JP2015534528A - Processing of flexible glass substrate and substrate laminate including flexible glass substrate and carrier substrate - Google Patents

Processing of flexible glass substrate and substrate laminate including flexible glass substrate and carrier substrate Download PDF

Info

Publication number
JP2015534528A
JP2015534528A JP2015528516A JP2015528516A JP2015534528A JP 2015534528 A JP2015534528 A JP 2015534528A JP 2015528516 A JP2015528516 A JP 2015528516A JP 2015528516 A JP2015528516 A JP 2015528516A JP 2015534528 A JP2015534528 A JP 2015534528A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
flexible glass
glass substrate
layer
carrier substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015528516A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6329540B2 (en
Inventor
ブルース ドーズ，スティーヴン
ブルース ドーズ，スティーヴン
マシュー ガーナー，ショーン
マシュー ガーナー，ショーン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Corning Inc
Original Assignee
Corning Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Corning Inc filed Critical Corning Inc
Publication of JP2015534528A publication Critical patent/JP2015534528A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6329540B2 publication Critical patent/JP6329540B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/06—Interconnection of layers permitting easy separation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H01L27/1266—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate the substrate on which the devices are formed not being the final device substrate, e.g. using a temporary substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

可撓性ガラス基板を加工する方法は、炭素結合層を用いてキャリヤ基板に結合された可撓性ガラス基板からなる基板積層体を準備するステップを含む。可撓性ガラス基板は、キャリヤ基板から分離される。A method for processing a flexible glass substrate includes providing a substrate stack comprising a flexible glass substrate bonded to a carrier substrate using a carbon bond layer. The flexible glass substrate is separated from the carrier substrate.

Description

優先権priority

本出願は、米国特許法第１１９条の下で、２０１２年８月２２日出願の米国仮特許出願第６１／６９１８９９号の優先権の利益を主張するものであり、本出願は上記出願の内容に依存するものであり、参照によってその全体を援用する。   This application claims the benefit of priority of US Provisional Patent Application No. 61 / 69,899, filed on August 22, 2012, under section 119 of the US Patent Act. , Which is incorporated by reference in its entirety.

本発明は、可撓性ガラス基板をキャリヤ基板上に加工するための装置及び方法に関する。   The present invention relates to an apparatus and method for processing a flexible glass substrate on a carrier substrate.

ＰＶ、ＯＬＥＤ、ＬＣＤ、パターン形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と関連する従来の可撓性電子デバイスは、デバイス構造をガラス基板の表面上に加工することによって製造される。これらの基板の厚さは例えば０．３〜０．７ｍｍであってよい。ＬＣＤパネルデバイスの製造業者は、これらのデバイス構造を厚さ０．３〜０．７ｍｍのガラス基板の表面上に製造するための設備に多額の資本投資を行ってきた。   Conventional flexible electronic devices associated with PV, OLED, LCD, patterned thin film transistors (TFTs) are manufactured by processing the device structure onto the surface of a glass substrate. The thickness of these substrates may be 0.3 to 0.7 mm, for example. LCD panel device manufacturers have made significant capital investments in equipment to manufacture these device structures on the surface of glass substrates having a thickness of 0.3-0.7 mm.

可撓性電子デバイス用途のガラス基板はより薄く、軽くなってきている。特にラップトップコンピュータ、ハンドヘルドデバイス等の携帯用電子デバイスといった特定のディスプレイ用途には、厚さ０．５ｍｍ未満、例えば０．３ｍｍ未満、０．１ｍｍ又は更に薄いガラス基板が望ましい場合がある。このような薄いガラス基板は典型的には、厚いガラス基板上にデバイス構造を作製して、このガラス基板を（例えば化学エッチング及び／又は物理エッチングによって）更に加工してガラス基板を薄くすることによって形成される。この薄化プロセスは効果的ではあるが、上記の薄いガラス基板上にデバイス構造を直接作製して、デバイス構造をガラス基板上に形成した後のいずれのガラス薄化ステップを削除できれば望ましい。   Glass substrates for flexible electronic device applications are becoming thinner and lighter. For certain display applications, particularly portable electronic devices such as laptop computers, handheld devices, etc., a glass substrate thickness of less than 0.5 mm, such as less than 0.3 mm, 0.1 mm, or even thinner may be desirable. Such a thin glass substrate is typically produced by making a device structure on a thick glass substrate and further processing the glass substrate (eg, by chemical and / or physical etching) to thin the glass substrate. It is formed. Although this thinning process is effective, it would be desirable to be able to eliminate any glass thinning step after the device structure is fabricated directly on the thin glass substrate and the device structure is formed on the glass substrate.

製造業者の既存の資本基盤を利用して、薄い可撓性のガラス基板、即ち厚さ約０．３ｍｍ以下のガラスを加工できる、キャリヤを利用するアプローチが望まれている。   There is a need for a carrier-based approach that can utilize a manufacturer's existing capital base to process thin flexible glass substrates, ie, glass having a thickness of about 0.3 mm or less.

本発明の概念は、熱エネルギ等のエネルギ入力を受けると構造が変化する、及び／又は脆性である炭素結合層を用いて、例えば可撓性ガラス基板である薄いシートをキャリヤ基板に結合させることを利用するものであり、上記構造の変化及び／又は脆性は、キャリヤ基板から可撓性ガラス基板を層間剥離させるための、炭素結合層全体に亘るひび割れの伝播を促進できる。   The concept of the present invention is to bond a thin sheet, eg, a flexible glass substrate, to a carrier substrate using a carbon bond layer that changes structure and / or is brittle upon receiving energy input such as thermal energy. This structural change and / or brittleness can facilitate the propagation of cracks across the carbon bonding layer to delaminate the flexible glass substrate from the carrier substrate.

このアプローチの１つの商業的利点は、製造業者が加工設備への既存の設備投資を利用しながら、例えば光電池（ＰＶ）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、タッチセンサ及びパターン形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）用の薄いガラスシートの利点を得られる点である。   One commercial advantage of this approach is that, for example, the photovoltaic (PV), organic light emitting diode (OLED), liquid crystal display (LCD), touch sensor and patterning while the manufacturer utilizes existing capital investments in processing equipment. The advantage of a thin glass sheet for a thin film transistor (TFT) is obtained.

第１の態様によると、可撓性ガラス基板を加工する方法は：
炭素結合層を用いてキャリヤ基板に結合された可撓性ガラス基板を含む基板積層体を準備するステップ；
可撓性ガラス基板をキャリヤ基板から分離するステップ
を含む。 According to a first aspect, a method for processing a flexible glass substrate is:
Providing a substrate stack comprising a flexible glass substrate bonded to a carrier substrate using a carbon bonding layer;
Separating the flexible glass substrate from the carrier substrate.

第２の態様によると、炭素結合層が脆性である態様１の方法が提供され、この方法は、炭素結合層内においてひび割れを開始させるステップを更に含む。   According to a second aspect, there is provided the method of aspect 1, wherein the carbon bond layer is brittle, the method further comprising initiating cracks in the carbon bond layer.

第３の態様によると、炭素結合層にエネルギ入力を提供することによって、炭素結合層に構造変化を導入するステップを更に含む、態様１又は態様２の方法が提供される。   According to a third aspect, there is provided the method of aspect 1 or aspect 2, further comprising introducing structural changes to the carbon bond layer by providing energy input to the carbon bond layer.

第４の態様によると、エネルギ入力が熱エネルギであり、炭素結合層を少なくとも約２５０℃まで加熱するステップを含む、態様３の方法が提供される。   According to a fourth aspect, there is provided the method of aspect 3, wherein the energy input is thermal energy and includes heating the carbon bonded layer to at least about 250 ° C.

第５の態様によると、エネルギ入力が、炭素結合層を少なくとも約２５０℃まで加熱する光エネルギである、態様３又は態様４の方法が提供される。   According to a fifth aspect, there is provided the method of aspect 3 or aspect 4, wherein the energy input is light energy that heats the carbon bonded layer to at least about 250 ° C.

第６の態様によると、上記構造変化が炭素結合層の多孔率の上昇を含む、態様３〜５のいずれか１つの方法が提供される。   According to a sixth aspect, there is provided the method of any one of aspects 3-5, wherein the structural change comprises an increase in the porosity of the carbon bonded layer.

第７の態様によると、炭素結合層が可撓性ガラス基板の周囲に沿って配置される、態様１〜６のいずれか１つの方法が提供される。   According to a seventh aspect, there is provided the method of any one of aspects 1-6, wherein the carbon bonding layer is disposed along the periphery of the flexible glass substrate.

第８の態様によると、レーザを用いて炭素結合層を局所的に加熱する、態様１〜７のいずれか１つの方法が提供される。   According to an eighth aspect, there is provided the method of any one of aspects 1-7, wherein the carbon bond layer is locally heated using a laser.

第９の態様によると、ＬＥＤ又はフラッシュランプ光源を用いて炭素結合層を加熱する、態様１〜８のいずれか１つの方法が提供される。   According to a ninth aspect, there is provided the method of any one of aspects 1-8, wherein the carbon bonded layer is heated using an LED or flash lamp light source.

第１０の態様によると、可撓性ガラス基板に電子構成部品を適用するステップを更に含む、態様１〜９のいずれか１つの方法が提供される。   According to a tenth aspect, there is provided the method of any one of aspects 1-9, further comprising applying an electronic component to the flexible glass substrate.

第１１の態様によると、可撓性ガラス基板の厚さが約０．３ｍｍ以下である、態様１〜１０のいずれか１つの方法が提供される。   According to an eleventh aspect, there is provided the method of any one of aspects 1-10, wherein the flexible glass substrate has a thickness of about 0.3 mm or less.

第１２の態様によると、キャリヤ基板がガラスからなる、態様１〜１１のいずれか１つの方法が提供される。   According to a twelfth aspect, there is provided the method of any one of aspects 1-11, wherein the carrier substrate comprises glass.

第１３の態様によると、キャリヤ基板の厚さが可撓性ガラス基板の厚さより大きい、態様１〜１２のいずれか１つの方法が提供される。   According to a thirteenth aspect, there is provided the method of any one of aspects 1-12, wherein the thickness of the carrier substrate is greater than the thickness of the flexible glass substrate.

第１４の態様によると、可撓性ガラス基板を加工する方法は：
ガラス支持表面を有するキャリヤ基板を準備するステップ；
第１及び第２の幅広表面を有する可撓性ガラス基板を準備するステップ；
炭素結合層を用いて、可撓性ガラス基板の第１の幅広表面をキャリヤ基板のガラス支持表面に結合するステップ；
可撓性ガラス基板をキャリヤ基板から分離するために、炭素結合層においてひび割れを開始させるステップ
を含む。 According to a fourteenth aspect, a method for processing a flexible glass substrate is:
Providing a carrier substrate having a glass support surface;
Providing a flexible glass substrate having first and second wide surfaces;
Bonding the first wide surface of the flexible glass substrate to the glass support surface of the carrier substrate using a carbon bonding layer;
Initiating cracks in the carbon bonding layer to separate the flexible glass substrate from the carrier substrate.

