JP2015130434A - 発光装置、照明用光源及び照明装置 - Google Patents
発光装置、照明用光源及び照明装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015130434A JP2015130434A JP2014001759A JP2014001759A JP2015130434A JP 2015130434 A JP2015130434 A JP 2015130434A JP 2014001759 A JP2014001759 A JP 2014001759A JP 2014001759 A JP2014001759 A JP 2014001759A JP 2015130434 A JP2015130434 A JP 2015130434A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting element
- light
- led chip
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005286 illumination Methods 0.000 title claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 73
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 41
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000009877 rendering Methods 0.000 abstract description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 18
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 15
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 11
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 7
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000004512 die casting Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 239000012463 white pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
- H01L2224/48139—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate with an intermediate bond, e.g. continuous wire daisy chain
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48475—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball
- H01L2224/48476—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area
- H01L2224/48477—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding)
- H01L2224/48484—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) being a plurality of pre-balls disposed side-to-side
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/644—Heat extraction or cooling elements in intimate contact or integrated with parts of the device other than the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)
- Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
Abstract
【解決手段】基板10と、基板10に実装された第一発光素子21及び第二発光素子22と、基板10に形成された伝熱パターン40と備え、第二発光素子22は、第一発光素子21よりも、温度上昇に伴う光出力の低下の割合が大きく、第二発光素子22は、伝熱パターン40の上に実装されており、第一発光素子21は、伝熱パターン40の上に実装されていない。
【選択図】図2
Description
本願発明者らは、これまでのLEDモジュール(発光装置)に関し、以下の問題が生じることを見出した。
まず、実施の形態1に係る発光装置1の構成について、図2及び図3を用いて説明する。図2は、実施の形態1に係る発光装置の平面図であり、図3は、図2のA−A’線における同発光装置の断面図である。
基板10は、第一発光素子21及び第二発光素子22を実装するための実装基板であり、第1主面(表側面)と当該第1主面とは反対側の第2主面(裏面)とを有する板状の基板である。
第一発光素子21及び第二発光素子22は、いずれも、基板10の第1主面側に実装されている点では同じであるが、第二発光素子22が伝熱パターン40の上に実装されているのに対して、第一発光素子21が伝熱パターン40の上に実装されていない。具体的には、第一発光素子21は、基板10の第1主面の表面に実装されているのに対して、第二発光素子22は伝熱パターン40の表面に実装されている。
封止部材30は、第一発光素子21及び第二発光素子22を覆うように構成されている。本実施の形態における封止部材30は、一列に配置された第一発光素子21及び第二発光素子22を一括封止するように、第一発光素子21及び第二発光素子22の並び方向に沿って直線状に形成されている。
伝熱パターン40は、熱伝導を有する板状又は膜状の導電性部材であって、基板10の第1主面に所定形状で形成される。上述のとおり、伝熱パターン40の上には第二発光素子22が実装される。
配線パターン51は、第一発光素子21及び第二発光素子22を発光させるための電力を第一発光素子21及び第二発光素子22に供給するための給電配線であり、基板10の第1主面に所定形状で形成されている。図2に示すように、配線パターン51は、給電端子60から延設されている。
一対の給電端子60は、基板10の第1主面に形成されている。一対の給電端子60は、発光装置1の外部(外部電源)等から所定の電力を受電するための外部接続端子(電極端子)である。一対の給電端子60は、第一発光素子21及び第二発光素子22を発光させるための直流電力を受電して、配線パターン51、ワイヤパッド52、ワイヤ70及び伝熱パターン40を利用して、受電した直流電力を第一発光素子21及び第二発光素子22に供給する。
ワイヤ70は、第一発光素子21及び第二発光素子22の各々をワイヤボンディングするための導電性細線であり、例えば金ワイヤである。具体的には、ワイヤ70は、第一発光素子21又は第二発光素子22とワイヤパッド52とを接続したり、第二発光素子22と配線パターン51又はワイヤパッド52とを接続したりする。
次に、本実施の形態における発光装置1の作用効果について、図4A及び図4Bを用いて説明する。図4Aは、比較例の発光装置における発光開始からの経過時間と光出力との関係を示す図であり、図4Bは、実施の形態1に係る発光装置における発光開始からの経過時間と光出力との関係を示す図である。なお、比較例における発光装置は、実施の形態1に係る発光装置1において、伝熱パターン40を設けずに、第二発光素子22を基板10上に直接実装した場合である。
次に、実施の形態1の変形例に係る発光装置1Aについて、図7及び図8を用いて説明する。図7は、実施の形態1の変形例に係る発光装置の平面図であり、図8は、図7のA−A’線における同発光装置の断面図である。
次に、実施の形態2に係る照明装置100について、図9及び図10を用いて説明する。図9は、実施の形態2に係る照明装置の断面図である。図10は、実施の形態2に係る照明装置及び当該照明装置に接続される周辺部材(点灯装置及び端子台)との外観斜視図である。
次に、実施の形態3に係る電球形ランプ200の構成について、図11を用いて説明する。図11は、実施の形態3に係る電球形ランプの構成概要を示す図である。
以上、本発明に係る発光装置、照明用光源及び照明装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではない。
10 基板
21、21A 第一発光素子
21a、22a n側電極
21b、22b p側電極
22、22A 第二発光素子
21A1 第一容器
21A2 第一LEDチップ
21A3 第一封止部材
22A1 第二容器
22A2 第二LEDチップ
22A3 第二封止部材
30 封止部材
40 伝熱パターン
51 配線パターン
52 ワイヤパッド
53 接続配線
60 給電端子
70 ワイヤ
80 導電性接着剤
100 照明装置
110 基部
111 放熱フィン
120 枠体部
121 コーン部
122 枠体本体部
130 反射板
140 透光パネル
150 点灯装置
160 端子台
170 取付板
180 天板
200 電球形ランプ
201 グローブ
202 支柱
203 支持台
204 筐体
205 口金
Claims (14)
- 基板と、
前記基板に実装された第一発光素子及び第二発光素子と、
前記基板に形成された伝熱パターンと備え、
前記第二発光素子は、前記第一発光素子よりも、温度上昇に伴う光出力の低下の割合が大きく、
前記第二発光素子は、前記伝熱パターンの上に実装されており、
前記第一発光素子は、前記伝熱パターンの上に実装されていない
発光装置。 - 前記伝熱パターンの熱伝導率は、前記基板の熱伝導率よりも大きい
請求項1に記載の発光装置。 - 平面視において、前記伝熱パターンは、前記第二発光素子よりも大きい
請求項1又は2に記載の発光装置。 - 前記第二発光素子は、前記伝熱パターンの端部に実装されている
請求項3に記載の発光装置。 - 前記伝熱パターンは、所定形状の金属パターンである
請求項1〜4のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記金属パターンは、金によって構成されている
請求項5に記載の発光装置。 - 前記伝熱パターンには、前記第一発光素子及び前記第二発光素子の動作電流が流れる
請求項1〜6のいずれか1項に記載の発光装置。 - さらに、前記第一発光素子及び前記第二発光素子の動作電流が流れる金属配線を備え、
前記伝熱パターンには、前記第一発光素子及び前記第二発光素子の動作電流が流れない
請求項1〜6のいずれか1項に記載の発光装置。 - さらに、蛍光体を含有する封止部材を備え、
前記第一発光素子及び前記第二発光素子は、前記封止部材によって封止されている
請求項1〜8のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記第一発光素子は、青色LEDチップであり、
前記第二発光素子は、赤色LEDチップであり、
前記蛍光体は、黄色蛍光体である
請求項9に記載の発光装置。 - 前記第一発光素子は、第一容器と、前記第一容器内に実装された第一LEDチップと、蛍光体を含有し、前記第一容器内に封入された第一封止部材とを有する表面実装型LED素子であり、
前記第二発光素子は、第二容器と、前記第二容器内に実装された第二LEDチップとを有する表面実装型LED素子である
請求項1〜8のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記第一LEDチップは、青色LEDチップであり、
前記第二LEDチップは、赤色LEDチップであり、
前記蛍光体は、黄色蛍光体である
請求項11に記載の発光装置。 - 請求項1〜12のいずれか1項に記載の発光装置を備える
照明用光源。 - 請求項1〜12のいずれか1項に記載の発光装置を備える
照明装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014001759A JP6268636B2 (ja) | 2014-01-08 | 2014-01-08 | 発光装置、照明用光源及び照明装置 |
US14/591,292 US9443832B2 (en) | 2014-01-08 | 2015-01-07 | Light emitting device, light source for illumination, and illumination apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014001759A JP6268636B2 (ja) | 2014-01-08 | 2014-01-08 | 発光装置、照明用光源及び照明装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015130434A true JP2015130434A (ja) | 2015-07-16 |
JP6268636B2 JP6268636B2 (ja) | 2018-01-31 |
Family
ID=53495797
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014001759A Active JP6268636B2 (ja) | 2014-01-08 | 2014-01-08 | 発光装置、照明用光源及び照明装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9443832B2 (ja) |
JP (1) | JP6268636B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017130496A (ja) * | 2016-01-18 | 2017-07-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2018022808A (ja) * | 2016-08-04 | 2018-02-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置及び照明装置 |
JPWO2019244958A1 (ja) * | 2018-06-19 | 2021-06-24 | シチズン時計株式会社 | Led発光装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109742219A (zh) * | 2018-12-06 | 2019-05-10 | 广东晶科电子股份有限公司 | 一种红色发光体、led器件及其制作方法 |
CN114198649A (zh) * | 2021-11-18 | 2022-03-18 | 惠州市勤仕达科技有限公司 | 一种全光谱护眼led灯板结构和灯具 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004207367A (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ダイオード及び発光ダイオード配列板 |
JP2005123484A (ja) * | 2003-10-17 | 2005-05-12 | Citizen Electronics Co Ltd | 白色led |
JP3118574U (ja) * | 2005-11-14 | 2006-02-02 | 優佰利股▲分▼有限公司 | 側面光源モジュールを備えた液晶パネル装置 |
JP2009152192A (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Foxsemicon Intergated Technology Inc | 発光ダイオードランプ |
US20120012867A1 (en) * | 2010-07-19 | 2012-01-19 | Epistar Corporation | Multi-dimensional light-emitting device |
US20130341657A1 (en) * | 2012-06-26 | 2013-12-26 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | Light-emitting module and luminaire |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3882266B2 (ja) | 1997-05-19 | 2007-02-14 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置 |
ATE474443T1 (de) | 2003-02-07 | 2010-07-15 | Panasonic Corp | Beleuchtungseinrichtung, einen sockel verwendend, um ein flaches led-modul auf einen kühlkörper zu montieren |
JP4095463B2 (ja) | 2003-02-13 | 2008-06-04 | 松下電器産業株式会社 | Led光源用ソケット |
TWI419375B (zh) * | 2005-02-18 | 2013-12-11 | Nichia Corp | 具備控制配光特性用之透鏡之發光裝置 |
JP2007078365A (ja) | 2005-09-09 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Works Ltd | 温度計 |
US7964892B2 (en) | 2006-12-01 | 2011-06-21 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP5071069B2 (ja) | 2006-12-01 | 2012-11-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
KR101396588B1 (ko) * | 2007-03-19 | 2014-05-20 | 서울반도체 주식회사 | 다양한 색온도를 갖는 발광 장치 |
KR20090002284A (ko) * | 2007-06-26 | 2009-01-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 장치 |
US7655954B2 (en) * | 2007-12-17 | 2010-02-02 | Ledtech Electronics Corp. | Array type light-emitting device with high color rendering index |
US8820950B2 (en) | 2010-03-12 | 2014-09-02 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | Light emitting device and illumination apparatus |
JP2011216868A (ja) | 2010-03-16 | 2011-10-27 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光装置及び照明装置 |
JP2012227249A (ja) | 2011-04-18 | 2012-11-15 | Citizen Electronics Co Ltd | Ledパッケージ |
US9035331B2 (en) * | 2012-12-12 | 2015-05-19 | GE Lighting Solutions, LLC | System for thermal control of red LED(s) chips |
-
2014
- 2014-01-08 JP JP2014001759A patent/JP6268636B2/ja active Active
-
2015
- 2015-01-07 US US14/591,292 patent/US9443832B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004207367A (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ダイオード及び発光ダイオード配列板 |
JP2005123484A (ja) * | 2003-10-17 | 2005-05-12 | Citizen Electronics Co Ltd | 白色led |
JP3118574U (ja) * | 2005-11-14 | 2006-02-02 | 優佰利股▲分▼有限公司 | 側面光源モジュールを備えた液晶パネル装置 |
JP2009152192A (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Foxsemicon Intergated Technology Inc | 発光ダイオードランプ |
US20120012867A1 (en) * | 2010-07-19 | 2012-01-19 | Epistar Corporation | Multi-dimensional light-emitting device |
US20130341657A1 (en) * | 2012-06-26 | 2013-12-26 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | Light-emitting module and luminaire |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017130496A (ja) * | 2016-01-18 | 2017-07-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2018022808A (ja) * | 2016-08-04 | 2018-02-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置及び照明装置 |
JPWO2019244958A1 (ja) * | 2018-06-19 | 2021-06-24 | シチズン時計株式会社 | Led発光装置 |
JP7030189B2 (ja) | 2018-06-19 | 2022-03-04 | シチズン時計株式会社 | Led発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6268636B2 (ja) | 2018-01-31 |
US20150194412A1 (en) | 2015-07-09 |
US9443832B2 (en) | 2016-09-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6358457B2 (ja) | 発光装置、照明用光源及び照明装置 | |
JP6252753B2 (ja) | 発光装置、照明装置及び実装基板 | |
WO2012090350A1 (ja) | 発光装置およびランプ | |
JP2011192703A (ja) | 発光装置及び照明装置 | |
JP2015176967A (ja) | 発光装置、照明装置及び実装基板 | |
JP6284079B2 (ja) | 発光装置、照明用光源、および照明装置 | |
JP2017163001A (ja) | 発光モジュール及び照明装置 | |
JP6233750B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法、照明用光源、並びに照明装置 | |
JP6268636B2 (ja) | 発光装置、照明用光源及び照明装置 | |
JP5993497B2 (ja) | Led照明装置 | |
JP2016167518A (ja) | 発光装置、及び、照明装置 | |
JP2018129492A (ja) | 発光装置、及び、照明装置 | |
JP2015133455A (ja) | 発光装置、照明用光源、および照明装置 | |
JP2017054994A (ja) | 発光装置、及び、照明装置 | |
US10278245B2 (en) | Light-emitting device and illumination apparatus | |
JP2011134934A (ja) | 発光モジュールおよび照明装置 | |
US20160076712A1 (en) | Light emitting apparatus, lighting light source, and lighting apparatus | |
JPWO2012090350A1 (ja) | 発光装置およびランプ | |
WO2015072120A1 (ja) | 発光装置、発光モジュール、照明器具及びランプ | |
JP6252732B2 (ja) | 照明用光源及び照明装置 | |
JP2015133450A (ja) | 発光装置、照明用光源、および照明装置 | |
JP2013073983A (ja) | 発光装置及び照明装置 | |
JP2015133451A (ja) | 発光装置、照明用光源、および照明装置 | |
JP2018120962A (ja) | 発光装置、及び、照明装置 | |
WO2013046292A1 (ja) | 発光モジュール、および照明器具 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170919 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170920 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170928 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20171010 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171102 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20171110 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171212 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171215 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6268636 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |