TWI595508B - 透明導電性膜及圖像顯示裝置 - Google Patents

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TWI595508B
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田仲拓郎
大熊康之
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Description

透明導電性膜及圖像顯示裝置
本發明是有關於一種透明導電性膜，特別是有關於在由透明塑膠膜形成的基材上，積層硬塗層、透明介電層、透明導電體層等而成的多層透明導電性膜。
在透明的塑膠膜的基材上積層透明且具有導電性的薄膜而成的透明導電性膜，可廣泛用於利用其導電性的用途，例如液晶顯示器等平板、或者智慧型手機(smartphone)或汽車導航(car navigation)及數位相機(digital camera)等所搭載的觸控面板、或者遮蔽由液晶顯示器或電漿顯示器的顯示畫面釋放的電磁波或由行動電話產生的電磁波的電磁波屏蔽用膜等。
觸控面板根據位置檢測的方式，有光學式、超音波式、電磁感應式、靜電電容式、電阻膜式等。電阻膜式觸控面板成為以下結構：積層有透明導電性膜、與透明導電體層(氧化銦錫，以下簡記為「ITO」)的玻璃，介隔點間隔物(dot spacer)而對向。藉由按壓透明導電性膜，對向玻璃基板上的透明導電體層(ITO)、與透明導電性膜所具有的透明導電體層(ITO)，以無點間隔物的點進行導通而確定位置。因此，因點間隔物或ITO的強度降低而 導致壽命成為問題。另一方面，靜電電容式觸控面板在基材上具有經圖案化的透明導電體層，藉由手指等進行接觸，而檢測手指所具有的靜電電容，藉由接觸的設置點與經圖案化的透明導電體層的電阻值發生變化，而準確地檢測二維的位置資訊。由於該結構，無可動部分成為其特徵，而且可靠性高，高壽命，透明度等光學性特徵優異。
如上所述，在觸控面板中，為了檢測輸入位置，有時對透明導電性膜的透明導電體層等進行特定的圖案化。但是藉由圖案化，圖案部(透明導電體層等所具有的部分)與非圖案部(除去了透明導電體層等的圖案開口部分)的光學特性變得明顯，而有作為顯示元件的外觀性變差的擔憂。特別是在靜電電容式觸控面板中，由於透明導電體層形成於顯示部的前面，因此要求即便在將透明導電體層圖案化(圖案(pattern)化)的情況下外觀性亦佳者。
而且，由於由液晶顯示器產生電磁波，而有造成觸控面板錯誤運作的擔憂，因此在靜電電容式觸控面板中，在觸控面板與液晶顯示器之間提供透明導電性膜，進行電磁干涉(Electromagnetic Interference，EMI)處理。對於此種透明導電性膜，亦要求抑制或除去對作為顯示元件的外觀性造成影響的其他因素(例如干涉條紋的產生、透光率的降低等)。
例如專利文獻1中揭示如下的透明導電性積層體，其在膜基材上設置有導電性薄膜，且透明性、導電性薄膜的耐擦傷性 優異，且耐彎曲性亦優異(參照專利文獻1、段落0005)。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2002-326301號公報
如上所述，經多層構成的透明導電性膜，存在使視認性降低的各種因素。
因此，本發明的課題是在經多層構成的透明導電性膜中，提供提高了視認性的透明導電性膜。
本發明者等人，為了解決上述課題而進行銳意研究。其結果發現，在透明導電性膜的硬塗層的厚度(膜厚)處於某固定範圍時，可抑制透明導電性膜所產生的干涉條紋的產生，從而完成了本發明。
本發明的第1形態的透明導電性膜例如如圖1(a)、圖1(b)所示般，具備：由膜狀高分子樹脂形成的透明的基材11；積層於基材11的一面上的第1硬塗層12；積層於第1硬塗層12的上側的第1透明導電體層14；基材11具有2 μm~250 μm的膜厚，第1硬塗層12由含有無機氧化物的硬化性樹脂形成，具有0.01 μm以上且小於0.5 μm、或超過6 μm且10 μm以下的膜厚，第1透明導電體層14由選自由無機氧化物、金屬、碳所組成的組群中的至少1種形成，具有10 nm~2 μm的膜厚，且經圖案化而形成有圖案部與非圖案部。
另外，所謂「第1硬塗層的上側」，在以第1硬塗層為上的方式載置基材時，包括：與第1硬塗層接觸而成為上側的情形(例如參照圖1(b)的第1透明導電體層14)；及在第1硬塗層上以非接觸成為上側的情形(例如參照圖1(a)的第1透明導電體層14)這兩種。
若以上述方式構成，則第1硬塗層的厚度為0.01 μm以上且小於0.5 μm、或超過6 μm且10 μm以下，可抑制在透明導電性膜上產生干涉條紋。另外，硬塗層由於由硬化性樹脂形成，因此藉由製造步驟中的熱處理等，可防止寡聚物等低分子物質自由高分子樹脂形成的基材溶出，而且可抑制對所積層的層的影響。
本發明的第2形態的透明導電性膜，如上述本發明的第1形態的透明導電性膜，其中第1硬塗層12所含有的無機氧化物的粒徑是體積平均粒徑為10 nm~100 nm的微粒子，在第1硬塗層12中含有5重量%~95重量%的無機氧化物。
若以上述方式構成，則在第1硬塗層的厚度為0.01 μm以上時，可抑制以下情況：第1硬塗層中所含有的無機氧化物的穩定分散狀態受損，而引起凝聚，或者在靠近表面的部位分散，而在第1硬塗層的表面出現凹凸，或者第1硬塗層的透明性降低。
本發明的第3形態的透明導電性膜，如上述本發明的第1形態或第2形態的透明導電性膜，其中例如如圖1(a)所示般，具備積層於第1硬塗層12與第1透明導電體層14之間的第1透明介電層13；第1透明介電層13由無機物形成，具有10 nm~100 nm的膜厚。
若以上述方式構成，則在對第1透明導電體層使用酸溶液進行藉由蝕刻的圖案化時，由於具有第1透明介電層，且由耐酸性高的材料形成，故可防止第1硬塗層的劣化。
本發明的第4形態的透明導電性膜，如上述本發明的第1形態~第3形態中任一形態的透明導電性膜，其中第1硬塗層12的折射率為1.40~1.90，在具有第1透明介電層13時，第1透明介電層13的折射率為1.30~1.50。
