JP2015501552A - マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 - Google Patents
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Abstract
Description
(S1+S2)<0.1・(|S1|+|S2|)
ここで、S1=(I1・d1)+(I2・d2)+(I3・d3)+...+(IN・dN)であり、Iiは、第1のビーム偏向要素Di上の放射照度であり、diは、第1のビーム偏向要素Diの場所における少なくとも1つの方向に沿った放射照度分布の方向微分であり、S2=(I1・d1)+(I2・d2)+(I3・d3)+...+(IM・dM)であり、Ijは、第2のビーム偏向要素Dj上の放射照度であり、djは、第2のビーム偏向要素Djの場所における少なくとも1つの方向に沿った放射照度分布の方向微分である。
「光」という用語は、あらゆる電磁放射線、特に、可視光、UV光、DUV光、及びVUV光を表している。
図1は、本発明による投影露光装置10の非常に簡略化した斜視図である。装置10は、投影光ビームを生成する照明系12を含む。照明系12は、微細な特徴部19のパターン18を含むマスク16上の視野14を照明する。この実施形態において、照明視野14は矩形の形状を有する。しかし、照明視野14の他の形状、例えば、リングセグメントが同じく考えられている。
図2は、図1に示す照明系12を通る子午断面図である。明瞭化の目的で、図2の図は大幅に簡略化したものであり、正確な縮尺のものではない。これは、特に、異なる光学ユニットを1つ又は非常に少数の光学要素だけで表すことを意味する。現実には、これらのユニットは、有意に多くのレンズ及び他の光学要素を含むことができる。
光源30によって放出される投影光ビーム31の方向は、通常、ビームポインティング変動を受ける。これは、投影光ビーム31の方向が時間的に完全には安定せず、ある程度変化することを意味する。
以下では、そのような悪影響を制御ユニット43によって適用される高度な制御手法によって如何に回避することができるかを図7、図9、図10a、及び図10bを参照して説明する。
図11は、代替の実施形態による照明系12を通る子午断面図である。この実施形態において、第1のコンデンサー50は、固定された焦点距離を有する。更に、複数のマイクロレンズ37を含むマイクロレンズアレイ36は、ビーム拡大ユニット32と空間光変調器38の間に配置される。
図16は、本発明によるマイクロリソグラフィ投影露光装置を作動させる重要な段階を示す流れ図である。
74 減少傾斜
310 放射照度分布
310’ X方向に沿って変位した放射照度分布
420a、420a’ マイクロミラー42a上の放射照度
Claims (9)
- マイクロリソグラフィ投影露光装置(10)の照明系であって、
a)投影光ビーム(31)を生成するように構成された光源(30)と、
b)瞳平面(56)と、
c)制御ユニット(43)と、
d)前記光源(30)と前記瞳平面(56)の間に配置され、かつ
入射する投影光を前記制御ユニット(43)から受け取る指令信号に依存する方向に個々に各々が偏向することができる光偏向要素(42)のアレイ(40)を含み、
前記投影光が、光偏向要素(42)の前記アレイ(40)上に放射照度分布(310;310M)を生成し、該放射照度分布(310)又はその包絡線(310E)が、少なくとも1つの方向(X)に沿って増加傾斜(72)と減少傾斜(74)とを有する、
空間光変調器(38)と、
を含み、
前記制御ユニット(43)は、前記増加傾斜(72)に位置付けられた第1の光偏向要素(42a)と、前記減少傾斜(74)に位置付けられた第2の光偏向要素(42b)とが、入射する投影光をそれが前記瞳平面(56)内で少なくとも部分的に重なるように偏向させるような方法で該光偏向要素(42)を制御するように構成される、
ことを特徴とする照明系。 - 前記投影光ビーム(31)の放出方向が、前記光偏向要素(42)のアレイ(20)上の前記放射照度分布(310;310M)が前記少なくとも1つの方向(X)に沿ってシフトするように、照明系(12)の作動中に変化することを特徴とする請求項1に記載の照明系。
- i=1,2,3,4,...,Nである時に前記増加傾斜(72)に位置付けられたN個の第1の光偏向要素Diと、j=2,2,3,4,...,Mである時に前記減少傾斜(74)に位置付けられたM個の第2の光偏向要素Djとが、入射する投影光をそれが前記瞳平面(56)内のスポットにおいて少なくとも部分的に重なるように偏向し、
(S1+S2)<0.1・(|S1|+|S2|)であり、
ここで、Iiが、前記第1のビーム偏向要素Di上の放射照度であり、diが、該第1のビーム偏向要素Diの場所での前記少なくとも1つの方向に沿った前記放射照度分布の方向微分である時に、S1=(I1・d1)+(I2・d2)+(I3・d3)+...+(IN・dN)であり、かつ
Ijが、前記第2のビーム偏向要素Dj上の放射照度であり、djが、該第2のビーム偏向要素Djの場所での前記少なくとも1つの方向に沿った前記放射照度分布の方向微分である時に、S2=(I1・d1)+(I2・d2)+(I3・d3)+...+(IM・dM)である、
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の照明系。 - 前記投影光を前記光偏向要素(42)のアレイ(20)の方向に向けるように配置された第1の反射面(48a)と、該光偏向要素(42)のアレイ(20)によって偏向された投影光を前記瞳平面(56)の方向に向けるように配置された第2の反射面(48b)とを含むことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の照明系。
- 前記第1の反射面(48a)及び前記第2の反射面(48b)は、プリズム(46)に含まれることを特徴とする請求項4に記載の照明系。
- 前記空間光変調器(38)と前記瞳平面(56)の間に配置されたズーム光学系(50)を含むことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の照明系。
- マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系を作動させる方法であって、
a)各要素に瞳平面内の光点(70;70a,70b)が関連付けられた光偏向要素(42)のアレイ(20)を含む空間光変調器(38)を与える段階と、
b)前記光偏向要素(42)のアレイ(20)上に放射照度分布(310;310M)を生成し、該放射照度分布(310)又はその包絡線(310E)が、少なくとも1つの方向(X)に沿って増加傾斜(72)と減少傾斜(74)を有する段階と、
c)前記増加傾斜(72)に位置付けられた第1の光偏向要素(42a)によって生成される第1の光点(70a)と、前記減少傾斜(74)に位置付けられた第2の光偏向要素(42b)によって生成される第2の光点(70b)とが、前記瞳平面(56)内で少なくとも部分的に重なるような方法で該光偏向要素(42)を制御する段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記投影光ビーム(31)の放出方向が、前記光偏向要素(42)のアレイ(20)上の前記放射照度分布(310;310M)が前記少なくとも1つの方向(X)に沿ってシフトするように、照明系(12)の作動中に変化することを特徴とする請求項7に記載の方法。
- i=1,2,3,4,...,Nである時に前記増加傾斜(72)に位置付けられたN個の第1の光偏向要素Diと、j=2,2,3,4,...,Mである時に前記減少傾斜(74)に位置付けられたM個の第2の光偏向要素Djとが、該第1及び第2の光偏向要素によって生成されるスポットが前記瞳平面(56)内で少なくとも部分的に重なるように、入射する投影光を偏向し、
(S1+S2)<0.1・(|S1|+|S2|)であり、
ここで、Iiが、前記第1のビーム偏向要素Di上の放射照度であり、diが、該第1のビーム偏向要素Diの場所での前記少なくとも1つの方向に沿った前記放射照度分布の方向微分である時に、S1=(I1・d1)+(I2・d2)+(I3・d3)+...+(IN・dN)であり、かつ
Ijが、前記第2のビーム偏向要素Dj上の放射照度であり、djが、該第2のビーム偏向要素Djの場所での前記少なくとも1つの方向に沿った前記放射照度分布の方向微分である時に、S2=(I1・d1)+(I2・d2)+(I3・d3)+...+(IM・dM)である、
ことを特徴とする請求項7又は請求項6に記載の方法。
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Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106502055B (zh) * | 2015-09-06 | 2019-04-19 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光刻失焦的检测方法 |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003022967A (ja) * | 2001-06-01 | 2003-01-24 | Asml Netherlands Bv | リトグラフ装置、デバイス製造方法、その方法により製造されたデバイス、制御システム、コンピュータ・プログラムおよびコンピュータ・プログラム製品 |
US20040057034A1 (en) * | 2002-09-19 | 2004-03-25 | Zinn Shun Yong | Exposure apparatus including micro mirror array and exposure method using the same |
US20060087634A1 (en) * | 2004-10-25 | 2006-04-27 | Brown Jay M | Dynamic illumination uniformity and shape control for lithography |
JP2007505488A (ja) * | 2003-09-12 | 2007-03-08 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影露光設備のための照明系 |
JP2008258605A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-23 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
WO2009145048A1 (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-03 | 株式会社ニコン | 空間光変調器の検査装置および検査方法、照明光学系、照明光学系の調整方法、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JP2010153875A (ja) * | 2008-12-23 | 2010-07-08 | Carl Zeiss Smt Ag | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム |
JP2011507293A (ja) * | 2007-12-21 | 2011-03-03 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置 |
WO2012034571A1 (en) * | 2010-09-14 | 2012-03-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
JP2012099686A (ja) * | 2010-11-04 | 2012-05-24 | Nikon Corp | 光源形成方法、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013503460A (ja) * | 2009-08-25 | 2013-01-31 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 照明システム、リソグラフィ装置、及び照明モード調整方法 |
WO2013061858A1 (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-02 | 株式会社ニコン | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JP2013530534A (ja) * | 2010-06-15 | 2013-07-25 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ用の照明光学系及びこの種の照明光学系を有する投影露光系 |
JP2014505368A (ja) * | 2011-01-29 | 2014-02-27 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 |
JP5582287B2 (ja) * | 2007-11-06 | 2014-09-03 | 株式会社ニコン | 照明光学装置及び露光装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8335999B2 (en) * | 2010-06-11 | 2012-12-18 | Orbotech Ltd. | System and method for optical shearing |
-
2012
- 2012-10-08 KR KR1020137026834A patent/KR101591155B1/ko active IP Right Grant
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2013
- 2013-09-12 US US14/025,216 patent/US9261695B2/en active Active
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Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003022967A (ja) * | 2001-06-01 | 2003-01-24 | Asml Netherlands Bv | リトグラフ装置、デバイス製造方法、その方法により製造されたデバイス、制御システム、コンピュータ・プログラムおよびコンピュータ・プログラム製品 |
US20040057034A1 (en) * | 2002-09-19 | 2004-03-25 | Zinn Shun Yong | Exposure apparatus including micro mirror array and exposure method using the same |
JP2007505488A (ja) * | 2003-09-12 | 2007-03-08 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影露光設備のための照明系 |
US20060087634A1 (en) * | 2004-10-25 | 2006-04-27 | Brown Jay M | Dynamic illumination uniformity and shape control for lithography |
JP2008258605A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-23 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
JP5582287B2 (ja) * | 2007-11-06 | 2014-09-03 | 株式会社ニコン | 照明光学装置及び露光装置 |
JP2011507293A (ja) * | 2007-12-21 | 2011-03-03 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置 |
WO2009145048A1 (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-03 | 株式会社ニコン | 空間光変調器の検査装置および検査方法、照明光学系、照明光学系の調整方法、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JP2010153875A (ja) * | 2008-12-23 | 2010-07-08 | Carl Zeiss Smt Ag | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム |
JP2013503460A (ja) * | 2009-08-25 | 2013-01-31 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 照明システム、リソグラフィ装置、及び照明モード調整方法 |
JP2013530534A (ja) * | 2010-06-15 | 2013-07-25 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ用の照明光学系及びこの種の照明光学系を有する投影露光系 |
WO2012034571A1 (en) * | 2010-09-14 | 2012-03-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
JP2012099686A (ja) * | 2010-11-04 | 2012-05-24 | Nikon Corp | 光源形成方法、露光方法、及びデバイス製造方法 |
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