JP2015185577A - photoelectric conversion element - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光電変換素子に関する。 The present invention relates to a photoelectric conversion element.
太陽光エネルギを電気エネルギに直接変換する太陽電池は、近年、特に、地球環境問題の観点から、次世代のエネルギ源としての期待が急激に高まっている。太陽電池には、化合物半導体または有機材料を用いたものなど様々な種類のものがあるが、現在、主流となっているのは、シリコン結晶を用いたものである。 In recent years, a solar cell that directly converts solar energy into electric energy has been rapidly expected as a next-generation energy source particularly from the viewpoint of global environmental problems. There are various types of solar cells, such as those using compound semiconductors or organic materials, but the mainstream is currently using silicon crystals.
太陽電池には、太陽光が入射する受光面と、受光面の反対側である裏面との両面に電極が形成された構造(両面電極構造)のものと、裏面のみに電極が形成された構造(裏面電極構造)のものとがある。裏面電極構造の太陽電池は、受光面に電極がない分、入射される太陽光の量を増加できる点で有利である。 The solar cell has a structure in which electrodes are formed on both sides of a light receiving surface on which sunlight is incident and a back surface opposite to the light receiving surface (double-sided electrode structure), and a structure in which electrodes are formed only on the back surface. (Back electrode structure). The solar cell having the back electrode structure is advantageous in that the amount of incident sunlight can be increased by the absence of an electrode on the light receiving surface.
たとえば、特許文献1には、裏面電極構造の太陽電池が記載されている。特許文献1に記載の太陽電池によれば、半導体基板の裏面に、in接合およびip接合がそれぞれ形成され、in接合上にn側電極が、ip接合上にp型電極が形成されている。この太陽電池では、半導体基板の受光面側から太陽光が入射されることにより、半導体基板の内部でキャリアが生成され、このキャリアがp側電極とn側電極とから外部に取り出される。
For example,
しかしながら、近年、太陽電池等の光電変換素子の技術分野においては、特性および信頼性を向上させることが強く要望されており、その検討が進められている。 However, in recent years, in the technical field of photoelectric conversion elements such as solar cells, it has been strongly demanded to improve characteristics and reliability, and studies thereof are being conducted.
上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、特性および信頼性を向上させることが可能な光電変換素子および光電変換素子の製造方法を提供することにある。 In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a photoelectric conversion element capable of improving characteristics and reliability and a method of manufacturing the photoelectric conversion element.
本発明の第1の態様によれば、半導体基板と、半導体基板の一方の表面の一部に設けられた第1のi型半導体膜と、第1のi型半導体膜上に設けられた第1導電型半導体膜からなる第1半導体領域と、第1半導体領域上に設けられた第1電極層と、半導体基板の表面の他の一部に設けられた第2のi型半導体膜と、第2のi型半導体膜上に設けられた第2導電型半導体膜からなる第2半導体領域と、第2半導体領域上に設けられた第2電極層とを備える光電変換素子であって、第1半導体領域と第1電極層との間に介在する第1導電膜を有し、第1電極層は、第1導電膜の表面に沿って第1半導体領域にまで延在する光電変換素子を提供することができる。 According to the first aspect of the present invention, a semiconductor substrate, a first i-type semiconductor film provided on a part of one surface of the semiconductor substrate, and a first i-type semiconductor film provided on the first i-type semiconductor film A first semiconductor region made of one conductivity type semiconductor film, a first electrode layer provided on the first semiconductor region, a second i-type semiconductor film provided on another part of the surface of the semiconductor substrate, A photoelectric conversion element comprising: a second semiconductor region made of a second conductivity type semiconductor film provided on a second i-type semiconductor film; and a second electrode layer provided on the second semiconductor region, A first conductive film interposed between the semiconductor region and the first electrode layer, wherein the first electrode layer is a photoelectric conversion element extending to the first semiconductor region along the surface of the first conductive film; Can be provided.
本発明の第2の態様によれば、半導体基板と、半導体基板の一方の表面下の一部に形成された第1導電型不純物拡散領域からなる第1半導体領域と、第1半導体領域上に設けられた第1電極層と、半導体基板の表面下の他の一部に形成された第2導電型不純物拡散領域からなる第2半導体領域と、第2半導体領域上に設けられた第2電極層とを備える光電変換素子であって、第1半導体領域と第1電極層との間に介在する第1導電膜を有し、第1電極層は、第1導電膜の表面に沿って第1半導体領域にまで延在する光電変換素子を提供することができる。 According to the second aspect of the present invention, a semiconductor substrate, a first semiconductor region comprising a first conductivity type impurity diffusion region formed partly under one surface of the semiconductor substrate, and on the first semiconductor region A first electrode layer provided; a second semiconductor region comprising a second conductivity type impurity diffusion region formed in another part under the surface of the semiconductor substrate; and a second electrode provided on the second semiconductor region A first conductive film interposed between the first semiconductor region and the first electrode layer, wherein the first electrode layer is formed along the surface of the first conductive film. A photoelectric conversion element extending to one semiconductor region can be provided.
本発明の第3の態様によれば、半導体基板と、半導体基板の一方の表面に設けられた第1導電型半導体膜からなる第1半導体領域と、第1半導体領域上に設けられた第1電極層と、半導体基板の他方の表面である受光面に設けられた第2導電型半導体膜からなる第2半導体領域と、第2半導体領域上に設けられた第2電極層とを備える光電変換素子であって、第1半導体領域と第1電極層との間に介在する第1導電膜を備え、第1電極層は、第1導電膜の表面に沿って第1半導体領域にまで延在する、光電変換素子を提供することができる。 According to the third aspect of the present invention, the semiconductor substrate, the first semiconductor region made of the first conductivity type semiconductor film provided on one surface of the semiconductor substrate, and the first semiconductor region provided on the first semiconductor region. Photoelectric conversion comprising an electrode layer, a second semiconductor region made of a second conductivity type semiconductor film provided on the light receiving surface which is the other surface of the semiconductor substrate, and a second electrode layer provided on the second semiconductor region An element comprising a first conductive film interposed between a first semiconductor region and a first electrode layer, wherein the first electrode layer extends to the first semiconductor region along a surface of the first conductive film A photoelectric conversion element can be provided.
本発明によれば、従来よりも特性および信頼性を向上させることが可能な光電変換素子を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the photoelectric conversion element which can improve a characteristic and reliability rather than before can be provided.
以下、本発明の一例である実施の形態について説明する。なお、実施の形態の説明に用いられる図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。 Hereinafter, an embodiment which is an example of the present invention will be described. Note that in the drawings used to describe the embodiments, the same reference numerals represent the same or corresponding parts.
[実施の形態1]
<光電変換素子の構成>
図1に、本発明の光電変換素子の一例である実施の形態1のヘテロ接合型バックコンタクトセルの模式的な断面図を示す。
[Embodiment 1]
<Configuration of photoelectric conversion element>
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a heterojunction back contact cell according to
実施の形態1のヘテロ接合型バックコンタクトセルは、n型単結晶シリコン基板からなる半導体基板1と、半導体基板1の一方の表面(裏面)の一部に設けられた第1のi型半導体膜2と、第1のi型半導体膜2上に設けられたp型非晶質シリコン膜からなる第1導電型半導体膜3(第1半導体領域)と、第1導電型半導体膜3上に設けられた第1導電膜11aと、第1導電膜11a上に設けられた第1電極層9とを備える。
The heterojunction back contact cell of the first embodiment includes a
また、実施の形態1のヘテロ接合型バックコンタクトセルは、半導体基板1の裏面の他の一部に設けられた第2のi型半導体膜4と、第2のi型半導体膜4上に設けられたn型非晶質シリコン膜からなる第1の第2導電型半導体膜5(第2半導体領域)と、第1の第2導電型半導体膜5上に設けられた第2電極層10とを備える。
The heterojunction back contact cell according to the first embodiment is provided on the second i-
また、実施の形態1のヘテロ接合型バックコンタクトセルは、半導体基板1の他方の表面(受光面)に設けられた第3のi型半導体膜6と、第3のi型半導体膜6上に設けられた第2の第2導電型半導体膜7と、第2の第2導電型半導体膜7上に設けられた反射防止膜8とを備える。
The heterojunction back contact cell according to the first embodiment is formed on the third i-
図1に示すように、第1電極層9は、第1導電型半導体膜3と第1電極層9との間の一部に介在する第1導電膜11aの表面に沿って、第1導電型半導体膜3上にまで延在する。すなわち、第1電極層9は、第1導電型半導体膜3および第1導電膜11aの両方と接触しており、第1導電膜11aもまた、第1導電型半導体膜3および第1電極層9の両方と接触する。
As shown in FIG. 1, the
半導体基板1としては、n型単結晶シリコン基板を好適に用いることができるが、n型単結晶シリコン基板に限定されず、たとえば従来から公知の半導体基板を用いることもできる。半導体基板1の厚さは、特に限定されず、たとえば50μm以上300μm以下とすることができ、好ましくは100μm以上200μm以下とすることができる。また、半導体基板1の比抵抗も、特に限定されず、たとえば0.1Ω・cm以上10Ω・cm以下とすることができる。また、n型不純物の不純物濃度は、たとえば、1×1018個/cm3以上1×1020個/cm3以上とすることができる。なお、i型よりも不純物濃度が大きいことは言うまでもない。
As the
第1のi型半導体膜2としては、i型非晶質シリコン膜を好適に用いることができるがi型非晶質シリコン膜に限定されず、たとえば従来から公知のi型半導体膜を用いることもできる。第1のi型半導体膜2の厚さは特に限定されず、たとえば1nm以上50nm以下とすることができる。
As the first i-
なお、本明細書において「i型」とは、完全な真性の状態だけでなく、十分に低濃度(n型不純物濃度が1×1019個/cm3未満、かつp型不純物濃度が1×1019個/cm3未満)であればn型またはp型の不純物が混入された状態のものも含む意味である。n型不純物濃度およびp型不純物濃度は、二次イオン質量分析法(SIMS;Secondary Ion Mass Spectrometry)によって測定することができる。 Note that in this specification, “i-type” means not only a completely intrinsic state but also a sufficiently low concentration (the n-type impurity concentration is less than 1 × 10 19 / cm 3 and the p-type impurity concentration is 1 × (Less than 10 19 / cm 3 ) is meant to include n-type or p-type impurities. The n-type impurity concentration and the p-type impurity concentration can be measured by secondary ion mass spectrometry (SIMS).
また、本明細書において「非晶質シリコン」には、シリコン原子の未結合手(ダングリングボンド)が水素で終端されていない非晶質シリコンだけでなく、水素化非晶質シリコンなどのシリコン原子の未結合手が水素で終端されたものも含まれるものとする。 In this specification, “amorphous silicon” includes not only amorphous silicon in which dangling bonds of silicon atoms are not terminated with hydrogen, but also silicon such as hydrogenated amorphous silicon. Also included are those in which dangling bonds of atoms are terminated with hydrogen.
第1導電型半導体膜3としては、p型非晶質シリコン膜を好適に用いることができるがp型非晶質シリコン膜に限定されず、たとえば従来から公知のp型半導体膜を用いることもできる。第1導電型半導体膜3に含まれるp型不純物としては、たとえばボロンを用いることができ、p型不純物の濃度は、たとえば5×1019個/cm3程度とすることができる。第1導電型半導体膜3の厚さは特に限定されず、たとえば5nm以上50nm以下とすることができる。
A p-type amorphous silicon film can be preferably used as the first
第2のi型半導体膜4としては、i型非晶質シリコン膜を好適に用いることができるがi型非晶質シリコン膜に限定されず、たとえば従来から公知のi型半導体膜を用いることもできる。第2のi型半導体膜4の厚さは特に限定されず、たとえば1nm以上50nm以下とすることができる。
As the second i-
第1の第2導電型半導体膜5としては、n型非晶質シリコン膜を好適に用いることができるがn型非晶質シリコン膜に限定されず、たとえば従来から公知のn型半導体膜を用いることもできる。第1の第2導電型半導体膜5に含まれるn型不純物としては、たとえばリンを用いることができる。第1の第2導電型半導体膜5の厚さは特に限定されず、たとえば5nm以上50nm以下とすることができる。
As the first second
第3のi型半導体膜6としては、i型非晶質シリコン膜を好適に用いることができるがi型非晶質シリコン膜に限定されず、たとえば従来から公知のi型半導体膜を用いることもできる。第3のi型半導体膜6の厚さは特に限定されず、たとえば1nm以上50nm以下とすることができる。
As the third i-
第2の第2導電型半導体膜7としては、n型非晶質シリコン膜を好適に用いることができるが、n型非晶質シリコン膜に限定されず、たとえば従来から公知のn型半導体膜を用いることもできる。第2の第2導電型半導体膜7に含まれるn型不純物としては、たとえばリンを用いることができ、n型不純物の濃度は、たとえば5×1019個/cm3程度とすることができる。また、第2の第2導電型半導体膜7の厚さは特に限定されず、たとえば5nm以上50nm以下とすることができる。
As the second second conductive
反射防止膜8としては、たとえば、酸化物層および窒化物層の少なくとも一方を用いることができる。酸化物層としては、たとえば酸化シリコン層などを用いることができる。また、窒化物層としては、たとえば窒化シリコン層などを用いることができる。したがって、反射防止膜8としては、たとえば、酸化シリコン層の単層、窒化シリコン層の単層、または酸化シリコン層と窒化シリコン層との積層体などを用いることができる。反射防止膜8の厚さは、たとえば40nm以上800nm以下とすることができる。
As the
第1電極層9および第2電極層10としては、導電性を有する材料を特に限定なく用いることができ、なかでも、アルミニウムおよび銀の少なくとも一方を用いることが好ましい。また、第1電極層9の厚さは第1導電膜11aの厚さより大きければよく、たとえば0.5μm以下とすることができる。また、第2電極層10の厚さは特に限定されず、たとえば0.5μm以下とすることができる。
As the
第1導電膜11aとしては、第1導電型半導体膜3および第1電極層9に対して高い密着性を有し、かつ導電性を有するものであればよい。たとえば、ITO(インジウムスズ酸化物)、ZnO(酸化亜鉛)、SnO(酸化スズ)、IWO(タングステンドープ酸化インジウム)、FTO(フッ素をドープした酸化スズ)などを挙げることができる。第1導電膜11aの厚さは第1電極層9の厚さよりも小さければよく、より好ましくは第1電極層9の厚さの半分以下であり、さらに好ましくは20nm以下である。
The first
<光電変換素子の製造方法>
以下、図2〜図17の模式的断面図を参照して、実施の形態1のヘテロ接合型バックコンタクトセルの製造方法の一例について説明する。まず、図2に示すように、半導体基板1の受光面の全面に第3のi型半導体膜6を形成し、第3のi型半導体膜6の受光面の全面に第2の第2導電型半導体膜7を形成する。
<Method for producing photoelectric conversion element>
Hereinafter, an example of a method for manufacturing the heterojunction back contact cell of the first embodiment will be described with reference to schematic cross-sectional views of FIGS. First, as shown in FIG. 2, the third i-
第3のi型半導体膜6の形成方法および第2の第2導電型半導体膜7の形成方法は特に限定されず、たとえばプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法を用いることができる。
The method for forming the third i-
なお、半導体基板1の受光面に第3のi型半導体膜6を形成する前に、半導体基板1の受光面に凹凸を形成してもよい。このような凹凸は、たとえば、半導体基板1の裏面の全面にテクスチャマスクを形成した後に、半導体基板1の受光面をテクスチャエッチングすることにより形成することができる。テクスチャマスクとしては、たとえば、窒化シリコンまたは酸化シリコンを用いることができる。また、テクスチャエッチングに用いられるエッチャントとしては、たとえば、シリコンを溶解可能なアルカリ溶液を用いることができる。
In addition, before forming the third i-
次に、図3に示すように、半導体基板1の裏面の全面に第1のi型半導体膜2を形成し、第1のi型半導体膜2上に第1導電型半導体膜3を形成する。第1のi型半導体膜2のおよび第1導電型半導体膜3の形成方法は特に限定されず、たとえばプラズマCVD法を用いることができる。
Next, as shown in FIG. 3, the first i-
次に、図4に示すように、半導体基板1の裏面において、第1のi型半導体膜2と第1導電型半導体膜3との積層体51を残す部分にのみフォトレジスト等のエッチングマスク12を形成する。
Next, as shown in FIG. 4, on the back surface of the
次に、図5に示すように、エッチングマスク12をマスクとして、第1のi型半導体膜2と第1導電型半導体膜3との積層体51の一部を厚さ方向にエッチングする。これにより、半導体基板1の表面を露出させる。なお、エッチングマスク12をマスクとして用いたエッチングに代えて、たとえばレーザ光の照射によって積層体51の一部を除去してもよい。
Next, as shown in FIG. 5, a part of the stacked
次に、図6に示すように、第1導電型半導体膜3からエッチングマスク12を完全に除去する。
Next, as shown in FIG. 6, the
次に、図7に示すように、半導体基板1の裏面側の露出部分を覆うように、第2のi型半導体膜4を形成し、第2のi型半導体膜4上に第1の第2導電型半導体膜5を形成する。第2のi型半導体膜4および第1の第2導電型半導体膜5の形成方法は特に限定されず、たとえばプラズマCVD法を用いることができる。
Next, as shown in FIG. 7, the second i-
次に、図8に示すように、半導体基板1の裏面側の第2のi型半導体膜4と第1の第2導電型半導体膜5との積層体52を残す部分にのみフォトレジスト等のエッチングマスク13を形成する。
Next, as shown in FIG. 8, a photoresist or the like is used only in a portion where the stacked body 52 of the second i-
次に、図9に示すように、エッチングマスク13をマスクとして、第2のi型半導体膜4と第1の第2導電型半導体膜5とからなる積層体52の一部を厚さ方向にエッチングすることによって、第1導電型半導体膜3の一部を露出させる。
Next, as shown in FIG. 9, using the
次に、図10に示すように、第1の第2導電型半導体膜5からエッチングマスク13を完全に除去する。
Next, as shown in FIG. 10, the
次に、図11に示すように、第1導電型半導体膜3および第1の第2導電型半導体膜5のそれぞれの裏面の全面を覆うように導電膜11を形成する。導電膜11の形成方法は特に制限されず、たとえばスパッタリング法などを用いることができる。
Next, as shown in FIG. 11, the
導電膜11は導電膜11aを構成するための膜であり、したがって、その材料は、第1導電型半導体膜3および第1電極層9に対して高い密着性を有し、かつ導電性を有するものであればよい。たとえば、ITO(インジウムスズ酸化物)、ZnO(酸化亜鉛)、SnO(酸化スズ)、IWO(タングステンドープ酸化インジウム)、FTO(フッ素をドープした酸化スズ)などを挙げることができる。導電膜11の厚さは第1電極層9の厚さよりも小さければよく、より好ましくは第1電極層9の厚さの半分以下である。
The
次に、図12に示すように、導電膜11上に、第1導電膜11aを残す部分にのみフォトレジスト等のエッチングマスク14を形成する。
Next, as shown in FIG. 12, an
次に、図13に示すように、エッチングマスク14をマスクとして、導電膜11を除去する。これにより、第1導電型半導体膜3の表面の一部と、第1の第2導電型半導体膜5の表面全てを露出させる。導電膜11の除去方法は特に制限されず、ウェットエッチング、ドライエッチングなどのエッチングを用いることができる。また、エッチングに代えてレーザ光の照射によって導電膜11を除去してもよい。
Next, as shown in FIG. 13, the
次に、図14に示すように、エッチングマスク14を除去することにより、第1導電膜11aが形成される。
Next, as shown in FIG. 14, the first
次に、図15に示すように、第1導電型半導体膜3および第1の第2導電型半導体膜5の表面の一部の領域上に、たとえばフォトレジスト等のエッチングマスク15を設置する。エッチングマスク15は、第1電極層9および第2電極層10を形成する領域に開口部を有する。
Next, as shown in FIG. 15, an
次に、図16に示すように、エッチングマスク15の表面上およびエッチングマスク15から露出している第1導電型半導体膜3、第1導電膜11a、および第1の第2導電型半導体膜5上に電極層16をたとえばスパッタリング法または蒸着法などによって積層する。
Next, as shown in FIG. 16, the first
電極層16は、第1電極層9および第2電極層10を形成するための層であり、したがって、導電性を有する材料を特に限定なく用いることができる。なかでも、アルミニウムおよび銀の少なくとも一方を用いることが好ましい。電極層16の厚さは、特に限定されず、少なくとも、第1導電膜11aの厚さよりも厚くなるように形成される。
The
次に、図17に示すように、エッチングマスク15を除去して、エッチングマスク15とともに、エッチングマスク15上の電極層16を除去することによって、第1導電型半導体膜3上に設けられた第1電極層9と、第1の第2導電型半導体膜5上に設けられた第2電極層10とが形成される。なお、エッチングマスク15を用いたエッチングに代えて、たとえばレーザ光の照射によって、第1電極層9および第2電極層10を形成してもよい。
Next, as shown in FIG. 17, the
その後、図1に示すように、第2の第2導電型半導体膜7の受光面上に、反射防止膜8を形成する。反射防止膜8の形成方法は特に限定されず、たとえばスチーム酸化法、常圧CVD法、SOGの塗布・焼成、プラズマCVD法または常圧CVD法を用いることができる。具体的には、酸化シリコン層としては、たとえば、スチーム酸化法、常圧CVD法、SOGの塗布・焼成により酸化シリコン層を容易に形成することができ、プラズマCVD法または常圧CVD法により窒化シリコン層を容易に形成することができる。
Thereafter, as shown in FIG. 1, an
以上により、図1に示す構成である実施の形態1のヘテロ接合型バックコンタクトセルが完成する。 Thus, the heterojunction back contact cell according to the first embodiment having the configuration shown in FIG. 1 is completed.
<作用効果>
実施の形態1においては、第1導電型半導体膜3(第1半導体領域)上に第1導電膜11aが設けられ、第1導電膜11a上に設けられた第1電極層9は、第1導電膜11aの表面に沿って第1導電型半導体膜3上にまで延在する。これにより、実施の形態1のヘテロ接合型バックコンタクトセルの特性および信頼性が向上する。これについて、他の構成と比較しながら説明する。
<Effect>
In the first embodiment, the first
ヘテロ接合型バックコンタクトセルに関し、特許文献1に開示されるように、シリコン半導体と電極とは他の部材を介することなく、その全面において直接接触するように構成されている場合、電極の剥離が生じ易い傾向にあった。これは、シリコン半導体のようなシリコン結晶と金属からなる電極との密着性が低い傾向にあるためである。
With respect to the heterojunction back contact cell, as disclosed in
しかし、電極の剥離を解消するという観点から、電極とシリコン半導体との間の全面に亘って密着性を向上させるための他の部材を介在させた場合、他の部材を介さない場合と比して、電極のコンタクト抵抗が大きくなってしまう。 However, from the viewpoint of eliminating the peeling of the electrode, when other members for improving the adhesion between the electrode and the silicon semiconductor are interposed, compared to the case where no other member is interposed. As a result, the contact resistance of the electrode increases.
これに対し、シリコン半導体および電極の両材料に対して優れた密着性を有する導電膜を、図1に示すように、電極とシリコン半導体との間の一部に介在させることによって、電極の剥離の問題を解消し、さらにコンタクト抵抗の低減も可能となる。 In contrast, as shown in FIG. 1, a conductive film having excellent adhesion to both the silicon semiconductor and the electrode material is interposed in a portion between the electrode and the silicon semiconductor, thereby peeling the electrode. It is possible to eliminate this problem and to further reduce the contact resistance.
すなわち、第1電極層9(電極)と第1導電型半導体膜3(シリコン半導体)との密着性の低さは、第1電極層9と第1導電型半導体膜3との間に、これらに対し優れた密着性を有する第1導電膜11aを介在させることによって解消される。また、第1電極層9と第1導電型半導体膜3との間の一部に第1導電膜11aを介在させ、第1電極層9の一部が第1導電型半導体膜3と直接接触する構成とすることによって、全面に他の部材を介在させる場合と比してコンタクト抵抗の増大が抑制される。したがって、実施の形態1のヘテロ接合型バックコンタクトセルによれば、光電変換素子の特性および信頼性が向上する。
That is, the low adhesion between the first electrode layer 9 (electrode) and the first conductive semiconductor film 3 (silicon semiconductor) is between the
また、コンタクト抵抗を低減する観点から、第1導電膜11aのシート抵抗値は第1導電型半導体膜3のシート抵抗値よりも低いことが好ましく、特に、500MΩ/□以下であることがより好ましく、50Ω/□以下であることがさらに好ましい。
Further, from the viewpoint of reducing contact resistance, the sheet resistance value of the first
実施の形態1において、図1に示すように、第1導電膜11aは第1電極層9によって覆われることが好ましい。この場合、第1導電膜11a上から、第1導電膜11aの表面に沿って第1導電型半導体膜3上にまで延在する第1電極層9は、第1導電型半導体膜3の表面において、第1導電膜11aの周囲を囲むように形成される。したがって、たとえば、第1導電膜11aの一部が外部に露出するような場合と比してさらに第1導電膜11aと第1電極層9との密着性を高めることができる。
In the first embodiment, as shown in FIG. 1, the first
実施の形態1において、図1に示すように、第1導電膜11aはアイランド状に形成されることが好ましい。この場合、第1導電膜11aはくさびのように機能することができるため、両者の密着性がさらに向上する。また、このような形状の第1導電膜11aは、フォトレジスト等を用いて容易に形成することができる。
In the first embodiment, as shown in FIG. 1, the first
実施の形態1において、第1導電膜11aの厚さは、第1電極層9の厚さの半分以下であることが好ましい。この場合、コンタクト抵抗をより低減させることができるとともに、密着性を十分に維持することができる。第1導電膜11aの厚さは、第1電極層9の厚さの半分以下であることがより好ましく、1/4以下であることがより好ましい。
In the first embodiment, the thickness of the first
さらに、第1導電膜11aの厚さは、500nm以下であることが好ましく、20nm以下であることがより好ましい。この場合、コンタクト抵抗をさらに低減させることができるだけでなく、第1導電膜11aによる光の吸収が十分に低減されるため、光電変換素子の短絡電流を向上させることができる。また、第1導電膜11aの厚さは5nm以上であることが好ましい。5nm未満の場合、密着性の効果を十分に発揮できない場合がある。
Furthermore, the thickness of the first
また、実施の形態1において、第1導電膜11aと第1導電型半導体膜3との接触面積Aは、第1電極層9と第1導電型半導体膜3との接触面積B以下であることが好ましい。この場合、密着性を十分に維持しつつ、コンタクト抵抗をさらに低減させることができる。さらには、第1導電型半導体膜3と第1電極層9との間に第1導電膜11aが介在しない面積が増えることによって光の吸収もより低減される。接触面積Aは接触面積Bの半分以下であることがより好ましく、1/4以下であることがさらに好ましい。
In the first embodiment, the contact area A between the first
[実施の形態2]
<光電変換素子の構成>
図18に、本発明の光電変換素子の一例である実施の形態2のヘテロ接合型バックコンタクトセルの模式的な断面図を示す。
[Embodiment 2]
<Configuration of photoelectric conversion element>
FIG. 18 is a schematic cross-sectional view of the heterojunction back contact cell according to the second embodiment which is an example of the photoelectric conversion element of the present invention.
実施の形態2のヘテロ接合型バックコンタクトセルは、第1導電型半導体膜3と第1電極層9との間に設けられた第1導電膜11aに加え、さらに、第1の第2導電型半導体膜5と第2電極層10との間に設けられた第2導電膜11bを有することを特徴とする。
In addition to the first
図1に示すように、第2電極層10は、第1の第2導電型半導体膜5と第2電極層10との間の一部に介在する第2導電膜11bの表面に沿って、第1の第2導電型半導体膜5上にまで延在する。すなわち、第2電極層10は、第1の第2導電型半導体膜5および第2導電膜11bの両方と接触しており、第2導電膜11bもまた、第1の第2導電型半導体膜5および第2電極層10の両方と接触する。
As shown in FIG. 1, the
第2導電膜11bとしては、第1の第2導電型半導体膜5および第2電極層10に対して高い密着性を有し、かつ導電性を有するものであればよい。たとえば、ITO(インジウムスズ酸化物)、ZnO(酸化亜鉛)、SnO(酸化スズ)、IWO(タングステンドープ酸化インジウム)、FTO(フッ素をドープした酸化スズ)などを挙げることができる。第2導電膜11bの厚さは第2電極層10の厚さよりも小さければよく、より好ましくは第2電極層10の厚さの半分以下であり、さらに好ましくは20nm以下である。
The second
<光電変換素子の製造方法>
実施の形態2のヘテロ接合型バックコンタクトセルは、実施の形態1で説明した製造方法を用い、図12に示される製造工程において、導電膜11上に、第1導電膜11aを残す部分と、第2導電膜11bを残す部分にのみエッチングマスク14を形成することにより、製造することができる。
<Method for producing photoelectric conversion element>
The heterojunction back contact cell according to the second embodiment uses the manufacturing method described in the first embodiment, and in the manufacturing process shown in FIG. 12, a portion in which the first
<作用効果>
実施の形態2においては、第1導電膜11a上に設けられた第1電極層9が第1導電膜11aの表面に沿って第1導電型半導体膜3上にまで延在するとともに、第2導電膜11b上に設けられた第2電極層10が第2導電膜11bの表面に沿って第1の第2導電型半導体膜5上にまで延在する。これにより、実施の形態2のヘテロ接合型バックコンタクトセルの特性および信頼性が向上する。
<Effect>
In the second embodiment, the
すなわち、実施の形態2のヘテロ接合型バックコンタクトセルによれば、実施の形態1と同様の効果に加え、さらに第2電極層10と第1の第2導電型半導体膜5との間においても、密着性の問題の解消とコンタクト抵抗の抑制とが可能となる。したがって、実施の形態2のヘテロ接合型バックコンタクトセルによれば、光電変換素子の特性および信頼性がさらに向上する。
In other words, according to the heterojunction back contact cell of the second embodiment, in addition to the same effects as those of the first embodiment, it is also provided between the
なお、実施の形態2は、第1の第2導電型半導体膜5と第2電極層10との間に第2導電膜11bが設けられたこと以外は実施の形態1と同様であるため、同様の説明については繰り返さない。
The second embodiment is the same as the first embodiment except that the second
[実施の形態3]
<光電変換素子の構成>
図19に、本発明の光電変換素子の一例である実施の形態3のヘテロ接合型バックコンタクトセルの模式的な断面図を示す。
[Embodiment 3]
<Configuration of photoelectric conversion element>
FIG. 19 is a schematic cross-sectional view of a heterojunction back contact cell according to
実施の形態3のヘテロ接合型バックコンタクトセルは、第1導電型半導体膜3と第1電極層9との間に設けられた複数の第1導電膜11aを有し、さらに、第1の第2導電型半導体膜5と第2電極層10との間に設けられた複数の第2導電膜11bを有することを特徴とする。
The heterojunction back contact cell of
図19に示すように、第1導電型半導体膜3上には、複数のアイランド状の第1導電膜11aが設けられている。複数の第1導電膜11a上の第1電極層9は、第1導電膜11a上から、第1導電膜11aの表面に沿って、具体的には、第1導電膜11aの表面および隣り合う2つの第1導電膜11a間を埋めるようにして、第1導電型半導体膜3上にまで延在している。
As shown in FIG. 19, a plurality of island-shaped first
同様に、第1の第2導電型半導体膜5上には、複数のアイランド状の第2導電膜11bが設けられている。複数の第2導電膜11b上の第2電極層10は、第2導電膜11b上から、第2導電膜11bの表面に沿って、具体的には、第2導電膜11bの表面および隣り合う2つの第2導電膜11b間を埋めるようにして、第1の第2導電型半導体膜5上にまで延在している。
Similarly, a plurality of island-shaped second
<光電変換素子の製造方法>
実施の形態3のヘテロ接合型バックコンタクトセルは、実施の形態1で説明した製造方法を用い、図12に示される製造工程において、導電膜11上に、複数の第1導電膜11aを残す部分と、複数の第2導電膜11bを残す部分にのみエッチングマスク14を形成することにより、製造することができる。
<Method for producing photoelectric conversion element>
The heterojunction back contact cell of the third embodiment uses the manufacturing method described in the first embodiment, and in the manufacturing process shown in FIG. 12, a portion where a plurality of first
第1導電膜11aおよび第2導電膜11bのそれぞれを複数形成する場合には、特に、これらをアイランド状に形成することにより、容易に均一な第1導電膜11aおよび第2導電膜11bを形成することができる。
When a plurality of first
<作用効果>
実施の形態3においては、第1導電型半導体膜3上および第1の第2導電型半導体膜5上に、それぞれ複数の第1導電膜11aおよび第2導電膜11bが設けられている。第1電極層9は、第1導電膜11aの表面に沿い、かつ各第1導電膜11a間を埋めるように第1導電型半導体膜3上にまで延在する。同様に、第2電極層10は、第2導電膜11bの表面に沿い、かつ各第2導電膜11b間を埋めるように第1の第2導電型半導体膜5上にまで延在する。これにより、実施の形態2のヘテロ接合型バックコンタクトセルの特性および信頼性が向上する。
<Effect>
In the third embodiment, a plurality of first
すなわち、実施の形態3のヘテロ接合型バックコンタクトセルによれば、実施の形態2と同様の効果に加え、第1電極層9(第2電極層10)と第1導電膜11a(第2導電膜11b)とがより広い表面積でくさび状に接するために、この両者の密着性をさらに向上させることができる。また、第1電極層9(第2電極層10)と第1導電型半導体膜3(第1の第2導電型半導体膜5)との接触面積をも向上させることができる。したがって、実施の形態3のヘテロ接合型バックコンタクトセルによれば、光電変換素子の特性および信頼性がさらに向上する。第1導電膜11aまたは第2導電膜11bのいずれか一方のみを複数としてもよい。
That is, according to the heterojunction back contact cell of the third embodiment, in addition to the same effects as those of the second embodiment, the first electrode layer 9 (second electrode layer 10) and the first
