JP2015084096A - 反射防止物品、画像表示装置及び反射防止物品の製造用金型 - Google Patents

Abstract

【課題】モスアイ構造の反射防止物品に関して、視野角方向における反射防止物品防止を図る特性を種々に設定する。
【解決手段】微小突起が密接して配置され、隣接する前記微小突起の間隔が、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長以下である反射防止物品において、頂点を複数有する微小突起である多峰性微小突起と、頂点が１つの微小突起である単峰性微小突起とが混在しており、単峰性微小突起の周長が、多峰性微小突起の周長の９０％以上、１００％以下である。
【選択図】図１６

Description

本発明は、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長以下の間隔で多数の微小突起を密接配置して反射防止を図る反射防止物品に関するものである。

近年、フィルム形状の反射防止物品である反射防止フィルムに関して、透明基材（透明フィルム）の表面に多数の微小突起を密接して配置することにより、反射防止を図る方法が提案されている（特許文献１〜３参照）。この方法は、いわゆるモスアイ（ｍｏｔｈ ｅｙｅ（蛾の目））構造の原理を利用したものであり、入射光に対する屈折率を基板の厚み方向に連続的に変化させ、これにより屈折率の不連続界面を消失させて反射防止を図るものである。

このモスアイ構造に係る反射防止物品では、隣接する微小突起の間隔ｄが、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長Λｍｉｎ以下（ｄ≦Λｍｉｎ）となるように、微小突起が密接して配置される。また各微小突起は、透明基材に植立するように、さらに透明基材より先端側に向かうに従って徐々に断面積が小さくなるように（先細りとなるように）作製される。

かかる反射防止物品には各種用途が提案されている。例えば、各種画像表示裝置の出光面上に配置して画面における日光等の外光反射を低減して画像視認性を向上させたり、シート又は板状の透明基材上に該微小突起群を形成し、更に該微小突起群上にＩＴＯ（酸化インジウム錫）等の透明導電膜を形成した電極を用いてタッチパネルを構成することにより、該タッチパネル電極とこれと隣接する各種部材との間の光反射を防止して、干渉縞、ゴースト像等の発生を低減させること等が提案されている。

また特許文献４には、この種の反射防止物品に関して、賦型処理時の樹脂の充填不良により微小突起の頂部に複数の頂点が作製される場合であっても、十分に反射防止機能を確保できることが記載されている。

ところでこの種のモスアイ構造に係る反射防止物品は、例えば他の物体が接触等した場合に、反射防止機能が局所的に劣化し、また接触個所に白濁、傷等が発生して外観不良が発生する。これにより耐擦傷性の向上が求められる。しかしながら耐擦傷性を向上する場合にあっても、当然に、光学特性を劣化させないようにすることが望まれる。

特開昭５０−７００４０号公報 特表２００３−５３１９６２号公報 特許第４６３２５８９号公報 特開２０１２−０３７６７０号公報

本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、モスアイ構造の反射防止物品に関して、光学特性の劣化を有効に回避して、耐擦傷性を向上することを目的とする。

本発明者は、上記課題を解決するために鋭意研究を重ね、多峰性微小突起と単峰性微小突起とを混在させるようにして、さらに単峰性微小突起の周長に対して多峰性微小突起の周長を一定範囲に収める、との着想に至り、本発明を完成するに至った。

具体的には、本発明では、以下のようなものを提供する。

（１） 微小突起が密接して配置され、隣接する前記微小突起の間隔が、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長以下である反射防止物品において、
頂点を複数有する微小突起である多峰性微小突起と、頂点が１つの微小突起である単峰性微小突起とが混在しており、
単峰性微小突起の周長が、多峰性微小突起の周長の９０％以上、１００％以下である。

（１）によれば、単峰性微小突起と多峰性微小突起とを混在させて微小突起を構成することにより、耐擦傷性を向上するようにし、さらに単峰性微小突起の周長が、多峰性微小突起の周長の９０％以上、１００％以下であることにより、光学特性の劣化を有効に回避することができる。

（２） 微***が密接して配置され、隣接する前記微***の間隔が、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長以下である反射防止物品において、
頂点を複数有する微小突起である多峰性微小突起に対応する微細穴と、頂点が１つの微小突起である単峰性微小突起に対応する微細穴とが混在しており、
前記単峰性微小突起に対応する微細穴の周長が、前記多峰性微小突起に対応する微細穴の周長の９０％以上、１００％以下である。

（２）によれば、単峰性微小突起と多峰性微小突起とにそれぞれ対応する微細穴を混在させることにより、耐擦傷性を向上するようにし、さらに単峰性微小突起に対応する微細穴の周長が、多峰性微小突起に対応する微細穴の周長の９０％以上、１００％以下であることにより、光学特性の劣化を有効に回避することができる。

（３） （１）又は（２）に記載の反射防止物品を画像表示パネルのパネル面に配置する。

（３）によれば、光学特性の劣化を有効に回避して、耐擦傷性を向上してなる反射防止物品により反射防止を図る画像表示装置を提供することができる。

（４） 反射防止物品の製造に供する反射防止物品の製造用金型であって、
前記反射防止物品は、
微小突起が密接して配置され、
隣接する前記微小突起の間隔が、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長以下であり、
頂点を複数有する微小突起である多峰性微小突起と、頂点が１つの微小突起である単峰性微小突起とが混在しており、
単峰性微小突起の周長が、多峰性微小突起の周長の９０％以上、１００％以下であり、
前記反射防止物品の製造用金型は、
前記微小突起に対応する微細穴が密接して作製された物である。

（４）によれば、賦型処理により反射防止物品を作製する場合にあって、この反射防止物品における光学特性の劣化を有効に回避して、耐擦傷性を向上することができる。

（５） 反射防止物品の製造に供する反射防止物品の製造用金型であって、
微小突起が密接して配置され、隣接する前記微小突起の間隔が、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長以下であり、
頂点を複数有する微小突起である多峰性微小突起と、頂点が１つの微小突起である単峰性微小突起とが混在しており、
単峰性微小突起の周長が、多峰性微小突起の周長の９０％以上、１００％以下である。

（５）によれば、単峰性微小突起と多峰性微小突起とを混在させることにより、耐擦傷性を向上することができる。また単峰性微小突起の周長が、多峰性微小突起の周長の９０％以上、１００％以下であることにより、この金型より生産される反射防止物品について、光学特性の劣化を有効に回避することができる。

モスアイ構造の反射防止物品に関して、モスアイ構造の反射防止物品に関して、光学特性の劣化を有効に回避して、耐擦傷性を向上することができる。

本発明の第１実施形態に係る反射防止物品を示す概念斜視図である。 隣接突起の説明に供する図である。 極大点の説明に供する図である。 ドロネー図を示す図である。 隣接突起間距離の計測に供する度数分布図である。 微小高さの説明に供する度数分布図である。 微小突起の谷底の包絡面が凹凸面（うねり）を呈する形態を示す概念断面図である。 図１の反射防止物品の製造工程を示す図である。 図１の反射防止物品に係るロール版を示す図である。 図９のロール版の作製工程を示す図である。 多峰性微小突起の説明に供する図である。 多峰性微小突起の写真である。 ロール版の作製工程の詳細説明に供する図である。 周長の計測手順を示すフローチャートである。 図１４の計測手順の説明に供する図である。 周長の計測結果を示す図表である。 図１６の計測結果を棒グラフにより示す図である。 本発明の微小突起の形状を示す斜視図である。 図１８の平面図、正面図、側面図である。 図１８とは異なる本発明に係る微小突起の形状を示す斜視図である。 図２０の平面図、正面図、側面図である。

以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を詳述する。なお以下において、適宜、頂点を複数有する微小突起を多峰性微小突起と呼び、頂点が１つのみの微小突起を単峰性の微小突起と呼ぶ。また以下において、単に微小突起と呼称する場合は単峰性微小突起及び多峰性微小突起の両方を包含するものとする。また多峰性微小突起、単峰性の微小突起に係る各頂点を形成する各凸部を、適宜、峰と呼ぶ。また多峰性微小突起において、頂点が２つ、３つのものをそれぞれ適宜２峰の多峰性微小突起、３峰の多峰性微小突起と呼ぶ。

〔第１実施形態〕
図１は、本発明の第１実施形態に係る反射防止物品を示す図（概念斜視図）である。この反射防止物品１は、全体形状がフィルム形状により形成された反射防止フィルムである。この実施形態に係る画像表示装置では、この反射防止物品１が画像表示パネルの視聴者側面（パネル面）に貼り付けられて保持され、この反射防止物品１により日光、電燈光等の外来光の画面における反射を低減して視認性を向上する。なお反射防止物品は、その形状を平坦なフィルム形状とする場合に限らず、平坦なシート形状、平板形状（相対的に厚みの薄い順に、フィルム、シート、板と呼称する）とすることもでき、また平坦な形状に代えて、湾曲形状、立体形状を呈したフィルム形状、シート形状、板形状とすることもでき、さらには各種レンズ、各種プリズム等の立体形状のものを用途に応じて適宜採用することができる。

ここで反射防止物品１は、透明フィルムの形状（形態）の基材２の表面に多数の微小突起５、５Ａ、５Ｂを密接配置して作製される。尚、密接配置された複数の微小突起を総称して微小突起群とも呼称する。ここで基材２は、例えばＴＡＣ（Triacetylcellulose）、等のセルロース(纖維素)系樹脂、ＰＭＭＡ(ポリメチルメタクリレート)等のアクリル系樹脂、ＰＥＴ（Polyethylene terephthalate）等のポリエステル系樹脂、ＰＰ（ポリプロピレン）等のポリオレフィン系樹脂、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）等のビニル系樹脂、ＰＣ（Polycarbonate）等の各種透明樹脂フィルムを適用することができる。なお上述したように反射防止物品の形状はフィルム形状に限らず、種々の形状を採用可能である。基材２は、このような反射防止物品の形状に応じて、これらの材料の他に、例えばソーダ硝子、カリ硝子、鉛ガラス等の硝子、ＰＬＺＴ等のセラミックス、石英、螢石等の各種透明無機材料等を適用することができる。

反射防止物品１は、基材２上に、微小突起群からなる微細な凹凸形状の受容層となる未硬化状態の樹脂層（以下、適宜、受容層と呼ぶ）４を形成し、該受容層４を賦型処理して硬化せしめ、これにより基材２の表面に微小突起が密接して配置される。この実施形態では、この受容層４に、賦型処理に供する賦型用樹脂の１つであるアクリレート系紫外線硬化性樹脂が適用され、基材２上に紫外線硬化性樹脂層４が形成される。反射防止物品１は、この微小突起による凹凸形状により厚み方向に徐々に屈折率が変化するように作製され、モスアイ構造の原理により広い波長範囲で入射光の反射を低減する。

［隣接突起間距離］
なおこれにより反射防止物品１に作製される微小突起は、隣接する微小突起の間隔ｄが、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長Λｍｉｎ以下（ｄ≦Λｍｉｎ）となるよう密接して配置される。この実施形態では、画像表示パネルに配置して視認性を向上させることを主目的とするため、この最短波長は、個人差、視聴条件を加味した可視光領域の最短波長（３８０ｎｍ）に設定され、間隔ｄは、ばらつきを考慮して１００〜３００ｎｍとされる。またこの間隔ｄに係る隣接する微小突起は、いわゆる隣り合う微小突起であり、基材２側の付け根部分である微小突起の裾の部分が接している突起である。反射防止物品１では微小突起が密接して配置されることにより、微小突起間の谷の部位を順次辿るようにして線分を作製すると、平面視において各微小突起を囲む多角形状領域を多数連結してなる網目状の模様が作製されることになる。間隔ｄに係る隣接する微小突起は、この網目状の模様を構成する一部の線分を共有する突起である。なお「隣り合う」或いは「隣接」の、より正確な定義は以下に基づく。

なお微小突起に関しては、より詳細には以下のように定義される。モスアイ構造による反射防止では、透明基材表面とこれに隣接する媒質との界面における有効屈折率を、厚み方向に連続的に変化させて反射防止を図るものであることから、微小突起に関しては一定の条件を満足することが必要である。この条件のうちの１つである突起の間隔に関して、例えば特開昭５０−７００４０号公報、特許第４６３２５８９号公報等に開示のように、微小突起が一定周期で規則正しく配置されている場合、隣接する微小突起の間隔ｄは、突起配列の周期Ｐ（ｄ＝Ｐ）となる。これにより可視光線帯域の最長波長をλｍａｘ、最短波長をλｍｉｎとした場合に、最低限、可視光線帯域の最長波長において反射防止効果を奏し得る必要最小限の条件は、Λｍｉｎ＝λｍａｘであるため、Ｐ≦λｍａｘとなり、可視光線帯域の全波長に対して反射防止効果を奏し得る必要十分の条件は、Λｍｉｎ＝λｍｉｎであるため、Ｐ≦λｍｉｎとなる。

なお波長λｍａｘ、λｍｉｎは、観察条件、光の強度（輝度）、個人差等にも依存して多少幅を持ち得るが、標準的には、λｍａｘ＝７８０ｎｍ及びλｍｉｎ＝３８０ｎｍとされる。これらにより可視光線帯域の全波長に対する反射防止効果をより確実に奏し得る好ましい条件は、ｄ≦３００ｎｍであり、より好ましい条件は、斜め方向（基材２表面の法線に対して４５度以上に角度をなす方向）から見た場合の白濁感を低減させる点から、ｄ≦２００ｎｍとなる。なお反射防止効果の発現及び反射率の等方性（低角度依存性）の確保等の理由から、周期ｄの下限値は、通常、ｄ≧５０ｎｍ、好ましくは、ｄ≧１００ｎｍとされる。これに対して突起の高さＨは、十分な反射防止効果を発現させる観点より、Ｈ≧０．２×λｍａｘ＝１５６ｎｍ（λｍａｘ＝７８０ｎｍとして）とされる。

しかしながらこの実施形態のように、微小突起が不規則に配置されている場合には、隣接する微小突起間の間隔ｄはばらつきを有することになる。より具体的には、図２に示すように、基材の表面又は裏面の法線方向から見て平面視した場合に、微小突起が一定周期で規則正しく配列されていない場合、突起の繰り返し周期Ｐによっては隣接突起間の間隔ｄは規定し得ず、また隣接突起の概念すら疑念が生じることになる。そこでこのような場合、以下のように算定される。

（１）すなわち先ず、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ（以下、ＡＦＭと呼ぶ））又は走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ（以下、ＳＥＭと呼ぶ））を用いて突起の面内配列（突起配列の平面視形状）を検出する。なお図２は、実際に原子間力顕微鏡により求められた拡大写真である。ＡＦＭのデータには微小突起群の高さの面内分布データを付随するため、この写真は輝度により高さの面内分布を示す写真であると言える。

（２）続いてこの求められた面内配列から各突起の高さの極大点（以下、単に極大点と呼ぶ）を検出する。極大点とは、高さが、其の近傍周辺の何れの点と比べても大（極大値）となる点を意味する。なお極大点を求める方法としては、（ａ）平面視形状の拡大写真上における平面座標とこれと対応する断面形状から求めた高さデータとを逐次対比して極大点を求める方法、（ｂ）ＡＦＭで得られた基材上の平面座標における高さ分布データを２次元画像化してなる平面視拡大写真の画像処理によって極大点を求める方法等、種々の手法を適用することができる。図２はＡＦＭによる拡大写真（画像濃度が高さに対応する）であり、図３は、図２に示した拡大写真に係る画像データの処理による極大点の検出結果を示す図であり、この図において黒点により示す個所がそれぞれ各突起の極大点である。なおこの処理では４．５×４．５画素のガウシアン特性によるローパスフィルタにより事前に画像データを処理し、これによりノイズによる極大点の誤検出を防止した。また８画素×８画素による最大値検出用のフィルタを順次スキャンすることにより１ｎｍ（＝１画素）単位で極大点を求めた。

（３）次に検出した極大点を母点とするドロネー図（Ｄｅｌａｕｎａｒｙ Ｄｉａｇｒａｍ）を作製する。ここでドロネー図とは、各極大点を母点としてボロノイ分割を行った場合に、ボロノイ領域が隣接する母点同士を隣接母点と定義し、各隣接母点同士を線分で結んで得られる３角形の集合体からなる網状図形である。各３角形は、ドロネー３角形と呼ばれ、各３角形の辺（隣接母点同士を結ぶ線分）は、ドロネー線と呼ばれる。図４は、図３から求められるドロネー図（白色の線分により表される図である）を図３による原画像と重ね合わせた図である。ドロネー図は、ボロノイ図（Ｖｏｒｏｎｏｉ ｄｉａｇｒａｍ）と双対の関係に有る。またボロノイ分割とは、各隣接母点間を結ぶ線分（ドロネー線）の垂直２等分線同士によって画成される閉多角形の集合体からなる網状図形で平面を分割することを言う。ボロノイ分割により得られる網状図形がボロノイ図であり、各閉領域がボロノイ領域である。

（４）次に、各ドロネー線の線分長の度数分布、すなわち隣接する極大点間の距離（以下、隣接突起間距離と呼ぶ）の度数分布を求める。図５は、図４のドロネー図から作製した度数分布のヒストグラムである。なお図２において符号５Ａ及び５Ｂにより示すように、突起の頂部に溝状等の凹部が存在したり、あるいは頂部が複数の峰に***している場合は、求めた度数分布から、このような突起の頂部に凹部が存在する微細構造、頂部が複数の峰に***している微細構造に起因するデータを除去し、突起本体自体のデータのみを選別して度数分布を作製する。
尚、ここで「峰」とは各頂点近傍領域であって、同一麓部を共有する各頂点間の高さの極小領域である溝ｇ（図１１参照）によって区画された該溝ｇよりも高高度領域を言う。

具体的には、突起の頂部に凹部が存在する微細構造、頂部が複数の峰に***している多峰性微小突起に係る微細構造においては、このような微細構造を備えてい無い単峰性微小突起の場合の数値範囲から、隣接極大点間距離が明らかに大きく異なることになる。これによりこの特徴を利用して対応するデータを除去することにより突起本体自体のデータのみを選別して度数分布を検出する。より具体的には、例えば図２に示すような微小突起（群）の平面視の拡大写真から、５〜２０個程度の互いに隣接する単峰性微小突起を選んで、その隣接極大点間距離の値を標本抽出し、この標本抽出して求められる数値範囲から明らかに小さい方向に外れる値（通常、標本抽出して求められる隣接極大点間距離平均値に対して、値が１／２以下のデータ）を除外して度数分布を検出する。図５の例では、隣接極大点間距離が５６ｎｍ以下のデータ（矢印Ａにより示す左端の小山）を除外する。なお図５は、このような除外する処理を行う前の度数分布を示すものである。因みに上述の極大点検用のフィルタの設定により、このような除外する処理を実行してもよい。

（５）このようにして求めた隣接突起間距離ｄの度数分布から平均値ｄ_ＡＶＧ及び標準偏差σを求める。ここでこのようにして得られる度数分布を正規分布とみなして平均値ｄ_ＡＶＧ及び標準偏差σを求めると、図５の例では、平均値ｄ_ＡＶＧ＝１５８ｎｍ、標準偏差σ＝３８ｎｍとなった。これにより隣接突起間距離ｄの最大値を、ｄｍａｘ＝ｄ_ＡＶＧ＋２σとし、この例ではｄｍａｘ＝２３４ｎｍとなる。

なお同様の手法を適用して突起の高さを定義する。この場合、上述の（２）により求められる極大点から、特定の基準位置からの各極大点位置の相対的な高さの差を取得してヒストグラム化する。図６は、このようにして求められる突起付け根位置を基準（高さ０）とした突起高さＨの度数分布のヒストグラムを示す図である。このヒストグラムによる度数分布から突起高さの平均値Ｈ_ＡＶＧ、標準偏差σを求める。ここでこの図６の例では、平均値Ｈ_ＡＶＧ＝１７８ｎｍ、標準偏差σ＝３０ｎｍである。これによりこの例では、突起の高さは、平均値Ｈ_ＡＶＧ＝１７８ｎｍとなる。なお図６に示す突起高さＨのヒストグラムにおいて、多峰性微小突起の場合は、頂点を複数有していることにより、１つの突起に対してこれら複数のデータが混在することになる。そこでこの場合は麓部が同一の微小突起に属するそれぞれ複数の頂点の中から高さの最も高い頂点を、当該微小突起の突起高さとして採用して度数分布を求める。また麓部を共有する全峰が同一高さの場合は、其の同一の高さを以って該微小突起の高さとする。

なお上述した突起の高さを測る際の基準位置は、隣接する微小突起の間の谷底（高さの極小点）を高さ０の基準とする。但し、例えば図７に示すように、谷底の高さが微小突起の隣接突起間距離に比べて大きな周期でウネリを有する場合等において、係る谷底の高さ自体が場所によって異なる場合は、（１）先ず、基材２の表面又は裏面から測った各谷底の高さの平均値を、該平均値が收束するに足る面積の中で算出する。（２）次いで、該平均値の高さを持ち、基材２の表面又は裏面と平行な面を基準面として考える。（３）その後、該基準面を改めて高さ０として、該基準面からの各微小突起の高さを算出する。

突起が不規則に配置されている場合には、このようにして求められる隣接突起間距離の最大値ｄｍａｘ＝ｄ_ＡＶＧ＋２σ、突起の高さの平均値Ｈ_ＡＶＧが、規則正しく配置されている場合の上述の条件を満足することが必要であることが判った。具体的には、反射防止効果を発現する微小突起間距離の条件は、ｄｍａｘ≦Λｍｉｎとなる。最低限、可視光線帯域の最長波長において反射防止効果を奏し得る必要最短限の条件は、Λｍｉｎ＝λｍａｘであるため、ｄｍａｘ≦λｍａｘとなり、可視光線帯域の全波長に対して反射防止効果を奏し得る必要十分の条件は、Λｍｉｎ＝λｍｉｎであるため、ｄｍａｘ≦λｍｉｎとなる。そして、可視光線帯域の全波長に対する反射防止効果をより確実に奏し得る好ましい条件は、ｄｍａｘ≦３００ｎｍであり、更に好ましい条件は、ｄｍａｘ≦２００ｎｍである。また反射防止効果の発現及び反射率の等方性（低角度依存性）の確保等の理由から、通常、ｄｍａｘ≧５０ｎｍであり、好ましくは、ｄｍａｘ≧１００ｎｍとされる。また突起高さについては、十分な反射防止効果を発現する為には、Ｈ_ＡＶＧ≧０．２×λｍａｘ＝１５６ｎｍ（λｍａｘ＝７８０ｎｍとして）とされる。しかしながら実用上十分な程度に反射防止機能を確保する観点からは、平均突起間距離ｄａｖｅを、ｄａｖｅ≦λｍｉｎとしても良い。

因みに、図２〜図６の例により説明するとｄｍａｘ＝２３４ｎｍ≦λｍａｘ＝７８０ｎｍとなり、ｄｍａｘ≦λｍａｘの条件を満足して十分に反射防止効果を奏し得ることが判る。また可視光線帯域の最短波長λｍｉｎが３８０ｎｍであることから、可視光線の全波長帯域において反射防止効果を発現する十分条件ｄｍａｘ≦λｍｉｎも満たすことが判る。またｄａｖｅ≦ｄｍａｘであることから、ｄａｖｅ≦λｍｉｎの条件も満足していることが判る。また平均突起高さＨ_ＡＶＧ＝１７８ｎｍであることにより、平均突起高さＨ_ＡＶＧ≧０．２×λｍａｘ＝１５６ｎｍとなり（可視光波長帯域の最長波長λｍax＝７８０ｎｍとして）、十分な反射防止効果を実現するための突起の高さに関する条件も満足していることが判る。なお標準偏差σ＝３０ｎｍであることから、Ｈ_ＡＶＧ−σ＝１４８ｎｍ＜０．２×λｍａｘ＝１５６ｎｍとの関係式が成立することから、統計学上、全突起の５０％以上、８４％以下が、突起の高さに係る条件（１７８ｎｍ以上）の条件を満足していることが判る。なおＡＦＭ及びＳＥＭによる観察結果、並びに微小突起の高さ分布の解析結果から、多峰性微小突起は相対的に高さの低い微小突起よりも高さの高い微小突起でより多く生じる傾向にあることが判明した。

〔製造工程〕
図８は、この反射防止物品１の製造工程を示す図である。この製造工程１０は、樹脂供給工程において、ダイ１２により帯状フィルム形態の基材２に微小突起形状の受容層を構成する未硬化で液状の紫外線硬化性樹脂を塗布する。なお紫外線硬化性樹脂の塗布については、ダイ１２による場合に限らず、各種の手法を適用することができる。続いてこの製造工程１０は、押圧ローラ１４により、反射防止物品の賦型用金型であるロール版１３の周側面に基材２を加圧押圧し、これにより基材２に未硬化状態で液状のアクリレート系紫外線硬化性樹脂を密着させると共に、ロール版１３の周側面に作製された微細な凹凸形状の凹部に紫外線硬化性樹脂を充分に充填する。この製造工程は、この状態で、紫外線の照射により紫外線硬化性樹脂を硬化させ、これにより基材２の表面に微小突起群を作製する。この製造工程は、続いて剥離ローラ１５を介してロール版１３から、硬化した紫外線硬化性樹脂と一体に基材２を剥離する。製造工程１０は、必要に応じてこの基材２に粘着層等を作製した後、所望の大きさに切断して反射防止物品１を作製する。これにより反射防止物品１は、ロール材による長尺の基材２に、賦型用金型であるロール版１３の周側面に作製された微細形状を順次賦型して、効率良く大量生産される。

図９は、ロール版１３の構成を示す斜視図である。ロール版１３は、円筒形状の金属材料である母材の周側面に、陽極酸化処理、エッチング処理の繰り返しにより、微細な凹凸形状が作製され、この微細な凹凸形状が上述したように基材２に賦型される。このため母材は、少なくとも周側面に純度の高いアルミニウム層が設けられた円柱形状又は円筒形状の部材が適用される。より具体的に、この実施形態では、母材に中空のステンレスパイプが適用され、直接に又は各種の中間層を介して、純度の高いアルミニウム層が設けられる。なおステンレスパイプに代えて、銅やアルミニウム等のパイプ材等を適用してもよい。ロール版１３は、陽極酸化処理とエッチング処理との繰り返しにより、母材の周側面に微細穴が密に作製され、この微細穴を掘り進めると共に、開口部に近付くに従ってより大きな径となるようにこの微細穴の穴径を徐々に拡大して凹凸形状が作製される。これによりロール版１３は、深さ方向に徐々に穴径が小さくなる微細穴が密に作製され、反射防止物品１には、この微細穴に対応して、頂部に近付くに従って徐々に径が小さくなる多数の微小突起からなる微小突起群により微細な凹凸形状が作製される。

〔陽極酸化処理、エッチング処理〕
図１０は、ロール版１３の製造工程を示す図である。この製造工程は、電解溶出作用と、砥粒による擦過作用の複合による電解複合研磨法によって母材の周側面を超鏡面化する（電解研磨）。続いてこの工程は、アルミニウム層形成工程において、母材の周側面にアルミニウムをスパッタリングし、純度の高いアルミニウム層を作製する。続いてこの工程は、陽極酸化工程Ａ１、…、ＡＮ、エッチング工程Ｅ１、…、ＥＮを交互に繰り返して母材を処理し、ロール版１３を作製する。

