JP2015214120A - 基板加工方法および液体吐出ヘッド用基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
ここで、図6の(a)から(f)を参照して、上記のクラウンの発生メカニズムについて説明する。
図6(a)は基板11の第一の面11aの一部の平面図であって、第二の穴17に対して第一の穴16の位置が異なる二つの場合[i],[ii]を示す。[i]の場合は、第一の穴16の開口端の全部が第二の穴17の内側に在る形状の液体供給口、[ii]の場合は、第一の穴16の開口端の一部が第二の穴17の内側に在る形状の液体供給口を示している。さらに、図6の(b)から(f)に各場合[i],[ii]での液体供給口の製造過程を、図6(a)のC−C’断面図およびD−D’断面図を用いて時系列で示す。特に、図6(b)は第一の穴16と第二の穴17が連通する直前の状態を示し、図6の(c)から(e)は、図6(b)中のE部(一点鎖線の枠内部)の拡大図を示している。
図6(a)の[i],[ii]に示した液体供給口を形成する際、図6の(b),(c)に示すように、初めに基板11の第一の面11aから第一の穴16を形成し、その後、基板11の第二の面11bに対して矢印20の方向にドライエッチングによって第二の穴17を形成し、第一の穴16と連通させる場合がある。この場合、第二の穴17を基板11に対して垂直に開けるために、基板のエッチングと、エッチングで形成された穴の側面保護とを繰り返してエッチングを行う方法、いわゆるボッシュプロセスが行われる。要するに、エッチングを数回に分け、毎回のエッチングの前に、コーティングガスを用いて穴16,17の内側面に保護膜を形成する工程を実施している。尚、このボッシュプロセスによると、図6の(c)〜(e)に示すように穴16,17の側壁16a,17aの表面がスキャロップ形状と呼ばれる、凹凸状になることが知られている。なお、図6中の太線が保護膜を表している。
以上のようなボッシュプロセスを用いて第二の穴17をエッチングしているとき、エッチング方向20に存在する第二の穴17の底部17b上の保護膜がエッチングされ、続いて底部17bがエッチングされていく。このとき、第二の穴の側壁17aはエッチング方向20と直交する方向を向いた面であって、なおかつ保護膜で覆われているので、エッチングされにくい。結果、第二の穴17は穴の開口寸法を維持して形成されることとなる。
第二の穴17が第一の穴16に到達した後、図6の(d),(e)に示すように、両方の穴16,17を確実に連通させるために暫く第二の穴17のエッチングが実施される。このエッチングの前には第二の穴17内にコーティングガスが導入されるため、第二の穴17の側壁17aだけでなく、第二の穴17に連通した第一の穴16の側壁16aにも保護膜が形成される。この状態で、矢印の方向20のエッチングを行ったとき、エッチング方向20に在る第二の穴17の底部17b上の保護膜がエッチングされ、続いて底部17bがエッチングされていくが、エッチング方向20とは直交する方向に在る第一の穴16の側壁16aはほとんどエッチングされない。この結果、第一の穴16の側壁16aの、第二の穴17に続く縁部にエッチング残りが発生し、図6(e)に示すようなクラウン21と呼ばれるバリが発生する。
なお、クラウンの発生は、上記のようにエッチング前にエッチング穴の側壁保護を行うボッシュプロセスにおいて顕著に起きるが、これはボッシュプロセスに限ったものではない。つまり、穴のエッチング時に発生する副生成物が穴の側壁に付着して保護膜として作用してしまう場合も、上記穴の側面保護を実施する場合と同様にクラウン発生の可能性がある。
これらの問題を解決するため、特許文献1では、前述したような工程6,7の実施、すなわち、液体供給口の内部に発生したバリを加工することが提案されている。
しかしながら、当該提案では、工程6,7の実施に際し、バリの部分を除いて液体供給口の内部をレジスト等で保護する工程が必要になって工程が複雑化するため、インクジェットヘッドのコストアップを招いてしまう。
そこで本発明は、バリの発生を抑制しながら液体供給口を形成でき、なおかつ、より単純な工程で液体供給口の形成を行えるようにすることを目的としている。
上記の態様において、第二の穴を形成する工程は、前記ドライエッチングによって、第二の穴が第一の穴と連通した後、第一の穴と第二の穴の間に前記第一の穴の開口部よりも広い連通部分を形成することを含む。
この方法によれば、ドライエッチングによって第一の穴と第二の穴の間に第一の穴の開口部よりも広い連通部分を形成することで、第二の穴に続く第一の穴の側壁の縁部が削り取られ、クラウンと呼ばれるバリは発生しなくなる。このため、液体の流れを阻害することもなく、また、バリが異物として剥がれ落ちることもなくなる。また、上記の連通部分を形成するドライエッチング中に、バリが発生する第一の穴の側壁の縁部が削り取られるので、従来技術よりも工程が単純となる。
なお、本発明は他の態様として、貫通穴を形成する方法を液体吐出ヘッド用基板の液体供給口の形成に適用する方法を含む。
図1を参照すると、液体吐出ヘッド10は、基板11とオリフィスプレート12で構成されている。オリフィスプレート12(吐出口形成部材とも呼ばれる。)は、基板11の第一の面11aに樹脂や金属等によって形成されている。オリフィスプレート12には、インク等の液体を吐出する複数の吐出口13が列状に形成され、かつ、一の吐出口13に連通する流路14が複数形成されている。基板11としては例えばシリコンの基板が用いられる。
基板11には、複数の流路14に液体を一括供給する液体供給口15が形成されている。液体供給口15は、連続する第一の穴16および第二の穴17からなる貫通穴である。後で液体供給口15の形成方法を説明するが、第一の穴16は、基板11の第一の面11aから第一の溝を第一の面11aとは逆側の第二の面11bに向かって形成してなるものである。一方、第二の穴17は、基板11の第二の面11bから第二の溝を第一の面11aに向かって形成してなるものである。第一の溝および第二の溝の内部が連通することで液体供給口15が形成される。第一の穴16は複数設けられ、各第一の穴16は一つの第二の穴17の底部17aを貫通している。また、各流路14に対して2つの第一の穴16が横並びで配置されている。
図1に示した液体吐出ヘッド構造の場合、吐出口13を有する1つの流路14内にヒーター18が配置され、液体供給口15の一部である第一の穴16は、1つの流路14の、ヒーター18を挟んで左右両側部のそれぞれに接続されている。この構造は、吐出口13から液体が吐出されると一の流路14に2つの第一の穴16から液体がリフィルされる。また、液体の吐出力が他の流路14に影響しにくい構造でもある。
図2(a)に示した工程では、矢印20の方向のドライエッチングと、エッチング穴の側壁への保護膜の形成とを繰り返して第二の穴17のエッチングが行われている。その後、図2(b)に示すように、エッチングによって第二の穴17が第一の穴16に達する。第二の穴17が第一の穴16に連通した後も、両方の穴16,17の連通状態を確実なものとするために暫く第二の穴17のエッチングが実施される。このエッチング前には第二の穴17内にコーティングガスが導入される。このとき、第一の穴16が第二の穴17と連通状態であるため、図2(c)に示すように第二の穴17の側壁17aと底部17bだけでなく第一の穴16の側壁16aにも保護膜が形成される。本発明では、上記のように第二の穴17が第一の穴16と連通する際に、第二の穴17のエッチング条件を、第二の穴17の底部17b上の保護膜だけでなく、その底部17bに続く第一の穴16の側壁16aの端部を覆う保護膜も除去できるようなエッチング条件に変更する。この変更したエッチング条件によって矢印20の方向のエッチングを実施することにより、図2(d)に示すように、第二の穴17の底部17bに続く第一の穴16の側壁16aの端部を覆う保護膜が除去される。そして図2(d)の状態で第二の穴17の底部17bがエッチングされると、図2の(f)に示すように第一の穴16と第二の穴17の間に前記第一の穴の開口部よりも広い連通部分(開口広がり部19参照)が形成される。なお、図2中の太線が保護膜を表している。
以上のように本発明では、第二の穴17が第一の穴16に連通する際に第二の穴17のエッチング条件を穴の側壁上の保護膜も除去できるようなエッチング条件に変更することにより、第二の穴17に続く第一の穴16の側壁16aの縁部がエッチングで削り取られ、第一の穴16の、第二の穴17との連通部分に開口広がり部19を形成することができる。すなわち、図6に示したクラウン21を無くすことが可能となる。なお、本明細書でいう「第二の穴17が第一の穴16と連通する際」とは、第二の穴17が第一の穴16に連通する直前、あるいは、連通後のいずれかを意味する。
