JP2015227446A - サファイア板用研磨液組成物 - Google Patents

サファイア板用研磨液組成物 Download PDF

Info

Publication number
JP2015227446A
JP2015227446A JP2015095985A JP2015095985A JP2015227446A JP 2015227446 A JP2015227446 A JP 2015227446A JP 2015095985 A JP2015095985 A JP 2015095985A JP 2015095985 A JP2015095985 A JP 2015095985A JP 2015227446 A JP2015227446 A JP 2015227446A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
sapphire
polished
acid
composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2015095985A
Other languages
English (en)
Inventor
太基 吉野
Taiki Yoshino
太基 吉野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kao Corp
Original Assignee
Kao Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kao Corp filed Critical Kao Corp
Priority to JP2015095985A priority Critical patent/JP2015227446A/ja
Publication of JP2015227446A publication Critical patent/JP2015227446A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09GPOLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00Polishing compositions
    • C09G1/02Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

【課題】研磨速度が大きく、且つ、表面粗さの低減を可能とするサファイア板用研磨液組成物、及びそれを用いたサファイア板の製造方法並びに被研磨サファイア板の研磨方法を提供する。【解決手段】本発明のサファイア板用研磨液組成物は、アルミナ粒子、アニオン性高分子、及び水系媒体を含有する。本発明のサファイア板の製造方法の一例は、被研磨サファイア板に対して、本発明のサファイア板用研磨液組成物を供給して前記被研磨サファイア板を研磨する工程を含む。本発明のサファイア板の製造方法の他の一例は、被研磨サファイア板に対して、本発明のサファイア板用研磨液組成物を供給して前記被研磨サファイア板を研磨する工程と、前記工程で使用した前記サファイア板用研磨液組成物を用いて、前記被研磨サファイア板とは別の被研磨サファイア板を研磨する工程と、を含む。【選択図】なし

