JP2015129113A - 有機エレクトロルミネセンス材料、及びデバイス - Google Patents

Abstract

【課題】発光体としての使用のための化合物の提供。【解決手段】式１で表される化合物。［Ｒ５は下式又は、特定のジフェニルアミノ基；Ｒ１〜Ｒ４は種々の置換からなり、少なくとも一つは９Ｈカルバゾール骨格を持つ化合物（Ｚ１〜Ｚ８は、様々な置換基から選択され、隣接するＺ基は、結合して縮合環構造を形成してもよい。Ｘは、−ＣｍＦ２ｍ＋１、−ＳｉｍＦ２ｍ＋１、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、等から選択されるアクセプター基；ｍ＞１）］【選択図】なし

Description

関連出願の相互参照
本願は、その開示内容の全体を参照によって援用する、２０１３年１１月１４日出願の米国特許仮出願第６１／９０４，０９８号に対する優先権を主張するものである。

特許請求されている発明は、大学・企業の共同研究契約の下記の当事者：Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｍｉｃｈｉｇａｎ、Ｐｒｉｎｃｅｔｏｎ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ、Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｏｕｔｈｅｒｎ Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ、及びＵｎｉｖｅｒｓａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎの理事らの１又は複数によって、その利益になるように、且つ／又は関連して為されたものである。該契約は、特許請求されている発明が為された日付以前に発効したものであり、特許請求されている発明は、該契約の範囲内で行われる活動の結果として為されたものである。

本発明は、発光体としての使用のための化合物、及び前記化合物を含む、有機発光ダイオードなどのデバイスに関する。

有機材料を利用する光電子デバイスは、いくつもの理由から、次第に望ましいものとなりつつある。そのようなデバイスを作製するために使用される材料の多くは比較的安価であるため、有機光電子デバイスは無機デバイスを上回るコスト優位性の可能性を有する。加えて、柔軟性等の有機材料の固有の特性により、該材料は、フレキシブル基板上での製作等の特定用途によく適したものとなり得る。有機光電子デバイスの例は、有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）、有機光トランジスタ、有機光電池及び有機光検出器を含む。ＯＬＥＤについて、有機材料は従来の材料を上回る性能の利点を有し得る。例えば、有機発光層が光を放出する波長は、概して、適切なドーパントで容易に調整され得る。

ＯＬＥＤはデバイス全体に電圧が印加されると光を放出する薄い有機膜を利用する。ＯＬＥＤは、フラットパネルディスプレイ、照明及びバックライティング等の用途において使用するためのますます興味深い技術となりつつある。数種のＯＬＥＤ材料及び構成は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、特許文献１、特許文献２及び特許文献３において記述されている。

リン光性発光分子の１つの用途は、フルカラーディスプレイである。そのようなディスプレイの業界標準は、「飽和（ｓａｔｕｒａｔｅｄ）」色と称される特定の色を放出するように適合された画素を必要とする。特に、これらの標準は、飽和した赤色、緑色及び青色画素を必要とする。色は、当技術分野において周知のＣＩＥ座標を使用して測定することができる。

緑色発光分子の一例は、下記の構造：
を有する、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３と表示されるトリス（２−フェニルピリジン）イリジウムである。

この図面及び本明細書における後出の図面中で、本発明者らは、窒素から金属（ここではＩｒ）への配位結合を直線として描写する。

本明細書において使用される場合、用語「有機」は、有機光電子デバイスを製作するために使用され得るポリマー材料及び小分子有機材料を含む。「小分子」は、ポリマーでない任意の有機材料を指し、且つ「小分子」は実際にはかなり大型であってよい。小分子は、いくつかの状況において繰り返し単位を含み得る。例えば、長鎖アルキル基を置換基として使用することは、「小分子」クラスから分子を排除しない。小分子は、例えばポリマー骨格上のペンダント基として、又は該骨格の一部として、ポリマーに組み込まれてもよい。小分子は、コア部分上に構築された一連の化学的シェルからなるデンドリマーのコア部分として役立つこともできる。デンドリマーのコア部分は、蛍光性又はリン光性小分子発光体であってよい。デンドリマーは「小分子」であってよく、ＯＬＥＤの分野において現在使用されているデンドリマーはすべて小分子であると考えられている。

本明細書において使用される場合、「頂部」は基板から最遠部を意味するのに対し、「底部」は基板の最近部を意味する。第一層が第二層「の上に配置されている」と記述される場合、第一層のほうが基板から遠くに配置されている。第一層が第二層「と接触している」ことが指定されているのでない限り、第一層と第二層との間に他の層があってもよい。例えば、間に種々の有機層があるとしても、カソードはアノード「の上に配置されている」と記述され得る。

本明細書において使用される場合、「溶液プロセス可能な」は、溶液又は懸濁液形態のいずれかの液体媒質に溶解、分散若しくは輸送することができ、且つ／又は該媒質から堆積することができるという意味である。

配位子は、該配位子が発光材料の光活性特性に直接寄与していると考えられる場合、「光活性」と称され得る。配位子は、該配位子が発光材料の光活性特性に寄与していないと考えられる場合には「補助」と称され得るが、補助配位子は、光活性配位子の特性を変化させることができる。

本明細書において使用される場合、当業者には概して理解されるであろう通り、第一の「最高被占分子軌道」（ＨＯＭＯ）又は「最低空分子軌道」（ＬＵＭＯ）エネルギー準位は、第一のエネルギー準位が真空エネルギー準位に近ければ、第二のＨＯＭＯ又はＬＵＭＯエネルギー準位「よりも大きい」又は「よりも高い」。イオン化ポテンシャル（ＩＰ）は、真空準位と比べて負のエネルギーとして測定されるため、より高いＨＯＭＯエネルギー準位は、より小さい絶対値を有するＩＰ（あまり負でないＩＰ）に相当する。同様に、より高いＬＵＭＯエネルギー準位は、より小さい絶対値を有する電子親和力（ＥＡ）（あまり負でないＥＡ）に相当する。頂部に真空準位がある従来のエネルギー準位図において、材料のＬＵＭＯエネルギー準位は、同じ材料のＨＯＭＯエネルギー準位よりも高い。「より高い」ＨＯＭＯ又はＬＵＭＯエネルギー準位は、「より低い」ＨＯＭＯ又はＬＵＭＯエネルギー準位よりもそのような図の頂部に近いように思われる。

本明細書において使用される場合、当業者には概して理解されるであろう通り、第一の仕事関数がより高い絶対値を有するならば、第一の仕事関数は第二の仕事関数「よりも大きい」又は「よりも高い」。仕事関数は概して真空準位と比べて負数として測定されるため、これは「より高い」仕事関数が更に負であることを意味する。頂部に真空準位がある従来のエネルギー準位図において、「より高い」仕事関数は、真空準位から下向きの方向に遠く離れているものとして例証される。故に、ＨＯＭＯ及びＬＵＭＯエネルギー準位の定義は、仕事関数とは異なる慣例に準ずる。

ＯＬＥＤについての更なる詳細及び上述した定義は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる特許文献４において見ることができる。

実施形態によれば、下記の式１で表される構造を有する化合物が記載される。
式１で表される構造において、
Ｒ^５は、下記:
又は、
であり、
（ａ）Ｒ^１〜Ｒ^４の少なくとも１つは、下記である；
又は、
（ｂ）Ｒ^１は、下記である。
式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ａ^１、Ａ^２、Ａ^３、Ａ^４、Ａ^５、Ａ^６、Ａ^７、Ａ^８、Ａ^９、Ａ^１０、Ｂ^１、Ｂ^２、Ｂ^３、Ｂ^４、Ｂ^５、Ｂ^６、Ｂ^７、Ｂ^８、Ｂ^９、Ｂ^１０、Ｙ^１、Ｙ^２、Ｙ^３、Ｙ^４、Ｙ^５、Ｙ^６、Ｙ^７、Ｙ^８、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４、Ｚ^５、Ｚ^６、Ｚ^７、及びＺ^８は、それぞれ独立して、水素、重水素、ハライド、アルキル、ハロアルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、チオアルコキシ、アリールオキシ、チオアリールオキシ、アミノ、アリールアミノ、ジアリールアミノ、カルバゾリル、シリル、ハロシリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ、−Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１、−Ｓｉ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−ＯＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＳＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、及びこれらの組合せからなる群から選択され；
隣接するＡ、Ｂ、Ｙ、及びＺ基は、結合して縮合環構造を形成してもよく；
Ｘは、−Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１、−Ｓｉ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−ＯＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、及び−ＳＣ_ｍＦ_２ｍ＋１からなる群から選択されるアクセプター基を含み、
ｍ＞１である。

他の実施形態によれば、第１のデバイスも提供される。前記第１のデバイスは、アノードと、カソードと、前記アノードと前記カソードとの間に配置された有機層とを含む第１の有機発光デバイスを含むことができる。前記発光層は、下記の式２で表される構造を有する第１の発光化合物を含むことができる。
式２で表される化合物において、
環Ａは、芳香族環又は芳香族複素環であり；
ｎは、０又は１であり；
ｎが０の場合、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、及びＸ^５は、独立して、ＣＲ、Ｎ、ＮＲ、Ｏ、Ｓ、及びＳｅからなる群から選択され、Ｘ^１〜Ｘ^５の少なくとも１つはＣＲであり；
ｎが１の場合、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｘ^５、及びＸ^６は、独立して、ＣＲ及びＮからなる群から選択され、Ｘ^１〜Ｘ^６の少なくとも１つは、ＣＲであり；
各Ｒは、独立して、水素、重水素、ハライド、アルキル、ハロアルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、チオアルコキシ、アリールオキシ、チオアリールオキシ、アミノ、アリールアミノ、ジアリールアミノ、カルバゾリル、シリル、ハロシリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ、−Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１、−Ｓｉ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−ＯＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＳＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、及びこれらの組合せからなる群から選択され；
隣接するＲ基は、結合して縮合環構造を形成してもよく；
ｍ＞１であり；
少なくとも１つのＲ基は、少なくとも１つの電子供与性窒素を有するドナー基を含み；
少なくとも１つのＲ基は、−Ｆ、−Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１、−Ｓｉ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−ＯＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、及び−ＳＣ_ｍＦ_２ｍ＋１からなる群から選択されるアクセプター基を含む。

図１は、有機発光デバイスを示す。

図２は、別の電子輸送層を有さない、反転された有機発光デバイスを示す。

図３は、本明細書に開示される式１及び式２を示す。

概して、ＯＬＥＤは、アノード及びカソードの間に配置され、それらと電気的に接続された少なくとも１つの有機層を含む。電流が印加されると、アノードが正孔を注入し、カソードが電子を有機層（複数可）に注入する。注入された正孔及び電子は、逆帯電した電極にそれぞれ移動する。電子及び正孔が同じ分子上に局在する場合、励起エネルギー状態を有する局在電子正孔対である「励起子」が形成される。光は、励起子が緩和した際に、光電子放出機構を介して放出される。いくつかの事例において、励起子はエキシマー又はエキサイプレックス上に局在し得る。熱緩和等の無輻射機構が発生する場合もあるが、概して望ましくないとみなされている。

初期のＯＬＥＤは、例えば、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第４，７６９，２９２号において開示されている通り、その一重項状態から光を放出する発光分子（「蛍光」）を使用していた。蛍光発光は、概して、１０ナノ秒未満の時間枠で発生する。

ごく最近では、三重項状態から光を放出する発光材料（「リン光」）を有するＯＬＥＤが実証されている。参照によりその全体が組み込まれる、Ｂａｌｄｏら、「Ｈｉｇｈｌｙ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ Ｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｔ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｆｒｏｍ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｄｅｖｉｃｅｓ」、３９５巻、１５１〜１５４、１９９８；（「Ｂａｌｄｏ−Ｉ」）及びＢａｌｄｏら、「Ｖｅｒｙ ｈｉｇｈ−ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ ｇｒｅｅｎ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅｓ ｂａｓｅｄ ｏｎ ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｃｅ」、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．、７５巻、３号、４〜６（１９９９）（「Ｂａｌｄｏ−ＩＩ」）。リン光については、参照により組み込まれる米国特許第７，２７９，７０４号５〜６段において更に詳細に記述されている。

図１は、有機発光デバイス１００を示す。図は必ずしも一定の縮尺ではない。デバイス１００は、基板１１０、アノード１１５、正孔注入層１２０、正孔輸送層１２５、電子ブロッキング層１３０、発光層１３５、正孔ブロッキング層１４０、電子輸送層１４５、電子注入層１５０、保護層１５５、カソード１６０、及びバリア層１７０を含み得る。カソード１６０は、第一の導電層１６２及び第二の導電層１６４を有する複合カソードである。デバイス１００は、記述されている層を順に堆積させることによって製作され得る。これらの種々の層の特性及び機能並びに材料例は、参照により組み込まれるＵＳ７，２７９，７０４、６〜１０段において更に詳細に記述されている。

これらの層のそれぞれについて、更なる例が利用可能である。例えば、フレキシブル及び透明基板−アノードの組合せは、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第５、８４４、３６３号において開示されている。ｐ−ドープされた正孔輸送層の例は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第２００３／０２３０９８０号において開示されている通りの、５０：１のモル比でｍ−ＭＴＤＡＴＡにＦ_４−ＴＣＮＱをドープしたものである。発光材料及びホスト材料の例は、参照によりその全体が組み込まれるＴｈｏｍｐｓｏｎらの米国特許第６，３０３，２３８号において開示されている。ｎ−ドープされた電子輸送層の例は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第２００３／０２３０９８０号において開示されている通りの、１：１のモル比でＢＰｈｅｎにＬｉをドープしたものである。参照によりその全体が組み込まれる米国特許第５，７０３，４３６号及び同第５，７０７，７４５号は、上を覆う透明の、導電性の、スパッタリング蒸着したＩＴＯ層を持つＭｇ：Ａｇ等の金属の薄層を有する複合カソードを含むカソードの例を開示している。ブロッキング層の理論及び使用は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第６，０９７，１４７号及び米国特許出願公開第２００３／０２３０９８０号において更に詳細に記述されている。注入層の例は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第２００４／０１７４１１６号において提供されている。保護層についての記述は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第２００４／０１７４１１６号において見ることができる。

図２は、反転させたＯＬＥＤ２００を示す。デバイスは、基板２１０、カソード２１５、発光層２２０、正孔輸送層２２５、及びアノード２３０を含む。デバイス２００は、記述されている層を順に堆積させることによって製作され得る。最も一般的なＯＬＥＤ構成はアノードの上に配置されたカソードを有し、デバイス２００はアノード２３０の下に配置されたカソード２１５を有するため、デバイス２００は「反転させた」ＯＬＥＤと称されることがある。デバイス１００に関して記述されたものと同様の材料を、デバイス２００の対応する層において使用してよい。図２は、いくつかの層が如何にしてデバイス１００の構造から省略され得るかの一例を提供するものである。

図１及び２において例証されている単純な層構造は、非限定的な例として提供されるものであり、本発明の実施形態は多種多様な他の構造に関連して使用され得ることが理解される。記述されている特定の材料及び構造は、事実上例示的なものであり、他の材料及び構造を使用してよい。機能的なＯＬＥＤは、記述されている種々の層を様々な手法で組み合わせることによって実現され得るか、又は層は、設計、性能及びコスト要因に基づき、全面的に省略され得る。具体的には記述されていない他の層も含まれ得る。具体的に記述されているもの以外の材料を使用してよい。本明細書において提供されている例の多くは、単一材料を含むものとして種々の層を記述しているが、ホスト及びドーパントの混合物等の材料の組合せ、又はより一般的には混合物を使用してよいことが理解される。また、層は種々の副層を有してもよい。本明細書における種々の層に与えられている名称は、厳しく限定することを意図するものではない。例えば、デバイス２００において、正孔輸送層２２５は正孔を輸送し、正孔を発光層２２０に注入し、正孔輸送層又は正孔注入層として記述され得る。一実施形態において、ＯＬＥＤは、カソード及びアノードの間に配置された「有機層」を有するものとして記述され得る。有機層は単層を含んでいてよく、又は、例えば図１及び２に関して記述されている通りの異なる有機材料の多層を更に含んでいてよい。

参照によりその全体が組み込まれるＦｒｉｅｎｄらの米国特許第５，２４７，１９０号において開示されているもののようなポリマー材料で構成されるＯＬＥＤ（ＰＬＥＤ）等、具体的には記述されていない構造及び材料を使用してもよい。更なる例として、単一の有機層を有するＯＬＥＤが使用され得る。ＯＬＥＤは、例えば、参照によりその全体が組み込まれるＦｏｒｒｅｓｔらの米国特許第５，７０７，７４５号において記述されている通り、積み重ねられてよい。ＯＬＥＤ構造は、図１及び２において例証されている単純な層構造から逸脱してよい。例えば、基板は、参照によりその全体が組み込まれる、Ｆｏｒｒｅｓｔらの米国特許第６，０９１，１９５号において記述されている通りのメサ構造及び／又はＢｕｌｏｖｉｃらの米国特許第５，８３４，８９３号において記述されている通りのくぼみ構造等、アウトカップリングを改良するための角度のついた反射面を含み得る。

別段の規定がない限り、種々の実施形態の層のいずれも、任意の適切な方法によって堆積され得る。有機層について、好ましい方法は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第６，０１３，９８２号及び同第６，０８７，１９６号において記述されているもの等の熱蒸着、インクジェット、参照によりその全体が組み込まれるＦｏｒｒｅｓｔらの米国特許第６，３３７，１０２号において記述されているもの等の有機気相堆積（ＯＶＰＤ）、並びに参照によりその全体が組み込まれる米国特許第７，４３１，９６８号において記述されているもの等の有機気相ジェットプリンティング（ＯＶＪＰ）による堆積を含む。他の適切な堆積法は、スピンコーティング及び他の溶液ベースのプロセスを含む。溶液ベースのプロセスは、好ましくは、窒素又は不活性雰囲気中で行われる。他の層について、好ましい方法は熱蒸着を含む。好ましいパターニング法は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第６，２９４，３９８号及び同第６，４６８，８１９号において記述されているもの等のマスク、冷間圧接を経由する堆積、並びにインクジェット及びＯＶＪＤ等の堆積法のいくつかに関連するパターニングを含む。他の方法を使用してもよい。堆積する材料は、特定の堆積法と適合するように修正され得る。例えば、分枝鎖状又は非分枝鎖状であり、且つ好ましくは少なくとも３個の炭素を含有するアルキル及びアリール基等の置換基は、溶液プロセシングを受ける能力を増強するために、小分子において使用され得る。２０個以上の炭素を有する置換基を使用してよく、３〜２０個の炭素が好ましい範囲である。非対称構造を持つ材料は、対称構造を有するものよりも良好な溶液プロセス性を有し得、これは、非対称材料のほうが再結晶する傾向が低くなり得るからである。溶液プロセシングを受ける小分子の能力を増強するために、デンドリマー置換基が使用され得る。

本発明の実施形態に従って製作されたデバイスは、バリア層を更に含んでいてよい。バリア層の１つの目的は、電極及び有機層を、水分、蒸気及び／又はガス等を含む環境における有害な種への損傷性暴露から保護することである。バリア層は、基板、電極の上、下若しくは隣に、又はエッジを含むデバイスの任意の他の部分の上に堆積し得る。バリア層は、単層又は多層を含んでいてよい。バリア層は、種々の公知の化学気相堆積技術によって形成され得、単相を有する組成物及び多相を有する組成物を含み得る。任意の適切な材料又は材料の組合せをバリア層に使用してよい。バリア層は、無機若しくは有機化合物又は両方を組み込み得る。好ましいバリア層は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、米国特許第７，９６８，１４６号、ＰＣＴ特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ２００７／０２３０９８号及び同第ＰＣＴ／ＵＳ２００９／０４２８２９号において記述されている通りの、ポリマー材料及び非ポリマー材料の混合物を含む。「混合物」とみなされるためには、バリア層を構成する前記のポリマー及び非ポリマー材料は、同じ反応条件下で及び／又は同時に堆積されるべきである。ポリマー材料対非ポリマー材料の重量比は、９５：５から５：９５の範囲内となり得る。ポリマー材料及び非ポリマー材料は、同じ前駆体材料から作成され得る。一例において、ポリマー材料及び非ポリマー材料の混合物は、ポリマーケイ素及び無機ケイ素から本質的になる。

本発明の実施形態に従って製作されたデバイスは、フラットパネルディスプレイ、コンピュータモニター、テレビ、掲示板、屋内若しくは屋外照明及び／又は信号送信用のライト、ヘッドアップディスプレイ、完全透明ディスプレイ、フレキシブルディスプレイ、レーザープリンター、電話、携帯電話、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、ラップトップコンピュータ、デジタルカメラ、カムコーダー、ファインダー、マイクロディスプレイ、３−Ｄディスプレイ、車、大面積壁、劇場又はスタジアムのスクリーン、或いは看板を含む多種多様な消費者製品に組み込まれ得る。パッシブマトリックス及びアクティブマトリックスを含む種々の制御機構を使用して、本発明に従って製作されたデバイスを制御することができる。デバイスの多くは、摂氏１８度から摂氏３０度、より好ましくは室温（摂氏２０〜２５度）等、ヒトに快適な温度範囲内での使用が意図されているが、この温度範囲外、例えば、摂氏−４０度〜＋８０度で用いることもできる。

本明細書において記述されている材料及び構造は、ＯＬＥＤ以外のデバイスにおける用途を有し得る。例えば、有機太陽電池及び有機光検出器等の他の光電子デバイスが、該材料及び構造を用い得る。より一般的には、有機トランジスタ等の有機デバイスが、該材料及び構造を用い得る。

本明細書において、「ハロ」又は「ハロゲン」という用語は、フッ素、塩素、臭素、及びヨウ素を含む。

本明細書において、「アルキル」という用語は、直鎖及び分岐鎖アルキル基のいずれをも意味する。好ましいアルキル基としては、１〜１５個の炭素原子を含むアルキル基であり、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチルなどを含む。更に、前記アルキル基は、置換されていてもよい。

本明細書において、「シクロアルキル」という用語は、環状アルキル基を意味する。好ましいシクロアルキル基としては、３〜７個の炭素原子を含むシクロアルキル基であり、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどを含む。更に、前記シクロアルキル基は置換されていてもよい。

本明細書において、「アルケニル」という用語は、直鎖及び分岐鎖アルケニル基のいずれをも意味する。好ましいアルケニル基としては、２〜１５個の炭素原子を含むアルケニル基である。更に、前記アルケニル基は、置換されていてもよい。

本明細書において、「アルキニル」という用語は、直鎖及び分岐鎖アルキン基のいずれをも意味する。好ましいアルキニル基は、２〜１５個の炭素原子を含むアルキニル基である。更に、前記アルキニル基は置換されていてもよい。

本明細書において、「アラルキル」又は「アリールアルキル」という用語は、相互交換可能に使用され、置換基として芳香族基を有するアルキル基を意味する。更に、前記アラルキル基は、置換されていてもよい。

本明細書において、「ヘテロ環基」という用語は、芳香族環基及び非芳香族環基を意味する。ヘテロ芳香族環基は、ヘテロアリールも意味する。好ましいヘテロ非芳香族環基は、３又は７個の環原子を含む少なくとも１つのヘテロ原子であり、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノなどの環状アミンを含み、及びテトラヒドロフラン、テトラヒドロピランなどの環状エーテルを含む。更に、前記ヘテロ環基は、置換されていてもよい。

本明細書において、「アリール」又は「芳香族基」は、単環及び多環系を意味する。多環とは、２つの隣接する環（前記環は、「縮合」している）により２つの炭素が共有されている２つ以上の環を有することができ、前記環の少なくとも１つは、芳香族であり、例えば、他の環は、シクロアルキル、シクロアルケニル、アリール、ヘテロ環、及び／又はヘテロアリールである。更に、前記アリール基は、置換されていてもよい。

本明細書において、「ヘテロアリール」は、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール、トリアゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、及びピリミジンなど、１〜３個のヘテロ原子を含む単環の複素芳香族基を意味する。ヘテロアリールという用語も、２つの隣接する環（前記環は、「縮合」している）により２つの原子が共されている２つ以上の環を有する多環のヘテロ芳香族系を含み、前記環の少なくとも１つは、ヘテロアリールであり、例えば、他の環は、シクロアルキル、シクロアルケニル、アリール、ヘテロ環、及び／又はヘテロアリールであることができる。更に、前記ヘテロアリールは、置換されていてもよい。

前記アルキル、前記シクロアルキル、前記アルケニル、前記アルキニル、前記アラルキル、前記ヘテロ環、前記アリール、及び前記ヘテロアリールは、水素、重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、環状アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ及びこれらの組合せから選択される１つ以上の置換基で置換されていてもよい。

本明細書において、「置換（された）」は、Ｈ以外の置換基が炭素等の関連している位置に結合していることを示す。したがって、例えば、Ｒ^１が一置換である場合、Ｒ^１はＨ以外でなくてはならない。同様に、Ｒ^１が二置換である場合、Ｒ^１のうちの２つは、Ｈ以外でなくてはならない。同様に、Ｒ^１が無置換である場合、Ｒ^１は全ての置換位置において水素である。

