JP2015110814A - スパッタ成膜方法、スパッタ装置、フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクブランク - Google Patents
スパッタ成膜方法、スパッタ装置、フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクブランク Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015110814A JP2015110814A JP2013253099A JP2013253099A JP2015110814A JP 2015110814 A JP2015110814 A JP 2015110814A JP 2013253099 A JP2013253099 A JP 2013253099A JP 2013253099 A JP2013253099 A JP 2013253099A JP 2015110814 A JP2015110814 A JP 2015110814A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- sputtering
- sputter
- film
- melting point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 222
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title abstract description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 77
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 82
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 82
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 62
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 59
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 39
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 claims description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 abstract description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 abstract description 7
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 136
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 33
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 20
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 150000001845 chromium compounds Chemical class 0.000 description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 7
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3464—Sputtering using more than one target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0676—Oxynitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3417—Arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3441—Dark space shields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3447—Collimators, shutters, apertures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
(1)クロム又はクロム化合物と、融点が400℃以下の金属元素とを混合して焼結したターゲットを単一で使用したスパッタ、
(2)クロムと、融点が400℃以下の金属元素とを一枚のバッキングプレートに深さ方向に各金属の面積比が変化しないように異種金属を配置した複合ターゲットを単一で使用したスパッタ、
(3)クロム又はクロム化合物のターゲットと、融点が400℃以下の金属元素のターゲットとの2種以上を使用したコスパッタ
などが挙げられる
請求項1:
同一真空槽内に、第1のターゲットと第2のターゲットとを、それらのスパッタ面を被スパッタ物に向けて、かつ双方のスパッタ面を互いに平行に又は傾斜させて配設し、上記第1及び第2のターゲットの双方に電力を同時に印加し、第1及び第2のターゲットの相互において、一方のターゲットから放射されたスパッタ粒子が他方のターゲットのスパッタ面に到達することにより該スパッタ面上にスパッタ粒子が付着する速度を、上記他方のターゲットのスパッタにより上記スパッタ粒子が除去される速度以下として、被スパッタ物上に膜をスパッタ成膜することを特徴とするスパッタ成膜方法。
請求項2:
上記第1及び第2のターゲットのいずれか一方又は双方において、上記他方のターゲットのスパッタ面上に付着するスパッタ粒子の抵抗率が、上記他方のターゲットの抵抗率より高いこと、又は上記他方のターゲットのスパッタ面上に付着するスパッタ粒子を構成する物質のスパッタレートが、上記他方のターゲットを構成する物質のスパッタレートよりも低いことを特徴とする請求項1記載のスパッタ成膜方法。
請求項3:
上記第1及び第2のターゲットのスパッタ面間に存する空間を常時分離する遮蔽部材を、第1及び第2のターゲットの相互において、一方のターゲットから放射されたスパッタ粒子が他方のターゲットのスパッタ面に到達することを防止するように配設することを特徴とする請求項1又は2記載のスパッタ成膜方法。
請求項4:
上記遮蔽部材が、上記第1のターゲットのスパッタ面上の任意の点と、上記第2のターゲットのスパッタ面上の任意の点とを結ぶ全ての直線と交差するように配設されていることを特徴とする請求項3記載のスパッタ成膜方法。
請求項5:
