JP2015043418A - マイクロリソグラフィ投影露光装置のための光学系 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 147
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 title claims abstract description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 37
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 24
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 7
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
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- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
- G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
- G02B17/0647—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors
- G02B17/0663—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors off-axis or unobscured systems in which not all of the mirrors share a common axis of rotational symmetry, e.g. at least one of the mirrors is warped, tilted or decentered with respect to the other elements
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70316—Details of optical elements, e.g. of Bragg reflectors, extreme ultraviolet [EUV] multilayer or bilayer mirrors or diffractive optical elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
Description
110 照明デバイス
150 構造担持マスク
200、205 ミラー装置
210 偏向デバイス
Claims (16)
- マイクロリソグラフィ投影露光装置のための、光軸(OA)を有する光学系であって、
ミラー装置によって反射された光の角度分布を変更するために互いに独立して調節可能である複数のミラー要素(200a,200b,200c,...,300a,300b,300c,...)を有する少なくとも1つのミラー装置(200,300)と、
前記ミラー装置(200,300)の下流の光学ビーム経路に対して、前記光軸(OA)の偏向が生じる少なくとも1つの偏向面(212,312)を有する偏向デバイス(210,310)と、
を含み、
前記少なくとも1つの偏向面(212,312)は、屈折力を有する、
ことを特徴とする光学系。 - 前記ミラー装置(200,300)と下流の瞳平面(PP)との間の前記光学ビーム経路に対して、前記光軸(OA)の偏向が生じるちょうど1つの偏向面(212,312)を有することを特徴とする請求項1に記載の光学系。
- 前記ミラー装置(200,300)の下流の前記光学ビーム経路に対して、前記光軸(OA)の偏向が各々生じる複数の偏向面を有することを特徴とする請求項1に記載の光学系。
- 屈折力を有する前記偏向面は、前記光学ビーム経路に対して前記複数の偏向面のうちの最初のものであることを特徴とする請求項3に記載の光学系。
- 前記偏向デバイス(210,310)は、プリズムとして構成されることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の光学系。
- 前記偏向デバイス(210,310)は、前記光学ビーム経路に対して前記ミラー装置(200,300)の上流に配置された第1の偏向面(211,311)と、該光学ビーム経路に対して該ミラー装置(200,300)の下流に配置された第2の偏向面(212,312)とを有し、前記光軸(OA)の偏向が、該第1の偏向面(211,311)及び該第2の偏向面(212,312)での両方の各々に生じることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の光学系。
- 前記ミラー装置(200,300)の前記ミラー要素(200a,200b,200c,...,300a,300b,300c,...)は、5°よりも大きくなく、特に4°よりも大きくなく、より特定的に3°よりも大きくない最大傾斜角を有することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の光学系。
- 前記少なくとも1つの偏向面(212,312)は、作動中に光学系を通過する光に対して全反射をもたらすことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の光学系。
- 前記少なくとも1つの偏向面は、偏向ミラーとして具現化されることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の光学系。
- フーリエ光学ユニット(220,320)が、前記光学ビーム経路に対して前記ミラー装置(200,300)の下流に配置され、該フーリエ光学ユニット(220,320)は、光学系の作動中に該フーリエ光学ユニット(220,320)上に入射する光の角度分布を該光学ビーム経路の下流に配置された瞳平面(PP)内の空間分布に変換することを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の光学系。
- 前記少なくとも1つの偏向面(212,312)は、前記フーリエ光学ユニット(220,320)の一部を形成することを特徴とする請求項10に記載の光学系。
- 前記フーリエ光学ユニット(220,320)は、1つよりも多いレンズ要素を有することを特徴とする請求項10又は請求項11に記載の光学系。
- 前記フーリエ光学ユニット(220,320)は、4つよりも多くなく、特に3つよりも多くないレンズ要素を有することを特徴とする請求項10から請求項12のいずれか1項に記載の光学系。
- 250nmよりも短く、特に200nmよりも短く、より特定的に160nmよりも短い動作波長に向けて設計されることを特徴とする請求項1から請求項13のいずれか1項に記載の光学系。
- 照明デバイス(10)と投影レンズ(20)とを含むマイクロリソグラフィ投影露光装置であって、
前記照明デバイス(10)は、請求項1から請求項14のいずれか1項に記載の光学系を有する、
ことを特徴とする装置。 - 微細構造化構成要素をマイクロリソグラフィを用いて生成する方法であって、
感光材料からなる層が少なくとも部分的に塗布された基板(160)を与える段階と、
結像される構造を有するマスク(150)を与える段階と、
請求項1から請求項14のいずれか1項に記載の光学系を有するマイクロリソグラフィ投影露光装置を与える段階と、
前記投影露光装置を用いて前記マスク(150)の少なくとも一部を前記層の一領域上に投影する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102013214459.8A DE102013214459B4 (de) | 2013-07-24 | 2013-07-24 | Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
DE102013214459.8 | 2013-07-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015043418A true JP2015043418A (ja) | 2015-03-05 |
JP5861950B2 JP5861950B2 (ja) | 2016-02-16 |
Family
ID=51210362
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014150440A Active JP5861950B2 (ja) | 2013-07-24 | 2014-07-24 | マイクロリソグラフィ投影露光装置のための光学系 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9535331B2 (ja) |
EP (1) | EP2829917B1 (ja) |
JP (1) | JP5861950B2 (ja) |
KR (1) | KR101645797B1 (ja) |
DE (1) | DE102013214459B4 (ja) |
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-
2013
- 2013-07-24 DE DE102013214459.8A patent/DE102013214459B4/de active Active
-
2014
- 2014-07-21 EP EP14177805.0A patent/EP2829917B1/de active Active
- 2014-07-21 US US14/336,651 patent/US9535331B2/en active Active
- 2014-07-24 JP JP2014150440A patent/JP5861950B2/ja active Active
- 2014-07-24 KR KR1020140093954A patent/KR101645797B1/ko active IP Right Grant
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150029477A1 (en) | 2015-01-29 |
DE102013214459B4 (de) | 2015-07-16 |
EP2829917A1 (de) | 2015-01-28 |
JP5861950B2 (ja) | 2016-02-16 |
KR20150012220A (ko) | 2015-02-03 |
EP2829917B1 (de) | 2020-01-15 |
US9535331B2 (en) | 2017-01-03 |
DE102013214459A1 (de) | 2015-01-29 |
KR101645797B1 (ko) | 2016-08-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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