JP2015149420A - ミリ波帯用半導体パッケージおよびミリ波帯用半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 153
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000004576 sand Substances 0.000 claims description 8
- 229910052602 gypsum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010440 gypsum Substances 0.000 claims description 6
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 7
- 238000004512 die casting Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000005404 monopole Effects 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011505 plaster Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/481—Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/12—Hollow waveguides
- H01P3/121—Hollow waveguides integrated in a substrate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
- H01L2223/64—Impedance arrangements
- H01L2223/66—High-frequency adaptations
- H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
- H01L2223/6627—Waveguides, e.g. microstrip line, strip line, coplanar line
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
- H01L2223/64—Impedance arrangements
- H01L2223/66—High-frequency adaptations
- H01L2223/6644—Packaging aspects of high-frequency amplifiers
- H01L2223/665—Bias feed arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
- H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices
- H01P5/107—Hollow-waveguide/strip-line transitions
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Waveguide Aerials (AREA)
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- Microwave Amplifiers (AREA)
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Abstract
【解決手段】実施形態に係るミリ波帯用半導体パッケージは、金属製の基体、回路基板、および金属製の蓋体、を具備する。前記基体は、それぞれの内面に平坦化膜が設けられた第1の貫通孔および第2の貫通孔を有する。前記回路基板は、前記基体上に配置されており、表面には、入力用信号線路および出力用信号線路が設けられている。前記蓋体は、前記回路基板上に配置されており、それぞれの内面に平坦化膜が設けられた第1の非貫通穴および第2の非貫通穴を有する。この前記蓋体は、前記第1の非貫通穴が前記基体の前記第1の貫通孔の直上に配置されるとともに、前記第2の非貫通穴が前記基体の前記第2の貫通孔の直上に配置されるように前記回路基板上に配置される。そして、前記第1の非貫通穴および前記第1の貫通孔は第1の導波管を構成するとともに、前記第2の非貫通穴および前記第2の貫通孔は第2の導波管を構成する。
【選択図】図6
Description
図1は、第1の実施形態に係るミリ波帯用半導体装置を斜め上方から見た場合の模式的な分解斜視図である。また、図2は、第1の実施形態に係るミリ波帯用半導体装置を斜め下方から見た場合の模式的な分解斜視図である。図1、図2に示すように、第1の実施形態に係るミリ波帯用半導体装置10は、基体21、信号線路22等を備える回路基板23、および蓋体24、を有するミリ波帯用半導体パッケージ20内部に、半導体チップ11が実装されたものである。
第2の実施形態に係るミリ波帯用半導体パッケージおよびミリ波帯用半導体装置は、導波管を構成する貫通孔が蓋体に設けられ、非貫通穴が基体に設けられる点において、第1の実施形態に係るミリ波帯用半導体パッケージ20およびミリ波帯用半導体装置10と異なる。以下に、第2の実施形態に係るミリ波帯用半導体パッケージおよびミリ波帯用半導体装置について説明する。なお、第1の実施形態に係るミリ波帯用半導体パッケージ20およびミリ波帯用半導体装置10と同一の構成については同一符号を付すとともに、説明を省略する。
11・・・半導体チップ
12、51・・・導波管
12a、51a・・・第1の導波管
12b、51b・・・第2の導波管
13・・・ワイヤー
14・・・ネジ孔
15・・・チップマウントプレート
16・・・チップカバー体
