JP2015185609A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015185609A5 JP2015185609A5 JP2014059077A JP2014059077A JP2015185609A5 JP 2015185609 A5 JP2015185609 A5 JP 2015185609A5 JP 2014059077 A JP2014059077 A JP 2014059077A JP 2014059077 A JP2014059077 A JP 2014059077A JP 2015185609 A5 JP2015185609 A5 JP 2015185609A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- region
- semiconductor substrate
- height
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 16
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 4
- 230000002093 peripheral Effects 0.000 claims 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims 1
Description
上記課題に鑑みて、本発明の一部の側面では、半導体装置の製造方法であって、第1領域及び第2領域を有する半導体基板の上に、前記第1領域の上に位置する第1部分と前記第2領域の上に位置する第2部分とを有するパターニングされた第1膜であって、前記第1部分の上面の前記半導体基板からの高さが前記第2部分の上面の前記半導体基板からの高さよりも低い第1膜を形成する第1膜形成工程と、前記第1膜の上に、絶縁膜である第2膜であって、前記第2膜の一部が前記第1部分を貫通し前記第1領域のトレンチの内部にあり、前記第2膜の別の一部が前記第2部分を貫通し前記第2領域のトレンチの内部にある第2膜を形成する第2膜形成工程と、前記第2膜を研磨して前記第2膜のうち前記第1膜の上にある部分を除去する研磨工程とを有し、前記第1領域において前記トレンチの占める比率は、前記第2領域において前記トレンチの占める比率よりも低いことを特徴とする製造方法が提供される。本発明の別の側面では、半導体装置の製造方法であって、第1領域及び第2領域を有する半導体基板の上に、パターニングされた第1膜を形成する第1膜形成工程と、前記第1膜の上に、絶縁膜である第2膜であって、前記第2膜の一部が前記第1膜を貫通し前記半導体基板のトレンチの内部にある第2膜を形成する第2膜形成工程と、前記第2膜を研磨して前記第2膜のうち前記第1膜の上にある部分を除去する研磨工程と、前記研磨工程の後に、前記第2膜のうち前記第1領域の上にある部分の上面の前記半導体基板からの高さと、前記第2膜のうち前記第2領域の上にある部分の上面の前記半導体基板からの高さとの差を低減するように前記第2膜を加工する第2膜加工工程とを有し、前記第1領域において前記トレンチの占める比率は、前記第2領域において前記トレンチの占める比率よりも低く、前記第2膜加工工程の前に、前記第2膜のうち前記第1領域の上にある部分の上面の前記半導体基板からの高さは、前記第2膜のうち前記第2領域の上にある部分の上面の前記半導体基板からの高さよりも高いことを特徴とする製造方法が提供される。
Claims (12)
- 半導体装置の製造方法であって、
第1領域及び第2領域を有する半導体基板の上に、前記第1領域の上に位置する第1部分と前記第2領域の上に位置する第2部分とを有するパターニングされた第1膜であって、前記第1部分の上面の前記半導体基板からの高さが前記第2部分の上面の前記半導体基板からの高さよりも低い第1膜を形成する第1膜形成工程と、
前記第1膜の上に、絶縁膜である第2膜であって、前記第2膜の一部が前記第1部分を貫通し前記第1領域のトレンチの内部にあり、前記第2膜の別の一部が前記第2部分を貫通し前記第2領域のトレンチの内部にある第2膜を形成する第2膜形成工程と、
前記第2膜を研磨して前記第2膜のうち前記第1膜の上にある部分を除去する研磨工程とを有し、
前記第1領域において前記トレンチの占める比率は、前記第2領域において前記トレンチの占める比率よりも低いことを特徴とする製造方法。 - 前記第2膜形成工程において、前記第2膜が前記第1領域の上にある第1部分と前記第2領域の上にある第2部分とを有し、前記第2膜の前記第1部分の上面の前記半導体基板からの高さが前記第2膜の前記第2部分の上面の前記半導体基板からの高さよりも低くなるように前記第2膜が形成されることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記第2膜形成工程は、前記第2膜が前記第1領域の上にある第1部分と前記第2領域の上にある第2部分とを有し、前記第2膜の前記第1部分の上面の前記半導体基板からの高さが前記第2膜の前記第2部分の上面の前記半導体基板からの高さよりも低くなるように、前記第2膜を加工する第2膜加工工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 半導体装置の製造方法であって、
第1領域及び第2領域を有する半導体基板の上に、パターニングされた第1膜を形成する第1膜形成工程と、
前記第1膜の上に、絶縁膜である第2膜であって、前記第2膜の一部が前記第1膜を貫通し前記半導体基板のトレンチの内部にある第2膜を形成する第2膜形成工程と、
前記第2膜を研磨して前記第2膜のうち前記第1膜の上にある部分を除去する研磨工程と、
前記研磨工程の後に、前記第2膜のうち前記第1領域の上にある部分の上面の前記半導体基板からの高さと、前記第2膜のうち前記第2領域の上にある部分の上面の前記半導体基板からの高さとの差を低減するように前記第2膜を加工する第2膜加工工程とを有し、
前記第1領域において前記トレンチの占める比率は、前記第2領域において前記トレンチの占める比率よりも低く、
前記第2膜加工工程の前に、前記第2膜のうち前記第1領域の上にある部分の上面の前記半導体基板からの高さは、前記第2膜のうち前記第2領域の上にある部分の上面の前記半導体基板からの高さよりも高いことを特徴とする製造方法。 - 前記第2膜形成工程は、前記第2膜のうち前記第1領域の上にある部分の上面の前記半導体基板からの高さが前記第2膜のうち前記第2領域の上にある部分の上面の前記半導体基板からの高さよりも低くなるように、前記第2膜を加工することを含むことを特徴とする請求項4に記載の製造方法。
- 前記第2膜加工工程は、
前記第2膜のうち前記第1領域の上にある部分を露出し、前記第2膜のうち前記第2領域の上にある部分を覆う第2レジストパターンを形成し、
前記第2レジストパターンをマスクとして用いて前記第2膜をエッチングすることを含むこと特徴とする請求項3又は5に記載の製造方法。 - 前記研磨工程の後に、前記第2膜のうち前記第1領域の上にある部分の上側と前記第2膜のうち前記第2領域の上にある部分の上側をエッチングによって除去する工程を更に有することを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載の製造方法。
- 前記第1膜形成工程の前に、前記半導体基板の上にポリシリコン膜を形成する工程を更に有し、
前記エッチングの後に残る前記第2膜の上面の前記半導体基板からの高さは、前記ポリシリコン膜の底面の前記半導体基板からの高さよりも高く、前記ポリシリコン膜の上面の前記半導体基板からの高さよりも低いことを特徴とする請求項7に記載の製造方法。 - 前記第1膜形成工程は、
前記第1膜のうち前記第1領域の上にある部分を露出し、前記第1膜のうち前記第2領域の上にある部分を覆う第1レジストパターンを形成することと、
前記第1レジストパターンをマスクとして用いて前記第1膜をエッチングすることとを含むことを特徴とする請求項1乃至8の何れか1項に記載の製造方法。 - 前記半導体装置は、前記半導体基板に画素領域及び周辺回路領域を有する光電変換装置であり、
前記第1領域は前記画素領域を含み、前記第2領域は前記周辺回路領域を含むことを特徴とする請求項1乃至9の何れか1項に記載の製造方法。 - 前記画素領域は、前記半導体基板に形成された不純物半導体領域の内部に形成され、
前記第1領域は、前記不純物半導体領域を含むことを特徴とする請求項10に記載の製造方法。 - 前記周辺回路領域は、ダミーの活性領域を含むことを特徴とする請求項10又は11に記載の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014059077A JP6362373B2 (ja) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | 光電変換装置の製造方法 |
US14/645,592 US9711563B2 (en) | 2014-03-20 | 2015-03-12 | Method of manufacturing semiconductor device having an insulating film in trenches of a semiconductor substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014059077A JP6362373B2 (ja) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | 光電変換装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015185609A JP2015185609A (ja) | 2015-10-22 |
JP2015185609A5 true JP2015185609A5 (ja) | 2017-03-30 |
JP6362373B2 JP6362373B2 (ja) | 2018-07-25 |
Family
ID=54142872
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014059077A Active JP6362373B2 (ja) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | 光電変換装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9711563B2 (ja) |
JP (1) | JP6362373B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6569549B2 (ja) * | 2015-05-01 | 2019-09-04 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電子機器、及び電気光学装置の製造方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0155874B1 (ko) * | 1995-08-31 | 1998-12-01 | 김광호 | 반도체장치의 평탄화방법 및 이를 이용한 소자분리방법 |
JPH11312730A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2003142674A (ja) | 2001-11-07 | 2003-05-16 | Toshiba Corp | Mos型固体撮像装置 |
KR20040010303A (ko) * | 2002-07-23 | 2004-01-31 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 장치 및 그 제조 방법, 불휘발성 반도체 기억 장치및 그 제조 방법, 및 불휘발성 반도체 기억 장치를구비하는 전자 장치 |
CN100573870C (zh) * | 2004-08-12 | 2009-12-23 | 株式会社瑞萨科技 | 双浅沟绝缘半导体装置及其制造方法 |
JP4947931B2 (ja) * | 2004-08-12 | 2012-06-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP2006351747A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007109966A (ja) | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2007207828A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
JP2009117681A (ja) * | 2007-11-08 | 2009-05-28 | Panasonic Corp | 半導体装置の製造方法および固体撮像装置の製造方法 |
JP2010199358A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP5704848B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2015-04-22 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
US8722509B2 (en) * | 2011-08-05 | 2014-05-13 | United Microelectronics Corp. | Method of forming trench isolation |
JP5991739B2 (ja) * | 2012-06-15 | 2016-09-14 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、ならびにカメラ |
US8703577B1 (en) * | 2012-12-17 | 2014-04-22 | United Microelectronics Corp. | Method for fabrication deep trench isolation structure |
US9123612B2 (en) * | 2013-10-31 | 2015-09-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor structure and manufacturing method thereof |
-
2014
- 2014-03-20 JP JP2014059077A patent/JP6362373B2/ja active Active
-
2015
- 2015-03-12 US US14/645,592 patent/US9711563B2/en active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2016534572A5 (ja) | ||
JP2016174144A5 (ja) | ||
JP2014123740A5 (ja) | 貫通電極を有する半導体素子及びその製造方法 | |
JP2016149546A5 (ja) | ||
JP2016213468A5 (ja) | ||
JP2012160716A5 (ja) | ||
JP2017085099A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
TWI640042B (zh) | 半導體裝置之圖案化結構的製作方法 | |
JP2016532296A5 (ja) | ||
JP2014204047A5 (ja) | ||
JP2016529708A5 (ja) | ||
JP2017034246A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP2012164945A5 (ja) | ||
JP2013084753A5 (ja) | ||
JP2016219468A5 (ja) | ||
JP2015529017A5 (ja) | ||
JP2016058599A5 (ja) | ||
JP2015230928A5 (ja) | ||
JP2016004838A5 (ja) | ||
JP2014160809A5 (ja) | ||
JP2019029448A5 (ja) | ||
JP2015185609A5 (ja) | ||
JP2016092367A5 (ja) | ||
JP2015041711A5 (ja) | ||
JP2014228708A5 (ja) |