第１５の態様によると、炭素結合層の構造を変化させて可撓性ガラス基板とキャリヤ基板との間の結合強度を低下させるために、炭素結合層にエネルギ入力を提供するステップを更に含む、態様１４の方法が提供される。   According to a fifteenth aspect, the method further comprises providing energy input to the carbon bond layer to change the structure of the carbon bond layer to reduce the bond strength between the flexible glass substrate and the carrier substrate. A method of aspect 14 is provided.

第１６の態様によると、エネルギ入力が熱エネルギである態様１５の方法が提供され、この方法は、炭素結合層を少なくとも約２５０℃まで加熱するステップを含む。   According to a sixteenth aspect, there is provided the method of aspect 15, wherein the energy input is thermal energy, the method comprising heating the carbon bond layer to at least about 250 ° C.

第１７の態様によると、エネルギ入力が、炭素結合層を少なくとも約２５０℃まで加熱する光エネルギである、態様１５又は態様１６の方法が提供される。   According to a seventeenth aspect, there is provided the method of aspect 15 or aspect 16, wherein the energy input is light energy that heats the carbon bonded layer to at least about 250 ° C.

第１８の態様によると、炭素結合層が可撓性ガラス基板の周囲に沿って配置される、態様１４〜１７のいずれか１つの方法が提供される。   According to an eighteenth aspect, there is provided the method of any one of aspects 14-17, wherein the carbon bonding layer is disposed along the periphery of the flexible glass substrate.

第１９の態様によると、レーザを用いて炭素結合層を局所的に加熱する、態様１４〜１８のいずれか１つの方法が提供される。   According to a nineteenth aspect, there is provided the method of any one of aspects 14-18, wherein the carbon bond layer is locally heated using a laser.

第２０の態様によると、ＬＥＤ又はフラッシュランプ光源を用いて炭素結合層を局所的に加熱する、態様１４〜１９のいずれか１つの方法が提供される。   According to a twentieth aspect, there is provided the method of any one of aspects 14-19, wherein the carbon bonding layer is locally heated using an LED or flash lamp light source.

第２１の態様によると、可撓性ガラス基板の厚さが約０．３ｍｍ以下である、態様１４〜２０のいずれか１つの方法が提供される。   According to a twenty-first aspect, there is provided the method of any one of aspects 14-20, wherein the flexible glass substrate has a thickness of about 0.3 mm or less.

第２２の態様によると、基板積層体は：
ガラス支持表面を有するキャリヤ基板；
キャリヤ基板のガラス支持表面によって支持された可撓性ガラス基板；
可撓性ガラス基板をキャリヤ基板に結合する炭素結合層
を備え、この炭素結合層は脆性であり、これによって炭素結合層全体に亘るひび割れの伝播を促進する。 According to a twenty-second aspect, the substrate laminate is:
A carrier substrate having a glass support surface;
A flexible glass substrate supported by the glass support surface of the carrier substrate;
A carbon bonding layer is provided that bonds the flexible glass substrate to the carrier substrate, the carbon bonding layer being brittle, thereby facilitating the propagation of cracks throughout the carbon bonding layer.

第２３の態様によると、可撓性ガラス基板の厚さが約０．３ｍｍ以下である、態様２２の基板積層体が提供される。   According to a twenty-third aspect, there is provided the substrate laminate of aspect 22, wherein the flexible glass substrate has a thickness of about 0.3 mm or less.

第２４の態様によると、炭素結合層の厚さが約０．１ｍｍ以下である、態様２２又は２３の基板積層体が提供される。   According to a twenty-fourth aspect, there is provided the substrate laminate of aspect 22 or 23, wherein the carbon bond layer has a thickness of about 0.1 mm or less.

以下の詳細な説明において更なる特徴及び利点を明らかにするが、その一部は当業者には本説明から容易に明らかとなり、又は本説明及び添付の図面において例示されているように、並びに添付の請求項において定義されているように本発明を実施することにより、当業者には容易に理解されるだろう。上述の概説及び以下の詳細な説明の両方は本発明の単なる例示であり、ここで請求されている通りの本発明の性質及び特徴を理解するための概観又は枠組みを提供することを意図したものであることを理解されたい。   Additional features and advantages will become apparent in the following detailed description, some of which will be readily apparent to those skilled in the art from the present description, or as illustrated in the present description and the accompanying drawings, and attached Those of ordinary skill in the art will readily appreciate by practicing the invention as defined in the following claims. Both the foregoing general description and the following detailed description are merely exemplary of the invention and are intended to provide an overview or framework for understanding the nature and features of the invention as claimed herein. Please understand that.

添付の図面は、本発明の原理の更なる理解を提供するために挙げられているものであり、本明細書に組み込まれ、本明細書の一部を構成する。これら図面は１つ又は複数の実施形態を図示しており、説明と併せて例えば本発明の原理及び動作を説明する役割を果たす。本明細書中に開示されている本発明の様々な特徴は、いずれのあらゆる組み合わせで使用できることを理解されたい。   The accompanying drawings are included to provide a further understanding of the principles of the invention, and are incorporated in and constitute a part of this specification. These drawings illustrate one or more embodiments, and together with the description serve to explain, for example, the principles and operations of the invention. It should be understood that the various features of the invention disclosed herein can be used in any and all combinations.

キャリヤ基板に担持された可撓性ガラス基板を含む基板積層体の実施形態の側面図Side view of an embodiment of a substrate stack comprising a flexible glass substrate carried on a carrier substrate 図１の基板積層体の分解斜視図1 is an exploded perspective view of the substrate laminate of FIG. 図１の可撓性ガラス基板及び基板積層体を加工する方法の実施形態Embodiment of Method for Processing Flexible Glass Substrate and Substrate Laminate of FIG. 異なるサイズの可撓性ガラス基板及びキャリヤ基板を有する基板積層体の実施形態の上面図Top view of an embodiment of a substrate stack having flexible glass substrates and carrier substrates of different sizes 異なる形状の可撓性ガラス基板及びキャリヤ基板を有する基板積層体の別の実施形態の上面図Top view of another embodiment of a substrate stack having different shapes of flexible glass substrate and carrier substrate キャリヤ基板のガラス支持表面全体に亘って塗布された結合層を有する基板積層体の実施形態の上面図Top view of an embodiment of a substrate stack having a bonding layer applied over the entire glass support surface of a carrier substrate キャリヤ基板のガラス支持表面全体に亘って塗布された結合層を有する基板積層体の別の実施形態の上面図Top view of another embodiment of a substrate laminate having a bonding layer applied over the entire glass support surface of the carrier substrate. キャリヤ基板のガラス支持表面全体に亘って塗布された結合層を有する基板積層体の別の実施形態の上面図Top view of another embodiment of a substrate laminate having a bonding layer applied over the entire glass support surface of the carrier substrate. 炭素系結合層の吸光度Absorbance of carbon-based bonding layer キャリヤ基板のガラス支持表面全体に亘って塗布された結合層を有する基板積層体の実施形態の上面図Top view of an embodiment of a substrate stack having a bonding layer applied over the entire glass support surface of a carrier substrate 複数の所望の部品を形成するための基板積層体の実施形態の上面図Top view of an embodiment of a substrate stack for forming a plurality of desired components キャリヤ基板から可撓性ガラス基板を取り外す方法の実施形態Embodiment of a method for removing a flexible glass substrate from a carrier substrate

本明細書に記載の実施形態は一般に、可撓性ガラス基板（ここではデバイス基板と呼ぶこともある）の加工に関する。可撓性ガラス基板は、一般にキャリヤ基板と、無機結合層によってキャリヤ基板に結合された可撓性ガラス基板とを含む基板積層体の一部であってよい。ここで使用する用語「無機材料」は、炭化水素類又はその誘導体ではない化合物を指す。以下においてより詳細に説明するように、結合層は無機結合材料を含み、この無機結合材料は、脆性の、又はそうでない場合は比較的容易に分離可能な、デバイス（例えばＴＦＴ）加工に適合した結合層を提供し、キャリヤ基板から可撓性ガラス基板を分離可能とする剥離強度を提供する。   Embodiments described herein generally relate to the processing of flexible glass substrates (sometimes referred to herein as device substrates). The flexible glass substrate may be part of a substrate stack that generally includes a carrier substrate and a flexible glass substrate bonded to the carrier substrate by an inorganic bonding layer. As used herein, the term “inorganic material” refers to a compound that is not a hydrocarbon or derivative thereof. As will be described in more detail below, the tie layer comprises an inorganic tie material, which is compatible with device (eg TFT) processing that is brittle or otherwise relatively easily separable. A bond layer is provided and provides a peel strength that allows the flexible glass substrate to be separated from the carrier substrate.

図１、２を参照すると、基板積層体１０は、キャリヤ基板１２及び可撓性ガラス基板２０を含む。キャリヤ基板１２は、ガラス支持表面１４、反対側の支持表面１６及び外周１８を有する。可撓性ガラス基板２０は、第１の幅広表面２２、反対側の第２の幅広表面２４及び外周２６を有する。可撓性ガラス基板２０は、約０．３ｍｍ以下の厚さ２８（限定するものではないが例えば約０．０１〜０．０５ｍｍ、約０．０５〜０．１ｍｍ、約０．１〜０．１５ｍｍ、約０．１５〜０．３ｍｍの厚さ）を有する、「超薄型」のものであってよい。   1 and 2, the substrate laminate 10 includes a carrier substrate 12 and a flexible glass substrate 20. The carrier substrate 12 has a glass support surface 14, an opposite support surface 16 and an outer periphery 18. The flexible glass substrate 20 has a first wide surface 22, an opposite second wide surface 24 and an outer periphery 26. The flexible glass substrate 20 has a thickness 28 of about 0.3 mm or less (for example, but not limited to, about 0.01 to 0.05 mm, about 0.05 to 0.1 mm, about 0.1 to .0. 15 mm, thickness of about 0.15 to 0.3 mm).