若以上述方式構成，則由於硬塗層、根據需要而積層的透明介電層具有恰當的折射率與膜厚，因此形成於透明導電體層上的圖案形狀並不顯著，兼顧抑制干涉條紋的產生，而可獲得視認性良好的透明導電性膜。而且，硬塗層由於由含有無機氧化物的硬化性樹脂形成，因此藉由調整所含有的無機氧化物的種類或數量，而可容易獲得所期望的折射率。
本發明的第5形態的透明導電性膜，如上述本發明的第1形態~第4形態中任一種形態的透明導電性膜，其中基材11由選自由聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、三乙醯纖維素(triacetyl cellulose)、及聚碳酸酯所組成的組群中的至少1種形成，形成第1硬塗層12的硬化性樹脂為紫外線硬化性樹脂，第1透明導電體層14由選自由氧化銦錫、氧化銦鋅、添加鎵的氧化鋅、添加鋁的氧化鋅、銀、銅、碳所組成的組群中的至少1種形成。在具有第1透明介電層13時，第1透明介電層13由二氧化矽形 成。
在對第1透明導電體層使用酸溶液進行藉由蝕刻的圖案化時，由於具備第1透明介電層，且由耐酸性特別高的二氧化矽形成，故可防止第1硬塗層的劣化。另外，在第1透明導電體層使用包含選自由氧化銦錫、氧化銦鋅、添加鎵的氧化鋅、添加鋁的氧化鋅所組成的組群中的至少1種的金屬氧化物時，由於具備第1透明介電層，故可進一步提高第1透明導電體層的密接性。而且，若具備第1透明介電層，則由於透明導電性膜的層數增加，因此會更容易地調整整個透明導電性膜的折射率。
本發明的第6形態的圖像顯示裝置例如如圖5所示般，具備：具有上述本發明的第1形態~第5形態中任一形態的透明導電性膜的觸控面板43；以及設置於透明導電性膜的基材側的圖像面板41。
若以上述方式構成，則可獲得觸控面板中干涉條紋的產生得到抑制，並提高了圖像面板的顯示的視認性的圖像顯示裝置。
本發明的第7形態的圖像顯示裝置例如如圖5所示般，具備：藉由接觸進行輸入的觸控面板；顯示影像的圖像面板41；具有申請專利範圍1~申請專利範圍5中任一項所述的透明導電性膜、且載置於上述觸控面板與圖像面板41之間的電磁波屏蔽層42。
若以上述方式構成，則藉由抑制了干涉條紋的產生的電磁波屏蔽層，而可進行電磁干涉(EMI)處理，即防止因由圖像面 板產生的電磁波而造成觸控面板錯誤運作。
本發明的透明導電性膜藉由使第1硬塗層的膜厚成為恰當的厚度，而可抑制干涉條紋的產生。因此，可獲得視認性良好的多層結構的透明導電性膜。
10、10'、20、30‧‧‧透明導電性膜
11、11'‧‧‧基材、透明塑膠基材
12、12'‧‧‧硬塗層
13、13'‧‧‧透明介電層
14、14'‧‧‧透明導電體層
40‧‧‧圖像顯示裝置
41‧‧‧圖像面板
42‧‧‧電磁波屏蔽層
43‧‧‧觸控面板
44‧‧‧保護層
圖1(a)是說明具有透明介電層13的透明導電性膜10的層構成的剖面圖。圖1(b)是說明不具有透明介電層13的透明導電性膜10'的層構成的剖面圖。
圖2(a)及圖2(b)是表示形成於透明導電體層上的圖案形狀的一例的圖。
圖3是說明經多層構成的透明導電性膜20(具有透明介電層13時)的層構成的剖面圖。
圖4是說明經多層構成的透明導電性膜30(具有透明介電層13、透明介電層13'時)的層構成的剖面圖。
圖5是具備具有透明導電性膜30的觸控面板的圖像顯示裝置40的剖面圖。
圖6是表示製造透明導電性膜(具有透明介電層時)的步驟的流程圖。
圖7是表示參考例1~參考例6、比較例1~比較例4的層構成的圖。
圖8是表示實施例1~實施例7、比較例5~比較例7的層構成的圖。
圖9是表示在參考例1及實施例3的透明導電性膜上，貼合附著有黏著劑的黑色聚對苯二甲酸乙二酯膜後，對該膜進行拍照，並且在該照片中可目視確認的干涉條紋的圖。
該申請案是基於在日本於2012年1月6日申請的日本專利特願2012-001120號，其內容作為本申請案的內容而形成其一部分。本發明藉由以下的詳細的說明應可更完全地理解。本發明的進一步的應用範圍藉由以下的詳細的說明應可明白。然而，詳細的說明及特定的實例為本發明的較理想的實施形態，僅為了說明的目的而記載者。原因是，根據其詳細的說明，各種變更、改變在本發明的精神與範圍內可為業者所明白。申請人亦無意向公眾獻上所記載的實施形態的任一種，在改變、代替案中，在文字上可能未包括在專利申請案範圍內者，亦成為均等論下的發明的一部分。
以下，參照圖式，對本發明的實施形態進行說明。另外，對各圖中彼此相同或相當的部分賦予相同或類似的符號，並省略重複的說明。另外，本發明並不限定於以下的實施形態。
接著，對本發明進行具體地說明。
[透明導電性膜10]
參照圖1(a)，對本發明的第1實施形態的透明導電性 膜10進行說明。另外，圖1是說明經多層構成的透明導電性膜10的層構成的圖，而且各層的厚度被誇大。透明導電性膜10具備：作為基材的透明塑膠基材11、硬塗層12、透明介電層13、以及透明導電體層14。如圖1(a)所示般，在透明塑膠基材11的一面(圖1中為透明塑膠基材11的上側)，積層硬塗層12。在硬塗層12上進一步根據需要而積層透明介電層13。在透明介電層13上進一步積層透明導電體層14。如此，透明導電性膜10被構成為多層。
[透明導電性膜10']
參照圖1(b)，對透明導電性膜10'進行說明。透明導電性膜10'是不具備透明介電層13而構成的透明導電性膜。
[透明塑膠基材11]
透明塑膠基材11是指由膜狀高分子樹脂形成的透明的基材11。透明塑膠基材11中，可使用具有透明性的各種塑膠膜作為膜狀高分子樹脂。具有透明性的塑膠膜的材料例如可列舉：聚酯系樹脂、乙酸酯系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚烯烴系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚偏二氯乙烯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚苯硫醚系樹脂、降冰片烯系樹脂等樹脂。具體而言，較佳為聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二酯、三乙醯纖維素、聚醚碸、聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚醚酮等。另外，聚對苯二甲酸乙二酯及 聚萘二甲酸乙二酯由於機械強度、尺寸穩定性、耐熱性、耐藥品性、光學特性等、及膜表面的平滑性或操作性優異，因此更佳。聚碳酸酯由於透明性、耐衝擊性、耐熱性、尺寸穩定性、燃燒性優異，因此更佳。若亦考慮到價格、獲得的容易性，特佳為聚對苯二甲酸乙二酯。
透明塑膠基材11的膜厚為2 μm~250 μm，較佳為10 μm~200 μm，特佳為20 μm~190 μm。若透明塑膠基材11的膜厚為2 μm以上，則可維持基材的機械強度，而且透明導電性膜10的透明導電體層14的形成及圖案形成等的作業變得容易。另外，若膜厚為250 μm以下，則可使觸控面板的厚度變薄，並適於行動電話或隨身聽等移動設備等。
透明塑膠基材11較佳為實施：易接著處理(將透明塑膠基材製膜時，為在線內塗佈易接著劑的處理，並提高透明塑膠基材與硬塗層的密接性)、底塗(primer coat)處理(將透明塑膠基材製膜後，為離線塗佈底塗劑的處理，並提高透明塑膠基材與硬塗層的密接性)、電暈放電處理、火焰處理、紫外線照射處理、電子束照射處理、臭氧處理、輝光放電處理、濺鍍處理等表面活化處理。藉由表面活化處理，可提高硬塗層12對透明塑膠基材11的密接性。
在透明塑膠基材11上積層以硬化性樹脂為主成分的硬塗層12。藉由硬塗層12，可實現透明塑膠基材11的光學干涉對策、彎曲對策、賦予耐藥品性、防止寡聚物等低分子物質的析出。
[硬塗層12]
硬塗層12藉由在透明塑膠基材11上塗佈硬化性樹脂，並使所得的塗膜硬化而形成。硬化性樹脂的塗佈較佳為使用均勻地塗佈溶解於溶劑中的樹脂的濕式塗佈法。濕式塗佈法可使用凹版塗佈法或模塗法等。凹版塗佈法是如下的方式：將對表面實施了凸凹的雕刻加工的凹版輥浸漬於塗佈液中，藉由刮刀(doctor blade)刮落附著於凹版輥表面的凸凹部的塗佈液，而在凹部儲存塗佈液，而藉此準確地計量，並轉移至基材。藉由凹版塗佈法，可薄薄地塗佈低黏度的塗佈液。模塗法是如下的方式：一邊自被稱為模(die)的塗佈用頭，將塗佈液加壓而擠出一邊塗佈。藉由模塗法可實現高精度的塗佈。而且，由於塗佈時塗佈液不暴露於外部氣體，因此難以引起因乾燥所造成的塗佈液的濃度變化等。 其他濕式塗佈法可列舉：旋塗法、棒塗法、反向塗佈法、輥塗法、狹縫塗佈法、浸漬法、噴塗法、吻合塗佈法、反轉吻合塗佈法(reverse kiss coat)、氣刀塗佈法、淋幕式塗佈法、桿塗法等。積層的方法可根據使用這些方法所需要的膜厚進行適當選擇。而且，藉由使用濕式塗佈法，而能以每分鐘數十米的線速度(例如約20 m/分鐘)進行積層，因此可大量且廉價地製造，並可提高生產效率。
此處，硬化性樹脂是藉由加熱、紫外線照射、電子束照射等而硬化的樹脂。硬化性樹脂可列舉：矽酮(silicone)樹脂、丙烯酸系樹脂、甲基丙烯酸系樹脂、環氧樹脂、三聚氰胺樹脂、 聚酯樹脂、胺基甲酸酯(urethane)樹脂等。這些硬化性樹脂中就生產性上的觀點而言，較佳為紫外線硬化性樹脂。紫外線硬化性樹脂通常添加光聚合起始劑而使用。光聚合起始劑例如可列舉：各種安息香衍生物、二苯甲酮衍生物、苯基酮衍生物等。光聚合起始劑的添加量相對於紫外線硬化性樹脂100重量份，較佳為設為1重量份~5重量份。另外，硬化性樹脂就用作塗佈液而言，較佳為硬化前為液狀。
塗佈液(硬塗層塗佈液)的硬化性樹脂成分的濃度，例如可調整為與濕式塗佈法等積層方法相對應的黏度而恰當選擇。上述濃度較佳為5重量%~80重量%，更佳為10重量%~60重量%的範圍。稀釋溶劑例如可使用甲基異丁基酮等。另外，該塗佈液中，根據需要可添加公知的其他添加劑，例如界面活性劑等均化劑。若添加均化劑，則可控制塗佈液的表面張力，並且可抑制收縮(cissing)、凹坑(crater)等硬塗層形成時所產生的表面缺陷。
在硬塗層塗佈液中，為了調整硬化後的硬塗層12的折射率，而添加無機氧化物。硬塗層所含有的無機氧化物的材料可列舉：SiO2、Al2O3、SnO2、ZrO2、TiO2等，及這些的複合氧化物等。另外，亦可使用將多種無機氧化物加以混合而成的材料。為了防止硬塗層12的透明性的降低，較佳為無機氧化物的粒徑是體積平均粒徑為1 nm~100 nm的範圍的微粒子，特佳為10 nm~100 nm。無機氧化物的添加量會因比重等而受到影響，但較佳為樹脂固體成分的5重量%~95重量%。如此，由於硬塗層中添加無機氧 化物，因此為了提高折射率，而添加折射率高的無機氧化物、或增加無機氧化物的添加量，而可容易地獲得具有所期望的折射率的硬塗層。另外，無機氧化物的粒徑較佳為小於硬塗層的膜厚。
硬塗層12的折射率為1.40~1.90，較佳為1.55~1.80。若折射率為1.40以上，則與透明介電層13的折射率差不會變得過小，在將透明導電體層14圖案化時，圖案部與非圖案部的光學特性不會變大，而有難以見到圖案部的傾向。另一方面，若折射率為1.90以下，則例如於透明塑膠基材11使用PET時，與透明塑膠基材11的折射率差不會變得過大，而可抑制透明導電性膜10的視認性因干涉等而降低。
硬塗層12的膜厚為0.01 μm~10 μm。另外，藉由將硬塗層12的膜厚設定為特定的範圍內，而可抑制透明導電性膜所產生的干涉條紋。所謂特定的範圍內，將硬塗層12製成較薄時，為0.01 μm~0.5 μm，更佳為0.15 μm~0.35 μm，特佳為0.15 μm~0.25 μm。將硬塗層12製成較厚時，為6 μm~10 μm，更佳為7 μm~8 μm。若硬塗層12的膜厚為10 μm以下，則不會發生總透光率等透明性降低，而可在用於觸控面板等時實現輕量化。
用以使硬化性樹脂硬化的硬化處理可列舉：加熱、紫外線照射、電子束照射等硬化處理。另外，在塗膜含有稀釋溶劑時，通常較佳為：在70℃~200℃的範圍內將塗膜加熱數十分鐘，將殘留於塗膜中的稀釋溶劑除去後，進行硬化處理。藉由加熱的硬化例如通常以80℃~250℃、較佳為100℃~200℃的加熱溫度進行 加熱即可。此時，在使用烘箱時，加熱30分鐘~90分鐘即可，在使用加熱板時，加熱5分鐘~30分鐘即可。另外，藉由紫外線照射的硬化，由紫外線(ultraviolet，UV)燈(例如高壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬鹵化物燈、高功率金屬鹵化物燈)對塗佈液以短時間(數秒~數十秒的範圍內)照射200 nm~400 nm的波長的紫外線即可。另外，藉由電子束照射的硬化，從300 keV以下的自遮蔽型低能量電子加速器對塗佈液照射低能量電子束即可。
