JP2015095583A - 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態に係る基板洗浄方法は、成膜処理液供給工程と、剥離処理液供給工程とを含む。成膜処理液供給工程は、表面が親水性の基板に対し、揮発成分を含み基板上に膜を形成するための成膜処理液を供給する。剥離処理液供給工程は、揮発成分が揮発することによって成膜処理液が基板上で固化または硬化してなる処理膜に対し、処理膜を基板から剥離させる剥離処理液を供給する。
【選択図】図4
Description
<基板洗浄方法の内容>
まず、第1の実施形態に係る基板洗浄方法の内容について図1A〜図1Eを用いて説明する。図1A〜図1Eは、第1の実施形態に係る基板洗浄方法の説明図である。
次に、第1の実施形態に係る基板洗浄システムの構成について図2を用いて説明する。図2は、第1の実施形態に係る基板洗浄システムの構成を示す模式図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
次に、基板洗浄装置14の構成について図3を参照して説明する。図3は、第1の実施形態に係る基板洗浄装置14の構成を示す模式図である。
次に、基板洗浄装置14の具体的動作について図4を参照して説明する。図4は、第1の実施形態に係る基板洗浄システム1が実行する基板洗浄処理の処理手順を示すフローチャートである。
ここで、物理力を用いた洗浄方法である2流体洗浄と、第1の実施形態に係る基板洗浄方法(以下、「本洗浄方法」と記載する)との比較結果について図5Aおよび図5Bを参照して説明する。図5Aおよび図5Bは、本洗浄方法と2流体洗浄との比較結果を示す図である。
次に、化学的作用を用いた洗浄方法であるSC1(アンモニア過水)による薬液洗浄と、本洗浄方法との比較について説明する。図6Aおよび図6Bは、本洗浄方法と薬液洗浄との比較結果を示す図である。図6Aにはパーティクル除去率の比較結果を、図6Bにはフィルムロスの比較結果をそれぞれ示している。フィルムロスとは、ウェハ上に形成された下地膜である熱酸化膜の侵食深さのことである。
上述した第1の実施形態では、剥離処理液として純水を用いる場合の例について説明したが、剥離処理液は、純水に限定されない。たとえば、溶解処理液として用いられるアルカリ現像液よりも低濃度のアルカリ現像液を剥離処理液として用いることとしてもよい。
上述した各実施形態では、トップコート液やアルカリ現像液といった複数の処理液を1つのアームのノズル41から供給する場合の例について説明したが、基板洗浄装置は、複数のアームにノズルを備えていてもよい。以下では、基板洗浄装置が複数のアームにノズルを備える場合の例について図9を参照して説明する。図9は、第3の実施形態に係る基板洗浄装置の構成を示す模式図である。
上述してきた各実施形態では、剥離処理液供給処理後に溶解処理液供給処理を行うことにより、ウェハWから剥離されたトップコート膜を溶解させることとした。しかし、溶解処理液供給処理は、必ずしも実行されることを要しない。以下では、かかる場合の例について図10を参照して説明する。図10は、第4の実施形態に係る基板洗浄装置の構成を示す模式図である。
上述してきた第1〜第3の実施形態では、成膜処理液供給処理と溶解処理液供給処理とを同一チャンバ内で行うこととしたが、成膜処理液供給処理と溶解処理液供給処理とは、別チャンバで行うこととしてもよい。かかる場合、たとえば図4に示すステップS101(基板搬入処理)〜S104(乾燥処理)を行う第1の基板洗浄装置と、図4に示すステップS105(剥離処理液供給処理)〜S109(基板搬出処理)を行う第2の基板洗浄装置とを図2に示す処理ステーション3に配置すればよい。また、剥離処理液供給処理と溶解処理液供給処理とを別チャンバで行ってもよい。
P パーティクル
1 基板洗浄システム
2 搬入出ステーション
3 処理ステーション
4 制御装置
14 基板洗浄装置
20 チャンバ
21 FFU
30 基板保持機構
40 液供給部
45a オゾン水供給源
45b トップコート液供給源
45c DIW供給源
45d アルカリ現像液供給源
45e 第1アルカリ現像液供給源
45f 第2アルカリ現像液供給源
45g 第3アルカリ現像液供給源
45h 第4アルカリ現像液供給源
50 回収カップ
Claims (8)
- 表面が親水性の基板に対し、揮発成分を含み基板上に膜を形成するための成膜処理液を供給する成膜処理液供給工程と、
前記揮発成分が揮発することによって前記成膜処理液が前記基板上で固化または硬化してなる処理膜に対して該処理膜を前記基板から剥離させる剥離処理液を供給する剥離処理液供給工程と
を含むことを特徴とする基板洗浄方法。 - 前記剥離処理液は、純水であること
を特徴とする請求項1に記載の基板洗浄方法。 - 前記成膜処理液供給工程の前に、基板の表面を親水化させる親水化工程
を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の基板洗浄方法。 - 前記成膜処理液供給工程は、
前記基板に対してレジストを介することなく前記成膜処理液を供給すること
を特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の基板洗浄方法。 - 前記成膜処理液供給工程は、
パターンが形成された前記基板における該パターンが形成された面に対して前記成膜処理液を供給すること
を特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の基板洗浄方法。 - 前記剥離処理液供給工程後、前記処理膜に対して該処理膜を溶解させる溶解処理液を供給する溶解処理液供給工程
を含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の基板洗浄方法。 - 表面が親水性の基板に対し、揮発成分を含み基板上に膜を形成するための成膜処理液を供給する成膜処理液供給部と、
前記揮発成分が揮発することによって前記成膜処理液が前記基板上で固化または硬化してなる処理膜に対して該処理膜を前記基板から剥離させる剥離処理液を供給する剥離処理液供給部と
を備えることを特徴とする基板洗浄システム。 - コンピュータ上で動作し、基板洗浄システムを制御するプログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記プログラムは、実行時に、請求項1〜6のいずれか一つに記載の基板洗浄方法が行われるように、コンピュータに前記基板洗浄システムを制御させること
を特徴とする記憶媒体。
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