JP2015126053A - 配線基板、配線基板の製造方法及び電子装置 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性の高い配線基板を実現する。
【解決手段】配線基板１は、コア基板１１の貫通孔１１ｃ内壁に設けられた導体１２と、その内側に設けられた樹脂１３と、導体１２上及び樹脂１３上に設けられた、例えばランド１４を含む。ランド１４上にはビア２２が設けられる。ビア２２は、ランド１４の、貫通孔１１ｃの導体１２と樹脂１３に跨る複数の接続領域２２ａに接続される。このような複数の接続領域２２ａに接続されるビア２２でランド１４を押さえ、樹脂１３のランド１４側への熱膨張、それによるランド１４の破断を抑制する。
【選択図】図１

Description

本発明は、配線基板、配線基板の製造方法及び電子装置に関する。

配線基板の１つに、所定の層や基板等の絶縁部を貫通しその絶縁部を挟んで設けられる配線やビア等の導体間を接続する導体部（スルーホール、ビア等と称される）を有するものが知られている。

このような導体部として、絶縁部を貫通する貫通孔の内壁にメッキ法等を用いて導体を形成した形態のものが知られている。また、このような形態の導体部に関し、貫通孔内壁の導体より内側の貫通孔内に樹脂を充填する技術、貫通孔内壁の導体とその内側に充填した樹脂を覆うように別の導体（ランド、配線、蓋メッキ等と称される）を設ける技術等が知られている。

特開２００２−２９００３１号公報 特開２００２−３０５３７７号公報 特開２００１−２４４６３５号公報

絶縁部の貫通孔内壁に導体を設けその内側に樹脂を設けた構造を有する配線基板では、用いられる材料、即ち、絶縁材料、導体材料及び樹脂材料に熱膨張率差がある。樹脂は比較的大きく熱膨張しその後の冷却で収縮するため、絶縁部の貫通孔内壁の導体とその内側の樹脂の上に更に別の導体を設ける場合、その導体に、貫通孔内の樹脂の膨張と収縮に起因して破断が生じる可能性がある。

本発明の一観点によれば、第１絶縁部と、前記第１絶縁部に設けられた第１貫通孔と、前記第１貫通孔の内壁に設けられた第１導体部と、前記第１導体部より内側の前記第１貫通孔内に設けられた第１樹脂部と、前記第１導体部上及び前記第１樹脂部上に設けられた第２導体部と、前記第２導体部上に設けられた第２絶縁部と、前記第２絶縁部内に設けられ、前記第２導体部の、前記第１導体部と前記第１樹脂部とに跨る複数の第１領域に接続された第３導体部とを含む配線基板が提供される。

また、本発明の一観点によれば、上記のような配線基板の製造方法、及び上記のような配線基板を備える電子装置が提供される。

開示の技術によれば、絶縁部の貫通孔内の樹脂部上に設けられる導体部の破断を抑制し、信頼性の高い配線基板を実現することが可能になる。また、そのような配線基板を備えた、信頼性の高い電子装置を実現することが可能になる。

配線基板の一例を示す図である。 別形態に係る配線基板の一例を示す図である。 別形態に係る配線基板の別例を示す図である。 配線基板の第１形成工程の説明図である。 配線基板の第２形成工程の説明図である。 配線基板の第３形成工程の説明図である。 配線基板の第４形成工程の説明図である。 配線基板の第５形成工程の説明図である。 配線基板の第６形成工程の説明図である。 レーザー照射装置を用いた貫通孔形成工程の説明図である。 レーザー照射装置を用いた貫通孔形成フローの例を示す図（その１）である。 レーザー照射装置を用いた貫通孔形成フローの例を示す図（その２）である。 ビアの配置例を示す図である。 異なるランド上のビアの配置例を示す図（その１）である。 異なるランド上のビアの配置例を示す図（その２）である。 異なるランド上のビアの配置例を示す図（その３）である。 上下層のビアの配置例を示す図（その１）である。 上下層のビアの配置例を示す図（その２）である。 配線基板の別例を示す図である。 電子装置の一例を示す図である。 電子装置の別例を示す図である。

図１は配線基板の一例を示す図である。図１には、配線基板の一例の要部断面を模式的に図示している。
図１には、配線基板１として、上下層の導体間がビアで接続されるビア接続構造１ａを有するビルドアップ基板を例示している。図１に示す配線基板１は、コア層１０と、コア層１０の両主面（上面及び下面）に設けられたビルドアップ層２０及びビルドアップ層３０とを有する。

コア層１０は、コア基板１１、導体（ビア）１２、樹脂１３、ランド１４及びランド１５を含む。
コア基板１１には、例えば、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、ビスマレイミドトリアジン基板等の有機系絶縁基板、又はセラミック基板等の無機系絶縁基板を用いることができる。コア基板１１には、その上面１１ａと下面１１ｂの間を貫通するように、貫通孔１１ｃが設けられる。

導体１２は、コア基板１１の貫通孔１１ｃの内壁に所定の厚みで設けられる。導体１２により、コア基板１１の上面１１ａ側と下面１１ｂ側が導通される。導体１２は、コア基板１１の上下に設けられる導体間（ランド１４等とランド１５等の間）を電気的に接続するビアとして機能する。導体１２には、各種導体材料を用いることができる。導体１２には、例えば、銅（Ｃｕ）を用いることができる。また、導体１２には、銅のほか、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等の導体材料を用いることもできる。

樹脂１３は、内壁に導体１２が設けられた貫通孔１１ｃの、その導体１２より内側の領域に、充填される。樹脂１３には、エポキシ樹脂等の樹脂材料を用いることができる。
ランド１４は、コア基板１１の上面１１ａ側に設けられる。ランド１４は、貫通孔１１ｃに設けられた樹脂１３及び導体１２の上、並びに貫通孔１１ｃ周辺部のコア基板１１の上に、設けられる。

ランド１５は、コア基板１１の下面１１ｂ側に設けられる。ランド１５は、貫通孔１１ｃに設けられた樹脂１３及び導体１２の下、並びに貫通孔１１ｃ周辺部のコア基板１１の下に、設けられる。

ランド１４及びランド１５は、貫通孔１１ｃに設けられた樹脂１３及び導体１２を覆い、導体１２に電気的に接続される。ランド１４及びランド１５には、各種導体材料を用いることができる。ランド１４及びランド１５には、例えば、銅を用いることができる。

ランド１４及びランド１５は、例えば、平面円形状等の孤立した島状パターンとされる。或いは、ランド１４及びランド１５は、コア基板１１の上面１１ａ及び下面１１ｂに設けられる所定パターンの配線の一部であってもよい。

コア層１０の上面（コア基板１１の上面１１ａ）側に設けられるビルドアップ層２０は、絶縁層２１、複数のビア２２、及びランド２３を含む。
絶縁層２１は、コア基板１１の上面１１ａに、ランド１４を覆うように設けられる。絶縁層２１には、例えば、ガラスフィラー、ガラス繊維、炭素繊維等を含有する、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂材料（プリプレグ）を用いることができる。

複数のビア２２はそれぞれ、絶縁層２１の貫通孔２１ｃ内に設けられ、コア基板１１の貫通孔１１ｃに設けられた導体１２及び樹脂１３を覆っているランド１４に接続される。各ビア２２は、ランド１４との接続領域２２ａが、そのランド１４の、貫通孔１１ｃに設けられた導体１２と樹脂１３に跨る領域（導体１２と樹脂１３の境界が含まれる領域）に位置するように設けられ、ランド１４と電気的に接続される。

ランド２３は、絶縁層２１上に、複数のビア２２を覆うように設けられ、それら複数のビア２２と電気的に接続される。ランド２３は、例えば、平面円形状等の孤立した島状パターンとされる。或いは、ランド２３は、絶縁層２１上に設けられる所定パターンの配線の一部であってもよい。

