JP2015046556A - レーザ発振装置、レーザ加工装置及びプログラム - Google Patents
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Abstract
Description
例えば、レーザシステムは、電源部と、レーザヘッド部と、電源部とレーザヘッド部とを光学的に接続するファイバーと、電源部の動作を制御するコントローラとから構成されている。電源部は、励起光としてのレーザ光を出射する半導体レーザと、半導体レーザを駆動する電源と、半導体レーザ及び電源を冷却する冷却装置等から構成されている。また、レーザヘッド部は、ファイバー及びファイバーコネクタを介して励起光を集光する集光レンズと、反射鏡と、レーザ媒質と、受動Qスイッチと、反射鏡とレーザ共振器を構成する出力カプラーと、ウインドウとから構成されている(例えば、特許文献1参照。)。
次に、上記のように構成されたレーザ加工装置1において、レーザコントローラ3のCPU51が励起用半導体レーザ28を駆動制御する駆動処理について図4及び図5に基づいて説明する。尚、CPU51は、PC7から加工対象物6にレーザ光L(パルスレーザ)でマーキングする「加工速度」、レーザ光Lの「レーザーパワー」、レーザ光Lの発振を開始する開始タイミング、文字、記号、図形等の印字情報等を受信し、レーザ光による加工開始指示が入力された場合に、図4のS11〜S22の処理を実行する。
3 レーザコントローラ
11 レーザ発振器
28 励起用半導体レーザ
29 レーザドライバ
33 光ファイバ
39 レーザ媒質
41 受動Qスイッチ
51 CPU
52 RAM
53 ROM
54 タイマ
Claims (6)
- 励起用半導体レーザと、
加工対象物にレーザ光により加工する加工情報を受信し、前記加工情報に基づいて前記励起用半導体レーザを駆動する駆動パターンを生成する駆動パターン生成部と、
前記励起用半導体レーザを駆動するレーザドライバと、
レーザ媒質と受動Qスイッチを有して、前記励起用半導体レーザから出射された励起光を受光した前記レーザ媒質が励起されて、パルスレーザを発振するレーザ発振器と、
前記駆動パターン生成部によって生成された駆動パターンに従って前記レーザドライバを駆動制御する制御部と、
を備え、
前記レーザ発振器は、前記パルスレーザを発振しない前記励起光の最大出力値である出力閾値より高い出力の励起光を受光し、且つ、前記励起光の出力期間が該レーザ発振器がパルスレーザを発振する最小出力期間である期間閾値より長い場合に、前記励起光に対応するパルスレーザを発振し、
前記駆動パターンは、
前記励起光の出力が前記出力閾値より低い待機出力の状態から、前記励起光の出力が前記出力閾値より高い第1出力値で、前記期間閾値以下である第1出力期間の間、前記励起用半導体レーザを駆動する第1出力と、
前記第1出力に続いて、前記励起光の出力が前記出力閾値以下で、前記励起用半導体レーザを駆動する第2出力と、
前記第2出力に続いて、前記励起光の出力が前記出力閾値より高い第2出力値で、前記励起用半導体レーザを駆動する第3出力と、
を有し、
前記駆動パターン生成部は、前記加工情報に含まれる前記パルスレーザの発振を開始する開始タイミングに基づいて、前記第3出力の開始タイミングを設定することを特徴とするレーザ発振装置。 - 前記駆動パターンは、前記第3出力に続いて、前記励起光の出力が前記第2出力の出力値よりも低い第3出力値で、前記励起用半導体レーザを駆動する第4出力を有し、
前記駆動パターン生成部は、前記加工対象物のレーザ光による加工の加工終了タイミングに基づいて、前記第4出力の開始タイミングを設定することを特徴とする請求項1に記載のレーザ発振装置。 - 前記駆動パターンは、
前記第4出力に続いて、前記励起光の出力が前記出力閾値以下で、前記励起用半導体レーザを駆動する第5出力と、
前記第5出力に続いて、前記励起光の出力が前記待機出力で、前記励起用半導体レーザを駆動する第6出力と、
を有し、
前記駆動パターン生成部は、前記励起用半導体レーザの出力停止タイミングに基づいて、前記第6出力の開始タイミングを設定することを特徴とする請求項2に記載のレーザ発振装置。 - 前記駆動パターン生成部は、前記第2出力において、前記励起光の出力が前記出力閾値以下で、且つ、前記待機出力より高い出力で、前記励起用半導体レーザを駆動することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のレーザ発振装置。
- 励起用半導体レーザと、
加工対象物にレーザ光により加工する加工情報を受信し、前記加工情報に基づいて前記励起用半導体レーザを駆動する駆動パターンを生成する駆動パターン生成部と、
前記励起用半導体レーザを駆動するレーザドライバと、
レーザ媒質と受動Qスイッチを有して、前記励起用半導体レーザから出射された励起光を受光した前記レーザ媒質が励起されて、パルスレーザを発振するレーザ発振器と、
前記駆動パターン生成部によって生成された駆動パターンに従って前記レーザドライバと前記レーザ走査部とを駆動制御する制御部と、
前記レーザ発振器から発振されたパルスレーザを、加工対象物の加工面に走査するレーザ走査部と、
を備え、
前記レーザ発振器は、前記パルスレーザを発振しない前記励起光の最大出力値である出力閾値より高い出力の励起光を受光し、且つ、前記励起光の出力期間が該レーザ発振器がパルスレーザを発振する最小出力期間である期間閾値より長い場合に、前記励起光に対応するパルスレーザを発振し、
前記駆動パターンは、
前記励起光の出力が前記出力閾値より低い待機出力の状態から、前記励起光の出力が前記出力閾値より高い第1出力値で、前記期間閾値以下である第1出力期間の間、前記励起用半導体レーザを駆動する第1出力と、
前記第1出力に続いて、前記励起光の出力が前記出力閾値以下で、前記励起用半導体レーザを駆動する第2出力と、
前記第2出力に続いて、前記励起光の出力が前記出力閾値より高い第2出力値で、前記励起用半導体レーザを駆動する第3出力と、
を有し、
前記駆動パターン生成部は、前記加工情報に含まれる前記パルスレーザの発振を開始する開始タイミングに基づいて、前記第3出力の開始タイミングを設定することを特徴とするレーザ加工装置。 - 励起用半導体レーザと、前記励起用半導体レーザを駆動するレーザドライバと、レーザ媒質と受動Qスイッチを有して、前記励起用半導体レーザから出射された励起光を受光したレーザ媒質が励起されて、パルスレーザを発振するレーザ発振器と、を備え、前記レーザ発振器は、前記パルスレーザを発振しない前記励起光の最大出力値である出力閾値より高い出力の励起光を受光し、且つ、前記励起光の出力期間が該レーザ発振器がパルスレーザを発振する最小出力期間である期間閾値より長い場合に、前記励起光に対応するパルスレーザを発振するレーザ発振装置を制御するコンピュータに、
加工対象物にレーザ光により加工する加工情報を受信し、前記加工情報に基づいて前記励起用半導体レーザを駆動する駆動パターンを生成する駆動パターン生成工程と、
前記駆動パターン生成工程で生成された駆動パターンに従って前記レーザドライバを駆動制御する制御工程と、
を実行させ、
前記駆動パターンは、
前記励起光の出力が前記出力閾値より低い待機出力の状態から、前記励起光の出力が前記出力閾値より高い第1出力値で、前記期間閾値以下である第1出力期間の間、前記励起用半導体レーザを駆動する第1出力と、
前記第1出力に続いて、前記励起光の出力が前記出力閾値以下で、前記励起用半導体レーザを駆動する第2出力と、
前記第2出力に続いて、前記励起光の出力が前記出力閾値より高い第2出力値で、前記励起用半導体レーザを駆動する第3出力と、
を有し、
前記駆動パターン生成工程で、前記加工情報に含まれる前記パルスレーザの発振を開始する開始タイミングに基づいて、前記第3出力の開始タイミングを設定するように実行させることを特徴とするプログラム。
Priority Applications (1)
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JP2013178262A JP5999051B2 (ja) | 2013-08-29 | 2013-08-29 | レーザ発振装置、レーザ加工装置及びプログラム |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017060985A (ja) * | 2015-09-25 | 2017-03-30 | 日本電産コパル株式会社 | レーザーマーカー装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08148740A (ja) * | 1994-11-21 | 1996-06-07 | Miyachi Technos Corp | 固体レーザマーキング装置 |
JPH1126858A (ja) * | 1997-07-04 | 1999-01-29 | Toshiba Corp | Qスイッチ発振固体レーザ装置の制御方法及びqスイッチ発振固体レーザ装置 |
JP2000340872A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-08 | Sunx Ltd | レーザマーキング装置 |
JP2003332657A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-21 | Megaopto Co Ltd | レーザーシステム |
JP2012044098A (ja) * | 2010-08-23 | 2012-03-01 | Miyachi Technos Corp | レーザ出射方法 |
JP2012253098A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-20 | Panasonic Industrial Devices Sunx Co Ltd | レーザ装置 |
-
2013
- 2013-08-29 JP JP2013178262A patent/JP5999051B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08148740A (ja) * | 1994-11-21 | 1996-06-07 | Miyachi Technos Corp | 固体レーザマーキング装置 |
JPH1126858A (ja) * | 1997-07-04 | 1999-01-29 | Toshiba Corp | Qスイッチ発振固体レーザ装置の制御方法及びqスイッチ発振固体レーザ装置 |
JP2000340872A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-08 | Sunx Ltd | レーザマーキング装置 |
JP2003332657A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-21 | Megaopto Co Ltd | レーザーシステム |
JP2012044098A (ja) * | 2010-08-23 | 2012-03-01 | Miyachi Technos Corp | レーザ出射方法 |
JP2012253098A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-20 | Panasonic Industrial Devices Sunx Co Ltd | レーザ装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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