JP2015155796A - 電流センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、形状を小形化できるとともに、外部磁界が存在する場合であっても、非接触で電流路に流れる電流を正確に測定することができる電流センサを提供することを目的とするものである。【解決手段】この目的を達成するために、本発明の電流センサは電流路22を挾んで磁気抵抗素子23、25と、磁石24、26とを電流路22に対して平行かつ対称に配置し、磁石24のN極からS極に向かう方向と、磁石26のS極からN極に向かう方向とを被検出電流の流れる方向と一致させるようにしたものである。【選択図】図1
Description
本発明は、被測定電流が流れる電流線の周囲に発生する磁界を検出することにより、被測定電流を測定する電流センサに関するものである。
近年、ハイブリッドカー、EV車等のバッテリーの充放電電流や、電気モーターの駆動電流等の数十Aから数百Aレベルの大電流を高精度に計測するための電流センサが求められている。図7は従来の電流センサの概略構成を示す平面図である。XYZ座標を図のようにとったとき、この電流センサ1はXY平面に平行に置かれた基板2を備えており、その基板2には基板2の表面2aおよび裏面2bを貫通するスリット3が形成されている。スリット3には、被検出電流Iが流れる板状の電流路4が挿通されている。電流路4を流れる被測定電流Iの向きは、Z軸の負方向、すなわち紙面の表面から裏面に垂直に貫通する方向である。また、図8は電流センサに作用する磁束密度ベクトルの説明図である。
基板2の表面2aには磁気抵抗素子5a、6aが取付けられている。磁気抵抗素子5a、6aは電流路4に対して対称な位置に設けられている。基板2の裏面2bには磁気抵抗素子5aにバイアス磁界を印加するバイアス磁石5bと、磁気抵抗素子6aにバイアス磁界を印加するバイアス磁石6bとが取付けられている。磁気抵抗素子5aは基板2を挟んでバイアス磁石5bの真上に配置されており、磁気抵抗素子6aは基板2を挟んでバイアス磁石6bの真上に配置されている。各バイアス磁石5b、6bの横断面の面積は、直上に配置された磁気抵抗素子の横断面の面積よりも大きくしている。また、バイアス磁石5b、6bは、N極同士を相対向させて配置されている。
磁気抵抗素子5a、6aはハーフブリッジ回路を構成する磁気抵抗Ra、Rbをそれぞれ備えている。各磁気抵抗は同一の基板面に形成されている。また、各磁気抵抗の磁化容易軸(電流の流れる方向)は、各磁気抵抗の形成方向と同一であり、各磁化容易軸はそれぞれ基板面と平行である。また、各磁気抵抗Ra、Rbは、それぞれ磁化容易軸と被検出電流Iの方向とが45°を成すように配置されている。磁気抵抗素子5aにおける磁気抵抗Raと磁気抵抗Rbは接続点7aで接続され、磁気抵抗Raの一端はグランドに接続され、磁気抵抗Rbの一端は電源Vccに接続されている。また、磁気抵抗素子6aにおける磁気抵抗Raと磁気抵抗Rbは接続点7bで接続され、磁気抵抗Raの一端はグランドに接続され、磁気抵抗Rbの一端は電源Vccに接続されている。接続点7a、7bは差動増幅器(図示せず)の入力端子に接続されている。
図8(a)において、磁気抵抗素子5aにはバイアス磁石5bからの磁束密度ベクトルBm1がY軸の正方向に印加されており、磁気抵抗素子6aにはバイアス磁石6bからの磁束密度ベクトルBm2がY軸の負方向に印加されている。電流路4に被測定電流Iが流れていない時、磁気抵抗Ra、Rbの抵抗値は磁束密度ベクトルBm1、Bm2の作用により一様に減少する。その結果、磁気抵抗素子5a、6aで構成されるフルブリッジ回路は平衡するため、差動増幅器の出力VOUTはたとえばVcc/2のいわゆる0点電位に留まることになる。
電流路4に被測定電流Iが流れると、磁気抵抗素子5aにはX軸の正方向を向く磁束密度ベクトルBc1がさらに印加される。これにより、磁気抵抗素子5aにはバイアス磁石5bからの磁束密度ベクトルBm1と、被測定電流Iによる磁束密度ベクトルBc1の合成磁束密度ベクトルB1が印加される。合成磁束密度ベクトルB1は磁束密度ベクトルBm1と角度θをなす。同様にして、被測定電流Iが流れると、磁気抵抗素子6aにはX軸の負方向に磁束密度ベクトルBc2がさらに印加される。これにより、磁気抵抗素子6aには磁束密度ベクトルBm2およびBc2の合成磁束密度ベクトルB2が印加される。合成磁束密度ベクトルB2は磁束密度ベクトルBm2と角度θをなす。このとき、磁束密度ベクトルBm1の大きさは磁気抵抗素子5a内で略一様であるが、磁束密度ベクトルBc1、Bc2の大きさは電流路4からの距離に略反比例して小さくなる。
