JP2015055821A - ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
〔1〕
下記式(1)の構造単位を有するオルガノシロキサン変性ノボラック樹脂中のフェノール性水酸基の水素原子の一部を1,2−ナフトキノンジアジドスルホニル基で置換し、更に必要に応じ、残りの水酸基の一部の水素原子を下記一般式(2)、(3)、(4)で示される一価の官能基のうち1種又は2種以上の官能基で置換しても良いノボラック樹脂である高分子化合物と、有機溶剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト材料。
〔2〕
変性ノボラック樹脂が、そのフェノール性水酸基の水素原子を、水素原子1原子当たり、0.02〜0.70モルの割合で、1,2−ナフトキノンジアジドスルホニル基で置換した樹脂であることを特徴とする〔1〕記載のポジ型レジスト材料。
〔3〕
変性ノボラック樹脂が、残りのフェノール性水酸基の一部の水素原子を、水素原子1原子当たり、0.01〜0.80モルの割合で一般式(2)、(3)、(4)で示される官能基のうち1種又は2種以上の官能基で置換した樹脂であることを特徴とする〔1〕又は〔2〕記載のポジ型レジスト材料。
〔4〕
式(1)の変性ノボラック樹脂におけるR1が下記式(5)で示されるオルガノシロキシ基である〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載のポジ型レジスト材料。
〔5〕
変性ノボラック樹脂が、下記式(7)で示される構造単位を有するアリル基含有ノボラック樹脂と分子内にヒドロシリル基を一個含有するオルガノシロキサンとをヒドロシリル化反応させることにより得られるものである〔1〕〜〔4〕のいずれかに記載のポジ型レジスト材料。
〔6〕
i)〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程、
ii)塗布した基板を加熱する工程、
iii)波長500nm以下の紫外線を照射する工程、
iv)必要に応じて加熱処理した後、アルカリ現像液を用いて現像する工程
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
また、上記の触媒を添加する代りに紫外線照射してもよい。
コンデンサー、撹拌機を付けた1Lの四つ口フラスコに、質量比でm−クレゾール/p−クレゾール/2−アリルフェノール=36/54/10から成る重量平均分子量が4,500であるノボラック樹脂50gとシクロペンチルメチルエーテル150gを入れ、更に下記式(12)のSiH含有ポリシロキサン34gを添加後、60℃に加熱し、塩化白金酸0.5質量%のイソプロピルアルコール溶液0.08gを加えた。
その後、90℃で4時間の反応を行い、ストリップにて脱溶剤後、固形分を回収した。得られた樹脂の重量平均分子量(GPC測定)は7,200で、その樹脂の1H−NMRを測定し、目的とするオルガノポリシロキサン変性ノボラック樹脂の合成を確認した。図1に1H−NMRのチャートを示す。
コンデンサー、撹拌機を付けた1Lの四つ口フラスコに、合成例1と同じノボラック樹脂50gとシクロペンチルメチルエーテル1,500gを入れ、更に下記式(13)のSiH含有ポリシロキサン195gを添加後、60℃に加熱し、塩化白金酸0.5質量%のイソプロピルアルコール溶液0.40gを加えた。
その後、90℃で4時間の反応を行い、ストリップにて脱溶剤後、固形分を回収した。得られた樹脂の重量平均分子量は9,300で、合成例1と同様に1H−NMRを測定し、目的とするオルガノポリシロキサン変性ノボラック樹脂の合成を確認した。
コンデンサー、撹拌機を付けた1Lの四つ口フラスコに、合成例1と同じノボラック樹脂50gとシクロペンチルメチルエーテル150gを入れ、更に下記式(14)のSiH含有ポリシロキサン9.0gを添加後、60℃に加熱し、塩化白金酸0.5質量%のイソプロピルアルコール溶液0.08gを加えた。
その後、90℃で4時間の反応を行い、ストリップにて脱溶剤後、固形分を回収した。得られた樹脂の重量平均分子量は5,300で、その樹脂の1H−NMRを測定し、目的とするオルガノポリシロキサン変性ノボラック樹脂の合成を確認した。
合成例1で得られたオルガノシロキサンで変性されたノボラック樹脂100gをアセトン/シクロペンチルメチルエーテル=1/1の溶液200gに溶解し、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロライド(NQD5)5.38gを溶解し、トリエチルアミン2.0gを内温が40℃を超えないように滴下し、その後、1時間熟成した。その後、0.1N塩酸水2,000ml中に注ぎ込み、析出物を回収し、メチルイソブチルケトン300ml中に再溶解し、40℃の減圧ストリップを行い、得られた固形分を回収した。
実施例1と同様の手法を用い、下記表1の配合比にて合成を行った。
残膜率の算出は、以下の式で行った。
残膜率=(現像後レジスト膜厚)/(プリベーク後レジスト膜厚)
なお、それぞれの膜厚は、光干渉式膜厚計で測定を行った。
次に、表3に示すように比較例として、m−クレゾール/p−クレゾール/ホルムアルデヒド=質量比4/6/5からなる重量平均分子量6,000のノボラック樹脂を用いて、実施例1と同様の手法を用い、以下の樹脂を作製した。
更に、比較例1及び2の樹脂について、添加剤1としてアルカリ可溶性セルロースA(信越化学工業株式会社製ヒドロキシプロピルメチルセルロースフタレート:酸価92、カルボキシベンゾイル基20モル%含有)を導入した下記表4のサンプルを作製した。
なお、図2において、Aが30箇所のクラック確認部分であり、この確認部分は50μm〜10μmのパターン幅についてそれぞれあるから、1ショット分Bの確認箇所は合計で30×5=150箇所である。そして、30ショットCにおいて確認したので、確認箇所は合計で150×30=4500箇所である。
Claims (6)
- 下記式(1)の構造単位を有するオルガノシロキサン変性ノボラック樹脂中のフェノール性水酸基の水素原子の一部を1,2−ナフトキノンジアジドスルホニル基で置換し、更に必要に応じ、残りの水酸基の一部の水素原子を下記一般式(2)、(3)、(4)で示される一価の官能基のうち1種又は2種以上の官能基で置換しても良いノボラック樹脂である高分子化合物と、有機溶剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト材料。
- 変性ノボラック樹脂が、そのフェノール性水酸基の水素原子を、水素原子1原子当たり、0.02〜0.70モルの割合で、1,2−ナフトキノンジアジドスルホニル基で置換した樹脂であることを特徴とする請求項1記載のポジ型レジスト材料。
- 変性ノボラック樹脂が、残りのフェノール性水酸基の一部の水素原子を、水素原子1原子当たり、0.01〜0.80モルの割合で一般式(2)、(3)、(4)で示される官能基のうち1種又は2種以上の官能基で置換した樹脂であることを特徴とする請求項1又は2記載のポジ型レジスト材料。
- i)請求項1〜5のいずれか1項記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程、
ii)塗布した基板を加熱する工程、
iii)波長500nm以下の紫外線を照射する工程、
iv)必要に応じて加熱処理した後、アルカリ現像液を用いて現像する工程
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
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