JP2001192805A - 汚染物質ブロック用シールド付き傾斜スパッタリングターゲット - Google Patents
汚染物質ブロック用シールド付き傾斜スパッタリングターゲットInfo
- Publication number
- JP2001192805A JP2001192805A JP2000331229A JP2000331229A JP2001192805A JP 2001192805 A JP2001192805 A JP 2001192805A JP 2000331229 A JP2000331229 A JP 2000331229A JP 2000331229 A JP2000331229 A JP 2000331229A JP 2001192805 A JP2001192805 A JP 2001192805A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- magnets
- workpiece
- front surface
- mounting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3447—Collimators, shutters, apertures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 傾斜したスパッタリングターゲットとターゲ
ットから落下する可能性のある粒子を途中捕捉して該粒
子がワークピースに堆積しないようにするシールドとを
有するスパッタ堆積装置および方法を提供する。 【解決手段】 本発明はワークピース２０を水平配向可
能にする。特に、スパッタリングターゲット１０、１２
はワークピース２０位置より高く装着され、垂直軸に対
して３０〜６０度の角度で配向される。シールド１４，
１６はターゲット１０，１２前面からワークピース２０
上の或る点へ垂直に下方に伸長する任意の垂線が該点の
上方でシールド１４，１６と交差するような領域を占め
る。
ットから落下する可能性のある粒子を途中捕捉して該粒
子がワークピースに堆積しないようにするシールドとを
有するスパッタ堆積装置および方法を提供する。 【解決手段】 本発明はワークピース２０を水平配向可
能にする。特に、スパッタリングターゲット１０、１２
はワークピース２０位置より高く装着され、垂直軸に対
して３０〜６０度の角度で配向される。シールド１４，
１６はターゲット１０，１２前面からワークピース２０
上の或る点へ垂直に下方に伸長する任意の垂線が該点の
上方でシールド１４，１６と交差するような領域を占め
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は全般にフラットパネ
ルディスプレイ等の電子ワークピースにスパッタ堆積を
行う装置に関する。特に本発明は、傾斜スパッタリング
ターゲットと、ターゲットからワークピースへの汚染物
質の粒子の落下を防止するシールドに関する。
ルディスプレイ等の電子ワークピースにスパッタ堆積を
行う装置に関する。特に本発明は、傾斜スパッタリング
ターゲットと、ターゲットからワークピースへの汚染物
質の粒子の落下を防止するシールドに関する。
【０００２】
【従来の技術】大型のフラットパネルディスプレイその
他の電子デバイスは一般に一連の処理ステップによって
製造され、連続した材料層がガラス基板等のワークピー
スに堆積され、次いでパターン化される。二三の堆積ス
テップは通常スパッタ堆積によって実施されるが、これ
はターゲットから材料をスパッタすることによって堆積
される。
他の電子デバイスは一般に一連の処理ステップによって
製造され、連続した材料層がガラス基板等のワークピー
スに堆積され、次いでパターン化される。二三の堆積ス
テップは通常スパッタ堆積によって実施されるが、これ
はターゲットから材料をスパッタすることによって堆積
される。
【０００３】スパッタ堆積において、スパッタリングタ
ーゲットおよびワークピースはバキュームチャンバ内に
配置され、比較的重い原子を有するアルゴン等のガスを
励起してプラズマ状態にする。ターゲットの直流マイナ
スあるいは交流電圧はプラズマからアルゴンイオンを加
速しターゲットをボンバードする。若干のボンバードエ
ネルギーはターゲット表面の材料に伝達されるので、タ
ーゲット材料の分子がターゲットから放出あるいは「ス
パッタ」される。ワークピースはスパッタされたターゲ
ット材料の大部分がワークピースに堆積されるように配
置される。
ーゲットおよびワークピースはバキュームチャンバ内に
配置され、比較的重い原子を有するアルゴン等のガスを
励起してプラズマ状態にする。ターゲットの直流マイナ
スあるいは交流電圧はプラズマからアルゴンイオンを加
速しターゲットをボンバードする。若干のボンバードエ
ネルギーはターゲット表面の材料に伝達されるので、タ
ーゲット材料の分子がターゲットから放出あるいは「ス
パッタ」される。ワークピースはスパッタされたターゲ
ット材料の大部分がワークピースに堆積されるように配
置される。
【０００４】通常用いられる二三のタイプのターゲット
は汚染物質の粒子を生成する傾向があるが、粒子をワー
クピースに落下させておくと製造される電子デバイスを
害する場合がある。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴ
Ｏ）ターゲットは通常少なくとも１パーセントの不純物
を含んでいる。ターゲットがスパッタされるにつれて、
不純物は１ｍｍ大の粒子に塊ってからターゲットに落下
する。汚染物質の粒子を生成する傾向がある別のタイプ
のターゲットは、単一モノリシックターゲットとしてで
はなくタイルマトリックスとして構成されたターゲット
である。タイル間の間隙のアーキングはタイルをバッキ
ングプレートに接合するために用いられる材料の粒子を
取り去る場合がある。
は汚染物質の粒子を生成する傾向があるが、粒子をワー
クピースに落下させておくと製造される電子デバイスを
害する場合がある。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴ
Ｏ）ターゲットは通常少なくとも１パーセントの不純物
を含んでいる。ターゲットがスパッタされるにつれて、
不純物は１ｍｍ大の粒子に塊ってからターゲットに落下
する。汚染物質の粒子を生成する傾向がある別のタイプ
のターゲットは、単一モノリシックターゲットとしてで
はなくタイルマトリックスとして構成されたターゲット
である。タイル間の間隙のアーキングはタイルをバッキ
ングプレートに接合するために用いられる材料の粒子を
取り去る場合がある。
【０００５】ワークピースに落下する汚染粒子の問題は
ターゲットおよびワークピースが共に水平配向され、タ
ーゲットがワークピースの真上にある場合最も深刻とな
る。この場合、ターゲットに落下する粒子はほとんどす
べてワークピース上にとどまる。
ターゲットおよびワークピースが共に水平配向され、タ
ーゲットがワークピースの真上にある場合最も深刻とな
る。この場合、ターゲットに落下する粒子はほとんどす
べてワークピース上にとどまる。
【０００６】この問題を克服するため、従来の二三のス
パッタ堆積チャンバではターゲットとワークピースを垂
直配向し、ワークピースはターゲットの下方ではなく横
に並べてある。こうした構成では、ターゲットに落下す
る大部分の粒子はワークピース上ではなくターゲットの
下方に落下して無害である。しかし、過度の応力をかけ
たり、さらにはひびを入れたりせずに大きなガラス基板
を垂直方向に機械的に支持するのは困難である。
パッタ堆積チャンバではターゲットとワークピースを垂
直配向し、ワークピースはターゲットの下方ではなく横
に並べてある。こうした構成では、ターゲットに落下す
る大部分の粒子はワークピース上ではなくターゲットの
下方に落下して無害である。しかし、過度の応力をかけ
たり、さらにはひびを入れたりせずに大きなガラス基板
を垂直方向に機械的に支持するのは困難である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、基板への汚染
粒子の堆積を最小とし、水平配向された基板を用いて実
施し得るワークピースの材料スパッタ堆積装置および方
法が求められている。
粒子の堆積を最小とし、水平配向された基板を用いて実
施し得るワークピースの材料スパッタ堆積装置および方
法が求められている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は傾斜スパッタリ
ングターゲットとターゲットから落下する可能性のある
粒子を途中捕捉して粒子がワークピースに堆積しないよ
うにするシールドとを備えるスパッタ堆積装置および方
法である。本発明はワークピースを水平配向可能にす
る。
ングターゲットとターゲットから落下する可能性のある
粒子を途中捕捉して粒子がワークピースに堆積しないよ
うにするシールドとを備えるスパッタ堆積装置および方
法である。本発明はワークピースを水平配向可能にす
る。
【０００９】特に、スパッタリングターゲットはワーク
ピース位置より高く装着され、垂直軸に対して３０〜６
０度の角度で配向される。シールドは、ターゲットの前
面からワークピース上の或る点へ垂直に下方に伸長する
任意の垂線が前記点の上方でシールドと交差するような
領域を占める。
ピース位置より高く装着され、垂直軸に対して３０〜６
０度の角度で配向される。シールドは、ターゲットの前
面からワークピース上の或る点へ垂直に下方に伸長する
任意の垂線が前記点の上方でシールドと交差するような
領域を占める。
【００１０】本発明の別の態様は垂直面に対して３０〜
６０度の角度で、かつこれに対して対称的に配向された
一対のスパッタリングターゲットである。この対称的か
つ傾斜した配列によって、単一の傾斜ターゲットで発生
する可能性のある非均一な堆積が克服される。各ターゲ
ットは２セットの磁極を含み、第１セットはターゲット
の後面に隣接して装着され、第２セットはターゲットの
外周に隣接して装着されて第１セットを囲繞する。この
磁石配列によって各磁石はターゲットに近接して離隔配
置され、ターゲットに隣接する磁界強度を最大とし、こ
れによりスパッタ堆積速度を最大とする。
６０度の角度で、かつこれに対して対称的に配向された
一対のスパッタリングターゲットである。この対称的か
つ傾斜した配列によって、単一の傾斜ターゲットで発生
する可能性のある非均一な堆積が克服される。各ターゲ
ットは２セットの磁極を含み、第１セットはターゲット
の後面に隣接して装着され、第２セットはターゲットの
外周に隣接して装着されて第１セットを囲繞する。この
磁石配列によって各磁石はターゲットに近接して離隔配
置され、ターゲットに隣接する磁界強度を最大とし、こ
れによりスパッタ堆積速度を最大とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１、２は２つの傾斜スパッタリ
ングターゲット１０、１２を有するスパッタ堆積チャン
バ８を示し、各ターゲットはそれぞれ本発明による汚染
ブロックシールド１４、１６を有する。
ングターゲット１０、１２を有するスパッタ堆積チャン
バ８を示し、各ターゲットはそれぞれ本発明による汚染
ブロックシールド１４、１６を有する。
【００１２】図示したチャンバは電子ビデオディスプレ
イの製造に用いられるタイプの大型矩形ワークピースあ
るいは基板を収容するよう構成されている。このような
基板は現在６５０ｍｍｘ８００ｍｍ（幅ｘ長さ）程度の
大きさが可能で、近い将来さらに大きい基板が普及する
ものと思われる。
イの製造に用いられるタイプの大型矩形ワークピースあ
るいは基板を収容するよう構成されている。このような
基板は現在６５０ｍｍｘ８００ｍｍ（幅ｘ長さ）程度の
大きさが可能で、近い将来さらに大きい基板が普及する
ものと思われる。
【００１３】このような基板大のスパッタリングターゲ
ットおよび磁石を構成するのは高価かつ困難である。従
って、本発明の好適な実施例は長尺かつ狭隘な矩形ター
ゲット１０、１２を用い、各々長さは基板より長いが幅
は基板よりはるかに短くなっている。キャリア１８は基
板２０をターゲットを越えて水平に低速移動するので、
ターゲットからスパッタされた材料は基板全体に及ぶ。
図示した実施例において、各ターゲットは幅１０ｃｍ、
長さ１ｍである。
ットおよび磁石を構成するのは高価かつ困難である。従
って、本発明の好適な実施例は長尺かつ狭隘な矩形ター
ゲット１０、１２を用い、各々長さは基板より長いが幅
は基板よりはるかに短くなっている。キャリア１８は基
板２０をターゲットを越えて水平に低速移動するので、
ターゲットからスパッタされた材料は基板全体に及ぶ。
図示した実施例において、各ターゲットは幅１０ｃｍ、
長さ１ｍである。
【００１４】任意の従来の搬送機構をチャンバ内に設置
して基板をターゲットを越えて低速移動してよい。図示
した実施例はラック・ピニオン機構を用いるが、歯付き
ラック４２が基板キャリア１８の底部に装着されてい
る。ピニオンギア４６はチャンバの長手方向に沿ってキ
ャリア１８の幅より大きくない離間間隔で装着され、ラ
ックは少なくとも１つのピニオンギアと常に噛合する。
図示しないモータがピニオンギアを回転する。自由回転
する遊動輪４４がピニオンギア間の各点でキャリア１８
を支持する。
して基板をターゲットを越えて低速移動してよい。図示
した実施例はラック・ピニオン機構を用いるが、歯付き
ラック４２が基板キャリア１８の底部に装着されてい
る。ピニオンギア４６はチャンバの長手方向に沿ってキ
ャリア１８の幅より大きくない離間間隔で装着され、ラ
ックは少なくとも１つのピニオンギアと常に噛合する。
図示しないモータがピニオンギアを回転する。自由回転
する遊動輪４４がピニオンギア間の各点でキャリア１８
を支持する。
【００１５】図２、３はターゲットの上方（すなわち背
後）の磁石配列を示す。永久磁石のアレイがターゲット
の全外周に沿ってＳ極を有し、ターゲットの長尺中心軸
に沿ってＮ極を有する磁界を発生する。磁石アレイのＮ
極はターゲットの長尺中心軸に沿った２列の矩形磁石２
２から成り、各磁石はターゲットに垂直配向された磁軸
を有し、Ｎ極はターゲットに隣接する。アレイのＳ極は
ターゲットの外周に沿った１列の磁石２４から成り、磁
石２４は各外部磁石のＳ極がターゲットに隣接すること
を除いて内部磁石２２と同一である。鉄極片２６（図
２、４）は内部磁石のＳ極を外部磁石のＮ極に磁気結合
して「磁気回路」を形成する。この磁気回路は図２に矢
印２８で示した磁界を発生する。
後）の磁石配列を示す。永久磁石のアレイがターゲット
の全外周に沿ってＳ極を有し、ターゲットの長尺中心軸
に沿ってＮ極を有する磁界を発生する。磁石アレイのＮ
極はターゲットの長尺中心軸に沿った２列の矩形磁石２
２から成り、各磁石はターゲットに垂直配向された磁軸
を有し、Ｎ極はターゲットに隣接する。アレイのＳ極は
ターゲットの外周に沿った１列の磁石２４から成り、磁
石２４は各外部磁石のＳ極がターゲットに隣接すること
を除いて内部磁石２２と同一である。鉄極片２６（図
２、４）は内部磁石のＳ極を外部磁石のＮ極に磁気結合
して「磁気回路」を形成する。この磁気回路は図２に矢
印２８で示した磁界を発生する。
【００１６】また、Ｎ極およびＳ極は装置の性能に影響
しないなら相互交換してもよい。
しないなら相互交換してもよい。
【００１７】（図３では各磁石の抽出見本のみがＳある
いはＮの文字で表示されているが、内部磁石２２はすべ
てＳ表示された磁気方向と同一磁気方向であり、外部磁
石２４はすべてＮ表示された磁気方向と同一磁気方向で
ある。）
いはＮの文字で表示されているが、内部磁石２２はすべ
てＳ表示された磁気方向と同一磁気方向であり、外部磁
石２４はすべてＮ表示された磁気方向と同一磁気方向で
ある。）
【００１８】図示しない電源はターゲット１０、１２に
通常−６００Ｖ程度の高い交流電圧あるいは直流マイナ
ス電圧を供給する。誘電体スペーサ１７は接地されたチ
ャンバ壁部８とターゲットとを電気的に絶縁し、誘電体
外部カバー１９は作業員がターゲットの高電圧に不注意
により接触しないようにする。
通常−６００Ｖ程度の高い交流電圧あるいは直流マイナ
ス電圧を供給する。誘電体スペーサ１７は接地されたチ
ャンバ壁部８とターゲットとを電気的に絶縁し、誘電体
外部カバー１９は作業員がターゲットの高電圧に不注意
により接触しないようにする。
【００１９】マグネトロンスパッタリング装置の運転原
理は周知である。運転中、アルゴン等の比較的重いガス
がバキュームチャンバに供給される。図示しないバキュ
ームポンプはチャンバ内を極めて低いガス圧、通常１〜
５ｍトルに維持する。磁界２８はターゲット近傍で自由
電子を捕捉する傾向があり、自由電子は内部磁石２２と
外部磁石２４間の間隙に平行な閉楕円形径路を巡って回
転する。従来のマグネトロンスパッタリングターゲット
におけるように、各ターゲットおよび極片の両端は回転
する電子に少なくとも最小回転半径を与えるよう半円形
である。
理は周知である。運転中、アルゴン等の比較的重いガス
がバキュームチャンバに供給される。図示しないバキュ
ームポンプはチャンバ内を極めて低いガス圧、通常１〜
５ｍトルに維持する。磁界２８はターゲット近傍で自由
電子を捕捉する傾向があり、自由電子は内部磁石２２と
外部磁石２４間の間隙に平行な閉楕円形径路を巡って回
転する。従来のマグネトロンスパッタリングターゲット
におけるように、各ターゲットおよび極片の両端は回転
する電子に少なくとも最小回転半径を与えるよう半円形
である。
【００２０】回転する電子はアルゴンガス原子に衝突し
てイオン化する。ターゲット１０、１２の高い直流マイ
ナスあるいは交流電圧はターゲットに向けてアルゴンイ
オンを加速する。アルゴンイオンはターゲット前面をボ
ンバードしターゲット表面から材料を放出あるいは「ス
パッタ」する。ワークピース２０はターゲットの正面に
あるので、スパッタされたターゲット材料のかなりの部
分はワークピースに堆積する。
てイオン化する。ターゲット１０、１２の高い直流マイ
ナスあるいは交流電圧はターゲットに向けてアルゴンイ
オンを加速する。アルゴンイオンはターゲット前面をボ
ンバードしターゲット表面から材料を放出あるいは「ス
パッタ」する。ワークピース２０はターゲットの正面に
あるので、スパッタされたターゲット材料のかなりの部
分はワークピースに堆積する。
【００２１】ターゲットからスパッタされた材料の分子
はそれぞれターゲットから離隔した直線軌道を進むが、
スパッタされた材料の別の分子の軌道は角度範囲以上に
分布する。分布範囲は特定スパッタ材料によって決まる
が、ほとんどすべての材料では、スパッタ材料の軌道は
ターゲット前面に垂直な線からプラスマイナス３０度の
範囲に集中する。
はそれぞれターゲットから離隔した直線軌道を進むが、
スパッタされた材料の別の分子の軌道は角度範囲以上に
分布する。分布範囲は特定スパッタ材料によって決まる
が、ほとんどすべての材料では、スパッタ材料の軌道は
ターゲット前面に垂直な線からプラスマイナス３０度の
範囲に集中する。
【００２２】従来の技術において上述したように、酸化
インジウムスズ（ＩＴＯ）等のあるタイプのターゲット
材料は通常ターゲットのスパッタリング中に集合し、最
終的にワークピース２０に落下する可能性のある粒子と
して剥離する有機汚染物質を含む。加うるに、単一モノ
リシックターゲットとしてではなくタイルマトリックス
として構成されたターゲットはタイル間の間隙にアーキ
ングを実施する場合があり、前記アーキングはタイルを
バッキングプレートに接合するために用いられる材料の
粒子を取り去る可能性がある。
インジウムスズ（ＩＴＯ）等のあるタイプのターゲット
材料は通常ターゲットのスパッタリング中に集合し、最
終的にワークピース２０に落下する可能性のある粒子と
して剥離する有機汚染物質を含む。加うるに、単一モノ
リシックターゲットとしてではなくタイルマトリックス
として構成されたターゲットはタイル間の間隙にアーキ
ングを実施する場合があり、前記アーキングはタイルを
バッキングプレートに接合するために用いられる材料の
粒子を取り去る可能性がある。
【００２３】このような粒子がワークピースを汚染しな
いように、本発明は各ターゲットの下方にシールド１
４、１６を含み、各ターゲット１０、１２は垂直軸に対
して傾斜している。シールドがターゲットから落下する
粒子をワークピースに到達する前に途中捕捉するのは、
該シールドが、ターゲットからワークピース位置へ下方
に伸長する任意の垂線がワークピース位置上方の或る点
でシールドと交差するような領域を占めるからである。
シールドの下端は粒子がシールドの下端を滑走しないよ
うにする上方伸長するリップ部３２を含むのが好まし
い。
いように、本発明は各ターゲットの下方にシールド１
４、１６を含み、各ターゲット１０、１２は垂直軸に対
して傾斜している。シールドがターゲットから落下する
粒子をワークピースに到達する前に途中捕捉するのは、
該シールドが、ターゲットからワークピース位置へ下方
に伸長する任意の垂線がワークピース位置上方の或る点
でシールドと交差するような領域を占めるからである。
シールドの下端は粒子がシールドの下端を滑走しないよ
うにする上方伸長するリップ部３２を含むのが好まし
い。
【００２４】水平配向ターゲットを有する従来のスパッ
タ堆積チャンバでは、ワークピースはターゲットの真下
に配置してターゲットからスパッタされた材料を受取る
必要がある。これが、ターゲットに落下する汚染粒子が
途中捕捉されるようにターゲットとワークピース間にシ
ールドを配置することを含まないのは、こうしたシール
ドがスパッタ材料をほとんどすべてブロックするからで
ある。逆に、垂直配向ターゲットが水平配向ワークピー
スの仕様を許容しないのは、垂直配向ターゲットからス
パッタされた材料が水平軌道を有し、従って大部分が水
平ワークピースの上方を飛行するからである。
タ堆積チャンバでは、ワークピースはターゲットの真下
に配置してターゲットからスパッタされた材料を受取る
必要がある。これが、ターゲットに落下する汚染粒子が
途中捕捉されるようにターゲットとワークピース間にシ
ールドを配置することを含まないのは、こうしたシール
ドがスパッタ材料をほとんどすべてブロックするからで
ある。逆に、垂直配向ターゲットが水平配向ワークピー
スの仕様を許容しないのは、垂直配向ターゲットからス
パッタされた材料が水平軌道を有し、従って大部分が水
平ワークピースの上方を飛行するからである。
【００２５】本発明においては、ターゲットの傾斜がス
パッタされたターゲット材料の軌道に対し垂直および水
平構成要素の両方に与えられる。垂直構成要素によって
基板はスパッタ材料が基板上方を飛行することなく水平
配向可能となり、水平構成要素によって基板はターゲッ
トから横方向にオフセット可能となって、ターゲット下
方のシールドは汚染物質の粒子を途中捕捉することがで
きる。垂直軸に対するターゲットの傾斜は３０〜６０度
の範囲、好ましくは約４５度でなければならない。
パッタされたターゲット材料の軌道に対し垂直および水
平構成要素の両方に与えられる。垂直構成要素によって
基板はスパッタ材料が基板上方を飛行することなく水平
配向可能となり、水平構成要素によって基板はターゲッ
トから横方向にオフセット可能となって、ターゲット下
方のシールドは汚染物質の粒子を途中捕捉することがで
きる。垂直軸に対するターゲットの傾斜は３０〜６０度
の範囲、好ましくは約４５度でなければならない。
【００２６】シールド１４，１６に係る２つの主要設計
パラメータは（１）シールドがターゲットから伸長する
長さと、（２）シールドとターゲット前面の平面間の角
度θである。シールドの長さは十分長く、ターゲットの
上端からワークピース位置へ下方に伸長する垂線３４が
ワークピース位置上方の或る点３６でシールドと交差す
るようでなければならない（図２参照）。
パラメータは（１）シールドがターゲットから伸長する
長さと、（２）シールドとターゲット前面の平面間の角
度θである。シールドの長さは十分長く、ターゲットの
上端からワークピース位置へ下方に伸長する垂線３４が
ワークピース位置上方の或る点３６でシールドと交差す
るようでなければならない（図２参照）。
【００２７】図示した好適な実施例のシールドはターゲ
ット前面に垂直である。また、シールドをより上方ある
いはより下方に角度付けし、シールドとターゲット間の
角度θがそれぞれ９０度より小さくあるいは大きくなる
ようにしてもよい。シールドとターゲット間の角度を減
少するとターゲットをより低く、従ってワークピースに
より近接して装着可能であるという利点がある。しかし
これはシールドによってワークピースへの到達がブロッ
クされる、ターゲットからスパッタされる材料の量を増
加させる。角度の増加は逆の効果を有する。すなわち、
シールドによってブロックされるスパッタターゲット材
料の量を減少させるという利点があるが、ターゲットを
ワークピースの上方高く装着しなければならないという
欠点がある。
ット前面に垂直である。また、シールドをより上方ある
いはより下方に角度付けし、シールドとターゲット間の
角度θがそれぞれ９０度より小さくあるいは大きくなる
ようにしてもよい。シールドとターゲット間の角度を減
少するとターゲットをより低く、従ってワークピースに
より近接して装着可能であるという利点がある。しかし
これはシールドによってワークピースへの到達がブロッ
クされる、ターゲットからスパッタされる材料の量を増
加させる。角度の増加は逆の効果を有する。すなわち、
シールドによってブロックされるスパッタターゲット材
料の量を減少させるという利点があるが、ターゲットを
ワークピースの上方高く装着しなければならないという
欠点がある。
【００２８】ワークピース上方のターゲットの高さは、
好ましくは、ターゲットからスパッタされた材料がワー
クピースに到達する前に高い確率でガス原子と衝突する
ほど大きくてはならない。スパッタ堆積に通常用いられ
るチャンバ圧の範囲、１〜５ｍトルでは、好適な高さは
ターゲットからワークピースまでのスパッタ材料の平均
自由行路長さが１５〜２０ｃｍである高さである。換言
すれば、ターゲットはワークピース上方のある高さに配
置され、ターゲットに垂直でありかつターゲットの中心
からワークピースへ伸長する線が長さ１５〜２０ｃｍで
あるようにするのが好ましい。図示した実施例のように
４５度の角度で傾斜されたターゲットの場合、これはタ
ーゲットの中心がワークピース上方約１０〜１４ｃｍに
あることを意味する。チャンバ圧を減少するとスパッタ
されるターゲット材料の平均自由行路を増加させ、従っ
てより大きなターゲット高さを可能にする。
好ましくは、ターゲットからスパッタされた材料がワー
クピースに到達する前に高い確率でガス原子と衝突する
ほど大きくてはならない。スパッタ堆積に通常用いられ
るチャンバ圧の範囲、１〜５ｍトルでは、好適な高さは
ターゲットからワークピースまでのスパッタ材料の平均
自由行路長さが１５〜２０ｃｍである高さである。換言
すれば、ターゲットはワークピース上方のある高さに配
置され、ターゲットに垂直でありかつターゲットの中心
からワークピースへ伸長する線が長さ１５〜２０ｃｍで
あるようにするのが好ましい。図示した実施例のように
４５度の角度で傾斜されたターゲットの場合、これはタ
ーゲットの中心がワークピース上方約１０〜１４ｃｍに
あることを意味する。チャンバ圧を減少するとスパッタ
されるターゲット材料の平均自由行路を増加させ、従っ
てより大きなターゲット高さを可能にする。
【００２９】ターゲットとワークピース間の距離を最小
とするため、好ましくは堆積実施中ワークピースをシー
ルド１４、１６にできるだけ近接して装着すべきであ
る。好適な実施例においては、キャリア１８はシールド
の下端の５ｍｍだけ下方にある平面水平経路に沿ってワ
ークピース２０を移動する。
とするため、好ましくは堆積実施中ワークピースをシー
ルド１４、１６にできるだけ近接して装着すべきであ
る。好適な実施例においては、キャリア１８はシールド
の下端の５ｍｍだけ下方にある平面水平経路に沿ってワ
ークピース２０を移動する。
【００３０】ターゲットは基板に対して傾斜し横方向に
オフセットしているので、スパッタされたターゲット材
料は一般に一方側から基板に到着する。例えば、図１に
おいて、最も左側のターゲットからスパッタされた材料
は一般に左側から基板２０に到着する。基板の上面が平
坦である場合、この指向性は基板へのターゲット材料の
堆積に悪影響を及ぼさないはずである。しかし、基板の
上面がターゲット材料で充填予定の開口部を有してパタ
ーン化される場合、例えば金属接点あるいはバイアを形
成する場合、指向性は望ましくないが、各開口部におい
てターゲット材料がターゲットから最も遠い開口部の側
壁により多く堆積されるからである。図１の例では、各
開口部は開口部の右側壁に堆積されるターゲット１０か
らの材料量が最大であり、左側壁に堆積される量が最小
である。
オフセットしているので、スパッタされたターゲット材
料は一般に一方側から基板に到着する。例えば、図１に
おいて、最も左側のターゲットからスパッタされた材料
は一般に左側から基板２０に到着する。基板の上面が平
坦である場合、この指向性は基板へのターゲット材料の
堆積に悪影響を及ぼさないはずである。しかし、基板の
上面がターゲット材料で充填予定の開口部を有してパタ
ーン化される場合、例えば金属接点あるいはバイアを形
成する場合、指向性は望ましくないが、各開口部におい
てターゲット材料がターゲットから最も遠い開口部の側
壁により多く堆積されるからである。図１の例では、各
開口部は開口部の右側壁に堆積されるターゲット１０か
らの材料量が最大であり、左側壁に堆積される量が最小
である。
【００３１】この指向性を排除するため、図示した好適
な実施例は反対方向に傾斜した２つのターゲットを用い
る。すなわち、最も左側のターゲット１０はスパッタ材
料を右側に向け、最も右側のターゲット１２はスパッタ
材料を左側に向ける。組合わせられた２つのターゲット
は基板の開口部の全側面にスパッタされたターゲット材
料を均一に堆積させる。
な実施例は反対方向に傾斜した２つのターゲットを用い
る。すなわち、最も左側のターゲット１０はスパッタ材
料を右側に向け、最も右側のターゲット１２はスパッタ
材料を左側に向ける。組合わせられた２つのターゲット
は基板の開口部の全側面にスパッタされたターゲット材
料を均一に堆積させる。
【００３２】上述のように、基板の上面がスパッタ材料
で充填予定の深く狭隘な開口部を含まない場合、単一タ
ーゲット１０で十分である場合がある。従って、本発明
は、２つのターゲットが好適ではあるが、単一ターゲッ
ト１０および単一シールド１４を用いて実施してもよ
い。
で充填予定の深く狭隘な開口部を含まない場合、単一タ
ーゲット１０で十分である場合がある。従って、本発明
は、２つのターゲットが好適ではあるが、単一ターゲッ
ト１０および単一シールド１４を用いて実施してもよ
い。
【００３３】各シールド１４、１６は好ましくはターゲ
ット１０、１２と電気的に絶縁し、イオンボンバードに
よってシールドが侵食されないようにすべきである。シ
ールドは電気的に浮動であっても、あるいは図１、２、
５に示すようにチャンバ壁部８に接地されていてもよ
い。
ット１０、１２と電気的に絶縁し、イオンボンバードに
よってシールドが侵食されないようにすべきである。シ
ールドは電気的に浮動であっても、あるいは図１、２、
５に示すようにチャンバ壁部８に接地されていてもよ
い。
【００３４】スパッタ堆積速度を最大とするため、各磁
石２２、２４とターゲット１０の前面（スパッタリング
を受ける面）間の距離はターゲット前面の幅に対して、
かつターゲットに隣接する逆極性の磁極間の間隙に対し
てできる限り小さくなければならない。図示した実施例
においては、後者の間隙は内部磁石２２と外部磁石２４
間の間隙である。磁石〜ターゲット間距離を最小とする
ことはターゲット前面に隣接するアルゴンイオン領域の
磁界強度を最大とし、これはターゲットをボンバードす
るアルゴンイオンの流束密度を最大とする。磁石とター
ゲット前面間の平均距離はターゲット前面の幅の１００
％以下（より好ましくは５０％以下）、かつターゲット
に隣接する逆極性の磁極間の平均間隙の２００％以下
（より好ましくは１００％以下）であるのが好ましい。
（ターゲットが図示した実施例のような長形状をしてい
る場合、その「幅」および「長さ」はそれぞれターゲッ
ト前面の短長の寸法である。）
石２２、２４とターゲット１０の前面（スパッタリング
を受ける面）間の距離はターゲット前面の幅に対して、
かつターゲットに隣接する逆極性の磁極間の間隙に対し
てできる限り小さくなければならない。図示した実施例
においては、後者の間隙は内部磁石２２と外部磁石２４
間の間隙である。磁石〜ターゲット間距離を最小とする
ことはターゲット前面に隣接するアルゴンイオン領域の
磁界強度を最大とし、これはターゲットをボンバードす
るアルゴンイオンの流束密度を最大とする。磁石とター
ゲット前面間の平均距離はターゲット前面の幅の１００
％以下（より好ましくは５０％以下）、かつターゲット
に隣接する逆極性の磁極間の平均間隙の２００％以下
（より好ましくは１００％以下）であるのが好ましい。
（ターゲットが図示した実施例のような長形状をしてい
る場合、その「幅」および「長さ」はそれぞれターゲッ
ト前面の短長の寸法である。）
【００３５】図１に示した反対方向に傾斜した２つのタ
ーゲットの好適な配列は、各ターゲットの背後に磁石を
直接装着することによって各磁石２２、２４と隣接ター
ゲット１０あるいは１２の前面間の距離を最小とする。
図２に示した左側ターゲット１０を参照すると、ターゲ
ットはターゲットに機械的強度を与える機能を有する第
１バッキングプレート３８に接合される。第１バッキン
グプレートに当接する第２バッキングプレート３９はチ
ャネルを含み、前記チャネルを介して水をポンプ汲み上
げしターゲットおよび磁石を冷却可能である。バッキン
グプレートは銅あるいはアルミ等非磁性（すなわち非
鉄）かつ機械的に強い材料で構成されねばならない。誘
電体シート４０はターゲットおよびバッキングプレート
の高電圧と磁石および外部カバー４１とを電気的に絶縁
する。
ーゲットの好適な配列は、各ターゲットの背後に磁石を
直接装着することによって各磁石２２、２４と隣接ター
ゲット１０あるいは１２の前面間の距離を最小とする。
図２に示した左側ターゲット１０を参照すると、ターゲ
ットはターゲットに機械的強度を与える機能を有する第
１バッキングプレート３８に接合される。第１バッキン
グプレートに当接する第２バッキングプレート３９はチ
ャネルを含み、前記チャネルを介して水をポンプ汲み上
げしターゲットおよび磁石を冷却可能である。バッキン
グプレートは銅あるいはアルミ等非磁性（すなわち非
鉄）かつ機械的に強い材料で構成されねばならない。誘
電体シート４０はターゲットおよびバッキングプレート
の高電圧と磁石および外部カバー４１とを電気的に絶縁
する。
【００３６】図示した試作品では、ターゲットは厚さ８
ｍｍ、第１、第２バッキングプレートはそれぞれ厚さ１
０ｍｍ、誘電体シートは厚さ３ｍｍである。各磁石２
２、２４からターゲット１０の前面までの距離はこれら
の厚さの合計であり、３１ｍｍに等しい。各ターゲット
は幅１００ｍｍであるので、内部および外部磁石間の間
隙は約４０ｍｍである。従って、各磁石とターゲット前
面間の距離３１ｍｍはターゲットに隣接する磁極間の間
隙４０ｍｍより小さく、ターゲットの幅１００ｍｍの５
０％より小さい。
ｍｍ、第１、第２バッキングプレートはそれぞれ厚さ１
０ｍｍ、誘電体シートは厚さ３ｍｍである。各磁石２
２、２４からターゲット１０の前面までの距離はこれら
の厚さの合計であり、３１ｍｍに等しい。各ターゲット
は幅１００ｍｍであるので、内部および外部磁石間の間
隙は約４０ｍｍである。従って、各磁石とターゲット前
面間の距離３１ｍｍはターゲットに隣接する磁極間の間
隙４０ｍｍより小さく、ターゲットの幅１００ｍｍの５
０％より小さい。
【００３７】ワークピース２０が好適な実施例（５ｍ
ｍ）同様にシールドの下端に近接配置される場合、シー
ルド１４、１６は不注意により偏向させてワークピース
に接触し損傷させることがないよう十分堅くなければな
らない。図５は別の実施例を示し、シールドは補強され
て剛性が向上している。すなわち、各シールド１４、１
６は２つの側壁に溶接され、前記側壁は上面壁に溶接さ
れ、前記上面壁はターゲットアッセンブリにボルト締め
される。図５は２つの側壁５０に溶接された左側シール
ド１４と前記２つの側壁に溶接された上面壁５４を示
す。組合わせられたシールド１４、側壁５０、上面壁５
４は矩形管を形成する。同様に、右側シールド１６は２
つの側壁５２に溶接され、前記側壁は上面壁５６に溶接
される。側壁はシールドが湾曲しないようにする。
ｍ）同様にシールドの下端に近接配置される場合、シー
ルド１４、１６は不注意により偏向させてワークピース
に接触し損傷させることがないよう十分堅くなければな
らない。図５は別の実施例を示し、シールドは補強され
て剛性が向上している。すなわち、各シールド１４、１
６は２つの側壁に溶接され、前記側壁は上面壁に溶接さ
れ、前記上面壁はターゲットアッセンブリにボルト締め
される。図５は２つの側壁５０に溶接された左側シール
ド１４と前記２つの側壁に溶接された上面壁５４を示
す。組合わせられたシールド１４、側壁５０、上面壁５
４は矩形管を形成する。同様に、右側シールド１６は２
つの側壁５２に溶接され、前記側壁は上面壁５６に溶接
される。側壁はシールドが湾曲しないようにする。
【００３８】図６、７はどのように数個のスパッタリン
グターゲットが単一スパッタ堆積バキュームチャンバ６
０内に配設され、ワークピース２０に連続したターゲッ
ト材料層を堆積することができるかを示す。キャリア１
８は低速かつ継続的にワークピースを連続スパッタリン
グターゲット下方の左から右へ搬送する。
グターゲットが単一スパッタ堆積バキュームチャンバ６
０内に配設され、ワークピース２０に連続したターゲッ
ト材料層を堆積することができるかを示す。キャリア１
８は低速かつ継続的にワークピースを連続スパッタリン
グターゲット下方の左から右へ搬送する。
【００３９】すなわち、ワークピース２０は入口ロード
ロックチャンバ６２を経由して入ってくる。図示しない
各リフトピンはキャリア１８上方にワークピースを持ち
上げ、次いでワークピースをキャリアに置く。キャリア
はワークピースを入力ロードロックチャンバ６２からバ
キュームバルブ６４を経てスパッタ堆積バキュームチャ
ンバ６０に搬送する。
ロックチャンバ６２を経由して入ってくる。図示しない
各リフトピンはキャリア１８上方にワークピースを持ち
上げ、次いでワークピースをキャリアに置く。キャリア
はワークピースを入力ロードロックチャンバ６２からバ
キュームバルブ６４を経てスパッタ堆積バキュームチャ
ンバ６０に搬送する。
【００４０】次にキャリアはワークピースを第１組の酸
化インジウムスズ（ＩＴＯ）ターゲット１０、１２の下
方に移動するが、前記第１組は基板に第１層のＩＴＯ薄
膜を堆積している。キャリアは基板の移動を継続し第２
組のＩＴＯターゲット１０’、１２’の下方を通過する
ようにするが、前記第２組は基板に第２層のＩＴＯ薄膜
を堆積している。キャリアが右側へ基板の移動を継続す
るにつれて、ＭｏＣｒあるいはＣｒターゲット７０の下
方を通過するが、前記ターゲットは先に堆積したＩＴＯ
層全体にＭｏＣｒあるいはＣｒ層を堆積している。最後
に、キャリアはワークピースをスパッタ堆積バキューム
チャンバ６０からバキュームバルブ６６を経て出口ロー
ドロックチャンバ６８に搬送する。
化インジウムスズ（ＩＴＯ）ターゲット１０、１２の下
方に移動するが、前記第１組は基板に第１層のＩＴＯ薄
膜を堆積している。キャリアは基板の移動を継続し第２
組のＩＴＯターゲット１０’、１２’の下方を通過する
ようにするが、前記第２組は基板に第２層のＩＴＯ薄膜
を堆積している。キャリアが右側へ基板の移動を継続す
るにつれて、ＭｏＣｒあるいはＣｒターゲット７０の下
方を通過するが、前記ターゲットは先に堆積したＩＴＯ
層全体にＭｏＣｒあるいはＣｒ層を堆積している。最後
に、キャリアはワークピースをスパッタ堆積バキューム
チャンバ６０からバキュームバルブ６６を経て出口ロー
ドロックチャンバ６８に搬送する。
【００４１】本発明の傾斜ターゲットおよびシールドが
ＩＴＯ層の堆積に用いられるのは、ＩＴＯターゲットが
通常前述のように有機汚染物質の粒子を生成するからで
ある。しかしながら、従来のシールドの無い水平ターゲ
ット６６がＭｏＣｒあるいはＣｒ層の堆積に用いること
ができるのは、ＭｏＣｒあるいはＣｒターゲットが高純
度で容易に利用可能であり汚染物質の粒子を発生しない
からである。
ＩＴＯ層の堆積に用いられるのは、ＩＴＯターゲットが
通常前述のように有機汚染物質の粒子を生成するからで
ある。しかしながら、従来のシールドの無い水平ターゲ
ット６６がＭｏＣｒあるいはＣｒ層の堆積に用いること
ができるのは、ＭｏＣｒあるいはＣｒターゲットが高純
度で容易に利用可能であり汚染物質の粒子を発生しない
からである。
【図１】本発明による２つのシールド付き傾斜ターゲッ
トを有するスパッタ堆積チャンバの一部略示断面側面図
である。
トを有するスパッタ堆積チャンバの一部略示断面側面図
である。
【図２】図１のターゲットおよびシールドの１つの詳細
図である。
図である。
【図３】ターゲットの背後の磁石構成の上面図である。
【図４】ターゲットの背後の磁極片の上面図である。
【図５】補強シールドを有する図１のチャンバの別の実
施例の一部略示断面側面図である。
施例の一部略示断面側面図である。
【図６】４つの傾斜ターゲットと１つの水平ターゲット
を有するスパッタ堆積チャンバの上面図である。
を有するスパッタ堆積チャンバの上面図である。
【図７】図６のチャンバの正面図である。
８・・・スパッタ堆積チャンバ、１０、１２・・・傾斜スパッ
タリングターゲット、１４、１６・・・汚染ブロックシー
ルド、１７・・・誘電体スペーサ、１８・・・キャリア、１９
・・・誘電体外部カバー、２０・・・基板、２２・・・内部磁
石、２４・・・外部磁石、２６・・・鉄極片、４２・・・歯付き
ラック、４４・・・遊動輪、４６・・・ピニオンギア。
タリングターゲット、１４、１６・・・汚染ブロックシー
ルド、１７・・・誘電体スペーサ、１８・・・キャリア、１９
・・・誘電体外部カバー、２０・・・基板、２２・・・内部磁
石、２４・・・外部磁石、２６・・・鉄極片、４２・・・歯付き
ラック、４４・・・遊動輪、４６・・・ピニオンギア。
Claims (27)
- 【請求項１】 スパッタリングターゲットから電子基板
への材料のスパッタ堆積装置であって、前記装置は：バ
キュームチャンバと；バキュームチャンバ内の第１スパ
ッタリングターゲットであって、前記第１ターゲットは
前面が略下方を向き垂線に対して３０〜６０度の範囲の
角度で傾斜している、第１スパッタリングターゲット
と；バキュームチャンバ内の１つ以上のワークピース位
置に電子基板を配置するワークピース支持体であって、
前記１つ以上のワークピース位置は第１ターゲットの下
方にある１つ以上のワークピース位置を含む、ワークピ
ース支持体と；バキュームチャンバ内の第１ターゲット
の下方かつ第１ターゲットの下方にある前記ワークピー
ス位置の上方に配置された第１シールドであって、前記
第１シールドは第１ターゲットの前面から第１ターゲッ
トの下方にある前記ワークピース位置のいずれか１つへ
垂直に下方に伸長する任意の線が前記いずれかの１つの
ワークピース位置の上方の或る点で第１シールドと交差
するような領域を占める、第１シールドと、を備える、
スパッタ堆積装置。 - 【請求項２】 第１シールドは第１シールドの下端に上
方に伸長するリップ部をさらに備える、請求項１記載の
スパッタ堆積装置。 - 【請求項３】 ワークピースピース支持体は基板を前記
１つ以上のワークピース位置に水平に配置する、請求項
１記載のスパッタ堆積装置。 - 【請求項４】 スパッタリングチャンバ内の第２スパッ
タリングターゲットであって、前記第２ターゲットは前
面が略下方を向くとともに第１ターゲットの略前面を向
き垂線に対し３０〜６０度の範囲の角度で傾斜してお
り、かつ前記１つ以上のワークピース位置は第２ターゲ
ットの下方にある１つ以上のワークピース位置を含む、
第２スパッタリングターゲットと；バキュームチャンバ
内の第２ターゲットの下方かつ第２ターゲットの下方に
ある前記ワークピース位置の上方に配置された第２シー
ルドであって、前記第２シールドは第２ターゲットの前
面から第２ターゲットの下方にある前記ワークピース位
置のいずれか１つへ垂直に下方に伸長する任意の線が前
記いずれかの１つのワークピース位置の上方の或る点で
第２シールドと交差するような領域を占める、第２シー
ルドと、をさらに備える、請求項１記載のスパッタ堆積
装置。 - 【請求項５】 スパッタリングターゲットから電子基板
への材料のスパッタ堆積方法であって、前記方法は：バ
キュームチャンバ内に前面を有する第１スパッタリング
ターゲットを装着するステップであって、前記第１ター
ゲットは前面が略下方に向き垂線に対して３０〜６０度
の範囲の角度で傾斜している、第１スパッタリングター
ゲットを装着するステップと；バキュームチャンバ内の
１つ以上のワークピース位置に電子基板を配置するステ
ップであって、前記１つ以上のワークピース位置は第１
ターゲットの下方にある１つ以上のワークピース位置を
含む、電子基板を配置するステップと；バキュームチャ
ンバ内の第１ターゲットの下方かつ第１ターゲットの下
方にある前記ワークピース位置の上方に第１シールドを
装着するステップであって、前記第１シールドは第１タ
ーゲットの前面から第１ターゲットの下方にある前記ワ
ークピース位置のいずれか１つへ垂直に下方に伸長する
任意の線が前記いずれかの１つのワークピース位置の上
方の或る点で第１シールドと交差するような領域を占め
るよう装着される、第１シールドを装着するステップ
と、を備える、スパッタ堆積方法。 - 【請求項６】 第１シールドの下端に上方伸長するリッ
プ部を具備するステップをさらに備える、請求項５記載
のスパッタ堆積方法。 - 【請求項７】 前記基板配置ステップは基板を前記１つ
以上のワークピース位置に水平に配置するステップをさ
らに備える、請求項５記載のスパッタ堆積方法。 - 【請求項８】 バキュームチャンバ内に前面を有する第
２スパッタリングターゲットを装着するステップであっ
て、前記第２ターゲットは前面が略下方を向くとともに
第１ターゲットの略前面を向き垂線に対し３０〜６０度
の範囲の角度で傾斜するよう装着され、かつ前記１つ以
上のワークピース位置は第２ターゲットの下方にある１
つ以上のワークピース位置を含む、第２スパッタリング
ターゲットを装着するステップと；バキュームチャンバ
内の第２ターゲットの下方かつ第２ターゲットの下方に
ある前記ワークピース位置の上方に第２シールドを装着
するステップであって、前記第２シールドは第２ターゲ
ットの前面から第２ターゲットの下方にある前記ワーク
ピース位置のいずれか１つへ垂直に下方に伸長する任意
の線が前記いずれかの１つのワークピース位置の上方の
或る点で第２シールドと交差するような領域を占めるよ
う装着される、第２シールドを装着するステップと、を
さらに備える、請求項５記載のスパッタ堆積方法。 - 【請求項９】 スパッタリングターゲットから電子基板
への材料のスパッタ堆積装置であって、前記装置は：第
１と第２スパッタリングターゲットであって、 各ターゲットは外周によって囲繞された前面および後面
を有し、 各ターゲットの後面は略上方に向き、 各ターゲットの前面は略下方かつ別のターゲットの前面
に向いており、 ２つのターゲットは対称垂直面に対してかつその対辺で
対称配向されて、各ターゲットの前面が前記垂直面に対
して３０〜６０度の範囲の角度で配向される、第１と第
２スパッタリングターゲットと；各々同一極性を有し、
第１ターゲットの後面に隣接して装着された第１セット
の１つ以上の磁極と；第１セットの極性と逆の極性を有
し、第１ターゲットの外周に隣接して装着された第２セ
ットの１つ以上の磁極であって、前記第２セットの磁極
は第１セットの磁極を集合囲繞する、第２セットの１つ
以上の磁極と；各々同一極性を有し、第２ターゲットの
後面に隣接して装着された第３セットの１つ以上の磁極
と；第３セットの極性と逆の極性を有し、第２ターゲッ
トの外周に隣接して装着された第４セットの１つ以上の
磁極であって、前記第４セットの磁極は第３セットの磁
極を集合囲繞する、第４セットの１つ以上の磁極と、を
備える、スパッタ堆積装置。 - 【請求項１０】 ２つのターゲットを囲繞するバキュー
ムチャンバと；バキュームチャンバ内の１つ以上のワー
クピース位置に電子基板を配置するワークピース支持体
であって、前記１つ以上のワークピース位置は第１ター
ゲットの下方にある１つ以上のワークピース位置と第２
ターゲットの下方にある１つ以上のワークピース位置を
含む、ワークピース支持体と、をさらに備える、請求項
９記載のスパッタ堆積装置。 - 【請求項１１】 スパッタリングターゲットから電子基
板への材料のスパッタ堆積方法であって、前記方法は：
バキュームチャンバ内に第１と第２スパッタリングター
ゲットを装着するステップであって、各ターゲットは外
周によって囲繞された前面および後面を有し、各ターゲ
ットは、 各ターゲットの後面が略上方に向き、 各ターゲットの前面が略下方かつ別のターゲットの前面
に向いており、 ２つのターゲットは対称垂直面に対してかつその対辺で
対称配向されて、各ターゲットの前面が前記垂直面に対
して３０〜６０度の範囲の角度で配向されるよう装着さ
れる、第１と第２スパッタリングターゲットを装着する
ステップと；各々同一極性を有し、第１ターゲットの後
面に隣接する第１セットの１つ以上の磁極を装着するス
テップと；第１セットの極性と逆の極性を有し、第１タ
ーゲットの外周に隣接する第２セットの１つ以上の磁極
を装着するステップであって、前記第２セットの磁極は
第１セットの磁極を集合囲繞する、第２セットの１つ以
上の磁極を装着するステップと；各々同一極性を有し、
第２ターゲットの後面に隣接する第３セットの１つ以上
の磁極を装着するステップと；第３セットの極性と逆の
極性を有し、第２ターゲットの外周に隣接する第４セッ
トの１つ以上の磁極を装着するステップであって、前記
第４セットの磁極は第３セットの磁極を集合囲繞する、
第４セットの１つ以上の磁極を装着するステップと、を
備える、スパッタ堆積方法。 - 【請求項１２】 バキュームチャンバ内の１つ以上のワ
ークピース位置に電子基板を配置するステップであっ
て、前記１つ以上のワークピース位置は第１ターゲット
の下方にある１つ以上のワークピース位置と第２ターゲ
ットの下方にある１つ以上のワークピース位置を含む、
電子基板を配置するステップをさらに備える、請求項１
１記載のスパッタ堆積方法。 - 【請求項１３】 スパッタリングターゲットから電子基
板への材料のスパッタ堆積装置であって、前記装置は：
バキュームチャンバと；バキュームチャンバ内の第１ス
パッタリングターゲットであって、 前記第１ターゲットは前面が略下方に向くとともに後面
が略上方に向き、 前面は幅が長さより小さいか等しくなるような幅および
長さを特徴とし、 前面は垂線に対して３０〜６０度の範囲の角度で配向さ
れる、第１スパッタリングターゲットと；バキュームチ
ャンバ内の１つ以上のワークピース位置に電子基板を配
置するワークピース支持体であって、前記１つ以上のワ
ークピース位置は第１ターゲットの下方にある１つ以上
のワークピース位置を含む、ワークピース支持体と；各
々第１ターゲットの後面に隣接して装着されたＮ極を有
する第１セットの１つ以上の磁石であって、前記第１セ
ットの磁石はＮ極と第１ターゲットの前面間の集合平均
距離が第１ターゲットの前面の幅より小さくなるよう装
着される、第１セットの１つ以上の磁石と；各々第１タ
ーゲットの後面に隣接して装着されたＳ極を有する第２
セットの１つ以上の磁石であって、前記第２セットの磁
石はＳ極と第１ターゲットの前面間の集合平均距離が第
１ターゲットの前面の幅より小さくなるよう装着され
る、第２セットの１つ以上の磁石と；を備え、 前記第１と第２セットの磁石は第１ターゲットの前面
で、大きさが前面でどの磁界よりも略大きい磁界を集合
的に発生する、スパッタ堆積装置。 - 【請求項１４】 前記第１セットの磁石はＮ極と第１タ
ーゲットの前面間の集合平均距離が第１ターゲットの前
面の幅の１／２より小さくなるよう装着され；前記第２
セットの磁石はＳ極と第１ターゲットの前面間の集合平
均距離が第１ターゲットの前面の幅の１／２より小さく
なるよう装着される、請求項１３記載のスパッタ堆積装
置。 - 【請求項１５】 ワークピース支持体は基板を前記１つ
以上のワークピース位置に水平に配置する、請求項１３
記載のスパッタ堆積装置。 - 【請求項１６】 バキュームチャンバ内の第２スパッタ
リングターゲットであって、 前記第２ターゲットは前面が略下方を向くとともに第１
ターゲットの略前面を向き、 前記第２ターゲットは後面が略上方を向き、 前面は幅が長さより小さいか等しくなるような幅および
長さを特徴とし、 前面は垂線に対して３０〜６０度の範囲の角度で配向さ
れ、 前記１つ以上のワークピース位置は第２ターゲットの下
方にある１つ以上のワークピース位置を含む、第２スパ
ッタリングターゲットと；各々第２ターゲットの後面に
隣接して装着されたＮ極を有する第３セットの１つ以上
の磁石であって、前記第３セットの磁石はＮ極と第２タ
ーゲットの前面間の集合平均距離が第２ターゲットの前
面の幅より小さくなるよう装着される、第３セットの１
つ以上の磁石と；各々第２ターゲットの後面に隣接して
装着されたＳ極を有する第４セットの１つ以上の磁石で
あって、前記第４セットの磁石はＳ極と第２ターゲット
の前面間の集合平均距離が第２ターゲットの前面の幅よ
り小さくなるよう装着される、第４セットの１つ以上の
磁石と；をさらに備え、 前記第３と第４セットの磁石は第２ターゲットの前面
で、大きさが前面でどの磁界よりも略大きい磁界を集合
的に発生する、請求項１３記載のスパッタ堆積装置。 - 【請求項１７】 スパッタリングターゲットから電子基
板への材料のスパッタ堆積装置であって、前記装置は：
バキュームチャンバと；バキュームチャンバ内の第１ス
パッタリングターゲットであって、 前記第１ターゲットは前面が略下方に向くとともに後面
が略上方に向き、 前面は垂線に対して３０〜６０度の範囲の角度で配向さ
れる、第１スパッタリングターゲットと；バキュームチ
ャンバ内の１つ以上のワークピース位置に電子基板を配
置するワークピース支持体であって、前記１つ以上のワ
ークピース位置は第１ターゲットの下方にある１つ以上
のワークピース位置を含む、ワークピース支持体と；各
々第１ターゲットの後面に隣接して装着されたＮ極を有
する第１セットの１つ以上の磁石と；各々第１ターゲッ
トの後面に隣接して装着されたＳ極を有する第２セット
の１つ以上の磁石と、を備え；前記磁石は前記磁極と第
１ターゲットの前面間の集合平均距離がＮ極とＳ極間の
平均間隙の２倍より小さくなるように装着される；前記
磁石は第１ターゲットの前面で、大きさが前面でどの磁
界よりも略大きい磁界を集合的に発生する、スパッタ堆
積装置。 - 【請求項１８】 磁石は前記磁極と第１ターゲットの前
面間の集合平均距離がＮ極とＳ極間の平均間隙より小さ
くなるように装着される、請求項１７記載のスパッタ堆
積装置。 - 【請求項１９】 ワークピース支持体は基板を前記１つ
以上のワークピース位置に水平に配置する、請求項１７
記載のスパッタ堆積装置。 - 【請求項２０】 バキュームチャンバ内の第２スパッタ
リングターゲットであって、 前記第２ターゲットは前面が略下方を向くとともに第１
ターゲットの略前面を向き、 前記第２ターゲットは後面が略上方を向き、 前面は垂線に対して３０〜６０度の範囲の角度で配向さ
れ、 前記１つ以上のワークピース位置は第２ターゲットの下
方にある１つ以上のワークピース位置を含む、第２スパ
ッタリングターゲットと；各々第２ターゲットの後面に
隣接して装着されたＮ極を有する第３セットの１つ以上
の磁石と；各々第２ターゲットの後面に隣接して装着さ
れたＳ極を有する第４セットの１つ以上の磁石と、をさ
らに備え；前記磁石は第３と第４セットの磁極と第１タ
ーゲットの前面間の集合平均距離が第３セットのＮ極と
第４セットのＳ極間の平均間隙の２倍より小さくなるよ
うに装着され；前記磁石は第２ターゲットの前面で、大
きさが第２ターゲットの前面でどの磁界よりも略大きい
磁界を集合的に発生する、請求項１７記載のスパッタ堆
積装置。 - 【請求項２１】 スパッタリングターゲットから電子基
板への材料のスパッタ堆積方法であって、前記方法は：
バキュームチャンバ内に第１スパッタリングターゲット
を装着するステップであって、 前記第１ターゲットは前面が略下方に向くとともに後面
が略上方に向き、 前面は幅が長さより小さいか等しくなるような幅および
長さを特徴とし、 前面は垂線に対して３０〜６０度の範囲の角度で配向さ
れる、第１スパッタリングターゲットを装着するステッ
プと；バキュームチャンバ内の１つ以上のワークピース
位置に電子基板を配置するステップであって、前記１つ
以上のワークピース位置は第１ターゲットの下方にある
１つ以上のワークピース位置を含む、電子基板を配置す
るステップと；第１セットの１つ以上の磁石を前記第１
セットの各磁石が第１ターゲットの後面に隣接して装着
されたＮ極を有するよう装着するステップであって、前
記第１セットの磁石はＮ極と第１ターゲットの前面間の
集合平均距離が第１ターゲットの前面の幅より小さくな
るよう装着される、第１セットの１つ以上の磁石を装着
するステップと；第２セットの１つ以上の磁石を前記第
２セットの各磁石が第１ターゲットの後面に隣接して装
着されたＳ極を有するよう装着するステップであって、
前記第２セットの磁石はＳ極と第１ターゲットの前面間
の集合平均距離が第１ターゲットの前面の幅より小さく
なるよう装着される、第２セットの１つ以上の磁石を装
着するステップと、を備え；第１と第２セットの磁石は
第１ターゲットの前面で、大きさが前面でどの磁界より
も略大きい磁界を集合的に発生する、スパッタ堆積方
法。 - 【請求項２２】 前記第１セットの磁石はＮ極と第１タ
ーゲットの前面間の集合平均距離が第１ターゲットの前
面の幅の１／２より小さくなるよう装着され；前記第２
セットの磁石はＳ極と第１ターゲットの前面間の集合平
均距離が第１ターゲットの前面の幅の１／２より小さく
なるよう装着される、請求項２１記載のスパッタ堆積方
法。 - 【請求項２３】 バキュームチャンバ内に第２スパッタ
リングターゲットを装着するステップであって、 前記第２ターゲットは前面が略下方を向くとともに第１
ターゲットの略前面を向き、 前記第２ターゲットは後面が略上方を向き、 前面は幅が長さより小さいか等しくなるような幅および
長さを特徴とし、 前面は垂線に対して３０〜６０度の範囲の角度で配向さ
れ、 前記１つ以上のワークピース位置は第２ターゲットの下
方にある１つ以上のワークピース位置を含む、第２スパ
ッタリングターゲットを装着するステップと；第３セッ
トの１つ以上の磁石を前記第３セットの各磁石が第２タ
ーゲットの後面に隣接して装着されたＮ極を有するよう
装着するステップであって、前記第３セットの磁石はＮ
極と第２ターゲットの前面間の集合平均距離が第２ター
ゲットの前面の幅より小さくなるよう装着される、第３
セットの１つ以上の磁石を装着するステップと；第４セ
ットの１つ以上の磁石を前記第４セットの各磁石が第２
ターゲットの後面に隣接して装着されたＳ極を有するよ
う装着するステップであって、前記第４セットの磁石は
Ｓ極と第２ターゲットの前面間の集合平均距離が第２タ
ーゲットの前面の幅より小さくなるよう装着される、第
４セットの１つ以上の磁石を装着するステップと、をさ
らに備え；前記第３と第４セットの磁石は第２ターゲッ
トの前面で、大きさが前面でどの磁界よりも略大きい磁
界を集合的に発生する、請求項２１記載のスパッタ堆積
方法。 - 【請求項２４】 スパッタリングターゲットから電子基
板への材料のスパッタ堆積方法であって、前記方法は：
バキュームチャンバ内に第１スパッタリングターゲット
を装着するステップであって、 前記第１ターゲットは前面が略下方に向くとともに後面
が略上方に向き、 前面は垂線に対して３０〜６０度の範囲の角度で配向さ
れる、第１スパッタリングターゲットを装着するステッ
プと；バキュームチャンバ内の１つ以上のワークピース
位置に電子基板を配置するステップであって、前記１つ
以上のワークピース位置は第１ターゲットの下方にある
１つ以上のワークピース位置を含む、電子基板を配置す
るステップと；第１セットの１つ以上の磁石を前記第１
セットの各磁石が第１ターゲットの後面に隣接して装着
されたＮ極を有するよう装着するステップと；第２セッ
トの１つ以上の磁石を前記第２セットの各磁石が第１タ
ーゲットの後面に隣接して装着されたＳ極を有するよう
装着するステップと、を備え；前記磁石は前記磁極と第
１ターゲットの前面間の集合平均距離がＮ極とＳ極間の
平均間隙の２倍より小さくなるように装着され；前記磁
石は第１ターゲットの前面で、大きさが前面でどの磁界
よりも略大きい磁界を集合的に発生する、スパッタ堆積
方法。 - 【請求項２５】 磁石は前記磁極と第１ターゲットの前
面間の集合平均距離がＮ極とＳ極間の平均間隙より小さ
くなるよう装着される、請求項２４記載のスパッタ堆積
方法。 - 【請求項２６】 前記基板配置ステップは基板を前記１
つ以上のワークピース位置に水平に配置するステップを
備える、請求項２４記載のスパッタ堆積方法。 - 【請求項２７】 バキュームチャンバ内に第２スパッタ
リングターゲットを装着するステップであって、 前記第２ターゲットは前面が略下方を向くとともに第１
ターゲットの略前面を向き、 前記第２ターゲットは後面が略上方を向き、 前面は垂線に対して３０〜６０度の範囲の角度で配向さ
れ、 前記１つ以上のワークピース位置は第２ターゲットの下
方にある１つ以上のワークピース位置を含む、第２スパ
ッタリングターゲットを装着するステップと；第３セッ
トの１つ以上の磁石を前記第３セットの各磁石が第２タ
ーゲットの後面に隣接して装着されたＮ極を有するよう
装着するステップと；第４セットの１つ以上の磁石を前
記第４セットの各磁石が第２ターゲットの後面に隣接し
て装着されたＳ極を有するよう装着するステップと、を
さらに備え；前記磁石は第３と第４セットの磁極と第１
ターゲットの前面間の集合平均距離が第３セットのＮ極
と第４セットのＳ極間の平均間隙の２倍より小さくなる
ように装着され；前記磁石は第２ターゲットの前面で、
大きさが第２ターゲットの前面でどの磁界よりも略大き
い磁界を集合的に発生する、請求項２４記載のスパッタ
堆積方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/429762 | 1999-10-28 | ||
| US09/429,762 US6267851B1 (en) | 1999-10-28 | 1999-10-28 | Tilted sputtering target with shield to block contaminants |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001192805A true JP2001192805A (ja) | 2001-07-17 |
| JP2001192805A5 JP2001192805A5 (ja) | 2005-12-22 |
Family
ID=23704649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000331229A Pending JP2001192805A (ja) | 1999-10-28 | 2000-10-30 | 汚染物質ブロック用シールド付き傾斜スパッタリングターゲット |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6267851B1 (ja) |
| EP (1) | EP1096545A3 (ja) |
| JP (1) | JP2001192805A (ja) |
| KR (1) | KR100792482B1 (ja) |
| SG (1) | SG85732A1 (ja) |
| TW (1) | TW479278B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015067856A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | マグネトロンスパッタ装置 |
| JP2015110814A (ja) * | 2013-12-06 | 2015-06-18 | 信越化学工業株式会社 | スパッタ成膜方法、スパッタ装置、フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクブランク |
| US9437404B2 (en) | 2012-05-09 | 2016-09-06 | Seagate Technology Llc | Sputtering apparatus |
| WO2021182638A1 (ja) * | 2020-03-13 | 2021-09-16 | 日新電機株式会社 | スパッタリング装置 |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020046945A1 (en) * | 1999-10-28 | 2002-04-25 | Applied Materials, Inc. | High performance magnetron for DC sputtering systems |
| DE10145050C1 (de) * | 2001-09-13 | 2002-11-21 | Fraunhofer Ges Forschung | Einrichtung zum Beschichten von Substraten mit gekrümmter Oberfläche durch Pulsmagnetron- Zerstäuben |
| US6878240B2 (en) * | 2002-06-28 | 2005-04-12 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for obtaining symmetrical junctions between a read sensor and hard bias layers |
| US20060096851A1 (en) * | 2004-11-08 | 2006-05-11 | Ilya Lavitsky | Physical vapor deposition chamber having an adjustable target |
| US20060096857A1 (en) * | 2004-11-08 | 2006-05-11 | Ilya Lavitsky | Physical vapor deposition chamber having a rotatable substrate pedestal |
| US7316763B2 (en) * | 2005-05-24 | 2008-01-08 | Applied Materials, Inc. | Multiple target tiles with complementary beveled edges forming a slanted gap therebetween |
| US20060266639A1 (en) * | 2005-05-24 | 2006-11-30 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target tiles having structured edges separated by a gap |
| US7644745B2 (en) * | 2005-06-06 | 2010-01-12 | Applied Materials, Inc. | Bonding of target tiles to backing plate with patterned bonding agent |
| US20090090617A1 (en) * | 2005-07-14 | 2009-04-09 | Giauque Pierre H | Method and Apparatus for Producing Controlled Stresses and Stress Gradients in Sputtered Films |
| WO2007010798A1 (ja) * | 2005-07-19 | 2007-01-25 | Ulvac, Inc. | スパッタリング装置、透明導電膜の製造方法 |
| US9127362B2 (en) | 2005-10-31 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Process kit and target for substrate processing chamber |
| US20070125646A1 (en) * | 2005-11-25 | 2007-06-07 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target for titanium sputtering chamber |
| US20080006523A1 (en) | 2006-06-26 | 2008-01-10 | Akihiro Hosokawa | Cooled pvd shield |
| US20080067058A1 (en) * | 2006-09-15 | 2008-03-20 | Stimson Bradley O | Monolithic target for flat panel application |
| US20080078268A1 (en) | 2006-10-03 | 2008-04-03 | H.C. Starck Inc. | Process for preparing metal powders having low oxygen content, powders so-produced and uses thereof |
| US20080145688A1 (en) | 2006-12-13 | 2008-06-19 | H.C. Starck Inc. | Method of joining tantalum clade steel structures |
| US8197894B2 (en) | 2007-05-04 | 2012-06-12 | H.C. Starck Gmbh | Methods of forming sputtering targets |
| US20080279672A1 (en) * | 2007-05-11 | 2008-11-13 | Bachrach Robert Z | Batch equipment robots and methods of stack to array work-piece transfer for photovoltaic factory |
| US20080279658A1 (en) * | 2007-05-11 | 2008-11-13 | Bachrach Robert Z | Batch equipment robots and methods within equipment work-piece transfer for photovoltaic factory |
| US20080292433A1 (en) * | 2007-05-11 | 2008-11-27 | Bachrach Robert Z | Batch equipment robots and methods of array to array work-piece transfer for photovoltaic factory |
| US7496423B2 (en) * | 2007-05-11 | 2009-02-24 | Applied Materials, Inc. | Method of achieving high productivity fault tolerant photovoltaic factory with batch array transfer robots |
| US8968536B2 (en) | 2007-06-18 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target having increased life and sputtering uniformity |
| US7901552B2 (en) | 2007-10-05 | 2011-03-08 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target with grooves and intersecting channels |
| US20100018855A1 (en) * | 2008-07-24 | 2010-01-28 | Seagate Technology Llc | Inline co-sputter apparatus |
| US8246903B2 (en) | 2008-09-09 | 2012-08-21 | H.C. Starck Inc. | Dynamic dehydriding of refractory metal powders |
| US20100181187A1 (en) * | 2009-01-16 | 2010-07-22 | Applied Materials, Inc. | Charged particle beam pvd device, shielding device, coating chamber for coating substrates, and method of coating |
| US9108273B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-08-18 | H.C. Starck Inc. | Methods of manufacturing large-area sputtering targets using interlocking joints |
| CN104810228B (zh) * | 2014-01-23 | 2017-10-13 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 螺旋形磁控管及磁控溅射设备 |
| CN109881166B (zh) * | 2016-03-30 | 2021-04-20 | 京浜乐梦金属科技株式会社 | 溅射阴极、溅射装置和成膜体的制造方法 |
| JP6832130B2 (ja) | 2016-11-04 | 2021-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
| US10580627B2 (en) * | 2018-04-26 | 2020-03-03 | Keihin Ramtech Co., Ltd. | Sputtering cathode, sputtering cathode assembly, and sputtering apparatus |
| JP2020026575A (ja) * | 2018-08-10 | 2020-02-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜システム、および成膜方法 |
| JP7097777B2 (ja) | 2018-08-10 | 2022-07-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
| US11664207B2 (en) | 2018-08-10 | 2023-05-30 | Tokyo Electron Limited | Film-forming apparatus, film-forming system, and film-forming method |
| CN112853302B (zh) * | 2020-12-31 | 2023-08-25 | 广东欣丰科技有限公司 | 一种磁控溅射卷绕设备的镀膜室装置 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4472259A (en) * | 1981-10-29 | 1984-09-18 | Materials Research Corporation | Focusing magnetron sputtering apparatus |
| JPS59220912A (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-12 | Fujitsu Ltd | スパツタリング装置 |
| JPS59229480A (ja) * | 1983-06-10 | 1984-12-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | スパツタリング装置 |
| DE3566194D1 (en) * | 1984-08-31 | 1988-12-15 | Hitachi Ltd | Microwave assisting sputtering |
| JPS62158863A (ja) * | 1985-12-30 | 1987-07-14 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 被膜形成装置 |
| JP2601358B2 (ja) * | 1989-02-15 | 1997-04-16 | 富士写真フイルム株式会社 | スパッタリング方法 |
| US4990229A (en) * | 1989-06-13 | 1991-02-05 | Plasma & Materials Technologies, Inc. | High density plasma deposition and etching apparatus |
| GB9006073D0 (en) * | 1990-03-17 | 1990-05-16 | D G Teer Coating Services Limi | Magnetron sputter ion plating |
| JPH0645280A (ja) * | 1992-07-24 | 1994-02-18 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置 |
| US5855744A (en) * | 1996-07-19 | 1999-01-05 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Non-planar magnet tracking during magnetron sputtering |
| JP2931973B1 (ja) * | 1998-02-25 | 1999-08-09 | 工業技術院長 | 一硫化サマリウムピエゾクロミック薄膜の製法 |
-
1999
- 1999-10-28 US US09/429,762 patent/US6267851B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-10-24 SG SG200006112A patent/SG85732A1/en unknown
- 2000-10-27 TW TW089122753A patent/TW479278B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-10-27 EP EP00309512A patent/EP1096545A3/en not_active Withdrawn
- 2000-10-28 KR KR1020000063705A patent/KR100792482B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-10-30 JP JP2000331229A patent/JP2001192805A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9437404B2 (en) | 2012-05-09 | 2016-09-06 | Seagate Technology Llc | Sputtering apparatus |
| JP2015067856A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | マグネトロンスパッタ装置 |
| JP2015110814A (ja) * | 2013-12-06 | 2015-06-18 | 信越化学工業株式会社 | スパッタ成膜方法、スパッタ装置、フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクブランク |
| WO2021182638A1 (ja) * | 2020-03-13 | 2021-09-16 | 日新電機株式会社 | スパッタリング装置 |
| CN115279938A (zh) * | 2020-03-13 | 2022-11-01 | 日新电机株式会社 | 溅镀装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010051306A (ko) | 2001-06-25 |
| EP1096545A3 (en) | 2006-03-01 |
| KR100792482B1 (ko) | 2008-01-10 |
| SG85732A1 (en) | 2002-01-15 |
| EP1096545A2 (en) | 2001-05-02 |
| US6267851B1 (en) | 2001-07-31 |
| TW479278B (en) | 2002-03-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001192805A (ja) | 汚染物質ブロック用シールド付き傾斜スパッタリングターゲット | |
| KR100659828B1 (ko) | 이온화 물리적 증착 방법 및 장치 | |
| US20020046945A1 (en) | High performance magnetron for DC sputtering systems | |
| US20070012557A1 (en) | Low voltage sputtering for large area substrates | |
| US8382966B2 (en) | Sputtering system | |
| US6864773B2 (en) | Variable field magnet apparatus | |
| TWI312012B (en) | Improved magnetron sputtering system for large-area substrates having removable anodes | |
| JP2007031817A (ja) | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 | |
| EP1211332A1 (en) | Magnetron unit and sputtering device | |
| WO2018068833A1 (en) | Magnet arrangement for a sputter deposition source and magnetron sputter deposition source | |
| JP2555004B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP2001335930A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| WO2011094060A2 (en) | Pump baffle design for integrated pump and sputter source | |
| KR100963413B1 (ko) | 마그네트론 스퍼터링 장치 | |
| JPH1192927A (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
| JP2009138230A (ja) | スパッタ装置及び成膜方法 | |
| KR20240013481A (ko) | 성막 장치 | |
| WO2023186295A1 (en) | Deposition source, deposition source arrangement and deposition apparatus | |
| KR102279641B1 (ko) | 스퍼터링 장치 | |
| JPH08134641A (ja) | スパッタリング装置 | |
| KR20140090710A (ko) | 스퍼터링 장치 및 산화물 반도체 물질의 스퍼터링 방법 | |
| KR20230084282A (ko) | 스퍼터 증착 소스, 증착 장치, 및 기판을 코팅하는 방법 | |
| JP2020176304A (ja) | スパッタリング装置 | |
| WO2023110105A1 (en) | Cathode assembly, deposition apparatus and method for sputter deposition | |
| JPH09310176A (ja) | マグネトロンスパッタ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051107 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051107 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080912 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080924 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090210 |