磁気抵抗素子5a、6aは磁束密度ベクトルBm1、Bm2の大きさが同一であり、かつ磁気抵抗素子5a、6a内の電流路4に対して対称な位置における磁束密度ベクトルBc1、Bc2の大きさが同一となるように構成されている。このため、磁気抵抗素子5a、6a内の電流路4に対して対称な位置、たとえば磁気抵抗素子5a、6aの中心における合成磁束密度ベクトルB1、B2は、大きさが同一で向きが180度異なるので、両合成磁束密度ベクトルの和は0になる。
被検出電流Iが増加すると、磁束密度ベクトルBc1、Bc2が増大するため、位相θが増加するとともに、合成磁束密度ベクトルB1、B2が増大する。このため、磁気抵抗素子5aの磁気抵抗Raの抵抗値が増加し、磁気抵抗Rbの抵抗値が減少する。これにより、接続点7aの電位は上昇する。また、磁気抵抗素子6aの磁気抵抗Raの抵抗値が減少し、磁気抵抗Rbの抵抗値が増加する。これにより、接続点7bの電位は低下する。その結果、磁気抵抗素子5a、6aで構成されるフルブリッジ回路の平衡が崩れ、差動増幅器の出力VOUTは、たとえばVcc/2の0点電位より大きいV1となる。
被検出電流Iが減少すると、磁束密度ベクトルBc1、Bc2が減少するため、位相θが減少するとともに、合成磁束密度ベクトルB1、B2が減少する。その結果、差動増幅器の出力VOUTは、たとえばVcc/2の0点電位より大きいV2(V2<V1)となる。こうして、差動増幅器の出力VOUTから電流路4に流れる被測定電流Iを検出することができるものである。
次に、磁気抵抗素子5a、6aに一様な外部密度ベクトルBexが印加された場合を考える。簡単のために、図8(b)に示すように、電流路4には被測定電流Iが流れておらず、外部磁界密度ベクトルBexはX軸の正方向に印加されているものとする。このとき、合成磁束密度ベクトルB1、B2の大きさは等しいが、合成磁束密度ベクトルB1は磁束密度ベクトルBm1に対して位相αだけ進み、合成磁束密度ベクトルB2は磁束密度ベクトルBm2に対して位相αだけ遅れることになる。このため、磁気抵抗素子5aの磁気抵抗Raの抵抗値が増加し、磁気抵抗Rbの抵抗値が減少する。これにより、接続点7aの電位は上昇する。しかしながら、磁気抵抗素子6aの磁気抵抗Raの抵抗値は増加し、磁気抵抗Rbの抵抗値が減少する。これにより、接続点7bの電位が上昇する。その結果、磁気抵抗素子5a、6aで構成されるフルブリッジ回路は平衡状態を維持するため、差動増幅器の出力VOUTはたとえばVcc/2のいわゆる0点電位に留まることになる。
すなわち、この電流センサは外部磁界が存在する場合であっても、被測定電流Iの電流値に誤差が発生することがなく、非接触で電流路に流れる電流を形成することができるものである。
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
しかしながら、上記従来の電流センサにおいては、磁気検出素子5a、6aが電流路4を流れる被測定電流Iに垂直な面(XY面)内に配置されているために、電流センサのY軸方向の寸法が大きくなってしまうという問題点があった。また、磁気検出素子5a、6aが電流路4を流れる被測定電流Iに垂直な面内に配置されているとともに、磁気抵抗Ra〜Rdをそれぞれ磁化容易軸と被検出電流Iの方向とが45°を成すように配置する必要があるために、磁気検出素子5a、6aを電流路4に近接して配置するには限界がある。そのため、電流路4に流れる被測定電流Iにより発生する磁界を有効に捉えることが困難であり、電流測定のS/Nが低下するという問題点もあった。さらに、電流路4に流れる被測定電流Iにより発生する磁束密度は電流路からの距離に反比例して減少するため、磁気検出素子5a、6a内での磁束密度が一様とはならない。そのため、磁気抵抗Ra〜Rdの位置にばらつきがあると磁気検出素子5a、6aで構成されるブリッジ回路の抵抗変化に誤差が生じ、測定される電流値に誤差が発生するという問題点もあった。
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、形状を小形化できるとともに、電流路に流れる被測定電流Iにより発生する磁界を有効に検出してS/N比を高めることができ、さらに前記磁気抵抗素子を構成する磁気検出素子の平面内での位置に対する制約を解消でき、外部磁界が存在する場合であっても、被測定電流Iの電流値に誤差が発生することがなく、非接触で電流路に流れる電流を正確に測定することができる電流センサを提供することを目的とするものである。
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有する。
請求項1に記載の発明は、電流路を挾んで配置された第1および第2の磁気抵抗素子と、前記第1の磁気抵抗素子にバイアス磁界を与える第1の磁界発生手段と、前記第2の磁気抵抗素子にバイアス磁界を与える第2の磁界発生手段と、を備え、前記第1および第2の磁気抵抗素子の出力信号から前記電流路を流れる電流を検出するように構成された電流センサであって、前記第1の磁界発生手段のN極の中心からS極の中心に向かう方向が前記被検出電流の流れる方向と一致するとともに、前記第2の磁界発生手段のS極の中心からN極の中心に向かう方向が前記被検出電流の流れる方向と一致するように配置されており、前記第1の磁気抵抗素子の磁気抵抗を含む平面および前記第2の磁気抵抗素子の磁気抵抗を含む平面は、前記電流路と平行に配置されるとともに、前記第1の磁気抵抗素子の磁気抵抗を含む平面と前記電流路との距離が、前記第2の磁気抵抗素子の磁気抵抗を含む平面と前記電流路との距離と等しいように構成したもので、この構成によれば、電流センサのY軸方向の寸法を小さくすることができ、さらに磁気抵抗素子を電流路に近接して配置できるため、電流路に流れる被測定電流Iにより発生する磁界を有効に検出してS/N比を高めることができ、さらに電流路に流れる被測定電流Iにより発生する磁束密度が前記磁気抵抗素子内で一定となるため、前記磁気抵抗素子を構成する磁気検出素子の平面内での位置に対する制約を解消できるとともに、外部磁界が存在する場合であっても、被測定電流Iの電流値に誤差が発生することがなく、非接触で電流路に流れる電流を正確に測定できるという作用効果を有するものである。
請求項2に記載の発明は、特に、前記第1および第2の磁界発生手段を薄膜磁石としたもので、この構成によれば、磁気抵抗素子にさらに一様で高い磁束密度を与えることができるとともに、磁気検出素子上に一体に形成でき、きわめて小形の電流センサが実現できるという作用効果を有するものである。
以上のように本発明は、電流路を挾んで配置された第1および第2の磁気抵抗素子と、前記第1の磁気抵抗素子にバイアス磁界を与える第1の磁界発生手段と、前記第2の磁気抵抗素子にバイアス磁界を与える第2の磁界発生手段と、を備え、前記第1および第2の磁気抵抗素子の出力信号から前記電流路を流れる電流を検出するように構成された電流センサであって、前記第1の磁界発生手段のN極の中心からS極の中心に向かう方向が前記被検出電流の流れる方向と一致するとともに、前記第2の磁界発生手段のS極の中心からN極の中心に向かう方向が前記被検出電流の流れる方向と一致するように配置されており、前記第1の磁気抵抗素子の磁気抵抗を含む平面および前記第2の磁気抵抗素子の磁気抵抗を含む平面は、前記電流路と平行に配置されるとともに、前記第1の磁気抵抗素子の磁気抵抗を含む平面と前記電流路との距離が、前記第2の磁気抵抗素子の磁気抵抗を含む平面と前記電流路との距離と等しいように構成したもので、形状を小形化できるとともに、電流路に流れる被測定電流Iにより発生する磁界を有効に検出してS/N比を高めることができ、さらに前記磁気抵抗素子を構成する磁気検出素子の平面内での位置に対する制約を解消でき、外部磁界が存在する場合であっても、被測定電流Iの電流値に誤差が発生することがなく、非接触で電流路に流れる電流を正確に測定することができる電流センサを提供できるという優れた効果を奏するものである。
(実施の形態1)
以下、実施の形態1を用いて、本発明の請求項1に記載の発明について、図面を参照しながら説明する。図1(a)は本発明の実施の形態1における電流センサ21の構成を示す断面図であり、図1(b)は同電流センサ21の構成を示す側面図である。図1(a)(b)において、XYZ座標を図のようにとったとき、22はZ軸方向に延びる電流路であり、銅等の良導電体からなる。この電流路22にはZ軸の負方向に被検出電流Iが流れている。この電流路22の上方、すなわちY軸の正方向には第1の磁気抵抗素子23と、この第1の磁気抵抗素子23にバイアス磁界を与える第1の磁石24が第1の磁気抵抗素子23の直上に配置されている。また電流路22の下方、すなわちY軸の負方向には第2の磁気抵抗素子25と、この第2の磁気抵抗素子25にバイアス磁界を与える第2の磁石26が第2の磁気抵抗素子25の直下に配置されている。第1の磁石24のN極の中心からS極の中心に向かう方向は被検出電流Iの流れる方向と一致するとともに、第2の磁石のS極の中心からN極の中心に向かう方向が前記被検出電流の流れる方向と一致するように配置されている。27は電流路22に流れる被測定電流Iによって電流路22の周りに発生する磁界である。さらに、28、29は各々第1、第2の磁石24、26の周りに発生する磁界である。
以下、実施の形態1を用いて、本発明の請求項1に記載の発明について、図面を参照しながら説明する。図1(a)は本発明の実施の形態1における電流センサ21の構成を示す断面図であり、図1(b)は同電流センサ21の構成を示す側面図である。図1(a)(b)において、XYZ座標を図のようにとったとき、22はZ軸方向に延びる電流路であり、銅等の良導電体からなる。この電流路22にはZ軸の負方向に被検出電流Iが流れている。この電流路22の上方、すなわちY軸の正方向には第1の磁気抵抗素子23と、この第1の磁気抵抗素子23にバイアス磁界を与える第1の磁石24が第1の磁気抵抗素子23の直上に配置されている。また電流路22の下方、すなわちY軸の負方向には第2の磁気抵抗素子25と、この第2の磁気抵抗素子25にバイアス磁界を与える第2の磁石26が第2の磁気抵抗素子25の直下に配置されている。第1の磁石24のN極の中心からS極の中心に向かう方向は被検出電流Iの流れる方向と一致するとともに、第2の磁石のS極の中心からN極の中心に向かう方向が前記被検出電流の流れる方向と一致するように配置されている。27は電流路22に流れる被測定電流Iによって電流路22の周りに発生する磁界である。さらに、28、29は各々第1、第2の磁石24、26の周りに発生する磁界である。
図2(a)(b)は各々第1および第2の磁気抵抗素子23、25の平面図である。第1および第2の磁気抵抗素子23、25はフルブリッジ回路を構成する磁気抵抗30a、30b、30c、30dをそれぞれ備えている。31はセラミック等の絶縁基板であり、磁気抵抗30a、30b、30c、30dは同一の基板面に形成されている。磁気抵抗30a、30b、30c、30dはNi−Co等の強磁性体からなる厚み約0.1μmの磁気抵抗薄膜である。そして、前記磁気抵抗30a、30bおよび磁気抵抗30c、30dは各々直列に接続され、感磁方向に垂直な方向であるパターンの長手方向は互いに直交するとともに、被検出電流Iの方向と45°を成すように配置されている。第1の磁気抵抗素子23における磁気抵抗30aと磁気抵抗30bは接続点32で接続され、磁気抵抗30cと磁気抵抗30dは接続点33で接続されている。磁気抵抗30aと磁気抵抗30dの他端は電源Vccに接続され、磁気抵抗30bと磁気抵抗30cの他端はグランドに接続されている。同様に、第2の磁気抵抗素子25における磁気抵抗30aと磁気抵抗30bは接続点34で接続され、磁気抵抗30cと磁気抵抗30dは接続点35で接続されている。磁気抵抗30aと磁気抵抗30dの他端は電源Vccに接続され、磁気抵抗30bと磁気抵抗30cの他端はグランドに接続されている。また、接続点32、33は第1の差動増幅器(図示せず)の入力端子に接続されている。さらに、接続点34、35は第2の差動増幅器(図示せず)の入力端子に接続されている。さらに、第1の差動増幅器と第2の差動増幅器との出力は加算器(図示せず)に入力されている。
第1の磁気抵抗素子23の磁気抵抗30a、30b、30c、30dを含む平面、すなわち基板面および第2の磁気抵抗素子25の磁気抵抗30a、30b、30c、30dを含む平面、すなわち基板面は電流路22に対して平行に配置されるとともに、第1の磁気抵抗素子23の磁気抵抗30a、30b、30c、30dを含む平面と電流路22との距離が、第2の磁気抵抗素子25の磁気抵抗30a、30b、30c、30dを含む平面と電流路22との距離と等しくなるように配置されている。
このとき、前記第1の磁気抵抗素子23の中心と前記第1の磁石24の中心とが同軸であって互いに近接するように配置するとともに、前記第2の磁気抵抗素子25の中心と前記第2の磁石26の中心とが同軸であって互いに近接するように配置することが望ましい。このように構成することにより、前記第1および第2の磁気抵抗素子23、25に一様で高い磁束密度を与えることができ、電流路に流れる電流をさらに高精度で測定できる。
図2(a)(b)を参照して、本発明の実施の形態1における電流センサ21の動作を説明する。図2において、第1の磁気抵抗素子23には第1の磁石24からの磁束密度ベクトルBm1がZ軸の正方向に印加され、第2の磁気抵抗素子25には第2の磁石26からの磁束密度ベクトルBm2がZ軸の負方向に印加されている。
電流路22に被測定電流Iが流れていない時、磁気抵抗30a、30b、30c、30dの抵抗値は磁束密度ベクトルBm1、Bm2の作用により一様に減少する。このとき、磁気抵抗30a、30cの抵抗値の積と、磁気抵抗30b、30dの抵抗値の積が等しくなるように設定していると、磁気抵抗30a、30b、30c、30dで構成されるフルブリッジ回路は平衡するため、第1および第2の差動増幅器の出力VOUT1、VOUT2は0となる。そして、これら第1および第2の差動増幅器の出力VOUT1、VOUT2の出力を加算する加算器の出力はたとえばVcc/2のいわゆる0点電位に留まることになる。
電流路22に被測定電流Iが流れると、第1の磁気抵抗素子23にはX軸の正方向を向く磁束密度ベクトルBc1がさらに印加される。これにより、第1の磁気抵抗素子23には第1の磁石24からの磁束密度ベクトルBm1と、被測定電流Iによる磁束密度ベクトルBc1の合成磁束密度ベクトルB1が印加される。合成磁束密度ベクトルB1は磁束密度ベクトルBm1と角度θ1をなす。同様にして、被測定電流Iが流れると、第2の磁気抵抗素子25にはX軸の負方向に磁束密度ベクトルBc2がさらに印加される。これにより、第2の磁気抵抗素子25には磁束密度ベクトルBm2およびBc2の合成磁束密度ベクトルB2が印加される。合成磁束密度ベクトルB2は磁束密度ベクトルBm2と角度θ2をなす。ここで、磁束密度ベクトルBm1の大きさは磁束密度ベクトルBm2の大きさと一致するように第1の磁石24の強さ、第2の磁石26の強さ、第1の磁石24と第1の磁気抵抗素子23との距離、第2の磁石26と第2の磁気抵抗素子25との距離が調整されている。また、前記のように、第1の磁気抵抗素子23の磁気抵抗30a、30b、30c、30dを含む平面および第2の磁気抵抗素子25の磁気抵抗30a、30b、30c、30dを含む平面は電流路22と平行に配置されるとともに、第1の磁気抵抗素子23の磁気抵抗30a、30b、30c、30dを含む平面と電流路22との距離が、第2の磁気抵抗素子25の磁気抵抗30a、30b、30c、30dを含む平面と電流路22との距離と等しくなるように配置しているために、磁束密度ベクトルBc1、Bc2の大きさは各々第1および第2の磁気抵抗素子23、25の面内で一定であるとともに、互いに等しくなる。このため、第1および第2の磁気抵抗素子23、25の面内の合成磁束密度ベクトルB1、B2は、大きさが同一で向きが180度異なることになる。
被検出電流Iが増加すると、磁束密度ベクトルBc1、Bc2が増大するため、第1の磁気抵抗素子23の磁気抵抗30a、30cの抵抗値が減少し、磁気抵抗30b、30dの抵抗値が増加する。これにより、接続点32の電位は上昇し、接続点33の電位は低下する。その結果、フルブリッジ回路の平衡が崩れ、第1の差動増幅器の出力VOUT1が発生する。同様にして、第2の磁気抵抗素子25の磁気抵抗30a、30cの抵抗値が減少し、磁気抵抗30b、30dの抵抗値が増加する。これにより、接続点34の電位は上昇し、接続点35の電位は低下する。その結果、フルブリッジ回路の平衡が崩れ、第2の差動増幅器の出力には第1の差動増幅器の出力VOUT1と同符号の出力VOUT2が発生する。そして、これら第1および第2の差動増幅器の出力VOUT1、VOUT2の出力を加算する加算器の出力はたとえばVcc/2のいわゆる0点電位より大きいV1となる。
被検出電流Iが減少すると、磁束密度ベクトルBc1、Bc2が減少するため、合成磁束密度ベクトルB1、B2が減少する。これにより、第1の差動増幅器の出力VOUT1および第2の差動増幅器の出力VOUT2は小さくなる。そして、これら第1および第2の差動増幅器の出力VOUT1、VOUT2の出力を加算する加算器の出力は、たとえばVcc/2の0点電位より大きいV2(V2<V1)となる。こうして、加算器の出力から電流路22に流れる被測定電流Iを検出することができるものである。
次に、第1および第2の磁気抵抗素子23、25に一様な外部密度ベクトルBexが印加された場合を考える。このとき、外部密度ベクトルBexの作用により、第1の磁気抵抗素子23のフルブリッジ回路の平衡が崩れ、第1の差動増幅器の出力VOUT1に△V1の増分が発生する。同様にして、外部密度ベクトルBexの作用により、第2の磁気抵抗素子25のフルブリッジ回路の平衡が崩れ、第2の差動増幅器の出力VOUT2に△V2の増分が発生する。しかしながら、増分△V1の符号と増分△V2の符号は異なるため、加算器の出力はたとえばVcc/2のいわゆる0点電位に留まることになる。
すなわち、この電流センサは外部磁界が存在する場合であっても、被測定電流Iの電流値に誤差が発生することがなく、非接触で電流路に流れる電流を形成することができるものである。
図3(a)は本発明の効果を確認するための実験装置の構成を示す断面図であり、図3(b)は同実験装置の構成を示す側面図である。
図3(a)(b)において、XYZ座標を図のようにとったとき、40はZ軸方向に延びる電流路であり、直径3mmの銅製丸棒である。この電流路40にはZ軸方向に被検出電流Iが流れている。この電流路40の上方、すなわちY軸の正方向には第1の磁気抵抗素子41と、この第1の磁気抵抗素子41にバイアス磁界を与える第1の磁石42が第1の磁気抵抗素子41の直上に配置されている。また電流路40の下方、すなわちY軸の負方向には第2の磁気抵抗素子43と、この第2の磁気抵抗素子43にバイアス磁界を与える第2の磁石44が第2の磁気抵抗素子43の直下に配置されている。45は電流路40に流れる被測定電流Iによって電流路40の周りに発生する磁界である。さらに、46、47は各々第1、第2の磁石42、44の周りに発生する磁界である。
第1の磁石42のN極の中心からS極の中心に向かう方向はZ軸の負方向と一致するとともに、第2の磁石のS極の中心からN極の中心に向かう方向がZ軸の負方向と一致するように配置されている。第1および第2の磁石42、44は3mm□、厚み0.4mmでゴム中にフェライト粉を混練・成形されたいわゆるゴム磁石であり、表面磁束密度は200ガウスのものを使用した。
この実験で用いた第1の磁気抵抗素子41の構成を図4を用いて説明する。図4(a)は、第1の磁気抵抗素子41の上面図であり、図4(b)は図4(a)の縦断面図である。ここで、第1の磁気抵抗素子41のX軸、Y軸、Z軸方向の長さは各々3mm、0.8mm、3mmである。図4において、セラミック絶縁基板50上に電源印加電極51、第1の出力電極52、第2の出力電極53およびグランド電極54の4個の電極が形成されている。また電源印加電極51と第1の出力電極52との間には磁気抵抗体からなり蛇行形状の磁気抵抗55aが形成されている。同様に第1の出力電極52とグランド電極54との間、電源印加電極51と第2の出力電極53との間、第2の出力電極53とグランド電極54との間には各々蛇行形状の磁気抵抗55b、55c、55dが形成されている。このような電気的な接続を行なうことで、磁気抵抗55a、55b、55c、55dはブリッジ回路を構成する。磁気抵抗55a、55b、55c、55dはNi−Co等の強磁性体からなる厚さ約0.1μmの磁気抵抗薄膜である。また、図4において、磁気抵抗55aは、紙面で右斜め上に傾いた45°の方向に蛇行パターンの長手方向が位置しているが、これと隣接する磁気抵抗55bは、紙面で左斜め上に傾いた45°の方向に蛇行パターンの長手方向が位置しており、両者の角度は直角である。磁気抵抗55cと磁気抵抗55dとの位置関係も同様である。さらに、磁気抵抗55aと磁気抵抗55cとの位置関係も同様である。ここで、磁気抵抗55a、55b、55c、55dの感磁方向はセラミック絶縁基板50面内で各々の蛇行パターンの長手方向に直角な方向である。60は厚さが約1μmのSiO2薄膜からなる絶縁層であり、磁気抵抗55a、55b、55c、55dを覆うことにより磁気抵抗55a、55b、55c、55dを保護するものである。第2の磁気抵抗素子43の構成は第1の磁気抵抗素子41の構成と同様であるため、説明を省略する。第1の磁気抵抗素子41の第1および第2の出力電極52、53は第1の差動増幅器(図示せず)に接続され、第2の磁気抵抗素子43の第1および第2の出力電極は第2の差動増幅器(図示せず)に接続されている。そして、第1および第2の差動増幅器の出力は加算器(図示せず)に接続されている。
第1の磁気抵抗素子41の磁気抵抗55a、55b、55c、55dを含む平面、すなわち基板50表面および第2の磁気抵抗素子43の磁気抵抗を含む平面、すなわち基板表面は電流路40と平行に配置されるとともに、第1の磁気抵抗素子41の基板表面と電流路40との距離および、第2の磁気抵抗素子43の基板表面と電流路40との距離はともに1.76mmである。
上記実験装置全体をヘルムホルツコイル内の軸上中心部に配置した。最初に、このヘルムホルツコイルに電流を印加せず、電流路40に10アンペアの電流を流したとき、加算器の出力は2.77ボルトであった。このとき第1、第2の磁気抵抗素子41、43に印加される電流磁界の磁束密度は約0.2mTである。次に、ヘルムホルツコイルの軸方向と電流路40の電流方向を直交させ、電流路40に10アンペアの電流を流した状態で、ヘルムホルツコイルに電流を流すことにより、図3のX軸方向、すなわち電流路40に流れる被測定電流Iによって第1、第2の磁気抵抗素子41、43に印加される電流磁界と同じ方向を向く外部磁界を印加した。
図5(a)はヘルムホルツコイルに流す電流を調整して、図3のX軸方向を向く外部磁界の磁束密度を0mT(テスラ)から2mTまで変化させたときの加算器の出力変化率を示す測定データである。
次に、ヘルムホルツコイルの軸方向と電流路40の電流方向を一致させ、電流路40に10アンペアの電流を流した状態で、ヘルムホルツコイルに電流を流すことにより、図3のZ軸方向、すなわち電流路40に流れる被測定電流Iによって第1、第2の磁気抵抗素子41、43に印加される電流磁界45と直交する外部磁界を印加した。
図5(b)はヘルムホルツコイルに流す電流を調整して、図3のZ軸方向を向く外部磁界の磁束密度を0mT(テスラ)から2mTまで変化させたときの加算器の出力変化率を示す測定データである。
図5(a)(b)によれば、電流路40に流れる被測定電流I=10アンペアによって第1、第2の磁気抵抗素子41、43に印加される電流磁界45の磁束密度、約0.2mTの2.5倍に当る0.5mTの外部磁界が印加されたときに発生する誤差電圧は0.05%以下であり、電流磁界の磁束密度の10倍に当る2mTの外部磁界が印加された際であっても、発生する誤差電圧は0.15%以下であり、外部磁界が存在する場合であっても、被測定電流Iの電流値に発生する誤差はきわめて小さく、非接触で電流路に流れる電流を正確に測定できることが確認できた。
本発明の実施の形態1における電流センサにおいては、第1の磁気抵抗素子41の磁気抵抗を含む平面および第2の磁気抵抗素子43の磁気抵抗を含む平面は、電流路40と平行に配置されているため、Y軸方向の寸法を小さくすることができる。また、磁気抵抗素子を電流路40に近接して配置できるため、電流路に流れる被測定電流Iにより発生する磁界を有効に検出してS/N比を高めることができる。第1の磁石42と第2の磁石44とを接近させて、第1の磁石42のN極と第2の磁石44のS極、および第1の磁石42のS極と第2の磁石44のN極との間に働く吸引力を利用すれば、第1の磁気抵抗素子41と第2の磁気抵抗素子43を電流路40に簡便に取付けることもできる。さらに電流路に流れる被測定電流Iにより発生する磁束密度が前記磁気抵抗素子内で一定となるため、前記磁気抵抗素子を構成する磁気検出素子の平面内での位置に対する制約を解消できるという効果が得られるものである。さらにまた、前記第1の磁気抵抗素子41の磁気抵抗を含む平面と前記電流路40との距離が、前記第2の磁気抵抗素子43の磁気抵抗を含む平面と前記電流路40との距離と等しいように構成しているため、外部磁界が存在する場合であっても、被測定電流Iの電流値に誤差が発生することがなく、非接触で電流路に流れる電流を正確に測定することができるという効果が得られるものである。
なお、上記実施の形態1の電流センサにおいては、第1および第2の磁気抵抗素子23、25の磁気抵抗30a、30b、30c、30dをフルブリッジ接続しているが、第1および第2の磁気抵抗素子23、25の磁気抵抗を各々ハーフブリッジに接続しても同様の効果が得られるものである。
(実施の形態2)
以下、実施の形態2を用いて、本発明の請求項2に記載の発明について、図面を参照しながら説明する。図6(a)は本発明の実施の形態2における電流センサで使用する磁気抵抗素子71の平面図である。なお、この本発明の実施の形態2における磁気抵抗素子71においては、上記した本発明の実施の形態1における磁気抵抗素子の構成と同様の構成を有するものについては、同一符号を付しており、その説明は省略する。図6(a)(b)において、本発明の実施の形態2における磁気抵抗素子71が上記した本発明の実施の形態1における磁気抵抗素子41と相違する点は、絶縁層60上に薄膜磁石61を配置した点である。図6(b)は実施の形態2における電流センサで使用する磁気抵抗素子71の断面図である。
以下、実施の形態2を用いて、本発明の請求項2に記載の発明について、図面を参照しながら説明する。図6(a)は本発明の実施の形態2における電流センサで使用する磁気抵抗素子71の平面図である。なお、この本発明の実施の形態2における磁気抵抗素子71においては、上記した本発明の実施の形態1における磁気抵抗素子の構成と同様の構成を有するものについては、同一符号を付しており、その説明は省略する。図6(a)(b)において、本発明の実施の形態2における磁気抵抗素子71が上記した本発明の実施の形態1における磁気抵抗素子41と相違する点は、絶縁層60上に薄膜磁石61を配置した点である。図6(b)は実施の形態2における電流センサで使用する磁気抵抗素子71の断面図である。
図6において、この薄膜磁石61は厚みが約0.6μmのCoPt等からなり、前記絶縁層60の上に蒸着、スパッタ法等により形成した後、露光、エッチングによりパターニングすることにより、前記磁気抵抗素子55a、55b、55c、55dの感磁方向と45度をなす方向に長手方向を有する複数の略長方体に分割されているものである。そして、この複数の略長方体形状の薄膜の幅方向に大きな磁界を印加することにより、略長方体形状の薄膜が幅方向に磁化されて、薄膜磁石61を得ることができる。62は第2の絶縁層で、この第2の絶縁層62は厚みが約1μmのSiO2薄膜からなり、前記薄膜磁石61を覆うことにより薄膜磁石61を保護するものである。この構成によれば、磁気抵抗素子71にさらに一様で高い磁束密度を与えることができるとともに、磁気検出素子71上に一体に形成でき、きわめて小形の電流センサが実現できるという効果が得られるものである。
本発明に係る電流センサは、形状を小形化できるとともに、電流路に流れる被測定電流Iにより発生する磁界を有効に検出してS/N比を高めることができ、さらに前記磁気抵抗素子を構成する磁気検出素子の平面内での位置に対する制約を解消できるとともに、外部磁界が存在する場合であっても、被測定電流Iの電流値に誤差が発生することがなく、非接触で電流路に流れる電流を正確に測定することができるという効果を有するものであり、特に、車両、産業機器等内における電流を検出する電流検出装置として有用なものである。
21 電流センサ
22 電流路
23 第1の磁気抵抗素子
24 第1の磁石
25 第2の磁気抵抗素子
26 第2の磁石
61 薄膜磁石
22 電流路
23 第1の磁気抵抗素子
24 第1の磁石
25 第2の磁気抵抗素子
26 第2の磁石
61 薄膜磁石
Claims (2)
- 電流路を挾んで配置された第1および第2の磁気抵抗素子と、
前記第1の磁気抵抗素子にバイアス磁界を与える第1の磁界発生手段と、
前記第2の磁気抵抗素子にバイアス磁界を与える第2の磁界発生手段と、を備え、
前記第1および第2の磁気抵抗素子の出力信号から前記電流路を流れる電流を検出するように構成された電流センサであって、
前記第1の磁界発生手段のN極の中心からS極の中心に向かう方向が前記被検出電流の流れる方向と一致するとともに、
前記第2の磁界発生手段のS極の中心からN極の中心に向かう方向が前記被検出電流の流れる方向と一致するように配置されており、
前記第1の磁気抵抗素子の磁気抵抗を含む平面および前記第2の磁気抵抗素子の磁気抵抗を含む平面は、前記電流路と平行に配置されるとともに、
前記第1の磁気抵抗素子の磁気抵抗を含む平面と前記電流路との距離が、前記第2の磁気抵抗素子の磁気抵抗を含む平面と前記電流路との距離と等しいことを特徴とする電流センサ。 - 前記第1および第2の磁界発生手段は薄膜磁石であることを特徴とする請求項1に記載の電流センサ。
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2013
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