JP2015137894A - 電流検出構造 - Google Patents

Abstract

【課題】組み付けの容易性を向上した電流検出構造を提供する。
【解決手段】並列配置された複数のバスバ２と、複数のバスバ２ごとに設けられ、対応するバスバ２に流れる電流により発生する磁界の強度を測定する複数の磁気検出素子３と、を備えた電流検出構造であって、複数の磁気検出素子３が、１枚の回路基板８に搭載されているものである。
【選択図】図１

Description

本発明は、電流検出構造に関するものである。

従来より、バスバに流れる電流を検出する際に、検出対象となる電流により発生する磁界の強度を磁気検出素子で検出することが行われている。磁気検出素子により磁界の強度を検出することで、その磁界の強度を基に、バスバに流れる電流を演算により求めることが可能になる。

磁気検出素子としては、ＭＲ（Magneto Resistance）センサや、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive effect）センサが知られている。

例えば３相モータの各相に流れる電流を検出する場合など、複数のバスバのそれぞれに流れる電流を検出する場合には、検出対象のバスバごとに磁気検出素子を設ける必要がある。

なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、特許文献１，２がある。

特許第５１５３４８１号公報 特開２０１３−１７０８７８号公報

ところで、検出精度の高い電流検出構造を実現するためには、バスバと磁気検出素子の位置合わせを精度良く行う必要がある。

従来の電流検出構造では、複数の磁気検出素子をそれぞれ別の基板に搭載することが一般的であるため、バスバごとに磁気検出素子の位置合わせを行わなければならず、組み付けに手間がかかり、製造コストも大きくなってしまう、という問題があった。

そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、組み付けの容易性を向上した電流検出構造を提供することにある。

本発明は上記目的を達成するために創案されたものであり、並列配置された複数のバスバと、前記複数のバスバごとに設けられ、対応する前記バスバに流れる電流により発生する磁界の強度を測定する複数の磁気検出素子と、を備えた電流検出構造であって、前記複数の磁気検出素子が、１枚の回路基板に搭載されている電流検出構造である。

前記複数の磁気検出素子は、前記回路基板の同じ面に搭載されてもよい。

前記複数の磁気検出素子は、前記回路基板に一直線状に整列して配置されてもよい。

前記複数のバスバは、前記回路基板に当接して配置されてもよい。

前記回路基板には、前記複数のバスバを配置する位置を示す位置合わせ用目印が形成されていてもよい。

前記回路基板には、前記バスバの側壁または前記バスバに形成された穴の内壁に当接して、前記回路基板に対する前記バスバの位置合わせを行うための位置合わせ用突起が形成されていてもよい。

前記位置合わせ用突起の先端部には、前記バスバを係止する爪が形成されていてもよい。

前記バスバには、該バスバを貫通する貫通孔が形成され、前記磁気検出素子は、前記貫通孔に配置されてもよい。

前記磁気検出素子と前記磁気検出素子の周囲の前記バスバと前記回路基板とを覆うように、樹脂製のハウジングまたは樹脂モールドが形成されてもよい。

前記回路基板に、前記磁気検出素子を収容する溝を形成してもよい。

本発明によれば、組み付けの容易性を向上した電流検出構造を提供できる。

本発明の一実施形態に係る電流検出構造を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）はその１Ｂ−１Ｂ線断面図である。 図１の電流検出構造におけるバスバと磁気検出素子の位置関係を説明する平面図である。 図２における３Ａ−３Ａ線断面図および当該断面における磁束密度の分布を示す図である。 （ａ）〜（ｅ）は、本発明の一変形例に係る電流検出構造を示す平面図である。 （ａ），（ｂ）は、本発明の一変形例に係る電流検出構造を示す断面図である。 （ａ），（ｂ）は、本発明の一変形例に係る電流検出構造の断面図である。

以下、本発明の実施形態を添付図面にしたがって説明する。

図１は、本実施形態に係る電流検出構造を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）はその１Ｂ−１Ｂ線断面図である。

図１（ａ），（ｂ）に示すように、電流検出構造１は、並列配置された複数のバスバ２と、複数のバスバ２ごとに設けられ、対応するバスバ２に流れる電流により発生する磁界の強度を測定する複数の磁気検出素子３と、を備えている。以下、磁気検出素子３を設ける部分を検出部１０と呼称する。