如此形成的硬塗層12具有減小透明導電體層14的圖案部與非圖案部的光學特性差的功能。因此，具有硬塗層12的本申請案的透明導電性膜，與現有的模內(In-Mold，IM)膜相比，可減少層構成。
[透明介電層13]
藉由於在透明導電體層14上使用酸溶液形成因蝕刻所致的圖案時，具備透明介電層13，而可防止硬塗層12的劣化。另外，在透明導電體層14由氧化銦錫、氧化銦鋅、添加鎵的氧化鋅、添加鋁的氧化鋅等金屬氧化物形成時，藉由具備透明介電層13，而可進一步提高透明導電體層14的密接。
透明介電層13的材料可列舉：NaF、BaF2、LiF、MgF2、CaF2、SiO2等無機物。這些中，較佳為SiO2。SiO2由於耐酸性特別高，因此在藉由酸溶液等對透明導電體層14進行蝕刻而圖案化時，可防止硬塗層12的劣化。
透明介電層13的形成方法具體可列舉：濺鍍法、真空 蒸鍍法、離子電鍍法等乾式製程，或者藉由塗敷矽溶膠等而形成透明介電層的濕式法。根據所需要的膜厚，可適當選擇上述方法。若使用乾式製程，則可由數nm的膜厚進行製作，並可製作均質且平滑性優異的膜，因此較佳。特別是藉由濺鍍靶(成膜材料)選擇純度佳者，而可製作灰塵或顆粒少的膜，因此較佳。另外，若使用矽溶膠，則容易成膜，因此較佳。
透明介電層13的折射率為1.30~1.50，較佳為1.40~1.50。若折射率為1.30以上，則膜不會變為多孔性，在積層透明導電體層14時，透明導電體層14變為均勻的膜，電氣特性不會降低。另一方面，若折射率為1.50以下，則與透明導電體層14的折射率差不會變得過小，在將透明導電體層14圖案化時，容易使圖案部與非圖案部的光學特性接近。另外，透明介電層13的折射率較佳為小於硬塗層12的折射率。
透明介電層13的膜厚為10nm~100nm，較佳為15nm~80nm，特佳為20nm~60nm。若膜厚為10nm以上，則不會成為不連續膜，而可維持膜的穩定性。另一方面，若膜厚為100nm以下，則難以引起透明性降低等。另外，透明介電層13的膜厚較佳為與硬塗層12的膜厚相同或比其薄。
[透明導電體層14]
透明導電體層14的材料可列舉：氧化鋅、氧化錫、氧化鋁、氧化鈦、氧化銦、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、添加鎵的氧化鋅、添加氟的氧化錫、添加銻的氧化錫、添加鋁的氧 化鋅(AZO)、添加矽的氧化鋅、銀、銅、碳等。
透明導電體層14的膜厚較佳為10nm~2μm。另外，透明導電體層14的膜厚較佳為比硬塗層12及透明介電層13的膜厚薄。
透明導電體層14的表面電阻值較佳為1Ω/□~1000Ω/□的範圍內，更佳為5Ω/□~500Ω/□的範圍內。為了成為具有該表面電阻值的連續膜，透明導電體層14的膜厚較佳為10nm~300nm，更佳為20nm~200nm。
透明導電體層14的形成方法具體可列舉：藉由以無機氧化物為主成分的塗佈液的濕式法，或濺鍍法、離子電鍍法、電子束蒸鍍法、化學氣相沈積法(Chemical Vapor Deposition，CVD)等乾式製程。若使用乾式製程，則可由數nm的膜厚進行製作，並可製作均質且平滑性優異的膜，因此較佳。特別是藉由於濺鍍靶(成膜材料)選擇純度佳者，而可製作灰塵或顆粒少的膜，因此較佳。特別是在將ITO成膜時，在乾式製程中，藉由改變靶材料的氧化錫與氧化銦的比率，而可改變所成膜的ITO的錫與銦的比率，其結果可容易改變ITO的折射率(光學特性)等。若使用濕式製程，則藉由將ITO、IZO、銀、銅、碳等進行塗料化，而進行塗佈、加熱乾燥、融著，而可藉由印刷等簡便地成膜，因此較佳。
在形成透明導電體層14後，透明導電體層14受到蝕刻而圖案化。圖案化可根據應用透明導電性膜10的用途，而形成各種圖案。在透明導電體層14的表面形成具有所期望的圖案形狀的 遮罩部，藉由蝕刻液等除去露出部分後，藉由鹼性液等使遮罩部溶解而圖案化。蝕刻液可較佳地使用酸。酸例如可列舉：氯化氫、溴化氫、硝酸、硫酸、磷酸等無機酸，乙酸、草酸等有機酸，及這些的混合物、以及這些的水溶液。但圖案化的方法並不限定於此，亦可使用雷射剝蝕(laser ablation)法、網版印刷法等方法。
圖案形狀例如可製成如圖2(a)及圖2(b)所示的菱形(diamond)形狀。但形狀並不限定於此，亦可為三角形或四角形。另外，圖2(a)及圖2(b)所示的圖案，分別在箭頭的方向電性連接。特別是若以網狀或線狀形態形成透明導電體層14，則不會損及透明性而可獲得優異的電磁波屏蔽(shield)特性，因此較佳。透明導電體層的線寬度較佳為1 μm~40 μm的範圍，更佳為5 μm~30 μm的範圍內。線間隔較佳為50 μm~500 μm的範圍，更佳為100 μm~400 μm的範圍內。
在透明導電體層14使用選自由氧化銦錫、氧化銦鋅、添加鎵的氧化鋅、添加鋁的氧化鋅所組成的組群中的至少1種金屬氧化物時，在圖案化後，為了提高導電性，可在100℃~150℃的範圍內實施退火處理而提高結晶化。透明導電體層14的結晶性越高則導電性越良好。因此，透明塑膠基材11較佳為具有150℃以上的耐熱性。
[透明導電性膜20]
參照圖3，對本發明的第2實施形態的透明導電性膜20進行說明。透明導電性膜20在圖1(a)所示的透明塑膠基材11 的與硬塗層12側相反側的面上進一步具備硬塗層12'。藉此，成為透明塑膠基材11被硬塗層12與硬塗層12'夾持的構成，因此可進一步抑制透明塑膠基材11彎曲。
硬塗層12'的材料、膜厚、折射率、所含有的無機氧化物，分別可與硬塗層12相同，或者亦可不同。而且亦可不含無機氧化物。例如若使材料及含有物與硬塗層12相同，使膜厚比硬塗層12厚，則容易成膜而提高作業性。
[透明導電性膜30]
參照圖4，對本發明的第3實施形態的透明導電性膜30進行說明。透明導電性膜30在圖1所示的透明塑膠基材11的與硬塗層12側相反側的面上進一步具備硬塗層12'、根據需要具備透明介電層13'、透明導電體層14'。如圖4所示般，硬塗層12'積層於透明塑膠基材11的另一面(圖4中為透明塑膠基材11的下側)。在硬塗層12'之下，根據需要進一步積層透明介電層13'。在透明介電層13'之下，進一步積層透明導電體層14'。如此，在透明塑膠基材11的兩面以成為對稱的方式構成各層。
形成於透明塑膠基材11的兩側的透明導電體層14及透明導電體層14'的各圖案可相同，但更佳為不同的形狀。例如，在透明導電體層14上形成圖2(a)所示的圖案。在透明導電體層14'上，以不與圖2(a)的圖案重疊的方式形成圖2(b)所示的圖案。此時，圖2(a)與圖2(b)的圖案以電性連接的方向交叉(包括正交)的方式形成。如此，藉由組合透明導電體層14與透明導 電體層14'的圖案而構成，而適合於投影型靜電電容方式觸控面板，因此較佳。
另外，透明介電層13與透明介電層13'根據需要可具備兩層，亦可僅具備某1層，還可不具備。另外，透明介電層13'的材料、膜厚、折射率分別可與透明介電層13相同，或亦可不同。而且，透明導電體層14'的材料、膜厚、折射率分別可與透明導電體層14相同，或亦可不同。
另外，各層的構成並不限定於透明導電性膜10、透明導電性膜20、透明導電性膜30，亦可設為其他構成。
[圖像顯示裝置40]
參照圖5，對本發明的第4實施形態的圖像顯示裝置40進行說明。圖像顯示裝置40具備：顯示藉由機械處理而映出的影像的圖像面板41、具有本發明的透明導電性膜10的電磁波屏蔽層42、具有本發明的透明導電性膜30的觸控面板43、以及保護層44。如圖5所示般，在液晶顯示器等的圖像面板41上以經圖案化的透明導電體層14(參照圖3)成為下側的方式，積層電磁波屏蔽層42，而且以經圖案化的透明導電體層14(參照圖4)成為上側的方式，載置觸控面板43。而且，在觸控面板43上載置保護觸控面板43的保護層44。另外，使用本發明的透明導電性膜的圖像顯示裝置，並不限定於圖像顯示裝置40，亦可為其他構成的顯示裝置。例如可使用本發明的透明導電性膜10及透明導電性膜20。而且，亦可分別積層多層透明導電性膜10、或多層透明導電性膜 20而使用。例如可在以透明導電體層14為上的狀態下重疊2片透明導電性膜10而使用。此時，在位於上方的透明導電體層14上，可形成圖2(a)所示的圖案。而且在位於下方的透明導電體層14上，能以不與圖2(a)的圖案重疊的方式形成圖2(b)所示的圖案。此時，較佳為以電性連接的方向交叉(包括正交)的方式形成圖2(a)與圖2(b)的圖案。如此，可將2片透明導電性膜10重疊，組合2層的透明導電體層14的圖案而構成。
而且，觸控面板根據位置檢測的方式，有光學式、超音波式、電磁感應式、靜電電容式、電阻膜式等。本發明的透明導電性膜在任一種方式的觸控面板中均可使用。其中，由於對透明導電體層實施的圖案形狀不顯著，因此適合於靜電電容式的觸控面板。
[透明導電性膜的製造方法]
參照圖6，對本發明的第5實施形態的透明導電性膜的製造方法進行說明。首先，在由膜狀高分子樹脂形成的透明的基材11的一面上，藉由濕式塗佈法積層硬塗層12(S01)。接著，在硬塗層12的與基材11側相反側的面上，根據需要積層透明介電層13(S02)。接著，在透明介電層13的與硬塗層12側相反側的面上，積層透明導電體層14(S03)。最後，將透明導電體層14圖案化(S04)。基材11是使用具有2 μm~250 μm的膜厚的膜。另外，本製造方法進一步包括使硬化性樹脂含有無機氧化物的步驟。因此，硬塗層12是由含有無機氧化物的硬化性樹脂，以具有 1.40~1.90的折射率及0.01μm~10μm的膜厚的方式形成。透明介電層13由無機物以具有1.30~1.50的折射率及10nm~100nm的膜厚的方式形成。透明導電體層14由選自由氧化鋅、氧化錫、氧化鋁、氧化鈦、氧化銦、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、添加鎵的氧化鋅、添加氟的氧化錫、添加銻的氧化錫、添加鋁的氧化鋅(AZO)、添加矽的氧化鋅等無機氧化物、銀及銅等金屬、碳所組成的組群中的至少1種，以具有10nm~2μm的膜厚的方式形成。然後，圖案化成特定的形狀。另外，本製造方法是藉由濕式塗佈法積層硬塗層，因此能以每分鐘數十米的線速度(例如約20m/分鐘)且廉價地積層，並可提高生產效率。而且，硬塗層由含有無機氧化物的硬化性樹脂形成，因此藉由調整所含有的無機氧化物的種類或數量而可容易調整硬塗層的折射率。如此，硬塗層具有減小透明導電體層的圖案部與非圖案部的光學特性差的功能，因此本申請案的透明導電性膜與現有的IM膜相比，可減少層構成。
[實施例]
以下，藉由實施例對本發明進行詳細地說明，但本發明並不限定於這些實施例。
[特性的測定方法及效果的評價方法]
本發明中的特性的測定方法及效果的評價方法如下所述。
(總透光率)
依據JIS-K7361，使用日本電色工業(股)製造的NDH-5000，測定總透光率。
(色差)
依據JIS-Z8729，使用日本電色工業(股)製造的SD5000，測定圖案部與非圖案部的透射光的L*、a*、b*值，並算出色差△E*。色差△E*是將圖案部與非圖案部的L*、a*、b*值之差即△L*、△a*、△b*進行自乘而相加，取其平方根，從而算出(△E≧0)。該△E*的值越小則越難以見到圖案部。
(表面電阻值)
藉由四端子法，使用三菱化學分析技術(Mitsubishi Chemical Analytech)(股)製造的MCP-T610，測定ITO膜的表面電阻值(Ω/□)。
(各層的厚度)
透明塑膠基材11的膜厚是藉由尼康(Nikon)製造的微計測器(microgauge)式厚度計MF-501進行測定。其他層的厚度是藉由日立製作所製造的掃描型電子顯微鏡SU70進行剖面觀察而測定。
(各層的折射率)
各層的折射率是使用愛宕(Atago)公司製造的阿貝(Abbe)折射率計進行測定。
(視認性評價)
在黑板上以透明導電體層側為上的方式放置透明導電 性膜的樣品，藉由下述基準評價是否可目視判別圖案部與非圖案部(圖案開口部)。
○：難以判別圖案部與非圖案部(圖案開口部)。
△：稍可判別圖案部與非圖案部(圖案開口部)。
×：可清楚判別圖案部與非圖案部(圖案開口部)。
(粒度分布)
粒度分布是使用日機裝(股)製造的NANOTRAC UPA-UT151，藉由動態光散射法進行測定。另外，表示以1-甲氧基-2-丙醇將固體成分濃度稀釋為10%的體積平均粒徑。
PELTRON XJA-0189：42 nm
PELTRON XJA-0190：37 nm
Lioduras TYZ74：95 nm
[硬塗層塗佈液的製備]
(硬塗層塗佈液(a1)的製備)
將丙烯酸系紫外線硬化性樹脂(大日本油墨化學(Dainippon Ink and Chemicals，DIC)(股)製造：UNIDIC 17-824-9)100重量份、膠體氧化鋯(日產化學(股)製造：NanoUse OZ-S30K)63重量份與甲基異丁基酮460重量份進行混合，而製備硬塗層塗佈液(a1)。
(硬塗層塗佈液(a2)的製備)
將丙烯酸系紫外線硬化性樹脂(DIC(股)製造：UNIDIC 17-824-9)100重量份、膠體氧化鋯(日產化學(股)製造：NanoUse OZ-S30K)150重量份與甲基異丁基酮420重量份進行混合，而製備硬塗層塗佈液(a2)。
(硬塗層塗佈液(a3)的製備)
將丙烯酸系紫外線硬化性樹脂(DIC(股)製造：UNIDIC 17-824-9)100重量份、甲基異丁基酮150重量份進行混合，而製備硬塗層塗佈液(a3)。塗佈液(a3)不含膠體氧化鋯。
[參考例1]
(硬塗層(A1)的形成)
在膜厚125 μm的包含聚對苯二甲酸乙二酯膜(以下稱為PET膜)的透明塑膠基材的一面上，以UV硬化後膜厚為0.8 μm的方式，使用棒塗機塗佈硬塗層塗佈液(a1)。將所得的塗膜以80℃乾燥30秒後，使用附帶有高壓水銀燈(H08-L41、額定值(rating)120 W/cm，岩崎電氣(股)製造)的輸送帶式UV照射裝置(艾衣古拉菲(EYE GRAPHICS)公司製造的ECS-801G1)，以照度200 mW/cm2、曝光量500 mJ/cm2照射紫外線，而形成硬塗層(A1)。曝光量是藉由照度計(UVPF-A1/PD-365，岩崎電氣(股)製造)進行測定。
(硬塗層(B1)的形成)
在形成有硬塗層(A1)的PET膜的與形成有硬塗層(A1)的面相反側的面，以UV硬化後膜厚為1.2 μm的方式，使用棒塗機塗佈硬塗層塗佈液(a1)。以下，藉由與硬塗層(A1)的形成相同的方法形成。
[參考例2]
(硬塗層(A2)的形成)
將硬塗層塗佈液(a1)變更為硬塗層塗佈液(a2)，除此以外，進行與參考例1的硬塗層(A1)相同的操作，而形成硬塗層(A2)。硬塗層(A2)的膜厚為0.9 μm。
(硬塗層(B2)的形成)
將硬塗層塗佈液(a1)變更為硬塗層塗佈液(a2)，除此以外，進行與參考例1的硬塗層(B1)相同的操作，而形成硬塗層(B2)。硬塗層(B2)的膜厚為1.4 μm。
[參考例3]
(硬塗層(A3)的形成)
將硬塗層塗佈液(a1)中所用的丙烯酸系紫外線硬化性樹脂變更為丙烯酸酯系紫外線硬化性樹脂(朋諾(Pelnox)(股)製造：PELTRON XJC-0563-FL)，除此以外，進行與參考例1的硬塗層(A1)相同的操作，而形成硬塗層(A3)。硬塗層(A3)的膜厚為0.8 μm。
(硬塗層(B3)的形成)
將硬塗層塗佈液(a1)中所用的丙烯酸系紫外線硬化性樹脂變更為丙烯酸酯系紫外線硬化性樹脂(朋諾(股)製造：PELTRON XJC-0563-FL)，除此以外，進行與參考例1的硬塗層(B1)相同的操作，而形成硬塗層(B3)。硬塗層(B3)的膜厚為1.3 μm。
[參考例4]
(硬塗層(A4)的形成)
將硬塗層塗佈液(a1)中所用的丙烯酸系紫外線硬化性樹脂變更為丙烯酸酯系紫外線硬化性樹脂(東洋油墨(TOYO INK)製造(股)製造：Lioduras TYT80-01)，除此以外，進行與參考例1的硬塗層(A1)相同的操作，而形成硬塗層(A4)。硬塗層(A4)的膜厚為0.8 μm。
(硬塗層(B4)的形成)
將硬塗層塗佈液(a1)中所用的丙烯酸系紫外線硬化性樹脂變更為丙烯酸酯系紫外線硬化性樹脂(東洋油墨製造(股)製造：Lioduras TYT80-01)，除此以外，進行與參考例1的硬塗層(B1)相同的操作，而形成硬塗層(B4)。硬塗層(B4)的膜厚為1.5 μm。
[比較例1]
(硬塗層(B5)的形成)
在參考例1中不設置硬塗層(A1)，除此以外，進行與參考例1相同的操作，而形成硬塗層(B5)。硬塗層(B5)的膜厚為1.5 μm。
[比較例2]
(硬塗層(A6)的形成)
將硬塗層塗佈液(a1)變更為硬塗層塗佈液(a3)，除此以外，進行與參考例1的硬塗層(A1)相同的操作，而形成硬 塗層(A6)。硬塗層(A6)的膜厚為0.8 μm。
(硬塗層(B6)的形成)
將硬塗層塗佈液(a1)變更為硬塗層塗佈液(a3)，除此以外，進行與參考例1的硬塗層(B1)相同的操作，而形成硬塗層(B6)。硬塗層(B6)的膜厚為1.3 μm。
[參考例1~參考例4、比較例1~比較例2共通]
(SiO2/透明介電層的形成)
參考例1~參考例4及比較例1~比較例2的透明介電層，是在硬塗層(A1)~硬塗層(A6)上，使用Si靶材料在氬氣及氧氣的混合氣體環境下，藉由反應性濺鍍法而形成。而獲得膜厚30 nm、折射率1.45的SiO2的薄膜。
(ITO/透明導電體層的形成)
接著，在透明介電層上使用氧化銦98質量%、氧化錫2質量%的靶，藉由濺鍍法而形成透明導電體層。獲得膜厚30 nm的ITO膜。接著，在ITO膜上形成經特定圖案化的光阻膜後，浸漬於鹽酸(muriatic acid)溶液中，進行ITO膜的蝕刻，而進行圖案的形成。在ITO膜的圖案化後，將該ITO膜在150℃、90分鐘的條件下進行加熱處理，而使ITO膜部分結晶化，而獲得參考例1~參考例4、比較例1~比較例2的透明導電性膜。
圖7表示參考例1~參考例4、比較例1~比較例2的ITO透明導電性膜的層構成。另外，表1表示參考例1~參考例4、比較例1~比較例2的ITO透明導電性膜的實驗結果。
[參考例5、比較例3]
參考例5及比較例3是在參考例4及比較例2中不具有透明介電層(SiO2)，由銀形成透明導電體層者。
(銀/透明導電體層的形成)
在參考例4及比較例2的硬塗層(A4)及硬塗層(A6)上，使用棒塗機塗佈含有銀奈米粒子的塗佈液(銀奈米粒子油墨(Silver Nanoparticle Ink)，日本西格瑪奧德里奇(Sigma-Aldrich Japan)製造)。將所得的塗膜以120℃乾燥60秒，而形成透明導電體層。