Description

本発明は、サファイア板用研磨液組成物、及びそれを用いたサファイア板の製造方法並びに被研磨サファイア板の研磨方法に関する。
サファイア等の硬脆材料は、光学材料、電子材料又は機械材料として必要不可欠である。
例えば、人工サファイア板は、集積回路基盤、赤外線探知用レンズ、時計、スマートフォン等の携帯端末装置等のさまざまな用途の材料として用いられている。特に、携帯端末装置の急速な普及に伴い、そのカバーガラスとして利用されるサファイア板の需要が急増している。携帯端末装置のカバーガラスは、携帯端末装置の美観向上のため、その表面平滑性が高いことが望まれる。
サファイア板の表面平滑性を満足させるために、シリカ粒子を含む研磨液組成物を用いた仕上げ研磨が行われている。サファイア(α−アルミナ、モース硬度9)板よりも低硬度であるシリカ(モース硬度7)粒子を砥粒として用いることにより、サファイア板表面にピットやスクラッチが発生しないようにしている。しかしながら、サファイアは、機械的、化学的、熱的安定性に優れてはいるものの、シリカ粒子を用いた仕上げ研磨において、研磨速度が低いという問題がある。
研磨速度の問題に対し、例えば、特許文献1には、研磨液組成物のpHを制御してシリカ粒子とサファイア基板とのゼータ電位を反対符号にすることにより、研磨速度が向上することが開示されている。また、特許文献4,9,10には、砥粒の分散剤としてアニオン性界面活性剤が添加され、シリカ粒子を砥粒として含む研磨液組成物が開示され、特許文献7には、アルミナ砥粒を含むサファイア研磨用スラリーが、分散剤としてアニオン性界面活性剤を含むことが開示されているが、アニオン性界面活性剤がアニオン性高分子であることまでは開示されていない(特許文献2、3,5,6,8,11も参照)。
特開2011−211178号公報 特開2011−62815号公報 特表2006−524583号公報 特開2009−28814号公報 特開2008−211040号公報 特開2004−168622号公報 WO2011/136387号公報 特開2012−700号公報 特開2011−183530号公報 特表2009−538236号公報 WO2009/151120号公報
一方、生産性の向上を目的としてサファイア板の研磨速度をさらに向上させると同時に、表面平滑性をさらに向上させることが望まれている。
本発明は、研磨速度が大きく、且つ、表面粗さの低減を可能とするサファイア板用研磨液組成物、及びそれを用いたサファイア板の製造方法並びに被研磨サファイア板の研磨方法を提供する。
本発明のサファイア板用研磨液組成物の一例は、アルミナ粒子、アニオン性高分子、及び水系媒体を含有するサファイア板用研磨液組成物である。
本発明のサファイア板用研磨液組成物の他の例は、アルミナ粒子、レオロジー改質剤、及び水系媒体を含有する、サファイア板用研磨液組成物である。
本発明のサファイア板の製造方法の一例は、被研磨サファイア板に対して、本発明のサファイア板用研磨液組成物を供給して前記被研磨サファイア板を研磨する工程を含む、サファイア板の製造方法である。
本発明のサファイア板の製造方法の他の一例は、被研磨サファイア板に対して、本発明のサファイア板用研磨液組成物を供給して前記被研磨サファイア板を研磨する工程と、前記工程で使用した前記サファイア板用研磨液組成物を用いて、前記被研磨サファイア板とは別の被研磨サファイア板を研磨する工程と、を含むサファイア板の製造方法である。
本発明の被研磨サファイア板の研磨方法は、被研磨サファイア板に対して、本発明のサファイア板用研磨液組成物を供給して前記被研磨サファイア板を研磨する工程を含む、被研磨サファイア板の研磨方法である。
本発明によれば、研磨速度が大きく、且つ、表面粗さの低減を可能とするサファイア板用研磨液組成物、及びそれを用いたサファイア板の製造方法並びに被研磨サファイア板の研磨方法を提供できる。
被研磨ガラス基板や被研磨Ni−Pメッキされたアルミニウム合金基板の研磨に用いられる酸性の研磨液組成物にアニオン性高分子を添加した場合、アニオン性高分子が研磨パッド等に吸着して、被研磨対象に対して保護膜として機能するため、研磨速度が低下する、というのが一般的認識である。これに対して、本発明は、被研磨サファイア板の研磨に用いられる研磨液組成物であって、アルミナ粒子と水系媒体とを含む研磨液組成物が、そのpHが酸性、アルカリ性のいずれであっても、アニオン性高分子の添加により、被研磨サファイア板を研磨した場合の研磨速度が向上し、且つ、研磨された被研磨対象の表面(以下「研磨面」とも呼ぶ。)の表面粗さが低減するという、予想外の知見に基づく。
被研磨サファイア板の研磨に、本発明のサファイア板用研磨液組成物(以下「研磨液組成物」)を用いた場合、アニオン性高分子を含まない研磨液組成物を用いる場合よりも、著しいせん断粘度の低下が観察される。このことから、本発明の研磨液組成物では、例えばアニオン性高分子のようなレオロジー改質剤が、凝集したアルミナ粒子を研磨最中にほぐし、その結果、有効砥粒数を増大し且つ有効砥粒の粒径が小さくなることにより、研磨速度が向上し且つ研磨面の表面粗さが低減されるものと推察される。
本発明の研磨液組成物は、アルミナ粒子(成分A)、アニオン性高分子(成分B)、及び水系媒体(成分C)を含む。
[アルミナ粒子(成分A)]
本開示の研磨液組成物は、砥粒としてアルミナ粒子を含む。アルミナ粒子としては、αアルミナ、中間アルミナ、アモルファスアルミナ、ヒュームドアルミナ等が挙げられるが、これらのなかでも、研磨速度向上の観点から、αアルミナが好ましい。
アルミナ粒子の動的光散乱法で測定される平均粒径(平均二次粒子径)は、研磨速度向上の観点から、好ましくは0.2μm以上、より好ましくは0.25μm以上、更に好ましくは0.3μm以上、更により好ましくは0.35μm以上であり、表面粗さの低減の観点から、好ましくは1.0μm以下、より好ましくは0.95μm以下、更に好ましくは0.90μm以下、更により好ましくは0.80μm以下である。尚、該平均二次粒子径は、実施例に記載の方法により求めることができる。
アルミナ粒子のα化率は、一又は複数の実施形態において、研磨速度の向上及び表面粗さの低減の観点から、好ましくは50%以上、より好ましくは60%以上である。このα化率は、粉末X線回折により測定でき、具体的には、例えば、実施例の方法により測定される。
本開示の研磨液組成物中のアルミナ粒子のBET比表面積は、研磨速度向上の観点から10m2/g以上が好ましく、20m2/g以上がより好ましく、40m2/g以上が更に好ましく、同様の観点から、200m2/g以下が好ましく、100m2/g以下がより好ましく、60m2/g以下が更に好ましい。
本開示の研磨液組成物におけるアルミナ粒子の含有量は、研磨速度を向上する観点から、好ましくは3質量%以上、より好ましくは5質量%以上、更に好ましくは7質量%以上、更により好ましくは10質量%以上であり、表面粗さの低減の観点から、好ましくは50質量%以下、より好ましくは40質量%以下、更に好ましくは30量%以下、更により好ましくは20質量%以下である。
[アニオン性高分子(成分B)]
本発明の研磨液組成物は、研磨された被研磨対象の表面粗さの低減及び研磨速度向上の観点から、アニオン性基を有する水溶性高分子(成分B)を含有する。また、本発明の研磨液組成物にアニオン性基を有する水溶性高分子(以下「アニオン性高分子」とも言う。)が含まれていると、研磨耐久性も向上する。アニオン性高分子は、アルミナ粒子の表面に吸着し、電荷反発によりアルミナ粒子の分散性向上及びアルミナ粒子の凝集抑制に寄与する。そのため、アニオン性高分子は、研磨速度向上及び表面粗さの低減に寄与しているものと推定される。尚、「水溶性」とは、水に対して2g/100ml以上の溶解度を有することをいう。
アニオン性高分子(成分B)のアニオン性基としては、カルボン酸基、スルホン酸基、硫酸エステル基、リン酸エステル基、ホスホン酸基等が挙げられる。これらのアニオン性基は中和された塩の形態を取ってもよい。アニオン性高分子は、表面粗さの低減の観点から、スルホン酸基及びカルボン酸基の少なくとも一方を有していると好ましく、後述する糖化合物との相互作用をすることによりアルミナ粒子の分散性を更に向上させる観点から、カルボン酸基を有しているとより好ましい。
本明細書において、「スルホン酸基」とはスルホン酸基及び/又はその塩をいい、「カルボン酸基」とはカルボン酸基及び/又はその塩をいう。スルホン酸基又はカルボン酸基が塩の形態を取る場合の対イオンについて、特に限定はないが、具体的には、金属イオン、アンモニウムイオン、アルキルアンモニウムイオン等が挙げられる。金属の具体例としては、周期律表(長周期型)1A、1B、2A、2B、3A、3B、4A、6A、7A又は8族に属する金属等が挙げられる。これらの金属の中でも、表面粗さ低減の観点から1A、3B、又は8族に属する金属が好ましく、1A族に属するナトリウム及びカリウムがより好ましい。アルキルアンモニウムの具体例としては、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム等が挙げられる。上記対イオンの中でも、アンモニウムイオン、ナトリウムイオン及びカリウムイオンからなる群から選ばれる少なくとも1種がより好ましい。
スルホン酸基及びカルボン酸基の少なくとも一方を有するアニオン性高分子は、スルホン酸基を有する単量体、カルボン酸基を有する単量体等のイオン性親水基を有する単量体を重合することにより得られたものであることが好ましい。これら単量体の重合は、ランダム、ブロック、又はグラフトのいずれでも良い。
スルホン酸基を有する単量体としては、例えば、イソプレンスルホン酸、2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、スチレンスルホン酸、メタリルスルホン酸、ビニルスルホン酸、アリルスルホン酸、イソアミレンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸等が挙げられる。カルボン酸基を有する単量体としては、例えば、イタコン酸、(メタ)アクリル酸、マレイン酸等が挙げられる。これらの単量体の中でも、研磨された被研磨対象の表面粗さの低減の観点から、(メタ)アクリル酸が好ましく、アクリル酸がより好ましい。即ち、アニオン性高分子は、(メタ)アクリル酸由来の構成単位を含んでいると好ましく、アクリル酸由来の構成単位を含んでいるとより好ましい。
アニオン性高分子が、(メタ)アクリル酸由来の構成単位を含む場合、アニオン性高分子の全構成単位中に占める(メタ)アクリル酸由来の構成単位の割合は、研磨された被研磨対象の表面粗さの低減の観点から、好ましくは50モル%以上、より好ましくは60モル%以上、更に好ましくは70モル%以上、また、研磨速度向上の観点から、好ましくは90モル%以上、より好ましくは95%以上、更に好ましくは98モル%以上、更により好ましくは100モル%である。
また、スルホン酸基及びカルボン酸基の少なくとも一方を有するアニオン性高分子の合成には、スルホン酸基を有する単量体及びカルボン酸基を有する単量体以外の単量体を用いることもできる。アニオン性高分子の重合に用いることができる他の単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、p−メチルスチレン等の芳香族ビニル化合物、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸オクチル等の(メタ)アクリル酸アルキルエステル類、ブタジエン、イソプレン、2−クロル−1,3−ブタジエン、1−クロル−1,3−ブタジエン等の脂肪族共役ジエン、(メタ)アクリロニトリル等のシアン化ビニル化合物、ビニルホスホン酸、メタクロイルオキシメチルリン酸、メタクロリルオキシエチルリン酸、メタクロイルオキシブチルリン酸、メタクロリルオキシヘキシルリン酸、メタクロリルオキシオクチルリン酸、メタクロリルオキシデシルリン酸、メタクロリルオキシラウリルリン酸、メタロイルオキシステアリルリン酸、メタクロイルオキシ1、4−ジメチルシクロヘキシルリン酸等のホスホン酸化合物等が挙げられる。これらの単量体は1種又は2種以上使用できる。