ここでは、３相交流電流を流す３つのバスバ２を備え、３つの磁気検出素子３を用いて各バスバ２の電流を検出する場合を説明する。バスバ２は、例えば、自動車のインバータとモータ間の電流路である。

バスバ２は、板状の導体であり、電流を流す電流路となるものである。バスバ２を流れる電流は、例えば、定常時で最大２００Ａ程度、異常時等の突入電流で最大８００Ａ程度であり、周波数は、例えば最大１００ｋＨｚ程度である。３つのバスバ２は、同一平面上に配置され、その長手方向が平行となるように、幅方向に等間隔に整列配置されている。

磁気検出素子３は、検出軸Ｄに沿った方向の磁界の強度（磁束密度）に応じた電圧の出力信号を出力するように構成されている。本実施形態では、磁気検出素子３として、高い感度を有するＧＭＲセンサを用いる。

また、電流検出構造１は、電流検出部７を備えている。電流検出部７は、磁気検出素子３が検出した磁界の強度に基づき、バスバ２に流れる電流を検出するものである。電流検出部７は、例えば、自動車のＥＣＵ（電子制御ユニット）に設けられる。

さて、本実施形態に係る電流検出構造１では、複数（ここでは３つ）の磁気検出素子３が、１枚の回路基板８に搭載されている。図１では、便宜上、磁気検出素子３と電流検出部７とが直接接続されているように記載しているが、実際には、両者は回路基板８に形成された配線パターンを介して接続される。

１枚の回路基板８に全ての磁気検出素子３を搭載することで、各磁気検出素子３を別の回路基板に搭載した場合と比較して組み付けが容易になる。また、例えば、予め各バスバ２の相対的な位置を固定した状態とすれば、１枚の回路基板８の位置合わせを行うのみで全ての磁気検出素子３のバスバ２に対する位置合わせが可能であり、位置合わせの作業も容易に行うことが可能になる。

複数の磁気検出素子３は、回路基板８の同じ面に搭載されることが望ましい。これは、回路基板８の両面それぞれに磁気検出素子３を搭載する場合、一方の面に磁気検出素子３を搭載した後、他方の面に磁気検出素子３を搭載する必要があり、磁気検出素子３の搭載作業に手間と時間がかかってしまうためである。

複数の磁気検出素子３は、回路基板８に一直線状に等間隔に整列して配置される。ここでは、回路基板８を細長い形状とし、回路基板８の長手方向とバスバ２の長手方向とが直交するように回路基板８を配置すると共に、回路基板８に、その長手方向に沿って一直線状かつ等間隔に磁気検出素子３を配置している。磁気検出素子３は、その検出軸Ｄが回路基板８の表面に対して垂直方向となるように配置される。なお、回路基板８の形状はこれに限定されるものではなく、磁気検出素子３の間隔は等間隔でなくともよい。

電流検出構造１では、複数のバスバ２は、回路基板８に当接して配置される。本実施形態では、バスバ２に、バスバ２を貫通する貫通孔４を形成し、貫通孔４に磁気検出素子３を配置している。つまり、電流検出構造１では、回路基板８の磁気検出素子３を搭載した側の面にバスバ２を配置している。これにより、回路基板８の一方の面側にバスバ２と磁気検出素子３をまとめて配置することが可能になるため、検出部１０の小型化（薄型化）が可能になる。

貫通孔４内に磁気検出素子３を配置するため、貫通孔４は磁気検出素子３よりも大きく形成する必要がある。磁気検出素子３よりも大きい貫通孔４を形成することで、磁気検出素子３を視認しながらバスバ２の位置合わせを行うことが可能になる。

磁気検出素子３は、その検出軸Ｄがバスバ２の厚さ方向に沿うように配置される。すなわち、磁気検出素子３は、その検出軸Ｄがバスバ２の表面に対して直交するように配置される。ここで、磁気検出素子３がＧＭＲセンサである場合、検出軸が２軸以上となるので、この場合、ある特定の１軸がバスバ２の表面に対して垂直となる。なお、磁気検出素子３の検出軸Ｄは、バスバ２の表面に対する直交方向に対して−１０°〜１０°程度傾いてもよい。

貫通孔４は、バスバ２の中央部を貫通するように形成され、貫通孔４の周囲はバスバ２で囲まれている。つまり、貫通孔４は、その一部がバスバ２の側方に開口する切欠き状に形成されるものではない。このように貫通孔４を形成することで、貫通孔４の両側に電流路５，６が形成されることになる。

図１〜３に示すように、貫通孔４の両側に電流路５，６が形成されることにより、貫通孔４内では、両電流路５，６で発生した磁界の厚さ方向の成分が互いに相殺し合うようになる。貫通孔４内に配置された磁気検出素子３は、貫通孔４の両側の電流路５，６を流れる電流によりそれぞれ発生する磁界を合成した合成磁界の強度、すなわち両電流路５，６で発生し互いに相殺し合った磁界の強度を検出することになるため、磁気検出素子３を配置する位置を調整することで、相殺の程度を調整し、検出する磁界の強度を最適な大きさとすることが可能になる。

電流検出部７は、磁気検出素子３が検出した貫通孔４の両側の電流路５，６を流れる電流によりそれぞれ発生する磁界を合成した合成磁界の強度に基づき、バスバ２に流れる電流を検出することになる。

つまり、電流検出構造１では、バスバ２に流れる電流が大きく、電流路５，６それぞれで発生する磁界の強度が大きい場合であっても、それらを相殺して適切な強度の磁界を磁気検出素子３で検出させることが可能であり、磁気検出素子３として感度の高いＧＭＲセンサ等を用い、測定を行うことが可能になる。

磁気検出素子３としてＧＭＲセンサを用いる場合、磁気検出素子３は、電流路５，６で発生した磁界を合成した合成磁界の磁束密度が０より大きく５ｍＴ以下となる位置に配置されることが望ましい。これは、一般的なＧＭＲセンサでは、５ｍＴを超える磁束密度のもとでは出力が飽和してしまい、測定が困難となってしまうためである。なお、ここでいう磁束密度の大きさとは定常状態におけるものであり、異常時や過渡状態において一時的に５ｍＴを超えてしまうような場合は除外するものとする。

また、ＧＭＲセンサでは、精度良く磁束密度を検出可能な領域（磁束密度と出力電圧が線形となる領域）が通常２ｍＴ以下であるため、より好ましくは、電流路５，６で発生した磁界を合成した合成磁界の磁束密度（定常状態における磁束密度）が０より大きく２ｍＴ以下となる位置に磁気検出素子３を配置することが望ましい。

なお、本明細書において、貫通孔４に磁気検出素子３を配置するということは、磁気検出素子３の少なくとも一部が貫通孔４内に収容されていること、換言すれば、横断面視（あるいは側面視）で磁気検出素子３の少なくとも一部がバスバ２に重なっていることを意味している。貫通孔４に磁気検出素子３を配置することにより、検出部１０の小型化（薄型化）が可能になる。

貫通孔４の長手方向の端部の近傍では幅方向の成分を有する電流が流れて誤差の原因となるため、この幅方向の成分を有する電流の影響を受けない程度に、貫通孔４の長手方向の端部から離れた位置に磁気検出素子３を配置することが望ましく、バスバ２の長手方向における貫通孔４の中央部に磁気検出素子３を配置することが好ましい。貫通孔４の長さＬｈは、バスバ２を流れる電流の大きさ等を考慮し、貫通孔４の長手方向の端部近傍で発生する磁界の影響を受けない位置に磁気検出素子３を配置可能な長さとすればよい。

本実施形態では、貫通孔４をバスバ２の中心軸Ｏに対して対称形状に形成し、貫通孔４の両側の電流路５，６を対称形状に形成している。このように構成することで、両電流路５，６で対称な磁界が発生することになる。

図３に示すように、電流路５により発生する磁束密度Ｂ１と、電流路６により発生する磁束密度Ｂ２の貫通孔４内での分布は、ほぼ電流路５，６からの距離に反比例したものとなり、かつ、両電流路５，６で発生する磁束密度Ｂ１，Ｂ２の向きは逆方向となる。貫通孔４の両側の電流路５，６を対称形状に形成することで、バスバ２の中心軸Ｏ上では両電流路５，６で発生した磁界が完全に相殺し合い、磁束密度（Ｂ１＋Ｂ２）は０となる。図２のグラフでは、図示左側の電流路５で発生する磁束密度Ｂ１の分布を細線破線、図示右側の電流路６で発生する磁束密度Ｂ２の分布を細線一点鎖線、両電流路５，６で発生する磁束密度を合成した磁束密度（Ｂ１＋Ｂ２）の分布を太線実線で示している。

したがって、磁気検出素子３を、バスバ２の中心軸Ｏからずれた適宜な位置に配置することで、最適な大きさの磁束密度（Ｂ１＋Ｂ２）を磁気検出素子３で検出させ、精度の高い測定を行うことが可能になる。なお、磁気検出素子３をバスバ２の中心軸Ｏからずれた位置に配置するとは、バスバ２の幅方向における磁気検出素子３の中心と中心軸Ｏの位置が幅方向にずれていることを意味し、磁気検出素子３の一部が中心軸Ｏに重なっていても構わない。

また、電流検出構造１では、バスバ２の中心軸Ｏの近傍において、両電流路５，６で発生する磁束密度を合成した磁束密度（Ｂ１＋Ｂ２）の分布が比較的フラットに近くなるため、外乱による誤差を小さくすることが可能であり、ロバスト性に優れている。貫通孔４の幅Ｗｈが大きいほど、中心軸Ｏの近傍の磁束密度（Ｂ１＋Ｂ２）の分布がフラットに近づくため、ロバスト性を向上させる観点からは、貫通孔４の幅Ｗｈはなるべく大きくすることが望ましい。

また、電流路５，６の幅Ｗは、バスバ２を流れる電流の周波数を考慮して表皮効果の影響を抑制できる厚さにすることが好ましい。バスバ２として銅または銅合金を用いる場合、周波数１００ｋＨｚでの表皮厚は０．２ｍｍ程度となるので、本実施形態においては、電流路５，６の幅Ｗは０．５ｍｍ以下、より好ましくは０．２ｍｍ以下とすることが望ましい。なお、周波数１０ｋＨｚでの表皮厚は１ｍｍ程度となるので、この場合、電流路５，６の幅Ｗは２ｍｍ以下、より好ましくは１ｍｍ以下とすることが望ましい。

ただし、電流路５，６の幅Ｗを極端に小さくすると、電流路５，６の断面積が減少して抵抗が増加し損失が大きくなり、発熱も大きくなってしまう。よって、表皮効果による影響と許容される損失や発熱等を考慮して、電流路５，６の幅Ｗと貫通孔４の幅Ｗｈを適宜設定するとよい。

電流路５，６の厚さについても、バスバ２を流れる電流の周波数を考慮して表皮効果の影響を抑制できる厚さにすることが好ましく、バスバ２として銅または銅合金を用い、バスバ２を流れる電流の周波数が１００ｋＨｚ以下である場合には、電流路５，６の厚さは０．５ｍｍ以下、より好ましくは０．２ｍｍ以下とすることが望ましい。また、バスバ２を流れる電流の周波数１０ｋＨｚ以下である場合には、電流路５，６の幅Ｗは２ｍｍ以下、より好ましくは１ｍｍ以下とすることが望ましい。

なお、本実施形態では、貫通孔４をバスバ２の中心軸Ｏに対して対称形状に形成し、貫通孔４の両側の電流路５，６を対称形状に形成したが、貫通孔４の両側の電流路５，６を非対称形状としたり、貫通孔４の形状を非対称形状としてもよい。例えば、電流路５、６の一方の幅Ｗを、電流路５，６の他方の幅Ｗよりも大きくした場合、バスバ２の中心軸Ｏ上に磁気検出素子３を配置したり、貫通孔４の幅方向の中心に磁気検出素子３を配置することも可能である。ただし、電流路５，６の幅Ｗの差が大きくなると、電流の逆流等の現象が発生し誤差の原因となるため、電流路５，６の幅Ｗが極端に異ならないように調整する必要がある。

また、電流路５，６を非対称形状としたり貫通孔４の形状を非対称形状とした場合には、両電流路５，６に流れる電流に差が生じ、両電流路５，６で発生する磁界の強度に差が生じることになるので、磁束密度の分布が図３に示したような均一な分布とはならず偏った分布となり、特定の方向からの外乱の影響を受けやすくなるおそれがある。よって、ロバスト性を高めるという観点からは、貫通孔４をバスバ２の中心軸Ｏに対して対称形状に形成し、貫通孔４の両側の電流路５，６を対称形状に形成することがより望ましい。

また、本実施形態では、貫通孔４を平面視で矩形状に形成しているが、貫通孔４の形状はこれに限定されるものではなく、例えば、貫通孔４を楕円形状としたり、貫通孔４を多角形状としてもよい。ただし、貫通孔４を楕円形状や多角形状とした場合、電流路５，６にて幅方向の成分を有する電流が発生し誤差の原因となるので、より好ましくは、貫通孔４の両側の電流路５，６は、バスバ２の長手方向に沿った直線状に形成されるとよい。

次に、回路基板８に対するバスバ２の位置合わせを容易とするための構造について説明する。電流検出構造１では、バスバ２と磁気検出素子３の位置関係がずれると誤差が発生するため、バスバ２と磁気検出素子３の位置関係、すなわち回路基板８とバスバ２の位置関係を所望の位置関係に保持する必要があり、正確な位置合わせが要求される。

上述のように、本実施形態では、複数のバスバ２は、回路基板８に当接して配置される。バスバ２を回路基板８に当接して配置することで、バスバ２の厚さ方向におけるバスバ２と磁気検出素子３の位置合わせが行われることになる。

回路基板８のバスバ２を配置する面には、複数のバスバ２を配置する位置を示す位置合わせ用目印を形成し、バスバ２の回路基板８に対する位置合わせを容易とすることが望ましい。

本実施形態では、位置合わせ用目印に代えて、回路基板８に、その表面から垂直方向に突出するように、位置合わせ用突起９を形成している。位置合わせ用突起９は、バスバ２の側壁に当接してバスバ２の幅方向の動きを規制することにより、回路基板８に対するバスバ２の位置合わせを行うものである。

本実施形態では、バスバ２の両側に２つずつ合計４つの位置合わせ用突起９を形成しているが、位置合わせ用突起９の数はこれに限定されるものではない。ただし、バスバ２の位置合わせを正確に行うため、少なくとも２つ以上の位置合わせ用突起９を形成することが望ましい。

位置合わせ用突起９を２つとする場合、図４（ａ）に示すように、位置合わせ用突起９の長さ（バスバ２の長手方向に沿った長さ）をある程度長くしてリブ状とし、バスバ２の表面と平行な面内でのバスバ２の傾きのずれを抑制することが望ましい。また、図４（ｅ）に示すように、位置合わせ用突起９は、バスバ２の長手方向において異なる位置に、バスバ２を挟む形で２つ形成されてもよい。これにより、位置合わせ用突起９の長さを長くせずとも、バスバ２の傾きのずれを抑制することが可能になる。

また、位置合わせ用突起９を３つとする場合、図４（ｂ）に示すように、バスバ２の一側に間隔をおいて２つの位置合わせ用突起９を形成すると共に、バスバ２の長手方向における２つの位置合わせ用突起９間の中央部において、バスバ２の他側に１つの位置合わせ用突起９を形成するとよい。

さらに、本実施形態では位置合わせ用突起９をバスバ２の側壁に当接するように形成したが、これに限らず、バスバ２に形成された穴（切欠きも含む）の内壁に当接するように形成してもよい。本実施形態ではバスバ２に貫通孔４を形成しているため、この貫通孔４を利用し、図４（ｃ）に示すように、貫通孔４の内壁に当接するように位置合わせ用突起９を形成してもよいし、バスバ２の両側に切欠き４１を形成してその切欠き４１の内壁に当接するように位置合わせ用突起９を形成してもよい。

バスバ２に形成された穴の内壁に当接するように位置合わせ用突起９を形成することで、バスバ２の長手方向の位置ずれも抑制することが可能になり、より正確な位置合わせが可能になる。

さらに、図５（ａ）に示すように、位置合わせ用突起９の先端部に、バスバ２を係止する爪５１が形成されていてもよい。爪５１を備えることで、バスバ２をより強固に保持してバスバ２の位置ずれを抑制することができる。

また、本実施形態では、バスバ２を回路基板８に当接させたが、図５（ｂ）に示すように、位置合わせ用突起９の回路基板８側の端部にスペーサ部５２を形成し、回路基板８を、スペーサ部５２を介して回路基板８に支持させるように構成してもよい。なお、ここでは位置合わせ用突起９に一体にスペーサ部５２を形成しているが、位置合わせ用突起９と別体にスペーサを形成しても構わない。また、スペーサはバスバ２側に形成しても構わない。

スペーサ部５２等のスペーサを備え、その高さを調整することで、バスバ２の厚さ方向におけるバスバ２と磁気検出素子３の位置関係を調整することが可能になり、磁気検出素子３の中心（バスバ２の厚さ方向における中心）が、バスバ２の厚さ方向の中心と一致するように配置することが可能になる。これにより、磁気検出素子３としてＧＭＲセンサを用いる場合、磁気検出素子３に入ってくる磁界の方向が磁気検出素子３の検出軸Ｄに平行な方向のみとなるので、容易に精度の高い電流検出が可能となる。

図示していないが、磁気検出素子３と磁気検出素子３の周囲のバスバ２と回路基板８とを覆うように、樹脂製のハウジングまたは樹脂モールドが形成される。特に樹脂モールドを形成する場合には、磁気検出素子３とバスバ２の位置合わせを精度よく行った上で樹脂をモールドする必要があり、位置合わせ用突起９を形成することによる効果は大きい。また、位置合わせ用突起９や爪５１が形成されていることにより、樹脂モールドを形成する際の樹脂圧でバスバ２が磁気検出素子３に対してずれてしまうことを低減することが可能になる。

以上説明したように、本実施形態に係る電流検出構造１では、複数の磁気検出素子３を１枚の回路基板８に搭載している。これにより、複数の磁気検出素子３を別の回路基板に搭載した場合と比較して、組み付けを容易とし、製造コストを低減することが可能になる。

本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加え得ることは勿論である。

例えば、上記実施形態では、回路基板８の磁気検出素子３を搭載した側の面にバスバ２を配置した場合を説明したが、これに限らず、図６（ａ）に示す電流検出構造６１のように、回路基板８の磁気検出素子３を搭載した側と反対側の面にバスバ２を配置するようにしてもよい。この場合、バスバ２を流れる電流が小さく磁気検出素子３で検出する磁界の強度が小さい場合（すなわち、ＧＭＲセンサでの検出に適した磁界の強度となる場合）には、貫通孔４を省略することも可能であり、さらなる低コスト化が可能である。

また、図６（ｂ）に示す電流検出構造６５のように、回路基板８に、磁気検出素子３を収容する溝６６を形成してもよい。溝６６を形成することにより、検出部１０のさらなる薄型化が可能になると共に、樹脂モールドを形成する際の樹脂圧で磁気検出素子３が傾くことを抑制可能になる。

１ 電流検出構造
２ バスバ
３ 磁気検出素子
４ 貫通孔
５，６ 電流路
７ 電流検出部
８ 回路基板
９ 位置合わせ用突起

Claims (10)

1. 並列配置された複数のバスバと、
   前記複数のバスバごとに設けられ、対応する前記バスバに流れる電流により発生する磁界の強度を測定する複数の磁気検出素子と、
   を備えた電流検出構造であって、
   前記複数の磁気検出素子が、１枚の回路基板に搭載されている
   ことを特徴とする電流検出構造。
2. 前記複数の磁気検出素子は、前記回路基板の同じ面に搭載される
   請求項１記載の電流検出構造。
3. 前記複数の磁気検出素子は、前記回路基板に一直線状に整列して配置される
   請求項２記載の電流検出構造。
4. 前記複数のバスバは、前記回路基板に当接して配置される
   請求項１〜３いずれかに記載の電流検出構造。
5. 前記回路基板には、前記複数のバスバを配置する位置を示す位置合わせ用目印が形成されている
   請求項４記載の電流検出構造。
6. 前記回路基板には、前記バスバの側壁または前記バスバに形成された穴の内壁に当接して、前記回路基板に対する前記バスバの位置合わせを行うための位置合わせ用突起が形成されている
   請求項１〜５いずれかに記載の電流検出構造。
7. 前記位置合わせ用突起の先端部には、前記バスバを係止する爪が形成されている
   請求項６記載の電流検出構造。
8. 前記バスバには、該バスバを貫通する貫通孔が形成され、
   前記磁気検出素子は、前記貫通孔に配置される
   請求項１〜７いずれかに記載の電流検出構造。
9. 前記磁気検出素子と前記磁気検出素子の周囲の前記バスバと前記回路基板とを覆うように、樹脂製のハウジングまたは樹脂モールドが形成される
   請求項１〜８いずれかに記載の電流検出構造。
10. 前記回路基板に、前記磁気検出素子を収容する溝を形成した
    請求項１〜８いずれかに記載の電流検出構造。