本明細書において記述されるフラグメント、例えば、アザ−ジベンゾフラン、アザ−ジベンゾチオフェン等の中の「アザ」という名称は、各フラグメント中のＣ−Ｈ基の１つ以上が窒素原子に置き換わることができることを意味し、例えば、何ら限定するものではないが、アザトリフェニレンは、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリンとジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリンのいずれをも包含する。当業者であれば、上述のアザ誘導体の他の窒素アナログを容易に想像することができ、このようなアナログ全てが本明細書に記載の前記用語によって包含されることが意図される。

分子フラグメントが置換基として記述される、又は他の部分に結合されているものとして記述される場合、その名称は、フラグメント（例えば、フェニル、フェニレン、ナフチル、ジベンゾフリル）又は分子全体（ベンゼン、ナフタレン、ジベンゾフラン）であるように記載されることがあることを理解されたい。本明細書においては、置換基又は結合フラグメントの表示の仕方が異なっていても、これらは、等価であると考える。

下記の式１で表される構造を有する化合物が記載される。
式１で表される構造において、
Ｒ^５は、下記：
又は、
であり、
（ａ）Ｒ^１〜Ｒ^４の少なくとも１つは、下記であるか；
又は、
（ｂ）Ｒ^１は、下記であり、
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ａ^１、Ａ^２、Ａ^３、Ａ^４、Ａ^５、Ａ^６、Ａ^７、Ａ^８、Ａ^９、Ａ^１０、Ｂ^１、Ｂ^２、Ｂ^３、Ｂ^４、Ｂ^５、Ｂ^６、Ｂ^７、Ｂ^８、Ｂ^９、Ｂ^１０、Ｙ^１、Ｙ^２、Ｙ^３、Ｙ^４、Ｙ^５、Ｙ^６、Ｙ^７、Ｙ^８、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４、Ｚ^５、Ｚ^６、Ｚ^７、及びＺ^８は、それぞれ独立して、水素、重水素、ハライド、アルキル、ハロアルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、チオアルコキシ、アリールオキシ、チオアリールオキシ、アミノ、アリールアミノ、ジアリールアミノ、カルバゾリル、シリル、ハロシリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ、−Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１、−Ｓｉ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−ＯＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＳＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、及びこれらの組合せからなる群から選択され；
隣接するＡ、Ｂ、Ｙ、及びＺ基は、結合して縮合環構造を形成してもよく；
Ｘは、−Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１、−Ｓｉ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−ＯＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、及び−ＳＣ_ｍＦ_２ｍ＋１からなる群から選択されるアクセプター基を含み、
ｍ＞１である。

幾つかの実施形態においては、Ａ^５及びＡ^６は、結合して縮合環を形成せず、他の実施形態においては、Ａ^５及びＡ^６は、結合して縮合環を形成する。幾つかの実施形態においては、Ｂ^５及びＢ^６は、結合して縮合環を形成せず、他の実施形態においては、Ｂ^５及びＢ^６は、結合して縮合環を形成する。

幾つかの実施形態においては、Ｒ^５は下記であり、
Ｒ^１〜Ｒ^４の少なくとも１つは、下記である。
幾つかの実施形態においては、Ｒ^１〜Ｒ^４の少なくとも２つは、下記である。
幾つかの実施形態においては、Ｒ^１〜Ｒ^４の少なくとも３つは、下記であり、
他の実施形態においては、Ｒ^１〜Ｒ^４のいずれも下記である。

幾つかの実施形態においては、Ｒ^１〜Ｒ^４の少なくとも１つは、−Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１、−Ｓｉ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−ＯＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、及び−ＳＣ_ｍＦ_２ｍ＋１からなる群から選択されるアクセプター基を含む。幾つかの実施形態においては、Ｒ^１〜Ｒ^４の少なくとも２つは、−Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１、−Ｓｉ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−ＯＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、及び−ＳＣ_ｍＦ_２ｍ＋１からなる群から選択されるアクセプター基を含む。幾つかの実施形態においては、Ｒ^１〜Ｒ^４の少なくとも３つは、−Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１、−Ｓｉ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−ＯＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、及び−ＳＣ_ｍＦ_２ｍ＋１からなる群から選択されるアクセプター基を含む。

幾つかの実施形態においては、Ｒ^１〜Ｒ^４の少なくとも１つは、少なくとも０．０５のハメット値（σ_ｐａｒａ）を有する電子吸引性基である。幾つかの実施形態においては、Ｒ^１〜Ｒ^４の少なくとも２つは、少なくとも０．０５のハメット値（σ_ｐａｒａ）を有する電子吸引性基である。幾つかの実施形態において、Ｒ^１〜Ｒ^４の少なくとも３つは、少なくとも０．０５のハメット値（σ_ｐａｒａ）を有する電子吸引性基である。

幾つかの実施形態においては、前記化合物は、下記からなる群から選択される。
本明細書において、Ｃｚは、下記である。

幾つかの実施形態においては、Ｒ^５は下記であり、
Ｒ^１は、下記である。
幾つかの実施形態においては、Ａ^５及びＡ^６は、単結合によって結合されている。幾つかの実施形態においては、Ｂ^５及びＢ^６は、単結合によって結合されている。

幾つかのこのような実施形態においては、Ｒ^２〜Ｒ^４の少なくとも１つは、−Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１、−Ｓｉ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−ＯＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、及び−ＳＣ_ｍＦ_２ｍ＋１からなる群から選択されるアクセプター基を含む。幾つかの実施形態においては、Ｒ^２〜Ｒ^４の少なくとも２つは、−Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１、−Ｓｉ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−ＯＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、及び−ＳＣ_ｍＦ_２ｍ＋１からなる群から選択されるアクセプター基を含む。幾つかの実施形態においては、Ｒ^２〜Ｒ^４の少なくとも３つは、−Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１、−Ｓｉ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−ＯＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、及び−ＳＣ_ｍＦ_２ｍ＋１からなる群から選択されるアクセプター基を含む。

幾つかの実施形態においては、Ｒ^２〜Ｒ^４の少なくとも１つは、下記である。
幾つかの実施形態においては、Ｒ^２〜Ｒ^４の少なくとも２つは、下記である。
幾つかの実施形態においては、Ｒ^２〜Ｒ^４のいずれの３つも、下記である。

幾つかの実施形態においては、Ｒ^２〜Ｒ^４の少なくとも１つは、少なくとも０．０５のハメット値（σ_ｐａｒａ）を有する電子吸引性基である。幾つかの実施形態においては、Ｒ^２〜Ｒ^４の少なくとも２つは、少なくとも０．０５のハメット値（σ_ｐａｒａ）を有する電子吸引性基である。幾つかの実施形態においては、Ｒ^２〜Ｒ^４の少なくとも３つは、少なくとも０．０５のハメット値（σ_ｐａｒａ）を有する電子吸引性基である。

幾つかの更に具体的な実施形態においては、前記化合物は、下記からなる群から選択される。
本明細書において、Ｃｚは、下記である。

本開示の他の態様によれば、第１のデバイスも提供される。前記第１のデバイスは、第１の有機発光デバイスを含み、前記第１の有機発光デバイスは、アノードと、カソードと、前記アノード及び前記カソードの間に配置される有機層とを含むことができる。前記有機層は、下記の式２で表される構造を有する第１の発光化合物を含むことができる。
式２で表される前記化合物において、
環Ａは、芳香族環又は芳香族複素環であり；
ｎは、０又は１であり；
ｎが０の場合、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、及びＸ^５は、独立して、ＣＲ、Ｎ、ＮＲ、Ｏ、Ｓ、及びＳｅからなる群から選択され、Ｘ^１〜Ｘ^５の少なくとも１つは、ＣＲであり；
ｎが１の場合、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｘ^５、及びＸ^６は、独立して、ＣＲ及びＮからなる群から選択され、Ｘ^１〜Ｘ^６の少なくとも１つは、ＣＲであり；
各Ｒは、独立して、水素、重水素、ハライド、アルキル、ハロアルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、チオアルコキシ、アリールオキシ、チオアリールオキシ、アミノ、アリールアミノ、ジアリールアミノ、カルバゾリル、シリル、ハロシリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ、−Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１、−Ｓｉ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−ＯＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＳＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、及びこれらの組合せからなる群から選択され、
隣接するＲ基は、結合して縮合環構造を形成してもよく；
ｍ＞１であり；
少なくとも１つのＲ基は、少なくとも１つの電子供与性窒素を有するドナー基を含み；
少なくとも１つのＲ基は、−Ｆ、−Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１、−Ｓｉ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−ＯＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、及び−ＳＣ_ｍＦ_２ｍ＋１からなる群から選択されるアクセプター基を含む。

幾つかの実施形態においては、少なくとも２つのＲ基は、少なくとも１つの電子供与性窒素を有するドナー基を含む。幾つかの実施形態においては、少なくとも３つのＲ基は、少なくとも１つの電子供与性窒素を有するドナー基を含み、少なくとも４つのＲ基は、少なくとも１つの電子供与性窒素を有するドナー基を含み、又は、少なくとも５つのＲ基は、少なくとも１つの電子供与性窒素を有するドナー基を含む。幾つかの実施形態においては、少なくとも１つの電子供与性窒素を含むドナー基は、カルバゾールである。

幾つかの実施形態においては、少なくとも２つのＲ基は、−Ｆ、−Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１、−Ｓｉ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−ＯＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、及び−ＳＣ_ｍＦ_２ｍ＋１からなる群から選択されるアクセプター基を含む。幾つかの実施形態においては、少なくとも３つのＲ基、少なくとも４つのＲ基、又は少なくとも５つのＲ基は、−Ｆ、−Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１、−Ｓｉ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−ＯＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、及び−ＳＣ_ｍＦ_２ｍ＋１からなる群から選択されるアクセプター基を含む。

幾つかの実施形態においては、ｎ＝１であり、Ｘ^１〜Ｘ^６の少なくとも２つは、ＣＲであり、少なくとも２つのＲ基は、独立して、−Ｆ、−Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１、−Ｓｉ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−ＯＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、及び−ＳＣ_ｍＦ_２ｍ＋１からなる群から選択される。幾つかの実施形態においては、ｎ＝１であり、Ｘ^１〜Ｘ^６の少なくとも２つは、ＣＲであり、少なくとも１つのＲ基は、−Ｆ、−Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１、−Ｓｉ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−ＯＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、及び−ＳＣ_ｍＦ_２ｍ＋１からなる群から選択され、少なくとも１つのＲは、少なくとも０．０５のハメット値（σ_ｐａｒａ）を有する電子吸引性基である。

幾つかの実施形態において、前記発光層中の前記化合物は、式１の構造で表される化合物及び本明細書に記載されているその具体化合物である。ただし、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｙ^１、Ｙ^２、Ｙ^３、Ｙ^４、Ｙ^５、Ｙ^６、Ｙ^７、Ｙ^８、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４、Ｚ^５、Ｚ^６、Ｚ^７、及びＺ^８に示されている他の置換基に加えて、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｙ^１、Ｙ^２、Ｙ^３、Ｙ^４、Ｙ^５、Ｙ^６、Ｙ^７，Ｙ^８、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４、Ｚ^５、Ｚ^６、Ｚ^７、及びＺ^８のそれぞれも、独立して、−Ｆであることができる。

幾つかの実施形態において、式２で表される化合物は、下記からなる群から選択される。
本明細書において、Ｃｚは、下記である。

幾つかの実施形態においては、前記化合物は、式２で表される２つの構造を含み、前記２つの構造は一緒に結合されている。幾つかの実施形態においては、前記式２で表される２つの構造は、縮合環の一部である。

幾つかの実施形態においては、少なくとも１つのＲ基は、下記の式３で表される構造を含む。
式中、Ｒ’、Ｒ’’、及びＲ’’’は、独立して、アリール又はヘテロアリールである。幾つかの実施形態においては、Ｒ’’及びＲ’’’の少なくとも１つは、式２で表される構造を含む。

幾つかの実施形態においては、電圧を前記有機発光デバイスに印加すると、前記第１のデバイスは、室温でルミネセンス発光を放ち、前記ルミネセンス発光は、遅延蛍光プロセスを含む。

幾つかの実施形態においては、前記発光層は、更にホスト材料を含む。幾つかの実施形態においては、前記発光層は、更に第１のリン光発光材料を含む。幾つかの実施形態においては、前記発光層は、第２のリン光発光材料も含む。幾つかの実施形態においては、電圧が前記有機発光デバイスに印加されると、前記第１のデバイスは、室温で白色光を発光する。

幾つかの実施形態においては、式２で表される構造を有する化合物は、約４００ｎｍ〜約５００ｎｍのピーク波長を有する青色光を発する。幾つかの実施形態においては、式２で表される構造を有する化合物は、約５３０ｎｍ〜約５８０ｎｍのピーク波長を有する黄色光を発光する。

本開示の更に他の態様によれば、式１で表される化合物を含む組成物が記載される。前記組成物は、本明細書中に開示されている溶媒、ホスト、ホール注入材料、ホール輸送材料、及び電子輸送層材料からなる群から選択される１つ以上の成分を含むことができる。他の材料との組合せ

有機発光デバイス中の特定の層に有用として本明細書において記述されている材料は、デバイス中に存在する多種多様な他の材料と組み合わせて使用され得る。例えば、本明細書において開示されている発光性ドーパントは、多種多様なホスト、輸送層、ブロッキング層、注入層、電極、及び存在し得る他の層と併せて使用され得る。以下で記述又は参照される材料は、本明細書において開示されている化合物と組み合わせて有用となり得る材料の非限定的な例であり、当業者であれば、組み合わせて有用となり得る他の材料を特定するための文献を容易に閲覧することができる。
ＨＩＬ／ＨＴＬ：

本発明の実施形態において使用される正孔注入／輸送材料は特に限定されず、その化合物が正孔注入／輸送材料として典型的に使用されるものである限り、任意の化合物を使用してよい。材料の例は、フタロシアニン又はポルフィリン誘導体；芳香族アミン誘導体；インドロカルバゾール誘導体；フッ化炭化水素を含有するポリマー；伝導性ドーパントを持つポリマー；ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等の導電性ポリマー；ホスホン酸及びシラン誘導体等の化合物に由来する自己集合モノマー；ＭｏＯ_ｘ等の金属酸化物誘導体；１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル等のｐ型半導体有機化合物；金属錯体、並びに架橋性化合物を含むがこれらに限定されない。

ＨＩＬ又はＨＴＬ中に使用される芳香族アミン誘導体の例は、下記の一般構造を含むがこれらに限定されない。

Ａｒ^１からＡｒ^９のそれぞれは、ベンゼン、ビフェニル、トリフェニル、トリフェニレン、ナフタレン、アントラセン、フェナレン、フェナントレン、フルオレン、ピレン、クリセン、ペリレン、アズレン等の芳香族炭化水素環式化合物からなる群；ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ピリジルインドール、ピロロジピリジン、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、オキサトリアゾール、ジオキサゾール、チアジアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、オキサジン、オキサチアジン、オキサジアジン、インドール、ベンズイミダゾール、インダゾール、インドキサジン、ベンゾオキサゾール、ベンズイソオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、イソキノリン、シンノリン、キナゾリン、キノキサリン、ナフチリジン、フタラジン、プテリジン、キサンテン、アクリジン、フェナジン、フェノチアジン、フェノキサジン、ベンゾフロピリジン、フロジピリジン、ベンゾチエノピリジン、チエノジピリジン、ベンゾセレノフェノピリジン及びセレノフェノジピリジン等の芳香族複素環式化合物からなる群；並びに芳香族炭化水素環式基及び芳香族複素環式基から選択される同じ種類又は異なる種類の基である２から１０個の環式構造単位からなる群から選択され、且つ、直接的に、又は酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子、鎖構造単位及び脂肪族環式基の少なくとも１つを介して、互いに結合している。ここで、各Ａｒは、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ及びこれらの組み合わせからなる群から選択される置換基によって更に置換されている。

一態様において、Ａｒ^１からＡｒ^９は、
からなる群から独立に選択される。
式中、ｋは１から２０までの整数であり；Ｘ^１０１からＸ^１０８はＣ（ＣＨを含む）又はＮであり；Ｚ^１０１はＮＡｒ^１、Ｏ、又はＳであり；Ａｒ^１は、上記で定義したものと同じ基を有する。

ＨＩＬ又はＨＴＬ中に使用される金属錯体の例は、下記の一般式を含むがこれに限定されない。
式中、Ｍｅｔは、４０より大きい原子量を有し得る金属であり；（Ｙ^１０１−Ｙ^１０２）は二座配位子であり、Ｙ^１０１及びＹ^１０２は、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｐ及びＳから独立に選択され；Ｌ^１０１は補助配位子であり；ｋ’は、１から金属に付着し得る配位子の最大数までの整数値であり；且つ、ｋ’＋ｋ’’は、金属に付着し得る配位子の最大数である。

一態様において、（Ｙ^１０１−Ｙ^１０２）は２−フェニルピリジン誘導体である。別の態様において、（Ｙ^１０１−Ｙ^１０２）はカルベン配位子である。別の態様において、Ｍｅｔは、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｏｓ及びＺｎから選択される。更なる態様において、金属錯体は、Ｆｃ^＋／Ｆｃカップルに対して、溶液中で約０．６Ｖ未満の最小酸化電位を有する。
ホスト：

本発明の有機ＥＬデバイスの発光層は、発光材料として少なくとも金属錯体を含むことが好ましく、前記金属錯体をドーパント材料として用いるホスト材料を含んでいてもよい。前記ホスト材料の例は、特に限定されず、ホストの三重項エネルギーがドーパントのものより大きい限り、任意の金属錯体又は有機化合物を使用してよい。下記の表において、各色を発光するデバイスに好ましいホスト材料が分類されているが、三重項の基準が満たされれば、いずれのホスト材料もいずれのドーパントと共に用いてもよい。

ホスト材料として使用される金属錯体の例は、下記の一般式を有することが好ましい。
式中、Ｍｅｔは金属であり；（Ｙ^１０３−Ｙ^１０４）は二座配位子であり、Ｙ^１０３及びＹ^１０４は、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｐ及びＳから独立に選択され；Ｌ^１０１は他の配位子であり；ｋ’は、１から金属に付着し得る配位子の最大数までの整数値であり；且つ、ｋ’＋ｋ’’は、金属に付着し得る配位子の最大数である。

一態様において、金属錯体は、下記の錯体である。
式中、（Ｏ−Ｎ）は、原子Ｏ及びＮに配位された金属を有する二座配位子である。

別の態様において、Ｍｅｔは、Ｉｒ及びＰｔから選択される。更なる態様において、（Ｙ^１０３−Ｙ^１０４）はカルベン配位子である。

ホスト材料として使用される有機化合物の例は、ベンゼン、ビフェニル、トリフェニル、トリフェニレン、ナフタレン、アントラセン、フェナレン、フェナントレン、フルオレン、ピレン、クリセン、ペリレン、アズレン等の芳香族炭化水素環式化合物からなる群；ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ピリジルインドール、ピロロジピリジン、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、オキサトリアゾール、ジオキサゾール、チアジアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、オキサジン、オキサチアジン、オキサジアジン、インドール、ベンズイミダゾール、インダゾール、インドキサジン、ベンゾオキサゾール、ベンズイソオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、イソキノリン、シンノリン、キナゾリン、キノキサリン、ナフチリジン、フタラジン、プテリジン、キサンテン、アクリジン、フェナジン、フェノチアジン、フェノキサジン、ベンゾフロピリジン、フロジピリジン、ベンゾチエノピリジン、チエノジピリジン、ベンゾセレノフェノピリジン及びセレノフェノジピリジン等の芳香族複素環式化合物からなる群；並びに芳香族炭化水素環式基及び芳香族複素環式基から選択される同じ種類又は異なる種類の基であり、且つ、直接的に、又は酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子、鎖構造単位及び脂肪族環式基の少なくとも１つを介して互いに結合している２から１０個の環式構造単位からなる群から選択される。各基は、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される置換基によって更に置換されている。

一態様において、ホスト化合物は、分子中に下記の群の少なくとも１つを含有する。
式中、Ｒ^１０１からＲ^１０７は、独立して、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ及びこれらの組み合わせからなる群から選択され、それがアリール又はヘテロアリールである場合、上記で言及したＡｒのものと同様の定義を有する。ｋは０から２０又は１から２０までの整数であり；ｋ’’’は、０から２０までの整数である。Ｘ^１０１からＸ^１０８はＣ（ＣＨを含む）又はＮから選択される。Ｚ^１０１及びＺ^１０２はＮＲ^１０１、Ｏ、又はＳである。
ＨＢＬ：

正孔ブロッキング層（ＨＢＬ）を使用して、発光層から出る正孔及び／又は励起子の数を低減させることができる。デバイスにおけるそのようなブロッキング層の存在は、ブロッキング層を欠く同様のデバイスと比較して大幅に高い効率をもたらし得る。また、ブロッキング層を使用して、発光をＯＬＥＤの所望の領域に制限することもできる。

一態様において、前記ＨＢＬ中に使用される前記化合物は、上述したホストとして使用されるものと同じ分子を含有する。

別の態様において、前記ＨＢＬ中に使用される前記化合物は、分子中に下記の群の少なくとも１つを含有する。
式中、ｋは１から２０までの整数であり；Ｌ^１０１は他の配位子であり、ｋ’は１から３までの整数である。
ＥＴＬ：

電子輸送層（ＥＴＬ）は、電子を輸送することができる材料を含み得る。電子輸送層は、真性である（ドープされていない）か、又はドープされていてよい。ドーピングを使用して、伝導性を増強することができる。ＥＴＬ材料の例は特に限定されず、電子を輸送するために典型的に使用されるものである限り、任意の金属錯体又は有機化合物を使用してよい。

一態様において、前記ＥＴＬ中に使用される前記化合物は、分子中に下記の群の少なくとも１つを含有する。
式中、Ｒ^１０１は、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ及びこれらの組み合わせからなる群から選択され、それがアリール又はヘテロアリールである場合、上記で言及したＡｒのものと同様の定義を有する。Ａｒ^１からＡｒ^３は、上記で言及したＡｒのものと同様の定義を有する。ｋは１から２０までの整数である。Ｘ^１０１からＸ^１０８はＣ（ＣＨを含む）又はＮから選択される。

別の態様において、前記ＥＴＬ中に使用される金属錯体は、下記の一般式を含有するがこれらに限定されない。
式中、（Ｏ−Ｎ）又は（Ｎ−Ｎ）は、原子Ｏ、Ｎ又はＮ、Ｎに配位された金属を有する二座配位子であり；Ｌ^１０１は他の配位子であり；ｋ’は、１から金属に付着し得る配位子の最大数までの整数値である。

ＯＬＥＤデバイスの各層中に使用される任意の上記で言及した化合物において、水素原子は、部分的に又は完全に重水素化されていてよい。故に、メチル、フェニル、ピリジル等であるがこれらに限定されない任意の具体的に挙げられている置換基は、それらの重水素化されていない、部分的に重水素化された、及び完全に重水素化されたバージョンを包含する。同様に、アルキル、アリール、シクロアルキル、ヘテロアリール等であるがこれらに限定されない置換基のクラスは、それらの重水素化されていない、部分的に重水素化された、及び完全に重水素化されたバージョンも包含する。

本明細書において開示されている材料に加えて且つ／又はそれらと組み合わせて、多くの正孔注入材料、正孔輸送材料、ホスト材料、ドーパント材料、励起子／正孔ブロッキング層材料、電子輸送及び電子注入材料がＯＬＥＤにおいて使用され得る。ＯＬＥＤ中で本明細書において開示されている材料と組み合わせて使用され得る材料の非限定的な例を、以下の表Ａに収載する。表Ａは、材料の非限定的なクラス、各クラスについての化合物の非限定的な例、及び該材料を開示している参考文献を収載する。

化合物１４の合成
カルバゾール（５．３ｇ、３２．０ｍｍｏｌ）及び水素化ナトリウム（１．９ｇ、４７．０ｍｍｏｌ）を５０ｍＬの乾燥（即ち、無水）ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）中で混合した。溶液を１時間室温で撹拌した。オクタフルオロトルエン（０．５ｇ、２．２ｍｍｏｌ）を溶液に添加した。その後、混合物を窒素下で３日間撹拌した。反応混合物を水に注ぎ、沈殿物を濾過した。その後、残渣をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）：ヘプタン（１：３、ｖ／ｖ）中で懸濁し、１時間加熱した。冷却し、濾過により淡黄色の固体として１．３ｇ（６１％）の化合物１４を得た。
化合物１２の合成

カルバゾール（２．９ｇ、１７ｍｍｏｌ）及び水素化ナトリウム（１ｇ、２５ｍｍｏｌ）を３０ｍＬの乾燥ＤＭＦ中で混合した。溶液を室温で１時間撹拌した。その後、２，３，４，５−テトラフルオロベンゾトリフルオリド（０．３８ｇ、１．７ｍｍｏｌ）を混合物に添加した。混合物を窒素下で３日間撹拌した。反応混合物を水に注ぎ、沈殿物を濾過した。その後、残渣をＴＨＦ：ヘプタン（１：３、ｖ／ｖ）中で懸濁し、１時間加熱した。冷却し、濾過により白色固体として１．０ｇ（７１％）の化合物１２を得た。
化合物１１の合成

カルバゾール（２．９ｇ、１７ｍｍｏｌ）及び水素化ナトリウム（１ｇ、２５ｍｍｏｌ）を３０ｍＬの乾燥ＤＭＦ中で混合した。溶液を室温で１時間撹拌した。その後、２，３，５，６−テトラフルオロベンゾトリフルオリド（０．３８ｇ、１．７ｍｍｏｌ）を混合物に添加した。混合物を窒素下で３日間撹拌した。反応混合物を水に注ぎ、沈殿物を濾過した。その後、残渣をＴＨＦ：ヘプタン（１：３、ｖ／ｖ）中で懸濁し、１時間加熱した。冷却し、濾過により白色固体として１．０ｇ（７１％）の化合物１２を得た。
化合物３２の合成

カルバゾール（０．５３ｇ、３．２ｍｍｏｌ）及び水素化ナトリウム（０．２ｇ、４．７ｍｍｏｌ）を１０ｍＬの乾燥ＤＭＦ中で混合した。溶液を室温で１時間撹拌した。その後、１，５−ジクロロ−２，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン（０．３ｇ、１．１ｍｍｏｌ）を混合物に添加した。混合物を窒素下で３日間撹拌した。反応混合物を水に注ぎ、沈殿物を濾過した。残渣をＴＨＦ：ヘプタン（１：３、ｖ／ｖ）中で懸濁し、１時間加熱した。冷却し、濾過により白色固体として０．３５ｇ（５９％）の化合物３２を得た。
化合物７４３の合成

Ｎ^１，Ｎ^１，Ｎ^４−トリフェニルベンゼン−１，４−ジアミン（１．０ｇ、３．０ｍｍｏｌ）及び１−ブロモ−３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン（１．１５ｇ、３．９ｍｍｏｌ）を７０ｍＬの乾燥キシレン中で混合した。溶液を窒素で１５分間バブルした。その後、Ｐｄ_２（ｄｂａ）_３（０．２９ｇ、０．３２ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（０．５８ｇ、１．２０ｍｍｏｌ）、及び^ｔＢｕＯＮａ（０．４４ｇ、４．５０ｍｍｏｌ）を溶液に添加した。混合物を窒素下で一晩還流した。冷却後、反応混合物をセライト／シリカのパッドに通して濾過し、濾液を濃縮した。その後、溶離液としてＤＣＭ：ヘキサン（１：４、ｖ／ｖ）を用いたカラムクロマトグラフィーで、残渣を精製した。１．３ｇ（８０％）の化合物７４３を回収した。
化合物２６２及び化合物７３６の合成

カルバゾール（１９．６ｇ、１１７．６ｍｍｏｌ）及び水素化ナトリウム（７．０ｇ、１７６．４ｍｍｏｌ）を３００ｍＬの乾燥１，２−ジメトキシエタン中で混合した。溶液を２時間撹拌し、１，２，３，４，５−ペンタフルオロ−６−イソチオシアネートベンゼン（２．０ｇ、７．８ｍｍｏｌ）を添加した。１週間、室温で窒素下において、混合物を撹拌した。反応混合物を水に注ぎ、沈殿物を濾過した。その後、溶離液としてヘキサン〜トルエン：ヘキサン（１：１、ｖ／ｖ）のグラジエントを用いるカラムクロマトグラフィーで残渣を精製した。１．９ｇ（２５％）の化合物２６２及び０．３ｇ（５％）の化合物７３６を回収した。
化合物２５４の合成

カルバゾール（４．０ｇ、２３．８ｍｍｏｌ）及び水素化ナトリウム（１．４ｇ、３５．７ｍｍｏｌ）を６０ｍＬの乾燥１，２−ジメトキシエタン中で混合した。溶液を２時間撹拌し、その後、１，３，５−トリフルオロ−２−イソチオシアネートベンゼン（０．５ｇ、２．６ｍｍｏｌ）を溶液に添加した。４日間、室温で窒素下において、混合物を撹拌した。反応混合物を水に注ぎ、沈殿物を濾過した。その後、溶離液としてヘキサンからトルエン：ヘキサン（１：１、ｖ／ｖ）へのグラジエントを用いたカラムクロマトグラフィーで残渣を精製した。５７ｍｇ（３％）の化合物２５４を単離した。

合成された化合物のフォトルミネセンス量子収率を表１（下記）にまとめる。

２−メチルＴＨＦ（２Ｍｅ−ＴＨＦ）、トルエン、及び３−メチルペンタン（３−ＭＰ）中のフォトルミネセンスデータを表２（下記）にまとめる。

２−メチルＴＨＦ（２Ｍｅ−ＴＨＦ）、トルエン、及び３−メチルペンタン中のフォトルミネセンスは、非極性溶媒から極性溶媒でかなりの赤色シフトを示し、発光の電荷移動性を示唆する。青色領域におけるＣＦ_３アクセプター化合物のＰＬＱＹは、５５％もの高さに達する。
デバイス実施例

ＯＬＥＤ実験において、デバイスはいずれも、高真空下（＜１０^−７Ｔｏｒｒ）における熱蒸着で作製した。アノード電極は、約８００Åの酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）である。カソードは、１０ÅのＬｉＦと、１０００ÅのＡｌとからなった。デバイスはいずれも、窒素グローブボックス（Ｈ_２Ｏ及びＯ_２は、＜１ｐｐｍ）中で、エポキシ樹脂で封止したガラス製の蓋で封入し、水分ゲッターをパッケージに入れた。

表３のデバイス実施例の有機積層体は、ＩＴＯ表面から順に、ホール注入層（ＨＴＬ）として１００ÅのＬＧ１０１、ホール輸送層（ＨＴＬ）として３００ÅのＴＡＰＣ、発光層（ＥＭＬ）として、１０％又は１５％のドーパント化合物１１、１２、又は１４をドープした３００ÅのｍＣＰ、又はドーパント化合物１１、１２、又は１４のそのもの（ｎｅａｔ）、ＥＴＬ２として０Å又は５０Åの化合物Ａ又はＢ、及びＥＴＬ１として４００ÅのＴｍＰｙＰＢ又はＬＧ２０１とからなる。

発光体として化合物１４を用いたデバイス３は、１００ｃｄ／ｍ^２で１０％、及び１００ｃｄ／ｍ^２で８．１％の外部量子効率を有する。結果は、ＯＬＥＤの発光体として強いアクセプターを有する電荷移動蛍光化合物は、遅延蛍光を経て三重項をとり込むことで、蛍光ＯＬＥＤの理論限界よりも高いデバイス効率につながることができることを実証する。

本明細書において記述されている種々の実施形態は、単なる一例としてのものであり、本発明の範囲を限定することを意図するものではないことが理解される。例えば、本明細書において記述されている材料及び構造の多くは、本発明の趣旨から逸脱することなく他の材料及び構造に置き換えることができる。したがって、特許請求されている通りの本発明は、当業者には明らかとなるように、本明細書において記述されている特定の例及び好ましい実施形態からの変形形態を含み得る。なぜ本発明が作用するのかについての種々の理論は限定を意図するものではないことが理解される。

米国特許第５，８４４，３６３号明細書 米国特許第６，３０３，２３８号明細書 米国特許第５，７０７，７４５号明細書 米国特許第７，２７９，７０４号明細書

１００ 有機発光デバイス
１１０ 基板
１１５ アノード
１２０ 正孔注入層
１２５ 正孔輸送層
１３０ 電子ブロッキング層
１３５ 発光層
１４０ 正孔ブロッキング層
１４５ 電子輸送層
１５０ 電子注入層
１５５ 保護層
１６０ カソード
１６２ 第一の導電層
１６４ 第二の導電層
１７０ バリア層
２００ 反転させたＯＬＥＤ、デバイス
２１０ 基板
２１５ カソード
２２０ 発光層
２２５ 正孔輸送層
２３０ アノード

Claims (15)

1. 下記の式１で表される構造を有することを特徴とする化合物。
   （式中、Ｒ^５は、下記：
   又は、
   であり、
   （ａ）Ｒ^１〜Ｒ^４の少なくとも１つは、下記である；
   又は、
   （ｂ）Ｒ^１は、下記であり、
   Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ａ^１、Ａ^２、Ａ^３、Ａ^４、Ａ^５、Ａ^６、Ａ^７、Ａ^８、Ａ^９、Ａ^１０、Ｂ^１、Ｂ^２、Ｂ^３、Ｂ^４、Ｂ^５、Ｂ^６、Ｂ^７、Ｂ^８、Ｂ^９、Ｂ^１０、Ｙ^１、Ｙ^２、Ｙ^３、Ｙ^４、Ｙ^５、Ｙ^６、Ｙ^７、Ｙ^８、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４、Ｚ^５、Ｚ^６、Ｚ^７、及びＺ^８は、それぞれ独立して、水素、重水素、ハライド、アルキル、ハロアルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、チオアルコキシ、アリールオキシ、チオアリールオキシ、アミノ、アリールアミノ、ジアリールアミノ、カルバゾリル、シリル、ハロシリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ、−Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１、−Ｓｉ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−ＯＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＳＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、及びこれらの組合せからなる群から選択され；
   隣接するＡ、Ｂ、Ｙ、及びＺ基は、結合して縮合環構造を形成してもよく；
   ｍ＞１であり；
   Ｘは、−Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１、−Ｓｉ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−ＯＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、及び−ＳＣ_ｍＦ_２ｍ＋１からなる群から選択されるアクセプター基を含む。）
2. Ｒ^５が下記であり、
   Ｒ^１〜Ｒ^４の少なくとも１つが下記である請求項１に記載の化合物。
   
3. Ｒ^１〜Ｒ^４の少なくとも２つが下記である請求項２に記載の化合物。
   
4. Ｒ^１〜Ｒ^４の少なくとも１つが−Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１、−Ｓｉ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−ＯＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、及び−ＳＣ_ｍＦ_２ｍ＋１からなる群から選択されるアクセプター基を含む請求項２に記載の化合物。
5. 下記からなる群から選択される請求項２に記載の化合物。
   （式中、Ｃｚは、下記である。）
   
6. Ｒ^５が下記であり、
   Ｒ^１が下記である請求項１に記載の化合物。
   
7. 下記からなる群から選択される請求項２に記載の化合物。
   （式中、Ｃｚは、下記である。）
   
8. 第１の有機発光デバイスを含む第１のデバイスであって、前記第１の有機発光デバイスは、
   アノードと、
   カソードと、
   前記アノードと前記カソードとの間に配置された有機層であって、前記発光層は、下記の式２で表される構造を有する第１の発光化合物を含むことを特徴とする第１のデバイス。
   （式中、環Ａは、芳香族環又は芳香族複素環であり；
   ｎは、０又は１であり；
   ｎが０の場合、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、及びＸ^５は、独立して、ＣＲ、Ｎ、ＮＲ、Ｏ、Ｓ、及びＳｅからなる群から選択され、Ｘ^１〜Ｘ^５の少なくとも１つはＣＲであり；
   ｎが１の場合、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｘ^５、及びＸ^６は、独立して、ＣＲ及びＮからなる群から選択され、Ｘ^１〜Ｘ^６の少なくとも１つは、ＣＲであり；
   各Ｒは、独立して、水素、重水素、ハライド、アルキル、ハロアルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、チオアルコキシ、アリールオキシ、チオアリールオキシ、アミノ、アリールアミノ、ジアリールアミノ、カルバゾリル、シリル、ハロシリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ、−Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１、−Ｓｉ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−ＯＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＳＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、及びこれらの組合せからなる群から選択され；
   隣接するＲ基は、結合して縮合環構造を形成してもよく；
   ｍ＞１であり；
   少なくとも１つのＲ基は、少なくとも１つの電子供与性窒素を有するドナー基を含み；
   少なくとも１つのＲ基は、−Ｆ、−Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１、−Ｓｉ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−ＯＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、及び−ＳＣ_ｍＦ_２ｍ＋１からなる群から選択されるアクセプター基を含む。）
9. 少なくとも２つのＲ基が少なくとも１つの電子供与性窒素を有するドナー基を含む請求項８に記載の第１のデバイス。
10. 少なくとも２つのＲ基が−Ｆ、−Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１、−Ｓｉ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−ＯＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、及び−ＳＣ_ｍＦ_２ｍ＋１からなる群から選択されるアクセプター基を含む請求項８に記載の第１のデバイス。
11. ｎ＝１であり、Ｘ^１〜Ｘ^６の少なくとも２つは、ＣＲであり、少なくとも２つのＲ基は、独立して、Ｆ、Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１、Ｓｉ_ｍＦ_２ｍ＋１、ＮＣＯ、ＮＣＳ、ＯＣＮ、ＳＣＮ、ＯＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、及びＳＣ_ｍＦ_２ｍ＋１からなる群から選択される請求項８に記載の第１のデバイス。
12. 化合物が下記の式１で表される構造を有する請求項８に記載の第１のデバイス。
    （式中、Ｒ^５は、下記であり、
    Ｒ^１〜Ｒ^４の少なくとも１つは、下記であり；
    Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｙ^１、Ｙ^２、Ｙ^３、Ｙ^４、Ｙ^５、Ｙ^６、Ｙ^７、Ｙ^８、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４、Ｚ^５、Ｚ^６、Ｚ^７、及びＺ^８は、それぞれ独立して、水素、重水素、ハライド、アルキル、ハロアルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、チオアルコキシ、アリールオキシ、チオアリールオキシ、アミノ、アリールアミノ、ジアリールアミノ、カルバゾリル、シリル、ハロシリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ、−Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１、−Ｓｉ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−ＯＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＳＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、及びこれらの組合せからなる群から選択され；
    隣接するＹ及びＺ基は、結合して縮合環構造を形成してもよく；
    Ｘは、−Ｆ、−Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１、−Ｓｉ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−ＯＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、及び−ＳＣ_ｍＦ_２ｍ＋１からなる群から選択されるアクセプター基を含む。）
13. 化合物が下記の式１で表される構造を有する請求項８に記載の第１のデバイス。
    （式中、Ｒ^１は、下記であり、
    Ｒ^５は、下記であり、
    Ｒ^２、Ｒ^３、Ａ^１、Ａ^２、Ａ^３、Ａ^４、Ａ^５、Ａ^６、Ａ^７、Ａ^８、Ａ^９、Ａ^１０、Ｂ^１、Ｂ^２、Ｂ^３、Ｂ^４、Ｂ^５、Ｂ^６、Ｂ^７、Ｂ^８、Ｂ^９、Ｂ^１０は、それぞれ独立して、水素、重水素、ハライド、アルキル、ハロアルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、チオアルコキシ、アリールオキシ、チオアリールオキシ、アミノ、アリールアミノ、ジアリールアミノ、カルバゾリル、シリル、ハロシリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ、−Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１、−Ｓｉ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−ＯＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＳＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、及びこれらの組合せからなる群から選択され、
    隣接するＲ、Ａ、及びＢ基は、結合して縮合環構造を形成してもよく；
    Ｘは、−Ｆ、−Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１、−Ｓｉ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−ＯＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、及び−ＳＣ_ｍＦ_２ｍ＋１である。）
14. 下記からなる群から選択される請求項８に記載の第１のデバイス。
    （式中、Ｃｚは、下記である。）
    
15. 下記の式１で表される構造を有する化合物を含むことを特徴とする組成物。
    （式中、Ｒ^５は、下記：
    又は、
    であり、
    （ａ）Ｒ^１〜Ｒ^４の少なくとも１つは、下記である；
    又は、
    （ｂ）Ｒ^１は、下記であり、
    Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ａ^１、Ａ^２、Ａ^３、Ａ^４、Ａ^５、Ａ^６、Ａ^７、Ａ^８、Ａ^９、Ａ^１０、Ｂ^１、Ｂ^２、Ｂ^３、Ｂ^４、Ｂ^５、Ｂ^６、Ｂ^７、Ｂ^８、Ｂ^９、Ｂ^１０、Ｙ^１、Ｙ^２、Ｙ^３、Ｙ^４、Ｙ^５、Ｙ^６、Ｙ^７、Ｙ^８、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４、Ｚ^５、Ｚ^６、Ｚ^７、及びＺ^８は、それぞれ独立して、水素、重水素、ハライド、アルキル、ハロアルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、チオアルコキシ、アリールオキシ、チオアリールオキシ、アミノ、アリールアミノ、ジアリールアミノ、カルバゾリル、シリル、ハロシリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ、−Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１、−Ｓｉ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−ＯＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＳＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、及びこれらの組合せからなる群から選択され；
    隣接するＡ、Ｂ、Ｙ、及びＺ基は、結合して縮合環構造を形成してもよく；
    ｍ＞１であり；
    Ｘは、−Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１、−Ｓｉ_ｍＦ_２ｍ＋１、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−ＯＣ_ｍＦ_２ｍ＋１、及び−ＳＣ_ｍＦ_２ｍ＋１からなる群から選択されるアクセプター基を含む。）