絶縁層２１上には、絶縁層２４が設けられる。絶縁層２４には、例えば、絶縁層２１と同様に、プリプレグが用いられる。図１では図示を省略するが、絶縁層２４には、ビア、ランド、配線等が設けられ得る。

コア層１０の下面（コア基板１１の下面１１ｂ）側に設けられるビルドアップ層３０も同様に、絶縁層３１、複数のビア３２、及びランド３３を含む。
絶縁層３１は、コア基板１１の下面１１ｂに、ランド１５を覆うように設けられる。絶縁層３１には、例えば、プリプレグを用いることができる。

複数のビア３２はそれぞれ、絶縁層３１の貫通孔３１ｃ内に設けられ、コア基板１１の貫通孔１１ｃに設けられた導体１２及び樹脂１３を覆っているランド１５に接続される。各ビア３２は、ランド１５との接続領域３２ａが、そのランド１５の、貫通孔１１ｃに設けられた導体１２と樹脂１３に跨る領域（導体１２と樹脂１３の境界が含まれる領域）に位置するように設けられ、ランド１５と電気的に接続される。

ランド３３は、絶縁層３１下に、複数のビア３２を覆うように設けられ、それら複数のビア３２と電気的に接続される。ランド３３は、例えば、平面円形状等の孤立した島状パターンとされる。或いは、ランド３３は、絶縁層３１下に設けられる所定パターンの配線の一部であってもよい。

絶縁層３１下には、絶縁層３４が設けられる。絶縁層３４には、例えば、プリプレグが用いられ、図１では図示を省略するが、ビア、ランド、配線等が設けられ得る。
尚、図１には１つのビア接続構造１ａを例示するが、配線基板１には複数のビア接続構造１ａが含まれ得る。

配線基板１のビア接続構造１ａは、例えば、配線基板１に搭載される電子部品に電源を供給するための電源供給用として、或いは、配線基板１に搭載される電子部品をグランド（ＧＮＤ）に接続するためのＧＮＤ接続用として、用いることができる。

配線基板１のビア接続構造１ａでは、上記のように、上面１１ａ側のランド１４に、複数のビア２２が接続され、各ビア２２とランド１４の接続領域２２ａは、ランド１４の、貫通孔１１ｃに設けられた導体１２と樹脂１３に跨る領域に、位置する。下面１１ｂ側のランド１５には、複数のビア３２が接続され、各ビア３２とランド１５の接続領域３２ａは、ランド１５の、貫通孔１１ｃに設けられた導体１２と樹脂１３に跨る領域に、位置する。

配線基板１では、このようなビア接続構造１ａにより、コア基板１１、導体１２、ランド１４及びランド１５の熱膨張率に比べて、樹脂１３の熱膨張率が大きい場合でも、加熱時の樹脂１３の膨張が抑制される。即ち、配線基板１は、ランド１４及びランド１５が、貫通孔１１ｃに設けられた導体１２と樹脂１３に跨る領域を、それぞれ複数のビア２２及びビア３２で押さえられる構造となっていることで、樹脂１３のランド１４側及びランド１５側への熱膨張が抑制される。

ここで比較のため、別形態のビア接続構造を有する配線基板について述べる。図２は別形態に係る配線基板の一例を示す図である。図２には、別形態に係る配線基板の一例の要部断面を模式的に図示している。図２（Ａ）は加熱前の状態の一例を示す図、図２（Ｂ）は加熱後の状態の一例を示す図である。

図２（Ａ）に示すように、配線基板１００Ａは、コア層１０のランド１４及びランド１５にそれぞれ単一のビア１１０及びビア１２０が接続されたビア接続構造１００Ａａを有している点で、上記の配線基板１と相違する。

配線基板１００Ａでは、ランド１４の、樹脂１３の中央部上方の位置に、ビア１１０が接続され、ランド１５の、樹脂１３の中央部下方の位置に、ビア１２０が接続される。
ビア１１０は、例えば図２（Ａ）に示すように、ランド１４との接続領域１１０ａが、コア基板１１の貫通孔１１ｃ（それに充填される樹脂１３）よりも小さな平面サイズとなるように設けられる。ビア１２０は、例えば図２（Ａ）に示すように、ランド１５との接続領域１２０ａが、コア基板１１の貫通孔１１ｃ（それに充填される樹脂１３）よりも小さな平面サイズとなるように設けられる。ビア１１０（接続領域１１０ａ）、ビア１２０（接続領域１２０ａ）の平面サイズが、コア基板１１の貫通孔１１ｃ程度まで大きくなると、例えばビア１１０及びビア１２０をメッキ法で形成する際、長時間を要したり、内部にボイドが発生したりする恐れがある。

配線基板１００Ａでは、コア基板１１の貫通孔１１ｃに充填される樹脂１３の熱膨張率がコア基板１１等に比べて大きいと、配線基板１００Ａの加熱時に、例えば図２（Ｂ）に示すように、樹脂１３がランド１４側及びランド１５側に熱膨張し得る。

このような熱膨張が生じると、ランド１４の、ビア１１０との接続領域１１０ａと貫通孔１１ｃ内壁の導体１２との間の部位Ｐ、或いは、ランド１５の、ビア１２０との接続領域１２０ａと貫通孔１１ｃ内壁の導体１２との間の部位Ｑで、破断が生じる可能性がある。即ち、樹脂１３は、加熱により膨張してその後冷却されて収縮するが、加熱時に樹脂１３の膨張に伴って変形したランド１４、ランド１５が、全体的に冷却時の樹脂１３の収縮に追従できず、部位Ｐ、部位Ｑで破断してしまう場合がある。

ランド１４の部位Ｐ、ランド１５の部位Ｑで破断が生じると、コア基板１１の上面１１ａ側のビア１１０と下面１１ｂ側のビア１２０との間の、貫通孔１１ｃ内壁の導体１２を介した導通が不能になってしまう、或いは抵抗値が増大してしまう可能性がある。

一方、図３は別形態に係る配線基板の別例を示す図である。図３には、別形態に係る配線基板の別例の要部断面を模式的に図示している。
図３に示す配線基板１００Ｂは、樹脂１３を覆うランド１４から配線１３０で引き出されたランド１４０にビア１１０を接続し、樹脂１３を覆うランド１５から配線１５０で引き出されたランド１６０にビア１２０を接続した構造を有する。このように配線基板１００Ｂは、ランド１４の、樹脂１３の中央部上方から外れた位置に、ビア１１０を設け、ランド１５の、樹脂１３の中央部下方から外れた位置に、ビア１２０を設ける点で、上記図２に示した配線基板１００Ａと相違する。

この配線基板１００Ｂのような構造を採用した場合も、上記配線基板１００Ａで述べたのと同様に、加熱時に樹脂１３の膨張に伴って変形したランド１４、ランド１５が、全体的に冷却時の樹脂１３の収縮に追従できずに破断することは起こり得る。しかし、配線基板１００Ｂでは、樹脂１３を覆うランド１４、ランド１５が破断しても、コア基板１１上下のビア１１０とビア１２０との間の、導体１２を介した（即ちランド１４０、配線１３０、導体１２、配線１５０、ランド１６０による）導通は維持され得る。

但し、配線基板１００Ｂでは、ビア１１０、ビア１２０を樹脂１３の外側に引き出す配線１３０及びランド１４０、配線１５０及びランド１６０を設けることで、ビア１１０と導体１２の間、ビア１２０と導体１２の間の、抵抗値が上昇してしまう場合がある。また、ビア１１０、ビア１２０を樹脂１３の外側に引き出すことで、樹脂１３の上方、下方に設ける場合に比べて、ビア接続構造１００Ｂａの占有面積の増大、それを複数設ける場合にはそれらのピッチの増大を招き、インダクタンス値が上昇してしまう場合がある。このように配線基板１００Ｂでは、ビア１１０、ビア１２０をそれぞれ樹脂１３の上方、下方に設ける配線基板１００Ａに比べ、抵抗値やインダクタンス値といった電気特性の低下が生じる可能性がある。

これに対し、上記図１に示した配線基板１では、ランド１４の、導体１２と樹脂１３に跨る領域に、複数のビア２２を接続し、ランド１５の、導体１２と樹脂１３に跨る領域に、複数のビア３２を接続する。これら複数のビア２２及びビア３２によってそれぞれランド１４及びランド１５が押さえられる。

配線基板１では、ランド１４及びランド１５が、貫通孔１１ｃの樹脂１３の上方及び下方に対応する領域を、それぞれ複数のビア２２及びビア３２によって押さえられるため、加熱時の樹脂１３の膨張が抑制され、ランド１４及びランド１５の破断が抑制される。更に、ランド１４及びランド１５が、貫通孔１１ｃの導体１２の上方及び下方に対応する領域を、それぞれ複数のビア２２及びビア３２によって押さえられるため、ランド１４及びランド１５と導体１２との破断（剥離）も抑制される。ランド１４及びランド１５の、導体１２と樹脂１３に跨る領域に、それぞれ複数のビア２２及びビア３２を接続することで、樹脂１３の熱膨張を抑制し、樹脂１３の熱膨張に起因するランド１４及びランド１５の破断を抑制することができる。

また、複数のビア２２及びビア３２を、導体１２と樹脂１３に跨る領域に接続するため、樹脂１３を覆うランド１４及びランド１５との接続領域を配線等で樹脂１３の外側に引き出す場合に比べて、ビア接続構造１ａの占有面積が抑えられる。そのため、配線基板１では、ビア接続構造１ａを複数設ける場合のピッチの増大、抵抗値やインダクタンス値の上昇といった電気特性の低下を抑制することができる。更に、ビア接続構造１ａの占有面積が抑えられることで、配線基板１のサイズを小型にしたり、或いは、他の配線等の配置自由度を高めたりすることができる。

上記のようなビア接続構造１ａを採用することで、信頼性の高い配線基板１を実現することが可能になる。更に、ビア接続構造１ａの占有面積が小さく、良好な電気特性を有する配線基板１を実現することが可能になる。

尚、ここではコア基板１１の上面１１ａ側のランド１４と下面１１ｂ側のランド１５の双方にそれぞれ複数のビア２２とビア３２を接続するビア接続構造１ａを例示した。このほか、樹脂１３の上下のいずれか一方には樹脂１３を覆うようなランドが設けられないビア接続構造が採用される場合には、樹脂１３を覆うランドにのみ、そのランドの、導体１２と樹脂１３に跨る領域に、複数のビアを接続することが可能である。

また、配線基板１では、上記のようなビア接続構造１ａを採用し、更に、樹脂１３にシリカ（ＳｉＯ₂）やガラス等の絶縁性フィラー、金属等の導電性フィラーを含有させることもできる。例えば、所定の絶縁性フィラーを含有させることで、樹脂１３の熱膨張を抑制することが可能になり、所定の導電性フィラーを含有させることで、樹脂１３に導電性を付与することが可能になる。

続いて、配線基板１の形成方法の例について、以下の図４〜図９及び図１０〜図１８を参照して説明する。
図４は配線基板の第１形成工程の説明図である。図４（Ａ）は基板準備工程の一例の要部断面模式図、図４（Ｂ）は貫通孔形成工程の一例の要部断面模式図、図４（Ｃ）は導体形成工程の一例の要部断面模式図である。

まず、図４（Ａ）に示すような、上面１１ａ及び下面１１ｂに導体１２ａが設けられたコア基板１１を準備する。例えば、樹脂基板やセラミック基板といったコア基板１１の上面１１ａ及び下面１１ｂに、導体１２ａとして銅箔を張り付けた、両面銅張板（銅張積層板）を準備する。例えば、厚みが０．４ｍｍ〜０．８ｍｍのコア基板１１の上面１１ａ及び下面１１ｂに、厚みが０．０２ｍｍ〜０．０３ｍｍの導体１２ａを設けたものを準備する。

次いで、図４（Ｂ）に示すように、導体１２ａが設けられたコア基板１１の所定の位置（ここでは一例として２箇所）に、貫通孔１１ｃを形成する。貫通孔１１ｃは、例えば、形成する貫通孔１１ｃの開口サイズ（径）に相当する径のドリルを用い、導体１２ａが設けられたコア基板１１にドリルで孔開け加工を行うことで、形成する。例えば、所定の径のドリルを用い、開口径が０．１５ｍｍ〜０．２５ｍｍの貫通孔１１ｃを形成する。

ドリルを用いて貫通孔１１ｃを形成する際には、例えば、形成する配線基板１の仕様に基づき、導体１２ａが設けられたコア基板１１の、貫通孔１１ｃを形成する領域の中心座標に、用いるドリルの中心を合わせ、貫通孔１１ｃを形成する。

貫通孔１１ｃの形成後は、図４（Ｃ）に示すように、コア基板１１に形成した貫通孔１１ｃの内壁に、導体１２を形成する。例えば、無電解メッキ法を用いて、或いは無電解メッキ法と電解メッキ法を用いて、コア基板１１の貫通孔１１ｃの内壁に、導体１２を形成する。導体１２は、貫通孔１１ｃの内壁のほか、コア基板１１の上面１１ａ及び下面１１ｂの導体１２ａ（図４（Ａ）及び図４（Ｂ））上にも形成される。図４（Ｃ）では、便宜上、コア基板１１の上面１１ａ及び下面１１ｂの導体を、単層の導体１２で図示している。例えば、貫通孔１１ｃの内壁からの厚みが０．０１５ｍｍ〜０．０３０ｍｍとなるように、導体１２を形成する。

導体１２の形成により、コア基板１１の上面１１ａ側と下面１１ｂ側が導通する状態が得られる。
図５は配線基板の第２形成工程の説明図である。図５（Ａ）は樹脂配設工程の一例の要部断面模式図、図５（Ｂ）は研磨工程の一例の要部断面模式図である。

導体１２の形成後、図５（Ａ）に示すように、内壁に導体１２を形成した貫通孔１１ｃに、樹脂１３ａを設ける。樹脂１３ａには、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、又は紫外線硬化性樹脂を用いることができる。樹脂１３ａを、その種類に応じた方法で流動化して貫通孔１１ｃに供給し、その後、貫通孔１１ｃに供給された樹脂１３ａを、その種類に応じた方法で硬化する。この時点で貫通孔１１ｃに設けられる樹脂１３ａは、図５（Ａ）に示すように、貫通孔１１ｃの上方、下方に突出していても構わない。

図５（Ａ）には、貫通孔１１ｃの部分に選択的に樹脂１３ａが設けられている場合を例示するが、樹脂１３ａは、貫通孔１１ｃの部分のほか、コア基板１１の上面１１ａ及び下面１１ｂに設けられた導体１２を覆うように設けられてもよい。

貫通孔１１ｃに樹脂１３ａを設けた後は、図５（Ｂ）に示すように、貫通孔１１ｃの上方、下方に突出する樹脂１３ａ（樹脂１３ａが上面１１ａ及び下面１１ｂの導体１２を覆っている場合はその導体１２上の部分を含む）を除去し、平坦化する。例えば、コア基板１１の上面１１ａ及び下面１１ｂの導体１２に沿って研磨を行うことで、樹脂１３ａの不要な部分を除去する。

樹脂１３ａの配設及びその不要部分の除去により、導体１２が設けられたコア基板１１の貫通孔１１ｃに樹脂１３が充填された状態が得られる。
尚、後述のように、コア基板１１の貫通孔１１ｃの内壁に実際に設けられた導体１２の厚み（実測値）に基づき、絶縁層２１の貫通孔２１ｃ及び絶縁層３１の貫通孔３１ｃの形成領域を設定する方法を用いる場合がある。このような方法を用いる場合には、例えば、上記の図４（Ｃ）に示した導体１２の形成後、図５（Ａ）に示した樹脂１３ａの形成後、又は図５（Ｂ）に示した樹脂１３の形成後に、貫通孔１１ｃの内壁に実際に設けられている導体１２の厚みを測定する。

図６は配線基板の第３形成工程の説明図である。図６（Ａ）は導体形成工程の一例の要部断面模式図、図６（Ｂ）は導体パターニング工程の一例の要部断面模式図である。
樹脂１３の形成後、図６（Ａ）に示すように、コア基板１１の上面１１ａの導体１２上に導体１４ａを形成し、下面１１ｂの導体１２上に導体１５ａを形成する。例えば、無電解メッキ法を用いて、或いは無電解メッキ法と電解メッキ法を用いて、コア基板１１の上面１１ａ及び下面１１ｂの導体１２上に、それぞれ導体１４ａ及び導体１５ａを形成する（蓋メッキ処理）。導体１４ａ及び導体１５ａの形成により、コア基板１１の貫通孔１１ｃに設けられた樹脂１３は、その上端及び下端がそれぞれ導体１４ａ及び導体１５ａで覆われる。

導体１４ａ及び導体１５ａの形成後は、図６（Ｂ）に示すように、コア基板１１の上面１１ａの導体１２及び導体１４ａ、下面１１ｂの導体１２及び導体１５ａを、それぞれ所定の形状にパターニングする。例えば、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いてパターニングを行う。パターニングにより、上面１１ａ側に、貫通孔１１ｃに設けた導体１２及び樹脂１３と貫通孔１１ｃの周辺部とを覆うランド１４を形成し、下面１１ｂ側に、貫通孔１１ｃに設けた導体１２及び樹脂１３と貫通孔１１ｃの周辺部とを覆うランド１５を形成する。

図６（Ｂ）には、パターニングによってランド１４及びランド１５を形成する場合を例示するが、コア基板１１上には、このパターニングにより、図示しない所定の形状の配線及びランドが形成され得る。また、ランド１４、ランド１５は、図示しない配線の、その一部として、形成されてもよい。

ランド１４及びランド１５の形成により、図６（Ｂ）に示すような構造を有するコア層１０が得られる。
図７は配線基板の第４形成工程の説明図である。図７（Ａ）は絶縁層形成工程の一例の要部断面模式図、図７（Ｂ）は貫通孔形成工程の一例の要部断面模式図である。

上記図４〜図６に示したようにしてコア層１０を形成した後、図７（Ａ）に示すように、そのコア基板１１の上面１１ａ側及び下面１１ｂ側に、それぞれ１層目の絶縁層２１及び絶縁層３１を形成する。例えば、絶縁層２１及び絶縁層３１に用いるシート状のプリプレグを準備し、準備したプリプレグを、上記のようにしてランド１４及びランド１５等の形成まで行ったコア基板１１の上面１１ａ及び下面１１ｂに、それぞれラミネートする。その際は、例えば、コア基板１１にプリプレグを真空ラミネートし、その後、熱処理する。

このようにして、ランド１４及びランド１５等の形成まで行ったコア基板１１の上面１１ａ及び下面１１ｂに、それぞれ絶縁層２１及び絶縁層３１を形成する。
絶縁層２１及び絶縁層３１の形成後は、図７（Ｂ）に示すように、絶縁層２１に、ランド１４に通じる複数の貫通孔２１ｃを形成し、絶縁層３１に、ランド１５に通じる複数の貫通孔３１ｃを形成する。その際は、図７（Ｂ）のように、１つのランド１４につき複数の貫通孔２１ｃを形成し、１つのランド１５につき複数の貫通孔３１ｃを形成する。複数の貫通孔２１ｃは、ランド１４の、コア基板１１の貫通孔１１ｃに設けられた導体１２と樹脂１３に跨る領域に通じるように、形成する。複数の貫通孔３１ｃは、ランド１５の、コア基板１１の貫通孔１１ｃに設けられた導体１２と樹脂１３に跨る領域に通じるように、形成する。

ここでは一例として、１つのランド１４につき２つの貫通孔２１ｃが形成され、１つのランド１５につき２つの貫通孔３１ｃが形成される状態を図示している。貫通孔２１ｃ及び貫通孔３１ｃの配置（貫通孔２１ｃ及び貫通孔３１ｃに形成されるビア２２及びビア３２の配置）の詳細については後述する。

複数の貫通孔２１ｃ及び貫通孔３１ｃは、例えば、レーザーを絶縁層２１及び絶縁層３１に照射することで、形成する。レーザーには、炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー、ＵＶ（Ultra Violet）レーザー、ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）レーザー等を用いることができる。所定のレーザーを照射するレーザー照射装置を用いて、絶縁層２１の所定の位置に複数の貫通孔２１ｃを形成し、絶縁層３１の所定の位置に複数の貫通孔３１ｃを形成する。例えば、絶縁層２１及び絶縁層３１に、開口径が０．０４ｍｍ〜０．０６ｍｍの複数の貫通孔２１ｃ及び貫通孔３１ｃを形成する。

ここで、レーザー照射装置を用いた貫通孔形成について、図１０〜図１２を参照して説明する。図１０はレーザー照射装置を用いた貫通孔形成工程の説明図、図１１及び図１２はレーザー照射装置を用いた貫通孔形成フローの例を示す図である。

図１０に示すように、レーザー照射装置２００は、レーザー２００ａを照射する照射部２１０と、照射部２１０からのレーザー２００ａの照射（スポット位置等）を制御する制御部２２０とを備える。制御部２２０は、演算部２２１及び記憶部２２２を含む。演算部２２１は、照射部２１０から照射するレーザー２００ａのスポット位置等を演算する。記憶部２２２は、演算部２２１での演算に用いられる各種情報、演算部２２１で演算された各種情報が記憶される。例えば、記憶部２２２には、配線基板１の仕様、貫通孔１１ｃの中心Ｏ１の座標及び半径Ｒ１、樹脂１３の半径Ｒ２、導体１２の厚みＴ（設計値又は実測値）、導体１２と樹脂１３の境界Ｂの座標、レーザー２００ａのスポット中心Ｏ２等の情報が記憶される。制御部２２０には、１つ又は複数のプロセッサ、メモリ等を備えるコンピュータを用いることができる。

レーザー照射装置２００を用いて形成する複数の貫通孔２１ｃ及び貫通孔３１ｃの各形成領域（レーザー２００ａのスポット位置）は、コア基板１１の貫通孔１１ｃの内壁に設けられる導体１２の厚みＴに基づき、設定することができる。

例えば、レーザー照射装置２００が、形成する配線基板１の仕様に基づき、貫通孔１１ｃの中心Ｏ１の座標と半径Ｒ１（又は直径）を示す情報（設計情報）、及び貫通孔１１ｃの内壁に設ける導体１２の厚みＴの設計値を示す情報（設計情報）を取得する（図１１；ステップＳ１０）。尚、厚みＴの設計値は、形成する配線基板１の仕様或いは設計情報に含まれる、貫通孔１１ｃの半径Ｒ１（又は直径）と、樹脂１３の半径Ｒ２（又は直径）との差分を演算することで取得してもよい。

レーザー照射装置２００は、取得した設計情報を用いて、貫通孔１１ｃに設けられる導体１２と樹脂１３の境界Ｂの座標を示す情報（境界情報）を演算する（図１１；ステップＳ１１）。

レーザー照射装置２００は、演算した境界Ｂの座標を示す境界情報を用い、その境界Ｂを含む所定の領域に、レーザー２００ａのスポット位置を設定する（図１１；ステップＳ１２）。例えば、その境界Ｂ上に、レーザー２００ａのスポット中心Ｏ２を設定する。

レーザー照射装置２００は、このようにして設定されたスポット位置の情報に基づき、絶縁層２１及び絶縁層３１に対し、レーザー２００ａを照射する（図１１；ステップＳ１３）。

このような方法によって、絶縁層２１及び絶縁層３１にそれぞれ、ランド１４及びランド１５の、コア基板１１の貫通孔１１ｃに設けられた導体１２と樹脂１３に跨る領域に通じる、複数の貫通孔２１ｃ及び貫通孔３１ｃを形成することができる。

また別例として、導体１２の厚みＴの実測値を用いる方法もある。この場合は、まず、貫通孔１１ｃの内壁に実際に設けられた導体１２の厚みＴが測定される（図１２；ステップＳ２０）。

導体１２の実際の厚みＴは、上記の図４（Ｃ）、図５（Ａ）又は図５（Ｂ）に示したような工程後（導体１２の形成後で導体１４ａ及び導体１５ａの形成前）に測定することができる。例えば、貫通孔１１ｃの内壁に実際に設けられた導体１２の厚みＴを直接測定する方法を用いる。或いは、実際に導体１２を形成した後の貫通孔１１ｃに残る空洞部、又は貫通孔１１ｃ内に実際に設けられた樹脂１３の半径Ｒ２（又は直径）を測定し、貫通孔１１ｃの半径Ｒ１（又は直径）との差分から、間接的に導体１２の厚みＴを測定する方法を用いる。

レーザー照射装置２００は、形成する配線基板１の仕様に基づき、貫通孔１１ｃの中心Ｏ１の座標と半径Ｒ１（又は直径）を示す情報（設計情報）を取得し、ステップ２０で測定された導体１２の厚みＴの実測値を示す情報（実測情報）を取得する（図１２；ステップＳ２１）。

レーザー照射装置２００は、取得した設計情報及び実測情報を用いて、貫通孔１１ｃに設けられた導体１２と樹脂１３の境界Ｂの座標を示す情報（境界情報）を演算する（図１２；ステップＳ２２）。

レーザー照射装置２００は、演算した境界Ｂの座標を示す境界情報を用い、その境界Ｂを含む所定の領域に、レーザー２００ａのスポット位置を設定する（図１２；ステップＳ２３）。例えば、その境界Ｂ上に、レーザー２００ａのスポット中心Ｏ２を設定する。

レーザー照射装置２００は、このようにして設定されたスポット位置の情報に基づき、絶縁層２１及び絶縁層３１に対し、レーザー２００ａを照射する（図１２；ステップＳ２４）。

このような方法によっても、絶縁層２１及び絶縁層３１にそれぞれ、ランド１４及びランド１５の、コア基板１１の貫通孔１１ｃに設けられた導体１２と樹脂１３に跨る領域に通じる、複数の貫通孔２１ｃ及び貫通孔３１ｃを形成することができる。

ここでは、形成する配線基板１の仕様に基づいて、コア基板１１の、貫通孔１１ｃの中心Ｏ１の座標と半径Ｒ１（又は直径）を示す設計情報を取得するようにした。このほか、コア基板１１の貫通孔１１ｃの形成後、実際に形成された貫通孔１１ｃの中心Ｏ１、半径Ｒ１（又は直径）等を測定し、その実測値を用いて、レーザー２００ａのスポット位置を設定するようにしてもよい。

図８は配線基板の第５形成工程の説明図である。図８（Ａ）は導体形成工程の一例の要部断面模式図、図８（Ｂ）は導体パターニング工程の一例の要部断面模式図である。
絶縁層２１及び絶縁層３１にそれぞれ複数の貫通孔２１ｃ及び貫通孔３１ｃを形成した後は、図８（Ａ）に示すように、各貫通孔２１ｃ内及び絶縁層２１上に導体２５を形成し、各貫通孔３１ｃ内及び絶縁層３１上に導体３５を形成する。例えば、電解メッキ法を用いて、或いは無電解メッキ法と電解メッキ法を用いて、導体２５及び導体３５を形成する。

導体２５は、各貫通孔２１ｃ内の部分と絶縁層２１上の部分とを一括で形成することができるほか、各貫通孔２１ｃ内の部分を形成した後に、絶縁層２１上の部分を形成することもできる。同様に、導体３５は、各貫通孔３１ｃ内の部分と絶縁層３１上の部分とを一括で形成することができるほか、各貫通孔３１ｃ内の部分を形成した後に、絶縁層３１上の部分を形成することもできる。

導体２５及び導体３５の形成後は、図８（Ｂ）に示すように、絶縁層２１上に形成された導体２５、及び絶縁層３１上に形成された導体３５を、それぞれ所定の形状にパターニングする。

このパターニングにより、絶縁層２１上にランド２３及び配線２６が形成される。絶縁層２１の複数の貫通孔２１ｃ内に形成された各導体２５は、ビア２２として機能し、ランド２３とランド１４とを接続する。同様に、このパターニングにより、絶縁層３１上にランド３３及び配線３６が形成される。絶縁層３１の複数の貫通孔３１ｃ内に形成された各導体３５は、ビア３２として機能し、ランド３３とランド１５とを接続する。

これにより、ビルドアップ層２０の１層目のビア２２、ランド２３及び配線２６、並びに、ビルドアップ層３０の１層目のビア３２、ランド３３及び配線３６が形成される。
図９は配線基板の第６形成工程の説明図である。図９（Ａ）は絶縁層形成工程の一例の要部断面模式図、図９（Ｂ）は導体パターン形成工程の一例の要部断面模式図である。

上記のようにしてビア２２、ランド２３及び配線２６、並びに、ビア３２、ランド３３及び配線３６の形成まで行った後は、上記図７（Ａ）の例に従い、図９（Ａ）に示すように、２層目の絶縁層２４、絶縁層３４を形成する。

そして、上記図７（Ｂ）、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）で述べたような工程を実施し、図９（Ｂ）に示すような構造を得る。即ち、図７（Ｂ）の例に従い、複数の貫通孔２４ｃ及び貫通孔３４ｃの形成を行い、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）の例に従い、導体を形成し、パターニングする。複数の貫通孔２４ｃ及び貫通孔３４ｃは、図１０〜図１２に示すような処理の例に従って、形成することができる。

これにより、ビルドアップ層２０の２層目のビア２７、ランド２８及び配線２９、並びに、ビルドアップ層３０のビア３７、ランド３８及び配線３９が形成される。
複数の貫通孔２４ｃに形成される各ビア２７は、ランド２８とランド２３とを接続し、複数の貫通孔３４ｃに形成される各ビア３７は、ランド３８とランド３３とを接続する。貫通孔２４ｃ及び貫通孔３４ｃの配置、それらに形成されるビア２７及びビア３７の配置の詳細については後述する。

例えば、この図９（Ａ）及び図９（Ｂ）に例示するような工程を、所定の回数だけ繰り返し、所定の導体パターンを含む、所定の層数のビルドアップ層２０及びビルドアップ層３０を積層した、配線基板１を得る。

以上説明したような配線基板１の形成工程において、例えば、コア層１０のランド１４に接続される１層目の複数のビア２２、及びランド１５に接続される１層目の複数のビア３２は、次の図１３に示すような配置とすることができる。

図１３はビアの配置例を示す図である。図１３（Ａ）〜図１３（Ｄ）はそれぞれ、ランド上のビアの配置を、ビア側から見た場合の平面模式図である。
便宜上、図１３（Ａ）〜図１３（Ｄ）ではそれぞれ、上記のランド１４又はランド１５に相当するものをランド４０とし、上記のビア２２又はビア３２に相当するものをビア５０としている。ランド４０の下には、コア基板１１の貫通孔１１ｃの内壁に設けられた導体１２、及びその内側に設けられた樹脂１３が存在する。

図１３（Ａ）に示す例では、ランド４０（ランド１４又はランド１５に相当）上に接続されるビア５０（ビア２２又はビア３２に相当）が、ランド４０の、その下に存在する導体１２と樹脂１３に跨る２箇所の領域に位置するように、配置されている。ビア５０を２箇所に設ける場合には、ビア５０同士が最も離れる位置に（互いに一定の間隔で）、２つのビア５０を配置することが好ましい。このような配置とすることで、２つのビア５０でランド４０を平均的に押さえ、貫通孔１１ｃ内の樹脂１３の熱膨張を抑制する。

図１３（Ｂ）〜図１３（Ｄ）に示す例では、ランド４０の、その下に存在する導体１２と樹脂１３に跨る３箇所、４箇所、８箇所の領域に、それぞれビア５０が配置されている。このようにビア５０は、ランド４０の、貫通孔１１ｃの導体１２と樹脂１３に跨る３箇所以上の領域に配置することもできる。ビア５０を３箇所以上に設ける場合には、隣接するビア５０同士が最も離れる位置に（互いに一定の間隔で）、ビア５０を配置することが好ましい。このような配置とすることで、３つ以上のビア５０でランド４０を平均的に押さえ、貫通孔１１ｃ内の樹脂１３の熱膨張を抑制する。

また、同一層内の、異なる領域に設けられるランド４０上には、例えば次の図１４〜図１６に示すようにしてビア５０を配置することができる。
図１４〜図１６は異なるランド上のビアの配置例を示す図である。図１４〜図１６はそれぞれ、同一層内の、異なる領域に設けられるランド上のビアの配置を、ビア側から見た場合の平面模式図である。

配線基板１内部の同一層内には、図１４に示すように、異なる領域にランド４０（ランド１４又はランド１５に相当）が設けられ得る。このように異なる領域に設けられるランド４０にそれぞれ、複数のビア５０（ビア２２又はビア３２に相当）を配置する場合には、隣接するランド４０でビア５０の配置を変えることができる。

例えば、図１４に示すように、１つのランド４０につき２つのビア５０を設ける場合には、一方のランド４０の所定領域に２つのビア５０を配置し、それらのビア５０の配置を９０°回転させた配置で、もう一方のランド４０の所定領域に２つのビアを設ける。このような配置とすることで、配線基板１の層内におけるビア５０の配置密度の平均化を図ることが可能になる。即ち、図１５（Ａ）に示すように、隣接するランド４０に設けるビア５０の配置を、上記図１４のように異ならせることで、ビア５０の配置を同じにした図１５（Ｂ）のような場合に比べて、配線基板１の層内におけるビア５０の配置密度が平均化されるようになる。

また、図１６に示すように、１つのランド４０につき３つのビア５０を設ける場合には、一方のランド４０の所定領域に３つのビア５０を配置し、それらのビア５０の配置を６０°回転させた配置で、もう一方のランド４０の所定領域に３つのビアを設ける。これにより、配線基板１の層内におけるビア５０の配置密度の平均化を図ることが可能になる。

これらの例に従い、１つのランド４０につき４つ以上のビア５０を設ける場合にも、隣接するビア５０について、互いのビア５０の配置を所定の角度だけ回転させた配置関係とすることで、上記同様の効果を得ることが可能である。

上記図７（Ｂ）（及び図１０〜図１２）の工程では、ランド１４及びランド１５（ランド４０）上に形成するビア２２及びビア３２（ビア５０）の配置に基づき、例えばレーザーのスポット位置を設定し、貫通孔２１ｃ及び貫通孔３１ｃを形成する。そして、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）の工程で、形成した貫通孔２１ｃ及び貫通孔３１ｃに、それぞれ導体２５及び導体３５を形成し、１層目のビア２２及びビア３２を形成する。

また、配線基板１の、２層目のビア２７及びビア３７は、次の図１７又は図１８に示すような配置とすることができる。
図１７及び図１８は上下層のビアの配置例を示す図である。図１７（Ａ）及び図１８（Ａ）は２層のビア接続部の断面模式図、図１７（Ｂ）及び図１８（Ｂ）は下層側のビア配置を示す平面模式図、図１７（Ｃ）及び図１８（Ｃ）は上層側のビア配置を示す平面模式図である。

便宜上、図１７（Ａ）〜図１７（Ｃ）及び図１８（Ａ）〜図１８（Ｃ）ではそれぞれ、上記のランド１４又はランド１５に相当するものをランド４０とし、上記の１層目のビア２２又はビア３２に相当するものをビア５０としている。更に、上記のランド２３又はランド３３に相当するものをランド６０とし、上記の２層目のビア２７又はビア３７に相当するものをビア７０とし、上記のランド２８又はランド３８に相当するものをランド８０としている。更に、上記の絶縁層２１又は絶縁層３１に相当するものを絶縁層９１とし、上記の絶縁層２４又は絶縁層３４に相当するものを絶縁層９４としている。

ここでは、１つのランド４０につき２つのビア５０が接続され、１つのランド６０につき２つのビア７０が接続される場合を例にして説明する。
例えば、図１７（Ａ）〜図１７（Ｃ）に示すように、１層目の２つのビア５０と、２層目の２つのビア７０とに、同じ配置関係（図１７（Ｂ）及び図１７（Ｃ））を採用し、１層目の各ビア５０の上方に２層目の各ビア７０がそれぞれ配置されるようにする（図１７（Ａ））。即ち、ランド４０の、貫通孔１１ｃの導体１２と樹脂１３に跨る領域に、１層目のビア５０（接続領域５０ａ）が配置され、ランド６０の、ビア５０の上方の位置に、２層目のビア７０（接続領域７０ａ）が配置される。

この図１７（Ａ）〜図１７（Ｃ）の配置では、ランド６０の上下に接続される各々２つのビア５０とビア７０のうち、対応する位置のビア５０とビア７０が直線的に配置されるようになる。その結果、配線基板１の厚み方向について、屈曲点の存在を抑えた導通経路を実現することが可能になる。

また、図１８（Ａ）〜図１８（Ｃ）に示すように、１層目の２つのビア５０と、２層目の２つのビア７０とに、異なる配置関係（図１８（Ｂ）及び図１８（Ｃ））を採用し、１層目の各ビア５０と２層目の各ビア７０の位置をずらして配置することもできる（図１８（Ａ））。この場合、２層目の２つのビア７０は、ランド４０の下に存在する導体１２と樹脂１３の境界の上方に配置することができる。図１８（Ｂ）及び図１８（Ｃ）に示すように、２層目の２つのビア７０は、１層目の２つのビア５０を９０°回転させた配置で、設けることができる。即ち、ランド４０の、貫通孔１１ｃの導体１２と樹脂１３に跨る領域に、１層目のビア５０（接続領域５０ａ）が配置され、ランド６０の、ビア５０（接続領域５０ａ）の上方とは異なる領域に、２層目のビア７０（接続領域７０ａ）が配置される。

この図１８（Ａ）〜図１８（Ｃ）のような配置では、ランド４０を押さえている１層目の２つのビア５０上に設けられるランド６０を、それら２つのビア５０とは異なる位置で、２層目の２つのビア７０が押さえる構造になる。その結果、ランド４０を、その上方から、より平均的に押さえて、貫通孔１１ｃ内の樹脂１３の熱膨張を抑制することが可能になる。

ここでは１つのランドにつき２つのビアが接続される場合を例にしたが、３つ以上のビアが接続される場合も同様に、１層目と２層目のビア配置を同じにし、又は異ならせて、上記同様の効果を得ることが可能である。

上記図９（Ｂ）（及び図１０〜図１２）の工程では、ランド２３及びランド３３（ランド６０）上に形成するビア２７及びビア３７（ビア７０）の配置に基づき、例えばレーザーのスポット位置を設定し、貫通孔２４ｃ及び貫通孔３４ｃを形成する。そして、形成した貫通孔２４ｃ及び貫通孔３４ｃに、それぞれ２層目のビア２７及びビア３７を形成する。

ここでは１層目と２層目のビア配置を例にしたが、３層目以上のビア配置についても同様にすることができる。例えば、１層目と２層目を同じビア配置とした場合には、３層目以上のビア配置も、１層目及び２層目と同じビア配置とすればよい。また、１層目と２層目を異なるビア配置とした場合には、３層目を１層目と同じビア配置とし、４層目を２層目と同じビア配置とするといったように、隣接して積層される２層間のビア配置を異ならせるようにすればよい。

以上の説明では、例えばコア基板１１の貫通孔１１ｃに設けられる樹脂１３を覆うランド１４及びランド１５にそれぞれ、複数のビア２２及びビア３２を接続するようにした。ここで、隣接して配置されるビア２２同士は、必ずしも絶縁層２１内で分離されていることを要せず、隣接して配置されるビア３２同士は、必ずしも絶縁層３１内で分離されていることを要しない。

図１９は配線基板の別例を示す図である。図１９には、配線基板の別例の要部断面を模式的に図示している。
図１９に示すように、配線基板１の、樹脂１３を覆うランド１４に接続される複数のビア２２は、隣接して配置されるビア２２同士（貫通孔２１ｃ同士）が部分的に繋がった形状のものを含んでいてもよい。同様に、配線基板１の、樹脂１３を覆うランド１５に接続される複数のビア３２は、隣接して配置されるビア３２同士（貫通孔３１ｃ同士）が部分的に繋がった形状のものを含んでいてもよい。

このような場合でも、複数の接続領域２２ａ及び接続領域３２ａがそれぞれ、ランド１４及びランド１５の、貫通孔１１ｃの導体１２と樹脂１３に跨る領域に位置する。そのため、ランド１４及びランド１５はそれぞれ、複数の接続領域２２ａ及び接続領域３２ａの部位で押さえられ、これにより、樹脂１３のランド１４側及びランド１５側への熱膨張、それによるランド１４及びランド１５の破断が抑制される。

ランド２３及びランド３３にそれぞれ接続される上記の複数のビア２７及びビア３７についても同様に、隣接するビア２７同士（貫通孔２４ｃ同士）及び隣接するビア３７同士（貫通孔３４ｃ同士）が部分的に繋がった形状のものが含まれていてもよい。配線基板１内に設けられる、一のランドに接続される複数のビアについては、このように隣接するビア同士（貫通孔同士）が部分的に繋がった形状のものが含まれていても構わない。

また、以上の説明では、絶縁層２１の貫通孔２１ｃ及び絶縁層３１の貫通孔３１ｃ、並びに、絶縁層２４の貫通孔２４ｃ及び絶縁層３４の貫通孔３４ｃ等、ビアを設けるための貫通孔を、絶縁層にレーザーを照射して形成するようにした。このほか、ビアを設ける絶縁層の種類（材料）によっては、レーザーのほか、フォトリソグラフィ技術、エッチング技術を用いて、貫通孔を形成することもできる。例えば、絶縁層を形成した後、その上にレジストマスクを形成し、それをマスクにして絶縁層をエッチングすることで、貫通孔を形成する。或いは、感光性材料で絶縁層を形成し、露光及び現像を行って、貫通孔を形成する。このようにして形成した貫通孔に導体を形成することで、絶縁層内にビアを設けることができる。

以上、配線基板１について説明した。
配線基板１には、各種電子部品を搭載することができる。
図２０は電子装置の一例を示す図である。図２０には、電子装置の一例の要部断面を模式的に図示している。

図２０に示す電子装置３００は、配線基板１と、配線基板１に搭載された電子部品３１０を含む。配線基板１の表裏面には、ソルダーレジスト等の保護膜４が設けられる。配線基板１に搭載される電子部品３１０としては、半導体素子（半導体チップ）、半導体素子を含む半導体装置（半導体パッケージ）、別の配線基板等が挙げられる。電子部品３１０の電極３１１と、配線基板１の電極２とが、半田等の接合材３２０を用いて接合され、電子部品３１０と配線基板１とが電気的に接続される。

ここでは配線基板１に１つの電子部品３１０を搭載する場合を例示したが、配線基板１には、複数の電子部品３１０が搭載されてもよい。また、配線基板１には、電子部品３１０として例えば半導体チップや半導体パッケージが搭載される場合には、チップコンデンサ等のチップ部品が更に搭載されてもよい。

配線基板１では、上記のように、複数のビア２２及びビア３２等を設けることで、樹脂１３の熱膨張が抑制され、樹脂１３を覆うランド１４及びランド１５の破断が抑制される。また、ビア接続構造１ａを複数設ける場合のピッチの増大、抵抗値やインダクタンス値の上昇といった電気特性の低下が抑制される。このような配線基板１を用いることで、信頼性が高く、良好な電気特性を有する電子装置３００を実現することが可能になる。

電子装置３００は、更に別の配線基板に搭載することもできる。
図２１は電子装置の別例を示す図である。図２１には、電子装置の別例の要部断面を模式的に図示している。

図２１に示す電子装置５００は、配線基板５１０と、配線基板５１０に搭載された電子装置３００を含む。電子装置３００は、上記図２０に示したように、配線基板１と、配線基板１に搭載された電子部品３１０を含む。電子装置３００に含まれる配線基板１の電極３と、配線基板５１０の電極５１１とが、半田等の接合材５２０を用いて接合され、電子装置３００と配線基板５１０とが電気的に接続される。

配線基板１を用いることで、電子装置３００を含む、信頼性が高く、良好な電気特性を有する電子装置５００が実現される。
以上説明した実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。

（付記１） 第１絶縁部と、
前記第１絶縁部に設けられた第１貫通孔と、
前記第１貫通孔の内壁に設けられた第１導体部と、
前記第１導体部より内側の前記第１貫通孔内に設けられた第１樹脂部と、
前記第１導体部上及び前記第１樹脂部上に設けられた第２導体部と、
前記第２導体部上に設けられた第２絶縁部と、
前記第２絶縁部内に設けられ、前記第２導体部の、前記第１導体部と前記第１樹脂部とに跨る複数の第１領域に接続された第３導体部と
を含むことを特徴とする配線基板。

（付記２） 前記第３導体部は、前記複数の第１領域にそれぞれ接続された複数のビアを含むことを特徴とする付記１に記載の配線基板。
（付記３） 前記複数の第１領域は、互いに一定の間隔で位置することを特徴とする付記１又は２に記載の配線基板。

（付記４） 前記第３導体部上に設けられた第４導体部と、
前記第４導体部上に設けられた第３絶縁部と、
前記第３絶縁部内に設けられ、前記第４導体部の、前記複数の第１領域の上方にそれぞれ位置する複数の第２領域に接続された第５導体部と
を更に含むことを特徴とする付記１乃至３のいずれかに記載の配線基板。

（付記５） 前記第３導体部上に設けられた第４導体部と、
前記第４導体部上に設けられた第３絶縁部と、
前記第３絶縁部内に設けられ、前記第４導体部の、前記複数の第１領域の上方とは異なる領域に位置する複数の第２領域に接続された第５導体部と
を更に含むことを特徴とする付記１乃至３のいずれかに記載の配線基板。

（付記６） 前記第１絶縁部の、前記第１貫通孔とは異なる位置に設けられた第２貫通孔と、
前記第２貫通孔の内壁に設けられた第６導体部と、
前記第６導体部より内側の前記第２貫通孔内に設けられた第２樹脂部と、
前記第６導体部上及び前記第２樹脂部上に設けられた第７導体部と
を更に含み、
前記第２絶縁部は、前記第２導体部上及び前記第７導体部上に設けられ、
前記第２絶縁部内に設けられ、前記第７導体部の、前記第６導体部と前記第２樹脂部とに跨る複数の第３領域に接続され、前記複数の第３領域が、平面視で前記複数の第１領域の配置を９０°以下の角度だけ回転させた配置である第８導体部を更に含む
ことを特徴とする付記１乃至５のいずれかに記載の配線基板。

（付記７） 前記第１導体部下及び前記第１樹脂部下に設けられた第９導体部と、
前記第９導体部下に設けられた第４絶縁部と、
前記第４絶縁部内に設けられ、前記第９導体部の、前記第１導体部と前記第１樹脂部とに跨る複数の第４領域に接続された第１０導体部と
を更に含むことを特徴とする付記１乃至６のいずれかに記載の配線基板。

（付記８） 第１絶縁部に第１貫通孔を形成する工程と、
前記第１貫通孔の内壁に第１導体部を形成する工程と、
前記第１導体部より内側の前記第１貫通孔内に第１樹脂部を形成する工程と、
前記第１導体部上及び前記第１樹脂部上に第２導体部を形成する工程と、
前記第２導体部上に第２絶縁部を形成する工程と、
前記第２絶縁部内に、前記第２導体部の、前記第１導体部と前記第１樹脂部とに跨る複数の第１領域に接続される第３導体部を形成する工程と
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。

（付記９） 前記第２絶縁部内に前記第３導体部を形成する工程は、
形成された前記第２絶縁部に、前記複数の第１領域に通じる第３貫通孔を形成する工程と、
形成された前記第３貫通孔内に、前記第３導体部を形成する工程と
を含むことを特徴とする付記８に記載の配線基板の製造方法。

（付記１０） 前記第２絶縁部内に前記第３導体部を形成する工程は、
前記第１導体部の、前記第１貫通孔の内壁からの厚みに関する情報を用いて、前記複数の第１領域の位置を設定する工程と、
設定された前記複数の第１領域の位置に、前記第３導体部を形成する工程と
を含むことを特徴とする付記８又は９に記載の配線基板の製造方法。

（付記１１） 前記情報は、前記第１導体部の、前記第１貫通孔の内壁からの厚みの設計値であることを特徴とする付記１０に記載の配線基板の製造方法。
（付記１２） 前記第１導体部を形成する工程後に、形成された前記第１導体部の、前記第１貫通孔の内壁からの厚みを測定する工程を更に含み、
前記情報は、測定された当該厚みの測定値であることを特徴とする付記１０に記載の配線基板の製造方法。

（付記１３） 配線基板と、
前記配線基板に搭載された電子部品と
を含み、
前記配線基板は、
第１絶縁部と、
前記第１絶縁部に設けられた第１貫通孔と、
前記第１貫通孔の内壁に設けられた第１導体部と、
前記第１導体部より内側の前記第１貫通孔内に設けられた第１樹脂部と、
前記第１導体部上及び前記第１樹脂部上に設けられた第２導体部と、
前記第２導体部上に設けられた第２絶縁部と、
前記第２絶縁部内に設けられ、前記第２導体部の、前記第１導体部と前記第１樹脂部とに跨る複数の第１領域に接続された第３導体部と
を含むことを特徴とする電子装置。

１，１００Ａ，１００Ｂ，５１０ 配線基板
１ａ，１００Ａａ，１００Ｂａ ビア接続構造
２，３，３１１，５１１ 電極
４ 保護膜
１０ コア層
１１ コア基板
１１ａ 上面
１１ｂ 下面
１１ｃ，２１ｃ，２４ｃ，３１ｃ，３４ｃ 貫通孔
１２，１２ａ，１４ａ，１５ａ，２５，３５ 導体
１３，１３ａ 樹脂
１４，１５，２３，２８，３３，３８，４０，６０，８０，１４０，１６０ ランド
２０，３０ ビルドアップ層
２１，３１，２４，３４，９１，９４ 絶縁層
２２，２７，３２，３７，５０，７０，１１０，１２０ ビア
２２ａ，３２ａ，５０ａ，７０ａ，１１０ａ，１２０ａ 接続領域
２６，２９，３６，３９，１３０，１５０ 配線
２００ レーザー照射装置
２００ａ レーザー
２１０ 照射部
２２０ 制御部
２２１ 演算部
２２２ 記憶部
３００，５００ 電子装置
３１０ 電子部品
３２０，５２０ 接合材

Claims (7)

1. 第１絶縁部と、
   前記第１絶縁部に設けられた第１貫通孔と、
   前記第１貫通孔の内壁に設けられた第１導体部と、
   前記第１導体部より内側の前記第１貫通孔内に設けられた第１樹脂部と、
   前記第１導体部上及び前記第１樹脂部上に設けられた第２導体部と、
   前記第２導体部上に設けられた第２絶縁部と、
   前記第２絶縁部内に設けられ、前記第２導体部の、前記第１導体部と前記第１樹脂部とに跨る複数の第１領域に接続された第３導体部と
   を含むことを特徴とする配線基板。
2. 前記第３導体部上に設けられた第４導体部と、
   前記第４導体部上に設けられた第３絶縁部と、
   前記第３絶縁部内に設けられ、前記第４導体部の、前記複数の第１領域の上方にそれぞれ位置する複数の第２領域に接続された第５導体部と
   を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 前記第３導体部上に設けられた第４導体部と、
   前記第４導体部上に設けられた第３絶縁部と、
   前記第３絶縁部内に設けられ、前記第４導体部の、前記複数の第１領域の上方とは異なる領域に位置する複数の第２領域に接続された第５導体部と
   を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
4. 前記第１絶縁部の、前記第１貫通孔とは異なる位置に設けられた第２貫通孔と、
   前記第２貫通孔の内壁に設けられた第６導体部と、
   前記第６導体部より内側の前記第２貫通孔内に設けられた第２樹脂部と、
   前記第６導体部上及び前記第２樹脂部上に設けられた第７導体部と
   を更に含み、
   前記第２絶縁部は、前記第２導体部上及び前記第７導体部上に設けられ、
   前記第２絶縁部内に設けられ、前記第７導体部の、前記第６導体部と前記第２樹脂部とに跨る複数の第３領域に接続され、前記複数の第３領域が、平面視で前記複数の第１領域の配置を９０°以下の角度だけ回転させた配置である第８導体部を更に含む
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の配線基板。
5. 第１絶縁部に第１貫通孔を形成する工程と、
   前記第１貫通孔の内壁に第１導体部を形成する工程と、
   前記第１導体部より内側の前記第１貫通孔内に第１樹脂部を形成する工程と、
   前記第１導体部上及び前記第１樹脂部上に第２導体部を形成する工程と、
   前記第２導体部上に第２絶縁部を形成する工程と、
   前記第２絶縁部内に、前記第２導体部の、前記第１導体部と前記第１樹脂部とに跨る複数の第１領域に接続される第３導体部を形成する工程と
   を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
6. 前記第２絶縁部内に前記第３導体部を形成する工程は、
   前記第１導体部の、前記第１貫通孔の内壁からの厚みに関する情報を用いて、前記複数の第１領域の位置を設定する工程と、
   設定された前記複数の第１領域の位置に、前記第３導体部を形成する工程と
   を含むことを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
7. 配線基板と、
   前記配線基板に搭載された電子部品と
   を含み、
   前記配線基板は、
   第１絶縁部と、
   前記第１絶縁部に設けられた第１貫通孔と、
   前記第１貫通孔の内壁に設けられた第１導体部と、
   前記第１導体部より内側の前記第１貫通孔内に設けられた第１樹脂部と、
   前記第１導体部上及び前記第１樹脂部上に設けられた第２導体部と、
   前記第２導体部上に設けられた第２絶縁部と、
   前記第２絶縁部内に設けられ、前記第２導体部の、前記第１導体部と前記第１樹脂部とに跨る複数の第１領域に接続された第３導体部と
   を含むことを特徴とする電子装置。

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