スルホン酸基及びカルボン酸基の少なくとも一方を有するアニオン性高分子の好ましい具体例としては、研磨された被研磨対象の表面粗さの低減の観点から、ポリアクリル酸、(メタ)アクリル酸/イソプレンスルホン酸共重合体、(メタ)アクリル酸/2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸共重合体、(メタ)アクリル酸/イソプレンスルホン酸/2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸共重合体、(メタ)アクリル酸/マレイン酸共重合体、スチレンスルホン酸のホルマリン縮合物、及びスチレン/イソプレンスルホン酸共重合体が挙げられる。これらのアニオン性高分子の中でも、研磨された被研磨対象の表面粗さの低減の観点から、ポリアクリル酸、及び(メタ)アクリル酸/2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸共重合体から選ばれる一種以上のアニオン性高分子が好ましく、ポリアクリル酸がさらに好ましい。
[アニオン性高分子の重量平均分子量]
アニオン性高分子の重量平均分子量は、研磨された被研磨対象の表面粗さの低減の観点から、500以上が好ましく、1000以上がより好ましく、1500以上が更により好ましい。また、アニオン性高分子の重量平均分子量は、研磨された被研磨対象の表面粗さの低減の観点から、12万以下が好ましく、10万以下がより好ましく、3万以下が更に好ましく、1万以下が更により好ましく、8000以下が更により好ましい。
なお、上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法を下記の条件で適用して得たクロマトグラム中のピークに基づいて算出できる。
カラム:G4000PWXL+G2500PWXL(東ソー株式会社)
溶離液:(0.2Mリン酸バッファー)/(CH3CN)=9/1(容量比)
流量:1.0mL/min
カラム温度:40℃
検出器:RI検出器
標準物質:ポリアクリル酸換算
スルホン酸基及びカルボン酸基の少なくとも一方を有するアニオン性高分子のアニオン性基の一部は、中和された塩の形態を取ってもよい。アニオン性基の一部が塩の形態を取る場合の対イオンとしては、特に限定はなく、金属イオン、アンモニウムイオン、アルキルアンモニウムイオン等が挙げられる。
研磨液組成物におけるアニオン性高分子(成分B)の含有量は、研磨された被研磨対象の表面粗さの低減の観点から、1質量ppm以上が好ましく、より好ましくは10質量ppm以上、更に好ましくは100質量ppm以上、更により好ましくは200質量ppm以上である。また、研磨液組成物におけるアニオン性高分子(成分B)の含有量は、研磨された被研磨対象の表面粗さの低減の観点から、5000質量ppm以下が好ましく、より好ましく4000質量ppm以下、更に好ましくは3000質量ppm以下、更により好ましくは2000質量ppm以下である。
研磨液組成物中における、アルミナ粒子(成分A)とアニオン性高分子(成分B)との含有量比[アルミナ粒子の含有量(質量ppm)/アニオン性高分子の含有量(質量ppm)]は、研磨された被研磨対象の表面粗さの低減の観点から、好ましくは10以上、より好ましく20以上、更に好ましくは50以上、更により好ましくは100以上であり、研磨速度との両立の観点から、好ましくは200000以下、より好ましくは20000以下、更に好ましくは2000以下である。
本発明の研磨液組成物に含まれるレオロジー改質剤としては、せん断粘度を低減できるものであれば、前記アニオン性高分子に限定されず、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、n―ポリビニルホルムアミド等のビニル系ポリマー、ポリエチレングリコール、ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレングリコール、ポリプロピレンオキサイド等のポリアルキレンオキサイド及びそれらの共重合体、及び上記ポリマーを構造の一部に含む他のポリマ―との共重合体から選ばれる少なくとも1種の高分子であってもよい。これらの高分子は、前記アニオン性高分子と併用されてもよい。
[水系媒体(成分C)]
本発明の研磨液組成物に含まれる水系媒体(成分C)としては、イオン交換水や超純水等の水、又は水と溶媒との混合媒体等が挙げられ、上記溶媒としては、水と混合可能な溶媒(例えば、エタノール等のアルコール)が好ましい。水系媒体としては、なかでも、イオン交換水又は超純水がより好ましく、超純水が更に好ましい。本発明の成分Cが、水と溶媒との混合媒体である場合、混合媒体全体に対する水の割合は、特に限定されるわけではないが、経済性の観点から、95質量%以上が好ましく、98質量%以上がより好ましく、実質的に100質量%が更に好ましく、100質量%が更により好ましい。
本発明の研磨液組成物における水系媒体(成分C)の含有量は、特に限定されるわけではなく、成分A、成分B、後述する任意成分の残余であってよい。
本発明の研磨液組成物の25℃におけるpHは、研磨速度向上の観点から、pHが4−9以外の強酸性領域又は強アルカリ性領域が好ましく、強酸性領域では好ましくは3以下、より好ましくは2以下であり、強アルカリ性領域では好ましくは10以上、より好ましくは11以上であり、好ましくは14未満である。
25℃の本発明の研磨液組成物の、25℃50%RHの環境にて測定したせん断速度100(1/s)におけるせん断粘度(Pa・s)は、研磨速度の向上及び表面粗さの低減の観点から、好ましくは0.01(Pa・s)以下、より好ましくは0.008(Pa・s)以下、更に好ましくは0.007(Pa・s)以下であり、研磨耐久性の観点から、好ましくは0.001(Pa・s)以上、より好ましくは0.0015(Pa・s)以上、更に好ましくは0.002(Pa・s)以上である。
本発明の研磨液組成物に含まれるレオロジー改質剤は、せん断粘度を低減する機能を有するため、せん断粘度低減剤と言うこともできる。下記式により算出されるせん断粘度比は、研磨された被研磨対象の表面粗さの低減及び研磨速度向上の観点から、好ましくは0.6以下、より好ましくは0.4以下、更に好ましくは0.3以下であり、研磨速度向上の観点から、好ましくは0.01以上、より好ましくは0.05以上、更に好ましくは0.1以上である。尚、本願において、せん断粘度は、研磨液組成物(25℃)を25℃50%RHの環境にて、パラレルプレート型レオメーターを用い、プレート間ギャップを100μmとして測定した値であり、後述する実施例に記載の方法により求めることができる。
せん断粘度比=(研磨液組成物のせん断速度100(1/s)におけるせん断粘度)/(レオロジー改質剤を含まないこと以外は前記研磨液組成物と同じ組成の研磨液組成物のせん断速度100(1/s)におけるせん断粘度)
本発明の研磨液組成物は、その使用用途に応じて、従来から公知の任意成分を更に含んでいてもよい。本発明の研磨液組成物が、例えば、スマートフォン等の携帯端末装置用のサファイア板用研磨液組成物である場合、本発明の研磨液組成物は、後述する糖骨格を有する化合物(成分D)、酸化剤(成分E)、アルカリ性高分子(成分B)以外の分散剤、pH調整剤(酸、アルカリ)(成分F)、無機リン酸塩化合物(成分G)等を更に含んでいてもよい。
[糖骨格を有する化合物(成分D)]
本発明の研磨液組成物は、研磨速度向上、研磨された被研磨対象の表面粗さの低減、及び研磨耐久性の向上の観点から、糖化合物もしくはその誘導体(以下、これらを総称して「糖骨格を有する化合物」と呼ぶ)を含んでいると好ましい。アニオン性高分子のカルボキシル基と糖骨格を有する化合物(成分D)の水酸基が相互作用することにより、バルキーな糖骨格を有する化合物(成分D)がアニオン性高分子を介してアルミナ粒子に吸着することにより、アルミナ粒子の分散性が更に向上し、その結果、研磨速度の更なる向上、且つ、研磨された被研磨対象の表面粗さの更なる低減が可能となっているものと推察される。また、バルキーな糖骨格を有する化合物(成分D)がサファイア板研磨時の砥粒凝集を抑制する結果、研磨耐久性が向上し、研磨速度の低下をより長期に渡り抑制できる。また、アニオン性高分子(成分B)と糖骨格を有する化合物(成分D)とを併用した本発明の研磨液組成物の一例では、更に顕著なせん断粘度の低下が観察される。
糖骨格を有する化合物(成分D)は、単糖類、二糖類、オリゴ糖、多糖類、糖アルコールのいずれであってもよい。単糖類としては、グルコース、フルクトース、キシロース、アラビノース、エリトロースガラクトース、キシルロース等が挙げられ、二糖類としては、スクロース、マルトース、ラクトース等が挙げられ、糖アルコールとしては、キシリトール、エリスリトール、マルチトール、ソルビトール等が挙げられる。これらの糖骨格を有する化合物(成分D)は一種単独で用いてもよいが二種以上を混合して用いてもよい。上記糖骨格を有する化合物(成分D)の中でも、研磨速度向上の観点及び研磨された被研磨対象の表面粗さの低減の観点から、糖アルコール又は単糖類、二糖類が好ましく、ソルビトール、スクロース、ガラクトース、及びマルチトールからなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物が好ましく、ソルビトールがより好ましい。
研磨液組成物における糖骨格を有する化合物(成分D)の含有量は、研磨速度向上、研磨された被研磨対象の表面粗さの低減、及び研磨耐久性の向上の観点から、10質量ppm以上が好ましく、より好ましくは50質量ppm以上、更に好ましくは100質量ppm以上、更により好ましくは500質量ppm以上である。また、研磨液組成物における糖骨格を有する化合物(成分D)の含有量は、研磨された被研磨対象の表面粗さの低減の観点から、10000質量ppm以下が好ましく、より好ましくは5000質量ppm以下、更に好ましくは3000質量ppm以下、更により好ましくは1000質量ppm以下である。
研磨液組成物中における、アニオン性高分子(成分B)と糖骨格を有する化合物(成分D)の含有量比[糖骨格を有する化合物の含有量(質量ppm)/アニオン性高分子の含有量(質量ppm)]は、研磨速度向上、研磨された被研磨対象の表面粗さの低減、及び研磨耐久性の向上の観点から、好ましくは0.01以上、より好ましく0.1以上、更に好ましくは0.5以上、更により好ましくは1以上である。また、含有量比[糖骨格を有する化合物の含有量(質量ppm)/アニオン性高分子の含有量(質量ppm)]は、研磨速度向上、研磨された被研磨対象の表面粗さの低減、及び研磨耐久性の向上の観点から、好ましくは5000以下、より好ましく1000以下、更に好ましくは100以下、更により好ましくは50以下である。
[酸化剤(成分E)]
本発明の研磨液組成物には、酸化剤(成分E)が更に含まれていてもよい。酸化剤(成分E)としては、研磨速度向上、及び研磨された被研磨対象の表面粗さの低減の観点から、過酸化物、過マンガン酸又はその塩、クロム酸又はその塩、ペルオキソ酸又はその塩、酸素酸又はその塩、金属塩類、硝酸類、硫酸類等が挙げられる。これらの酸化剤は、単独で又は2種以上を混合して使用してもよい。
前記過酸化物としては、過酸化水素、過酸化ナトリウム、過酸化バリウム等が挙げられる。過マンガン酸又はその塩としては、過マンガン酸カリウム等が挙げられる。クロム酸又はその塩としては、クロム酸金属塩、重クロム酸金属塩等が挙げられる。ペルオキソ酸又はその塩としては、ペルオキソ二硫酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸金属塩、ペルオキソリン酸、ペルオキソ硫酸、ペルオキソホウ酸ナトリウム、過ギ酸、過酢酸、過安息香酸、過フタル酸等が挙げられる。酸素酸又はその塩としては、次亜塩素、次亜臭素酸、次亜ヨウ素酸、塩素酸、臭素酸、ヨウ素酸、次亜塩素酸ナトリウム、次亜塩素酸カルシウム等が挙げられる。金属塩類としては、塩化鉄(III)、硝酸鉄(III)、硫酸鉄(III)、クエン酸鉄(III)、硫酸アンモニウム鉄(III)等が挙げられる。
酸化剤(成分E)としては、研磨速度向上、及び研磨された被研磨対象の表面粗さの低減の観点から、好ましくは、過酸化水素、硝酸鉄(III)、過酢酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、硫酸鉄(III)及び硫酸アンモニウム鉄(III)等であり、より好ましくは、表面に金属イオンが付着せず汎用に使用され安価であるという観点から過酸化水素である。
研磨液組成物中における前記酸化剤(成分E)の含有量は、研磨速度向上、及び研磨された被研磨対象の表面粗さの低減の観点から、好ましくは1000質量ppm以上、より好ましくは1500質量ppm以上、更に好ましくは2000質量ppm以上であり、研磨された被研磨対象の表面粗さの低減の観点から、好ましくは10000質量ppm以下、より好ましくは8500質量ppm以下、更に好ましくは8000質量ppm以下である。
[pH調整剤(成分F)]
本発明の研磨液組成物には、研磨速度向上の観点から、pH調整剤(成分F)として酸又はアルカリが含まれていてもよい。アルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられる。酸は、硫酸、塩酸、硝酸又はリン酸等の無機酸、酢酸、乳酸、コハク酸、クエン酸、ニコチン酸、シュウ酸、マロン酸、リンゴ酸、酒石酸、マレイン酸、グルコン酸等の有機酸等が挙げられる。これらの酸は、1種単独で用いてもよいし2種以上を用いてもよいが、研磨速度の向上、研磨された被研磨対象の表面粗さの低減の観点から、無機酸と有機酸の両方を含んでいると好ましい。
pH調整剤(成分F)が、研磨速度の向上、研磨された被研磨対象の表面粗さの低減の観点から、無機酸と有機酸の両方を含む場合の無機酸と有機酸の組み合わせは、好ましくは硫酸/クエン酸、硫酸/酒石酸、硫酸/マレイン酸、リン酸/クエン酸、リン酸/酒石酸であり、より好ましくは硫酸/クエン酸、硫酸/酒石酸、リン酸/クエン酸であり、更に好ましくは硫酸/クエン酸である。
酸が、無機酸と有機酸の両方を含む場合の無機酸と有機酸の質量比(無機酸の質量/有機酸の質量)は、研磨耐久性向上の観点から、好ましくは0.1以上、より好ましくは0.2以上、更に好ましくは0.5以上であり、研磨速度向上の観点から、好ましくは10以下、より好ましくは5以下、更に好ましくは3以下である。
有機酸は、水系媒体に対する溶解性が高い塩の形で研磨液組成物の製造に用いられるのが好ましく、アルカリ金属塩等が好ましく用いられる。有機酸のアルカリ金属塩としては、例えば、酢酸、乳酸、コハク酸、クエン酸、ニコチン酸、シュウ酸、マロン酸、リンゴ酸、酒石酸、マレイン酸、グルコン酸のアルカリ金属塩が挙げられるが、これらの中でも、研磨速度向上の観点から、1分子内に2個以上のカルボキシル基有する有機酸塩が好ましく、クエン酸トリナトリウム又はマレイン酸ジナトリウムがより好ましく、クエン酸トリナトリウムが更に好ましい。
[無機リン酸塩化合物(成分G)]
本発明の研磨液組成物は、研磨速度向上と表面粗さの低減の観点から、無機リン酸塩化合物(成分G)を含んでいると好ましい。無機リン酸塩化合物としては、研磨速度向上と表面粗さの低減の観点から、オルトリン酸塩、亜リン酸塩、及び次亜リン酸塩からなる群から選ばれる1種以上の無機リン酸塩化合物が好ましく、オルトリン酸塩、亜リン酸塩がより好ましい。また、無機リン酸塩化合物は、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、又はアンモニウム塩であると好ましい。アルカリ金属又はアルカリ土類金属としては、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、及びカリウムが好ましい。これらのなかでも、アルミナ粒子の凝集抑制の観点から、無機リン酸塩化合物は、ナトリウム塩、カリウム塩及びアンモニウム塩から選ばれる少なくとも1種がより好ましい。
無機リン酸塩化合物(成分G)の具体例としては、研磨速度向上と表面粗さの低減の観点から、リン酸ナトリウム(Na3PO4)、リン酸カリウム(K3PO4)、リン酸一水素二ナトリウム(Na2HPO4)、リン酸二水素一ナトリウム(NaH2PO4)、リン酸二水素一カリウム(KH2PO4)、リン酸二水素一アンモニウム(NH42PO4)、リン酸一水素二カリウム(K2HPO4)、リン酸一水素二アンモニウム((NH42HPO4)等のオルトリン酸塩;亜リン酸ナトリウム(Na2HPO3)、亜リン酸カリウム(K2HPO3)等の亜リン酸塩;次亜リン酸ナトリウム(NaH2PO2)、次亜リン酸カリウム(KH2PO2)、次亜リン酸アンモニウム(NH42PO2)等の次亜リン酸塩が挙げられるが、これらの中でも、研磨速度向上と表面粗さの低減の観点から、リン酸一水素二ナトリウム、リン酸一水素二カリウム、亜リン酸ナトリウム、次亜リン酸ナトリウム、リン酸一水素二アンモニウム((NH42HPO4)及び次亜リン酸アンモニウムからなる群から選ばれる1種以上の無機リン酸塩化合物が好ましい。また、これらの無機塩は水和物構造をしていてもよい。
本発明の研磨液組成物に含まれる無機リン酸塩化合物(成分G)の含有量は、研磨速度向上と表面粗さの低減の観点から、好ましくは1質量ppm以上、より好ましくは10質量ppm以上、更に好ましくは100質量ppm以上、更により好ましくは200質量ppm以上、更により好ましくは500質量ppm以上、更により好ましくは800ppm以上である。また、本発明の研磨液組成物に含まれる無機リン酸塩化合物(成分G)の含有量は、研磨された被研磨対象の表面粗さの低減の観点から、好ましくは5000質量ppm以下、より好ましく4000質量ppm以下、更に好ましくは3000質量ppm以下、更により好ましくは2000質量ppm以下である。
本発明の研磨液組成物中における、アルミナ粒子(成分A)と無機リン酸塩化合物(成分G)との含有量比[アルミナ粒子の含有量(質量ppm)/無機リン酸塩化合物の含有量(質量ppm)]は、表面粗さの低減の観点から、好ましくは2以上、より好ましく20以上、更に好ましくは100以上、好ましくは10000以下、より好ましく4000以下、更に好ましくは1000以下である。
[研磨液組成物の調製方法]
本発明の研磨液組成物は、各成分を公知の方法で混合することにより、調製することができる。研磨液組成物は、経済性の観点から、通常、濃縮液として製造され、これを使用時に希釈する場合が多い。前記研磨液組成物は、そのまま使用してもよいし、濃縮液であれば希釈して使用すればよい。
次に、本発明の研磨液組成物を用いた、本発明のサファイア板の製造方法の一例、及び本発明の被研磨サファイア板の研磨方法の一例について説明する。
[被研磨対象]
本発明のサファイア板の製造方法の一例(「本発明の製造方法の一例」と略称する場合もある。)、及び本発明の被研磨サファイア板の研磨方法の一例(「本発明の研磨方法の一例」と略称する場合もある。)において研磨される被研磨対象の形状について特に制限はなく、例えば、ディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状等の平面部を有する形状のみならず、レンズ等の曲面部を有する形状であってもよい。また、前記被研磨対象は、スマートフォン等の携帯端末装置のカバーガラスとして用いられるサファイア板、LED用サファイア基板等さまざまであるが、本発明の研磨液組成物は、中でも、前記携帯端末装置のカバーガラスとして用いられるサファイア板の製造方法の研磨工程で使用される研磨液組成物として適している。
故に、本発明のサファイア板の製造方法の一例は、携帯端末装置用サファイア板の製造方法であって、本発明の研磨液組成物を用いて被研磨サファイア板を研磨する工程を含む。また、本発明の被研磨サファイア板の研磨方法の一例は、携帯端末装置用サファイア板の研磨方法であって、本発明の研磨液組成物を用いて被研磨サファイア板を研磨する工程を含む。
尚、本発明の研磨液組成物に含まれるアルミナ粒子の平均粒径が小さく、例えば0.2μm以上1μm以下である場合は、本発明の研磨液組成物は、高い平滑性が要求される半導体素子等の電子部品用サファイア基板、さらには、LED用サファイア基板の製造方法の研磨工程で使用される研磨液組成物として適している。
前記被研磨サファイア板を研磨する工程は、サファイア単結晶インゴットを薄円板状にスライスして得たウェーハを平面化する第一研磨工程(粗研磨工程)と粗研磨されたウェーハをエッチングした後、ウェーハ表面を鏡面化する第二研磨工程(仕上げ研磨)に分かれるが、本発明の研磨液組成物は、第一研磨工程及び第二研磨工程のいずれにも使用できる。しかし、本発明の研磨液組成物は、サファイア板の表面平滑性及び生産性の向上の観点から、第二研磨工程に使用するのが好ましい。第一研磨工程では、ダイヤモンドを砥粒として含む研磨液組成物を用いるのが一般的である。
本発明の製造方法の一例及び本発明の研磨方法の一例で用いる研磨装置としては、特に制限はなく、被研磨サファイア板を保持する冶具(キャリア:アラミド製等)と研磨布(研磨パッド)とを備える研磨装置を用いることができ、両面研磨装置及び片面研磨装置のいずれであってもよい。
前記研磨パッドは、特に制限されず、従来公知のものが使用できる。研磨パッドの材質としては、有機高分子等が挙げられ、前記有機高分子としては、ポリウレタン等が挙げられる。前記研磨パッドの形状は、不織布状が好ましい。例えば、不織布研磨パッドとしてSUBA800(ニッタハース製)が好適に用いられる。
該研磨装置を用いる、本発明の製造方法の一例及び本発明の研磨方法の一例では、被研磨サファイア板をキャリアで保持し研磨パッドを貼り付けた研磨定盤で被研磨サファイア板を挟み込み、本発明の研磨液組成物を研磨パッドと被研磨サファイア板との間に供給し、被研磨サファイア板と前記研磨パッドとを接触させながら、研磨パッド及び/又は被研磨サファイア板を動かすことにより、被研磨サファイア板を研磨する工程を含む。
本発明の製造方法の一例及び研磨方法の一例における研磨荷重は、研磨速度向上の観点から、50g/cm2以上が好ましく、100g/cm2以上がより好ましく、150g/cm2以上が更に好ましく、200g/cm2以上が更により好ましい。また、前記研磨荷重は、装置、パッドなどの耐久性を考慮すると、400g/cm2以下が好ましく、350g/cm2以下がより好ましい。前記研磨荷重の調整は、定盤や被研磨サファイア板等への空気圧や重りの負荷によって行うことができる。研磨荷重は、研磨時に被研磨サファイア板の研磨面に加えられる定盤の圧力を意味する。
本発明の研磨液組成物の供給方法は、予め研磨液組成物の構成成分が十分に混合された状態で研磨パッドと被研磨サファイア板の間にポンプ等で供給する方法、研磨の直前の供給ライン内等で前記構成成分を混合して供給する方法等を用いることができる。研磨速度向上の観点及び装置負荷低減の観点から、予め研磨液組成物の構成成分が十分に混合された状態で、研磨液組成物を、研磨パッドと被研磨サファイア板の間にポンプ等で供給する方法が好ましい。
研磨液組成物の供給速度は、コスト低減の観点から、被研磨サファイア板1cm2あたり20mL/分以下が好ましく、10mL/分以下がより好ましく、5mL/分以下が更に好ましい。また、前記供給速度は、研磨速度向上の観点から、被研磨サファイア板1cm2あたり0.01mL/分以上が好ましく、0.1mL/分以上がより好ましく、0.5mL/分以上が更に好ましい。
本発明の製造方法の一例及び本発明の研磨方法の一例では、本発明の研磨液組成物を用いているので、被研磨サファイア板の研磨速度が速く、研磨後の基板表面の表面粗さを低減できる。
本発明の製造方法の他の一例では、被研磨サファイア板に対して、本発明の研磨液組成物を供給して前記被研磨サファイア板を研磨する工程と、前記工程で使用した前記研磨液組成物を用いて、前記被研磨サファイア板とは別の被研磨サファイア板を研磨する工程と、を含む。このような、循環研磨を行う本発明の製造方法において、本発明の研磨液組成物、特に、糖骨格を有する化合物(成分D)を含む研磨液組成物を用いれば、表面粗さが低減されたサファイア板を生産性よく製造できる。
本発明は、更に以下〈1〉〜〈33〉を開示する。
〈1〉アルミナ粒子、アニオン性高分子、及び水系媒体を含有する、サファイア板用研磨液組成物。
〈2〉前記アニオン性高分子が、好ましくは(メタ)アクリル酸由来の構成単位を含み、より好ましくはアクリル酸由来の構成単位を含む、〈1〉に記載のサファイア板用研磨液組成物。
〈3〉アニオン性高分子の全構成単位中に占める(メタ)アクリル酸由来の構成単位の割合が、好ましくは50モル%以上、より好ましくは60モル%以上、更に好ましくは70モル%以上、更により好ましくは90モル%以上、更により好ましくは95%以上、更により好ましくは98モル%以上、更により好ましくは100モル%である、〈2〉に記載のサファイア板用研磨液組成物。
〈4〉前記アニオン性高分子が、好ましくはポリアクリル酸、及び(メタ)アクリル酸/2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸共重合体から選ばれる一種以上のアニオン性高分子、より好ましくはポリアクリル酸である、〈1〉から〈3〉のいずれかに記載のサファイア板用研磨液組成物。
〈5〉前記アニオン性高分子の重量平均分子量は、500以上が好ましく、1000以上がより好ましく、1500以上が更により好ましく、12万以下が好ましく、10万以下がより好ましく、3万以下が更に好ましく、1万以下が更により好ましく、8000以下が更により好ましい、〈1〉から〈4〉のいずれかに記載のサファイア板用研磨液組成物。
〈6〉前記サファイア板用研磨液組成物におけるアニオン性高分子の含有量が、好ましくは1質量ppm以上、より好ましくは10質量ppm以上、更に好ましくは100質量ppm以上、更により好ましくは200質量ppm以上であり、好ましくは5000質量ppm以下、より好ましく4000質量ppm以下、更に好ましくは3000質量ppm以下、更により好ましくは2000質量ppm以下である、〈1〉から〈5〉のいずれかに記載のサファイア板用研磨液組成物。
〈7〉前記サファイア板用研磨液組成物における、前記アルミナ粒子と前記アニオン性高分子との含有量比[アルミナ粒子の含有量(質量ppm)/アニオン性高分子の含有量(質量ppm)]は、好ましくは10以上、より好ましく20以上、更に好ましくは50以上、更により好ましくは100以上であり、好ましくは200000以下、より好ましくは20000以下、更に好ましくは2000以下である、〈1〉から〈6〉のいずれかに記載のサファイア板用研磨液組成物。
〈8〉好ましくは更に糖化合物及び/又はその誘導体を含有する、〈1〉から〈7〉のいずれかに記載のサファイア板用研磨液組成物。
〈9〉前記糖化合物及び/又はその誘導体は、好ましくは糖アルコール、単糖類、又は二糖類であり、更に好ましくはソルビトール、スクロース、ガラクトース、及びマルチトールからなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物である、〈1〉から〈8〉のいずれかに記載のサファイア板用研磨液組成物。
〈10〉前記サファイア板用研磨液組成物における前記糖化合物及び/又はその誘導体の含有量は、好ましくは10質量ppm以上、より好ましくは50質量ppm以上、更に好ましくは100質量ppm以上、更により好ましくは500質量ppm以上であり、好ましくは10000質量ppm以下、より好ましくは5000質量ppm以下、更に好ましくは3000質量ppm以下、更により好ましくは1000質量ppm以下である、〈1〉から〈9〉のいずれかに記載のサファイア板用研磨液組成物。
〈11〉前記サファイア板用研磨液組成物における、アニオン性高分子と前記糖化合物及び/又はその誘導体の含有量比[前記糖化合物及び/又はその誘導体の含有量(質量ppm)/アニオン性高分子の含有量(質量ppm)]は、好ましくは0.01以上、より好ましく0.1以上、更に好ましくは0.5以上、更により好ましくは1以上であり、好ましくは5000以下、より好ましく1000以下、更に好ましくは100以下、更により好ましくは50以下である、〈1〉から〈10〉のいずれかに記載のサファイア板用研磨液組成物。
〈12〉好ましくは更に酸化剤を含有する、〈1〉から〈11〉のいずれかに記載のサファイア板用研磨液組成物。
〈13〉好ましくは更に酸を含有する、〈1〉から〈12〉のいずれかに記載のサファイア板用研磨液組成物。
〈14〉前記酸が、好ましくは有機酸及び無機酸を含む、〈13〉に記載のサファイア板用研磨液組成物。
〈15〉前記有機酸が、好ましくはクエン酸、前記無機酸が硫酸である、〈14〉に記載のサファイア板用研磨液組成物。
〈16〉好ましくは更に無機リン酸塩化合物を含有する、〈1〉から〈15〉のいずれかに記載のサファイア板用研磨液組成物。
〈17〉 前記無機リン酸塩化合物は、好ましくはオルトリン酸塩、亜リン酸塩、及び次亜リン酸塩からなる群から選ばれる1種以上の無機リン酸塩化合物、より好ましくはオルトリン酸塩及び亜リン酸塩からなる群から選ばれる1種以上の無機リン酸塩化合物である、〈16〉に記載のサファイア板用研磨液組成物。
〈18〉 前記の無機リン酸塩化合物は、好ましくはアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、及びアンモニウム塩のうちの何れか1種又は2種以上、より好ましくはナトリウム塩、カリウム塩及びアンモニウム塩から選ばれる少なくとも1種である、〈16〉又は〈17〉に記載のサファイア板用研磨液組成物。
〈19〉 前記の無機リン酸塩化合物は、好ましくはリン酸ナトリウム(Na3PO4)、リン酸カリウム(K3PO4)、リン酸一水素二ナトリウム(Na2HPO4)、リン酸二水素一ナトリウム(NaH2PO4)、リン酸二水素一カリウム(KH2PO4)、リン酸二水素一アンモニウム(NH42PO4)、リン酸一水素二カリウム(K2HPO4)、リン酸一水素二アンモニウム((NH42HPO4)、亜リン酸ナトリウム(Na2HPO3)、亜リン酸カリウム(K2HPO3)、次亜リン酸ナトリウム(NaH2PO2)、次亜リン酸カリウム(KH2PO2)及び次亜リン酸アンモニウム(NH42PO2)からなる群から選ばれる1種以上の無機リン酸塩化合物、より好ましくはリン酸一水素二ナトリウム、リン酸一水素二カリウム、亜リン酸ナトリウム、次亜リン酸ナトリウム、リン酸一水素二アンモニウム及び次亜リン酸アンモニウムからなる群から選ばれる1種以上の無機リン酸塩化合物である、〈16〉から〈18〉のいずれかに記載のサファイア板用研磨液組成物。
〈20〉 前記サファイア板用研磨液組成物における無機リン酸塩化合物(成分G)の含有量は、好ましくは1質量ppm以上、より好ましくは10質量ppm以上、更に好ましくは100質量ppm以上、更により好ましくは200質量ppm以上、更により好ましくは500質量ppm以上、更により好ましくは800ppm以上であり、好ましくは5000質量ppm以下、より好ましくは4000質量ppm以下、更に好ましくは3000質量ppm以下、更により好ましくは2000質量ppm以下である、〈16〉から〈19〉のいずれかに記載のサファイア板用研磨液組成物。
〈21〉 前記サファイア板用研磨液組成物における、アルミナ粒子(成分A)と無機リン酸塩化合物(成分G)との含有量比[アルミナ粒子の含有量(質量ppm)/無機リン酸塩化合物の含有量(質量ppm)]は、好ましくは2以上、より好ましく20以上、更に好ましくは100以上、好ましくは10000以下、より好ましく4000以下、更に好ましくは1000以下である、〈16〉から〈20〉のいずれかに記載のサファイア板用研磨液組成物。
〈22〉前記サファイア板用研磨液組成物の25℃におけるpHが、好ましくは10以上、より好ましくは11以上であり、好ましくは14未満である、〈1〉から〈21〉のいずれかに記載のサファイア板用研磨液組成物。
〈23〉前記アルミナ粒子の動的光散乱法で測定される平均粒径が、好ましくは0.2μm以上、より好ましくは0.25μm以上、更に好ましくは0.3μm以上、更により好ましくは0.35μm以上であり、好ましくは1.0μm以下、より好ましくは0.95μm以下、更に好ましくは0.90μm以下、更により好ましくは0.80μm以下である、〈1〉から〈22〉のいずれかに記載のサファイア板用研磨液組成物。
〈24〉前記サファイア板用研磨液組成物におけるアルミナ粒子の含有量が、好ましくは3質量%以上、より好ましくは5質量%以上、更に好ましくは7質量%以上、更により好ましくは10質量%以上であり、好ましくは50質量%以下、より好ましくは40質量%以下、更に好ましくは30量%以下、更により好ましくは20質量%以下である、〈1〉から〈23〉のいずれかに記載のサファイア板用研磨液組成物。
〈25〉 アルミナ粒子、レオロジー改質剤、及び水系媒体を含有する、サファイア板用研磨液組成物。
〈26〉 前記レオロジー改質剤がアニオン性高分子であり、好ましくは(メタ)アクリル酸由来の構成単位を含み、より好ましくはアクリル酸由来の構成単位を含む、〈25〉に記載のサファイア板用研磨液組成物。
〈27〉 好ましくは更に糖骨格を有する化合物を含有する、〈25〉又は〈26〉に記載のサファイア板用研磨液組成物。
〈28〉 好ましくは更に無機リン酸塩化合物を含有する、〈25〉から〈27〉のいずれかに記載のサファイア板用研磨液組成物。
〈29〉 25℃50%RHの環境にて測定した、25℃の前記サファイア板用研磨液組成物の、せん断速度100(1/s)におけるせん断粘度(Pa・s)は、好ましくは0.01(Pa・s)以下、より好ましくは0.008(Pa・s)以下、更に好ましくは0.007(Pa・s)以下であり、好ましくは0.001(Pa・s)以上、より好ましくは0.0015(Pa・s)以上、更に好ましくは0.002(Pa・s)以上である、〈1〉から〈28〉のいずれかに記載のサファイア板用研磨液組成物。
〈30〉 下記式により算出されるせん断粘度比が、好ましくは0.6以下、より好ましくは0.4以下、更に好ましくは0.3以下であり、好ましくは0.01以上、より好ましくは0.05以上、更に好ましくは0.1以上である、〈1〉から〈29〉のいずれかに記載のサファイア板用研磨液組成物。
せん断粘度比=(研磨液組成物のせん断速度100(1/s)におけるせん断粘度)/(レオロジー改質剤を含まないこと以外は前記研磨液組成物と同じ組成の研磨液組成物のせん断速度100(1/s)におけるせん断粘度)
〈31〉被研磨サファイア板に対して、〈1〉から〈30〉のいずれかに記載のサファイア板用研磨液組成物を供給して前記被研磨サファイア板を研磨する工程を含む、サファイア板の製造方法。
〈32〉被研磨サファイア板に対して、〈1〉から〈30〉のいずれかに記載のサファイア板用研磨液組成物を供給して前記被研磨サファイア板を研磨する工程と、
前記工程で使用した前記サファイア板用研磨液組成物を用いて、前記被研磨サファイア板とは別の被研磨サファイア板を研磨する工程と、を含むサファイア板の製造方法。
〈33〉被研磨サファイア板に対して、〈1〉から〈30〉のいずれかに記載のサファイア板用研磨液組成物を供給して前記被研磨サファイア板を研磨する工程を含む、被研磨サファイア板の研磨方法。
下記の通り、実施例1〜50、比較例1〜7の研磨液組成物を調製した。実施例1〜50、比較例1〜7の研磨液組成物中にける、粒子、アニオン性高分子、糖骨格を有する化合物、無機リン酸塩化合物、酸化剤の含有量は各々表1〜表4に記載の通りとした。尚、実施例1〜50、比較例1〜7の研磨液組成物の調製に用いたアニオン性高分子の20℃の水に対する溶解度は、いずれも2g/100ml以上であった。
実施例1〜50、比較例1〜7の研磨液組成物の調製に用いた各成分の詳細は下記の通りである。
[アニオン性高分子]
(1)ポリアクリル酸(重量平均分子量:6000、POIZ(登録商標)530、花王社製)
(2)アクリル酸/2-アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸共重合体(アクリル酸80モル%、2-アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸20モル%、重量平均分子量2000、40質量%水溶液、東亞合成株式会社製、アロン(登録商標)A−6016)
[糖骨格を有する化合物]
(1)D(+)-グルコース(和光純薬工業社製)
(2)D(+)-ガラクトース(和光純薬工業社製)
(3)D(+)-キシロース(和光純薬工業社製)
(4)L(+)-アラビノース(和光純薬工業社製)
(5)D-エリトロース(和光純薬工業社製)
(6)D(-)-フルクトース(和光純薬工業社製)
(7)D-キシルロース(シグマ アルドリッチ ジャパン社製)
(8)D-エリトリロース(Carbosynth Limited社製)
(9)D(-)-ソルビトール(和光純薬工業社製)
(10)キシリトール(和光純薬工業社製)
(11)D(-)-マンニトール(和光純薬工業社製)
(12)マルチトール(東京化成工業社製)
(13)マルトース一水和物(和光純薬工業社製)
(14)スクロース(和光純薬工業社製)
<実施例1〜5>
イオン交換水の入ったビーカー内に、アニオン性高分子としてポリアクリル酸を添加した後、45質量%アルミナ粒子(砥粒、α化率90%、結晶子サイズ32nm)水分散液を添加しこれらを撹拌して、アニオン性高分子添加アルミナ粒子水分散液を得た。その後すぐに、48質量%水酸化ナトリウム水溶液(関東化学社製)を用いてアニオン性高分子添加アルミナ粒子水分散液のpHを13に調整して研磨液組成物を得た。実施例1〜5の調製に用いたアルミナ粒子の平均粒径は各々表1に記載のとおりとした。尚、表1において、比較例1以外は、砥粒としてアルミナ粒子を用いた。
<実施例6〜19>
イオン交換水の入ったビーカー内に、アニオン性高分子としてポリアクリル酸を添加した後、糖骨格を有する化合物を添加した。その後、45質量%アルミナ粒子(砥粒、α化率90%、結晶子サイズ 32nm)水分散液を添加しこれらを撹拌して、アニオン性高分子添加アルミナ粒子水分散液を得た。その後すぐに、48質量%水酸化ナトリウム水溶液(関東化学社製)を用いてアニオン性高分子添加アルミナ粒子水分散液のpHを13に調整して実施例6〜19の研磨液組成物を得た。
<実施例20〜22>
糖骨格を有する化合物の含有量が異なること以外は実施例14と同様にして、実施例20〜22の研磨液組成物を調製した。
<実施例23、24>
砥粒(アルミナ粒子)の含有量が異なること以外は実施例14と同様にして、実施例23、24の研磨液組成物を調製した。
<実施例25>
アニオン性高分子(ポリアクリル酸)の含有量が異なること以外は実施例14と同様にして、実施例25の研磨液組成物を調製した。
<実施例26>
48質量%水酸化ナトリウム水溶液(関東化学社製)の添加量が異なり、研磨液組成物の25℃におけるpHが11であること以外は実施例14と同様にして、実施例26の研磨液組成物を調製した。
<実施例27>
アニオン性高分子が、AA−AMPS(アロン(登録商標)A−6012、東亜合成社製)であること以外は実施例4と同様にして、実施例27の研磨液組成物を調製した。
<実施例28〜31>
アニオン性高分子が、AA−AMPS(アロン(登録商標)A−6012、東亜合成社製)であること以外は実施例14、19、7、17と同様にして、実施例28〜31の研磨液組成物を調製した。
<実施例32、33>
無機リン酸塩化合物として、亜リン酸Naを更に含むこと以外は実施例14と同様にして、実施例32、33の研磨液組成物を調製した。
<実施例34>
無機リン酸塩化合物として、亜リン酸Naを更に含むこと以外は実施例19と同様にして、実施例34の研磨液組成物を調製した。
<実施例35〜39>
無機リン酸塩化合物の種類が異なること以外は実施例33と同様にして、実施例35〜39の研磨液組成物を調製した。
<実施例40>
アニオン性高分子が、AA−AMPS(アロン(登録商標)A−6012、東亜合成社製)であること以外は、実施例34と同様にして、実施例40の研磨液組成物を調製した。
<実施例41、42>
糖骨格を有する化合物を含まないこと以外は実施例33、40と同様にして、実施例41、42の研磨液組成物を調製した。
<実施例43、44>
イオン交換水の入ったビーカー内に、アニオン性高分子としてポリアクリル酸を添加した後、35質量%過酸化水素水(和光純薬工業社製の試薬を水希釈し濃度調整したもの)を添加した。その後、45質量%アルミナ粒子(砥粒、α化率90%、結晶子サイズ 32nm)水分散液を添加し、硫酸(和光純薬工業社製)を水で62.5質量%に希釈したものを用いてpHを1.9に調整して、実施例43の研磨液組成物を得た。実施例44では、硫酸(和光純薬工業社製)を水で62.5質量%に希釈したものに代えて、イオン交換水の入ったビーカー内に系のクエン酸濃度が0.4質量%になるように50質量%クエン酸水溶液を加え、さらに硫酸を水で62.5質量%に希釈したものを加えてpHを1.9に調整した。このこと以外は実施例43と同じ方法により実施例44の研磨液組成物を得た。
<実施例45>
イオン交換水の入ったビーカー内に、アニオン性高分子としてポリアクリル酸を添加した後、糖骨格を有する化合物としてソルビトール(和光純薬工業社製)を添加し、さらに35質量%過酸化水素水(和光純薬工業社製の試薬を水希釈し濃度調整したもの)を添加した。その後、45質量%アルミナ粒子(砥粒、α化率90%、結晶子サイズ 32nm)水分散液を添加し、硫酸(和光純薬工業社製)を用いてpHを1.9に調整して、実施例45の研磨液組成物を得た。
<実施例46>
無機リン酸塩化合物として、亜リン酸Naを更に含むこと以外は実施例45と同様にして、実施例46の研磨液組成物を調製した。
<実施例47>
糖骨格を有する化合物を含まないこと以外は実施例46と同様にして、実施例47の研磨液組成物を調製した。
<実施例48,49>
アニオン性高分子が、AA−AMPS(アロン(登録商標)A−6012、東亜合成社製)であること以外は実施例43、44と同様にして、実施例48、49の研磨液組成物を調製した。
<実施例50>
アニオン性高分子が、AA−AMPS(アロン(登録商標)A−6012、東亜合成社製)であること以外は実施例47と同様にして、実施例50の研磨液組成物を調製した。
<比較例1>
イオン交換水の入ったビーカー内に、コロイダルシリカ水分散液(平均粒径80 nm)と、48質量%水酸化ナトリウム水溶液(関東化学社製)を添加し撹拌して、pHが10.6の比較例1の研磨液組成物を調製した。
<比較例2>
アニオン性高分子を添加しなかったこと以外は、実施例4と同様にして、比較例2の研磨液組成物を調製した。
<比較例3、4>
アニオン性高分子を添加しなかったこと以外は、実施例14、19と同様にして、比較例3,4の研磨液組成物を調製した。
<比較例5>
アニオン性高分子を添加しなかったこと以外は、実施例43と同様にして、比較例5の研磨液組成物を調製した。
<比較例6>
アニオン性高分子を添加しなかったこと以外は、実施例45と同様にして、比較例6の研磨液組成物を調製した。
<比較例7>
糖骨格を有する化合物としてソルビトールに代えてスクロースを用いたこと以外は比較例6と同様にして、比較例7の研磨液組成物を調製した。
[アルミナ粒子の体積平均粒子径(D50)の測定方法]
実施例1〜50、比較例2〜7の研磨組成物中のアルミナ粒子(砥粒)の平均粒径は、0.5%ポイズ530(花王社製;特殊ポリカルボン酸型高分子界面活性剤)水溶液を分散媒として、下記測定装置内に投入し、続いて透過率が75〜95%になるようにサンプルを投入し、その後、5分間超音波を掛けた後、粒径を測定した。
測定機器 :堀場製作所製 レーザー回折/散乱式粒度分布測定装置 LA920
循環強度 :4
超音波強度:4
得られた体積分布粒径の累積体積頻度が50%となる粒径をアルミナ粒子の体積平均粒子径(D50)とし、表1〜4に示した。
[アルミナ粒子のα化率及び結晶子サイズの測定方法]
アルミナスラリー20gを105℃で5時間乾燥させ、得られた乾燥物を乳鉢で解砕して粉末X線回折用サンプルを得た。各サンプルを粉末X線回折法にて分析し、104面におけるピーク面積を比較した。粉末X線回折法による測定条件は下記のとおりとした。
測定条件;
装置:(株)リガク製、粉末X線解析装置 RINT2500VC
X線発生電圧:40kV
放射線:Cu−Kα1線(λ=0.154050nm)
電流:120mA
Scan Speed:10度/分
測定ステップ:0.02度/分
α化率(%)=αアルミナ特有ピーク面積÷WA−1000のピーク面積×100
また、結晶子サイズは、得られた粉末X線回折スペクトルから、粉末X線回折装置付属の粉末X線回折パターン総合解析ソフトJADE(MDI社、シェラーの式による自動計算)を用いて算出した。上記ソフトによる算出処理は、上記ソフトの取扱説明書(Jade(Ver.5)ソフトウェア、取扱説明書 Manual No.MJ13133E02、理学電機株式会社)に基づいて算出した。
[コロイダルシリカの平均粒径の測定]
比較例1の研磨組成物中のコロイダルシリカ(砥粒)の平均粒径(分散粒径)は、動的光散乱(DLS)粒度分布計(マルバーン社製、ゼータサイザー(登録商標)ナノS)を用いて下記の条件で測定し、得られる体積換算平均粒径を平均粒径(分散粒径)として求めた。
溶媒:水(屈折率1.333)
砥粒:コロイダルシリカ(屈折率1.45、減衰係数0.02)
測定温度:25℃
[研磨液組成物のpH測定]
pHメーター(東亜電波工業社製、HM−30G)を用い、25℃にて研磨液組成物のpHを測定した。
[研磨評価]
3インチのサファイア板(c面)に対して下記の研磨条件で、実施例1〜50、比較例1〜7の研磨液組成物を用いて、1時間研磨を行った。そして、サファイア板の研磨前後の重量変化を求め、サファイア密度(3.98g/cm3)、サファイア板面積(45.6cm2)から研磨速度X(μm/h)を算出した。実施例1〜50、比較例2〜7の研磨液組成物を用いた場合の研磨速度Xは、比較例1の研磨液組成物を用いた場合の研磨速度Xを「100」とした場合の相対値で、表1及び表2に示した。また、表3、表4に記載の研磨速度は、各々、比較例2、比較例5の研磨液組成物を用いた場合の研磨速度Xを「100」とした場合の相対値である。
また、3インチのサファイア板(c面)に対して下記の研磨条件で、実施例1〜50、比較例1〜7の研磨液組成物を用いて、1時間研磨(1回目研磨)を行った後、当該研磨に使用した使用済みの研磨液組成物を用いて、別の3インチのサファイア板(c面)に対して下記の研磨条件で1時間研磨(2回目研磨)を行い、研磨速度比(2回目研磨の研磨速度/1回目研磨の研磨速度×100)を研磨耐久性として表1及び表2に示した。研磨速度比が「100」に近いほど、研磨液組成物の研磨耐久性が優れることを意味する。尚、サファイア板を、下記の研磨条件で研磨した後、超純水に浸漬し、次いで、流水(超純水)で洗い流し、乾燥させた。
(研磨条件)
片面研磨機(テクノライズ製TR15M−TRK1、定盤径38cm)
不織布研磨パッド(ニッタハース製SUBA800)
研磨荷重300g/cm2
定盤回転数120rpm
キャリア回転数120rpm
研磨液流量80mL/min(循環)
[表面粗さの測定方法]
AFM(Digital Instrument NanoScope IIIa Multi Mode AFM)を用いて、以下に示す条件で、洗浄後のサファイア板の内周縁と外周縁との中央部分を表裏1箇所ずつ測定し、中心線平均粗さAFM‐Raを測定した。2点の平均値を「表面粗さ」とした。実施例1〜50、比較例2〜7の研磨液組成物を用いた場合の表面粗さは、比較例1の研磨液組成物を用いた場合の表面粗さを「100」とした場合の相対値で、表1及び表2に示した。また、表3、表4に記載の表面粗さは、各々、比較例2、比較例5の研磨液組成物を用いた場合の研磨速度Xを「100」とした場合の相対値である。値が小さいほど表面粗さの悪化が抑制されていることを示す。
〔AFMの測定条件〕
Mode: Tapping mode
Area: 1×1μm
Scan rate: 1.0Hz
Cantilever: NCH−10V
Line: 512×512
[回転式レオメーターによるせん断粘度の測定方法]
25℃における研磨液組成物の粘度を、粘弾性測定装置(AntonPaar社製、PhysicaMCR301)を用いて、25℃50%RHの環境にて測定した。具体的には、パラレルプレート(PP75、φ75mm)を使用し、パラレルプレート間のギャップを100μmとし、片方のプレートを回転させて、せん断速度を1(1/s)から10000(1/s)まで上昇させた後、次に10000(1/s)から1(1/s)まで徐々に下降させていき、せん断速度下降時の100(1/s)におけるせん断粘度を測定結果とし、表3及び表4に示した。また、下記式により算出されるせん断粘度比も、表3及び表4に示した。
せん断粘度比=(研磨液組成物のせん断速度100(1/s)におけるせん断粘度)/(レオロジー改質剤を含まないこと以外は前記研磨液組成物と同じ組成の研磨液組成物のせん断速度100(1/s)におけるせん断粘度)
Figure 2015227446
Figure 2015227446
Figure 2015227446
Figure 2015227446
表1及び表2に示されるように、アルカリ系研磨液組成物及び酸系研磨液組成物について、実施例と比較例を各々比較すると、実施例の研磨液組成物を用いた場合、比較例の研磨液組成物を用いる場合よりも、研磨開始1時間後の研磨速度は速く、表面粗さは小さく、且つ、研磨速度についてその経時劣化が抑制されている。また、表3及び表4に示されるように、実施例の研磨液組成物のせん断粘度は、比較例の研磨液組成物のせん断粘度よりも顕著に小さく、特に、アニオン性高分子と糖骨格を有する化合物とを併用した実施例の研磨液組成物のせん断粘度は、よりいっそう小さい。
以上説明した通り、本発明の研磨液組成物を用いた被研磨サファイア板の研磨において、研磨速度が速く、研磨後のサファイア板の表面の表面粗さが低減され、且つ、研磨速度についてその経時劣化が抑制されている。したがって、本発明の研磨液組成物を用いれば、スマートフォン等の携帯端末装置のカバーガラスとして用いられるサファイア板の生産性が向上する。

Claims (18)

  1. アルミナ粒子、アニオン性高分子、及び水系媒体を含有する、サファイア板用研磨液組成物。
  2. 前記アニオン性高分子が、アクリル酸由来の構成単位を含む、請求項1に記載のサファイア板用研磨液組成物。
  3. 更に糖骨格を有する化合物を含有する、請求項1又は2に記載のサファイア板用研磨液組成物。
  4. 更に無機リン酸塩化合物を含有する、請求項1から3のいずれかの項に記載のサファイア板用研磨液組成物。
  5. 前記無機リン酸塩化合物が、オルトリン酸塩、亜リン酸塩、及び次亜リン酸塩からなる群から選ばれる1種以上の無機リン酸塩化合物である、請求項4に記載のサファイア板用研磨液組成物。
  6. 前記の無機リン酸塩化合物が、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、及びアンモニウム塩のうちの何れか1種又は2種以上である、請求項4又は5に記載のサファイア板用研磨液組成物。
  7. 更に酸化剤を含有する、請求項1から6のいずれかの項に記載のサファイア板用研磨液組成物。
  8. 更に酸を含有する、請求項1から7のいずれかの項に記載のサファイア板用研磨液組成物。
  9. 前記酸が、有機酸及び無機酸を含む、請求項8に記載のサファイア板用研磨液組成物。
  10. 前記サファイア板用研磨液組成物の25℃におけるpHが10以上14未満である、請求項1から9のいずれかの項に記載のサファイア板用研磨液組成物。
  11. 前記アルミナ粒子の動的光散乱法で測定される平均粒径が0.2μm以上1.0μm以下である請求項1から10のいずれかの項に記載のサファイア板用研磨液組成物。
  12. アルミナ粒子、レオロジー改質剤、及び水系媒体を含有する、サファイア板用研磨液組成物。
  13. 前記レオロジー改質剤が、アニオン性高分子であり、アクリル酸由来の構成単位を含む、請求項12に記載のサファイア板
    用研磨液組成物。
  14. 更に糖骨格を有する化合物を含有する、請求項12又は13に記載のサファイア板用研磨液組成物。
  15. 更に無機リン酸塩化合物を含有する、請求項12から14のいずれかの項に記載のサファイア板用研磨液組成物。
  16. 被研磨サファイア板に対して、請求項1から15のいずれかの項に記載のサファイア板用研磨液組成物を供給して前記被研磨サファイア板を研磨する工程を含む、サファイア板の製造方法。
  17. 被研磨サファイア板に対して、請求項1から15のいずれかの項に記載のサファイア板用研磨液組成物を供給して前記被研磨サファイア板を研磨する工程と、
    前記工程で使用した前記サファイア板用研磨液組成物を用いて、前記被研磨サファイア板とは別の被研磨サファイア板を研磨する工程と、を含むサファイア板の製造方法。
  18. 被研磨サファイア板に対して、請求項1から15のいずれかの項に記載のサファイア板用研磨液組成物を供給して前記被研磨サファイア板を研磨する工程を含む、被研磨サファイア板の研磨方法。
JP2015095985A 2014-05-08 2015-05-08 サファイア板用研磨液組成物 Pending JP2015227446A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015095985A JP2015227446A (ja) 2014-05-08 2015-05-08 サファイア板用研磨液組成物

