JP2015130402A - 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(1)半導体ウェーハにクラスターイオンを照射した場合、照射条件によって、改質層中にアモルファス領域が形成される場合と形成されない場合とがあった。そして、改質層中にアモルファス領域がない場合よりも、改質層の厚み方向の一部にアモルファス層が形成される場合の方が、高いゲッタリング能力を得ることができた。すなわち、高いゲッタリング能力を得るためには、改質層の厚み方向の一部にアモルファス層が形成される条件で、クラスターイオンを照射する必要がある。
すなわち、本発明の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法は、
半導体ウェーハの表面にクラスターイオンを照射して、該半導体ウェーハの表面部に、前記クラスターイオンの構成元素が固溶した改質層を形成する第1工程と、
前記半導体ウェーハの改質層上にエピタキシャル層を形成する第2工程と、
を有し、
前記第1工程は、前記改質層における厚み方向の一部がアモルファス層となり、かつ、該アモルファス層の前記半導体ウェーハ表面側の表面の平均深さが前記半導体ウェーハ表面から20nm以上となるように行うことを特徴とする。
本発明の一実施形態による半導体エピタキシャルウェーハ100の製造方法は、図1に示すように、半導体ウェーハ10の表面10Aにクラスターイオン12を照射して、半導体ウェーハ10の表面部に、このクラスターイオン12の構成元素が固溶した改質層14を形成する第1工程(図1(A),(B))と、半導体ウェーハ10の改質層14上にエピタキシャル層18を形成する第2工程(図1(C))と、を有する。図1(C)は、この製造方法の結果得られた半導体エピタキシャルウェーハ100の模式断面図である。エピタキシャル層18は、裏面照射型固体撮像素子等の半導体素子を製造するためのデバイス層となる。
次に、上記製造方法により得られる半導体エピタキシャルウェーハ100について説明する。半導体エピタキシャルウェーハ100は、図1(C)に示すように、半導体ウェーハ10と、この半導体ウェーハ10の表面部に形成された、半導体ウェーハ10中に所定元素が固溶した改質層14と、この改質層14上のエピタキシャル層18と、を有する。
本発明の実施形態による固体撮像素子の製造方法は、上記の製造方法で製造された半導体エピタキシャルウェーハまたは上記の半導体エピタキシャルウェーハ、すなわち半導体エピタキシャルウェーハ100の表面に位置するエピタキシャル層18に、固体撮像素子を形成することを特徴とする。この製造方法により得られる固体撮像素子は、従来に比べ白傷欠陥の発生を十分に抑制することができる。
(比較例)
CZ単結晶シリコンインゴットから得たn型シリコンウェーハ(直径:300mm、厚さ:725μm、ドーパント:リン、ドーパント濃度:5.0×1014atoms/cm3)を用意した。次に、クラスターイオン発生装置(日新イオン機器社製、型番:CLARIS)を用いて、シクロヘキサンよりC3H5クラスターを生成して、炭素のドーズ量を1.0×1015atoms/cm2として、シリコンウェーハの表面に照射し、改質層を形成した。炭素1原子当りの加速電圧は23.4keV/atom、ビーム電流値は400μAとした。
炭素のドーズ量を2.0×1015atoms/cm2とした以外は、上記比較例と同じ実験を行った。クラスターイオン照射後の改質層周辺の断面をTEMにて観察した。図6(C)に示すように、改質層中にアモルファス層が形成されていた。図中、白く見える部分がアモルファス層である。
比較例および発明例で作製したシリコンエピタキシャルウェーハの表面を、Ni汚染液およびFe汚染液(ともに1.2×1013/cm2)で、それぞれスピンコート汚染法を用いて故意に汚染し、引き続き900℃、30分の熱処理を施した。その後、SIMS測定を行い、改質層に捕獲されたNiおよびFeの濃度を測定した。結果を表1に示す。
炭素のドーズ量を図3のプロットに示すように、1.0×1015atoms/cm2から1.0×1016atoms/cm2までの複数条件とした以外は、実験例1と同じ方法で、シリコンエピタキシャルウェーハを作製した。
クラスターイオン種を、シクロヘキサンより生成したC3H3クラスターとした以外は、実験例2と同じ実験を行い、図4の結果を得た。この場合は、ドーズ量が2.2×1015atoms/cm2以上でアモルファス層は形成され、高いゲッタリング能力が得られ、一方で、ドーズ量が2.6×1015atoms/cm2以下で、平均深さが20nm以上となり、エピタキシャル欠陥の発生を十分に抑制できることがわかった。
10 半導体ウェーハ
10A 半導体ウェーハの表面
12 クラスターイオン
14 改質層
16 アモルファス層
16A アモルファス層の半導体ウェーハ表面側の表面
18 エピタキシャル層
20 黒点状欠陥
Claims (12)
- 半導体ウェーハの表面にクラスターイオンを照射して、該半導体ウェーハの表面部に、前記クラスターイオンの構成元素が固溶した改質層を形成する第1工程と、
前記半導体ウェーハの改質層上にエピタキシャル層を形成する第2工程と、
を有し、
前記第1工程は、前記改質層における厚み方向の一部がアモルファス層となり、かつ、該アモルファス層の前記半導体ウェーハ表面側の表面の平均深さが前記半導体ウェーハ表面から20nm以上となるように行うことを特徴とする半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記第1工程は、前記平均深さが前記半導体ウェーハ表面から20nm以上200nm以下となるように行う請求項1に記載の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記第1工程は、前記アモルファス層の平均厚さが100nm以下となるように行う請求項1または2に記載の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記クラスターイオンが、構成元素として炭素を含む請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記クラスターイオンが、構成元素として炭素を含む2種以上の元素を含む請求項4に記載の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記クラスターイオンの炭素数が16個以下である請求項4または5に記載の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
- 半導体ウェーハと、該半導体ウェーハの表面部に形成された、該半導体ウェーハ中に所定元素が固溶した改質層と、該改質層上のエピタキシャル層と、を有し、
前記改質層に黒点状欠陥が存在することを特徴とする半導体エピタキシャルウェーハ。 - 前記黒点状欠陥が前記半導体ウェーハの表面から30nm以上の深さに存在する請求項7に記載の半導体エピタキシャルウェーハ。
- 前記黒点状欠陥の幅が30〜100nmであり、前記黒点状欠陥の密度が1.0×108個/cm2〜1.0×1010個/cm2である請求項7または8に記載の半導体エピタキシャルウェーハ。
- 前記所定元素が炭素を含む請求項7〜9のいずれか1項に記載の半導体エピタキシャルウェーハ。
- 前記所定元素が炭素を含む2種以上の元素を含む請求項10に記載の半導体エピタキシャルウェーハ。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の製造方法で製造された半導体エピタキシャルウェーハまたは請求項7〜11のいずれか1項に記載の半導体エピタキシャルウェーハの、前記エピタキシャル層に、固体撮像素子を形成することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
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