圖7表示參考例5、比較例3的銀透明導電性膜的層構成。另外，表2表示參考例5、比較例3的銀透明導電性膜的實驗結果(折射率)。
[表2]
[參考例6、比較例4]
參考例6及比較例4是在參考例4及比較例2中不具有透明介電層(SiO2)，而由碳形成透明導電體層者。
(碳/透明導電體層的形成)
在參考例4及比較例2的硬塗層(A4)及硬塗層(A6)上，使用棒塗機塗佈含有碳奈米粒子的塗佈液(EP TDL-2MIBK，三菱材料化成(股))。將所得的塗膜以120℃乾燥60秒，而形成透明導電體層。
圖7表示參考例6、比較例4的碳透明導電性膜的層構成。另外，表3表示參考例6、比較例4的碳透明導電性膜的實驗結果(折射率)。
如表1所示，滿足本發明的範圍的參考例1~參考例4的透明導電性膜，即便將透明導電體層圖案化，亦未突顯圖案部與非圖案部的差異。因此，在配置於觸控面板等的前面而使用時，視認性優異。另一方面，層構成不恰當的透明導電性膜(比較例 1)、或具備不含有無機氧化物的硬塗層的透明導電性膜(比較例2)，由於可見到圖案部而視認性劣化。
如上所述，本發明的透明導電性膜具有依序積層硬塗層/透明介電層/透明導電體層、或硬塗層/透明導電體層而成的構成，並分別控制各層的膜厚及折射率。因此，在將透明導電體層圖案化時，可使圖案部(透明導電體層所具有的部分)與非圖案部(除去了透明導電體層的圖案開口部分)的光學特性之差為非常小。因此，即便用於觸控面板而配置於顯示體的前面，亦難見到透明導電體層的圖案，並可使觸控面板的視認性變得良好。而且，硬塗層由於含有無機氧化物，因此藉由調整無機氧化物的種類或數量，而可容易地調整硬塗層的折射率。而且，藉由調整無機氧化物的種類或數量，而使硬塗層的折射率的變化(variation)增加，因此可增加成為上層的透明介電層及透明導電體層的折射率的選擇項。而且在透明塑膠基材的兩面積層硬塗層時，可極度抑制透明塑膠基材彎曲。
[實施例1]
(硬塗層(A7)的形成)
在膜厚125 μm的包含聚對苯二甲酸乙二酯膜(以下稱為PET膜)的透明塑膠基材的一面上，以UV硬化後膜厚為0.25 μm的方式，使用棒塗機塗佈硬塗層塗佈液(a2)。將所得的塗膜以80℃乾燥30秒後，使用附帶有高壓水銀燈(H08-L41、額定值120 W/cm，岩崎電氣(股)製造)的輸送帶式UV照射裝置(艾衣古 拉菲公司製造的ECS-801G1)，以照度200 mW/cm2、曝光量500 mJ/cm2照射紫外線，而形成硬塗層(A7)。曝光量藉由照度計(UVPF-A1/PD-365，岩崎電氣(股)製造)進行測定。
(硬塗層(B7)的形成)
在形成有硬塗層(A7)的PET膜的與形成有硬塗層(A7)的面相反側的面上，以UV硬化後膜厚為1.2 μm的方式，使用棒塗機塗佈硬塗層塗佈液(a3)。以下，藉由與硬塗層(A7)的形成相同的方法形成。
[實施例2]
(硬塗層(A8)的形成)
將硬塗層塗佈液(a2)中所用的丙烯酸系紫外線硬化性樹脂變更為丙烯酸酯系紫外線硬化性樹脂(朋諾(股)製造：PELTRON XJA-0189)，除此以外，進行與實施例1的硬塗層(A7)相同的操作，而形成硬塗層(A8)。硬塗層(A8)的膜厚為0.22 μm。
(硬塗層(B8)的形成)
進行與實施例1的硬塗層(B7)相同的操作，而形成硬塗層(B8)。硬塗層(B8)的膜厚為1.4 μm。
[實施例3]
(硬塗層(A9)的形成)
將硬塗層塗佈液(a2)中所用的丙烯酸系紫外線硬化性樹脂變更為丙烯酸酯系紫外線硬化性樹脂(東洋油墨(股)製造：Lioduras TYZ74-02)，除此以外，進行與實施例1的硬塗層(A7) 相同的操作，而形成硬塗層(A9)。硬塗層(A9)的膜厚為0.28 μm。
(硬塗層(B9)的形成)
進行與實施例1的硬塗層(B7)相同的操作，而形成硬塗層(B9)。硬塗層(B9)的膜厚為1.3 μm。
[實施例4]
(硬塗層(A10)的形成)
將硬塗層塗佈液(a2)中所用的丙烯酸系紫外線硬化性樹脂變更為丙烯酸酯系紫外線硬化性樹脂(朋諾(股)製造：PELTRON XJA-0190)，除此以外，進行與實施例1的硬塗層(A7)相同的操作，而形成硬塗層(A10)。硬塗層(A10)的膜厚為0.36 μm。
(硬塗層(B10)的形成)
進行與實施例1的硬塗層(B7)相同的操作，而形成硬塗層(B10)。硬塗層(B10)的膜厚為1.5 μm。
[實施例5]
(硬塗層(A11)的形成)
將硬塗層塗佈液(a2)中所用的丙烯酸系紫外線硬化性樹脂變更為丙烯酸酯系紫外線硬化性樹脂(東洋油墨(股)製造：Lioduras TYT80-01)，除此以外，進行與實施例1的硬塗層(A7)相同的操作，而形成硬塗層(A11)。硬塗層(A11)的膜厚為0.37 μm。
(硬塗層(B11)的形成)
進行與實施例1的硬塗層(B7)相同的操作，而形成硬塗層(B11)。硬塗層(B11)的膜厚為1.5 μm。
[比較例5]
(硬塗層(B12)的形成)
在實施例1中不設置硬塗層(A7)，除此以外，進行與實施例1相同的操作，而形成硬塗層(B12)。硬塗層(B12)的膜厚為1.5 μm。
[實施例1~實施例5、比較例5共通]
(SiO2/透明介電層的形成)
實施例1~實施例5及比較例5的透明介電層是在硬塗層(A7)~硬塗層(A11)及PET上，使用Si靶材料，在氬氣及氧氣的混合氣體環境下，藉由反應性濺鍍法而形成。獲得膜厚30 nm、折射率1.45的SiO2的薄膜。
(ITO/透明導電體層的形成)
接著，在透明介電層上，使用氧化銦98質量%、氧化錫2質量%的靶，藉由濺鍍法形成透明導電體層。獲得膜厚30 nm的ITO膜。接著，在ITO膜上形成經特定圖案化的光阻膜後，浸漬於鹽酸溶液中，進行ITO膜的蝕刻，而形成圖案。ITO膜的圖案化後，將該ITO膜在150℃、90分鐘的條件下進行加熱處理，而使ITO膜部分結晶化，而獲得實施例1~實施例5、比較例5的透明導電性膜。
[實施例6、比較例6]
實施例6及比較例6是在實施例5及比較例5中不具有透明介電層(SiO2)，而由銀形成透明導電體層者。
(銀/透明導電體層的形成)
在實施例5的硬塗層(A11)及比較例5的PET膜上，使用棒塗機塗佈含有銀奈米粒子的塗佈液(Silver Nanoparticle Ink，日本西格瑪奧德里奇製造)。將所得的塗膜以120℃乾燥60秒，而形成透明介電層。
[實施例7、比較例7]
實施例7及比較例7是在實施例5及比較例5中不具有透明介電層(SiO2)，而由碳形成透明導電體層者。
(碳/透明導電體層的形成)
在實施例5的硬塗層(A11)及比較例5的PET膜上，使用棒塗機塗佈含有碳奈米粒子的塗佈液(EP TDL-2MIBK，三菱材料化成(股))。將所得的塗膜以120℃乾燥60秒，而形成透明介電層。
圖8表示實施例1~實施例7、比較例5~比較例7的透明導電性膜的層構成。另外，表4、表5表示實施例1~實施例7、比較例5~比較例7的透明導電性膜的實驗結果。
實施例1~實施例7的透明導電性膜與參考例1~參考例6的透明導電性膜同樣，即便將透明導電體層圖案化，亦不會突顯圖案部與非圖案部的差異。即，在實施例1~實施例7的透明導電性膜中，亦難以判別圖案部與非圖案部。
而且，實施例1~實施例7的透明導電性膜具有比參考例1~參考例6的透明導電性膜所具有的硬塗層(A1~A6)薄的膜厚的硬塗層(A7~A11)。因此，若以目視比較參考例1與實施例3所記載的透明導電性膜，則如圖9所示，實施例3的透明導電性膜較抑制干涉條紋的產生。另外，圖9是在參考例1及實施例3的透明導電性膜上，貼合附有黏著劑的黑色聚對苯二甲酸乙 二酯膜後，將該膜進行拍照，將該照片中可目視確認的干涉條紋繪圖化而成的圖。
[產業上之可利用性]
本發明的透明導電性膜由於透明導電體層的圖案部與非圖案部的光學特性差小、且藉由調節硬塗層的厚度而可抑制干涉條紋的產生，因此在配置於觸控面板等顯示體的前面時，透明性及視認性優異，特別適合作為觸控面板用透明導電性膜、以及電磁波屏蔽用透明導電性膜。
與本發明的說明相關(特別是與以下的申請專利範圍相關)而使用的名詞及同樣的指示語的使用，只要在本說明書中無特別指出，或未與文脈明顯矛盾，則可解釋為包含單數及複數這兩種。語句「具備」、「具有」、「包括」及「包含」，只要無特別說明，作為開放式用語(open end term)(即是指「含有~但不限定」)來解釋。本說明書中的數值範圍的詳細闡述，只要在本說明書中無特別指出，則是指僅發揮作為用以分別提及符合該範圍內的各值的簡記法的作用，各值如本說明書中所分別列舉般，併入說明書中。本說明書中所說明的全部方法，只要在本說明書中無特別指出，或未與文脈明顯矛盾，則可藉由所有的恰當的順序進行。本說明書中所使用的所有例子或例示性的說法(例如「等」)，只要無特別主張，則是指僅更詳細地說明本發明，並未設置對本發明的範圍的限制。說明書中的任何的說法，亦並非解釋為對本發明的實施不可或缺、表示申請專利範圍中未記載的要素者。
本說明書中，包括本發明者已知的用以實施本發明的最佳的形態，對本發明的較佳實施形態進行說明。業者閱讀上述說明後，應明白這些較佳的實施形態的變形。本發明者期待熟練者適當應用此種變形，預定藉由本說明書中具體說明的以外的方法實施本發明。因此，本發明如準據法(governing law)所允許般，全部包含本說明書所隨附的申請專利範圍所記載的內容的修正及均等物。而且，只要本說明書中無特別指出，或未與文脈明顯矛盾，則全部的變形中的上述要素的任一組合亦均包含在本發明中。
10、10'‧‧‧透明導電性膜
11‧‧‧透明塑膠基材
12‧‧‧硬塗層
13‧‧‧透明介電層
14‧‧‧透明導電體層

Claims (9)

  1. 一種透明導電性膜，其具備：由膜狀高分子樹脂形成的透明的基材；積層於上述基材的一面上的第1硬塗層；以及積層於上述第1硬塗層的上側的第1透明導電體層，上述基材具有2μm~250μm的膜厚，上述第1硬塗層由含有無機氧化物的硬化性樹脂形成，且具有超過6μm且10μm以下的膜厚，上述第1透明導電體層由選自由無機氧化物、金屬、碳所組成的組群中的至少1種形成，具有10nm~2μm的膜厚，且經圖案化而形成有圖案部與非圖案部。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的透明導電性膜，其中上述第1硬塗層所含有的無機氧化物的粒徑是體積平均粒徑為10nm~100nm的微粒子，上述第1硬塗層中含有5重量%~95重量%的無機氧化物。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的透明導電性膜，其中具備積層於上述第1硬塗層與上述第1透明導電體層之間的第1透明介電層；上述第1透明介電層由無機物形成，且具有10nm~100nm的膜厚。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的透明導電性膜，其中上述第1硬塗層的折射率為1.40~1.90。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的透明導電性膜，其中上述基材由選自由聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、三乙醯纖維素、及聚碳酸酯所組成的組群中的至少1種形成，形成上述第1硬塗層的硬化性樹脂為紫外線硬化性樹脂，上述第1透明導電體層由選自由氧化銦錫、氧化銦鋅、添加鎵的氧化鋅、添加鋁的氧化鋅、銀、銅、碳所組成的組群中的至少1種形成。
  6. 如申請專利範圍第3項所述的透明導電性膜，其中上述第1透明介電層的折射率為1.30~1.50。
  7. 如申請專利範圍第3項所述的透明導電性膜，其中上述第1透明介電層由二氧化矽形成。
  8. 一種圖像顯示裝置，其具備：具有如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述的透明導電性膜的觸控面板；設置於上述透明導電性膜的基材側的圖像面板。
  9. 一種圖像顯示裝置，其具備：藉由接觸而進行輸入的觸控面板；顯示影像的圖像面板；具有如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述的透明導電性膜，且載置於上述觸控面板與上述圖像面板之間的電磁波屏蔽層。
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