JP2015145476A - 半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一又は複数の実施形態において、ジエチレングリコールモノブチルエーテル(成分A−1)、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル(成分A−2)、下記式(I)で表される化合物(成分B)、ポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤(成分C)、及び、水(成分D)を含有し、成分A−1の含有量が40.0質量%以上54.6質量%以下、成分A−2の含有量が40.0質量%以上54.6質量%以下であり、成分Bの含有量が0.3質量%以上5.0質量%以下であり、及び、成分Cの含有量が0.1質量%以上5.0質量%以下である半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物に関する。
【選択図】なし
Description
成分A−1の含有量が、40.0質量%以上54.6質量%以下であり、成分A−2の含有量が、40.0質量%以上54.6質量%以下であり、
成分Bの含有量が、0.3質量%以上5.0質量%以下であり、及び、
成分Cの含有量が、0.1質量%以上5.0質量%以下である、
半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物に関する。
本開示に係る洗浄剤組成物における成分A−1は、ジエチレングリコールモノブチルエーテル(以下、「BDG」とも表す。)であり、成分A−2はジエチレングリコールモノヘキシルエーテル(以下、「HeDG」とも表す。)である。
本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、下記式(II)で表される(ポリ)エチレングリコールモノアルキルエーテル(成分A)のうち、成分A−1及び成分A−2以外の成分Aをさらに含有してもよい。なお、本開示において単に「成分A」という場合、特に言及のない場合、成分A−1及び成分A−2を含むものとする。
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Bは、下記式(I)で表される1又は複数種類のアルカノールアミンである。
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Cは、1又は複数種類のポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤である。ポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤としては、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上及びすすぎ性向上の観点から、下記式(III)で表されるものが挙げられる。
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Dは、水である。水は、蒸留水、イオン交換水、又は超純水等が使用され得る。本開示に係る洗浄剤組成物における成分Dの含有量は、一又は複数の実施形態において、引火性を低減する観点から、好ましくは5.0質量%以上、より好ましくは5.5質量%以上、さらに好ましくは6.5質量%以上である。また、成分Dの含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力を向上させる観点から、好ましくは10.0質量%以下、より好ましくは9.0質量%以下、さらに好ましくは8.0質量%以下である。成分Dの含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力を向上させる点及び引火性を低減する観点から、好ましくは5.0質量%以上10.0質量%以下、より好ましくは5.5質量%以上9.0質量%以下、さらに好ましくは6.5質量%以上8.0質量%以下である。
本開示に係る洗浄剤組成物において成分A、B、C及びDの総含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力を向上させる点から、98.0質量%以上100質量%以下であることが好ましく、より好ましくは99.0質量%以上100質量%以下、さらに好ましくは99.5質量%以上100質量%以下、さらにより好ましくは99.7質量%以上100質量%以下である。したがって、本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、成分A、B、C及びD以外のその他の成分の含有量は、好ましくは0質量%以上2.0質量%以下、より好ましくは0質量%以上1.0質量%以下、さらに好ましくは0質量%以上0.3質量%以下、さらにより好ましくは0質量%以上0.1質量%以下である。
本開示における洗浄剤組成物の調製方法は、何ら制限されず、成分A、成分B、成分C及び成分Dを混合することによって調製できる。
本開示に係る洗浄剤組成物のpHは、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力を向上させる点から、pH8以上pH14以下が好ましい。pHは、必要により、硝酸、硫酸等の無機酸、オキシカルボン酸、多価カルボン酸、アミノポリカルボン酸、アミノ酸等の有機酸、及びそれらの金属塩やアンモニウム塩、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アミン等の成分B以外の塩基性物質を適宜、所望量で配合することで調整することができる。
本開示は、その他の態様において、リフローされた半田を有する被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物に接触させることを含む、半田フラックス残渣の洗浄方法に関する(以下、本開示に係る洗浄方法ともいう)。本開示に係る洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、リフローされた半田を有する被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する。被洗浄物に本開示に係る洗浄剤組成物を接触させる方法、又は、被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物で洗浄する方法としては、一又は複数の実施形態において、超音波洗浄装置の浴槽内で接触させる方法や、洗浄剤組成物をスプレー状に射出して接触させる方法(シャワー方式)などが挙げられる。本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、希釈することなくそのまま洗浄に使用できる。本開示の洗浄方法は、洗浄剤組成物に被洗浄物を接触させた後、水でリンスし、乾燥する工程を含むことが好ましい。本開示の洗浄方法であれば、半田付けした部品の隙間に残存するフラックス残渣を効率よく洗浄できる。本開示の洗浄方法による洗浄性及び狭い隙間への浸透性の顕著な効果発現の点から、半田は鉛(Pb)フリー半田であることが好ましい。本開示の洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、本開示に係る洗浄剤組成物の洗浄力が発揮されやすい点から、本開示に係る洗浄剤組成物と被洗浄物との接触時に超音波を照射することが好ましく、その超音波は比較的強いものであることがより好ましい。前記超音波としては、一又は複数の実施形態において、26〜72Hz、80〜1500Wが好ましく、36〜72Hz、80〜1500Wがより好ましい。
本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、電子部品の洗浄に使用される。被洗浄物としては、一又は複数の実施形態において、リフローされた半田を有する被洗浄物が挙げられ、その他の一又は複数の実施形態において、部品が半田付けされた電子部品の製造中間物が挙げられ、或いは、半田付けされた部品の隙間にフラックス残渣を含む製造中間物が挙げられる。前記製造中間物は、半導体パッケージや半導体装置を含む電子部品の製造工程における中間製造物であって、例えば、回路基板上にフラックスを使用した半田付けにより半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板などが搭載された物を含む。被洗浄物における隙間とは、例えば、回路基板とその回路基板に半田付けされて搭載された部品(半導体チップ、チップ型コンデンサ、回路基板など)との間に形成される空間であって、その高さ(部品間の距離)が、例えば、5〜500μm、10〜250μm、或いは20〜100μmの空間をいう。隙間の幅及び奥行きは、搭載される部品や回路基板上の電極(ランド)の大きさや間隔に依存する。
本開示の電子部品の製造方法は、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板からなる群から選択される少なくとも1つの部品を、フラックスを使用した半田付により回路基板上に搭載する工程、及び、本開示の洗浄方法により前記搭載物を洗浄する工程を含む。フラックスを使用した半田付けは、一又は複数の実施形態において、鉛(Pb)フリー半田で行われるものであり、リフロー方式でもよく、フロー方式でもよい。電子部品は、半導体チップが未搭載の半導体パッケージ、半導体チップが搭載された半導体パッケージ、及び、半導体装置を含む。本開示の電子部品の製造方法は、本開示の洗浄方法を行うことにより、半田付けされた部品の隙間に残存するフラックス残渣が低減され、フラックス残渣が残留することに起因する電極間でのショートや接着不良が抑制されるから、信頼性の高い電子部品の製造が可能になる。また、本開示の洗浄方法を行うことにより、半田付けされた部品の隙間に残存するフラックス残渣の洗浄が容易になることから、洗浄時間が短縮化でき、電子部品の製造効率を向上できる。
<3> 前記洗浄剤組成物における成分A−1の含有量が、好ましくは54.6質量%以下、より好ましくは47.3質量%以下、さらに好ましくは46.5質量%以下、さらにより好ましくは45.5質量%以下、さらにより好ましくは45.0質量%以下である、<1>又は<2>に記載の洗浄剤組成物。
<4> 前記洗浄剤組成物における成分A−1の含有量が、好ましくは40.0質量%以上47.3質量%以下、より好ましくは41.0質量%以上46.5質量%以下、さらに好ましくは42.0質量%以上45.5質量%以下、さらにより好ましくは43.0質量%以上45.0質量%以下である、<1>から<3>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<5> 前記洗浄剤組成物における成分A−2の含有量が、好ましくは40.0質量%以上、より好ましくは41.0質量%以上、さらに好ましくは42.0質量%以上、さらにより好ましくは43.0質量%以上である、<1>から<4>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<6> 前記洗浄剤組成物における成分A−2の含有量が、好ましくは54.6質量%以下、より好ましくは47.3質量%以下、さらに好ましくは46.5質量%以下、さらにより好ましくは45.5質量%以下、さらにより好ましくは45.0質量%以下である、<1>から<5>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<7> 前記洗浄剤組成物における成分A−2の含有量が、好ましくは40.0質量%以上47.3質量%以下、より好ましくは41.0質量%以上46.5質量%以下、さらに好ましくは42.0質量%以上45.5質量%以下、さらにより好ましくは43.0質量%以上45.0質量%以下である、<1>から<6>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<8> 前記洗浄剤組成物における成分A−1と成分A−2との含有量比(A−1/A−2、質量比)が、好ましくは0.7以上、より好ましくは0.9以上である、<1>から<7>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<9> 前記洗浄剤組成物における成分A−1と成分A−2との含有量比(A−1/A−2、質量比)が、好ましくは1.4以下、より好ましくは1.2以下、さらに好ましくは1.1以下である、<1>から<8>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<10> 前記洗浄剤組成物における成分A−1と成分A−2との含有量比が、好ましくは0.7以上1.4以下、より好ましくは0.9以上1.2以下、さらに好ましくは0.9以上1.1以下である、<1>から<8>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<11> 前記洗浄剤組成物における成分A−1及び成分A−2の含有量が、好ましくは80.0質量%以上、より好ましくは82.0質量%以上、さらに好ましくは84.0質量%以上、よりさらに好ましくは86.0質量%以上、よりさらに好ましくは87.0質量%以上である、<1>から<10>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<12> 前記洗浄剤組成物における成分A−1及び成分A−2の含有量が、好ましくは94.6質量%以下、より好ましくは93.0質量%以下、さらに好ましくは91.0質量%以下、よりさらに好ましくは90.0質量%以下、よりさらに好ましくは89.0質量%以下である、<1>から<11>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<13> 前記洗浄剤組成物における成分A−1及び成分A−2の含有量が、好ましくは82.0質量%以上93.0質量%以下、より好ましくは84.0質量%以上91.0質量%以下、さらに好ましくは86.0質量%以上90.0質量%以下、よりさらに好ましくは87.0質量%以上89.0質量%以下である、<1>から<12>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<14> 前記洗浄剤組成物が、成分A−1及び成分A−2を含む下記式(II)で表される(ポリ)エチレングリコールモノアルキルエーテル(成分A)を含有する、<1>から<13>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<15> 前記洗浄剤組成物における成分Aの含有量が、好ましくは80.0質量%以上、より好ましくは82.0質量%以上、さらに好ましくは84.0質量%以上、さらにより好ましくは86.0質量%以上である、<14>に記載の洗浄剤組成物。
<16> 前記洗浄剤組成物における成分Aの含有量が、好ましくは94.6質量%以下、より好ましくは93.0質量%以下、さらに好ましくは91.0質量%以下、さらにより好ましくは90.0質量%以下である、<14>又は<15>に記載の洗浄剤組成物。
<17> 前記洗浄剤組成物における成分Aの含有量が、好ましくは82.0質量%以上93.0質量%以下、より好ましくは84.0質量%以上91.0質量%以下、さらに好ましくは86.0質量%以上90.0質量%以下である、<14>から<16>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<18> 前記成分Aに対する成分A−1及び成分A−2の合計の含有量が、好ましくは90.0質量%以上、より好ましくは93.0質量%以上、さらに好ましくは94.0質量%以上、さらにより好ましくは96.0質量%以上、さらにより好ましくは98.0質量%以上である、<14>から<17>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<19> 前記成分Aに対する成分A−1及び成分A−2以外の成分Aの合計の含有量が、好ましくは10質量%以下、より好ましくは7.0質量%以下、さらに好ましくは6.0質量%以下、よりさらに好ましくは4.0質量%以下、よりさらに好ましくは2.0質量%以下である、<14>から<18>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<20> 前記洗浄剤組成物における成分A−1及び成分A−2以外の成分Aの合計の含有量が、好ましくは14.6質量%以下、より好ましくは13.0質量%以下、さらに好ましくは11.0質量%以下、さらにより好ましくは10.0質量%以下である、<14>から<19>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<21> 前記洗浄剤組成物における成分A−1及び成分A−2以外の成分Aの合計の含有量が、好ましくは0質量%を超え、より好ましくは1.0質量%以上、さらに好ましくは2.0質量%以上、さらにより好ましくは3.0質量%以上である、<14>から<20>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<22> 成分Bの含有量が、好ましくは0.3質量%以上、より好ましくは0.5質量%以上、さらに好ましくは1.0質量%以上、さらにより好ましくは1.5質量%以上である、<1>から<21>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<23> 成分Bの含有量が、好ましくは5.0質量%以下、より好ましくは4.5質量%以下、さらに好ましくは4.0質量%以下、さらにより好ましくは3.5質量%以下である、<1>から<22>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<24> 成分Bの含有量が、好ましくは0.5質量%以上4.5質量%以下、より好ましくは1.0質量%以上4.0質量%以下、さらに好ましくは1.5質量%以上3.5質量%以下である、<1>から<23>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<25> 成分Cが、好ましくは下記式(III)で表される、<1>から<24>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<26> 式(III)において、n+mが、好ましくは2以上10以下、より好ましくは3以上6以下である、<25>記載の洗浄剤組成物。
<27> 成分Cの含有量が、好ましくは0.2質量%以上、より好ましくは0.3質量%以上であり、さらに好ましくは0.5質量%以上である、<1>から<26>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<28> 成分Cの含有量が、好ましくは4.5質量%以下、より好ましくは4.0質量%以下、さらに好ましくは3.0質量%以下である、<1>から<27>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<29> 成分Dの含有量が、好ましくは5.0質量%以上、より好ましくは5.5質量%以上、さらに好ましくは6.5質量%以上である、<1>から<28>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<30> 成分Dの含有量が、好ましくは10.0質量%以下、より好ましくは9.0質量%以下、さらに好ましくは8.0質量%以下である、<1>から<29>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<31> 成分Dの含有量が、好ましくは5.0質量%以上10.0質量%以下、より好ましくは5.5質量%以上9.0質量%以下、さらに好ましくは6.5質量%以上8.0質量%以下である、<1>から<30>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<32> 成分Aと成分Dの質量比〔成分A/成分D〕が、好ましくは10.0以上、より好ましくは11.0以上、さらに好ましくは12.0以上である、<1>から<31>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<33> 成分Aと成分Dの質量比〔成分A/成分D〕が、好ましくは19.0以下、より好ましくは17.0以下、さらに好ましくは14.0以下である、<1>から<32>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<34> 