JP2015222816A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
酸素濃度に応じて二次元キャリアガス濃度を抑制させ、金属膜と前記半導体機能層との接合界面における結晶格子は不連続であることを特徴とする半導体装置が提供される。
また、基板と、基板上に形成され且つ二次元キャリアガスを有する半導体機能層と、半導体機能層上において互いに離間して形成される第1及び第2の主電極と、半導体機能層上における前記第1及び第2の主電極間に形成される制御電極と、半導体機能層と前記制御電極との間に形成される酸化ニッケル膜と、を備え、酸素濃度に応じて二次元キャリアガス濃度を抑制させ、酸化ニッケル膜と前記半導体機能層との接合界面における結晶格子は不連続であることを特徴とする半導体装置が提供される。
また、基板を用意する工程と、基板上にAlxInyGa1−x−yN(但し0≦x<1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)を含むキャリア走行層を形成する工程と、
キャリア走行層上にAlaInbGa1−a−bN(但し0<a≦1、0≦b≦1、0≦a+b≦1、x<a)を含むキャリア供給層を形成し、半導体機能層を得る工程と、
半導体機能層上に第1及び第2の主電極を互いに離間して形成する工程と、半導体機能層上における第1及び第2の主電極間に、酸素濃度に応じて二次元キャリアガス濃度を抑制させ、
酸素を含有する金属膜を結晶格子が前記半導体機能層とが不連続になるように形成する工程と、金属膜上に制御電極を形成する工程と、を備える半導体装置の製造方法が提供される。
なお、金属酸化膜15と半導体機能層19との接合界面における結晶格子は不連続になるように形成される。
まず、単結晶シリコン基板からなる基板11をCVD(chemical vapor deposition)装置のチャンバ内に設置し、基板11を加熱しながらチャンバ内に原料ガスを供給する。本実施形態における原料ガスは、トリメチルガリウム(TMG)、トリメチルアルミニウム(TMA)及びアンモニア(NH3)が用いられる。上記の原料ガスの供給量、流量等を適宜制御することで、AlN層及びGaN層を交互に積層した多層構造を有するバッファ層12が基板11上に形成され、GaN層を含む電子走行層13とAl0.3Ga0.7N層を含む電子供給層14とを有する半導体機能層19がバッファ層12上に形成される(図2(a))。バッファ層12を構成するAlN層及びGaN層はそれぞれ1〜30nmの厚みに形成され、電子走行層13は1〜10μmの厚みに形成され、電子供給層14は電子走行層13よりも薄く5〜50nmの厚みに形成される。
(1)酸化ニッケルを含む金属酸化膜15は、その酸素濃度に応じて高い正孔濃度を有するため、金属酸化膜15直下及びゲート電極18直下のポテンシャルを引き上げ、金属酸化膜15直下及びゲート電極18直下における電子走行層13に二次元電子ガスが生成されることを抑制する。即ち、ソース電極16とドレイン電極17との間のチャネルが、ゲート電極18にゲートバイアスが印加されていない状態(ノーマリ時)において分断される。従って、ノーマリ時において、半導体装置10の主電極間には電流が流れない。
一方、ドレイン電極17の電位がソース電極16の電位よりも高い状態で、ゲート電極18に閾値電圧より高いゲートバイアスが印加されると、金属酸化膜15直下及びゲート電極18直下の電子走行層13にチャネルが形成される。従って、ノーマリ時において分断されていたチャネルが導通され、半導体装置10はオン状態となり、ソース電極16とドレイン電極17との間に電流が流れる。このように、本実施形態に係る半導体装置10は、スイッチング電源回路におけるスイッチング素子として有用なノーマリオフ(エンハンスメント)特性を有する。
(2)金属酸化膜15は、上記のようにp型の導電性を有する酸化膜と見なすことができるため、半導体機能層19に形成された2DEGとの間にpn接合が形成される従って、ショットキゲート構造を有する従来の半導体装置に比べ、半導体装置の動作時におけるゲートリーク電流を低減させることができる。
(3)本実施形態に係る半導体装置のノーマリオフ特性は、金属酸化膜15の酸素濃度を高めることで得られるため、金属酸化膜15と半導体機能層19との接合界面における格子の連続性に影響されない。従って、本実施形態に係る半導体装置は、従来の半導体装置に比べ安定した特性を有し、且つ、容易な製造プロセスにより製造することができる。
(4)金属酸化膜15は、半導体機能層19上にコヒーレント成長させる必要がなく、スパッタ等の厚膜化が容易な製造方法により形成することができるため、容易に厚膜化することができる。従って、良好なノーマリオフ特性を有しつつ金属酸化膜15の抵抗値を高めてゲートリーク電流を抑制することができる。
11 基板
12 バッファ層
13 電子走行層
14 電子供給層
15 金属酸化膜
16 ソース電極
17 ドレイン電極
18 ゲート電極
19 半導体機能層
Claims (8)
- 基板と、
前記基板上に形成され且つ二次元キャリアガスを有する半導体機能層と、
前記半導体機能層上において互いに離間して形成される第1及び第2の主電極と、
前記半導体機能層上における前記第1及び第2の主電極間に形成される制御電極と、
前記半導体機能層と前記制御電極との間に形成される酸素を含有する金属膜と、を備え、
酸素濃度に応じて二次元キャリアガス濃度を抑制させ、
前記金属膜と前記半導体機能層との接合界面における結晶格子は不連続であることを特徴とする半導体装置。 - 前記金属膜は、前記半導体機能層との間に働く応力を低減するように形成されることを特徴とする請求項1の半導体装置。
- 前記金属膜は1×109cm−2以上の密度で転位を含む結晶構造或いはアモルファス(非晶質)構造や多結晶構造を有することを特徴とする請求項1又は2の半導体装置。
- 前記金属膜は、酸素濃度に応じて高い正孔濃度を有するように形成されることを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載の半導体装置。
- 前記酸素を含有する金属膜は、酸化ニッケル、酸化鉄、酸化コバルト、酸化マンガン及び酸化銅のうち少なくとも1つを含む単層又は積層構造を有することを特徴とする請求項1乃至4の何れかに記載の半導体装置。
- 前記半導体機能層は、AlxInyGa1−x−yN(但し0≦x<1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)を含むキャリア走行層と、AlaInbGa1−a−bN(但し0<a≦1、0≦b≦1、0≦a+b≦1、x<a)を含むキャリア供給層と、を備えることを特徴とする請求項1乃至4の何れかに記載の半導体装置。
- 基板と、
前記基板上に形成され且つ二次元キャリアガスを有する半導体機能層と、
前記半導体機能層上において互いに離間して形成される第1及び第2の主電極と、
前記半導体機能層上における前記第1及び第2の主電極間に形成される制御電極と、
前記半導体機能層と前記制御電極との間に形成される酸化ニッケル膜と、を備え、
酸素濃度に応じて二次元キャリアガス濃度を抑制させ、
前記酸化ニッケル膜と前記半導体機能層との接合界面における結晶格子は不連続であることを特徴とする半導体装置。 - 基板を用意する工程と、
前記基板上にAlxInyGa1−x−yN(但し0≦x<1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)を含むキャリア走行層を形成する工程と、
前記キャリア走行層上にAlaInbGa1−a−bN(但し0<a≦1、0≦b≦1、
0≦a+b≦1、x<a)を含むキャリア供給層を形成し、半導体機能層を得る工程と、
前記半導体機能層上に第1及び第2の主電極を互いに離間して形成する工程と、
前記半導体機能層上における前記第1及び第2の主電極間に、酸素濃度に応じて二次元キャリアガス濃度を抑制させ、酸素を含有する金属膜金属酸化膜を結晶格子が前記半導体機能層とが不連続になるように形成する工程と、
前記金属膜上に制御電極を形成する工程と、を備える半導体装置の製造方法。
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JP2015122296A JP2015222816A (ja) | 2015-06-17 | 2015-06-17 | 半導体装置及びその製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2010245240A (ja) * | 2009-04-06 | 2010-10-28 | Sanken Electric Co Ltd | ヘテロ接合型電界効果半導体装置及びその製造方法 |
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2015
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