JP2015226951A - 研磨装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】光触媒粒子を使用することなく研磨レートを向上させることができる研磨装置を提供する。【解決手段】研磨装置1は、180nm?10nmの波長と250nm?10nmの波長とを含む紫外線を定盤2を介してウェハ4の研磨面に照射する紫外線照射装置8と、定盤2とウェハ4との間に配置された研磨材と、定盤2とウェハ4とを相対的に移動させる、回転駆動装置3と基材5と支持円盤6とにより構成される移動装置と、定盤2とウェハ4との間に酸素を供給するための酸素供給装置9とを備える。【選択図】図1
Description
本発明は、半導体ウェハなどのワークの表面を研磨する研磨装置に関する。
従来、半導体ウェハのデバイス形成面を研磨するための研磨装置として、化学的作用と機械的作用を併せ持つ化学的機械研磨装置(Chemical Mechanical Polishin:CMP)装置が用いられている。
近年、次世代半導体基板として、サファイアや炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、ダイヤモンド等の硬脆性材料で構成される基板が注目を集めている。これらの基板は、化学的に安定しており、通常の化学的機械研磨装置を用いても、化学的作用がSi(ケイ素)と比較して非常に小さいため、研磨レートが小さいという課題がある。
この課題を改善する装置として、特許文献1(国際公開第2007/063873号)に開示された研磨装置がある。特許文献1には、酸素を含む加工雰囲気の圧力を大気圧よりも高く設定し、当該加工雰囲気の中で、チタニア(TiO2)の粒子を含むスラリーを用いて、紫外線を照射しながら被加工物を研磨する装置が開示されている。
しかしながら、特許文献1の研磨装置では、光触媒粒子であるチタニアを用いるため、装置が高価になるという問題点がある。
従って、本発明の目的は、前記問題を解決することにあって、光触媒粒子を使用することなく、研磨レートを向上させることができる研磨装置を提供することにある。
前記目的を達成するために、本発明に係る研磨装置は、
紫外線を透過する定盤と、
180nm±10nmの波長と、250nm±10nmの波長とを含む紫外線を前記定盤を介してワークに照射する紫外線照射源と、
前記定盤と前記ワークとの間に配置された研磨材と、
前記定盤と前記ワークとを相対的に移動させる移動装置と、
前記定盤と前記ワークとの間に酸素を供給するための酸素供給源と、
を備える研磨装置を提供する。
紫外線を透過する定盤と、
180nm±10nmの波長と、250nm±10nmの波長とを含む紫外線を前記定盤を介してワークに照射する紫外線照射源と、
前記定盤と前記ワークとの間に配置された研磨材と、
前記定盤と前記ワークとを相対的に移動させる移動装置と、
前記定盤と前記ワークとの間に酸素を供給するための酸素供給源と、
を備える研磨装置を提供する。
本発明に係る研磨装置によれば、光触媒粒子を使用することなく、研磨レートを向上させることができる。
本発明の第1態様によれば、紫外線を透過する定盤と、
180nm±10nmの波長と、250nm±10nmの波長とを含む紫外線を前記定盤を介してワークに照射する紫外線照射源と、
前記定盤と前記ワークとの間に配置された研磨材と、
前記定盤と前記ワークとを相対的に移動させる移動装置と、
前記定盤と前記ワークとの間に酸素を供給するための酸素供給源と、
を備える研磨装置を提供する。
180nm±10nmの波長と、250nm±10nmの波長とを含む紫外線を前記定盤を介してワークに照射する紫外線照射源と、
前記定盤と前記ワークとの間に配置された研磨材と、
前記定盤と前記ワークとを相対的に移動させる移動装置と、
前記定盤と前記ワークとの間に酸素を供給するための酸素供給源と、
を備える研磨装置を提供する。
本発明の第2態様によれば、前記ワークと対向する前記定盤の表面は、前記研磨材の直径よりも小さい表面粗さを有する第1領域と、前記定盤を厚み方向に凹ませた凹部により形成され、当該凹部の幅が前記研磨材の直径よりも大きい第2領域とを有する、第1態様に記載の研磨装置を提供する。
本発明の第3態様によれば、前記第1領域の面積は、前記第2領域の面積よりも大きい、第2態様に記載の研磨装置を提供する。
本発明の第4態様によれば、前記研磨材の硬さは、前記ワークの硬さよりも柔らかく、前記紫外線と前記酸素とが反応することにより前記ワークの表面に形成された酸化膜の硬さよりも硬い、第1〜3態様のいずれか1つに記載の研磨装置を提供する。
本発明の第5態様によれば、前記定盤は、波長170nm以上260nm以下の波長域に対して透過性を有する、第1〜4態様のいずれか1つに記載の研磨装置を提供する。
本発明の第6態様によれば、前記ワークをドライ環境下で研磨するように構成された、第1〜5態様のいずれか1つに記載の研磨装置を提供する。
本発明の第7態様によれば、前記酸素供給源は、前記定盤と前記ワークとの間にオゾン水、酸素水、過酸化水素水のいずれか1つを供給する、第1〜5態様のいずれか1つに記載の研磨装置を提供する。
本発明の第8態様によれば、前記酸素供給源は、前記定盤と前記ワークとの間に酸素水を供給する、第1〜5態様のいずれか1つに記載の研磨装置を提供する。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
(実施形態)
図1を用いて、本発明の実施形態に係る研磨装置の全体構成について説明する。図1は、本発明の実施形態に係る研磨装置の構成を示す模式図である。
図1を用いて、本発明の実施形態に係る研磨装置の全体構成について説明する。図1は、本発明の実施形態に係る研磨装置の構成を示す模式図である。
本実施形態に係る研磨装置1は、定盤2を備えている。定盤2の中心部は、回転駆動装置3に取り付けられている。回転駆動装置3が回転軸C1を中心として回転することで、定盤2が回転軸C1を中心として回転する。
ワークの一例であるウェハ4は、定盤2の中心部よりも外側上面に配置される。ウェハ4は、例えば、窒化ガリウム(GaN)、サファイア、炭化ケイ素(SiC)、ダイヤモンド、酸化ガリウム(Ga2O3)などの硬脆性材料で構成されている。ウェハ4の上面には、基材5が接着されている。基材5は、支持円盤6に、回転軸C2を中心として回転可能に支持されている。基材5は、定盤2が回転軸C1を中心として回転するとき、定盤2とウェハ4との摩擦力により回転力を得て、支持円盤6に位置を規制されながら回転軸C2を中心として回転する。なお、本実施形態においては、回転駆動装置3と基材5と支持円盤6とにより、定盤2とウェハ4とを相対的に移動させる移動装置が構成されている。移動装置の構成は、定盤2とウェハ4とを相対的に移動させることができるものであればよい。
基材5の上面には、重り7が配置されている。重り7は、定盤2とウェハ4と基材5とが所定の圧力で密着するように自重により基材5を押圧する。
定盤2及びウェハ4の下方には、紫外線照射源の一例である紫外線照射装置8が配置されている。紫外線照射装置8は、定盤2を通じてウェハ4の研磨面に紫外線を照射するように設けられている。紫外線照射装置8が照射する紫外線には、波長が180nm±10nmである第1紫外線と、波長が250nm±10nmである第2紫外線が含まれる。紫外線照射装置8としては、例えば、低圧水銀ランプを用いることができる。定盤2は、第1紫外線及び第2紫外線を透過させることができるように、170nm以上260nm以下の波長域に対して透過性を有する材料で構成されている。
また、研磨装置1は、定盤2とウェハ4との間に酸素を供給するための酸素供給源の一例である酸素供給装置9を備えている。本実施形態において、酸素供給装置9は、研磨装置1の筐体10内に酸素供給し、当該筐体10内の酸素濃度を制御するように構成されている。
次に、図2A〜図2Cを用いて、定盤2の構成について説明する。図2Aは、定盤2の平面図である。図2Bは、図2AのA1−A1線断面図である。図2Cは、図2Bの点線で囲まれた領域Eの拡大断面図である。
定盤2は、図2A及び図2Bに示すように、ウェハ4の研磨面と接触する表面21に、第1領域22と第2領域23とを有している。第1領域22は、酸化膜を生成するための領域(酸化膜生成領域)である。本実施形態において、第1領域22は、図2Cに示すように、定盤2の表面21の表面粗さを粗くした部分である。第2領域23は、酸化膜を除去するための領域(酸化膜除去領域)である。本実施形態において、第2領域23は、図2Cに示すように、定盤2を厚み方向に凹ませた凹部により形成されている。
次に、ウェハ4の研磨面を研磨するときの動作について説明する。図3は、ウェハ4の研磨面を研磨しているときの領域Eの状態を示す断面図である。
まず、図3に示すように、研磨材11がウェハ4に接触するように、第2領域23に研磨材11を保持させる。研磨材11としては、例えば、ダイヤモンド、ジルコニア、酸化ケイ素(SiO2)が用いられる。
次いで、紫外線照射装置8が、波長が180nm±10nmである第1紫外線U1と、波長が250nm±10nmである第2紫外線U2とを、定盤2を通じてウェハ4に照射する。
これにより、まず、定盤2の表面21とウェハ4との隙間に介在する酸素(O2)と第1紫外線U1とが反応し、オゾン(O3)が生成される。その理由は、酸素が180nm±10nmに光吸収スペクトルを有し、かつ、波長が180nm±10nmである第1紫外線が酸素の結合エネルギよりも大きいエネルギを有するからである。
前記のようにして生成されたオゾンは、第2紫外線U2と反応して分解され、原子状の酸素と酸素分子とが生成される。その理由は、オゾンが250nm±10nmに光吸収スペクトルを有し、かつ、波長が250nm±10nmである第2紫外線U2がオゾンの結合エネルギよりも大きいエネルギを有するからである。
前記のようにして生成された原子状の酸素は、ウェハ4の研磨面を酸化させる。これにより、ウェハ4の研磨面に酸化膜が生成される。この酸化膜は、定盤2の回転により基材5が回転軸C2を中心として回転するとき、第2領域23内の研磨材11により除去される。
本実施形態に係る研磨装置によれば、第1紫外線U1と第2紫外線U2とを照射することにより、ウェハ4の研磨面に酸化膜を形成することができ、当該酸化膜を研磨材11で除去することにより、研磨面の研磨レートを向上させることができる。また、このとき、光触媒粒子を用いる必要性を無くすことができる。
なお、「波長が180nm±10nmである紫外線」とは、厳密には、波長が180nm±10nmにピークを有する紫外線を意味する。同様に「波長が250nm±10nmである紫外線」とは、波長が250nm±10nmにピークを有する紫外線を意味する。「ピーク」とは、少なくとも全体強度の10%以上の強度を有する部分をいう。そのため、様々な波長強度を有する紫外線の場合、第1紫外線と第2紫外線の両方の条件を満たす場合もある。この場合、180nm±10nmの波長と、250nm±10nmの波長とを含む紫外線を1つの紫外線照射装置8から照射することができる。なお、180nm±10nmの波長を有する第1紫外線U1を照射する装置と、250nm±10nmの波長を有する第2紫外線U2を照射する装置とは、別々に設けてもよい。なお、強度が全体強度の10%未満である部分は、他の波長の強度の影響が強くなり、期待する効果が小さくなるため、ピークではないものとする。
なお、本実施形態に係る研磨装置においては、定盤2の表面21とウェハ4との間に、オゾンを生成するための酸素が存在する空間が必要である。このため、図4に示すように、第1領域22の表面粗さを粗くし、第1領域22とウェハ4との隙間に空間S1が形成されるようにしている。しかしながら、この空間S1に研磨材11が入り込んでしまうと、研磨材11に紫外線が吸収されて効果的に原子状の酸素を生成することができず、ウェハ4の研磨面に酸化膜を生成することができないおそれがある。このため、第1領域22の表面粗さ(算術平均粗さRa)は、研磨材11の直径よりも小さいことが望ましい。
また、ウェハ4の研磨面を研磨する初期の段階においては、ウェハ4と第1領域22との間に研磨材11が入り込んでしまうことが起こり得る。このため、第1領域22の表面粗さ(算術平均粗さRa)を研磨材11の直径の1/3以下にすることがより望ましい。これにより、定盤2の回転力によって研磨材11を第1領域22上から効率的に排出することができる。但し、第1領域22の表面粗さを小さくし過ぎると、空間S1が小さくなるため、空間S1に存在する酸素量も少なくなる。その結果、酸化膜の生成効率が低下し、研磨レートが低下するおそれがある。このため第1領域22の表面粗さ(算術平均粗さRa)は、5nm以上であることが望ましい。
なお、第1領域22の表面粗さ(算術平均粗さRa)を研磨材11の直径の1/3以下にした場合であっても、第1領域22上に存在する研磨材11の量が多過ぎると、定盤2の回転力によって研磨材11を第1領域22上から排出できないことが起こり得る。このため、ウェハ4の研磨面の研磨を行う前に、スキージ等を用いて第1領域22上の研磨材11を取り除くことが望ましい。本実施形態において、第2領域23は溝形状に形成されているので、第1領域22上の研磨材11を第2領域23内に移動させることで、容易に第1領域22上の研磨材11を取り除くことができる。
また、通常、第1領域22における酸化膜生成速度は、第2領域23における酸化膜除去速度よりも遅い。このため、第1領域22の面積は、第2領域23の面積よりも大きいことが望ましい。これにより、酸化膜生成速度と酸化膜除去速度とを近づけることができ、研磨効率を向上させることができる。
また、研磨材11の硬さをH1とし、ウェハ4の硬さをH2とし、ウェハ4の研磨面に生成される酸化膜の硬さをH3としたとき、H2>H1>H3の関係を満たすように各硬さを設定することが望ましい。酸化膜の硬さH3よりも研磨材11の硬さH1が小さい場合、酸化膜除去速度が著しく小さくなる。また、ウェハ4の硬さH2よりも研磨材11の硬さH1が大きい場合、ウェハ4を機械的作用で加工してしまい、加工痕を基点として10nm以上の内部加工変質層が生成されるおそれがある。内部加工変質層の厚さは、研磨材11の硬さと研磨時の圧力に依存する。例えば、研磨材11としてダイヤモンドを用い、重り7として2Kgの鉄材を用いた場合、平均20nm、最大200nm程度の内部加工変質層が生成されるおそれがある。10nm以上の内部加工変質層が生成された場合、最終的に内部加工変質層が無いウェハ4を製造することが非常に困難になる。また、仮に当該ウェハ4を製造できたとしても、内部加工変質層を除去するのに要する時間が長くなり、研磨に要するコストが増加することになる。
また、第2領域23の幅(定盤2の面方向)は、研磨材11の直径の10倍以上であることが望ましい。これにより、第2領域23内で研磨材11を効率的に保持して、ウェハ4の研磨面の研磨レートを向上させることができる。なお、第2領域23の幅が研磨材11の直径の10倍未満である場合には、第1領域22から排出される研磨材11が第2領域23内に保持されるまでに時間がかかる。その結果、研磨時間が増加することなる。