成分A、B及びCの質量比(成分A/成分B/成分C、ただし、成分A、成分B及び成分Cの合計は100.0)が、好ましくは89.0〜99.6/0.3〜5.5/0.1〜5.5、より好ましくは90.0〜99.3/0.5〜5.0/0.2〜5.0、さらに好ましくは91.0〜98.7/1.0〜4.5/0.3〜4.5、さらにより好ましくは93.0〜97.9/1.6〜3.8/0.5〜3.2であり、成分Aと成分Bと成分Cの合計が100.0である、<1>から<33>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<35> さらに、炭化水素及び/又は炭素数8〜18の炭化水素基を有するポリアルキレングリコールエーテル型非イオン界面活性剤を含む、<1>から<34>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<36> 前記非イオン界面活性剤が、下記式(IV)で表される<35>に記載の洗浄剤組成物。
<37> 半田が、鉛(Pb)フリー半田である、<1>から<36>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<38> リフローされた半田を有する被洗浄物を<1>から<37>のいずれかに記載の洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する、半田フラックス残渣の洗浄方法。
<39> 被洗浄物が、部品が半田で半田付けされた電子部品の製造中間物である、<38>記載の洗浄方法。
<40> 半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板からなる群から選択される少なくとも1つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、及び、前記搭載物を<38>又は<39>記載のフラックス残渣の洗浄方法により洗浄する工程を含む、電子部品の製造方法。
<41> <1>から<37>のいずれかに記載の洗浄剤組成物の電子部品の洗浄への使用。
下記表1に示す成分A〜D、及び必要に応じてその他の成分(表1)を混合し、実施例1〜11、比較例1〜13の洗浄剤組成物を調製した。下記表1の成分A〜D及びその他の成分の数値は、調製した洗浄剤組成物における含有量(質量%)を示す。
成分*1:下記式(III)で表されるポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤であって、R4が炭素数12の炭化水素基であり、n+mが4のものを使用した。
成分*2:下記式(III)で表されるポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤であって、R4が炭素数12の炭化水素基であり、n+mが10のものを使用した。
成分*4:下記式(IV)で表されるポリオキシエチレンオキシプロピレンアルキルエーテル型非イオン界面活性剤であって、R5が炭素数12又は14の炭化水素基であり、p=5、q=2、r=5のものを使用した。
調製した実施例1〜11、比較例1〜13の洗浄剤組成物を用いてテスト基板の洗浄性(洗浄性1及び2)、ガラス毛細管試験、すすぎ性、プレリンスの油水分離性、並びに安全性(引火点)について試験を行い、評価した。その結果を表1に示す。
以下の条件でテスト基板を洗浄する洗浄性試験を行った。
〔テスト基板〕
チップコンデンサ(0816)を10個搭載したテスト基板(50mm×50mm、チップコンデンサと基板の隙間は約50μm)を用いた。ソルダーペーストには鉛フリーのエコソルダーM705−BPS(千住金属工業(株)製)、リフロー炉にはエコリフローSNR825(千住金属工業(株)製)を用い、リフローピーク温度240℃、半田溶融時間45秒、窒素雰囲気下(酸素濃度100ppm)で半田接続した。
〔洗浄方法〕
60℃水浴内で加温した(i)各洗浄剤組成物を満たした1Lビーカー、(ii)プレリンス用のイオン交換水を満たした1Lビーカー、(iii)仕上げリンス用のイオン交換水を満たした1Lビーカーを用意する。(i)にテスト基板を浸漬し超音波(40kHz、600W)を5分間照射して洗浄、次いで(ii)にテスト基板を浸漬し、超音波(40kHz、600W)を5分間照射してプレリンス、次いで(iii)にテスト基板を浸漬し、超音波(40kHz、600W)を5分間照射して仕上げリンスを行い、送風乾燥機(85℃、15分)で乾燥した。
なお、使用する各洗浄剤組成物及びリンス用イオン交換水は60℃に加温した。
〔洗浄性の評価〕
乾燥後のテスト基板からチップコンデンサを剥離し、光学顕微鏡にてフラックス残渣の残存有無を確認した。評価基準は以下の通り。その結果を表1の「洗浄性1」の欄に示す。
A:10個中残渣あるものゼロ
B:10個中残渣あるもの1個
C:10個中残渣あるもの2個以上
上記洗浄性試験(洗浄性1)と同様の方法で、洗浄時間、プレリンス時間及び仕上げリンス時間をそれぞれ1分間に短くして評価した。その結果を表1の「洗浄性2」の欄に示す。