可撓性ガラス基板２０はその第１の幅広表面２２において、結合層３０を用いてキャリヤ基板１２のガラス支持表面１４に結合される。結合層は、無機結合材料からなる無機結合層であってよい。キャリヤ基板１２及び可撓性ガラス基板２０は結合層３０によって互いに結合され、基板積層体１０全体の厚さ２５は、可撓性ガラス基板２０単独の厚さと比較して厚さが増大した単一のガラス基板と同一であってよく、これは既存のデバイス加工基盤での使用に好適であり得る。例えばデバイス加工基盤の加工設備が０．７ｍｍ厚のシート用に設計されており、可撓性ガラス基板２０の厚さ２８が０．３ｍｍである場合、キャリヤ基板１２の厚さ３２は、例えば結合層３０の厚さに応じて０．４ｍｍ以下の何らかの値になるよう選択できる。   The flexible glass substrate 20 is bonded at its first wide surface 22 to the glass support surface 14 of the carrier substrate 12 using a bonding layer 30. The binding layer may be an inorganic binding layer made of an inorganic binding material. The carrier substrate 12 and the flexible glass substrate 20 are bonded to each other by the bonding layer 30, and the overall thickness 25 of the substrate stack 10 is a single unit with an increased thickness compared to the thickness of the flexible glass substrate 20 alone. Which may be suitable for use with existing device processing platforms. For example, if the device processing base processing facility is designed for a 0.7 mm thick sheet and the thickness 28 of the flexible glass substrate 20 is 0.3 mm, the thickness 32 of the carrier substrate 12 may be, for example, bonded Depending on the thickness of the layer 30, it can be chosen to be some value below 0.4 mm.

キャリヤ基板１２は、ガラス、ガラス−セラミック又はセラミックを例として含むいずれの好適な材料製であってよく、透明であってもなくてもよい。キャリヤ基板１２がガラス製である場合、これはアルミノシリケート、ボロシリケート、アルミノボロシリケート、ソーダライムシリケートを含むいずれの好適な組成物製であってよく、その最終的な用途に応じてアルカリを含有していてもいなくてもよい。キャリヤ基板１２の厚さ３２は約０．２〜３ｍｍ、例えば０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．６５、０．７、１．０、２．０又は３ｍｍであってよく、上述のように可撓性ガラス基板２０の厚さ２８に応じたものであってよい。更にキャリヤ基板１２は、図示したように１層構造であっても、又は一体に結合されて基板積層体１０の一部を形成する（複数の薄いシートを含む）多層構造であってもよい。   The carrier substrate 12 may be made of any suitable material, including glass, glass-ceramic or ceramic as examples, and may or may not be transparent. If the carrier substrate 12 is made of glass, it may be made of any suitable composition including aluminosilicates, borosilicates, aluminoborosilicates, soda lime silicates, and contains alkali depending on its ultimate use. It may or may not be. The thickness 32 of the carrier substrate 12 is about 0.2 to 3 mm, for example 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.65, 0.7, 1.0, 2. It may be 0 or 3 mm, and may correspond to the thickness 28 of the flexible glass substrate 20 as described above. Further, the carrier substrate 12 may have a single layer structure as shown, or a multilayer structure (including a plurality of thin sheets) that are joined together to form part of the substrate stack 10.

可撓性ガラス基板２０は、ガラス、ガラス−セラミック又はセラミックを例として含むいずれの好適な材料で形成してよく、透明であってもなくてもよい。可撓性ガラス基板２０がガラス製である場合、これはアルミノシリケート、ボロシリケート、アルミノボロシリケート、ソーダライムシリケートを含むいずれの好適な組成物製であってよく、その最終的な用途に応じてアルカリを含有していてもいなくてもよい。可撓性ガラス基板２０の厚さ２８は約０．３ｍｍ以下、例えば約０．２ｍｍ以下（例えば上述のように約０．１ｍｍ）であってよい。本明細書に記載するように、可撓性ガラス基板２０は、キャリヤ基板１２と同一のサイズ及び／又は形状であっても、又は異なるサイズ及び／又は形状であってもよい。   The flexible glass substrate 20 may be formed of any suitable material including glass, glass-ceramic or ceramic as examples, and may or may not be transparent. If the flexible glass substrate 20 is made of glass, it may be made of any suitable composition including aluminosilicate, borosilicate, aluminoborosilicate, soda lime silicate, depending on its end use. It may or may not contain an alkali. The thickness 28 of the flexible glass substrate 20 may be about 0.3 mm or less, such as about 0.2 mm or less (eg, about 0.1 mm as described above). As described herein, the flexible glass substrate 20 may be the same size and / or shape as the carrier substrate 12 or a different size and / or shape.

図３を参照すると、可撓性ガラス基板２０の加工の一部として、取り外し可能な結合方法４０が図示されている。ステップ４２では、キャリヤ基板１２及び可撓性ガラス基板２０を例えばそのサイズ、厚さ、材料及び／又は最終用途に基づいて選択する。キャリヤ基板１２及び可撓性ガラス基板２０を選択したら、ステップ４４において、ガラス支持表面１４及び可撓性ガラス基板２０の第１の幅広表面２２のうちの一方又は両方に結合層３０を塗布してよい。結合層３０の塗布のためには、ノズルを通して行うもの、展布、溶融、スピンキャスト、噴霧、浸漬、真空又は常圧沈着等の加圧による塗布のうちの１つ又は複数といったいずれの好適な方法を用いてよい。   Referring to FIG. 3, a removable bonding method 40 is illustrated as part of the processing of the flexible glass substrate 20. In step 42, the carrier substrate 12 and flexible glass substrate 20 are selected based on, for example, their size, thickness, material and / or end use. Once the carrier substrate 12 and the flexible glass substrate 20 are selected, a bonding layer 30 is applied to one or both of the glass support surface 14 and the first wide surface 22 of the flexible glass substrate 20 in step 44. Good. For the application of the tie layer 30, any suitable one or more of applying through a nozzle, spreading, melting, spin casting, spraying, dipping, applying under pressure such as vacuum or atmospheric deposition. A method may be used.

ステップ４６では、結合層３０を用いて可撓性ガラス基板２０をキャリヤ基板１２に接着するか、又は接着以外の様式で結合させる。可撓性ガラス基板２０とキャリヤ基板１２との間の所望の結合強度を達成するために、結合層３０を形成する結合材料に対して、加熱、冷却、乾燥、他の材料との混合、反応の誘導、加圧等を行ってよい。ここで使用する「結合強度」は、動的剪断強度、動的剥離強度、静的剪断強度、静的剥離強度及びこれらの組み合わせのうちのいずれの１つ又は複数を指す。例えば剥離強度は、剥離モードにおいて可撓性ガラス基板及びキャリヤ基板のうちの一方又は両方に応力を印加することによって破損を開始させる（静的）及び／又は特定の速度の破損を維持する（動的）ために必要な、単位幅あたりの力である。剪断強度は、剪断モードにおいて可撓性ガラス基板及びキャリヤ基板のうちの一方又は両方に応力を印加することによって破損を開始させる（静的）及び／又は特定の速度の破損を維持する（動的）ために必要な、単位幅あたりの力である。結合強度を決定するために、いずれの好適な剥離及び／又は剪断強度試験を含むいずれの好適な方法を使用できる。   In step 46, the flexible glass substrate 20 is bonded to the carrier substrate 12 using the bonding layer 30 or bonded in a manner other than bonding. To achieve the desired bond strength between the flexible glass substrate 20 and the carrier substrate 12, the bonding material forming the bonding layer 30 is heated, cooled, dried, mixed with other materials, and reacted. Induction, pressurization, etc. may be performed. As used herein, “bond strength” refers to any one or more of dynamic shear strength, dynamic peel strength, static shear strength, static peel strength, and combinations thereof. For example, the peel strength may initiate failure by applying stress to one or both of the flexible glass substrate and the carrier substrate in a release mode (static) and / or maintain a specific rate of failure (dynamic). Power per unit width required for Shear strength initiates breakage by applying stress to one or both of the flexible glass substrate and the carrier substrate in shear mode (static) and / or maintains a certain rate of breakage (dynamic ) Is the force per unit width required for Any suitable method can be used to determine bond strength, including any suitable peel and / or shear strength test.

ステップ４８、５０は、キャリヤ基板１２から可撓性ガラス基板２０を除去できるよう、キャリヤ基板１２から可撓性ガラス基板２０を取り外す又は脱結合することに関する。キャリヤ基板１２から可撓性ガラス基板２０を取り外す前及び／又は後に、可撓性ガラス基板２０を例えば、ＬＣＤ、ＯＬＥＤ又はＴＦＴ電子装置等のディスプレイデバイスの形成において加工してよい。例えば電子構成部品又はカラーフィルタを、可撓性ガラス基板２０の第２の幅広表面２４に適用してよい。更に、キャリヤ基板１２から可撓性ガラス基板２０を取り外す前に、最後の電子構成部品を可撓性ガラス基板２０に組み付けるか又は一体化することができる。例えば、可撓性ガラス基板２０の表面に追加のフィルム若しくはガラス基板を積層でき、又はフレックス回路若しくはＩＣ等の電子構成部品を結合できる。可撓性ガラス基板を加工したら、ステップ４８において、結合層３０の構造を変化させるエネルギ入力４７を結合層３０に印加してよい。以下に記載するように、この構造変化により結合層３０の結合強度は低下し、これにより、キャリヤ基板１２からの可撓性ガラス基板２０の分離を、エネルギ入力前のステップ４６と比較して促進する。あるいは、これもまた以下に説明するように、結合層３０は無機材料を含んでよく、この無機材料は構造変化を受けないが、例えば破壊を生じ易い結合層３０を形成し、これにより可撓性ガラス基板２０の脱結合を促進する。ステップ５０では、可撓性ガラス基板２０をキャリヤ基板１２から除去する。この除去は、例えばキャリヤ基板１２から可撓性ガラス基板２０又はその一部を剥離することによって達成できる。剥離力は、これら基板のうちの一方又は両方に対して、結合層３０を通って延在する平面Ｐに対してある角度の力Ｆを印加することによって生成される。   Steps 48, 50 relate to removing or debonding the flexible glass substrate 20 from the carrier substrate 12 so that the flexible glass substrate 20 can be removed from the carrier substrate 12. Before and / or after removing the flexible glass substrate 20 from the carrier substrate 12, the flexible glass substrate 20 may be processed, for example, in the formation of display devices such as LCD, OLED or TFT electronics. For example, electronic components or color filters may be applied to the second wide surface 24 of the flexible glass substrate 20. Further, the last electronic component can be assembled or integrated into the flexible glass substrate 20 before removing the flexible glass substrate 20 from the carrier substrate 12. For example, an additional film or glass substrate can be laminated on the surface of the flexible glass substrate 20, or an electronic component such as a flex circuit or IC can be bonded. Once the flexible glass substrate is processed, an energy input 47 that changes the structure of the bonding layer 30 may be applied to the bonding layer 30 in step 48. As will be described below, this structural change reduces the bond strength of the bonding layer 30, thereby facilitating the separation of the flexible glass substrate 20 from the carrier substrate 12 compared to step 46 prior to energy input. To do. Alternatively, as will also be described below, the tie layer 30 may include an inorganic material that does not undergo structural changes but forms, for example, a tie layer 30 that is prone to breakage, thereby providing flexibility. Promotes debonding of the porous glass substrate 20. In step 50, the flexible glass substrate 20 is removed from the carrier substrate 12. This removal can be achieved, for example, by peeling the flexible glass substrate 20 or a part thereof from the carrier substrate 12. The peel force is generated by applying a force F at an angle to a plane P extending through the bonding layer 30 on one or both of these substrates.

キャリヤ基板及び可撓性ガラスシートの選択
キャリヤ基板１２及び可撓性ガラス基板２０は、同一の、同様の又は異なる材料で形成してよい。いくつかの実施形態では、キャリヤ基板１２及び可撓性ガラス基板２０は、ガラス、ガラスセラミック、又はセラミック材料から形成される。キャリヤ基板１２及び可撓性ガラス基板２０は、同一の、同様の又は異なる形成プロセスを用いて形成してよい。例えばフュージョンプロセス（例えばダウンドロープロセス）によって、フラットパネルディスプレイ等の多様なデバイスに使用できる高品質な薄型ガラスシートが形成される。異なる材料を用いる場合、それらの熱膨張率の値を適合させることが望ましい場合がある。フュージョンプロセスで製造されるガラスシートは、他の方法で製造されるガラスシートと比べて優れた平坦性及び平滑性を有する表面を有する。フュージョンプロセスは、米国特許第３３３８６９６号明細書、米国特許第３６８２６０９号明細書に記載されている。他の好適なガラスシート形成方法としては、フロートプロセス、リドロープロセス、スロットドロー法が挙げられる。可撓性ガラス基板２０（及び／又はキャリヤ基板１２）は、その第１の幅広表面２２及び第２の幅広表面２４のうちの一方又は両方に、一時的な又は恒久的な、保護用又はその他の種類のコーティング層を含んでもよい。 Selection of Carrier Substrate and Flexible Glass Sheet Carrier substrate 12 and flexible glass substrate 20 may be formed of the same, similar or different materials. In some embodiments, the carrier substrate 12 and the flexible glass substrate 20 are formed from glass, glass ceramic, or a ceramic material. The carrier substrate 12 and the flexible glass substrate 20 may be formed using the same, similar or different formation processes. For example, a high-quality thin glass sheet that can be used for various devices such as a flat panel display is formed by a fusion process (for example, a downdraw process). If different materials are used, it may be desirable to adapt their values of thermal expansion. A glass sheet produced by a fusion process has a surface having excellent flatness and smoothness compared to glass sheets produced by other methods. The fusion process is described in US Pat. No. 3,338,696 and US Pat. No. 3,682,609. Other suitable glass sheet forming methods include a float process, a redraw process, and a slot draw method. The flexible glass substrate 20 (and / or carrier substrate 12) may be temporarily or permanently protected or otherwise on one or both of its first wide surface 22 and second wide surface 24. It may include a coating layer of the type.

キャリヤ基板１２及び可撓性ガラス基板２０の寸法及び／又は形状のうちの１つ又は複数は、概ね同一であってよく、及び／又は異なっていてよい。例えば図４を簡単に参照すると、キャリヤ基板１２は可撓性ガラス基板２０と略同一の形状を有するものの、可撓性ガラス基板２０よりも大きい１つ又は複数の寸法を有するものとして図示されている。このような構成により、キャリヤ基板１２の周縁領域５２は、可撓性ガラス基板２０の外周２６の全体又は少なくとも一部分の周りで可撓性ガラス基板２０を超えて外側に延在できる。別の例として、図５は、可撓性ガラス基板２０がキャリヤ基板１２とは異なる形状、寸法を有する実施形態を図示している。このような構成により、キャリヤ基板１２の外周１８の一部分５４のみが、可撓性ガラス基板２０の外周２６を超えて外側に延在できる。長方形及び円形を図示したが、所望の積層体構成に応じて、不規則な形状を含むいずれの好適な形状を使用してよい。更に、キャリヤ基板１２は、衝撃に耐えられるよう、及び取扱いが容易になるよう、丸められた、仕上げ処理された及び／又は研磨された縁部を有してよい。溝及び／又は細孔等の表面特徴部分をキャリヤ基板１２上に設けてもよい。溝、細孔及び／又はその他の表面特徴部分は、結合材料の配置及び／又は接着を促進及び／又は阻害し得る。   One or more of the dimensions and / or shapes of the carrier substrate 12 and the flexible glass substrate 20 may be generally the same and / or different. For example, referring briefly to FIG. 4, the carrier substrate 12 is illustrated as having substantially the same shape as the flexible glass substrate 20 but having one or more dimensions larger than the flexible glass substrate 20. Yes. With such a configuration, the peripheral region 52 of the carrier substrate 12 can extend outward beyond the flexible glass substrate 20 around the whole or at least a portion of the outer periphery 26 of the flexible glass substrate 20. As another example, FIG. 5 illustrates an embodiment in which the flexible glass substrate 20 has a different shape and dimensions than the carrier substrate 12. With such a configuration, only a portion 54 of the outer periphery 18 of the carrier substrate 12 can extend outward beyond the outer periphery 26 of the flexible glass substrate 20. Although rectangular and circular are illustrated, any suitable shape may be used, including irregular shapes, depending on the desired laminate configuration. Further, the carrier substrate 12 may have rounded, finished and / or polished edges to withstand impact and facilitate handling. Surface features such as grooves and / or pores may be provided on the carrier substrate 12. Grooves, pores and / or other surface features may promote and / or inhibit placement and / or adhesion of the binding material.

結合層の選択及び塗布
結合層３０は、エネルギ入力を受けるとすぐに構造変化を生じる１つ又は複数の結合材料を含んでよい。例えば結合層３０は無機材料を含んでよく、ガラス、ガラスセラミック、セラミック及び炭素含有材料等の材料を含んでよい。いくつかの実施形態では、結合層３０は、炭素結合層を形成する炭素からなる。様々な例示的な結合材料を以下に記載する。結合層３０の塗布のためには、ノズルを通して行うもの、展布、溶融、スピンキャスト、噴霧、浸漬、真空又は常圧沈着等の加圧による塗布のうちの１つ又は複数といったいずれの好適な方法を用いてよい。 Bonding Layer Selection and Coated Bonding Layer 30 may include one or more bonding materials that undergo structural changes upon receipt of energy input. For example, the bonding layer 30 may include an inorganic material and may include materials such as glass, glass ceramic, ceramic, and carbon-containing materials. In some embodiments, the bonding layer 30 consists of carbon forming a carbon bonding layer. Various exemplary bonding materials are described below. For the application of the tie layer 30, any suitable one or more of applying through a nozzle, spreading, melting, spin casting, spraying, dipping, applying under pressure such as vacuum or atmospheric deposition. A method may be used.

結合層３０は、いずれの好適なパターン及び／又は形状に塗布してよい。図６を参照すると、結合層３０は、可撓性ガラス基板２０に覆われる領域Ａ２の少なくとも約５０％、例えば領域Ａ２の略全体であるガラス支持表面１４の領域Ａ１全体に塗布される。いくつかの実施形態では、Ａ１はＡ２の約５０％未満、例えばＡ２の約２５％以下であってよい。結合層３０は可撓性ガラス基板２０の周囲を超えて延在してよく、又は結合層３０は可撓性ガラス基板２０の周囲内に含まれていてよい。図７を参照すると、結合層３０は、Ａ２の外周の周りに延在する領域Ａ３等の所定の経路に沿って連続的に塗布でき（即ち連続した周囲結合）、結合層３０によって境界が画定された非結合領域Ｒを残す。図８を参照すると、結合層３０を、互いから離間した複数の別個の結合セグメント６０で形成してよい。図８の実施形態では、これら別個の結合セグメントは独立した線の形態である。円、点、ランダムな形状及び様々な形状の組み合わせといったいずれの他の好適な形状を用いてよい。 The tie layer 30 may be applied in any suitable pattern and / or shape. Referring to FIG. 6, the bonding layer 30 is applied to at least about 50% of the area A 2 covered by the flexible glass substrate 20, for example, the entire area A 1 of the glass support surface 14 that is substantially the entire area A 2. The In some embodiments, A 1 is less than about 50% of A 2, which may be for example about 25% or less of A 2. The bonding layer 30 may extend beyond the periphery of the flexible glass substrate 20, or the bonding layer 30 may be included within the periphery of the flexible glass substrate 20. Referring to FIG. 7, the tie layer 30 can be applied continuously along a predetermined path, such as a region A 3 that extends around the outer periphery of A 2 (ie, a continuous perimeter bond), and is bounded by the tie layer 30. Leaving a non-bonded region R defined by Referring to FIG. 8, the bonding layer 30 may be formed of a plurality of separate bonding segments 60 spaced from one another. In the embodiment of FIG. 8, these separate coupling segments are in the form of independent lines. Any other suitable shape may be used, such as circles, dots, random shapes, and combinations of various shapes.

結合層３０の構造を変化させる、又は結合層３０の構造を変化させるために使用されるエネルギ入力を、結合層３０に供給してよい。この構造変化により、結合層３０の結合強度はエネルギ入力前と比べて低下し、キャリヤ基板１２からの可撓性ガラス基板２０の分離が促進される。エネルギ入力の種類は、結合層３０に使用される結合材料に少なくとも部分的に左右される。結合層３０に入力エネルギを供給するために使用される結合材料の非限定的な例を提供するが、これは限定を意図したものではない。   An energy input used to change the structure of the coupling layer 30 or to change the structure of the coupling layer 30 may be supplied to the coupling layer 30. Due to this structural change, the bonding strength of the bonding layer 30 is lower than that before energy input, and the separation of the flexible glass substrate 20 from the carrier substrate 12 is promoted. The type of energy input depends at least in part on the bonding material used for the bonding layer 30. A non-limiting example of a bonding material used to provide input energy to the bonding layer 30 is provided, but this is not intended to be limiting.

炭素を含む結合層を、フェノール樹脂溶液から形成した。このプロセスはフェノール−ホルムアルデヒドコポリマーを利用し、スピンキャスト法及び熱硬化プロセスを用いて試料を生成した。プロセスステップは、以下を含んでいた：
ａ．７０重量％の樹脂及び３０重量％の脱イオン水からなる希釈フェノール樹脂溶液を、キャリヤ基板上に３ｋｒｐｍで３０秒間スピンキャスティングし、厚さ１０マイクロメートル以下の結合層を得るステップ；
ｂ．結合層及びデバイス基板がその上に配置されたキャリヤ基板を、室温のホットプレート上に配置するステップ。１００ｋＰａ超の最大結合圧力を生成する重量を印加した；
ｃ．ホットプレートを１５０℃に加熱して約１０分間保持し、再び室温まで冷却するステップ；
ｄ．積層体を、炉内で最高４００℃の空気中に１時間置いた後で冷却するというサイクルに供するステップ。 A tie layer containing carbon was formed from a phenolic resin solution. This process utilized a phenol-formaldehyde copolymer and produced samples using a spin cast method and a thermal curing process. The process steps included:
a. Spin casting a diluted phenolic resin solution consisting of 70% by weight resin and 30% by weight deionized water on a carrier substrate at 3 krpm for 30 seconds to obtain a bonding layer having a thickness of 10 micrometers or less;
b. Placing a carrier substrate having a bonding layer and a device substrate disposed thereon on a hot plate at room temperature; A weight was applied that produced a maximum binding pressure of greater than 100 kPa;
c. Heating the hot plate to 150 ° C. and holding for about 10 minutes, then cooling to room temperature again;
d. Subjecting the laminate to a cycle of cooling in an oven in air up to 400 ° C. for 1 hour and then cooling.