また、第2領域23の幅(定盤2の面方向)は、1,000μm以下であることが望ましい。第2領域23の幅が1,000μmより大きい場合、第1領域22に対向するウェハ4上に形成された酸化膜が除去された後も、ウェハ4と第2領域23とが接触している時間が長くなる。その結果、研磨レートが低下するおそれがある。
また、研磨材11の形状は、局所加重による研磨速度のバラツキを避けるために、球状であることが望ましい。また、研磨材11の形状は、楕円形状等の接触点が平均化される形状であってもよい。
また、研磨装置1は、ウェハ4をドライ環境(水分が無い又は少ない環境)下で研磨するように構成されることが望ましい。通常、研磨材11は溶剤で希釈して使用するが、ウェハ4をドライ環境下で研磨する場合、当該溶剤を用いないので、当該溶剤を洗浄する必要性を無くすことができる。なお、この場合、空間S1に供給する酸素は気体である必要がある。
また、研磨装置1は、ウェハ4をウエット環境下で研磨するように構成されてもよい。この場合、酸素供給装置9は、定盤2とウェハ4との間にオゾン水、酸素水、過酸化水素水のいずれか1つを供給することが望ましい。これにより、紫外線と酸素とが反応する際に発生するオゾンや過酸化水素を含有した水を活用することができる。また、研磨時に発生する研磨屑を効率的に排出することができる。また、この場合、酸素供給装置9は、定盤2とウェハ4との間に酸素水を供給することがより望ましい。酸素水を用いて研磨することで、オゾン水及び過酸化水素水を用いて研磨する場合に比べて、消費エネルギをより少なくすることができる。
なお、前記では、第2領域23の断面形状を、図2Cに示すような矩形状としたが、本発明はこれに限定されない。例えば、第2領域23の断面形状は、V字状、半円状、台形状などであってもよい。また、前記では、第2領域23を同心円状に形成したが、本発明はこれに限定されない。例えば、第2領域23は、定盤2の回転軸C1に向かう放射線状や、升目状に形成されてもよい。
<実施例>
本発明の実施例にかかる研磨装置について説明する。
本実施例に係る研磨装置は、定盤2として、波長150nm以上に透過域を有する合成石英を備えている。また、基材5として、ステンレス(SUS)基材を備えている。この基材5には、ウェハ4として2インチの窒化ガリウム(GaN)が熱溶融性ワックスにより固定されている。基材5は、ウェハ4が定盤2に接触するように支持円盤6に支持されている。基材5の上面には、重り7として、5kgの鋳鉄が配置されている。
本発明の実施例にかかる研磨装置について説明する。
本実施例に係る研磨装置は、定盤2として、波長150nm以上に透過域を有する合成石英を備えている。また、基材5として、ステンレス(SUS)基材を備えている。この基材5には、ウェハ4として2インチの窒化ガリウム(GaN)が熱溶融性ワックスにより固定されている。基材5は、ウェハ4が定盤2に接触するように支持円盤6に支持されている。基材5の上面には、重り7として、5kgの鋳鉄が配置されている。
定盤2には、ウェハ4の研磨面と接触する表面21に、同心円状の第1領域22と第2領域23とが形成されている。第1領域22には、化学エッチングにより表面粗さRaが50nm程度の微細な凹凸が形成されている。第2領域23には、ダイヤモンド砥粒の研削加工により、幅100μm、深さ100μmの矩形断面の凹部が形成されている。第1領域22の面積と第2領域23の面積との比は、2:1である。
また、本実施例に係る研磨装置は、紫外線照射装置8として、50Wの低圧水銀ランプを備えている。この紫外線照射装置8は、波長が184.9nmである紫外線と、波長が253.7nmである紫外線を照射可能に構成されている。
第2領域23には、研磨材11として、粒子径200nmのジルコニアが保持されている。なお、ジルコニアのビッカース硬度は1250Hvである。ウェハ4として使用される窒化ガリウムのピッカーズ硬度は1800Hvである。紫外線照射装置8から照射される紫外線と酸素との反応により窒化ガリウムの研磨面に形成される酸化膜(主として酸化ガリウム)のピッカーズ硬度は、750Hvである。
前記のように構成された本実施例に係る研磨装置を用いて、ウェハ4の研磨面の研磨を行った。このとき、回転駆動装置3の回転数は、60回/分に設定した。また、紫外線照射装置8から定盤2を介してウェハ4に紫外線を照射しながら、筐体10内の酸素濃度が30%になるように酸素供給装置9からウェハ4と定盤2との間に酸素を供給した。この条件下で研磨されたウェハ4の研磨面の表面粗さを調べたところ、算術平均粗さRaは0.2nmであった。従って、本実施例に係る研磨装置を用いることによって、光触媒粒子を使用することなく、良好な研磨面が得られることが確認された。また、従来の一般的な化学的機械研磨装置と比べて、本実施例に係る研磨装置により、研磨レートが約2倍向上した。
本発明にかかる研磨装置は、光触媒粒子を使用することなく研磨レートを向上させることができるので、特に、サファイアや炭化ケイ素、窒化ガリウム、ダイヤモンド等の硬脆性材料で構成される基板の表面を研磨する装置として有用である。
1 研磨装置
2 定盤
3 回転駆動装置
4 ウェハ
5 基材
6 支持円盤
7 重り
8 紫外線照射装置
9 酸素供給装置
10 筐体
11 研磨材
21 表面
22 第1領域
23 第2領域
C1,C2 回転軸
S1 空間
U1 第1紫外線
U2 第2紫外線
2 定盤
3 回転駆動装置
4 ウェハ
5 基材
6 支持円盤
7 重り
8 紫外線照射装置
9 酸素供給装置
10 筐体
11 研磨材
21 表面
22 第1領域
23 第2領域
C1,C2 回転軸
S1 空間
U1 第1紫外線
U2 第2紫外線
Claims (8)
- 紫外線を透過する定盤と、
180nm±10nmの波長と、250nm±10nmの波長とを含む紫外線を前記定盤を介してワークに照射する紫外線照射源と、
前記定盤と前記ワークとの間に配置された研磨材と、
前記定盤と前記ワークとを相対的に移動させる移動装置と、
前記定盤と前記ワークとの間に酸素を供給するための酸素供給源と、
を備える研磨装置。 - 前記ワークと対向する前記定盤の表面は、前記研磨材の直径よりも小さい表面粗さを有する第1領域と、前記定盤を厚み方向に凹ませた凹部により形成され、当該凹部の幅が前記研磨材の直径よりも大きい第2領域とを有する、請求項1に記載の研磨装置。
- 前記第1領域の面積は、前記第2領域の面積よりも大きい、請求項2に記載の研磨装置。
- 前記研磨材の硬さは、前記ワークの硬さよりも柔らかく、前記紫外線と前記酸素とが反応することにより前記ワークの表面に形成された酸化膜の硬さよりも硬い、請求項1〜3のいずれか1つに記載の研磨装置。
- 前記定盤は、波長170nm以上260nm以下の波長域に対して透過性を有する、請求項1〜4のいずれか1つに記載の研磨装置。
- 前記ワークをドライ環境下で研磨するように構成された、請求項1〜5のいずれか1つに記載の研磨装置。
- 前記酸素供給源は、前記定盤と前記ワークとの間にオゾン水、酸素水、過酸化水素水のいずれか1つを供給する、請求項1〜5のいずれか1つに記載の研磨装置。
- 前記酸素供給源は、前記定盤と前記ワークとの間に酸素水を供給する、請求項1〜5のいずれか1つに記載の研磨装置。
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CN105773399A (zh) * | 2016-03-29 | 2016-07-20 | 清华大学 | 抛光液、抛光机以及抛光方法 |
CN116872076A (zh) * | 2023-08-16 | 2023-10-13 | 东科半导体(安徽)股份有限公司 | 一种氮化镓多基片研磨设备和方法 |
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