なお、実施の形態3は、第1導電膜11aが複数の第1導電膜11aからなり、第2導電膜11bが複数の第2導電膜11bからなる以外は、実施の形態2と同様であるため、同様の説明については繰り返さない。
The third embodiment is the same as the second embodiment except that the first
[実施の形態4]
<光電変換素子の構成>
図20に、本発明の光電変換素子の一例である実施の形態4の不純物拡散型バックコンタクトセルの模式的な断面図を示す。
[Embodiment 4]
<Configuration of photoelectric conversion element>
FIG. 20 is a schematic cross-sectional view of an impurity diffusion type back contact cell according to
実施の形態4の不純物拡散型バックコンタクトセルは、n型単結晶シリコン基板からなる半導体基板21と、半導体基板1の一方の表面(裏面)の一部に形成された第1導電型不純物拡散領域22(第1半導体領域)と、半導体基板1の裏面の他の一部に形成された第2導電型不純物拡散領域23(第2半導体領域)とを備える。また、半導体基板1の裏面には、第1導電型不純物拡散領域22および第2導電型不純物拡散領域23の表面の一部と一致する位置が開口されたコンタクトホールを有するパッシベーション膜24が設けられている。
The impurity diffusion type back contact cell according to the fourth embodiment includes a
また、実施の形態4の不純物拡散型バックコンタクトセルは、コンタクトホール内に露出する第1導電型不純物拡散領域22上に設けられた第1導電膜29aと、第1導電膜29a上に設けられた第1電極層25とを備え、さらに、コンタクトホール内に露出する第2導電型不純物拡散領域23上に設けられた第2電極層26とを備える。
Further, the impurity diffusion type back contact cell of the fourth embodiment is provided on the first
また、実施の形態4の不純物拡散型バックコンタクトセルは、半導体基板21の他方の表面(受光面)に形成されたテクスチャ構造27と、テクスチャ構造27上に設けられた反射防止膜28を備える。
The impurity diffusion back contact cell according to the fourth embodiment includes a
図20に示すように、第1電極層25は、第1導電型不純物拡散領域22と第1電極層25との間の一部に介在する第1導電膜29aの表面に沿って、第1導電型不純物拡散領域22上にまで延在する。すなわち、第1電極層25は、第1導電型不純物拡散領域22および第1導電膜29aの両方と接触しており、第1導電膜29aもまた、第1導電型不純物拡散領域22および第1電極層25の両方と接触する。
As shown in FIG. 20, the
半導体基板21としては、たとえば、n型単結晶シリコン基板を好適に用いることができるが、n型単結晶シリコン基板に限定されず、たとえば従来から公知の半導体基板を用いることもできる。半導体基板1の厚さは、特に限定されず、たとえば50μm以上300μm以下とすることができ、好ましくは100μm以上300μm以下とすることができる。また、半導体基板1の比抵抗も、特に限定されず、たとえば0.1Ω・cm以上10Ω・cm以下とすることができる。n型不純物の不純物濃度は、たとえば、1×1018個/cm3以上1020個/cm3以下程度とすることができる。
As the
第1導電型不純物拡散領域22のp型不純物の濃度は、たとえば1×1018個/cm3以上1020個/cm3以下程度とすることができ、p型不純物としては、たとえばボロンを用いることができる。第2導電型不純物拡散領域23におけるn型不純物の濃度は、たとえば1×1018個/cm3以上1×1020個/cm3以下程度とすることができ、n型不純物としては、たとえばリンを用いることができる。
The concentration of the p-type impurity in the first conductivity type
パッシベーション膜24および反射防止膜28としては、それぞれ、たとえば、酸化物層および窒化物層の少なくとも一方を用いることができる。酸化物層としては、たとえば酸化シリコン層などを用いることができる。また、窒化物層としては、たとえば窒化シリコン層などを用いることができる。したがって、パッシベーション膜24および反射防止膜28としては、たとえば、酸化シリコン層の単層、窒化シリコン層の単層、または酸化シリコン層と窒化シリコン層との積層体などを用いることができる。パッシベーション膜24および反射防止膜28の厚さは、たとえば40nm以上800nm以下とすることができる。
For example, at least one of an oxide layer and a nitride layer can be used as the
第1電極層25および第2電極層26としては、導電性を有する材料を特に限定なく用いることができ、なかでも、アルミニウムおよび銀の少なくとも一方を用いることが好ましい。また、第1電極層25の厚さは第1導電膜29aの厚さより大きければよく、たとえば0.5μm以下とすることができる。また、第2電極層26の厚さは特に限定されず、たとえば0.5μm以下とすることができる。
As the
第1導電膜29aとしては、第1導電型不純物拡散領域22および第1電極層25に対して高い密着性を有し、かつ導電性を有するものであればよい。たとえば、ITO(インジウムスズ酸化物)、ZnO(酸化亜鉛)、SnO(酸化スズ)、IWO(タングステンドープ酸化インジウム)、FTO(フッ素をドープした酸化スズ)などを挙げることができる。第1導電膜29aの厚さは第1電極層25の厚さよりも小さければよく、より好ましくは第1電極層9の厚さの半分以下であり、さらに好ましくは20nm以下である。
The first
<光電変換素子の製造方法>
以下、図21〜31の模式的断面図を参照して、実施の形態4の不純物拡散型バックコンタクトセルの製造方法の一例について説明する。まず、図21に示すように、半導体基板21の一方の表面(裏面)に拡散防止マスク層60を形成するとともに、半導体基板21の他方の表面(受光面)に拡散防止マスク層61を形成する。
<Method for producing photoelectric conversion element>
Hereinafter, an example of a method for manufacturing the impurity-diffused back contact cell according to the fourth embodiment will be described with reference to schematic cross-sectional views of FIGS. First, as shown in FIG. 21, a diffusion
拡散防止マスク層60および拡散防止マスク層61としては、それぞれ、たとえば、酸化物層および窒化物層の少なくとも一方を用いることができる。酸化物層としては、たとえば酸化シリコン層などを用いることができ、窒化物層としては、たとえば窒化シリコン層などを用いることができる。したがって、拡散防止マスク層60および拡散防止マスク層61としては、たとえば、酸化シリコン層の単層、窒化シリコン層の単層、または酸化シリコン層と窒化シリコン層との積層体などを用いることができる。
As diffusion
拡散防止マスク層60の厚さおよび拡散防止マスク層61の厚さは、特に限定されず、たとえば、それぞれ200nm以上400nm以下とすることができる。拡散防止マスク層60および拡散防止マスク層61の形成方法も特に限定されず、たとえば、常圧CVD(Chemical Vapor Deposition)法、プラズマCVD法、スチーム酸化法、またはSOG(Spin on Glass)の塗布・焼成などを用いることができる。
The thickness of the diffusion
次に、図22に示すように、拡散防止マスク層60のうち、第2導電型不純物拡散領域23を形成する領域に対してレーザ光62を照射する。これにより、図23に示すように、レーザ光62の照射領域の拡散防止マスク層60が除去され、開口部63が形成される。
Next, as shown in FIG. 22, the
次に、図24に示すように、拡散防止マスク層60の開口部63から半導体基板21の裏面にn型不純物を拡散して、第2導電型不純物拡散領域23を形成する。
Next, as shown in FIG. 24, the second conductivity type
第2導電型不純物拡散領域23の形成は、たとえば、n型不純物としてのリンを含むPOCl3を用いた気相拡散、またはリンを含む溶剤をスピンコートして高温でアニールする塗布拡散などにより行なうことができる。
The formation of the second conductivity type
次に、図25に示すように、n型不純物の拡散により形成されたPSG(リンシリケートグラス)層と拡散防止マスク層60を除去した後、半導体基板21の裏面に拡散防止マスク層64を形成する。拡散防止マスク層64の形成についての説明は、上記と同様であるため、その説明は繰り返さない。
Next, as shown in FIG. 25, after removing the PSG (phosphor silicate glass) layer and the diffusion
次に、図26に示すように、拡散防止マスク層64のうち、第1導電型不純物拡散領域22を形成する領域に対してレーザ光65を照射する。これにより、図27に示すように、レーザ光65の照射領域の拡散防止マスク層64が除去されて開口部66が形成される。
Next, as shown in FIG. 26, a region of the diffusion
次に、図28に示すように、拡散防止マスク層64の開口部66から半導体基板21の裏面にp型不純物を拡散して、第1導電型不純物拡散領域22を形成する。
Next, as shown in FIG. 28, the first conductivity type
第1導電型不純物拡散領域22の形成は、たとえば、p型不純物としてのボロンを含むBBr3を用いた気相拡散、またはリンを含む溶剤をスピンコートして高温でアニールする塗布拡散などにより行なうことができる。
The formation of the first conductivity type
次に、図29に示すように、p型不純物の拡散により形成されたBSG(ボロンシリケートグラス)層と拡散防止マスク層64を除去した後、半導体基板21の裏面にパッシベーション膜24を形成し、このパッシベーション膜24をテクスチャエッチングマスクとして、半導体基板21の受光面にテクスチャエッチングを行い、テクスチャ構造27を形成する。その後、半導体基板21の受光面のテクスチャ構造27上に反射防止膜28を形成する。
Next, as shown in FIG. 29, after removing the BSG (boron silicate glass) layer formed by the diffusion of the p-type impurity and the diffusion
半導体基板21のテクスチャエッチングには、たとえば、数%の水酸化ナトリウム若しくは水酸化カリウム溶液に数%のイソプロピルアルコールを含有したアルカリ溶液を70〜80℃に加熱した溶液を用いることができる。
For texture etching of the
パッシベーション膜24および反射防止膜28の形成方法は特に限定されず、たとえばスチーム酸化法、常圧CVD法、SOGの塗布・焼成、プラズマCVD法または常圧CVD法を用いることができる。具体的には、酸化シリコン層としては、たとえば、スチーム酸化法、常圧CVD法、SOGの塗布・焼成により酸化シリコン層を容易に形成することができ、プラズマCVD法または常圧CVD法により窒化シリコン層を容易に形成することができる。
The formation method of the
次に、図30に示すように、パッシベーション膜24にコンタクトホール67,68を形成して、コンタクトホール67から第1導電型不純物拡散領域22の表面を露出させ、コンタクトホール68から第2導電型不純物拡散領域23の表面を露出させる。コンタクトホール67,68の形成方法は特に限定されず、たとえば、上述の開口部66の形成のように、レーザ光の照射によって形成することができる。
Next, as shown in FIG. 30, contact holes 67 and 68 are formed in the
次に、図31に示すように、コンタクトホール67から露出する第1導電型不純物拡散領域22の表面上に、第1導電膜29aを形成する。第1導電膜29aの形成方法は特に制限されず、たとえば、実施の形態1のように、半導体基板21の裏面側に露出する全面を覆うように導電膜を形成し、この導電膜上に第1導電膜29aを残す部分にのみエッチングマスクを形成してエッチングを行い、その後エッチングマスクを除去することにより、第1導電膜29aを形成することができる。
Next, as shown in FIG. 31, a first
次に、図20に示すように、パッシベーション膜24から露出する第1導電型不純物拡散領域22、その上に形成された第1導電膜29a、およびコンタクトホール67の近傍に位置するパッシベーション膜24上に第1電極層25を形成する。同様に、パッシベーション膜24から露出する第2導電型不純物拡散領域23およびコンタクトホール68の近傍に位置するパッシベーション膜24上に第2電極層26を形成する。
Next, as shown in FIG. 20, the first conductive type
第1電極層25および第2電極層26の形成方法は特に限定されず、たとえば、実施の形態1のように、スパッタリング法または蒸着法を用いて半導体基板21の裏面側に露出する全面を覆うように金属層を形成し、第1電極層25および第2電極層26を残す部分にのみエッチングマスクを形成してエッチングを行い、その後エッチングマスクを除去することにより、第1電極層25および第2電極層26を形成することができる。
The formation method of the
以上により、図20に示す構成である実施の形態4の不純物拡散型バックコンタクトセルが完成する。 Thus, the impurity diffusion type back contact cell according to the fourth embodiment having the configuration shown in FIG. 20 is completed.
<作用効果>
実施の形態4においては、第1導電型不純物拡散領域22(第1半導体領域)上に第1導電膜29aが設けられ、第1導電膜29a上に設けられた第1電極層25は、第1導電膜29aの表面に沿って第1導電型不純物拡散領域22上にまで延在する。これにより、実施の形態4の不純物拡散型バックコンタクトセルの特性および信頼性が向上する。これについて、他の構成と比較しながら説明する。
<Effect>
In the fourth embodiment, the first
第1導電型不純物拡散領域22と第1電極層25との間に第1導電膜29aが介在しない場合、第1導電型不純物拡散領域22と第1電極層25との機械的強度は、これら両者の密着性に大きく依存する。しかし、シリコン半導体と金属とは密着性が比較的低いため、第1電極層25は第1導電型不純物拡散領域22から剥離し易い。また、第1導電型不純物拡散領域22と第1電極層25との間の全面に上記剥離を抑制するための他の部材が介在する場合、他の部材が介在しない場合と比して、第1電極層25のコンタクト抵抗が大きくなってしまう。
When the first
これに対し、実施の形態4のように、第1導電型不純物拡散領域22と第1電極層25との間の一部に第1導電膜29aが介在する場合、第1導電膜29aはシリコン半導体および金属に対する高い密着性を有するため、上述の剥離の問題を解消することができる。また、第1電極層25の一部は第1導電型不純物拡散領域22と直接接触することができるため、第1導電型不純物拡散領域22と第1電極層25との間の全面に他の部材が介在することによるコンタクト抵抗の増加を抑制することができる。したがって、実施の形態4の不純物拡散型バックコンタクトセルによれば、光電変換素子の特性および信頼性が向上する。
On the other hand, when the first
また、コンタクト抵抗を低減する観点から、第1導電膜29aのシート抵抗値は第1導電型不純物拡散領域22のシート抵抗値よりも低いことが好ましく、特に、500MΩ/□以下であることがより好ましく、50Ω/□以下であることがさらに好ましい。
Further, from the viewpoint of reducing the contact resistance, the sheet resistance value of the first
実施の形態4において、図20に示すように、第1導電膜29aは第1電極層25によって覆われることが好ましい。この場合、第1導電膜29a上から、第1導電膜29aの表面に沿って第1導電型不純物拡散領域22上にまで延在する第1電極層25は、第1導電型不純物拡散領域22の表面において、第1導電膜29aの周囲を囲むように形成される。したがって、たとえば第1導電膜29aの一部が外部に露出するような場合と比してさらに第1導電膜29aと第1電極層25との密着性を高めることができる。
In the fourth embodiment, as shown in FIG. 20, the first
実施の形態4において、図20に示すように、第1導電膜29aはアイランド状に形成されることが好ましい。この場合、第1導電膜29aはくさびのように機能することができるため、両者の密着性がさらに向上する。また、このような形状の第1導電膜29aは、フォトレジスト等を用いて容易に形成することができる。
In
実施の形態4において、第1導電膜29aの厚さは、第1電極層25の厚さの半分以下であることが好ましい。この場合、コンタクト抵抗をより低減させることができるとともに、密着性を十分に維持することができる。第1導電膜29aの厚さは、第1電極層25の厚さの半分以下であることがより好ましく、1/4以下であることがより好ましい。
In the fourth embodiment, the thickness of the first
さらに、第1導電膜29aの厚さは、500nm以下であることが好ましく、20nm以下であることがより好ましい。この場合、コンタクト抵抗をさらに低減させることができるだけでなく、第1導電膜29aによる光の吸収が十分に低減されるため、光電変換素子の短絡電流を向上させることができる。また、第1導電膜29aの厚さは5nm以上であることが好ましい。5nm未満の場合、密着性の効果を十分に発揮できない場合がある。
Furthermore, the thickness of the first
また、実施の形態4において、第1導電膜29aと第1導電型不純物拡散領域22との接触面積Aは、第1電極層25と第1導電型不純物拡散領域22との接触面積B以下であることが好ましい。この場合、密着性を十分に維持しつつ、コンタクト抵抗をさらに低減させることができる。さらには、第1導電型不純物拡散領域22と第1電極層25との間に第1導電膜29aが介在しない面積が増えることによって光の吸収もより低減される。接触面積Aは接触面積Bの半分以下であることがより好ましく、1/4以下であることがさらに好ましい。
In the fourth embodiment, the contact area A between the first
[実施の形態5]
<光電変換素子の構成>
図32に、本発明の光電変換素子の一例である実施の形態5の不純物拡散型バックコンタクトセルの模式的な断面図を示す。
[Embodiment 5]
<Configuration of photoelectric conversion element>
FIG. 32 is a schematic cross-sectional view of an impurity diffusion type back contact cell according to
実施の形態5の不純物拡散型バックコンタクトセルは、第1導電型不純物拡散領域22と第1電極層25との間に設けられた第1導電膜29aに加え、さらに、第2導電型不純物拡散領域23と第2電極層26との間に設けられた他の第2導電膜29bを有することを特徴とする。
In addition to the first
図32に示すように、第2電極層26の一部は、第2導電膜29bの表面に沿って第2導電型不純物拡散領域23上にまで延在する。すなわち、第2電極層26は、第2導電型不純物拡散領域23および第2導電膜29bの両方と接触しており、第2導電膜29bもまた、第2導電型不純物拡散領域23およ第2電極層26の両方と接触する。
As shown in FIG. 32, a part of the
第2導電膜29bとしては、第2導電型不純物拡散領域23および第2電極層26に対して高い密着性を有し、かつ導電性を有するものであればよい。たとえば、ITO(インジウムスズ酸化物)、ZnO(酸化亜鉛)、SnO(酸化スズ)、IWO(タングステンドープ酸化インジウム)、FTO(フッ素をドープした酸化スズ)などを挙げることができる。導電膜29bの厚さは第2電極層26の厚さよりも小さければよく、より好ましくは第2電極層26の厚さの半分以下であり、さらに好ましくは20nm以下である。
The second
<光電変換素子の製造方法>
実施の形態5の不純物拡散型バックコンタクトセルは、実施の形態4で説明した製造方法を用い、図31に示される製造工程において、第1導電膜29aと同時に第2導電膜29bを形成することにより、製造することができる。
<Method for producing photoelectric conversion element>
The impurity diffusion back contact cell of the fifth embodiment uses the manufacturing method described in the fourth embodiment, and forms the second
<作用効果>
実施の形態5においては、第1導電膜29a上に設けられた第1電極層25が第1導電膜29aの表面に沿って第1導電型不純物拡散領域22上にまで延在するとともに、第2導電膜29b上に設けられた第2電極層26が第2導電膜29bの表面に沿って第2導電型不純物拡散領域23上にまで延在する。これにより、実施の形態5の不純物拡散型バックコンタクトセルの特性および信頼性が向上する。
<Effect>
In the fifth embodiment, the
すなわち、実施の形態5の不純物拡散型バックコンタクトセルによれば、実施の形態4と同様の効果に加え、さらに第2電極層26と第2導電型不純物拡散領域23との間においても、密着性の問題の解消とコンタクト抵抗の抑制とが可能となる。したがって、実施の形態5の不純物拡散型バックコンタクトセルによれば、光電変換素子の特性および信頼性がさらに向上する。
That is, according to the impurity diffusion type back contact cell of the fifth embodiment, in addition to the same effects as those of the fourth embodiment, the adhesion between the
なお、実施の形態5は、第2導電型不純物拡散領域23と第2電極層26との間に第2導電膜29bが設けられたこと以外は実施の形態4と同様であるため、同様の説明については繰り返さない。
The fifth embodiment is the same as the fourth embodiment except that the second
[実施の形態6]
<光電変換素子の構成>
図33に、本発明の光電変換素子の一例である実施の形態6の不純物拡散型バックコンタクトセルの模式的な断面図を示す。
[Embodiment 6]
<Configuration of photoelectric conversion element>
FIG. 33 is a schematic cross-sectional view of an impurity diffusion type back contact cell according to
実施の形態6の不純物拡散型バックコンタクトセルは、第1導電型不純物拡散領域22と第1電極層25との間に設けられた複数の第1導電膜29aを有し、さらに、第2導電型不純物拡散領域23と第2電極層26との間に設けられた複数の第2導電膜29bを有することを特徴とする。
The impurity diffusion back contact cell according to the sixth embodiment includes a plurality of first
図33に示すように、第1導電型不純物拡散領域22上には、複数のアイランド状の第1導電膜29aが設けられている。複数の第1導電膜29a上の第1電極層25は、第1導電膜29a上から、第1導電膜29aの表面に沿って、具体的には、第1導電膜29aの表面および隣り合う2つの第1導電膜29a間を埋めるようにして、第1導電型不純物拡散領域22上にまで延在している。
As shown in FIG. 33, a plurality of island-shaped first
同様に、第2導電型不純物拡散領域23上には、複数のアイランド状の第2導電膜29bが設けられている。複数の第2導電膜29b上の第2電極層26は、第2導電膜29b上から、第2導電膜29bの表面に沿って、具体的には、第2導電膜29bの表面および隣り合う2つの第2導電膜29b間を埋めるようにして、第2導電型不純物拡散領域23上にまで延在している。
Similarly, a plurality of island-shaped second
<光電変換素子の製造方法>
実施の形態6の不純物拡散型バックコンタクトセルは、実施の形態4で説明した製造方法を用い、図31に示される製造工程において、複数の第1導電膜29aと複数の第2導電膜29bを形成することにより、製造することができる。
<Method for producing photoelectric conversion element>
The impurity diffusion type back contact cell of the sixth embodiment uses the manufacturing method described in the fourth embodiment, and in the manufacturing process shown in FIG. 31, a plurality of first
第1導電膜29aおよび第2導電膜29bのそれぞれを複数形成する場合には、特に、これらをアイランド状に形成することにより、容易に均一な第1導電膜29aおよび第2導電膜29bを形成することができる。
When a plurality of first
<作用効果>
実施の形態6においては、第1導電型不純物拡散領域22上および第2導電型不純物拡散領域23上に、それぞれ複数の第1導電膜29aおよび第2導電膜29bが設けられている。第1電極層25が、第1導電膜29aの表面に沿い、かつ各第1導電膜29a間を埋めるように第1導電型不純物拡散領域22上にまで延在する。同様に、第2電極層26が、第2導電膜29bの表面に沿い、かつ各第2導電膜29b間を埋めるように第2導電型不純物拡散領域23上にまで延在する。これにより、実施の形態6の不純物拡散型バックコンタクトセルの特性および信頼性が向上する。
<Effect>
In the sixth embodiment, a plurality of first
すなわち、実施の形態6の不純物拡散型バックコンタクトセルによれば、実施の形態5と同様の効果に加え、第1電極層25(第2電極層26)と第1導電膜29a(第2導電膜29b)とがより広い表面積でくさび状に接するために、この両者の密着性をさらに向上させることができる。また、第1電極層25(第2電極層26)と第1導電型不純物拡散領域22(第2導電型不純物拡散領域23)との接触面積をも向上させることができる。したがって、実施の形態6の不純物拡散型バックコンタクトセルによれば、光電変換素子の特性および信頼性がさらに向上する。第1導電膜29aまたは第2導電膜29bのいずれか一方のみを複数としてもよい。
That is, according to the impurity diffusion type back contact cell of the sixth embodiment, in addition to the same effects as those of the fifth embodiment, the first electrode layer 25 (second electrode layer 26) and the first
なお、実施の形態6は、第1導電膜29aが複数の第1導電膜29aからなり、第2導電膜29bが複数の第2導電膜29bからなる以外は、実施の形態5と同様であるため、同様の説明については繰り返さない。
The sixth embodiment is the same as the fifth embodiment except that the first
[実施の形態7]
<光電変換素子の構成>
図34に、本発明の光電変換素子の一例である実施の形態7のヘテロ接合型両面電極セルの模式的な断面図を示す。
[Embodiment 7]
<Configuration of photoelectric conversion element>
FIG. 34 is a schematic cross-sectional view of a heterojunction double-sided electrode cell according to
実施の形態7のヘテロ接合型両面電極セルは、p型単結晶シリコン基板からなる半導体基板31と、半導体基板の一方の表面(裏面)の全面に設けられたi型非晶質シリコン膜からなる第1のi型半導体膜32と、第1のi型半導体膜32上の全面に設けられたp型非晶質シリコン膜からなる第1導電型半導体膜33(第1半導体領域)と、第1導電型半導体膜33上の一部に設けられた第1導電膜39aと、第1導電膜39a上に設けられた第1電極層37とを備える。
The heterojunction double-sided electrode cell according to the seventh embodiment includes a
また、実施の形態7のヘテロ接合型両面電極セルは、半導体基板31の他方の表面(受光面)の全面に設けられたi型非晶質シリコン膜からなる第2のi型半導体膜34と、第2のi型半導体膜34上の全面に設けられたn型非晶質シリコン膜からなる第2導電型半導体膜35(第2半導体領域)と、第2導電型半導体膜35上の全面に設けられた反射防止膜36と、反射防止膜36上の一部に設けられた第2電極層38とを備える。
The heterojunction double-sided electrode cell of the seventh embodiment includes a second i-
図34に示すように、第1電極層37は、第1導電型半導体膜33と第1電極層37との間の一部に介在する第1導電膜39aの表面に沿って、第1導電型半導体膜33上にまで延在する。すなわち、第1電極層37は、第1導電型半導体膜33および第1導電膜39aの両方と接触しており、第1導電膜39aもまた、第1導電型半導体膜33および第1電極層37の両方と接触する。
As shown in FIG. 34, the
半導体基板31としては、p型単結晶シリコン基板を好適に用いることができるが、p型単結晶シリコン基板に限定されず、たとえば従来から公知の半導体基板を用いることもできる。半導体基板31の厚さは、特に限定されず、たとえば50μm以上300μm以下とすることができ、好ましくは100μm以上200μm以下とすることができる。また、半導体基板31の比抵抗も、特に限定されず、たとえば0.1Ω・cm以上10Ω・cm以下とすることができる。また、p型不純物の不純物濃度は、たとえば、1×1018個/cm3以上1×1020個/cm3以下程度とすることができる。なお、i型よりも不純物濃度が大きいことは言うまでもない。
As the
第1のi型半導体膜32としては、i型非晶質シリコン膜を好適に用いることができるがi型非晶質シリコン膜に限定されず、たとえば従来から公知のi型半導体膜を用いることもできる。第1のi型半導体膜32の厚さは特に限定されず、たとえば1nm以上50nm以下とすることができる。
As the first i-
第1導電型半導体膜33としては、p型非晶質シリコン膜を好適に用いることができるが、p型非晶質シリコン膜に限定されず、たとえば従来から公知のp型半導体膜を用いることもできる。第1導電型半導体膜33に含まれるp型不純物としては、たとえばボロンを用いることができ、p型不純物の濃度は、たとえば5×1019個/cm3程度とすることができる。また、第1導電型半導体膜33の厚さは特に限定されず、たとえば5nm以上50nm以下とすることができる。
A p-type amorphous silicon film can be suitably used as the first
第2のi型半導体膜34としては、i型非晶質シリコン膜を好適に用いることができるがi型非晶質シリコン膜に限定されず、たとえば従来から公知のi型半導体膜を用いることもできる。第2のi型半導体膜34の厚さは特に限定されず、たとえば1nm以上50nm以下とすることができる。
As the second i-
第2導電型半導体膜35としては、n型非晶質シリコン膜を好適に用いることができるが、n型非晶質シリコン膜に限定されず、たとえば従来から公知のn型半導体膜を用いることもできる。第2導電型半導体膜35に含まれるn型不純物としては、たとえばリンを用いることができ、n型不純物の濃度は、たとえば5×1019個/cm3程度とすることができる。また、第2導電型半導体膜35の厚さは特に限定されず、たとえば5nm以上50nm以下とすることができる。
As the second
反射防止膜36は、たとえば、酸化物層および窒化物層の少なくとも一方を用いることができる。酸化物層としては、たとえば酸化シリコン層などを用いることができる。また、窒化物層としては、たとえば窒化シリコン層などを用いることができる。したがって、反射防止膜36としては、たとえば、酸化シリコン層の単層、窒化シリコン層の単層、または酸化シリコン層と窒化シリコン層との積層体などを用いることができる。反射防止膜36の厚さは、たとえば40nm以上800nm以下とすることができる。
As the
第1電極層37および第2電極層38としては、導電性を有する材料を特に限定なく用いることができ、なかでも、アルミニウムおよび銀の少なくとも一方を用いることが好ましい。また、第1電極層37の厚さは第1導電膜39aの厚さより大きければよく、たとえば0.5μm以下とすることができる。また、第2電極層38の厚さは特に限定されず、たとえば0.5μm以下とすることができる。
As the
第1導電膜39aとしては、第1導電型半導体膜33および第1電極層37に対して高い密着性を有し、かつ導電性を有するものであればよい。たとえば、ITO(インジウムスズ酸化物)、ZnO(酸化亜鉛)、SnO(酸化スズ)、IWO(タングステンドープ酸化インジウム)、FTO(フッ素をドープした酸化スズ)などを挙げることができる。導電膜39の厚さは第1電極層37の厚さよりも小さければよく、より好ましくは第1電極層37の厚さの半分以下であり、さらに好ましくは20nm以下である。
The first
<光電変換素子の製造方法>
以下、図35〜図41の模式的断面図を参照して、実施の形態7のヘテロ接合型両面電極セルの製造方法の一例について説明する。まず、図35に示すように、半導体基板31の受光面の全面に第2のi型半導体膜34を形成し、第2のi型半導体膜34上の全面に第2導電型半導体膜35を形成する。
<Method for producing photoelectric conversion element>
Hereinafter, an example of a method for manufacturing the heterojunction double-sided electrode cell according to the seventh embodiment will be described with reference to the schematic cross-sectional views of FIGS. First, as shown in FIG. 35, the second i-
第2のi型半導体膜34の形成方法および第2導電型半導体膜3の形成方法は特に限定されず、たとえばプラズマCVD法を用いることができる。
The method for forming the second i-
なお、半導体基板31の受光面上に第2のi型半導体膜34を形成する前に、半導体基板31の受光面に凹凸を形成してもよい。このような凹凸は、たとえば、半導体基板31の裏面の全面にテクスチャマスクを形成した後に、半導体基板31の受光面をテクスチャエッチングすることにより形成することができる。テクスチャマスクとしては、たとえば、窒化シリコンまたは酸化シリコンを用いることができる。
In addition, before forming the second i-
次に、図36に示すように、半導体基板31の裏面の全面に第1のi型半導体膜32を形成し、第1のi型半導体膜32上の全面に第1導電型半導体膜33を形成する。第1のi型半導体膜32の形成方法および第1導電型半導体膜33の形成方法は特に限定されず、たとえばプラズマCVD法を用いることができる。
Next, as shown in FIG. 36, the first i-
次に、図37に示すように、第2導電型半導体膜35の受光面の全面に、反射防止膜36を形成する。反射防止膜36の形成方法は特に限定されず、たとえばスチーム酸化法、常圧CVD法、SOGの塗布・焼成、プラズマCVD法または常圧CVD法を用いることができる。具体的には、酸化シリコン層としては、たとえば、スチーム酸化法、常圧CVD法、SOGの塗布・焼成により酸化シリコン層を容易に形成することができ、プラズマCVD法または常圧CVD法により窒化シリコン層を容易に形成することができる。
Next, as shown in FIG. 37, an
次に、図38に示すように、第1導電型半導体膜33上に、第1導電膜39aが形成される領域に開口部を有するメタルマスク70を形成し、このメタルマスク70を覆うように、半導体基板31の裏面側に露出する全面に対して導電膜39を形成する。なお、第1導電膜39aが形成される領域は、第1電極層37が形成される領域に含まれる領域であり、換言すれば、第1電極層37が形成される領域内であって、それよりも狭い領域である。
Next, as shown in FIG. 38, a
次に、図39に示すように、メタルマスク70を除去して、メタルマスク70とともにメタルマスク70上の導電膜39を除去する。これにより、第1導電膜39aが形成される。
Next, as shown in FIG. 39, the
次に、図40に示すように、反射防止膜36上に、第2電極層38が形成される領域に開口部を有するメタルマスク71を形成し、このメタルマスク71を覆うように、半導体基板31の受光面側に露出する全面に対して、スパッタリング法または蒸着法などによって電極層72を形成する。
Next, as shown in FIG. 40, a
次に、図41に示すように、メタルマスク71を除去して、メタルマスク71とともにメタルマスク71上の電極層72を除去する。これにより、第2電極層38が形成される。同様にして、半導体基板31の裏面側に露出する面において、第1電極層37が形成される領域に開口部を有するメタルマスク73を形成し、このメタルマスク73を覆うように、半導体基板31の裏面側に露出する全面に対して、スパッタリング法または蒸着法などによって電極層74を形成する。
Next, as shown in FIG. 41, the
次に、メタルマスク73を除去して、メタルマスク73とともにメタルマスク73上の電極層74を除去することにより、第1電極層37が形成される。
Next, by removing the
以上により、図34に示す構成である実施の形態7のヘテロ接合型両面電極セルが完成する。
Thus, the heterojunction double-sided electrode cell of
<作用効果>
実施の形態7においていは、第1導電型半導体膜33(第1半導体領域)上に第1導電膜39aが設けられ、第1導電膜39a上に設けられた第1電極層37は、第1導電膜39aの表面に沿って第2導電型半導体膜33上にまで延在する。これにより、実施の形態7のヘテロ接合型両面電極セルの特性および信頼性が向上する。これについて他の構成と比較しながら説明する。
<Effect>
In the seventh embodiment, the first
第1導電型半導体膜33と第1電極層37との間に第1導電膜39aが介在しない場合、第1導電型半導体膜33と第1電極層37との機械的強度は、これら両者の密着性に大きく依存する。しかし、シリコン半導体と金属とは密着性が比較的低いため、第1電極層37は第1導電型半導体膜33から剥離し易い。また、第1導電型半導体膜33と第1電極層37との間の全面に上記剥離を抑制するための他の部材が介在する場合、他の部材が介在しない場合と比して、第1電極層37の大きなコンタクト抵抗が大きくなってしまう。
When the first
これに対し、本実施の形態7のように、第1導電型半導体膜33と第1電極層37との間の一部に第1導電膜39aが介在する場合、第1導電膜39aはシリコン半導体および金属に対する高い密着性を有するため、上述の剥離の問題を解消することができる。また、第1電極層37の一部は第1導電型半導体膜33と直接接触することができるため、第1導電型半導体膜33と第1電極層37との間の全面に他の部材が介在することによるコンタクト抵抗の増加を抑制することができる。したがって、実施の形態7のヘテロ接合型両面電極セルによれば、光電変換素子の特性および信頼性が向上する。
In contrast, when the first
また、コンタクト抵抗を低減する観点から、第1導電膜39aのシート抵抗値は第1導電型半導体膜33のシート抵抗値よりも低いことが好ましく、特に、500MΩ/□以下であることがより好ましく、50Ω/□以下であることがさらに好ましい。
Further, from the viewpoint of reducing contact resistance, the sheet resistance value of the first
実施の形態7において、図34に示すように、第1導電膜39aは第1電極層37によって覆われることが好ましい。この場合、第1導電膜39a上から、第1導電膜39aの表面に沿って第1導電型半導体膜33上にまで延在する第1電極層37は、第1導電型半導体膜33の表面において、第1導電膜39aの周囲を囲むように形成される。したがって、たとえば、第1導電膜39aの一部が外部に露出するような場合と比してさらに第1導電膜39aと第1電極層37との密着性を高めることができる。
In the seventh embodiment, as shown in FIG. 34, the first
実施の形態7において、図34に示すように、第1導電膜39aはアイランド状に形成されることが好ましい。この場合、第1導電膜39aはくさびのように機能することができるため、両者の密着性がさらに向上する。また、このような形状の第1導電膜39aは、メタルマスク等を用いて容易に形成することができる。
In
実施の形態7において、第1導電膜39aの厚さは、第1電極層27の厚さの半分以下であることが好ましい。この場合、コンタクト抵抗をより低減させることができるとともに、密着性を十分に維持することができる。第1導電膜39aの厚さは、第1電極層27の厚さの半分以下であることがより好ましく、1/4以下であることがより好ましい。
In the seventh embodiment, the thickness of the first
さらに、第1導電膜39aの厚さは、500nm以下であることが好ましく、20nm以下であることがより好ましい。この場合、コンタクト抵抗をさらに低減させることができるだけでなく、第1導電膜39aによる光の吸収が十分に低減されるため、光電変換素子の短絡電流を向上させることができる。また、第1導電膜39aの厚さは5nm以上であることが好ましい。5nm未満の場合、密着性の効果を十分に発揮できない場合がある。
Furthermore, the thickness of the first
また、実施の形態7において、第1導電膜39aと第1導電型半導体膜33との接触面積Aは、第1電極層37と第1導電型半導体膜33との接触面積B以下であることが好ましい。この場合、密着性を十分に維持しつつ、コンタクト抵抗をさらに低減させることができる。さらには、第1導電型半導体膜33と第1電極層27との間に第1導電膜39aが介在しない面積が増えることによって光の吸収もより低減される。接触面積Aは接触面積Bの半分以下であることがより好ましく、1/4以下であることがさらに好ましい。
In the seventh embodiment, the contact area A between the first
[実施の形態8]
<光電変換素子の構成>
図42に、本発明の光電変換素子の一例である実施の形態8のヘテロ接合型両面電極セルの模式的な断面図を示す。
[Embodiment 8]
<Configuration of photoelectric conversion element>
FIG. 42 is a schematic cross-sectional view of the heterojunction double-sided electrode cell of
実施の形態8のヘテロ接合型両面電極セルは、各第1電極層37内に複数の第1導電膜39aを有することを特徴とする。図42に示すように、第1導電型半導体膜33上の第1電極層37が形成される複数の領域には、それぞれ複数の第1導電膜39aが設けられている。複数の第1導電膜39a上のそれぞれの第1電極層37は、第1導電膜39a上から、第1導電膜39aの表面に沿って、具体的には、第1導電膜39aの表面および隣り合う2つの第1導電膜39aの間を埋めるようにして、第1導電型半導体膜33上にまで延在している。
The heterojunction double-sided electrode cell according to the eighth embodiment is characterized in that each
<光電変換素子の製造方法>
実施の形態8のヘテロ接合型両面電極セルは、実施の形態7で説明した製造方法を用い、図38に示される製造工程において、複数の第1導電膜39aに対応した開口部を有するメタルマスク70を用いて複数の第1導電膜39aを形成することにより、製造することができる。
<Method for producing photoelectric conversion element>