窒素雰囲気下にて銅板上でエコソルダーM705−BPS(千住金属工業(株)製)を250℃、30分間加熱して、液状のフラックス残渣を分離採取する。DRUMMOND製ガラスキャップ(ガラス毛細管)(長さ32mm、内径140μm)に上記方法にて作成したフラックス残渣を充填し一方の開口部を封止して試験片を作成した。100mLビーカーに各洗浄剤組成物及びすすぎ用イオン交換水を各100g加え60℃に加温する。試験片を各洗浄剤組成物に浸漬し超音波(40kHz、200W)を5分間照射後、すすぎ用イオン交換水に移し超音波(40kHz、200W)を5分間照射後取り出した。取り出した試験片を光学顕微鏡にて観察し、開口部から溶解したフラックス残渣の距離を測定し、5点の平均値を算出した。フラックス残渣が溶解した距離が長いほど溶解速度が速く洗浄性が良いと評価できる。その結果を表1に示す。
窒素雰囲気下にて銅板上でエコソルダーM705−BPS(千住金属工業(株)製)を250℃、30分間加熱して、液状のフラックス残渣を分離採取する。このフラックス残渣を各洗浄剤組成物と混合し1質量%の混合液を作成した。角カバーグラス(18mm×18mm、松浪硝子工業(株)製)に上記方法にて作成した混合液を約0.1g滴下し、その上にもう一枚の角カバーグラスを重ね、クリップ(口幅19mm、コクヨ(株)製)で一辺を挟み固定し試験片を作成した。100mLビーカーにすすぎ用イオン交換水を100g加え60℃に加温する。試験片をピンセットで保持してすすぎ用イオン交換水に上下に10回揺動しながら1分間浸漬し、取り出す。取り出した試験片を真空乾燥機(120℃、15分)で乾燥した。試験片を観察し、角カバーグラス間に残存物がなくなるまでのすすぎ回数を数えた。すすぎ回数が少ないほどすすぎ性が良いと評価できる。その結果を表1に示す。なお、5回ですすげないものは「>5」とした。
洗浄剤組成物で洗浄した後の水によるリンス工程で生じる、洗浄剤組成物を含むリンス廃液を想定し各洗浄剤組成物をイオン交換水で10倍希釈した。分離処理する温度での油水分離性を確認するために、この希釈液の60℃で1時間静置後の相分離の状態を観察した。各洗浄剤組成物の相分離の状態により、以下のように評価した。2相分離が良好であれば、プレリンスに用いた廃液を油相と水相を分離することで、水相を再び洗浄剤の希釈用に使用して、洗浄剤の希釈に使用する新たな水の量とプレリンス液の廃液の量とを低減できる。
A:2相に分離し、下相が透明
B:2相に分離し、下相が白濁
C:2相に分離しない
各洗浄剤組成物の引火点により、以下のように評価した。なお、水の沸点の100℃において引火すると火災となる危険性が高くなる。水の沸点より10℃高い110℃を基準に引火点により安全性を評価した。その結果を表1に示す。
A:引火点が110℃以上
B:引火点が110℃未満
Claims (8)
- ジエチレングリコールモノブチルエーテル(成分A−1)、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル(成分A−2)、下記式(I)で表される化合物(成分B)、ポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤(成分C)、及び、水(成分D)を含有し、
成分A−1の含有量が、40.0質量%以上54.6質量%以下、成分A−2の含有量が、40.0質量%以上54.6質量%以下であり、
成分Bの含有量が、0.3質量%以上5.0質量%以下であり、及び、
成分Cの含有量が、0.1質量%以上5.0質量%以下である、
半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物。
- 成分Dの含有量が、5.0質量%以上10.0質量%以下である、請求項1記載の洗浄剤組成物。
- 成分A−1と成分A−2の合計の含有量が、80.0質量%以上94.6質量%以下である、請求項1又は2に記載の洗浄剤組成物。
- さらに、炭化水素及び/又は炭素数8〜18の炭化水素基を有するポリアルキレングリコールエーテル型非イオン界面活性剤を含む請求項1から3のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
- リフローされた半田を有する被洗浄物を請求項1から4のいずれかに記載の洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する、半田フラックス残渣の洗浄方法。
- 被洗浄物が、部品が半田で半田付けされた電子部品の製造中間物である、請求項5記載の洗浄方法。
- 半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板からなる群から選択される少なくとも1つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、及び、前記搭載物を請求項5又は6記載のフラックス残渣の洗浄方法により洗浄する工程を含む、電子部品の製造方法。
- 請求項1から4のいずれかに記載の洗浄剤組成物の電子部品の洗浄への使用。
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