上記遮蔽部材が、上記真空槽内で不動であることを特徴とする請求項3又は4記載のスパッタ成膜方法。
請求項6:
上記遮蔽部材が、導電性の材料で形成されており、かつ電気的に接地されていることを特徴とする請求項3乃至5のいずれか1項記載のスパッタ成膜方法。
請求項7:
上記第1及び第2のターゲットとして、互いに構成元素が異なる若しくは構成元素が同一で組成が異なるターゲット又は互いにスパッタレートが異なるターゲットを用いることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載のスパッタ成膜方法。
請求項8:
上記第1及び第2のターゲットとして、融点が400℃以下の金属を含む材料で構成された低融点元素含有ターゲットと、融点が400℃を超える金属又は半金属を含む材料で構成された高融点元素含有ターゲットとを組み合わせて用いることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項記載のスパッタ成膜方法。
請求項9:
上記融点が400℃を超える金属又は半金属が、Crであることを特徴とする請求項8記載のスパッタ成膜方法。
請求項10:
上記融点が400℃以下の金属が、Snであることを特徴とする請求項8又は9記載のスパッタ成膜方法。
請求項11:
上記スパッタ成膜が、スパッタガスに反応性ガスを用いる反応性スパッタであることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項記載のスパッタ成膜方法。
請求項12:
上記反応性ガスが、酸素含有ガスを含むことを特徴とする請求項11記載のスパッタ成膜方法。
請求項13:
同一真空槽内に、第1のターゲットと第2のターゲットとを備え、第1及び第2のターゲットが、それらのスパッタ面を被スパッタ物に向けて、かつ双方のスパッタ面が互いに傾斜して配設されたスパッタ装置であって、
第1及び第2のターゲットのスパッタ面間に存する空間を常時分離する遮蔽部材が、第1及び第2のターゲットの相互において、一方のターゲットから放射されたスパッタ粒子が他方のターゲットのスパッタ面に到達することを防止するように配設されていることを特徴とするスパッタ装置。
請求項14:
上記遮蔽部材が、上記第1のターゲットのスパッタ面上の任意の点と、上記第2のターゲットのスパッタ面上の任意の点とを結ぶ全ての直線と交差するように配設されていることを特徴とする請求項13記載のスパッタ装置。
請求項15:
上記遮蔽部材が、上記真空槽内で不動であることを特徴とする請求項13又は14記載のスパッタ装置。
請求項16:
上記遮蔽部材が、導電性の材料で形成されており、かつ電気的に接地されていることを特徴とする請求項13乃至15のいずれか1項記載のスパッタ装置。
請求項17:
請求項1乃至12のいずれか1項記載のスパッタ成膜方法を用い、透明基板上に機能性膜を成膜することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
請求項18:
石英基板上に、少なくとも1つの機能性膜を積層してなるフォトマスクブランクの製造方法であって、
請求項13乃至16のいずれか1項記載のスパッタ装置を用い、
融点が400℃以下の金属を含む材料で構成されたターゲットと、融点が400℃を超える金属又は半金属を含む材料で構成されたターゲットとを用い、双方のターゲットに電力を同時に印加し、石英基板上に、上記機能性膜として、上記融点が400℃以下の金属と、上記融点が400℃を超える金属又は半金属とを含む機能性膜をスパッタ成膜することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
請求項19:
石英基板上に、少なくとも1つの機能性膜を積層してなるフォトマスクブランクであって、
上記機能性膜が、融点が400℃以下の金属と、融点が400℃を超える金属又は半金属を含む膜であり、
請求項13乃至16のいずれか1項記載のスパッタ装置を用い、
上記融点が400℃以下の金属を含む材料で構成されたターゲットと、上記融点が400℃を超える金属又は半金属を含む材料で構成されたターゲットとを用い、双方のターゲットに電力を同時に印加してスパッタ成膜することにより得られたことを特徴とするフォトマスクブランク。
請求項20:
請求項17記載の方法により製造されたフォトマスクブランク。
本発明のスパッタ成膜方法は、同一真空槽内に、第1のターゲットと第2のターゲットとを、それらのスパッタ面を被スパッタ物に向けて、かつ双方のスパッタ面を互いに平行に又は傾斜させて配設し、第1及び第2のターゲットの双方に電力を同時に印加するコスパッタである。ここで、スパッタ面は、スパッタ時にスパッタ粒子が放出される面を意味する。
図1に示されるDCマグネトロンスパッタ装置を使用し、第1のターゲットをSnターゲット、第2のターゲットをCrターゲットとし、スパッタガスに、不活性ガスとしてArと、反応性ガスとしてN2及びO2とを使用した。ターゲット間の遮蔽部材として、高さ×幅=150mm×500mmの導電性の板を、両ターゲットのスパッタ面の中心を結ぶ線分の垂直二等分線上に設置した。遮蔽部材は、Snターゲットのスパッタ面上の任意の点とCrターゲットのスパッタ面上の任意の点を結んだ全ての直線が遮蔽部材と交差する位置に設置した。被スパッタ物には、フォトマスク用6025石英基板を用い、石英基板上にCrSnON膜を成膜した。
図5に示される遮蔽部材のないスパッタ装置を用い、Snターゲットの電力を350W(比較例1)、550W(比較例2)、900W(比較例3)とした以外は、実施例1と同様にして、石英基板上にCrSnON膜を成膜し、Snターゲットの電流値(電圧値)と、真空槽の真空度とを評価した。結果を図3,4に示す。なお、図5のスパッタ装置は、遮蔽部材がないこと以外は図1と同じであり、各部に、図1と同じ参照符号を付して、それらの説明を省略する。
11 スパッタ面
2 第2のターゲット
21 スパッタ面
3 真空槽
31 スパッタガス導入口
32 排気口
4,41,42 遮蔽部材
5 被スパッタ物
6 ホルダー
7 真空槽シールド
8 DC電源
Claims (20)
- 同一真空槽内に、第1のターゲットと第2のターゲットとを、それらのスパッタ面を被スパッタ物に向けて、かつ双方のスパッタ面を互いに平行に又は傾斜させて配設し、上記第1及び第2のターゲットの双方に電力を同時に印加し、第1及び第2のターゲットの相互において、一方のターゲットから放射されたスパッタ粒子が他方のターゲットのスパッタ面に到達することにより該スパッタ面上にスパッタ粒子が付着する速度を、上記他方のターゲットのスパッタにより上記スパッタ粒子が除去される速度以下として、被スパッタ物上に膜をスパッタ成膜することを特徴とするスパッタ成膜方法。
- 上記第1及び第2のターゲットのいずれか一方又は双方において、上記他方のターゲットのスパッタ面上に付着するスパッタ粒子の抵抗率が、上記他方のターゲットの抵抗率より高いこと、又は上記他方のターゲットのスパッタ面上に付着するスパッタ粒子を構成する物質のスパッタレートが、上記他方のターゲットを構成する物質のスパッタレートよりも低いことを特徴とする請求項1記載のスパッタ成膜方法。
- 上記第1及び第2のターゲットのスパッタ面間に存する空間を常時分離する遮蔽部材を、第1及び第2のターゲットの相互において、一方のターゲットから放射されたスパッタ粒子が他方のターゲットのスパッタ面に到達することを防止するように配設することを特徴とする請求項1又は2記載のスパッタ成膜方法。
- 上記遮蔽部材が、上記第1のターゲットのスパッタ面上の任意の点と、上記第2のターゲットのスパッタ面上の任意の点とを結ぶ全ての直線と交差するように配設されていることを特徴とする請求項3記載のスパッタ成膜方法。
- 上記遮蔽部材が、上記真空槽内で不動であることを特徴とする請求項3又は4記載のスパッタ成膜方法。
- 上記遮蔽部材が、導電性の材料で形成されており、かつ電気的に接地されていることを特徴とする請求項3乃至5のいずれか1項記載のスパッタ成膜方法。
- 上記第1及び第2のターゲットとして、互いに構成元素が異なる若しくは構成元素が同一で組成が異なるターゲット又は互いにスパッタレートが異なるターゲットを用いることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載のスパッタ成膜方法。
- 上記第1及び第2のターゲットとして、融点が400℃以下の金属を含む材料で構成された低融点元素含有ターゲットと、融点が400℃を超える金属又は半金属を含む材料で構成された高融点元素含有ターゲットとを組み合わせて用いることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項記載のスパッタ成膜方法。
- 上記融点が400℃を超える金属又は半金属が、Crであることを特徴とする請求項8記載のスパッタ成膜方法。
- 上記融点が400℃以下の金属が、Snであることを特徴とする請求項8又は9記載のスパッタ成膜方法。
- 上記スパッタ成膜が、スパッタガスに反応性ガスを用いる反応性スパッタであることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項記載のスパッタ成膜方法。
- 上記反応性ガスが、酸素含有ガスを含むことを特徴とする請求項11記載のスパッタ成膜方法。
- 同一真空槽内に、第1のターゲットと第2のターゲットとを備え、第1及び第2のターゲットが、それらのスパッタ面を被スパッタ物に向けて、かつ双方のスパッタ面が互いに傾斜して配設されたスパッタ装置であって、
第1及び第2のターゲットのスパッタ面間に存する空間を常時分離する遮蔽部材が、第1及び第2のターゲットの相互において、一方のターゲットから放射されたスパッタ粒子が他方のターゲットのスパッタ面に到達することを防止するように配設されていることを特徴とするスパッタ装置。 - 上記遮蔽部材が、上記第1のターゲットのスパッタ面上の任意の点と、上記第2のターゲットのスパッタ面上の任意の点とを結ぶ全ての直線と交差するように配設されていることを特徴とする請求項13記載のスパッタ装置。
- 上記遮蔽部材が、上記真空槽内で不動であることを特徴とする請求項13又は14記載のスパッタ装置。
- 上記遮蔽部材が、導電性の材料で形成されており、かつ電気的に接地されていることを特徴とする請求項13乃至15のいずれか1項記載のスパッタ装置。
- 請求項1乃至12のいずれか1項記載のスパッタ成膜方法を用い、透明基板上に機能性膜を成膜することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
- 石英基板上に、少なくとも1つの機能性膜を積層してなるフォトマスクブランクの製造方法であって、
請求項13乃至16のいずれか1項記載のスパッタ装置を用い、
融点が400℃以下の金属を含む材料で構成されたターゲットと、融点が400℃を超える金属又は半金属を含む材料で構成されたターゲットとを用い、双方のターゲットに電力を同時に印加し、石英基板上に、上記機能性膜として、上記融点が400℃以下の金属と、上記融点が400℃を超える金属又は半金属とを含む機能性膜をスパッタ成膜することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。 - 石英基板上に、少なくとも1つの機能性膜を積層してなるフォトマスクブランクであって、
上記機能性膜が、融点が400℃以下の金属と、融点が400℃を超える金属又は半金属を含む膜であり、
請求項13乃至16のいずれか1項記載のスパッタ装置を用い、
上記融点が400℃以下の金属を含む材料で構成されたターゲットと、上記融点が400℃を超える金属又は半金属を含む材料で構成されたターゲットとを用い、双方のターゲットに電力を同時に印加してスパッタ成膜することにより得られたことを特徴とするフォトマスクブランク。 - 請求項17記載の方法により製造されたフォトマスクブランク。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013253099A JP2015110814A (ja) | 2013-12-06 | 2013-12-06 | スパッタ成膜方法、スパッタ装置、フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクブランク |
KR1020140171879A KR20150066456A (ko) | 2013-12-06 | 2014-12-03 | 스퍼터 성막 방법, 스퍼터 장치, 포토마스크 블랭크의 제조 방법 및 포토마스크 블랭크 |
TW103142353A TW201538767A (zh) | 2013-12-06 | 2014-12-05 | 濺鍍成膜方法、濺鍍裝置、空白光罩之製造方法及空白光罩 |
US14/561,311 US20150159264A1 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-05 | Sputter deposition method, sputtering system, manufacture of photomask blank, and photomask blank |
CN201410738665.2A CN104694901A (zh) | 2013-12-06 | 2014-12-05 | 溅射沉积方法、溅射***、光掩模坯料的制造及光掩模坯料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013253099A JP2015110814A (ja) | 2013-12-06 | 2013-12-06 | スパッタ成膜方法、スパッタ装置、フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクブランク |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017123860A Division JP2017214657A (ja) | 2017-06-26 | 2017-06-26 | スパッタ成膜方法、フォトマスクブランクの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015110814A true JP2015110814A (ja) | 2015-06-18 |
Family
ID=53270554
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013253099A Pending JP2015110814A (ja) | 2013-12-06 | 2013-12-06 | スパッタ成膜方法、スパッタ装置、フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクブランク |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150159264A1 (ja) |
JP (1) | JP2015110814A (ja) |
KR (1) | KR20150066456A (ja) |
CN (1) | CN104694901A (ja) |
TW (1) | TW201538767A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200018270A (ko) * | 2018-08-10 | 2020-02-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 장치, 성막 시스템 및 성막 방법 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106435499B (zh) * | 2016-09-29 | 2019-01-29 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种磁控溅射镀膜机 |
CN108281532B (zh) * | 2018-01-25 | 2020-11-17 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种柔性led芯片及其制作方法、封装方法 |
US11245105B2 (en) * | 2019-09-20 | 2022-02-08 | GM Global Technology Operations LLC | Reference electrode assemblies including thin, porous current collectors and methods of manufacturing thin, porous current collectors |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59123768A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-17 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 多元同時スパッタリング装置 |
JPS62158863A (ja) * | 1985-12-30 | 1987-07-14 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 被膜形成装置 |
JP2001192805A (ja) * | 1999-10-28 | 2001-07-17 | Akt Kk | 汚染物質ブロック用シールド付き傾斜スパッタリングターゲット |
JP2013238777A (ja) * | 2012-05-16 | 2013-11-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法、および位相シフトマスクの製造方法 |
JP2013238775A (ja) * | 2012-05-16 | 2013-11-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランクの製造方法、フォトマスクブランク、フォトマスク、および、パターン転写方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7785455B2 (en) * | 2005-04-14 | 2010-08-31 | Tango Systems, Inc. | Cross-contaminant shield in sputtering system |
-
2013
- 2013-12-06 JP JP2013253099A patent/JP2015110814A/ja active Pending
-
2014
- 2014-12-03 KR KR1020140171879A patent/KR20150066456A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-12-05 TW TW103142353A patent/TW201538767A/zh unknown
- 2014-12-05 US US14/561,311 patent/US20150159264A1/en not_active Abandoned
- 2014-12-05 CN CN201410738665.2A patent/CN104694901A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59123768A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-17 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 多元同時スパッタリング装置 |
JPS62158863A (ja) * | 1985-12-30 | 1987-07-14 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 被膜形成装置 |
JP2001192805A (ja) * | 1999-10-28 | 2001-07-17 | Akt Kk | 汚染物質ブロック用シールド付き傾斜スパッタリングターゲット |
JP2013238777A (ja) * | 2012-05-16 | 2013-11-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法、および位相シフトマスクの製造方法 |
JP2013238775A (ja) * | 2012-05-16 | 2013-11-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランクの製造方法、フォトマスクブランク、フォトマスク、および、パターン転写方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200018270A (ko) * | 2018-08-10 | 2020-02-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 장치, 성막 시스템 및 성막 방법 |
KR102269997B1 (ko) | 2018-08-10 | 2021-06-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 장치, 성막 시스템 및 성막 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104694901A (zh) | 2015-06-10 |
KR20150066456A (ko) | 2015-06-16 |
US20150159264A1 (en) | 2015-06-11 |
TW201538767A (zh) | 2015-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7425390B2 (en) | Preparation of halftone phase shift mask blank | |
US7329474B2 (en) | Photomask blank, photomask, and method of manufacture | |
JP5760990B2 (ja) | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランクスの製造方法、および該マスクブランクス用の機能膜付基板の製造方法 | |
JP6626813B2 (ja) | 位相反転ブランクマスク及びフォトマスク | |
JP6165577B2 (ja) | マスクブランクの製造方法及び転写用マスクの製造方法 | |
US10935881B2 (en) | Mask blank, phase shift mask, phase shift mask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method | |
JP6900873B2 (ja) | フォトマスクブランク及びその製造方法 | |
JP2015110814A (ja) | スパッタ成膜方法、スパッタ装置、フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクブランク | |
KR102243226B1 (ko) | 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 블랭크, 그의 제조 방법 및 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 | |
JP2018116269A (ja) | 表示装置製造用の位相シフトマスクブランク、表示装置製造用の位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 | |
JP2002090977A (ja) | 位相シフトマスクブランク、フォトマスクブランク、並びにそれらの製造装置及び製造方法 | |
TW201839497A (zh) | 空白光罩及其製造方法 | |
CN110716388A (zh) | 空白掩模和光掩模 | |
KR101806583B1 (ko) | 포토마스크 블랭크의 제조 방법, 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 패턴 전사 방법 | |
JP6316861B2 (ja) | 成膜装置の立ち上げ方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 | |
JP2016033652A (ja) | フォトマスクブランクの設計方法及びフォトマスクブランク | |
KR20210056343A (ko) | 마스크 블랭크, 전사용 마스크 및 반도체 디바이스의 제조 방법 | |
JP2017214657A (ja) | スパッタ成膜方法、フォトマスクブランクの製造方法 | |
JP6173733B2 (ja) | マスクブランク、転写用マスク及びこれらの製造方法 | |
JP2011018834A (ja) | 反射型フォトマスクブランクス及び反射型フォトマスク並びに反射型フォトマスクの製造方法 | |
JP2003231965A (ja) | 位相シフトマスクブランク、フォトマスクブランク、並びにそれらの製造装置及び製造方法 | |
JP6947207B2 (ja) | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク及びハーフトーン位相シフト型フォトマスク | |
KR101670351B1 (ko) | 마스크 블랭크의 제조 방법 및 마스크 블랭크 | |
JP7402002B2 (ja) | マスクブランクス、位相シフトマスク、製造方法 | |
JP4177151B2 (ja) | 位相シフトマスクブランクの製造方法および位相シフトマスクの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151126 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160722 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160809 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20161007 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170111 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170208 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170328 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170626 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20170704 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20170818 |