JP2016018724A - 膜、及び膜形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
特許文献1はITOを対象としたものである。特許文献1の技術を、カーボンナノチューブ、グラフェン、銀ナノ粒子、又は銀ナノワイヤが用いられた透明導電膜の場合に応用しても、前記視認性の改善が得られ難い。その理由として次のことが考えられた。カーボンナノチューブやグラフェン等の材料は、可視光領域に吸収帯を有している。この為、カーボンナノチューブやグラフェン等が存在している個所(導電性部分(電極部分))と、カーボンナノチューブやグラフェンが存在していない個所(絶縁性部分)との間では、可視光透過率に差が生じる。この為、特許文献1の技術の応用では、前記視認性の改善が得られ難い。
特許文献2は、樹脂バインダの表面から露出した導電性繊維のみをレーザー光で除去する方法である。この為、バインダ層の厚み制御を精密に行わなければ、絶縁化が困難である。更に、レーザー光を照射した箇所が透明になる為、パターンが視認し易くなった。
炭素系材と金属ナノ粒状物とを有する膜であって、
前記膜は導電性部と絶縁性部とを具備し、
前記絶縁性部においては、金属ナノ粒状物の少なくとも一部が酸化してなる
ことを特徴とする膜を提案する。
絶縁性処理によって光透過率が向上する炭素系材と、絶縁性処理によって光透過率が低下する金属ナノ粒状物とを有する膜であって、
前記膜は、絶縁性処理されていない導電性部と、絶縁性処理された絶縁性部とを具備する
ことを特徴とする膜を提案する。
ことを特徴とする膜を提案する。
所定パターンの導電膜の形成方法であって、
炭素系材および金属ナノ粒状物の膜を形成した後、前記導電膜のパターン以外の領域を絶縁性処理する
ことを特徴とする膜形成方法を提案する。
前記膜の形成方法であって、
炭素系材および金属ナノ粒状物の膜を形成した後、導電膜のパターン以外の領域を絶縁性処理する
ことを特徴とする膜形成方法を提案する。
第1の発明は膜である。例えば、導電性膜である。或いは、絶縁性膜である。又は、導電性膜の側部に絶縁性膜が在る膜である。前記導電性膜と前記絶縁性膜との境界が目立ち難い膜である。前記導電性膜における光透過率Xと前記絶縁性膜における光透過率Yとの差が小さな(|X−Y|が、例えば0〜2%)膜である。前記膜は、炭素系材と、金属ナノ粒状物とを有する。
カーボンナノチューブ分散液が作製された。これは次の方法による。アーク放電により合成されたシングルウォールカーボンナノチューブ(市販品)に対して、酸処理、水洗浄、遠心分離が行われた。この精製カーボンナノチューブに、界面活性剤(ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム:SDBS)0.2wt%水溶液が、加えられた。このカーボンナノチューブ含有水溶液に対して、超音波装置により、分散処理が行われた。次いで、遠心分離、濾過が行われた。このようにしてカーボンナノチューブ分散液(CNT:3200ppm)が得られた。
実施例1において、銀ナノワイヤ層の銀量を6mg/m2とした以外は、実施例1に準じて行われた。
実施例1において、銀ナノワイヤ層の銀量を12mg/m2とした以外は、実施例1に準じて行われた。
実施例1において、カーボンナノチューブ量を5mg/m2とし、銀ナノワイヤ層の銀量を5mg/m2とした以外は、実施例1に準じて行われた。
実施例4において、紫外線照射時の雰囲気を窒素80%、酸素20%とした以外は、実施例4に準じて行われた。
実施例1において、カーボンナノチューブ量を6mg/m2とし、銀ナノワイヤ層の銀量を7mg/m2とし、上面に樹脂パターンを印刷形成して絶縁化処理時のマスクとし、絶縁化処理後に酢酸ブチルに浸漬させて前記樹脂パターンを溶解させた以外は、実施例1に準じて行われた。
実施例1において、銀ナノワイヤ層の形成が行われなかった以外は、実施例1に準じて行われた。
実施例6において、銀ナノワイヤ層の形成が行われなかった以外は、実施例6に準じて行われた。
前記実施例1〜実施例5で得られた製品、及び前記比較例1で得られた製品の絶縁化処理前後の透過率が調べられた。その結果が表1に示される。
絶縁化処理後の可視光透過率X 絶縁化処理前の可視光透過率Y
実施例1 87.67% 86.57%
実施例2 91.42% 87.74%
実施例3 88.81% 86.87%
実施例4 92.93% 92.00%
実施例5 92.37% 91.92%
比較例1 93.46% 88.34%
前記光透過率Xと前記光透過率Yとの間の差が小さな実施例においては、導電性部と絶縁性部との境界が判り難いことを示している。前記光透過率Xと前記光透過率Yとの間の差が大きな比較例においては、導電性部と絶縁性部との境界が判り易い(導電性パターンが簡単に認識される)ことを示している。
2 カーボンナノチューブ(
導電性炭素系材)
2’ 絶縁化されたカーボンナノチューブ
3 基板
Claims (14)
- 炭素系材と金属ナノ粒状物とを有する膜であって、
前記膜は導電性部と絶縁性部とを具備し、
前記絶縁性部においては、金属ナノ粒状物の少なくとも一部が酸化してなる
ことを特徴とする膜。 - 前記導電性部の導電性は前記炭素系材および前記金属ナノ粒状物の導電性によって奏され、前記絶縁性部の絶縁性は前記炭素系材および前記金属ナノ粒状物の導電性が変性した絶縁性によって奏されるよう構成されてなる
ことを特徴とする請求項1の膜。 - 前記導電性部は前記炭素系材および前記金属ナノ粒状物によって構成され、
前記絶縁性部は前記炭素系材および前記金属ナノ粒状物が絶縁性処理を受けた絶縁物によって構成されてなる
ことを特徴とする請求項1又は請求項2の膜。 - 絶縁性処理によって光透過率が向上する炭素系材と、絶縁性処理によって光透過率が低下する金属ナノ粒状物とを有する膜であって、
前記膜は、絶縁性処理されていない導電性部と、絶縁性処理された絶縁性部とを具備する
ことを特徴とする膜。 - 前記絶縁性部においては、絶縁性処理によって前記金属ナノ粒状物の少なくとも一部が酸化してなる
ことを特徴とする請求項4の膜。 - 前記絶縁性処理が酸化性雰囲気下での紫外線照射である
ことを特徴とする請求項3〜請求項5いずれかの膜。 - 前記紫外線が真空紫外線である
ことを特徴とする請求項6の膜。 - 前記炭素系材がカーボンナノチューブ及びグラフェンの群の中から選ばれる一種または二種以上のものである
ことを特徴とする請求項1〜請求項7いずれかの膜。 - 前記炭素系材がカーボンナノチューブである
ことを特徴とする請求項8の膜。 - 前記金属ナノ粒状物を構成する金属が銀である
ことを特徴とする請求項1〜請求項9いずれかの膜。 - 前記金属ナノ粒状物が金属ナノワイヤである
ことを特徴とする請求項1〜請求項10いずれかの膜。 - 所定パターンの導電膜の形成方法であって、
炭素系材および金属ナノ粒状物の膜を形成した後、前記導電膜のパターン以外の領域を絶縁性処理する
ことを特徴とする膜形成方法。 - 請求項1〜請求項11いずれかの膜の形成方法であって、
炭素系材および金属ナノ粒状物の膜を形成した後、導電膜のパターン以外の領域を絶縁性処理する
ことを特徴とする膜形成方法。 - 前記絶縁性処理が酸化性雰囲気下での紫外線照射である
ことを特徴とする請求項12又は請求項13の膜形成方法。
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