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014097135 2014-05-08
JP2014097135 2014-05-08
JP2015095985A JP2015227446A (ja) 2014-05-08 2015-05-08 サファイア板用研磨液組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2015227446A true JP2015227446A (ja) 2015-12-17

Family

ID=54392591

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015095985A Pending JP2015227446A (ja) 2014-05-08 2015-05-08 サファイア板用研磨液組成物

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2015227446A (ja)
TW (1) TWI652336B (ja)
WO (1) WO2015170743A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018088370A1 (ja) * 2016-11-09 2018-05-17 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びシリコンウェーハの研磨方法
CN111775348A (zh) * 2020-07-24 2020-10-16 李维阳 一种聚苯颗粒隔墙板自动切割生产线用固定***

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6788988B2 (ja) 2016-03-31 2020-11-25 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP6096969B1 (ja) 2016-04-26 2017-03-15 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨材、研磨用組成物、及び研磨方法
US11913135B2 (en) * 2019-12-02 2024-02-27 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Silicon carbide substrate and method of manufacturing silicon carbide substrate
CN114347281A (zh) * 2022-01-18 2022-04-15 锦州神工半导体股份有限公司 一种单晶硅片切割方法

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001007062A (ja) * 1999-06-18 2001-01-12 Hitachi Chem Co Ltd Cmp研磨剤及び基板の研磨方法
JP2012000734A (ja) * 2010-06-18 2012-01-05 Yamaguchi Seiken Kogyo Kk 研磨剤組成物および磁気ディスク基板の研磨方法
JP2012000700A (ja) * 2010-06-15 2012-01-05 Yamaguchi Seiken Kogyo Kk 研磨剤組成物および磁気ディスク基板の研磨方法
JP2012129406A (ja) * 2010-12-16 2012-07-05 Kuraray Co Ltd 化学的機械的研磨法およびそれに用いられるスラリー
JP2013031914A (ja) * 2011-06-29 2013-02-14 Sanyo Chem Ind Ltd 電子材料用研磨液
JP2013541609A (ja) * 2010-09-08 2013-11-14 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア 電気機器や機械機器・光学機器用の基板の化学機械研磨用の水性研磨組成物と方法
WO2013191139A1 (ja) * 2012-06-19 2013-12-27 株式会社 フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びそれを用いた基板の製造方法
JP2014024156A (ja) * 2012-07-26 2014-02-06 Fujimi Inc 研磨材、研磨用組成物、硬脆材料の研磨方法及び硬脆材料基板の製造方法
JP2014024157A (ja) * 2012-07-26 2014-02-06 Fujimi Inc 研磨用組成物、硬脆材料の研磨方法及び硬脆材料基板の製造方法
JP2014024960A (ja) * 2012-07-26 2014-02-06 Fujimi Inc 研磨用組成物、酸化物材料の研磨方法及び酸化物材料基板の製造方法
JP2014505124A (ja) * 2010-12-10 2014-02-27 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア 酸化ケイ素誘電体膜およびポリシリコン膜を含有する基板を化学的機械的に研磨するための水性研磨組成物および方法
JP2014141667A (ja) * 2012-12-27 2014-08-07 Sanyo Chem Ind Ltd 電子材料用研磨液
JP2014142987A (ja) * 2012-12-27 2014-08-07 Sanyo Chem Ind Ltd 電子材料用研磨液

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5919189B2 (ja) * 2010-04-28 2016-05-18 株式会社バイコウスキージャパン サファイア研磨用スラリー、及びサファイアの研磨方法

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001007062A (ja) * 1999-06-18 2001-01-12 Hitachi Chem Co Ltd Cmp研磨剤及び基板の研磨方法
JP2012000700A (ja) * 2010-06-15 2012-01-05 Yamaguchi Seiken Kogyo Kk 研磨剤組成物および磁気ディスク基板の研磨方法
JP2012000734A (ja) * 2010-06-18 2012-01-05 Yamaguchi Seiken Kogyo Kk 研磨剤組成物および磁気ディスク基板の研磨方法
JP2013541609A (ja) * 2010-09-08 2013-11-14 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア 電気機器や機械機器・光学機器用の基板の化学機械研磨用の水性研磨組成物と方法
JP2014505124A (ja) * 2010-12-10 2014-02-27 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア 酸化ケイ素誘電体膜およびポリシリコン膜を含有する基板を化学的機械的に研磨するための水性研磨組成物および方法
JP2012129406A (ja) * 2010-12-16 2012-07-05 Kuraray Co Ltd 化学的機械的研磨法およびそれに用いられるスラリー
JP2013031914A (ja) * 2011-06-29 2013-02-14 Sanyo Chem Ind Ltd 電子材料用研磨液
WO2013191139A1 (ja) * 2012-06-19 2013-12-27 株式会社 フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びそれを用いた基板の製造方法
JP2014024157A (ja) * 2012-07-26 2014-02-06 Fujimi Inc 研磨用組成物、硬脆材料の研磨方法及び硬脆材料基板の製造方法
JP2014024960A (ja) * 2012-07-26 2014-02-06 Fujimi Inc 研磨用組成物、酸化物材料の研磨方法及び酸化物材料基板の製造方法
JP2014024156A (ja) * 2012-07-26 2014-02-06 Fujimi Inc 研磨材、研磨用組成物、硬脆材料の研磨方法及び硬脆材料基板の製造方法
JP2014141667A (ja) * 2012-12-27 2014-08-07 Sanyo Chem Ind Ltd 電子材料用研磨液
JP2014142987A (ja) * 2012-12-27 2014-08-07 Sanyo Chem Ind Ltd 電子材料用研磨液

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018088370A1 (ja) * 2016-11-09 2018-05-17 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びシリコンウェーハの研磨方法
CN111775348A (zh) * 2020-07-24 2020-10-16 李维阳 一种聚苯颗粒隔墙板自动切割生产线用固定***

Also Published As

Publication number Publication date
TW201602326A (zh) 2016-01-16
TWI652336B (zh) 2019-03-01
WO2015170743A1 (ja) 2015-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2015227446A (ja) サファイア板用研磨液組成物
JP6017315B2 (ja) 研磨材及び研磨用組成物
TWI538971B (zh) 用於電子、機械及光學裝置之化學機械研磨基材之水性研磨組成物及方法
JP5385141B2 (ja) 水に可溶性酸化剤を使用する炭化ケイ素の研磨方法
JP6196155B2 (ja) 水性研磨剤組成物、並びに電気、機械及び光学デバイス用の基板材料を研磨する方法
JP5495508B2 (ja) 研磨用粒子分散液およびその製造方法
JP6940315B2 (ja) 磁気ディスク基板用研磨剤組成物
TWI653325B (zh) 硏磨劑組合物及磁碟基板之硏磨法
JP5615529B2 (ja) 無機酸化物微粒子分散液、研磨用粒子分散液及び研磨用組成物
JP2007137972A (ja) 研磨用シリカゾルおよびそれを含有してなる研磨用組成物
JP2009001811A (ja) 研磨用組成物および研磨方法
JP2003535968A (ja) リン酸イオン含有研磨系でメモリもしくはリジッドディスクを研磨する方法
SG185977A1 (en) Polishing composition for nickel-phosphorous memory disks
JP4202157B2 (ja) 研磨用組成物
WO2012169515A1 (ja) 研磨材及び研磨用組成物
JPWO2019065994A1 (ja) 研磨用組成物
JP5940754B1 (ja) サファイア板用研磨液組成物
JP2011161570A (ja) 研磨剤および研磨方法
JP4171859B2 (ja) 研磨用組成物および研磨方法
JP2014024960A (ja) 研磨用組成物、酸化物材料の研磨方法及び酸化物材料基板の製造方法
JP6811090B2 (ja) 酸化珪素膜用研磨液組成物
JP2004277615A (ja) 研磨スラリー及び方法
JP2001093866A (ja) 酸化物単結晶ウェーハ加工用研磨用組成物及び酸化物単結晶ウェーハの研磨方法
JP7161374B2 (ja) 磁気ディスク基板用研磨剤組成物
TWI808978B (zh) 研磨液組合物用氧化矽漿料

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180305

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20181114

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181120

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190117

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190702

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20200107