この製造工程において、陽極酸化工程Ａ１、…、ＡＮでは、陽極酸化法により母材の周側面に微細な穴を作製し、さらにこの作製した微細な穴を掘り進める。ここで陽極酸化工程では、例えば負極に炭素棒、ステンレス板材等を使用する場合のように、アルミニウムの陽極酸化に適用される各種の手法を広く適用することができる。また溶解液についても、中性、酸性の各種溶解液を使用することができ、より具体的には、例えば硫酸水溶液、シュウ（蓚）酸水溶液、リン酸水溶液等を使用することができる。この製造工程Ａ１、…、ＡＮは、液温、印加する電圧、陽極酸化に供する時間等の管理により、微細な穴をそれぞれ目的とする深さ及び微小突起形状に対応する形状に作製する。

続くエッチング工程Ｅ１、…、ＥＮは、金型をエッチング液に浸漬し、陽極酸化工程Ａ１、…、ＡＮにより作製、掘り進めた微細な穴の穴径をエッチングにより拡大し、深さ方向に向かって滑らか、かつ徐々に穴径が小さくなるように、これら微細な穴を整形する。なおエッチング液については、この種の処理に適用される各種エッチング液を広く適用することができ、より具体的には、例えば硫酸水溶液、シュウ酸水溶液、リン酸水溶液等を使用することができる。これらによりこの製造工程では、陽極酸化処理とエッチング処理とを交互にそれぞれ複数回実行することにより、賦型に供する微細穴を母材の周側面に作製する。尚、陽極酸化処理で用いたシュウ酸水溶液等の陽極酸化処理液自体は、電圧を印加することなく、母材に接触させればエッチング液として機能する。従って、陽極酸化処理液とエッチング液とを同じ液とし、同液を入れた槽中に母材を浸漬したまま、順次、所定時間所定電圧を印加することで陽極酸化処理を行い、電圧無印加で所定時間浸漬することによってエッチング処理を行うこともできる。

〔耐擦傷性の向上〕
反射防止物品１では、多峰性微小突起と単峰性微小突起とを混在させることにより、単峰性微小突起のみにより微小突起を構成する場合に比して、耐擦傷性を向上する。ここで多峰性微小突起は、単に頂点を複数有するだけでなく、微小突起を先端側より平面視した場合に、ほぼ中央より外方に向かって放射状に形成された溝により複数の領域に分割され、この複数の領域の各領域が、それぞれ各頂点に係る峰であるように形成される。またこの多峰性微小突起は、対応する形状を備えた微細穴の賦型処理により作製される。

図１１は、この頂点を複数有する多峰性微小突起の説明に供する断面図（図１１（ａ））、斜視図（図１１（ｂ））、平面図（図１１（ｃ））である。なおこの図１１は、理解を容易にするために模式的に示す図であり、図１１（ａ）は、連続する微小突起の頂点を結ぶ折れ線により断面を取って示す図である。この図１１（ｂ）及び（ｃ）において、ｘｙ方向は、基材２の面内方向であり、ｚ方向は微小突起の高さ方向である。反射防止物品１において、多くの微小突起５は、基材２より離れて頂点に向かうに従って徐々に断面積（高さ方向に直交する面（図１１においてＸＹ平面と平行な面）で切断した場合の断面積）が小さくなって、頂点が１つにより作製される。しかしながら中には、複数の微小突起が結合したかのように、先端部分に溝ｇが形成され、頂点が２つになったもの（５Ａ）、頂点が３つになったもの（５Ｂ）、さらには頂点が４つ以上のもの（図示略）が存在させることができる。そして、これら多峰性微小突起は、複数個の峰が同一の麓部を共有し、その上に位置している。反射防止性能の点からは、多峰性微小突起の高さ方向（図１１におけるｚ方向）に向かって、高さ方向に直行する斷面積が漸次減少する形状とすることが好ましい。なお単峰性微小突起５の形状は、概略、回転放物面の様な頂部の丸い形状、或いは円錐の様な頂点の尖った形状で近似することができる。一方、多峰性微小突起５Ａ、５Ｂの形状は、概略、単峰性微小突起５の頂部近傍に溝状の凹部を切り込んで、頂部を複数の峰に分割したような形状で近似される。多峰性微小突起５Ａ、５Ｂの形状は、或いは、複数の峰を含み高さ方向（図１１ではＺ軸方向）を含む仮想的切断面で切断した場合の縦断面形状が、極大点を複数個含み各極大点近傍が上に凸の曲線になる代数曲線Ｚ＝ａ_２Ｘ^２＋ａ_４Ｘ^４＋・・＋ａ_２ｎＸ^２ｎ＋・・で近似されるような形状である。

このような頂点を複数有する多峰性微小突起は、単峰性微小突起に比して、頂点近傍の寸法及び断面積に対する裾の部分の太さが相対的に太く、多峰性微小突起に比して周長が長い。これにより、多峰性微小突起は、単峰性微小突起に比して機械的強度が優れていると言える。これにより頂点を複数有する多峰性微小突起が存在する場合、反射防止物品では、単峰性微小突起のみによる場合に比して耐擦傷性が向上するものと考えられる。さらに、具体的に反射防止物品に外力が加わった場合、単峰性微小突起のみの場合に比して、外力をより多くの頂点で分散して受ける為、各頂点に加わる外力を低減し、微小突起が損傷し難いようにすることができ、これにより反射防止機能の局所的な劣化を低減し、さらに外観不良の発生を低減することができる。また仮に微小突起が損傷した場合でも、その損傷個所の面積を低減することができる。更に、多峰性微小突起は、外力を先ず各峰部分が受止めて犠牲的に損傷することによって、該多峰性微小突起の峰より低い本体部分、及び該多峰性微小突起よりも高さの低い微小突起の損耗を防ぐ。これによっても反射防止機能の局所的な劣化を低減し、さらに外観不良の発生を低減することができる。

なお上述した図２〜図６に係る測定結果は、本実施形態に係る反射防止物品の測定結果であり、図５に示す度数分布においては、隣接突起間距離ｄ（横軸の値）について、２０ｎｍ及び４０ｎｍの短距離の極大値と１２０ｎｍ及び１６４ｎｍの長距離の極大値との２種類の極大値が存在する。これらの極大値のうちの長距離の極大値は、微小突起本体（頂部よりも下の中腹から麓にかけての部分）の配列に対応し、一方、短距離の極大値は頂部近傍に存在する複数の頂点（峰）に対応する。これにより極大点間距離の度数分布によっても、多峰性微小突起の存在を見て取ることができる。

なお多峰性微小突起は、その存在により耐擦傷性を向上できるものの、充分に存在しない場合には、この耐擦傷性を向上する効果を十分に発揮できないことは言うまでもない。係る観点より、表面に存在する全微小突起中における多峰性微小突起の個数の比率は１０％以上とすることが望まれる。特に多峰性微小突起による耐擦傷性を向上する効果を十分に奏する為には、該多峰性微小突起の比率は３０％以上、好ましくは５０％以上であることが望まれる。又、多峰性微小突起の比率を増やすに伴い製造工程の管理の難度が増す為、当該比率は好ましくは９０％以下、より好ましくは８０％以下とする。また多峰性微小突起が混在する場合にはスティッキングを生じ難くすることができ、その結果、スティッキングによる特性の劣化を有効に回避することができる。またさらに単峰性微小突起と多峰性微小突起とを混在させる場合には、アスペクト比の異なる単峰性微小突起を混在させた場合と同様に、広い波長帯域で反射率を低減することができる。なおアスペクト比とは、微小突起の高さＨを谷底における径Ｗ（幅又は太さと言う事もできる）で除した比、Ｈ／Ｗとして定義される。ここで、谷底における径とは、微小突起の谷底近傍の形状が円柱であれば、該円柱の（底面の）直径と一致する。微小突起の谷底近傍形状が円柱では無く、谷底を連ねた仮想的平面と微小突起とが交叉して得られる底面の径の大きさが面内方向によって異なる場合は、その最大値を該微小突起の径とする。例えば、微小突起の底面形状が楕円の場合は、径はその長径となる。又、微小突起の底面形状が多角形の場合は、径はその最大の対角線長となる。又、谷底部（高さの極小点からなる領域）の幅が径に比べて小さく２割以下の場合には、各微小突起のアスペクト比Ｈ／Ｗの平均値（Ｈ／Ｗ）ａｖｅは、設計上は実質、Ｈａｖｅ／ｄａｖｅと見做すことができる。

図１２は、頂点が複数の微小突起を示す写真であり、図１２（ａ）は、ＡＦＭによるものであり、図１２（ｂ）及び（ｃ）は、ＳＥＭによるものである。図１２（ａ）では、溝ｇ及び３つの頂点を有する微小突起、及び溝ｇ及び２つの頂点を有する微小突起（２峰の多峰性微小突起）を見て取ることができ、図１２（ｂ）では、溝ｇ及び４つの頂点を有する微小突起（４峰の多峰性微小突起）、及び溝ｇ及び２つの頂点を有する微小突起を見て取ることができ、図１２（ｃ）では、溝ｇ及び３つの頂点を有する微小突起（３峰の多峰性微小突起）、溝ｇ及び２つの頂点を有する微小突起を見て取ることができる。

〔陽極酸化処理、エッチング処理の詳細〕
図１３は、このような単峰性微小突起と多峰性微小突起とを混在させる場合について、図１２における陽極酸化処理、エッチング処理を詳細に示す図である。ここで陽極酸化処理の印加電圧と作製される微細穴のピッチとは比例関係である。しかしながら実際上、処理に供するアルミニウムの粒界等により微細穴のピッチは種々にばらつく。但し、この図１３においては、このようなばらつきが無いものとして、また微細穴が規則正しい配列により作製されるものとして説明する。なお図１３（ａ）〜（ｅ）は、それぞれ各工程により作製される微細穴を平面視した図、及びａ−ａ線により切り取って示す対応する断面図である。

ここで始めにこの実施形態では、低い印加電圧Ｖ１により第１の陽極酸化処理を実行した後、エッチング処理（以下、適宜、第１工程と呼ぶ）を実行し、これにより図１３（ａ）に示すように、この低い印加電圧Ｖ１に係る基本ピッチによる微細穴ｆ１を作製する。ここでこの第１の陽極酸化処理は、アルミニウムのフラット面に、後続する陽極酸化のきっかけを作製するものである。なおこの場合、必要に応じてこの第１工程のエッチング処理を省略してもよい。

続いてこの実施形態では、第１の陽極酸化時より高い印加電圧Ｖ２（Ｖ２＞Ｖ１）により第２の陽極酸化処理を実行した後、エッチング処理を実行する（以下、適宜、第２工程と呼ぶ）。ここでこの場合、図１３（ｂ）に示すように、印加電圧を上昇させたことにより、第１の陽極酸化処理により作製された微細穴ｆ１のうち、この第２の陽極酸化処理に係る印加電圧に対応する微細穴のみ深さ方向に掘り進められ（符号ｆ２により示す）、エッチング処理されることになる。これによりこの第２の工程により、例えば２段階により印加電圧を可変すれば、深さの異なる分布を呈する微細穴を混在させることができる。

続いてこの実施形態では、第２の陽極酸化時より高い印加電圧Ｖ３（Ｖ３＞Ｖ２）により第３の陽極酸化処理を実行した後、エッチング処理を実行する（以下、適宜、第３工程と呼ぶ）（図１３（ｃ））。ここでこの第３工程は、ピッチの異なる微細穴を作製するための工程である。このためこの工程では、第２の陽極酸化工程における印加電圧Ｖ２から徐々に印加電圧を上昇させる。ここでこの印加電圧の上昇を離散的に（段階的に）実行すると、微小突起の高さ分布を離散的に設定することができ、深さの分布が異なる微細穴を混在させることができる。またこの印加電圧の上昇を連続的に変化させると、深さ分布を正規分布に設定することができる。

さらにこの第３の工程において、陽極酸化に係る特定電圧の印加時間、エッチング処理の時間が、第１、第２工程よりも長く設定され、これにより符号ｆ３により示すように、第１工程、第２工程で作製された微細穴ｆ１、ｆ２を飲み込むように、これら微細穴ｆ１、ｆ２と合体して底部の略平坦な微細穴が作製される。

続いてこの実施形態では、第３の陽極酸化時より高い印加電圧Ｖ４（Ｖ４＞Ｖ３）により第４の陽極酸化処理を実行した後、エッチング処理を実行する（以下、適宜、第４工程と呼ぶ）（図１３（ｄ））。ここでこの第４工程は、目的とする突起間間隔によるピッチにより微細穴を作製するための工程であり、これによりこの印加電圧Ｖ４はこのピッチに対応する電圧である。この第４工程において、印加電圧を上昇させることにより、第３工程により大きく掘り進められた微細穴の一部がさらに一段と掘り進められて、この掘り進められた微細穴が単峰性微小突起に対応する微細穴ｆ４となる。

続いてこの実施形態では、第１工程における印加電圧Ｖ１により第５の陽極酸化処理を実行した後、エッチング処理を実行する（図１３（ｅ））。ここでこの第５の工程において、第３工程により底面が平坦面とされた微細穴であって、第４の工程の陽極酸化処理の影響を受けていない微細穴について、底面に微細な穴が複数個形成され、これにより多峰突起用の微細穴ｆ５が作製される。ここでこの第５工程の印加電圧Ｖ１の大きさを調整することによって、底面に形成される微細な穴ｆ５の数を増やしたり、減らしたりすることができる。

ここでこの一連の工程では、第１及び第２の工程により作製された深さの異なる微細穴ｆ１、ｆ２を、第３の工程で掘り進めて底面の略平坦な微小突起ｆ３を作製し、第４の工程において、単峰性微小突起に係る微細穴を作製し、また第５の工程において、底面が平坦な微小突起ｆ３の底面を加工して単峰性微小突起に係る微細穴を作製していることにより、これら第１〜第４の工程に係る陽極酸化処理の印加電圧、処理時間、エッチング処理の処理時間等を制御して各工程で作製される微細穴の深さ等を制御することにより、微小突起の高さの分布、多峰性微小突起の高さの分布を制御することができる。なおこれら第１〜第５の工程は、必要に応じて省略したり、繰り返したり、工程を一体化してもよいことは言うまでも無い。

〔光学特性の劣化の防止〕
ところで多峰性微小突起と単峰性微小突起とを混在させる場合には、正面方向の反射率、斜め入射光の反射率等の、光学特性の劣化を当然に防止することが望まれる。この実施形態では、単峰性微小突起の周長に対して多峰性微小突起の周長を一定の範囲に収めるようにし、より具体的には、単峰性微小突起の周長が、多峰性微小突起の周長の９０％以上、１００％以下であるようにし、これにより実用上十分に光学特性の劣化を防止する。

なお周長は、各微小突起を取り囲む、隣接する微小突起との間の谷の長さにより定義される。周長は、例えば上述の隣接突起間距離の計測に供した２次元の画像データを使用して、図１４の処理手順の実行により、当該画像データに係る画素を各微小突起に係る領域に区分して領域分割することにより、微小突起を囲む谷線による網目状の形状が求められ、この網目状の形状による線分より求めることができる。

すなわち図１４の処理手順では、始めに並べ替え処理を実行する（ステップＳＰ１１）。ここで並べ替え処理は、処理対象である各画素のデータを高さの高い順にソーティングする処理である。この実施の形態では、各画素分を表すデータ構造の要素であるｘ座標値、ｙ座標値、ｚ座標値に、それぞれ属性、極大値フラグを設定して各画素のデータとし、この各画素のデータを降順にソートして画素リストを作成する。なおここで属性は、各画素の分類結果を示す情報であり、未設定、仮置き、領域境界、クラスＩＤの４状態である。また極大値フラグは、頂点検出の処理に供するフラグである。これら属性及び極大値フラグは、当初、初期値に設定される。

続いてこの処理は、反復処理（ＳＰ１２〜ＳＰ１３の処理）を繰り返し実行することにより、画素リストに登録された各画素のデータを、順次、高さの高い順に選択して分類する。具体的に、この反復処理において、処理対象の画素のデータを選択し、この画素のデータの属性が「仮置き」か否か判定する（ステップＳＰ１４）。ここで「仮置き」は、それまでの他の画素データの処理において、今回の処理対象の画素データが、谷又は多峰性突起の溝に係る画素である可能性を有している場合に設定される属性である。

ここで処理対象の画素が「仮置き」である場合、この画素の属性を境界領域に設定することにより当該画素を微小突起間の境界（谷である）に設定し（ステップＳＰ１５）、次の画素に処理を切り替える。これとは逆に「仮置き」で無い場合、当該画素に隣接する近傍８画素に、既にクラスタＩＤが設定された画素（反復処理の実行対象となった画素である）が存在するか否か判定する（ステップＳＰ１６）。ここで既にクラスタＩＤが設定された近傍画素が存在しない場合、当該画素を極大値として「極大値フラグ」をｔｒｕｅに設定し、属性を、（既に設定されたクラスの個数＋１）のクラスタＩＤに設定し（ステップＳＰ１７）、次の画素に処理を切り替える。また既にクラスタＩＤの設定された近傍画素が存在する場合、そのクラスタＩＤが設定された近傍画素（クラスタリングされた近傍画素）の数が１つかどうかを判定する（ステップＳＰ１８）。

ここで当該画素数が１つの場合、さらに当該画素に隣接する近傍８画素に、属性が「仮置き」に設定された画素が存在するか否か判定し（ステップＳＰ１９）、「仮置き」に設定された画素が存在しない場合、クラスタＩＤが設定されてなる画素のクラスタＩＤを、当該処理対象画素の属性に設定する（ステップＳＰ２０）、これにより処理対象画素を検出された近傍画素の微小突起に分類し、次の画素に処理を切り替える。

これに対してクラスタＩＤの設定された近傍画素の数が１つであって、隣接する近傍８画素に、属性が「仮置き」に設定された画素が存在する場合、この画素の属性を境界領域に設定し（ステップＳＰ２１）、次の画素に処理を切り替える。

また既にクラスタＩＤの設定された近傍画素が２つ以上存在する場合、この画素の属性を境界領域に設定し（ステップＳＰ２２）、さらに当該画素に隣接する近傍８画素に、属性が「仮置き」に設定された画素が存在するか否か判定し（ステップＳＰ２３）、「仮置き」に設定された画素が存在しない場合、次の画素に処理を切り替える。