このプロセスを用いて、デバイス基板をキャリヤ基板に結合させた。これは剪断引張試験には耐え、剥離力を印加した場合には、加熱後に残った炭素結合層と、加熱中に結合層内に形成される多孔率の上昇とを少なくとも部分的な要因として、分離させることができた。デバイス基板及びキャリヤ基板は両方共、厚さ０．７ｍｍのＥＡＧＬＥ２０００（登録商標）（Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ（ニューヨーク州コーニング）が市販しているアルカリ非含有アルミノボロシリケートガラスの商標名）の基板で形成した。   This process was used to bond the device substrate to the carrier substrate. This withstands the shear tensile test, and when a peeling force is applied, the carbon bond layer remaining after heating and the increase in porosity formed in the bond layer during heating, at least in part, It was possible to separate. Both the device substrate and the carrier substrate were formed of 0.7 mm thick EAGLE 2000® (trade name of alkali-free aluminoborosilicate glass marketed by Corning Incorporated, Corning, NY).

上記実施例に従って形成された積層体に対して更なるスクリーニング試験を実施した。これら積層体を５００℃の炉内で空気中に１時間置くサイクルに供し、これにより結合層を激しく酸化させた。炭素結合層のこのような酸化を用いて、キャリヤ基板からデバイス基板を脱結合できる。酸化した炭素は気化するため、炭素結合層は容易に除去でき、キャリヤ基板を再使用のために洗浄できる。   Further screening tests were performed on the laminates formed according to the above examples. These laminates were subjected to a cycle of placing in air in an oven at 500 ° C. for 1 hour, which violently oxidized the tie layer. Such oxidation of the carbon bonding layer can be used to debond the device substrate from the carrier substrate. Since the oxidized carbon is vaporized, the carbon bond layer can be easily removed and the carrier substrate can be cleaned for reuse.

可撓性ガラス基板２０とキャリヤ基板１２との間の結合強度は、炭素系結合層を酸化させることによって低下させることができる。上記実施例のように、酸素の存在下で約５００℃まで結合層３０を加熱すると、炭素を酸化させることができる。オゾンの存在下では、炭素結合層の酸化は５００℃未満で起こり得る。完全に組み立てられたデバイス基板を最高５００℃まで加熱するのは許容されない場合があるが、いくつかの実施形態では、レーザを用いて、酸化を促進する温度まで結合層を局所的に加熱してよい。   The bond strength between the flexible glass substrate 20 and the carrier substrate 12 can be reduced by oxidizing the carbon-based bond layer. When the bonding layer 30 is heated to about 500 ° C. in the presence of oxygen as in the above embodiment, carbon can be oxidized. In the presence of ozone, oxidation of the carbon bonded layer can occur below 500 ° C. While heating a fully assembled device substrate up to 500 ° C. may not be acceptable, in some embodiments, a laser is used to locally heat the tie layer to a temperature that promotes oxidation. Good.

図９を参照すると、炭素系結合層３０の吸光度が示されている。レーザを用いて、炭素系結合層３０（又は本明細書に記載の結合材料のうちのいずれの１つ若しくは複数）を局所的に加熱して酸化させてよい。炭素系結合層３０は、周囲結合として塗布してよく（図７、８）、これは、炭素系結合層３０が可撓性ガラス基板２０の周囲に近接していることにより、レーザによる炭素系結合層３０の局所的加熱を促進し、炭素系結合層３０へのより良好なアクセスを提供する。図９は、上述の実施例において説明したフェノール樹脂から得られた炭素系結合層３０に関する吸光度スペクトルを示す。この図からわかるように、可視光スペクトル及びＵＶスペクトルにおいては吸光度が上昇し、熱酸化に役立つ結合材料の加熱が可能となる。吸収される放射量を増大させるために、結合層にドーパントを添加してよい。   Referring to FIG. 9, the absorbance of the carbon-based bonding layer 30 is shown. A carbon-based bonding layer 30 (or any one or more of the bonding materials described herein) may be locally heated and oxidized using a laser. The carbon-based bonding layer 30 may be applied as a peripheral bond (FIGS. 7 and 8). This is because the carbon-based bonding layer 30 is close to the periphery of the flexible glass substrate 20 so that the carbon-based bonding layer 30 is formed by a laser. Facilitates local heating of the bonding layer 30 and provides better access to the carbon-based bonding layer 30. FIG. 9 shows an absorbance spectrum of the carbon-based bonding layer 30 obtained from the phenol resin described in the above-described embodiment. As can be seen from this figure, the absorbance increases in the visible light spectrum and the UV spectrum, and the binding material useful for thermal oxidation can be heated. In order to increase the amount of radiation absorbed, a dopant may be added to the tie layer.

使用される特定のデバイス製造プロセスに関して結合材料を最適化するべきであることに留意されたい。例えば製造温度が約２５０℃以上、例えば約３５０℃以上、例えば約２５０℃〜約４５０℃であるa−Ｓｉ又はｐ−Ｓｉ ＴＦＴプロセスに関しては、意図しない脱結合を抑制するために、脱結合に２５０℃超、例えば３５０℃超、例えば４５０℃超の熱曝露を要する結合材料を選択してよい。しかしながら、熱曝露はデバイスのいずれの電子装置又はその他の構成部品に損傷を与え得る温度未満となるよう選択するべきである。いくつかの実施形態では、目標とする脱結合のための熱曝露まで、結合層３０の結合強度は実質的に全く又は殆ど低下しない（例えば約５０％未満、約２５％未満、約１０％未満、約５％未満、約１％未満）。このようにして、様々な様式のデバイス製造に対して材料の脱結合を最適化できる。また、結合層３０へのエネルギ４７の印加それ自体を、結合層３０に局所化できる。例えば、結合層３０がエネルギ４７の殆どを吸収するようにエネルギ源を最適化でき、これにより、可撓性基板２０、キャリヤ基板１２又は可撓性基板２０上のいずれのデバイス層に対する熱の影響が小さくなる。   Note that the bonding material should be optimized for the specific device manufacturing process used. For example, for a-Si or p-Si TFT processes where the manufacturing temperature is about 250 ° C. or higher, such as about 350 ° C. or higher, eg, about 250 ° C. to about 450 ° C., to prevent unintentional debonding, Bonding materials may be selected that require thermal exposure above 250 ° C, such as above 350 ° C, such as above 450 ° C. However, the thermal exposure should be selected to be below a temperature that can damage any electronic device or other component of the device. In some embodiments, the bond strength of the bond layer 30 does not substantially decrease or hardly decrease (e.g., less than about 50%, less than about 25%, less than about 10%) until thermal exposure for targeted debonding. Less than about 5%, less than about 1%). In this way, material debinding can be optimized for various modes of device manufacturing. Further, the application of energy 47 to the coupling layer 30 itself can be localized in the coupling layer 30. For example, the energy source can be optimized so that the bonding layer 30 absorbs most of the energy 47, so that the thermal effect on any device layer on the flexible substrate 20, the carrier substrate 12 or the flexible substrate 20 is achieved. Becomes smaller.

結合層３０は無機材料を含んでよく、この無機材料は（例えば約２５０℃〜約４５０℃において）結合強度の低下をもたらす構造変化を受けないが、例えば破壊を生じ易い結合層３０を形成し、これにより可撓性ガラス基板２０の脱結合を促進する。理論によって拘束されることを望むものではないが、２種類の破壊として、延性破壊及び脆性破壊が挙げられる。基板間の強く永続的な結合が重要である用途においては、延性材料の使用に伴う塑性変形が発生する場合には延性破壊が延性材料全体に亘るひび割れの伝播を遅延させることがあるため、延性破壊が好ましいことがある。その一方で脆性破壊は典型的には、脆性材料全体に亘る、又は結合層３０と可撓性ガラス基板２０及び／又はキャリヤ基板１２との間の境界面に沿った、場合によっては応力印加方向に対して略垂直な、ひび割れの迅速な伝播につながる。よって本明細書に記載の取り外し可能な用途においては、脆性破壊は迅速なひび割れの伝播を伴うため好ましい場合がある。本明細書で使用する「脆性結合層」は、結合層内のひび割れの先端の周囲に形成される塑性領域のサイズが、結合層３０の厚さ（例えば最高約１００マイクロメートル、最高約５０マイクロメートル、最高約２５マイクロメートル、最高約１０マイクロメートル、最高約５マイクロメートル、約５マイクロメートル〜約５０マイクロメートル）に比べて小さい（例えば約２５％以下）ものであってよい。ガラス等のいくつかの材料は塑性領域を全く又は殆ど有さないことがあり、従って脆性結合層を構成する。別の例示的な脆性結合層は、例えば上述の実施例において説明したものと同様の様式で、フェノール−ホルムアルデヒドコポリマー及び熱硬化プロセスを利用して形成される、炭素結合層であってよい。   The tie layer 30 may include an inorganic material that does not undergo structural changes that result in a reduction in bond strength (eg, at about 250 ° C. to about 450 ° C.), but forms a tie layer 30 that is susceptible to failure, for example. This facilitates debonding of the flexible glass substrate 20. Although not wishing to be bound by theory, the two types of fracture include ductile fracture and brittle fracture. In applications where a strong and permanent bond between the substrates is important, ductile fracture may retard the propagation of cracks throughout the ductile material if plastic deformation occurs with the use of the ductile material. Destruction may be preferred. On the other hand, brittle fracture typically occurs throughout the brittle material or possibly along the interface between the bonding layer 30 and the flexible glass substrate 20 and / or the carrier substrate 12, possibly in the direction of stress application. Leads to the rapid propagation of cracks, almost perpendicular to Thus, in the removable applications described herein, brittle fracture may be preferred because it involves rapid crack propagation. As used herein, a “brittle tie layer” refers to the size of the plastic region formed around the crack tip in the tie layer, with the thickness of the tie layer 30 (eg, up to about 100 micrometers, up to about 50 micrometers). Meters (up to about 25 micrometers), up to about 25 micrometers, up to about 10 micrometers, up to about 5 micrometers, from about 5 micrometers to about 50 micrometers). Some materials, such as glass, may have no or very little plastic region and thus constitute a brittle bond layer. Another exemplary brittle tie layer may be a carbon tie layer formed using a phenol-formaldehyde copolymer and a thermal curing process, for example, in a manner similar to that described in the above examples.

可撓性ガラス基板の取り外し
キャリヤ基板１２から可撓性ガラス基板２０を取り外すために、いずれの好適な方法を利用できる。一例として、層間剥離のための応力は、可撓性ガラス基板２０を利用する最終的なデバイスの形成中に、引張−圧縮中立軸全体の変位によって発生し得る。例えば可撓性ガラス基板２０及びキャリヤ基板１２を一体として結合させると、まず結合平面が応力中立軸付近に位置し得る。結合平面が中立軸付近にある場合、機械的引張応力は最小化され得る。デバイスを、キャリヤ基板１２に結合した可撓性ガラス基板２０及び場合によってはカバーガラスと完全に組み立てた後、応力中立軸は変位し得る。これは結合平面に沿った引張応力及び曲げ応力を急激に上昇させて、少なくともある程度の層間剥離を引き起こし得る。層間剥離は、プライプレート、レーザ、ナイフ、スコアホイール、エッチング液等のいずれの数のデバイスを用いて開始及び／又は完了することもでき、並びに／又は可撓性ガラス基板を手作業で除去してもよい。 Removal of Flexible Glass Substrate Any suitable method may be utilized to remove the flexible glass substrate 20 from the carrier substrate 12. As an example, stress for delamination can be generated by displacement of the entire tension-compression neutral axis during final device formation utilizing the flexible glass substrate 20. For example, when the flexible glass substrate 20 and the carrier substrate 12 are bonded together, the bonding plane may first be located near the stress neutral axis. If the bonding plane is near the neutral axis, the mechanical tensile stress can be minimized. After the device is fully assembled with the flexible glass substrate 20 and possibly the cover glass bonded to the carrier substrate 12, the stress neutral axis can be displaced. This can cause the tensile and bending stresses along the bonding plane to increase sharply and cause at least some delamination. The delamination can be initiated and / or completed using any number of devices such as ply plates, lasers, knives, score wheels, etchants, and / or the flexible glass substrate is manually removed. May be.

ここで図１０を参照すると、例示的な結合層３０の塗布パターンが図示されており、可撓性ガラス基板２０は多数のセグメント（デバイスユニットと呼ぶこともある）に分割されることになるか、又はさいの目状に区切られることになる。図１０は、上述のようにキャリヤ基板１２に結合された可撓性ガラス基板２０を含む積層体１００の平面図を示す。結合層（領域Ａ１で示す）は、キャリヤ基板１２のガラス支持表面１４上の可撓性ガラス基板２０のフットプリント全体（又は全体より小さい部分）に亘って塗布してよい。図示した実施形態では、可撓性ガラス基板２０は、周囲１０４を有する更なる加工のためのデバイスユニット１０２（領域Ａ２とも呼ばれる）に分割されている。デバイスユニット１０２の下側に結合層Ａ１を塗布することにより、キャリヤ基板１２からデバイスユニット１０２によって画定された領域へとプロセス流体が漏れる（これは後続のプロセスを汚染する可能性があり、又は可撓性ガラス基板２０（若しくはその少なくとも一部）をキャリヤ基板１２から早期に分離させてしまう可能性がある）のを最小化又は防止できる。 Referring now to FIG. 10, an exemplary bonding layer 30 application pattern is illustrated, and is the flexible glass substrate 20 divided into a number of segments (sometimes referred to as device units)? Or it will be divided into dice. FIG. 10 shows a plan view of a laminate 100 that includes a flexible glass substrate 20 bonded to a carrier substrate 12 as described above. Bond layer (indicated by a region A 1) may be applied over the entire footprint of the flexible glass substrate 20 on the glass support surface 14 of the carrier substrate 12 (or less than an entirety). In the illustrated embodiment, the flexible glass substrate 20 is divided into a device unit 102 for further processing having a peripheral 104 (also referred to as region A 2). By applying a bond layer A 1 on the lower side of the device unit 102, from the carrier substrate 12 to the region defined by the device unit 102 and the process fluid leaks (which may contaminate the subsequent process, or It is possible to minimize or prevent the flexible glass substrate 20 (or at least a part thereof) from being separated from the carrier substrate 12 at an early stage.

キャリヤ基板１２に１つの可撓性ガラス基板２０を結合させる場合について見てきたが、複数の可撓性ガラス基板２０を１つのキャリヤ基板１２又は多数のキャリヤ基板１２に結合させてもよい。これらの場合、キャリヤ基板１２は上記多数の可撓性ガラス基板２０から同時に分離してよく、又は何らかの好適な、順次分離する様式で分離してよい。   Although a case has been described where one flexible glass substrate 20 is bonded to the carrier substrate 12, a plurality of flexible glass substrates 20 may be bonded to one carrier substrate 12 or multiple carrier substrates 12. In these cases, the carrier substrate 12 may be separated from the multiple flexible glass substrates 20 simultaneously, or may be separated in any suitable sequential separation manner.

周囲１０４に沿って切断することにより、いずれの数のデバイスユニット１０２を、いずれの数の他のデバイスユニット１０２から分離させてよい。可撓性ガラス基板２０上のいずれの膨れ又はその他の望ましくない影響を低減するために、穴を設けてよい。レーザ又はその他の切断デバイスを用いて、可撓性ガラスシート２０からデバイスユニット１０２を切断してよい。更に、キャリヤ基板１２を再使用できるよう、上記切断は、可撓性ガラス基板２０だけを切断する又は可撓性ガラス基板２０だけに刻み目を付け、キャリヤ基板１２はそうされないように実施できる。エッチング及び／又はいずれの他の洗浄プロセスを用いて、結合層３０が残したいずれの残留物を除去できる。また、キャリヤ基板１２から可撓性ガラス基板２０を除去する補助としてエッチングを使用してもよい。   Any number of device units 102 may be separated from any number of other device units 102 by cutting along perimeter 104. Holes may be provided to reduce any blisters or other undesirable effects on the flexible glass substrate 20. The device unit 102 may be cut from the flexible glass sheet 20 using a laser or other cutting device. Further, the cutting can be performed such that only the flexible glass substrate 20 is cut or scored only on the flexible glass substrate 20 and the carrier substrate 12 is not so that the carrier substrate 12 can be reused. Etching and / or any other cleaning process can be used to remove any residue left by the bonding layer 30. Etching may also be used to assist in removing the flexible glass substrate 20 from the carrier substrate 12.

図１１を参照すると、可撓性ガラス基板２０のデバイスユニット１４０（例えば電子デバイス１４５を有する又は他の所望の構造が形成されたユニット）をキャリヤ基板１２から除去するための方法の実施形態が示されている。可撓性ガラス基板２０のサイズ及びデバイスユニット１４０のサイズに応じて、キャリヤ基板に結合された可撓性ガラス基板２０からいずれの数のデバイスユニット１４０を作製してよい。例えば、可撓性ガラス基板は第２世代サイズ以上、例えば第３世代、第４世代、第５世代、第８世代又はそれ以上（例えば１００ｍｍ×１００ｍｍ〜３ｍ×３ｍ以上のシートサイズ）であってよい。例えばデバイスユニット１４０のサイズ、数及び形状に関して、キャリヤ基板１２に結合された１つの可撓性ガラス基板２０から製造したいデバイスユニット１４０の構成をユーザが決定できるようにするために、可撓性ガラス基板２０を図１１に示すように供給してよい。より具体的には、可撓性ガラス基板２０及びキャリヤ基板１２を有する基板積層体１０が提供される。可撓性ガラス基板２０は、非結合領域１４４を取り囲む結合領域１４２においてキャリヤ基板１２に結合されている。   Referring to FIG. 11, an embodiment of a method for removing a device unit 140 (eg, a unit having an electronic device 145 or other desired structure formed) of a flexible glass substrate 20 from a carrier substrate 12 is shown. Has been. Depending on the size of the flexible glass substrate 20 and the size of the device unit 140, any number of device units 140 may be made from the flexible glass substrate 20 bonded to the carrier substrate. For example, the flexible glass substrate is 2nd generation size or more, for example, 3rd generation, 4th generation, 5th generation, 8th generation or more (for example, sheet size of 100 mm × 100 mm to 3 m × 3 m or more) Good. For example, with respect to the size, number and shape of the device units 140, flexible glass may be used to allow the user to determine the configuration of the device unit 140 that he wishes to manufacture from one flexible glass substrate 20 bonded to the carrier substrate 12. The substrate 20 may be supplied as shown in FIG. More specifically, a substrate laminate 10 having a flexible glass substrate 20 and a carrier substrate 12 is provided. The flexible glass substrate 20 is bonded to the carrier substrate 12 in a bonding region 142 that surrounds the non-bonding region 144.

結合領域１４２は、可撓性ガラス基板２０の周囲に配置され、非結合領域１４４を完全に取り囲む。この連続した結合領域１４２を用いて、可撓性ガラス基板２０の周囲において可撓性ガラス基板２０とキャリヤ基板１２との間のいずれの間隙を封止でき、これによってプロセス流体がせき止められないようにする（このようにしなかった場合、せき止められたプロセス流体は、基板積層体１０が通過する後続のプロセスを汚染する場合がある）。しかしながら他の実施形態では、非連続な結合領域を使用してよい。   The bonding region 142 is disposed around the flexible glass substrate 20 and completely surrounds the non-bonding region 144. This continuous bonding area 142 can be used to seal any gap between the flexible glass substrate 20 and the carrier substrate 12 around the flexible glass substrate 20 so that the process fluid is not damped. (If this is not done, the damped process fluid may contaminate subsequent processes through which the substrate stack 10 passes). However, in other embodiments, non-continuous coupling regions may be used.

ＣＯ２レーザビームを用いて、所望の部品１４０の周囲１４６を切断してよい。ＣＯ２レーザは、可撓性ガラス基板２０のフルボディ（厚さの１００％の）切断を可能とする。ＣＯ２レーザ切断のために、可撓性ガラス基板２０の表面２４上の小さな直径の円形ビーム形状にレーザビームを集束させ、所望の軌跡に沿ってこれを移動させ、その後を冷却剤ノズルが追跡してよい。冷却剤ノズルは例えば、小さな直径のオリフィスを通して圧縮空気流をこの薄いシートの表面上に送達する空気ノズルであってよい。水又は空気−液体ミストを用いてもよい。デバイスユニット１４０の周囲１４６を切断したら、デバイスユニット１４０を残りの可撓性ガラス基板２０から除去できる。続いて結合層３０にエネルギ入力を印加してよく、これは結合層３０の構造を変化させる。この構造変化は、結合層３０の結合強度を低下させ、これによってキャリヤ基板１２からの残りの可撓性ガラス基板２０の分離を促進する。 A CO 2 laser beam may be used to cut the perimeter 146 of the desired part 140. The CO 2 laser allows full body (100% of thickness) cutting of the flexible glass substrate 20. For CO 2 laser cutting, the laser beam is focused into a small diameter circular beam shape on the surface 24 of the flexible glass substrate 20 and moved along a desired trajectory, followed by a coolant nozzle. You can do it. The coolant nozzle may be, for example, an air nozzle that delivers a stream of compressed air through a small diameter orifice onto the surface of this thin sheet. Water or air-liquid mist may be used. Once the periphery 146 of the device unit 140 is cut, the device unit 140 can be removed from the remaining flexible glass substrate 20. Subsequently, an energy input may be applied to the coupling layer 30, which changes the structure of the coupling layer 30. This structural change reduces the bond strength of the bonding layer 30 and thereby facilitates the separation of the remaining flexible glass substrate 20 from the carrier substrate 12.

図１２を参照すると、キャリヤ基板１２から可撓性ガラス基板２０を取り外す方法の実施形態が図示されている。所望のデバイス１５０（例えばＬＣＤ、ＯＬＥＤ又はＴＦＴ電子装置）を含むように可撓性ガラス基板２０を加工し、例えばデバイスユニット１４０を除去したら、残りの可撓性ガラス基板２０（又は可撓性ガラス基板２０全体）をキャリヤ基板１２から取り外す。この実施形態では、結合層３０は、結合領域１５４及び非結合領域１５６を形成する周囲結合１５２として形成してよい。レーザ１５８は、可撓性ガラス基板２０とキャリヤ基板１２との間に、（例えば波長約４００ｎｍ〜７５０ｎｍの）レーザビーム１６０を配向して、結合層３０の一部を局所的に加熱する。結合層３０が吸収するよう調整されたＬＥＤ及びフラッシュランプ源を使用することもできる。例えばレーザ１５８を用いて、炭素系結合層３０を局所的に加熱して酸化させてよい。周囲結合１５２は、レーザ１５８による炭素系結合層３０の局所的加熱を促進でき、そして炭素系結合層３０が可撓性ガラス基板２０の周囲に近接していること及び断面積が（例えば可撓性ガラス基板２０の幅全体に亘る結合と比較して）比較的小さいことにより、炭素系結合層３０へのより良好なアクセスを提供する。   Referring to FIG. 12, an embodiment of a method for removing the flexible glass substrate 20 from the carrier substrate 12 is illustrated. Once the flexible glass substrate 20 has been processed to include the desired device 150 (eg, LCD, OLED or TFT electronics) and, for example, the device unit 140 has been removed, the remaining flexible glass substrate 20 (or flexible glass). The entire substrate 20 is removed from the carrier substrate 12. In this embodiment, the bonding layer 30 may be formed as a peripheral bond 152 that forms a bonded region 154 and a non-bonded region 156. Laser 158 directs laser beam 160 (eg, having a wavelength of about 400 nm to 750 nm) between flexible glass substrate 20 and carrier substrate 12 to locally heat a portion of coupling layer 30. It is also possible to use LED and flash lamp sources that are tuned to absorb the bonding layer 30. For example, the carbon-based bonding layer 30 may be locally heated and oxidized using a laser 158. The ambient bond 152 can facilitate local heating of the carbon-based bond layer 30 by the laser 158, and the carbon-based bond layer 30 is proximate to the periphery of the flexible glass substrate 20 and has a cross-sectional area (eg, flexible Being relatively small (compared to bonding across the width of the glass substrate 20) provides better access to the carbon-based bonding layer 30.

上述の結合層は、既存の設備及び製造条件内で薄型可撓性ガラス基板を使用できるようにする、無機接着によるアプローチを提供できる。キャリヤ基板は異なる可撓性ガラス基板と共に再使用できる。キャリヤ基板、可撓性ガラス基板及び結合層を含む積層体を組み立て、これを更なる加工へと送出できる。あるいは積層体の送出前に、積層体をある程度しか、又は全く組み立てなくてもよい。キャリヤ基板はキャリヤ基板としての使用に関して初期状態である必要はない。例えばキャリヤ基板は、これらキャリヤ基板をディスプレイデバイスとして使用するのに適さないものとしてしまう過剰なあぜや筋が形成されたものであってもよい。キャリヤ基板の使用により、真空孔周辺での窪み及び静電気の増加による問題といった、薄型基板を直接使用する事による問題を回避できる。結合層の高さは薄くてよく（例えば約１０マイクロメートル以下又は約１〜１００マイクロメートル）、これにより、撓み等の平坦性に関する問題を最小化でき、キャリヤ基板全体に亘って又は局所的に（周囲等に）連続的に適用されるフィルムとしての使用が容易になる。   The tie layer described above can provide an inorganic adhesion approach that allows the use of thin flexible glass substrates within existing equipment and manufacturing conditions. The carrier substrate can be reused with a different flexible glass substrate. A laminate comprising a carrier substrate, a flexible glass substrate and a tie layer can be assembled and delivered for further processing. Alternatively, the laminate may be assembled to some extent or not before delivery. The carrier substrate need not be in an initial state for use as a carrier substrate. For example, the carrier substrate may be formed with excessive bruising and streaking that renders the carrier substrate unsuitable for use as a display device. By using the carrier substrate, problems caused by directly using a thin substrate, such as a dent around the vacuum hole and an increase in static electricity, can be avoided. The height of the tie layer may be thin (e.g., less than about 10 micrometers, or about 1-100 micrometers), thereby minimizing flatness issues such as deflection and over the carrier substrate or locally. Use as a continuously applied film (e.g., around) is facilitated.

以上の詳細な説明では、限定ではなく説明を目的として、本発明の様々な原理の完全な理解を提供するために、特定の細部を開示する例示的な実施形態を挙げた。しかしながら、本明細書で開示した上記具体的細部から逸脱したその他の実施形態において本発明を実施してよいことは、本開示の便益を得た当業者には明らかであろう。更に、本発明の様々な原理に関する説明を不明瞭にしないよう、公知のデバイス、方法及び材料に関する説明は省略されている場合がある。最後に、類似の参照番号が使用されている場合、これらは常に類似の要素を表す。   In the foregoing detailed description, for purposes of explanation and not limitation, example embodiments have been given that disclose specific details in order to provide a thorough understanding of the various principles of the invention. However, it will be apparent to those skilled in the art having the benefit of this disclosure that the present invention may be practiced in other embodiments that depart from the specific details disclosed herein. In addition, descriptions of known devices, methods, and materials may be omitted so as not to obscure the descriptions of various principles of the invention. Finally, where similar reference numbers are used, they always represent similar elements.

本明細書で使用された方向に関する用語（例えば上側、下側、右、左、前、後、上部、底部）は、図面をここで図示した通りに参照した上で使用しただけのものであり、絶対的な配向を含意することを意図したものではない。   The directional terms used herein (eg, top, bottom, right, left, front, back, top, bottom) are used only with reference to the drawings as illustrated herein. It is not intended to imply absolute orientation.

本発明の上述の実施形態、特にいずれの「好ましい」実施形態は、実装形態の可能な例に過ぎず、単に本発明の様々な原理の明確な理解のために挙げられているものであることを強調しておく。本発明の精神及び様々な原理から大きく逸脱することなく、本発明の上述の実施形態に対して多くの変更及び改変を行ってよい。このような改変及び変更は全て、本明細書において本開示及び以下の請求項の範囲内に含まれるものとする。   The above-described embodiments of the present invention, particularly any "preferred" embodiment, are merely possible examples of implementations, and are merely given for a clear understanding of the various principles of the present invention. To emphasize. Many changes and modifications may be made to the above-described embodiments of the invention without departing significantly from the spirit and various principles of the invention. All such modifications and changes are intended to be included herein within the scope of this disclosure and the following claims.

１０ 基板積層体
１２ キャリヤ基板
１４、１６ ガラス支持表面
１８、２６ 外周
２０ 可撓性ガラス基板
２２ 第１の幅広表面
２４ 第２の幅広表面
２５、２８、３２ 厚さ
３０ 結合層
５２ 周縁領域
６０ 結合セグメント
１４０ デバイスユニット
１４５ 電子デバイス
１４２、１５４ 結合領域
１４４、１５６ 非結合領域
１４６ 周囲
１５２ 周囲結合
１５８ レーザ １６０ レーザビーム DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Substrate laminated body 12 Carrier substrate 14, 16 Glass support surface 18, 26 Outer periphery 20 Flexible glass substrate 22 1st wide surface 24 2nd wide surface 25, 28, 32 Thickness 30 Bonding layer 52 Peripheral area | region 60 Bonding Segment 140 Device unit 145 Electronic device 142, 154 Coupling region 144, 156 Non-coupling region 146 Perimeter 152 Perimeter coupling 158 Laser 160 Laser beam

Claims (10)

可撓性ガラス基板を加工する方法であって：
炭素結合層を用いてキャリヤ基板に結合された前記可撓性ガラス基板を含む基板積層体を準備するステップ；及び
前記可撓性ガラス基板を前記キャリヤ基板から分離するステップ
を含む、方法。 A method of processing a flexible glass substrate, comprising:
Providing a substrate stack comprising the flexible glass substrate bonded to a carrier substrate using a carbon bonding layer; and separating the flexible glass substrate from the carrier substrate. 前記炭素結合層は脆性であり、
前記方法は、炭素結合層内においてひび割れを開始させるステップを更に含む、請求項１の方法。 The carbon bond layer is brittle;
The method of claim 1, further comprising initiating cracks in the carbon bond layer. 前記炭素結合層にエネルギ入力を提供することによって、前記炭素結合層に構造変化を導入するステップを更に含む、請求項１又は２の方法。   The method of claim 1 or 2, further comprising introducing structural changes to the carbon bond layer by providing an energy input to the carbon bond layer. 前記エネルギ入力は、前記炭素結合層を少なくとも約２５０℃まで加熱する光エネルギである、請求項３の方法。   4. The method of claim 3, wherein the energy input is light energy that heats the carbon bonded layer to at least about 250 degrees Celsius. 前記構造変化は、前記炭素結合層の多孔率の上昇を含む、請求項３の方法。   4. The method of claim 3, wherein the structural change includes an increase in porosity of the carbon bonded layer. レーザ、ＬＥＤ又はフラッシュランプ光源を用いて前記炭素結合層を加熱する、請求項３の方法。   4. The method of claim 3, wherein the carbon bond layer is heated using a laser, LED or flash lamp light source. 前記可撓性ガラス基板に電子構成部品を適用するステップを更に含む、請求項１〜６のいずれか１項の方法。   The method of any one of the preceding claims, further comprising applying an electronic component to the flexible glass substrate. 基板積層体であって：
ガラス支持表面を有するキャリヤ基板；
キャリヤ基板のガラス支持表面によって支持された可撓性ガラス基板；及び
前記可撓性ガラス基板を前記キャリヤ基板に結合する炭素結合層
を備え、前記炭素結合層は脆性であり、これによって前記炭素結合層全体に亘るひび割れの伝播を促進する、基板積層体。 A substrate laminate:
A carrier substrate having a glass support surface;
A flexible glass substrate supported by a glass support surface of a carrier substrate; and a carbon bonding layer that bonds the flexible glass substrate to the carrier substrate, the carbon bonding layer being brittle, whereby the carbon bonding A substrate laminate that promotes the propagation of cracks throughout the layer. 前記可撓性ガラス基板の厚さは約０．３ｍｍ以下である、請求項８の基板積層体。   The substrate laminate according to claim 8, wherein the flexible glass substrate has a thickness of about 0.3 mm or less. 前記炭素結合層の厚さは約０．１ｍｍ以下である、請求項８又は９の基板積層体。   The substrate laminate according to claim 8 or 9, wherein the carbon bonding layer has a thickness of about 0.1 mm or less.
JP2015528516A 2012-08-22 2013-08-12 Processing of flexible glass substrate and substrate laminate including flexible glass substrate and carrier substrate Expired - Fee Related JP6329540B2 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261691899P 2012-08-22 2012-08-22
US61/691,899 2012-08-22
PCT/US2013/054479 WO2014031374A1 (en) 2012-08-22 2013-08-12 Processing of flexible glass substrates and substrate stacks including flexible glass substrates and carrier substrates

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015534528A true JP2015534528A (en) 2015-12-03
JP6329540B2 JP6329540B2 (en) 2018-05-23

Family

ID=49029224

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015528516A Expired - Fee Related JP6329540B2 (en) 2012-08-22 2013-08-12 Processing of flexible glass substrate and substrate laminate including flexible glass substrate and carrier substrate

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6329540B2 (en)
KR (1) KR20150046219A (en)
CN (1) CN104919591A (en)
TW (1) TW201412554A (en)
WO (1) WO2014031374A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023276473A1 (en) * 2021-06-29 2023-01-05 日本電気硝子株式会社 Method for producing joined body and device for producing joined body

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016112082A1 (en) * 2015-01-06 2016-07-14 Corning Incorporated A glass-carrier assembly and methods for processing a flexible glass sheet
WO2016112975A1 (en) * 2015-01-14 2016-07-21 Ev Group E. Thallner Gmbh Method and device for detaching a substrate from a substrate stack
US20180154493A1 (en) * 2015-04-22 2018-06-07 Corning Incorporated Methods of edge finishing laminated glass structures
KR101673417B1 (en) 2015-07-14 2016-11-07 에스피텍 주식회사 Manufacturing Method for Reducing Thickness Deflection of Ultra-Thin Type Glass Plate
KR101661278B1 (en) 2015-07-14 2016-09-29 에스피텍 주식회사 Manufacturing Method of Ultra-Thin Type Glass Plate
TWI767948B (en) 2016-10-31 2022-06-21 美商康寧公司 Layered bendable puncture resistant glass article and method of making
JP2020506817A (en) * 2016-11-28 2020-03-05 アレス マテリアルズ インコーポレイテッド Temporary adhesive layers for flexible electronics processing
WO2019178746A1 (en) * 2018-03-20 2019-09-26 深圳市柔宇科技有限公司 Flexible component, electronic device, and separation method for flexible cover plate
KR20220052123A (en) 2020-10-20 2022-04-27 동우 화인켐 주식회사 Treating apparatus for ultra thin glass and manufaturing method of ultra thin glass using the same

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005159155A (en) * 2003-11-27 2005-06-16 Three M Innovative Properties Co Manufacturing method of semiconductor chip
JP2007326358A (en) * 2006-05-08 2007-12-20 Asahi Glass Co Ltd Thin glass laminate, process for manufacturing display apparatus using the same, and supporting glass substrate
JP2008118079A (en) * 2006-11-08 2008-05-22 Shin Etsu Chem Co Ltd Manufacturing method of single crystal silicon solar cell and the single crystal silicon solar cell
US20090266471A1 (en) * 2008-04-29 2009-10-29 Myung-Hwan Kim Method of fabricating flexible display device
WO2011024690A1 (en) * 2009-08-27 2011-03-03 旭硝子株式会社 Multilayer structure with flexible base material and support, panel for use in electronic device provided with support and production method for panel for use in electronic device
JP2011046174A (en) * 2009-08-28 2011-03-10 Arakawa Chem Ind Co Ltd Support body, glass substrate laminated body, display device panel with the support body, and method for manufacturing the display device panel
WO2011048978A1 (en) * 2009-10-20 2011-04-28 旭硝子株式会社 Glass laminate, display device panel with supporting body, display device panel, display device, method for producing glass laminate, method for producing display device panel with supporting body, and method for producing display device panel
WO2011089963A1 (en) * 2010-01-21 2011-07-28 電気化学工業株式会社 Process for producing laminate of light-transmitting rigid plates and device for laminating light-transmitting rigid plates
JPWO2009128359A1 (en) * 2008-04-17 2011-08-04 旭硝子株式会社 GLASS LAMINATE, PANEL FOR DISPLAY DEVICE WITH SUPPORT AND METHOD FOR PRODUCING THEM
US20120009703A1 (en) * 2009-01-09 2012-01-12 Feinstein Casey J Thin glass processing using a carrier
JPWO2010047273A1 (en) * 2008-10-23 2012-03-22 旭硝子株式会社 Glass substrate laminating apparatus and method for producing laminated glass substrate
WO2012060199A1 (en) * 2010-11-05 2012-05-10 旭硝子株式会社 Laminate body, panel for use in display device with support board, panel for use in display device, and display device
JPWO2010079688A1 (en) * 2009-01-09 2012-06-21 旭硝子株式会社 Glass laminate and method for producing the same
JP2014019145A (en) * 2012-07-23 2014-02-03 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Laminate and method for producing laminate

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050001201A1 (en) * 2003-07-03 2005-01-06 Bocko Peter L. Glass product for use in ultra-thin glass display applications
KR100820170B1 (en) * 2006-08-30 2008-04-10 한국전자통신연구원 A Flexible Substrate Adhesion Method
JP2012109538A (en) * 2010-10-29 2012-06-07 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Laminate and method for separating the same

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005159155A (en) * 2003-11-27 2005-06-16 Three M Innovative Properties Co Manufacturing method of semiconductor chip
JP2007326358A (en) * 2006-05-08 2007-12-20 Asahi Glass Co Ltd Thin glass laminate, process for manufacturing display apparatus using the same, and supporting glass substrate
JP2008118079A (en) * 2006-11-08 2008-05-22 Shin Etsu Chem Co Ltd Manufacturing method of single crystal silicon solar cell and the single crystal silicon solar cell
JPWO2009128359A1 (en) * 2008-04-17 2011-08-04 旭硝子株式会社 GLASS LAMINATE, PANEL FOR DISPLAY DEVICE WITH SUPPORT AND METHOD FOR PRODUCING THEM
US20090266471A1 (en) * 2008-04-29 2009-10-29 Myung-Hwan Kim Method of fabricating flexible display device
JPWO2010047273A1 (en) * 2008-10-23 2012-03-22 旭硝子株式会社 Glass substrate laminating apparatus and method for producing laminated glass substrate
US20120009703A1 (en) * 2009-01-09 2012-01-12 Feinstein Casey J Thin glass processing using a carrier
JPWO2010079688A1 (en) * 2009-01-09 2012-06-21 旭硝子株式会社 Glass laminate and method for producing the same
WO2011024690A1 (en) * 2009-08-27 2011-03-03 旭硝子株式会社 Multilayer structure with flexible base material and support, panel for use in electronic device provided with support and production method for panel for use in electronic device
JP2011046174A (en) * 2009-08-28 2011-03-10 Arakawa Chem Ind Co Ltd Support body, glass substrate laminated body, display device panel with the support body, and method for manufacturing the display device panel
WO2011048978A1 (en) * 2009-10-20 2011-04-28 旭硝子株式会社 Glass laminate, display device panel with supporting body, display device panel, display device, method for producing glass laminate, method for producing display device panel with supporting body, and method for producing display device panel
WO2011089963A1 (en) * 2010-01-21 2011-07-28 電気化学工業株式会社 Process for producing laminate of light-transmitting rigid plates and device for laminating light-transmitting rigid plates
WO2012060199A1 (en) * 2010-11-05 2012-05-10 旭硝子株式会社 Laminate body, panel for use in display device with support board, panel for use in display device, and display device
JP2014019145A (en) * 2012-07-23 2014-02-03 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Laminate and method for producing laminate

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023276473A1 (en) * 2021-06-29 2023-01-05 日本電気硝子株式会社 Method for producing joined body and device for producing joined body

Also Published As

Publication number Publication date
TW201412554A (en) 2014-04-01
WO2014031374A1 (en) 2014-02-27
JP6329540B2 (en) 2018-05-23
CN104919591A (en) 2015-09-16
KR20150046219A (en) 2015-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6329540B2 (en) Processing of flexible glass substrate and substrate laminate including flexible glass substrate and carrier substrate
JP5254212B2 (en) Porous processing carrier for flexible substrates
TWI617440B (en) Method of manufacturing display panel
JP5029523B2 (en) GLASS LAMINATE, PANEL FOR DISPLAY DEVICE WITH SUPPORT, PANEL FOR DISPLAY DEVICE, DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
WO2013151075A1 (en) Glass film fracturing method and glass film laminate body
US20110026236A1 (en) Glass laminate, display panel with support, method for producing glass laminate and method for manufacturing display panel with support
JP2014166944A (en) Method of producing glass film
JP2015532004A (en) Flexible glass substrate processing
WO2015190418A1 (en) Method for manufacturing glass film, and method for manufacturing electronic device including glass film
WO2007129554A1 (en) Thin-sheet glass laminate, process for manufacturing display apparatus using the laminate, and supporting glass substrate
TW201022170A (en) Glass substrate laminated device and method for producing laminate glass substrate
JP2019515867A (en) Glass laminated plate with controlled thermal expansion coefficient and method for manufacturing the same
TW201206697A (en) Glass laminate, glass laminate manufacturing method, display panel manufacturing method, and display panel obtained by means of display panel manufacturing method
TW200415679A (en) Composite composed of thin substrate separably bound to carrier substrate
JP2014019597A (en) Method for producing glass film, and glass film laminate
WO2015072360A1 (en) Glass film laminate and liquid crystal panel manufacturing method
WO2017045202A1 (en) Method of manufacturing flexible display device
JPWO2016043180A1 (en) Laminate and flexible device manufacturing method
JP2019537265A (en) How to process a substrate
JP2015078107A (en) Method of increasing strength of panel edge
JP2010062526A (en) Method of manufacturing thin film element
WO2016026208A1 (en) Manufacturing method of flexible display and flexible display
TWI584957B (en) Laminated processing methods, the processing of the laminated board
WO2017018136A1 (en) Method for producing glass film, and method for producing electronic device including glass film
JP2016145123A (en) Method for producing electronic device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160721

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170602

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170613

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20170913

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171113

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180327

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180420

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6329540

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees