性上に有利である。
(3)頑健な端子接続構造の構築によって、アンダーフィル樹脂の使用量を削減できることである。高周波向けのマルチチップモジュールにおいては誘電率を低く抑えることが必須であり、アンダーフィル樹脂の使用による誘電率の上昇は好ましくない。
(4)端子7,8間のバンプ接続により、半導体装置全体として配線長を短縮できる。
第2実施形態においては、主として、第1実施形態との相違点について説明し、第1実施形態との共通点については、適宜、第1実施形態の記載を参照するものとする。
第3実施形態において、第1実施形態との共通点については、適宜、第1実施形態の記載を参照するものとする。
第4実施形態において、第1実施形態との共通点については、適宜、第1実施形態の記載を参照するものとし、本実施形態では主として第3実施形態との相違点について説明する。
第1および第2上層端子7(12),8(12)が、下層端子8(11),7(13)間に挟持されるため、第1上層半導体チップ12の傾斜角度θ12が大きい場合であっても、第1上層半導体チップ12の接続が安定する。本実施形態も、第1実施形態と同様の効果を奏することができる。
第5実施形態において、第1実施形態との共通点については、適宜、第1実施形態の記載を参照するものとし、本実施形態では主として第3実施形態との相違点について説明する。
第6実施形態において、第5実施形態との共通点については、適宜、第5実施形態の記載を参照するものとし、本実施形態では主として第5実施形態との相違点について説明する。
図1(B)に示した第1実施形態の半導体装置等の製造方法を説明する。図7は、実施形態に係る電子装置の製造装置の一例の概略図であり、図8は、実施形態に係る電子装置の製造方法の一例を説明するフローチャートである。
L(13-11)=第1下層半導体チップ11の下層端子(信号出力端子)8(11)と第2下層半導体チップ13の下層端子(信号入力端子)7(13)間の距離
L(15-13)=第2下層半導体チップ13の下層端子(信号出力端子)8(13)と第3下層半導体チップ15の下層端子(信号入力端子)7(15)間の距離
L12=第1上層半導体チップ12の第1上層端子(信号入力端子)7(12)と第2上層端子(信号出力端子)8(12)の距離
L14=第2上層半導体チップ14の第1上層端子(信号入力端子)7(14)と第2上層端子(信号出力端子)8(14)の距離
t5=第1〜第3下層半導体チップを金属搭載面2上に接合する接合材料5の設定厚み
t11=第1下層半導体チップ11の厚み
t13=第2下層半導体チップ13の厚み
t15=第3下層半導体チップ15の厚み
〔ステップ1〕
チップ供給ステージ101上の第1上層半導体チップ12について、認識1カメラ105を用いてチップ外形を認識し、フェイスダウンチップ搭載用ヘッド104でピックアップして、認識2カメラ106の上に移動させ、第1上層半導体チップ12の信号入力端子(第1上層端子)7(12)および信号出力端子(第2上層端子)8(12)の位置を認識し、信号入力端子7(12)と信号出力端子8(12)との距離(=L12)を測定したのち、チップ供給ステージ101の元の場所に戻す。
第2上層半導体チップ14についても、同様に、信号入力端子7(14)と信号出力端子8(14)との距離(=L14)を測定したのち、チップ供給ステージ101の元の場所に戻す。
〔ステップ3〕
回路基板1上の第1下層半導体チップ11を搭載する位置に、Agフィラーを含有した導電性接着材である接合材料5を供給する。供給量はチップを搭載したときに接合材料5の厚みが設定値になるよう考慮し、第1下層半導体チップ11では〔t5×第1下層半導体チップ11の面積〕の量とする。
チップ供給ステージ101上の第1下層半導体チップ11について、認識1カメラ105を用いてチップ外形と信号入力端子7(11)および信号出力端子8(11)の位置を認識し、フェイスアップチップ搭載用ヘッド103でピックアップして搭載角度を所定の角度に合わせたのち回路基板1上に移動させ、信号入力端子7(11)の位置を信号供給端子3との接続位置に合わせて、フェイスアップチップ搭載用ヘッド103の高さが回路基板1の金属搭載面2から接合材料5の設定厚と第1下層半導体チップ11の厚みの合計(=t5+t11)の高さになるよう高さを制御してフェイスアップチップ搭載用ヘッド103を降下させる。
回路基板1上の第2下層半導体チップ13を搭載する位置に接合材料5を供給する。供給量はチップを搭載したときに接合材料5の厚みが設定値になるよう考慮し第2下層半導体チップ13では〔t5×第2下層半導体チップ13の面積〕の量とする。
チップ供給ステージ101上の第2下層半導体チップ13について、認識1カメラ105を用いてチップ外形と信号入力端子7(13)および信号出力端子8(13)の位置を認識し、フェイスアップチップ搭載用ヘッド103でピックアップして搭載角度を所定の角度に合わせたのち回路基板1上に移動させる。水平成分換算で、第2下層半導体チップ13の信号入力端子(下層端子)7(13)と第1下層半導体チップ11の信号出力端子(下層端子)8(11)との間の距離が、第1上層半導体チップ12の信号入力端子7(12)と信号出力端子8(12)との間の距離(=L12×cos(sin-1((t13-t11)/L12)))よりも、所定分長くなるよう、第2下層半導体チップ13の信号入力端子7(13)を位置合わせする。フェイスアップチップ搭載用ヘッド103高さが、回路基板1の金属搭載面2から接合材料5の設定厚と第2下層半導体チップ13の厚みの合計(=t5+t13)の高さになるよう高さを制御して、フェイスアップチップ搭載用ヘッド103を降下させる。
第3下層半導体チップ15の第2下層半導体チップ13に対する位置決めについても、ステップ4〜6と同様にする。
〔ステップ9〕
チップ搭載ステージ102を180℃に加熱させて、Agペーストを硬化させる。
〔ステップ10〕
第1,3および5下層半導体チップ11,13,15の信号入力端子7上と信号出力端子8上にバンプ6を載せる。載せ方については、チップ搭載機100に供給機能を追加して載せてもよいし、ピンセットなどを用いて手作業で載せてもよい。
チップ供給ステージ101上の第1上層半導体チップ12について、認識1カメラ105を用いてチップ外形を認識し、フェイスダウンチップ搭載用ヘッド104でピックアップして認識2カメラ106上に移動させたのち、第1下層半導体チップ11と第2下層半導体チップ13の搭載高さの段差に相当する角度(=sin-1((t13-t11)/L12))を傾かせてから、第1上層半導体チップ12の信号入力端子7(12)および信号出力端子8(12)の位置を認識する。
第1上層半導体チップ12をピックアップしたフェイスダウンチップ搭載用ヘッド104を回路基板1上に移動させ、第1上層半導体チップ12の信号入力端子7(12)と第1下層半導体チップ11の信号出力端子8(11)とを合わせ、および第1上層半導体チップ12の信号出力端子8(12)と第2下層半導体チップ13の信号入力端子7(13)とを合わせて、フェイスダウンチップ搭載用ヘッド104を降下させる。端子7又は端子8とバンプ6が接触したら、フェイスダウンチップ搭載用ヘッド104を300℃に加熱してバンプ6を溶融させながら、さらにフェイスダウンチップ搭載用ヘッド104を降下させて、第1上層半導体チップ12の信号入力端子7(12)と第1下層半導体チップ11の信号出力端子8(11)を接続させ、第1上層半導体チップ12の信号出力端子8(12)と第2下層半導体チップ13の信号入力端子7(13)を接続させる。
同様に、第2上層半導体チップ14は、第2下層半導体チップ13と第3下層半導体チップ15の搭載高さの段差に相当する角度(=sin-1((t15-t13)/L14))を傾いた状態で、第2および第3下層半導体チップ13,15に接続される。
回路基板1上の第1下層半導体チップ11を搭載する位置にAgフィラーを含有した導電性接着材である接合材料5を供給する。供給量はチップを搭載したときに接合材料5の厚みが設定値になるよう考慮し第1下層半導体チップ11では〔t5×第1下層半導体チップ11の面積〕の量とする。
チップ供給ステージ101上の第1下層半導体チップ11について、認識1カメラ105を用いてチップ外形と信号入力端子7(11)および信号出力端子8(11)の位置を認識し、フェイスアップチップ搭載用ヘッド103でピックアップして搭載角度を所定の角度に合わせたのち回路基板1上に移動させ、信号入力端子7(11)の位置を信号供給端子3との接続位置に合わせて、フェイスアップチップ搭載用ヘッド103の高さが回路基板1の金属搭載面2から接合材料5の設定厚と第1下層半導体チップ11の厚みの合計(=t5+t11)の高さになるよう高さを制御してフェイスアップチップ搭載用ヘッド103を降下させる。
この状態で、チップ搭載ステージ102を180℃に加熱させて、Agペーストを硬化させる。所定の時間経過後は第1下層半導体チップ11の搭載高さが、(t5+t11)で固定される。
チップ供給ステージ101上の第1上層半導体チップ12について、認識1カメラ105を用いてチップ外形を認識し、フェイスダウンチップ搭載用ヘッド104でピックアップして、認識2カメラ106の上に移動させ、第1上層半導体チップ12の信号入力端子7(12)および信号出力端子8(12)の位置を認識し、信号入力端子7(12)と信号出力端子8(12)の距離(=L12)を測定する。
回路基板1上の第2下層半導体チップ13を搭載する位置に接合材料5を供給する。供給量はチップを搭載したときに接合材料5の厚みが設定値になるよう考慮し第2下層半導体チップ13では〔t5×第2下層半導体チップ13の面積〕の量とする。
チップ供給ステージ101上の第2下層半導体チップ13について、認識1カメラ105を用いてチップ外形と信号入力端子7(13)および信号出力端子8(13)の位置を認識し、フェイスアップチップ搭載用ヘッド103でピックアップして搭載角度を所定の角度に合わせたのち回路基板1上に移動させる。水平成分換算で、第2下層半導体チップ13の信号入力端子(下層端子)7(13)と第1下層半導体チップ11の信号出力端子(下層端子)8(11)との間の距離が、第1上層半導体チップ12の信号入力端子7(12)と信号出力端子8(12)との間の距離(=L12×cos(sin-1((t13-t11)/L12)))よりも、所定分長くなるよう、第2下層半導体チップ13の信号入力端子7(13)を位置合わせする。フェイスアップチップ搭載用ヘッド103高さが、回路基板1の金属搭載面2から接合材料5の設定厚と第2下層半導体チップ13の厚みの合計(=t5+t13)の高さになるよう高さを制御して、フェイスアップチップ搭載用ヘッド103を降下させる。
この状態で、チップ搭載ステージ102を180℃に加熱させて、Agペーストを硬化させる。所定の時間経過後は第2下層半導体チップ13の搭載高さが、(t5+t13)で固定される。
第1下層半導体チップ11の信号出力端子8(11)の上と第2下層半導体チップ13の信号入力端子7(13)の上にバンプ6を載せる。載せ方については、搭載機に供給機能を追加して載せてもよいし、ピンセットなどを用いて手作業で載せてもよい。
フェイスダウンチップ搭載用ヘッド104でピックアップした第1上層半導体チップ12を認識2カメラ106の上に移動させたのち、第1下層半導体チップ11と第2下層半導体チップ13の搭載高さの段差に相当する角度(=sin-1((t13-t11)/L12))を傾かせてから、第1上層半導体チップ12の信号入力端子7(12)および信号出力端子8(12)の位置を認識する。
第1上層半導体チップ12をピックアップしたフェイスダウンチップ搭載用ヘッド104を回路基板1上に移動させ、第1上層半導体チップ12の信号入力端子7(12)と第1下層半導体チップ11の信号出力端子8(11)とを合わせ、および第1上層半導体チップ12の信号出力端子8(12)と第2下層半導体チップ13の信号入力端子7(13)とを合わせて、フェイスダウンチップ搭載用ヘッド104を降下させる。端子7又は端子8とバンプ6が接触したら、フェイスダウンチップ搭載用ヘッド104を300℃に加熱してバンプ6を溶融させながら、さらにフェイスダウンチップ搭載用ヘッド104を降下させて、第1上層半導体チップ12の信号入力端子7(12)と第1下層半導体チップ11の信号出力端子8(11)とを接続させ、および第1上層半導体チップ12の信号出力端子8(12)と第2下層半導体チップ13の信号入力端子7(13)とを接続させる。
チップ供給ステージ101上の第2上層半導体チップ14について、認識1カメラ105を用いてチップ外形を認識し、フェイスダウンチップ搭載用ヘッド104でピックアップして、認識2カメラ106の上に移動させ、第2上層半導体チップ14の信号入力端子7(14)および信号出力端子8(14)の位置を認識し、信号入力端子7(14)と信号出力端子8(14)との間の距離(=L14)を測定する。
回路基板1上の第3下層半導体チップ15を搭載する位置に接合材料5を供給する。供給量はチップを搭載したときに接合材料5の厚みが設定値になるよう考慮し第3下層半導体チップ15では〔t5×第3下層半導体チップ15の面積〕の量とする。
チップ供給ステージ101上の第3下層半導体チップ15について、認識1カメラ105を用いてチップ外形と信号入力端子7(15)および信号出力端子8(15)の位置を認識し、フェイスアップチップ搭載用ヘッド103でピックアップして搭載角度を所定の角度に合わせたのち回路基板1上に移動させる。水平成分換算で、第3下層半導体チップ15の信号入力端子(下層端子)7(15)と第2下層半導体チップ13の信号出力端子(下層端子)8(13)との間の距離が、第2上層半導体チップ14の信号入力端子7(14)と信号出力端子8(14)との間の距離(=L14×cos(sin-1((t15-t13)/L14)))よりも、所定分長くなるよう、第3下層半導体チップ15の信号入力端子7(15)を位置合わせする。フェイスアップチップ搭載用ヘッド103高さが、回路基板1の金属搭載面2から接合材料5の設定厚と第3下層半導体チップ15の厚みの合計(=t5+t15)の高さになるよう高さを制御して、フェイスアップチップ搭載用ヘッド103を降下させる。
この状態で、チップ搭載ステージ102を180℃に加熱させて、Agペーストを硬化させる。所定の時間経過後は第3下層半導体チップ15の搭載高さが、(t5+t13)で固定される。
第2下層半導体チップ13の信号出力端子8(13)の上と第3下層半導体チップ15の信号入力端子7(15)の上にバンプ6を乗せる。載せ方については、搭載機に供給機能を追加しての載せてもよいし、ピンセットなどを用いて手作業で載せてもよい。
フェイスダウンチップ搭載用ヘッド104でピックアップした第2上層半導体チップ14を認識2カメラ106の上に移動させたのち、第2下層半導体チップ13と第3下層半導体チップ15の搭載高さの段差に相当する角度(=sin-1((t15-t13)/L14))を傾かせてから、第2上層半導体チップ14の信号入力端子7(14)および信号出力端子8(14)の位置を認識する。
第2上層半導体チップ14をピックアップしたフェイスダウンチップ搭載用ヘッド104を回路基板1上に移動させ、第2上層半導体チップ14の信号入力端子7(14)と第2下層半導体チップ13の信号出力端子8(13)とを合わせ、第2上層半導体チップ14の信号出力端子8(14)と第3下層半導体チップ15の信号入力端子7(15)とを合わせて、フェイスダウンチップ搭載用ヘッド104を降下させる。端子7又は端子8とバンプ6が接触したら、フェイスダウンチップ搭載用ヘッド104を300℃に加熱してバンプ6を溶融させながら、さらにフェイスダウンチップ搭載用ヘッド104を降下させて、第2上層半導体チップ14の信号入力端子7(14)と第2下層半導体チップ13の信号出力端子8(13)とを接続させ、および第2上層半導体チップ14の信号出力端子8(14)と第3下層層半導体チップ15の信号入力端子7(15)とを接続させる。
フェイスアップで配置され、上側端子面に少なくとも一つの下層端子が配置される第1および第2下層電子部品と、
前記第1および第2下層電子部品に跨ってフェイスダウンで搭載されて、下側端子面に、前記第1下層電子部品の前記下層端子にバンプ接続される少なくとも一つの第1上層端子および前記第2下層電子部品の前記下層端子にバンプ接続される少なくとも一つの第2上層端子が配置される、少なくとも一つの上層電子部品と、
を備え、
前記第1および第2上層端子は、前記第1下層電子部品の前記下層端子と前記第2下層電子部品の前記下層端子との間に挟まれる、ことを特徴とする電子装置。
フェイスアップで配置され、上側端子面に少なくとも一つの下層端子が配置される第1および第2下層電子部品と、
前記第1および第2下層電子部品に跨ってフェイスダウンで搭載されて、下側端子面に、前記第1下層電子部品の前記下層端子にバンプ接続される少なくとも一つの第1上層端子および前記第2下層電子部品の前記下層端子にバンプ接続される少なくとも一つの第2上層端子が配置される、少なくとも一つの上層電子部品と、
を備え、
フェイスアップの向きに搭載した隣り合う第1および第2下層電子部品の下層端子間の距離を、フェイスダウンの向きに搭載する電子部品の第1および第2上層端子間の距離の水平成分より大きく設定した構造となっていることを特徴とする電子装置。
フェイスアップで配置され、上側端子面に少なくとも一つの下層端子が配置される第1および第2下層電子部品と、
前記第1および第2下層電子部品に跨ってフェイスダウンで搭載されて、下側端子面に、前記第1下層電子部品の前記下層端子にバンプ接続される少なくとも一つの第1上層端子および前記第2下層電子部品の前記下層端子にバンプ接続される少なくとも一つの第2上層端子が配置される、少なくとも一つの上層電子部品と、
を備える、電子部品の製造方法であって、
前記第1および第2電子部品の厚み若しくは前記第1および第2電子部品の接続材料の厚みを設定値になるよう制御し、この制御により、前記第1および第2電子部品の前記下層端子間の段差と、前記上層電子部品の搭載時の傾きと、前記第1および第2電子部品の前記下層端子間の距離と、を確定する、
ことを特徴とする電子部品の製造方法。
[付記4、第6視点]
フェイスアップで配置され、上側端子面に少なくとも一つの下層端子が配置される第1および第2下層電子部品と、
前記第1および第2下層電子部品に跨ってフェイスダウンで搭載されて、下側端子面に、前記第1下層電子部品の前記下層端子にバンプ接続される少なくとも一つの第1上層端子および前記第2下層電子部品の前記下層端子にバンプ接続される少なくとも一つの第2上層端子が配置される、少なくとも一つの上層電子部品と、
を備える、電子部品の製造方法であって、
前記第1および第2電子部品の前記上側端子面の段差と、前記第1および第2上層端子間の距離と、に基づいて、前記第1および第2電子部品の前記下層端子間の距離を設定する、
ことを特徴とする電子部品の製造方法。
好ましくは、前記段差は、前記第1および第2電子部品の厚みと、前記第1および第2電子部品の接続材料の厚みと、に基づいて求められる。
好ましくは、前記第1および第2電子部品の前記下層端子間の距離は、前記第1および第2電子部品の前記下層端子間に、前記第1および第2上層端子が挟まるよう設定される。
前記第1下層電子部品の前記下層端子と前記第2下層電子部品の前記下層端子との間の距離が、前記第1上層端子と前記第2上層端子との間の距離の水平成分よりも長い、ことを特徴とする電子装置。
[付記6]
前記第1下層電子部品の前記上側端子面と、前記第2下層電子部品の前記上側端子面とは、高さが異なり、
前記上層電子部品は、前記第1および第2下層電子部品上に傾斜して搭載される。
[付記7]
前記第1および第2上層端子は、前記第1下層電子部品の前記下層端子と前記第2下層電子部品の前記下層端子との間に挟まれる。
[付記8]
前記第1下層電子部品の前記下層端子と前記第2下層電子部品の前記下層端子との間の距離は、前記第1上層端子と前記第2上層端子との間の距離よりも、端子径の1/10〜1/2分長い。
[付記9]
前記第1および第2上層端子並びに前記第1および第2下層電子部品の前記下層端子は、先端に向かって細くなる。
[付記10]
前記第1および第2上層端子と、前記第1および第2下層電子部品の前記下層端子とは、斜面又は曲面をそれぞれ有し、互いの前記斜面又は曲面を介してバンプ接続される。
[付記11]
前記第1上層端子の中心が、前記第1下層電子部品の前記下層端子の中心よりも前記上層電子部品側にオフセットした状態で、前記第1上層端子は、前記第1下層電子部品の前記下層端子にバンプ接続され、
前記第2上層端子の中心が、前記第2下層電子部品の前記下層端子の中心よりも前記上層電子部品側にオフセットした状態で、前記第1上層端子は、前記第2下層電子部品の前記下層端子にバンプ接続される。
[付記12]
前記第1および第2下層部品並びに前記上層電子部品は、半導体チップ並びに前記第1および第2下層電子部品が搭載される回路基板の一部の少なくとも一方を含む。
[付記13]
前記電子部品は、半導体チップ又は受動部品である。
[付記14]
前記電子装置は、マルチチップモジュール型の半導体装置である。
[付記15]
前記端子の断面は、半円形または先端が細くなった台形の形状をしている。
2:金属搭載面(グランド、放熱板)
3:信号供給端子
4:信号接続ワイヤ
5:接合材料(接合層)
6:バンプ
7:端子、信号入力端子
7(11):第1下層半導体チップ11の下層端子(信号入力端子)
7(12):第1上層半導体チップ12の第1上層端子(信号入力端子)
7(13):第2下層半導体チップ13の下層端子(信号入力端子)
7(14):第2上層半導体チップ14の第1上層端子(信号入力端子)
7(15):第3下層半導体チップ15の下層端子(信号入力端子)
8:端子、信号出力端子
8(11):第1下層半導体チップ11の下層端子(信号出力端子)
8(12):第1上層半導体チップ12の第2上層端子(信号出力端子)
8(13):第2下層半導体チップ11の下層端子(信号出力端子)
8(14):第2上層半導体チップ14の第2上層端子(信号出力端子)
11〜15:電子部品、半導体チップ
11:第1下層電子部品、第1下層半導体チップ
11a:上側端子面
12:第1上層電子部品、第1上層半導体チップ
12a:下側端子面
13:第2下層電子部品、第2下層半導体チップ
13a:上側端子面
14:第2上層電子部品、第2上層半導体チップ
15:第3下層電子部品、第3下層半導体チップ
21:曲面
22:斜面
100:チップ搭載機
101:チップ供給ステージ
102:チップ搭載ステージ
103:フェイスアップチップ搭載用ヘッド
104:フェイスダウンチップ搭載用ヘッド
105:認識1カメラ
106:認識2カメラ
107:認識3カメラ
110:XYステージ
Claims (10)
- フェイスアップで配置され、上側端子面に少なくとも一つの下層端子が配置される第1および第2下層電子部品と、
前記第1および第2下層電子部品に跨ってフェイスダウンで搭載されて、下側端子面に、前記第1下層電子部品の前記下層端子にバンプ接続される少なくとも一つの第1上層端子および前記第2下層電子部品の前記下層端子にバンプ接続される少なくとも一つの第2上層端子が配置される、少なくとも一つの上層電子部品と、
を備え、
前記第1下層電子部品の前記下層端子と前記第2下層電子部品の前記下層端子との間の距離が、前記第1上層端子と前記第2上層端子との間の距離よりも長い、ことを特徴とする電子装置。 - 前記第1下層電子部品の前記下層端子と前記第2下層電子部品の前記下層端子との間の距離が、前記第1上層端子と前記第2上層端子との間の距離の水平成分よりも長い、ことを特徴とする請求項1記載の電子装置。
- 前記第1下層電子部品の前記上側端子面と、前記第2下層電子部品の前記上側端子面とは、高さが異なり、
前記上層電子部品は、前記第1および第2下層電子部品上に傾斜して搭載される、
ことを特徴とする請求項1又は2記載の電子装置。 - 前記第1および第2上層端子は、前記第1下層電子部品の前記下層端子と前記第2下層電子部品の前記下層端子との間に挟まれる、ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一記載の電子装置。
- 前記第1下層電子部品の前記下層端子と前記第2下層電子部品の前記下層端子との間の距離は、前記第1上層端子と前記第2上層端子との間の距離よりも、端子径の1/10〜1/2分長い、ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一記載の電子装置。
- 前記第1および第2上層端子並びに前記第1および第2下層電子部品の前記下層端子は、先端に向かって細くなることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一記載の電子装置。
- 前記第1および第2上層端子と、前記第1および第2下層電子部品の前記下層端子とは、斜面又は曲面をそれぞれ有し、互いの前記斜面又は曲面を介してバンプ接続される、ことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一記載の電子装置。
- 前記第1および第2下層部品並びに前記上層電子部品は、半導体チップ並びに前記第1および第2下層電子部品が搭載される回路基板の一部の少なくとも一方を含む、ことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一記載の電子装置。
- フェイスアップで配置され、上側端子面に少なくとも一つの下層端子が配置される第1および第2下層電子部品と、
前記第1および第2下層電子部品に跨ってフェイスダウンで搭載されて、下側端子面に、前記第1下層電子部品の前記下層端子にバンプ接続される少なくとも一つの第1上層端子および前記第2下層電子部品の前記下層端子にバンプ接続される少なくとも一つの第2上層端子が配置される、少なくとも一つの上層電子部品と、
を備える、電子装置の製造方法であって、
前記第1下層電子部品の前記下層端子と前記第2下層電子部品の前記下層端子との間の距離が、前記第1上層端子と前記第2上層端子との間の距離よりも長くなるよう、前記第2下層電子部品の前記下層端子が、前記第1下層電子部品の前記下層端子に対して位置決めされる、ことを特徴とする電子装置の製造方法。 - 前記第1下層電子部品の前記上側端子面と、前記第2下層電子部品の前記上側端子面との段差に応じて、前記第1下層電子部品の前記下層端子と前記第2下層電子部品の前記下層端子との間の距離が設定される、ことを特徴とする請求項9記載の電子装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016018876A true JP2016018876A (ja) | 2016-02-01 |
JP6398396B2 JP6398396B2 (ja) | 2018-10-03 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
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