The heterojunction double-sided electrode cell of the eighth embodiment uses the manufacturing method described in the seventh embodiment, and has a metal mask having openings corresponding to the plurality of first
第1導電膜39aを複数形成する場合には、特に、これらをアイランド状に形成することにより、容易に均一な第1導電膜39aを形成することができる。
When a plurality of first
<作用効果>
実施の形態8においては、第1導電型半導体膜33上に複数の第1導電膜39aが設けられており、第1電極層37が第1導電膜39aの表面に沿い、かつ各第1導電膜39a間を埋めるように第1導電型半導体膜33上にまで延在する。これにより、実施の形態8のヘテロ接合型両面電極セルの特性および信頼性が向上する。
<Effect>
In the eighth embodiment, a plurality of first
すなわち、実施の形態8のヘテロ接合型両面電極セルによれば、実施の形態7と同様の効果に加え、第1電極層37と第1導電膜39aとがより広い面積でくさび状に接するために、この両者の密着性をさらに向上させることができる。また、第1電極層37と第1導電型半導体膜33との接触面積をも向上させることができる。したがって、実施の形態8のヘテロ接合型両面電極セルによれば、光電変換素子の特性および信頼性が向上する。
That is, according to the heterojunction double-sided electrode cell of the eighth embodiment, in addition to the same effects as those of the seventh embodiment, the
なお、実施の形態8は、第1導電膜39aが複数の第1導電膜39aからなる以外は、実施の形態7と同様であるため、同様の説明については繰り返さない。
The eighth embodiment is the same as the seventh embodiment except that the first
以上、実施の形態1〜実施の形態8において、第1導電型をp型、第2導電型をn型とした場合について説明したが、第1導電型と第2導電型とは逆の導電型であればよく、第1導電型がn型となる場合には、第1導電型はp型となる。 As described above, in the first to eighth embodiments, the case where the first conductivity type is p-type and the second conductivity type is n-type has been described. However, the first conductivity type and the second conductivity type are opposite in conductivity. If the first conductivity type is n-type, the first conductivity type is p-type.
[付記]
(1)本発明の第1の態様によれば、半導体基板と、半導体基板の一方の表面の一部に設けられた第1のi型半導体膜と、第1のi型半導体膜上に設けられた第1導電型半導体膜からなる第1半導体領域と、第1半導体領域上に設けられた第1電極層と、半導体基板の表面の他の一部に設けられた第2のi型半導体膜と、第2のi型半導体膜上に設けられた第2導電型半導体膜からなる第2半導体領域と、第2半導体領域上に設けられた第2電極層とを備える光電変換素子であって、第1半導体領域と第1電極層との間に介在する第1導電膜を有し、第1電極層は、第1導電膜の表面に沿って第1半導体領域にまで延在する光電変換素子を提供することができる。本発明の第1の態様においては、第1半導体領域と第1電極層との間の全面に他の部材が介在する場合や、第1半導体領域と第1電極層との間に他の部材が介在しない場合と比して、第1電極層の密着性とコンタクト抵抗の低減とのバランスに優れる。したがって、光電変換素子の特性および信頼性を向上することができる。
[Appendix]
(1) According to the first aspect of the present invention, the semiconductor substrate, the first i-type semiconductor film provided on a part of one surface of the semiconductor substrate, and the first i-type semiconductor film are provided. A first semiconductor region formed of the first conductive type semiconductor film, a first electrode layer provided on the first semiconductor region, and a second i-type semiconductor provided on another part of the surface of the semiconductor substrate A photoelectric conversion element comprising: a film; a second semiconductor region made of a second conductivity type semiconductor film provided on the second i-type semiconductor film; and a second electrode layer provided on the second semiconductor region. A first conductive film interposed between the first semiconductor region and the first electrode layer, wherein the first electrode layer is a photoelectric layer extending to the first semiconductor region along the surface of the first conductive film. A conversion element can be provided. In the first aspect of the present invention, when other members are present on the entire surface between the first semiconductor region and the first electrode layer, or other members are interposed between the first semiconductor region and the first electrode layer. Compared with the case where no intervening metal is present, the balance between the adhesion of the first electrode layer and the reduction in contact resistance is excellent. Therefore, the characteristics and reliability of the photoelectric conversion element can be improved.
(2)本発明の第2の態様によれば、半導体基板と、半導体基板の一方の表面下の一部に形成された第1導電型不純物拡散領域からなる第1半導体領域と、第1半導体領域上に設けられた第1電極層と、半導体基板の表面下の他の一部に形成された第2導電型不純物拡散領域からなる第2半導体領域と、第2半導体領域上に設けられた第2電極層とを備える光電変換素子であって、第1半導体領域と第1電極層との間に介在する第1導電膜を有し、第1電極層は、第1導電膜の表面に沿って第1半導体領域にまで延在する光電変換素子を提供することができる。本発明の第2の態様においては、第1半導体領域と第1電極層との間の全面に他の部材が介在する場合や、第1半導体領域と第1電極層との間に他の部材が介在しない場合と比して、第1電極層の密着性とコンタクト抵抗の低減とのバランスに優れる。したがって、光電変換素子の特性および信頼性を向上することができる。 (2) According to the second aspect of the present invention, a first semiconductor region comprising a semiconductor substrate, a first conductivity type impurity diffusion region formed partly under one surface of the semiconductor substrate, and the first semiconductor A first electrode layer provided on the region; a second semiconductor region comprising a second conductivity type impurity diffusion region formed in another part under the surface of the semiconductor substrate; and provided on the second semiconductor region. A photoelectric conversion element comprising a second electrode layer, comprising a first conductive film interposed between the first semiconductor region and the first electrode layer, wherein the first electrode layer is on the surface of the first conductive film A photoelectric conversion element extending along the first semiconductor region can be provided. In the second aspect of the present invention, another member is interposed on the entire surface between the first semiconductor region and the first electrode layer, or another member is interposed between the first semiconductor region and the first electrode layer. Compared with the case where no intervening metal is present, the balance between the adhesion of the first electrode layer and the reduction in contact resistance is excellent. Therefore, the characteristics and reliability of the photoelectric conversion element can be improved.
(3)本発明の第3の態様によれば、半導体基板と、半導体基板の一方の表面に設けられた第1導電型半導体膜からなる第1半導体領域と、第1半導体領域上に設けられた第1電極層と、半導体基板の他方の表面である受光面に設けられた第2導電型半導体膜からなる第2半導体領域と、第2半導体領域上に設けられた第2電極層とを備える光電変換素子であって、第1半導体領域と第1電極層との間に介在する第1導電膜を備え、第1電極層は、第1導電膜の表面に沿って第1半導体領域にまで延在する光電変換素子を提供することができる。本発明の第3の態様においては、第1半導体領域と第1電極層との間の全面に他の部材が介在する場合や、第1半導体領域と第1電極層との間に他の部材が介在しない場合と比して、第1電極層の密着性とコンタクト抵抗の低減とのバランスに優れる。したがって、光電変換素子の特性および信頼性を向上させることができる。 (3) According to the third aspect of the present invention, the semiconductor substrate, the first semiconductor region including the first conductivity type semiconductor film provided on one surface of the semiconductor substrate, and the first semiconductor region are provided. A first electrode layer, a second semiconductor region formed of a second conductivity type semiconductor film provided on a light receiving surface which is the other surface of the semiconductor substrate, and a second electrode layer provided on the second semiconductor region. A photoelectric conversion element including a first conductive film interposed between the first semiconductor region and the first electrode layer, wherein the first electrode layer is formed in the first semiconductor region along a surface of the first conductive film. A photoelectric conversion element extending up to can be provided. In the third aspect of the present invention, when other members are present on the entire surface between the first semiconductor region and the first electrode layer, or other members are interposed between the first semiconductor region and the first electrode layer. Compared with the case where no intervening metal is present, the balance between the adhesion of the first electrode layer and the reduction in contact resistance is excellent. Therefore, the characteristics and reliability of the photoelectric conversion element can be improved.
(4)本発明の第1の態様、第2の態様および第3の態様においては、第1導電膜と第1半導体領域との接触面積は、第1電極層と第1半導体領域との接触面積以下であることが好ましい。この場合、密着性を十分に維持しつつ、コンタクト抵抗をさらに低減させることができる。また、第2の態様および第3の態様において、第2半導体領域と第2電極層との間に第2導電膜を備える場合においても、第2導電膜と第2半導体領域との接触面積は、第2電極層と第2半導体領域との接触面積以下であることが好ましいことはいうまでもない。 (4) In the first aspect, the second aspect, and the third aspect of the present invention, the contact area between the first conductive film and the first semiconductor region is the contact between the first electrode layer and the first semiconductor region. The area is preferably equal to or less than the area. In this case, it is possible to further reduce the contact resistance while maintaining sufficient adhesion. Further, in the second and third aspects, even when the second conductive film is provided between the second semiconductor region and the second electrode layer, the contact area between the second conductive film and the second semiconductor region is Needless to say, the contact area is preferably equal to or smaller than the contact area between the second electrode layer and the second semiconductor region.
(5)本発明の第1の態様、第2の態様および第3の態様においては、第1導電膜の厚さは第1電極層の厚さの半分以下であることが好ましい。この場合、コンタクト抵抗をより低減させることができるとともに、密着性を十分に維持することができる。また、第2の態様および第3の態様において、第2半導体領域と第2電極層との間に第2導電膜を備える場合においても、第2導電膜の厚さは第2電極層の厚さの半分以下であることが好ましいことはいうまでもない。 (5) In the first aspect, the second aspect, and the third aspect of the present invention, the thickness of the first conductive film is preferably less than or equal to half the thickness of the first electrode layer. In this case, the contact resistance can be further reduced and the adhesion can be sufficiently maintained. Further, in the second and third aspects, even when the second conductive film is provided between the second semiconductor region and the second electrode layer, the thickness of the second conductive film is the thickness of the second electrode layer. Needless to say, it is preferably less than half the thickness.
(6)本発明の第1の態様、第2の態様および第3の態様においては、第1導電膜は、第1電極層に覆われることが好ましい。この場合、第1電極層は、第1半導体領域の表面において、第1導電膜の周囲を囲むように形成されるため、たとえば、第1導電膜の一部が外部に露出するような場合と比してさらに第1導電膜と第1電極層との密着性を高めることができる。また、第2の態様および第3の態様において、第2半導体領域と第2電極層との間に第2導電膜を備える場合においても、第2導電膜は第2電極層に覆われることが好ましいことはいうまでもない。 (6) In the first aspect, the second aspect, and the third aspect of the present invention, the first conductive film is preferably covered with the first electrode layer. In this case, since the first electrode layer is formed on the surface of the first semiconductor region so as to surround the first conductive film, for example, a part of the first conductive film is exposed to the outside. In comparison, the adhesion between the first conductive film and the first electrode layer can be further enhanced. Further, in the second and third aspects, even when the second conductive film is provided between the second semiconductor region and the second electrode layer, the second conductive film may be covered with the second electrode layer. Needless to say, it is preferable.
(7)本発明の第1の態様、第2の態様および第3の態様においては、第1導電膜は金属酸化物膜であることが好ましい。この場合、上記効果に特に優れることができる。また、第2の態様および第3の態様において、第2半導体領域と第2電極層との間に第2導電膜を備える場合においても、第2導電膜は金属酸化物膜であることが好ましいことはいうまでもない。 (7) In the first aspect, the second aspect, and the third aspect of the present invention, the first conductive film is preferably a metal oxide film. In this case, the above effect can be particularly excellent. In the second and third aspects, even when the second conductive film is provided between the second semiconductor region and the second electrode layer, the second conductive film is preferably a metal oxide film. Needless to say.
(8)本発明の第1の態様、第2の態様および第3の態様においては、第1導電膜のシート抵抗値は第1半導体領域のシート抵抗値よりも低いことが好ましい。この場合、コンタクト抵抗をさらに低減することができる。また、第2の態様および第3の態様において、第2半導体領域と第2電極層との間に第2導電膜を備える場合においても、同様であることはいうまでもない。 (8) In the first aspect, the second aspect, and the third aspect of the present invention, the sheet resistance value of the first conductive film is preferably lower than the sheet resistance value of the first semiconductor region. In this case, the contact resistance can be further reduced. In the second and third aspects, it goes without saying that the same applies to the case where the second conductive film is provided between the second semiconductor region and the second electrode layer.
(9)本発明の第1の態様および第2の態様においては、第2半導体領域と第2電極層との間に介在する第2導電膜を備え、第2電極層は、第2導電膜の表面に沿って第2半導体領域にまで延在することが好ましい。この場合には、さらに第2電極層の密着性とコンタクト抵抗の低減とのバランスに優れる。したがって、光電変換素子の特性および信頼性をより向上させることができる。 (9) In the first aspect and the second aspect of the present invention, a second conductive film is provided between the second semiconductor region and the second electrode layer, and the second electrode layer is a second conductive film. It is preferable to extend to the second semiconductor region along the surface. In this case, the balance between the adhesion of the second electrode layer and the reduction in contact resistance is further excellent. Therefore, the characteristics and reliability of the photoelectric conversion element can be further improved.
以上のように本発明の実施の形態について説明を行なったが、上述の各実施の形態の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。 As described above, the embodiments of the present invention have been described, but it is also planned from the beginning to appropriately combine the configurations of the above-described embodiments.
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.
本発明は、光電変換素子および光電変換素子の製造方法に利用することができ、特に、ヘテロ接合型バックコンタクトセル等の太陽電池およびその製造方法に好適に利用することができる。 INDUSTRIAL APPLICATION This invention can be utilized for the manufacturing method of a photoelectric conversion element and a photoelectric conversion element, and can be suitably utilized especially for solar cells, such as a heterojunction type back contact cell, and its manufacturing method.
1,21,31 半導体基板、2,32 第1のi型半導体膜、3,33 第1導電型半導体膜、4,34 第2のi型半導体膜、5 第1の第2導電型半導体膜、6 第3のi型半導体膜、7 第2の第2導電型半導体膜、8,28,36 反射防止膜、9,25,37 第1電極層、10,26,38 第2電極層、11,39 導電膜、11a,29a,39a 第1導電膜、11b,29b 第2導電膜、12,13,14,15 エッチングマスク、16,74 電極層、51,52 積層体、22 第1導電型不純物拡散領域、23 第2導電型不純物拡散領域、24 パッシベーション膜、27 テクスチャ構造、35 第2導電型半導体膜、60,61,64 拡散防止マスク層、62,65 レーザ光、63,66,67,68 開口部、70,71,73 メタルマスク。 1,21,31 Semiconductor substrate, 2,32 First i-type semiconductor film, 3,33 First conductivity type semiconductor film, 4,34 Second i-type semiconductor film, 5 First second conductivity type semiconductor film , 6 3rd i-type semiconductor film, 7 2nd 2nd conductivity type semiconductor film, 8, 28, 36 Antireflection film, 9, 25, 37 1st electrode layer, 10, 26, 38 2nd electrode layer, 11, 39 conductive film, 11a, 29a, 39a first conductive film, 11b, 29b second conductive film, 12, 13, 14, 15 etching mask, 16, 74 electrode layer, 51, 52 laminate, 22 first conductive film Type impurity diffusion region, 23 second conductivity type impurity diffusion region, 24 passivation film, 27 texture structure, 35 second conductivity type semiconductor film, 60, 61, 64 diffusion prevention mask layer, 62, 65 laser light, 63, 66, 67, 68 opening, 0,71,73 metal mask.
Claims (9)
前記半導体基板の一方の表面の一部に設けられた第1のi型半導体膜と、
前記第1のi型半導体膜上に設けられた第1導電型半導体膜からなる第1半導体領域と、
前記第1半導体領域上に設けられた第1電極層と、
前記半導体基板の前記表面の他の一部に設けられた第2のi型半導体膜と、
前記第2のi型半導体膜上に設けられた第2導電型半導体膜からなる第2半導体領域と、
前記第2半導体領域上に設けられた第2電極層とを備える光電変換素子であって、
前記第1半導体領域と前記第1電極層との間に介在する第1導電膜を有し、
前記第1電極層は、前記第1導電膜の表面に沿って前記第1半導体領域にまで延在する、光電変換素子。 A semiconductor substrate;
A first i-type semiconductor film provided on a part of one surface of the semiconductor substrate;
A first semiconductor region comprising a first conductive type semiconductor film provided on the first i-type semiconductor film;
A first electrode layer provided on the first semiconductor region;
A second i-type semiconductor film provided on another part of the surface of the semiconductor substrate;
A second semiconductor region comprising a second conductive semiconductor film provided on the second i-type semiconductor film;
A photoelectric conversion element comprising a second electrode layer provided on the second semiconductor region,
A first conductive film interposed between the first semiconductor region and the first electrode layer;
The first electrode layer is a photoelectric conversion element that extends to the first semiconductor region along a surface of the first conductive film.
前記半導体基板の一方の表面下の一部に形成された第1導電型不純物拡散領域からなる第1半導体領域と、
前記第1半導体領域上に設けられた第1電極層と、
前記半導体基板の前記表面下の他の一部に形成された第2導電型不純物拡散領域からなる第2半導体領域と、
前記第2半導体領域上に設けられた第2電極層とを備える光電変換素子であって、
前記第1半導体領域と前記第1電極層との間に介在する第1導電膜を有し、
前記第1電極層は、前記第1導電膜の表面に沿って前記第1半導体領域にまで延在する光電変換素子。 A semiconductor substrate;
A first semiconductor region comprising a first conductivity type impurity diffusion region formed in a part under one surface of the semiconductor substrate;
A first electrode layer provided on the first semiconductor region;
A second semiconductor region comprising a second conductivity type impurity diffusion region formed in another part under the surface of the semiconductor substrate;
A photoelectric conversion element comprising a second electrode layer provided on the second semiconductor region,
A first conductive film interposed between the first semiconductor region and the first electrode layer;
The first electrode layer is a photoelectric conversion element that extends to the first semiconductor region along a surface of the first conductive film.
前記半導体基板の一方の表面に設けられた第1導電型半導体膜からなる第1半導体領域と、
前記第1半導体領域上に設けられた第1電極層と、
前記半導体基板の他方の表面である受光面に設けられた第2導電型半導体膜からなる第2半導体領域と、
前記第2半導体領域上に設けられた第2電極層とを備える光電変換素子であって、
前記第1半導体領域と前記第1電極層との間に介在する第1導電膜を備え、
前記第1電極層は、前記第1導電膜の表面に沿って前記第1半導体領域にまで延在する、光電変換素子。 A semiconductor substrate;
A first semiconductor region comprising a first conductive type semiconductor film provided on one surface of the semiconductor substrate;
A first electrode layer provided on the first semiconductor region;
A second semiconductor region comprising a second conductivity type semiconductor film provided on a light receiving surface which is the other surface of the semiconductor substrate;
A photoelectric conversion element comprising a second electrode layer provided on the second semiconductor region,
A first conductive film interposed between the first semiconductor region and the first electrode layer;
The first electrode layer is a photoelectric conversion element that extends to the first semiconductor region along a surface of the first conductive film.
前記第2電極層は、前記第2導電膜の表面に沿って前記第2半導体領域にまで延在する、請求項1または請求項2に記載の光電変換素子。 A second conductive film interposed between the second semiconductor region and the second electrode layer;
The photoelectric conversion element according to claim 1, wherein the second electrode layer extends to the second semiconductor region along a surface of the second conductive film.
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