これに対してクラスタＩＤの設定された近傍画素が２つ以上存在することによりこの画素の属性を境界領域に設定し（ステップＳＰ２２）、さらに当該画素に隣接する近傍８画素に、属性が「仮置き」に設定された画素が存在する場合、近傍８画素に、属性が未設定でありかつ斜面に位置している画素がないかどうかを判定し（ステップＳＰ２４）、このような画素が存在しない場合、次の画素に処理を切り替える。これに対してこのような画素が存在する場合、仮置き設定処理を実行する（ステップＳＰ２５）。

この仮置き設定処理において、この近傍８画素のＺ座標値から、これら近傍８画素のＸＹＺ座標値により求められる曲面の法線方向を算出し、この法線方向による法線をＸＹ平面に投影することにより、当該処理対象画素から谷の方向を求める。また近傍８画素のうちで、このようにして求めた谷の方向の画素の属性を「仮置き」に設定する。

この一連の処理により、図１５に示すように、この実施形態では、高さの高い画素から順に、隣接８画素の属性の設定を参考にして順次属性を設定して境界Ｓを検出する。なおこの図１５において、（ａ）及び（ｅ）は、微細突起を平面視した図であり、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）は、側方より見た図である。この実施形態では、高さの高い画素から順に、隣接８画素の属性の設定を参考にして順次属性を設定することにより、始めに頂点Ｐ１係る画素が処理対象に設定されて属性がクラスＩＤ＝１に設定される（図１５（ａ）及び（ｂ））。続いて図１５（ｃ）に示すように、この頂点Ｐ１の近傍画素が順次処理対象画素に設定されてクラスＩＤ＝１が設定され、その後、頂点Ｐ２に係る画素が処理対象に設定されて属性がクラスＩＤ＝２に設定される（図１５（ｃ））。またさらにこれら頂点Ｐ１及びＰ２にかかる突起の画素が順次処理対象に設定されて、それぞれクラスＩＤ＝１又はＩＤ＝２にクラスタリングされ、境界Ｓが検出されることになる（図１５（ｄ）及び（ｅ））。これによりそれぞれｚ座標値を備えてなる画素が、微小突起毎のクラスタＩＤにより分類される。

この一連の処理により、境界Ｓに分類された画像データにより隣接微小突起間の谷が検出されることになり、この谷に係る画像データから各微小突起の周囲長さを算出することができる。

図１６は、実施例（データ２）と比較例（データ１）について、周長の計測結果を示す図表である。この図表において、周長の単位はｎｍであり、「全体」とは、多峰性微小突起及び単峰性微小突起をまとめた周長の計測結果である。また「２峰」及び「３峰」は、それぞれ２峰の多峰性微小突起、３峰の多峰性微小突起についての計測結果であり、「−」は存在しないことを意味する。またデータ２は、図１３について上述した第２工程、第３工程、第４工程で陽極酸化処理の印加電圧を連続的に変化させたものであり、また第４工程では、第３工程の印加電圧から電圧を低下させたものである。データ１は、データ２の場合に比して、第１工程〜第４工程で陽極酸化処理の印加電圧を大きく可変し、第５工程では、第４工程の印加電圧から電圧を低下させたものである。また図１７は、この図１６の計測結果のうちの平均値の計測結果を棒グラフ化したものである。

より具体的に、データ２は、陽極酸化工程とエッチング工程とを５回繰り返した場合であり、第１回目の陽極酸化工程の印加電圧をＶ１（１５Ｖ〜３５Ｖの範囲の一定電圧である）とした場合に、第２回目、第３回目、第４回目、第５回目の陽極酸化工程の印加電圧をそれぞれ２Ｖ１、３．５Ｖ１、５Ｖ１、Ｖ１とした例である。なお陽極酸化処理は、濃度０．０２Ｍのシュウ酸水溶液を使用して１００秒実施した。エッチング工程は、濃度０．０２Ｍのシュウ酸水溶液を使用して４５秒間エッチング処理した後、濃度１．０Ｍのリン酸水溶液を使用して１１０秒間エッチング処理した。

またデータ１は、データ２と同一の繰り返し回数、溶液及び処理時間により陽極酸化工程、エッチング工程を実行したものである。データ１は、第１回目の陽極酸化工程の印加電圧をＶ１（１５Ｖ〜３５Ｖの範囲の一定電圧である）とした場合に、第２回目、第３回目、第４回目、第５回目の陽極酸化工程の印加電圧をそれぞれ２．５Ｖ１、４Ｖ１、６Ｖ１、Ｖ１^１／２〜Ｖ１とした例である。２回目から４回目の陽極酸化工程では、２回目の陽極酸化処理の開始電圧及び４回目の陽極酸化処理の終了電圧がそれぞれ２．５Ｖ１及び６Ｖ１となるように設定して、徐々に印加電圧を増大させた。

この図１６及び図１７によれば、全微小突起の周長は、データ１及びデータ２で概ね等しく、頂点の数の増大により周長が増大していることが判る。また分散、標準偏差についてみると、データ２に比してデータ１の方がばらつきが大きいことが判る。種々に検討した結果、単峰性微小突起の周長が、多峰性微小突起の周長の９０％以上、１００％以下であるようにすれば光学特性の劣化を充分に防止できることが判った。ここでデータ１及びデータ２では、単峰性微小突起の周長の平均値が１２０．５ｎｍ、１１８．２ｎｍであり、多峰性微小突起の周長の平均値が１４４．３ｎｍ、１３０．３ｎｍであることにより、データ２あっては、単峰性微小突起の周長が、多峰性微小突起の周長の９１％となり、９０％以上１００％以下の範囲内にあるのに対し、データ１では、単峰性微小突起の周長が８１％となり、多峰性微小突起の周長の９０％以上１００％以下の範囲外（該範囲未満）である。これによりデータ１では光学特性が劣化することが判る。

なお従来の反射防止物品では、反射率の計測に係る光学特性の計測と、微小突起の観察による局所的な観察により評価しているものの、これらの相関を図ることが困難であった。しかしながらこの実施形態では、反射防止物品の光学特性を、平面視に係る局所計測結果により評価することが可能になり、これにより反射防止物品の検討に種々の利便を図ることができる。

以上の構成によれば、多峰性微小突起と単峰性微小突起とを混在させるようにして、単峰性微小突起の周長が、多峰性微小突起の周長の９０％以上、１００％以下であることにより、光学特性の劣化を有効に回避して、耐擦傷性を向上することができる。

〔第２実施形態〕
この実施形態では、第１実施形態で上述した微小突起の密接配置に代えて、この微小突起を密接配置した形状を転写した形状による微***の密接配置により反射防止物品が作製される。このためこの実施形態では、第１実施形態で上述したロール版をマザーのロール版に設定して、このマザーのロール版の周側面の微細凹凸形状を転写して量産用のロール版が作製され、この量産用のロール版より反射防止物品が作製される。従ってこの量産用のロール版においては、微小突起の密接配置により構成され、さらに単峰性微小突起と多峰性微小突起との混在により構成される。

この実施形態では、この反射防止物品は、多峰性微小突起に対応する微細穴と単峰性微小突起に対応する微細穴との混在により構成される。また単峰性微小突起に係る微細穴の周長が、多峰性微小突起に係る微細穴の周長の９０％以上、１００％以下であるように設定される。

この実施形態では、微小突起の密接配置に代えて、微細穴の密接配置により反射防止を図ることにより、反射防止物品の生産に係る賦型用金型について、耐擦傷性を向上することができる、またこの金型より生産される反射防止物品については、光学特性の劣化を有効に回避することができる。

〔微小突起の具体的形状〕
図１８及び図１９は、上述の第１実施形態における実際の微小突起の形状を示す斜視図（図１８）、平面図（図１９（ａ））、正面図（図１９（ｂ））及び側面図（図１９（ｃ））である。これら図１８及び図１９は、等高線図である。上述したように、複数回の陽極酸化処理における印加電圧を切り替えることにより、この図１８及び図１９による微小突起においては、高さの大きく異なる３つの峰が合体して１つの微小突起が形成されており、ほぼ中央より外方に向かって形成された３本の放射状の溝（沢状の極小部）によりこの３つの峰に係る領域に分割されて微小突起が作製されていることが判る。なおこの図１８及び図１９は、ＡＦＭによる計測結果によるデータを部分的に選択して詳細に示したものである。またこの図１８及び図１９における数字の単位はｎｍである。Ｘ座標及びＹ座標は、所定の基準位置からの座標値である。

図２０及び図２１は、図１８及び図１９との対比により、本実施形態における微小突起の他の計測結果を示す図である。この図２０及び図２１の微小突起においては、ほぼ高さの等しい３つの峰が合体して１つの微小突起が作製され、該３つの峰は、頂部のほぼ中央部より外方に向かって延びた３本の放射状の溝によって区分されていることが判る。

なおこのようにして観察される結果によれば、多峰性微小突起における各峰の内側においては、各峰の外側に比して表面の粗さが荒いように観察され、多峰性微小突起は、このように峰の内側と外側との粗さの相違により、賦型処理時の樹脂の充填不良により生じる多峰性微小突起との相違を見て取ることができる。なおこれらの斜視図等において、等高線が表されていない箇所は、計測の都合上、データが得られていない箇所である。

〔耐擦傷性の評価〕
表１は、耐擦傷性の評価結果を示す図である。第１実施形態による反射防止物品を単峰性微小突起のみによる同様の突起高さ分布による反射防止物品との比較によるものである。なお単峰性微小突起のみの反射防止物品における比較例１は、繰り返しの陽極酸化処理の印加電圧を第２の工程以下においても第１の工程と同一の一定電圧とすることにより、データ２の高さ分布と同様の高さ分布により作製した比較例であり、高さ分布がいわゆる正規分布の特性によるものである。また単峰性微小突起のみによる比較例２の反射防止物品は、繰り返しの陽極酸化処理の印加電圧を２段階の切り替えにより実行して、データ１の高さ分布と同様の高さ分布により作製した比較例であり、高さ分布がいわゆる双峰性の特性によるものである。

この表１において、スチールウールの欄は、押し付け力１００ｇ及び２００ｇによりスチールウールを押し付けて往復させた後の表面の変化を目視により確認した結果である。二重丸の印は、目視上傷、濁りは見られないとの評価が得られたものであり、×の印は、目視上、６本以上の傷が観察されるものである。なお評価の範囲は、１辺５ｃｍの矩形の領域である。これにより多峰性微小突起により充分に耐擦傷性が向上していることが判る。

また乾拭きの欄は、指紋を付着させた後、不織布を用いて溶剤を含まない乾いた状態での拭きを５０往復させた時の、５°正反射率ΔＹ（％）である。指紋を付着させた状態で、５°正反射率が４％となるように設定した。なお不織布は、ＫＢセーレン社製、ザヴィーナミニマックス（登録商標）１５０ｍｍ□を使用した。また何ら指紋による汚れを付着させない状態における５°正反射率の初期値は、０．５％であった。この検討結果によれば、多峰性微小突起により付着した汚れがふき取り易くなって反射防止性能を指紋付着前に近い状態にまで回復していることが判り、このことは多峰性微小突起を設けた場合には、微小突起の付け根側に汚れが深くもぐり込まないことによるものと考えられる。これにより指紋に対する耐汚染性（易拭取り性）にも向上が見られる。

〔他の実施形態〕
以上、本発明の実施に好適な具体的な構成を詳述したが、本発明は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、上述の実施形態の構成を種々に変更し、さらには従来構成と組み合わせることができる。

すなわち上述の実施形態では、陽極酸化処理とエッチング処理との所定回数繰り返す場合について述べたが、本発明はこれに限らず、最後の処理を陽極酸化処理とする場合にも広く適用することができる。

また上述の実施形態では、反射防止物品を液晶表示パネル、電場発光表示パネル、プラズマ表示パネル等の各種画像表示パネルの表側面に配置して視認性を向上する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば液晶表示パネルの裏面側に配置してバックライトから液晶表示パネルへの入射光の反射損失を低減させる場合（入射光利用効率を増大させる場合）にも広く適用することができる。尚、ここで画像表示パネルの表面側とは、該画像表示パネルの画像光の出光面であり、画像観察者側の面でもある。又、画像表示パネルの裏面側とは、該画像表示パネルの表面の反対側面であり、バックライト（背面光源）を用いる透過型画像表示裝置の場合は、該バックライトからの照明光の入光面でもある。

また上述の実施形態では、賦型用樹脂にアクリレート系の紫外線硬化性樹脂を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、エポキシ系、ポリエステル系等の各種紫外線硬化性樹脂、或いはアクリレート系、エポキシ系、ポリエステル系等の電子線硬化性樹脂、ウレタン系、エポキシ系、ポリシロキサン系等の熱硬化性樹脂等の各種材料及び各種硬化形態の賦型用樹脂を使用する場合にも広く適用することができ、さらには例えば加熱したアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂等の熱可塑性の樹脂を押圧して賦型する場合等にも広く適用することができる。

また、上述の実施形態では、図１に図示の如く、基材２の一方の面上に受容層（紫外線硬化性樹脂層）４を積層してなる積層体の該受容層４上に微小突起群５、５Ａ、５Ｂ、・・を賦形し、該受容層４を硬化せしめて反射防止物品１を形成している。層構成としては２層の積層体となる。但し、本発明は、かかる形態のみに限定される訳では無い。本発明の反射防止物品１は、図示は略すが、基材２の一方の面上に、他の層を介さずに直接、微小突起群５、５Ａ、５Ｂ、・・を賦形した単層構成であっても良い。或いは、基材２の一方の面に１層以上の中間層（層間の密着性、塗工適性、表面平滑性等の基材表面性能を向上させる層。プライマー層、アンカー層等とも呼称される。）を介して受容層４を形成し、該受容層表面に微小突起群５、５Ａ、５Ｂ、・・を賦形した３層以上の積層体であっても良い。

更に、上述の実施形態では、図１にも図示の如く、基材２の一方の面上にのみ（直接或いは他の層を介して）微小突起群５、５Ａ、５Ｂ、・・を形成しているが、本発明はかかる形態には限定され無い。基材２の両面上に（直接或いは他の層を介して）各々微小突起群５、５Ａ、５Ｂ、・・を形成した構成であっても良い。基材２の両面上に微小突起群５、５Ａ、５Ｂ、・・を有する形態の場合、該微小突起群を一方の面上にのみ該微小突起群を有する形態に比べ、反射防止性能が大きく向上する。例えば、空気と基材２自体との界面に於ける光の反射率が４％であり、微小突起群と空気との界面に於ける光の反射率が０．２％である場合、基材２の表（又は裏）面から裏（又は表）面に透過する光に対する表裏両面を合計した反射率は、微小突起群を有する層（受容層４）と基材２との界面の反射率の寄与を０％と見做すと、
（１）基材の表裏両面上に微小突起群が無い場合は、８％。
（２）基材の一方の面上にのみ微小突起群を有する場合は、４．２％。
（３）基材の表裏両面上に微小突起群を有する場合は、０．４％。
となる。
また、図示は略すが、図１等に図示の如き本発明の反射防止物品１において、基材２の微小突起群形成面とは反対側の面（図１においては基材２の下側面）に各種接着剤層を形成し、更に該接着剤層表面に離型フィルム（離型紙）を剥離可能に積層してなる接着加工品の形態とすることも出来る。かかる形態においては、離型フィルムを剥離除去して接着剤層を露出せしめ、該接着剤層により所望の物品の所望の表面上に本発明の反射防止物品１を貼り合わせ、積層することが出来、簡便に所望の物品に反射防止性能を付与することが出来る。接着剤としては、粘着剤（感圧接着剤）、２液硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、熱熔融型接着剤等の公知の接着形態のものが各種使用出来る。

また、図示は略すが、図１等に図示の如き本発明の反射防止物品１において、微小突起群５、５Ａ、５Ｂ、・・形成面上に剥離可能な保護フィルムを仮接着した状態で保管、搬送、売買、後加工乃至施工を行い、しかる後に適時、該保護フィルムを剥離除去する形態とすることも出来る。かかる形態においては、保管、搬送等の間に微小突起群が損傷乃至は汚染して反射防止性能が低下することを防止することが出来る。

また、上述の実施形態では、図１に示すように、各隣接微小突起間の谷底（高さの極小点）を連ねた面は高さが一定な平面であったが、本発明はこれに限らず、図７に示すように、各微小突起間の谷底を連ねた包絡面が、可視光線帯域の最長波長λｍａｘ以上の周期Ｄ（すなわちＤ＞λｍａｘである）でうねった構成としてもよい。又該周期的なうねりは、基材２の表裏面に平行なＸＹ平面における１方向（例えばＸ方向）のみでこれと直交する方向（例えばＹ方向）には一定高さであっても良いし、或いはＸＹ平面における２方向（Ｘ方向及びＹ方向）共にうねりを有していても良い。Ｄ＞λｍａｘを満たす周期Ｄでうねった凹凸面６が多数の微小突起からなる微小突起群に重畳することによって、微小突起群で完全に反射防止し切れずに残った反射光を散乱し、殘留反射光、とくに鏡面反射光を更に視認し難くし、以って、反射防止効果を一段と向上させることができる。

尚、係る凹凸面６の周期Ｄが全面に亙って一定では無く分布を有する場合は、該凹凸面について凸部間距離の度数分布を求め、その平均値をＤ_ＡＶＧ、標準偏差をΣとしたときの、
Ｄ_ＭＩＮ＝Ｄ_ＡＶＧ―２Σ
として定義する最小隣接突起間距離を以って周期Ｄの代わりとして設計する。即ち、微小突起群の殘留反射光の散乱効果を十分奏し得る条件は、
Ｄ_ＭＩＮ＞λｍａｘ
又、該凹凸の高低差に相当するＪＩＳ Ｂ０６０１（１９９４年）規定のＲｚ値（１０点平均粗さ）は、
Ｒｚ≧λｍｉｎ
である。通常、Ｄ又はＤ_ＭＩＮは１〜６００μｍ、好ましくは１０〜３００μｍとされる。又、通常、Ｒｚは０．４〜５μｍとされる。
各微小突起の谷底を連ねた包絡面形が、Ｄ（又はＤ_ＭＩＮ）＞λｍａｘ、なる凹凸面６を呈する樣な微小突起群を形成する具体的な製造方法の一例を挙げると以下の通りである。即ち、ロール版１３の製造工程において、円筒（又は円柱）形状の母材の表面にサンドブラスト又はマット（つや消し）メッキによって凹凸面６の凹凸形状に対応する凹凸形状を賦形する。次いで、該凹凸形状の面上に、直接或いは必要に応じて適宜の中間層を形成した後、アルミニウム層を積層する。その後、該凹凸形状表面に対応した表面形状を賦形されたアルミニウム層に上述の実施形態と同様にして陽極酸化処理及びエッチング処理を施して微小突起５、５Ａ、５Ｂを含む微小突起群を形成する。

また上述の実施形態では、陽極酸化処理とエッチング処理との繰り返しにより賦型処理用の金型を作製する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、フォトリソグラフィーの手法を適用して賦型処理用の金型を作製する場合にも広く適用することができる。

また上述の実施形態では、ロール版を使用した賦型処理によりフィルム形状による反射防止物品を生産する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、反射防止物品の形状に係る透明基材の形状に応じて、例えば平板、特定の曲面形状による賦型用金型を使用した枚葉の処理により反射防止物品を作成する場合等、賦型処理に係る工程、金型は、反射防止物品の形状に係る透明基材の形状に応じて適宜変更することができる。

また上述の実施形態では、画像表示パネルの表側面、或いは照明光の入射面にフィルム形状による反射防止物品を配置する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、種々の用途に適用することができる。具体的には、画像表示パネルの画面上に間隙を介して設置されるタッチパネル、各種の窓材、各種光学フィルタ等による表面側部材の裏面（画像表示パネル側）に配置する用途に適用することができる。なおこの場合には、画像表示パネルと表面側部材との間の光の干渉によるニュートンリング等の干渉縞の発生の防止、画像表示パネルの出光面と表面側部材の入光面側との間の多重反射によるゴースト像の防止、さらには画面から出光されてこれら表面側部材に入光する画像光について、反射損失の低減等の効果を奏することができる。

或いは、タッチパネルを構成する透明電極を、フィルム或いは板状の透明基材上に本発明特定の微小突起群を形成し、更に該微小突起群上にＩＴＯ（酸化インジウム錫）等の透明導電膜を形成したものを用いることが出来る。この場合には、該タッチパネル電極とこれと隣接する対向電極又は各種部材との間での光反射を防止して、干渉縞、ゴースト像等の発生を低減させる効果を奏することが出来る。

また店舗のショウウインドウや商品展示箱、美術館の展示物の展示窓や展示箱等に使用する硝子板表面（外界側）、或いは表面及び裏面（商品又は展示物側面）の両面に配置するようにしても良い。なおこの場合、該硝子板表面の光反射防止による商品、美術品等の顧客や観客に対する視認性を向上することができる。

また眼鏡、望遠鏡、写真機、ビデオカメラ、銃砲の照準鏡（狙撃用スコープ）、双眼鏡、潜望鏡等の各種光学機器に用いるレンズ又はプリズムの表面に配置する場合にも広く適用することができる。この場合、レンズ又はプリズム表面の光反射防止による視認性を向上することができる。またさらに書籍の印刷部（文字、写真、図等）表面に配置する場合にも適用して、文字等の表面の光反射を防止し、文字等の視認性向上することができる。また看板、ポスター、其の他各種店頭、街頭、外壁等における各種表示（道案内、地図、或いは禁煙、入口、非常口、立入禁止等）の表面に配置して、これらの視認性を向上することができる。またさらに白熱電球、発光ダイオード、螢光燈、水銀燈、ＥＬ（電場発光）等を用いた照明器具の窓材（場合によっては、拡散板、集光レンズ、光学フィルタ等も兼ねる）の入光面側に配置するようにして、窓材入光面の光反射を防止し、光源光の反射損失を低減し、光利用効率を向上することができる。またさらに時計、其の他各種計測機器の表示窓表面（表示観察者側）に配置して、これら表示窓表面の光反射を防止し、視認性を向上することができる。

またさらに、自動車、鉄道車両、船舶、航空機等の乗物の操縦室（運転室、操舵室）の窓の室内側、室外側、あるいはその両側の表面に配置して窓における室内外光を反射防止して、操縦者（運転者、操舵者）の外界視認性を向上することができる。またさらに、防犯等の監視、銃砲の照準、天体観測等に用いる暗視装置のレンズないしは窓材表面に配置して、夜間、暗闇での視認性を向上することができる。

またさらに、住宅、店舗、事務所、学校、病院等の建築物の窓、扉、間仕切、壁面等を構成する透明基板(窓硝子等)の表面（室内側、室外側、あいはその両側）の表面に配置して、外界の視認性、あるいは採光効率を向上することができる。またさらに、各種店舗、美術館、博物館等で用いる商品乃至展示品を収納し、展示する各種の展示箱乃至ショウケースの透明窓（又は扉）部の表面、裏面、又は表裏両面に配置して、展示する商品乃至展示品の視認性向上することができる。またさらに、温室、農業用ビニールハウスの透明シート、ないしは透明板（窓材）の表面に配置して、太陽光の採光効率を向上することができる。さらにまた、太陽電池表面に配置して、太陽光の利用効率（発電効率）を向上することができる。

またさらに、上述の実施形態においては、反射防止を図る電磁波の波長帯域を、専ら、可視光線帯域（の全域又は一部帯域）としたが、本発明はこれに限らず、反射防止を図る電磁波の波長帯域を赤外線、紫外線等の可視光線以外の波長帯域に設定しても良い。その場合は前記の各条件式中において、電磁波の波長帯域の最短波長Λｍｉｎを、それぞれ、赤外線、紫外線等の波長帯域における反射防止効果を希望する最短波長に設定すれば良い。例えば、最短波長Λｍｉｎが８５０ｎｍの赤外線帯域の反射防止を希望する場合は、隣接突起間距離ｄ（乃至は其の最大値ｄｍａｘ）を８５０ｎｍ以下、例えば、ｄ（ｄｍａｘ）＝８００ｎｍと設計すれば良い。尚、この場合は、可視光線帯域（３８０〜７８０ｎｍ）においては反射防止効果は期待し得ず、專ら波長８５０ｎｍ以上の赤外線に対しての反射防止効果を奏する反射防止物品が得られる。

以上例示の各種実施形態において、硝子板等の透明基板の表面、裏面、或いは表裏両面に本発明のフィルム状の反射防止物品を配置する場合、該透明基板の全面に亙って配置、被覆する以外に、一部分の領域にのみ配置することも出来る。かかる例としては、例えば、１枚の窓硝子について、其の中央部分の正方形領域において、室内側表面にのみフィルム状の反射防止物品を粘着剤で貼着し、その他領域には反射防止物品を貼着し無い場合を挙げることが出来る。透明基板の一部分の領域にのみ反射防止物品を配置する形態の場合は、特別な表示や衝突防止柵等の設置無しでも、該透明基板の存在を視認し易くして、人が該透明基板に衝突、負傷する危険性を低減する効果、及び室内（屋内）の覗き見防止と該透明基板の（該反射防止物品の配置領域における）透視性とが両立出来ると言う効果を奏し得る。

１ 反射防止物品
２ 基材
４ 紫外線硬化性樹脂層、受容層
５、５Ａ、５Ｂ 微小突起
６ 凹凸面
１０ 製造工程
１２ ダイ
１３ ロール版
１４、１５ ローラ
ｇ 溝

Claims (5)

1. 微小突起が密接して配置され、隣接する前記微小突起の間隔が、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長以下である反射防止物品において、
   頂点を複数有する微小突起である多峰性微小突起と、頂点が１つの微小突起である単峰性微小突起とが混在しており、
   単峰性微小突起の周長が、多峰性微小突起の周長の９０％以上、１００％以下である
   反射防止物品。
2. 微***が密接して配置され、隣接する前記微***の間隔が、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長以下である反射防止物品において、
   頂点を複数有する微小突起である多峰性微小突起に対応する微細穴と、頂点が１つの微小突起である単峰性微小突起に対応する微細穴とが混在しており、
   前記単峰性微小突起に対応する微細穴の周長が、前記多峰性微小突起に対応する微細穴の周長の９０％以上、１００％以下である
   反射防止物品。
3. 請求項１又は請求項２に記載の反射防止物品を画像表示パネルのパネル面に配置した
   画像表示装置。
4. 反射防止物品の製造に供する反射防止物品の製造用金型であって、
   前記反射防止物品は、
   微小突起が密接して配置され、
   隣接する前記微小突起の間隔が、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長以下であり、
   頂点を複数有する微小突起である多峰性微小突起と、頂点が１つの微小突起である単峰性微小突起とが混在しており、
   単峰性微小突起の周長が、多峰性微小突起の周長の９０％以上、１００％以下であり、
   前記反射防止物品の製造用金型は、
   前記微小突起に対応する微細穴が密接して作製された
   反射防止物品の製造用金型。
5. 反射防止物品の製造に供する反射防止物品の製造用金型であって、
   微小突起が密接して配置され、隣接する前記微小突起の間隔が、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長以下であり、
   頂点を複数有する微小突起である多峰性微小突起と、頂点が１つの微小突起である単峰性微小突起とが混在しており、
   単峰性微小突起の周長が、多峰性微小突起の周長の９０％以上、１００％以下である
   反射防止物品の製造用金型。