「ボッシュプロセスの場合」
ボッシュプロセスの場合、エッチングに使用するガスとして例えばSF6ガスを用いることができ、コーティングガスとして例えばC4F8ガスを用いることができる。本発明において、ICP(誘導結合プラズマ)装置を用いたドライエッチングにより穴を形成することが好ましいが、他の方式のプラズマソースを備えたドライエッチング装置を用いても構わない。例えば、ECR(電子サイクロトロン共鳴)装置、NLD(磁気中性線放電)プラズマ装置を用いることもできる。
ここで、第二の穴17が第一の穴16と連通する直前までのエッチングの条件としては、エッチングステップ、コーティングステップを共に、ガス圧力を0.1Paから50Pa、ガス流量を50sccmから1000sccmの範囲で制御する。なおかつ、エッチングステップの時間を5秒から20秒の範囲で、コーティングステップの時間を1秒から10秒の間で制御する。こうした制御を実施することにより垂直性の高いエッチングが可能となる。尚、第一の穴17の形成に関しては、レーザー加工技術、異方性ウェットエッチング技術、ドライエッチングのいずれかを用いて形成することができるが、加工精度の観点からドライエッチングを用いることが好ましい。なお、ガス流量1sccmは1.68875×10-3Pa m3/sである。
その後、第二の穴17が第一の穴16と連通する際に、第二の穴17の底部17b上の保護膜だけでなく、その底部17bに続く第一の穴16の側壁16aの端部を覆う保護膜も除去できるステップをエッチングステップ中に導入する(図2(d)参照)。具体的なパラメータとしては、時間およびプラテンパワーを調整することが挙げられる。例えば、エッチング時間を上記垂直性の高いエッチング条件に対して10%以上長くし、その間プラテンパワーを50Wから200Wの範囲で印加する。プラテンパワーを印加することでイオンを被エッチング物である基板11に引き付けることができるため、上記のように第一の穴16の側壁16aを覆う保護膜を積極的に除去することが可能となる。その結果、第一の穴16と第二の穴17の連通部分にて第一の穴16の開口部が広がった形状が形成される(図1および図2に示す開口広がり部19参照)。ただし、本発明はエッチングステップの時間およびプラテンパワーだけでなく、ガス圧、ガス流量、コイルパワー、などで所望のエッチングを実施することも可能であり、また、図2(c)に示したコーティングステップの条件を変更して、穴16,17の側壁上の保護膜を薄くしておくことで開口広がり部19を形成することも可能である。なお、ここでいう「プラテンパワー」とは、エッチング処理室内に対向配置され、かつ、高周波電源を介して接続された上部電極と下部電極の間に印加される高周波のパワーをいう。
さらに、ノンボッシュプロセスの場合に関して、第二の穴17が第一の穴16に連通する際に変更する具体的なエッチング条件を説明する。
ノンボッシュプロセスの場合、使用するガスとしてSF6ガスとO2ガスを用いることができる。ノンボッシュプロセスでは、エッチングとコーティングを交互に繰り返さず、エッチング中の副生成物をエッチング穴の側壁に付着させながらエッチングを行うため、ボッシュプロセスよりも垂直性は劣るが、ほぼ垂直なエッチングが可能となる。ガス圧力としては0.1Paから50Pa、ガス流量を50sccmから1000sccmの範囲で制御することによりエッチングが可能となる。
その後、第二の穴17が第一の穴16に連通する直前に、穴16,17の側壁方向へのエッチング力を強くする条件に変更する。具体的には、最大50Paのガス圧力を5Pa以下の低真空に変更することで、エッチングに寄与するガスをより散乱させて穴16,17の側壁方向へのエッチングを増やす。これにより、第一の穴16の側壁へのエッチング力と、第二の穴17の底部に対するエッチング力とが、第二の穴17の底部に続く第一の穴16の側壁16aの縁部に作用しあって、クラウン21の発生を抑制することができる。ただし、本発明はガス圧力だけでなく、ガス流量、コイルパワー、プラテンパワーの条件を変更することで実施することも可能である。
なお、上記ボッシュプロセスおよびノンボッシュプロセスにおいて、第二の穴17を形成する過程で第二の穴17が第一の穴16に連通する際にエッチング条件を変更した理由は、第二の穴17を形成するエッチング条件を最初から、開口広がり部19が形成されるような条件とすると、第二の穴17の開口自体の形状が崩れる可能性が高いからである。したがって、開口広がり部19が形成されるような条件への変更は第二の穴17の形成途中から行うのが望ましい。
以下、本発明の実施例1による、液体吐出ヘッドの製造方法を説明する。図3の(a)〜(g)に当該液体吐出ヘッドの製造工程を示す。
まず、図3(a)に示すように、液体吐出エネルギー発生素子を含むヒーター18およびそれを駆動するための配線(不図示)が形成された液体吐出ヘッド用基板11を用意した。基板11は、インゴットの引き出し方位が<100>のシリコン単結晶基板である。当該シリコン基板の片面(第一の面11a)の上にヒーター18および配線を形成し、その後、中間層22となるHIMAL(日立化成社製)を、フォトリソグラフィプロセスによってパターニングした。中間層22は、液体吐出ヘッド10において基板11とオリフィスプレート12の間に配置され、両者の密着性を向上させるものである。
続いて、図3(b)に示すように、基板11の第一の面11a側にエッチングマスク23をパターニングし、第一の穴16をドライエッチングにて形成した。エッチングマスク23として、ノボラック系のポジ型レジストを用い、10μmの膜厚で形成し、フォトリソグラフィーによってパターニングした。
第一の穴16の深さとしては、基板11を貫通しない範囲であればよいが、インクジェットヘッドの設計した吐出性能に応えるために200μmの深さで加工した。
図3(c)に示すように、第一の面11a側にエッチングストップ層24を形成した。エッチングストップ層24の形成は、後の工程で第二の穴17をエッチングした際に第一の穴16の形状が崩れないようにする為である。また、この工程では、第一の穴16が開いた状態で、エッチングストップ層24を形成する必要がある。したがって、エッチングストップ層24の形成時は液状の材料でスピン成膜を行えない。そのため、エッチングストップ層24の材料としては、通常半導体工程でダイシングテープもしくはバックグラインドテープとして使用されるテープを流用した。テープ材としては、第一の穴16に対してテンティング性が良好で、かつドライエッチングのストップ層として使用可能であり、エッチング後に剥離可能な材料を選定する必要がある。本実施例においては、イクロステープ(三井化学製)を用いた。
その後、第二の穴17が第一の穴16と連通する際にエッチング条件を変更して第二の穴17を形成することにより、第二の穴17に続く第一の穴16の側壁16aの縁部を削り取って、第一の穴16と第二の穴17の間に前記第一の穴の開口部よりも広い連通部分(開口広がり部19参照)を形成した(図3(e))。この時のエッチング条件としては、ガス種、ガス圧、ガス流量、コーティング時間は変更せず、エッチングステップ時間を20秒にし、その間の10秒間プラテンパワーを150Wにして印加した。これにより、前述したように、ボッシュプロセスにおいて、コーティングステップにより形成される保護膜よりもエッチングする量が多くなって、開口広がり部19が形成された。なお、上記した変更前および変更後のエッチング条件は、液体供給口の設計寸法に基づき、エッチング時間とエッチング深さの相関を試作および実験等によって選定した上で決定すればよい。
その後、図3(g)に示すように、吐出口13および流路14が形成されたオリフィスプレート12を基板11の第一の面11a上に設けて、液体吐出ヘッドを得た。
支持体としては、フィルム、ガラスやシリコンウェハが挙げられるが、後で剥離することを考えるとフィルムが望ましい。例えば、フィルムとしては、ポリエチレンテレフタラート(以下PETと称する)フィルムや、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルムなどが挙げられる。また、剥離しやすくするために離型処理を施していてもよい。
オリフィスプレート12の形成方法としては、支持体上に流路14の型として第一の感光性樹脂をパターニングした後、該第一の感光性樹脂を覆うように第二の感光性樹脂を成膜する。そして、該第二の感光性樹脂に、吐出口13となる穴を第一の感光性樹脂に達するように形成する。その後、当該穴を通して第一の感光性樹脂を有機溶剤により除去することで、流路14を形成した。
第一の感光性樹脂の形成方法としては、スピンコート法を用いた。その他にもスリットコート法などによる塗布やラミネート法やプレス法などによる転写法が挙げられる。第一の感光性樹脂の厚さとしては20μmの厚さで形成し、有機溶剤に溶解するエポキシ樹脂を使用した。他にもアクリル樹脂やウレタン樹脂などの樹脂であればよい。
次に、本発明の実施例2による、液体吐出ヘッドの製造方法を説明する。図4(a)に、当該液体吐出ヘッド用基板の平面図を示す。図4の(b)〜(e)には、図4(a)のF−F’断面図[i]と、G−G’断面図[ii]とを用いて、実施例2の液体吐出ヘッド用基板の製造プロセスを時系列で示している。
実施例1の方法とは異なる点として、ヒーター18が配置されていない基板11の面を第一の面11aとし、ヒーター18が配置された基板11の面を第二の面11aとしている点であり、先ず、第一の面11aから第一の穴16のエッチングを実施し(図4(c))、その後、第二の面11b側から第二の穴17のエッチングを実施している(図4(d))。つまり、基板11の第一の面11aおよび第二の面11bが実施例1(図3)とは逆である。
前述した実施例1においては第二の穴17が第一の穴16と連通した後も、第二の穴17のエッチングをある程度続けている(図3(e)参照)。その場合、第二の穴17をエッチングするガスが少なからず第一の穴16内に進入してしまって、第一の穴16の加工精度が落ちるため、第二の穴17の加工精度の方が良好になる可能性が高い。
一方、本実施例2の場合、ヒーター18が配置されていない側の基板面から第一の穴16を形成し、その後、当該基板面とは反対側の面から第二の穴17をエッチングするため、ヒーター18が配置された面に繋がる第二の穴17の開口寸法精度が上がるというメリットがある。オリフィスプレート12の流路14に直接連通する穴の形状が流抵抗および液体吐出性能に影響するため、第二の穴17の開口寸法精度の向上はメリットが大きい。
本実施例2では、前述したメリットが有る、ヒーター18が配置されていない基板面から先にエッチングを行う例を示すが、図4(e)に示される第二の穴16を最初に形成し、その後第一の穴17を形成してもよい。
まず、図4(b)に示すように、液体吐出エネルギー発生素子を含むヒーター18およびそれを駆動するための配線(不図示)が形成された液体吐出ヘッド用基板11を用意した。基板11は、インゴットの引き出し方位が<100>のシリコン単結晶基板である。当該シリコン基板の片面(第二の面11b)の上にヒーター18および配線を形成し、その後、中間層22となるHIMAL(日立化成社製)を、フォトリソグラフィプロセスによってパターニングした。中間層22は、液体吐出ヘッド10において基板11とオリフィスプレート12の間に配置され、両者の密着性を向上させるものである。
続いて、図4(c)に示すように、第一の穴16を形成するためのエッチングマスク26を基板11の第一の面11a側にパターニングし、第一の穴16を形成した。その際に、図4(c)の[ii]に示すように、平面視が長方形の基板11の長手方向に第一の穴16が2つ並べて形成されるようなパターンでエッチングマスク26を形成した。エッチングマスク26としては、実施例1と同様にノボラック系のポジ型レジストを用いた。
エッチングマスク26を除去した後、図4(d)に示すように、第一の穴16が形成された第一の面11aに、エッチングストップ層となるテープ27をテンティングする。それから、ヒーター18が形成された第二の面11b側にエッチングマスク28を形成し、第二の穴17を形成した。その際に、第一の穴16の開口端の一部は第二の穴16の内側に在るため、この部分がクラウン状態にならないように、本発明を実施することで、開口広がり部19を形成した。第二の穴17を形成する方法として、ノンボッシュプロセスを実施した。使用するガスとしてSF6ガスとO2ガスを使用し、ガス圧力を10Pa、ガス流量を500sccmとした。このようなエッチング条件で第二の穴17を形成した後、第二の穴17が第一の穴16に連通する直前に、ガス圧力を1Paに変更し、ガス圧力以外の条件は変更せずにエッチングした。これによって開口広がり部19が形成された。
その後、テープ27およびエッチングマスク28を基板11から除去し、図4(e)で示すように、基板11の第二の面11aの上にオリフィスプレート12を形成し、液体吐出ヘッドを得た。
次に、本発明の実施例3による、液体吐出ヘッドの製造方法を説明する。図5(a)に、当該液体吐出ヘッド用基板の平面図を示す。図5の(b),(c)には、図5(a)のH−H’断面図を用いて、実施例3の液体吐出ヘッド用基板の製造プロセスを時系列で示している。
実施例3では、図5(b)に示すように、実施例1と同様に、ヒーター18が形成された基板11の面と第一の面11aとし、第一の面11aから初めに第一の穴16をエッチングする。しかし、第一の穴16の全部ではなく一部分が第二の穴17と繋がった形状の液体供給口15である点が実施例1および実施例2とは異なる。
図5(a)に示すような液体供給口15の形状においても、図5(c)に示すように、第二の穴17のエッチングステップで第二の穴17に続く第一の穴16の側壁16aの縁部を削り取って、第一の穴16と第二の穴17の間に前記第一の穴の開口部よりも広い連通部分(開口広がり部19参照)を形成することにより、本願発明の効果が得られる。
第一の穴16の形成後、開口広がり部19が形成されるように第二の穴17を形成するときのエッチング条件としては、実施例1の第二の穴17をエッチングする条件からガス種、ガス圧、ガス流量、およびエッチング時間は変更せず、コーティングステップ時間を5秒から2秒に変更してエッチングを実施した。これは、前述したボッシュプロセスにおいて、穴16,17の側壁上の保護膜を薄くしたうえで、エッチングすることが可能となって、上記のように開口部を広げた形状(開口広がり部19)が形成される。
なお、図5の(a),(c)に示される第二の穴17を最初に形成し、その後第二の穴16を形成する場合にも本願発明の技術は有効である。
11 基板
11a 第一の面
11b 第二の面
15 液体供給口
16 第一の穴
16a 第一の穴の側壁
17 第二の穴
Claims (12)
- シリコン基板に対して、前記シリコン基板の第一の面から前記シリコン基板を貫通しない深さまで第一の穴を形成する工程と、
前記第一の面の逆側の第二の面からドライエッチングで第二の穴を形成して前記第一の穴と連通させることにより、前記シリコン基板に前記第一の穴および第二の穴からなる貫通穴を形成する工程と、を含み、
前記貫通穴は、前記第二の面の平面視で前記第二の穴の内側に前記第一の穴の開口端の少なくとも一部が在る形状を有する、基板加工方法において、
前記第二の穴を形成する工程は、前記ドライエッチングによって、前記第二の穴が前記第一の穴と連通した後、前記第一の穴と第二の穴の間に前記第一の穴の開口部よりも広い連通部分を形成することを含む基板加工方法。 - 請求項1に記載の基板加工方法であって、
前記第二の穴を形成する工程は、前記第二の穴が前記第一の穴と連通する際にエッチング条件を初めのエッチング条件から変更することにより、前記第一の穴と第二の穴の間に前記第一の穴の開口部よりも広い連通部分を形成する基板加工方法。 - 請求項1または2に記載の基板加工方法であって、
前記第二の穴を形成する工程は、穴を形成するエッチングステップと該エッチングステップで形成された穴の側壁に保護膜を形成するコーティングステップとを交互に繰り返す方法を用いており、
前記第二の穴が前記第一の穴と連通した後に前記コーティングステップと前記エッチングステップを順に実施することで、前記第一の穴と第二の穴の間に前記第一の穴の開口部よりも広い連通部分を形成しており、
前記第二の穴が前記第一の穴と連通した後の前記エッチングステップのエッチング条件は、前記コーティングステップにて前記第一の穴の側壁に形成された保護膜を除去できない条件から、該保護膜を除去できる条件に変更されている基板加工方法。 - 請求項3に記載の基板加工方法であって、
前記第二の穴が前記第一の穴と連通した後の前記エッチングステップのエッチング条件は、前記初めのエッチング条件に対してエッチング時間を10%以上長くし、その間プラテンパワーを50Wから200Wの範囲で印加することを含む基板加工方法。 - 請求項1または2に記載の基板加工方法であって、
前記第二の穴を形成する工程は、穴を形成するエッチングと同時に該エッチングで形成された穴の側壁に保護膜が形成される方法を用いており、
前記第二の穴が前記第一の穴と連通する際にエッチング条件を、初めのエッチング条件から前記側壁の方向へのエッチングを強くする条件に変更する基板加工方法。 - 請求項5に記載の基板加工方法であって、
前記変更されたエッチング条件は、ガス圧力を5Pa以下にすることを含む基板加工方法。 - シリコン基板に貫通穴である液体供給口を形成することを含む液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、
前記シリコン基板に対して、前記シリコン基板の第一の面から前記シリコン基板を貫通しない深さまで第一の穴を形成する工程と、
前記第一の面の逆側の第二の面からドライエッチングで第二の穴を形成して前記第一の穴と連通させることにより、前記シリコン基板に前記第一の穴および第二の穴からなる貫通穴を形成する工程と、を含み、
前記貫通穴は、前記第二の面の平面視で前記第二の穴の内側に前記第一の穴の開口端の少なくとも一部が在る形状を有する、液体吐出ヘッド用基板の製造方法において、
前記第二の穴を形成する工程は、前記ドライエッチングによって、前記第二の穴が前記第一の穴と連通した後、前記第一の穴と第二の穴の間に前記第一の穴の開口部よりも広い連通部分を形成することを特徴とする液体吐出ヘッド用基板の製造方法。 - 請求項7に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、
前記第二の穴を形成する工程は、前記第二の穴が前記第一の穴と連通する際にエッチング条件を初めのエッチング条件から変更することにより、前記第一の穴と第二の穴の間に前記第一の穴の開口部よりも広い連通部分を形成する液体吐出ヘッド用基板の製造方法。 - 請求項7または8に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、
前記第二の穴を形成する工程は、穴を形成するエッチングステップと該エッチングステップで形成された穴の側壁に保護膜を形成するコーティングステップとを交互に繰り返す方法を用いており、
前記第二の穴が前記第一の穴と連通した後に前記コーティングステップと前記エッチングステップを順に実施することで、前記第一の穴と第二の穴の間に前記第一の穴の開口部よりも広い連通部分を形成しており、
前記第二の穴が前記第一の穴と連通した後の前記エッチングステップのエッチング条件は、前記コーティングステップにて前記第一の穴の側壁に形成された保護膜を除去できない条件から、該保護膜を除去できる条件に変更されている液体吐出ヘッド用基板の製造方法。 - 請求項9に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、
前記第二の穴が前記第一の穴と連通した後の前記エッチングステップのエッチング条件は、前記初めのエッチング条件に対してエッチング時間を10%以上長くし、その間プラテンパワーを50Wから200Wの範囲で印加することを含む液体吐出ヘッド用基板の製造方法。 - 請求項7または8に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、
前記第二の穴を形成する工程は、穴を形成するエッチングと同時に該エッチングで形成された穴の側壁に保護膜が形成される方法を用いており、
前記第二の穴が前記第一の穴と連通する際にエッチング条件を、初めのエッチング条件から前記側壁の方向へのエッチングを強くする条件に変更する液体吐出ヘッド用基板の製造方法。 - 請求項11に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、
前記変更されたエッチング条件は、ガス圧力を5Pa以下にすることを含む液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
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