20、60・・・ミリ波帯用半導体パッケージ
21、61・・・基体
21a・・・基体の表面
21b・・・基体の第1の側面
21c・・・基体の第2の側面
22・・・信号線路
22a・・・入力用信号線路
22b・・・出力用信号線路
23・・・回路基板
24、64、64´・・・蓋体
64a・・・裏面
64b・・・第1の側面
64c・・・第2の側面
64d・・・表面
25・・・誘電体基板
26、65、65´・・・第1の貫通孔
26a、65a、65a´・・・平坦化膜
27、66、66´・・・第2の貫通孔
27a、66a、66a´・・・平坦化膜
28・・・貫通孔
29・・・バイアス供給線路
30・・・第1の接地パターン
31・・・表面導波領域
32・・・第2の接地パターン
33・・・裏面導波領域
34・・・リング状の領域
35、62・・・第1の非貫通穴
35a、62a・・・平坦化膜
36、63・・・第2の非貫通穴
36a、63a・・・平坦化膜
37・・・第1の凹部
38・・・第2の凹部
Claims (12)
- それぞれの内面に平坦化膜が設けられた第1の貫通孔および第2の貫通孔を有する金属製の基体と、
この基体上に配置され、表面に入力用信号線路および出力用信号線路が設けられた回路基板と、
この回路基板上に配置され、それぞれの内面に平坦化膜が設けられた第1の非貫通穴および第2の非貫通穴を有する金属製の蓋体と、
を具備し、
前記蓋体は、前記第1の非貫通穴が前記基体の前記第1の貫通孔の直上に配置されるとともに、前記第2の非貫通穴が前記基体の前記第2の貫通孔の直上に配置されるように前記回路基板上に配置され、
前記第1の非貫通穴および前記第1の貫通孔は第1の導波管を構成するとともに、前記第2の非貫通穴および前記第2の貫通孔は第2の導波管を構成することを特徴とするミリ波帯用半導体パッケージ。 - 前記基体および前記蓋体はそれぞれ、砂鋳型または石膏鋳型を用いた鋳造法により製造されたものであることを特徴とする請求項1に記載のミリ波帯用半導体パッケージ。
- 前記第1、第2の貫通孔の内面に設けられた前記平坦化膜、および前記第1、第2の非貫通穴の内面に設けられた前記平坦化膜はそれぞれ、Agナノ粒子を含むことを特徴とする請求項1または2に記載のミリ波帯用半導体パッケージ。
- それぞれの内面に平坦化膜が設けられた第1の非貫通穴および第2の非貫通穴を有する金属製の基体と、
この基体上に配置され、表面に入力用信号線路および出力用信号線路が設けられた回路基板と、
この回路基板上に配置され、それぞれの内面に平坦化膜が設けられた第1の貫通孔および第2の非貫通孔を有する金属製の蓋体と、
を具備し、
前記蓋体は、前記第1の貫通孔が前記基体の前記第1の非貫通穴の直上に配置されるとともに、前記第2の貫通孔が前記基体の前記第2の非貫通穴の直上に配置されるように前記回路基板上に配置され、
前記第1の貫通孔および前記第1の非貫通穴は第1の導波管を構成するとともに、前記第2の貫通孔および前記第2の非貫通穴は第2の導波管を構成することを特徴とするミリ波帯用半導体パッケージ。 - 前記基体および前記蓋体はそれぞれ、砂鋳型または石膏鋳型を用いた鋳造法により製造されたものであることを特徴とする請求項4に記載のミリ波帯用半導体パッケージ。
- 前記第1、第2の非貫通穴の内面に設けられた前記平坦化膜、および前記第1、第2の貫通孔の内面に設けられた前記平坦化膜はそれぞれ、Agナノ粒子を含むことを特徴とする請求項3または4に記載のミリ波帯用半導体パッケージ。
- それぞれの内面に平坦化膜が設けられた第1の貫通孔および第2の貫通孔を有する金属製の基体と、
この基体上に配置され、一部に貫通孔を有し、表面に入力用信号線路および出力用信号線路が設けられた回路基板と、
この回路基板上に配置され、それぞれの内面に平坦化膜が設けられた第1の非貫通穴および第2の非貫通穴を有する金属製の蓋体と、
前記回路基板の貫通孔内に配置されるように前記基体の表面上に載置され、前記入力用信号線路および前記出力用信号線路に電気的に接続された半導体チップと、
を具備し、
前記蓋体は、前記第1の非貫通穴が前記基体の前記第1の貫通孔の直上に配置されるとともに、前記第2の非貫通穴が前記基体の前記第2の貫通孔の直上に配置されるように前記回路基板上に配置され、
前記第1の非貫通穴および前記第1の貫通孔は第1の導波管を構成するとともに、前記第2の非貫通穴および前記第2の貫通孔は第2の導波管を構成することを特徴とするミリ波帯用半導体装置。 - 前記基体および前記蓋体はそれぞれ、砂鋳型または石膏鋳型を用いた鋳造法により製造されたものであることを特徴とする請求項7に記載のミリ波帯用半導体装置。
- 前記第1、第2の貫通孔の内面に設けられた前記平坦化膜、および前記第1、第2の非貫通穴の内面に設けられた前記平坦化膜はそれぞれ、Agナノ粒子を含むことを特徴とする請求項7または8に記載のミリ波帯用半導体装置。
- それぞれの内面に平坦化膜が設けられた第1の非貫通穴および第2の非貫通穴を有する金属製の基体と、
この基体上に配置され、一部に貫通孔を有し、表面に入力用信号線路および出力用信号線路が設けられた回路基板と、
この回路基板上に配置され、それぞれの内面に平坦化膜が設けられた第1の貫通孔および第2の非貫通孔を有する金属製の蓋体と、
前記回路基板の貫通孔内に配置されるように前記基体の表面上に載置され、前記入力用信号線路および前記出力用信号線路に電気的に接続された半導体チップと、
を具備し、
前記蓋体は、前記第1の貫通孔が前記基体の前記第1の非貫通穴の直上に配置されるとともに、前記第2の貫通孔が前記基体の前記第2の非貫通穴の直上に配置されるように前記回路基板上に配置され、
前記第1の貫通孔および前記第1の非貫通穴は第1の導波管を構成するとともに、前記第2の貫通孔および前記第2の非貫通穴は第2の導波管を構成することを特徴とするミリ波帯用半導体装置。 - 前記基体および前記蓋体はそれぞれ、砂鋳型または石膏鋳型を用いた鋳造法により製造されたものであることを特徴とする請求項10に記載のミリ波帯用半導体装置。
- 前記第1、第2の非貫通穴の内面に設けられた前記平坦化膜、および前記第1、第2の貫通孔の内面に設けられた前記平坦化膜はそれぞれ、Agナノ粒子を含むことを特徴とする請求項10または11に記載のミリ波帯用半導体装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014022064A JP5921586B2 (ja) | 2014-02-07 | 2014-02-07 | ミリ波帯用半導体パッケージおよびミリ波帯用半導体装置 |
EP14177700.3A EP2911234B1 (en) | 2014-02-07 | 2014-07-18 | Millimeter wave bands semiconductor device |
US14/334,791 US20150228592A1 (en) | 2014-02-07 | 2014-07-18 | Millimeter wave bands semiconductor package and millimeter wave bands semiconductor device |
TW103129899A TWI549351B (zh) | 2014-02-07 | 2014-08-29 | Semiconductor package for semiconductor and millimeter wavelength bands |
KR1020140116102A KR101630058B1 (ko) | 2014-02-07 | 2014-09-02 | 밀리파대용 반도체 패키지 및 밀리파대용 반도체 장치 |
CN201410452961.6A CN104835805B (zh) | 2014-02-07 | 2014-09-05 | 毫米波段用半导体封装件以及毫米波段用半导体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014022064A JP5921586B2 (ja) | 2014-02-07 | 2014-02-07 | ミリ波帯用半導体パッケージおよびミリ波帯用半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015149420A true JP2015149420A (ja) | 2015-08-20 |
JP5921586B2 JP5921586B2 (ja) | 2016-05-24 |
Family
ID=51211112
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014022064A Expired - Fee Related JP5921586B2 (ja) | 2014-02-07 | 2014-02-07 | ミリ波帯用半導体パッケージおよびミリ波帯用半導体装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150228592A1 (ja) |
EP (1) | EP2911234B1 (ja) |
JP (1) | JP5921586B2 (ja) |
KR (1) | KR101630058B1 (ja) |
CN (1) | CN104835805B (ja) |
TW (1) | TWI549351B (ja) |
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- 2014-02-07 JP JP2014022064A patent/JP5921586B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-07-18 EP EP14177700.3A patent/EP2911234B1/en not_active Not-in-force
- 2014-07-18 US US14/334,791 patent/US20150228592A1/en not_active Abandoned
- 2014-08-29 TW TW103129899A patent/TWI549351B/zh not_active IP Right Cessation
- 2014-09-02 KR KR1020140116102A patent/KR101630058B1/ko active IP Right Grant
- 2014-09-05 CN CN201410452961.6A patent/CN104835805B/zh not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
TWI549351B (zh) | 2016-09-11 |
TW201532339A (zh) | 2015-08-16 |
US20150228592A1 (en) | 2015-08-13 |
KR101630058B1 (ko) | 2016-06-13 |
JP5921586B2 (ja) | 2016-05-24 |
CN104835805B (zh) | 2017-09-22 |
CN104835805A (zh) | 2015-08-12 |
EP2911234A1 (en) | 2015-08-26 |
EP2911234B1 (en) | 2016-11-30 |
KR20150093571A (ko) | 2015-08-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150901 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160108 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |