JP2015068802A - 薄膜型水素ガスセンサ - Google Patents
薄膜型水素ガスセンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015068802A JP2015068802A JP2013205987A JP2013205987A JP2015068802A JP 2015068802 A JP2015068802 A JP 2015068802A JP 2013205987 A JP2013205987 A JP 2013205987A JP 2013205987 A JP2013205987 A JP 2013205987A JP 2015068802 A JP2015068802 A JP 2015068802A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film
- hydrogen gas
- gas sensor
- platinum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
Description
(1)金属薄膜の下層には、表面に10nm以上の起伏を形成した絶縁膜を設け、この絶縁膜の上面に金属薄膜を形成することで、金属薄膜の表面に10nm以上の起伏を形成していること。
(2)感応部の白金薄膜と、この感応部の白金薄膜の抵抗値に近い抵抗値を有する3つの抵抗体とでブリッジ回路を形成し、このブリッジ回路を交流電圧で駆動させるとともに、ブリッジ回路から出力される交流出力信号と同じ周波数かつ同じ位相の参照信号を用い、交流出力信号と参照信号との差動を取ること。
(3)ブリッジ回路を構成する3つの抵抗体は、感応部の白金薄膜と同一形状に白金薄膜で形成するとともに、絶縁皮膜で被覆していること
(4)感応部の白金薄膜に、電圧パルスまたは電流パルスを与える初期化手段を備えること。
(5)初期化手段は、前記感応部の白金薄膜のみに前記電圧パルスまたは前記電流パルスを与える切替スイッチを有していること。
1−2 ガラス基板
2 多孔質シリカ膜
3 チタン(Ti)薄膜
4 白金(Pt)薄膜
5 抵抗体(感応部)
5−2 抵抗体(感応部)
6−1 抵抗体
6−2 抵抗体
6−3 抵抗体
6−4 抵抗体
6−5 抵抗体
6−6 抵抗体
7 交流電源
7−2 交流電源
8 出力電圧計
8−2 出力電圧計
9−1 切替スイッチ
9−2 切替スイッチ
10 加熱用電源
Claims (6)
- 絶縁体基板の上面に形成した白金薄膜で構成した感応部を有する薄膜型水素ガスセンサにおいて、
前記白金薄膜の膜厚は40nm以下とし、
前記白金薄膜の下層に金属薄膜を設けるとともに、この金属薄膜の表面に10nm以上の起伏を形成していることを特徴とする薄膜型水素ガスセンサ。 - 前記金属薄膜の下層には、表面に10nm以上の起伏を形成した絶縁膜を設け、この絶縁膜の上面に前記金属薄膜を形成することで、前記金属薄膜の表面に10nm以上の起伏を形成していることを特徴とする請求項1に記載の薄膜型水素ガスセンサ。
- 前記感応部の白金薄膜と、この感応部の白金薄膜の抵抗値に近い抵抗値を有する3つの抵抗体とでブリッジ回路を形成し、このブリッジ回路を交流電圧で駆動させるとともに、
前記ブリッジ回路から出力される交流出力信号と同じ周波数かつ同じ位相の参照信号を用い、前記交流出力信号と前記参照信号との差動を取ることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の薄膜型水素ガスセンサ。 - 前記の3つの抵抗体は、前記感応部の白金薄膜と同一形状に白金薄膜で形成するとともに、絶縁皮膜で被覆していることを特徴とする請求項3に記載の薄膜型水素ガスセンサ。
- 前記感応部の白金薄膜に、電圧パルスまたは電流パルスを与える初期化手段を備えることを特徴とする請求項1〜4に記載の薄膜型水素ガスセンサ。
- 前記初期化手段は、前記感応部の白金薄膜のみに前記電圧パルスまたは前記電流パルスを与える切替スイッチを有していることを特徴とする請求項5に記載の薄膜型水素ガスセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013205987A JP6213866B2 (ja) | 2013-09-30 | 2013-09-30 | 薄膜型水素ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013205987A JP6213866B2 (ja) | 2013-09-30 | 2013-09-30 | 薄膜型水素ガスセンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015068802A true JP2015068802A (ja) | 2015-04-13 |
JP6213866B2 JP6213866B2 (ja) | 2017-10-18 |
Family
ID=52835579
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013205987A Active JP6213866B2 (ja) | 2013-09-30 | 2013-09-30 | 薄膜型水素ガスセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6213866B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017176046A3 (ko) * | 2016-04-06 | 2018-09-07 | 울산과학기술원 | 수소 가스 센서를 이용한 수소 가스 측정 방법 |
US10156536B2 (en) | 2016-02-22 | 2018-12-18 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Gas sensor including detection cells, and method for determining hydrogen concentration |
CN109632891A (zh) * | 2018-12-19 | 2019-04-16 | 江苏智闻智能传感科技有限公司 | 一种利用阵列气体传感器监测气体种类以及浓度的方法 |
WO2022145335A1 (ja) * | 2020-12-28 | 2022-07-07 | 国立大学法人 岡山大学 | ガスセンサ及びセンサ用回路 |
WO2024009891A1 (ja) * | 2022-07-04 | 2024-01-11 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 水素検知装置及びその製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109682858B (zh) * | 2018-12-19 | 2021-09-17 | 苏州慧闻纳米科技有限公司 | 一种利用气体传感器实时检测气体浓度的方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55107946A (en) * | 1979-02-14 | 1980-08-19 | Hiroaki Yanagida | Sintered metal oxide semiconductor and gas sensor element using the same |
JPS5667742A (en) * | 1979-10-26 | 1981-06-08 | Kaelle Eur Control | Apparatus for and method of separately providing conductivity* dielectric coefficient and measured value of water content of granular material |
JPS63285454A (ja) * | 1987-05-18 | 1988-11-22 | Shinkosumosu Denki Kk | 埋設管より漏洩した都市ガスの検知方法 |
JPH0552790A (ja) * | 1991-08-28 | 1993-03-02 | Ricoh Co Ltd | ガスセンサ |
JPH06331588A (ja) * | 1993-05-25 | 1994-12-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | オゾンセンサの製造方法 |
JP2008082770A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Mikuni Corp | 水素センサー |
US20080101994A1 (en) * | 2006-10-28 | 2008-05-01 | Shabnam Virji | Polyaniline Nanofiber Hydrogen Sensors |
JP2008232784A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | 薄膜ガスセンサおよびその製造方法 |
-
2013
- 2013-09-30 JP JP2013205987A patent/JP6213866B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55107946A (en) * | 1979-02-14 | 1980-08-19 | Hiroaki Yanagida | Sintered metal oxide semiconductor and gas sensor element using the same |
JPS5667742A (en) * | 1979-10-26 | 1981-06-08 | Kaelle Eur Control | Apparatus for and method of separately providing conductivity* dielectric coefficient and measured value of water content of granular material |
JPS63285454A (ja) * | 1987-05-18 | 1988-11-22 | Shinkosumosu Denki Kk | 埋設管より漏洩した都市ガスの検知方法 |
JPH0552790A (ja) * | 1991-08-28 | 1993-03-02 | Ricoh Co Ltd | ガスセンサ |
JPH06331588A (ja) * | 1993-05-25 | 1994-12-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | オゾンセンサの製造方法 |
JP2008082770A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Mikuni Corp | 水素センサー |
US20080101994A1 (en) * | 2006-10-28 | 2008-05-01 | Shabnam Virji | Polyaniline Nanofiber Hydrogen Sensors |
JP2008232784A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | 薄膜ガスセンサおよびその製造方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
奥井貴博 他: "異なる白金薄膜構造を持つ抵抗変化式水素センサの応答解析", 平成24年電気学会センサ・マイクロマシン部門大会、第29回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シ, JPN6017016533, 22 October 2012 (2012-10-22), pages 650 - 653 * |
奥井貴博 他: "薄膜抵抗型水素センサの開発", 平成24年電気学会全国大会講演論文集, JPN6017016531, 5 March 2012 (2012-03-05), pages p.207 * |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10156536B2 (en) | 2016-02-22 | 2018-12-18 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Gas sensor including detection cells, and method for determining hydrogen concentration |
WO2017176046A3 (ko) * | 2016-04-06 | 2018-09-07 | 울산과학기술원 | 수소 가스 센서를 이용한 수소 가스 측정 방법 |
CN109632891A (zh) * | 2018-12-19 | 2019-04-16 | 江苏智闻智能传感科技有限公司 | 一种利用阵列气体传感器监测气体种类以及浓度的方法 |
WO2022145335A1 (ja) * | 2020-12-28 | 2022-07-07 | 国立大学法人 岡山大学 | ガスセンサ及びセンサ用回路 |
WO2024009891A1 (ja) * | 2022-07-04 | 2024-01-11 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 水素検知装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6213866B2 (ja) | 2017-10-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6213866B2 (ja) | 薄膜型水素ガスセンサ | |
JP4389031B2 (ja) | ガスセンサ | |
US10697920B2 (en) | Gas sensor | |
Linke et al. | Low energy hydrogen sensor | |
CN103091354A (zh) | 一种测试薄膜热导率的方法 | |
Xu et al. | Design, fabrication, and characterization of a high-heating-efficiency 3-D microheater for catalytic gas sensors | |
JP2017166826A (ja) | ガスセンサ | |
CN203606311U (zh) | 一种加热式湿度传感器 | |
JP2014020859A (ja) | 可燃性ガス検出装置 | |
CN104374886A (zh) | 一种渗b半导体加热温湿度自补偿气体集成传感器 | |
JP5936087B2 (ja) | 薄膜型水素ガスセンサ | |
TW448290B (en) | Method of making thin film piezoresistive sensor | |
JP2006514278A5 (ja) | ||
JP5115411B2 (ja) | 薄膜ガスセンサ | |
JP4033575B2 (ja) | センサ及び湿度ガス検出方法 | |
Hadano et al. | Development of a catalytic combustion type gas sensor with low power consumption | |
CN105910737A (zh) | 一种应力定位传感器及其制作方法、应力定位方法 | |
KR101992022B1 (ko) | 반도체식 가스센서 | |
Jiang et al. | MEMS for characterization of thermal conductivity in thin films and two-dimensional materials | |
Selvakumar et al. | Design analysis and electrical characterisation of porous silicon structure for sensor applications | |
JPH0720080A (ja) | 湿度センサ | |
JP2008051672A (ja) | 水素ガスセンサ及びその製造方法 | |
Bhattacharyya et al. | Microcontroller based power efficient signal conditioning unit for detection of a single gas using mems based sensor | |
JPS63139241A (ja) | ダイオ−ド型湿度センサ | |
JP4851610B2 (ja) | 薄膜ガスセンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160727 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170421 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170516 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170714 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170808 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170908 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6213866 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |