JP2015119174A5 - 半導体装置 - Google Patents
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Claims (3)
- ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の前記ゲート電極層と重畳する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の一対の電極層と、を有し、
前記一対の電極層は、合金膜を含む積層を有し、
前記酸化物半導体膜は、ｃ軸に配向した結晶部を有し、
前記一対の電極層が重畳しない領域の前記酸化物半導体膜の膜厚が、前記一対の電極層が重畳する領域の前記酸化物半導体膜の膜厚よりも薄く、
前記合金膜は、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、またはＴｉのいずれか一と、Ｃｕと、を含むことを特徴とする半導体装置。 - ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の前記ゲート電極層と重畳する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜の上面に接する金属酸化膜と、
前記金属酸化膜上の一対の電極層と、を有し、
前記一対の電極層は、合金膜を含む積層を有し、
前記金属酸化膜は、ｃ軸に配向した結晶部を有し、
前記一対の電極層が重畳しない領域の前記金属酸化膜の膜厚が、前記一対の電極層が重畳する領域の前記金属酸化膜の膜厚よりも薄く、
前記合金膜は、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、またはＴｉのいずれか一と、Ｃｕと、を含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項１または請求項２において、
前記一対の電極層は、前記合金膜の上面に接するＣｕ、Ａｌ、Ａｕ、またはＡｇのいずれか一を含む導電膜を有することを特徴とする半導体装置。
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