JP2015043406A - プリント配線板 - Google Patents

Abstract

【課題】接続部と絶縁基板および接続部と半田との接着強度が高く、アンダーフィル流出による電気的作動不良が発生し難く、ソルダーレジスト層の強度が高く、ソルダーレジスト層とアンダーフィルの接着強度が強く、スミアが確実に除去されたプリント配線板を提供する。【解決手段】絶縁基板上に電子部品を接続する接続部が形成された回路基板を有し、回路基板表面に開口部を有するソルダーレジスト層を有し、開口部において接続部がソルダーレジスト層から部分的に露出しているプリント配線板であって、ソルダーレジスト層の開口部における開口部上部の開口幅が開口部底部の開口幅以下である構造を有することを特徴とするプリント配線板。【選択図】図１

Description

本発明は、電子部品を接続する接続部を設けたプリント配線板に関する。

従来、絶縁基板上に接続部が形成された回路基板を有し、上記回路基板の表面に設けたソルダーレジスト層よりなる表面絶縁層を有するプリント配線板が知られている。

そして、上記プリント配線板の表面にバンプまたはボールパッド等の接続部を設け、該接続部に配置した半田ボールを介して、半導体素子、他のプリント配線板等の電子部品を接続することが一般的に行われている。なお、この接続部２には、ソルダーレジスト層３を部分的に除去し、接続部２表面の全体又は一部を露出させることにより作製されるＳＭＤ（Ｓｏｌｄｅｒ Ｍａｓｋ Ｄｅｆｉｎｅｄ）構造（図１３）と、ソルダーレジスト層３を部分的に除去し、接続部２を完全に露出させることにより作製されるＮＳＭＤ（Ｎｏｎ Ｓｏｌｄｅｒ Ｍａｓｋ Ｄｅｆｉｎｅｄ）構造（図１４）がある。

ＳＭＤ構造では、接続部２はその周辺近傍がソルダーレジスト層３によって被覆されている。そのため、機械的衝撃による接続部２の剥がれや接続部２からの引き出し配線におけるネック部の断線が起こりにくいという利点がある。その反面、電子部品の電極端子とこれに対応する接続部との電気的な接続を確実に固定するために、接続部２の露出面に形成する接合部に必要な半田量を確保する必要がある。ゆえに、接続部２が大型化してしまうため、電子部品の小型化高性能化に伴う接続部の高密度化の要求に対応することが難しいという欠点がある。

ＮＳＭＤ構造では、接続部２はその周辺近傍のソルダーレジスト層３が完全に除去され、接続部２の側面が完全に露出している。そのため、ＳＭＤ構造と比較して、小さな接続部２でも接続部２と半田との接着強度を確保できるという利点がある。

ただし、接続部２と絶縁基板１との間の接着強度が低下する欠点や接続部２からの引き出し配線におけるネック部の断線が起こりやすいという欠点がある。この欠点を改良したプリント配線板として、図１５に示したように、接続部２の表面全体と側面の一部がソルダーレジスト層３から露出している構造が開示されている（例えば、特許文献１及び２参照）。接続部の高密度化の要求に対応するためには、図１４に示したＮＳＭＤ構造が適しており、図１５に示した構造がさらに適している。

図１４に示したＮＳＭＤ構造は、ソルダーレジスト層３のうち、開口部４の領域以外の部分を活性光線により露光し、現像処理によって、未露光部のソルダーレジスト層３を除去することによって製造されている。図１５の構造は、ソルダーレジスト層３にレーザ光照射によって開口部４を形成することによって製造されている。露光・現像処理によってソルダーレジスト層３に開口部４を形成した場合とレーザ光照射によってソルダーレジスト層３に開口部４を形成した場合とでは、開口部４の断面形状に共通点がある。図２は、この共通点を説明するための図であり、ソルダーレジスト層３に開口部４が形成されているプリント配線板の断面図である。図２のプリント配線板では、絶縁基板１上に接続部２が形成された回路基板と、回路基板表面に設けたソルダーレジスト層３とからなり、ソルダーレジスト層３に設けた開口部４によって、一部の接続部２の表面と側面の一部がソルダーレジスト層３から露出している。露光・現像処理又はレーザ光照射によってソルダーレジスト層３の一部を除去することによって形成されるソルダーレジスト層３の開口部４は、深い部分ほど開口幅が小さい形状となる。すなわち、便宜上、図１４および図１５では、ソルダーレジスト層３の開口部４において、開口部上部の開口幅５と開口部底部の開口幅６が等しく描かれているが、実際に、露光・現像処理又はレーザ光照射によって開口部４を形成した場合には、図２のように、開口部上部の開口幅５は開口部底部の開口幅６よりも大きくなる。このソルダーレジスト層３の開口部４形状では、接続部２と半田との接着強度が不足し、プリント配線板と電子部品との間の接続信頼性に問題が発生する場合があった。なお、この開口部上部の開口幅５と開口部底部の開口幅６の大小関係は、露光・現像処理とレーザ光照射の加工特性に起因する。そのため、例えば開口部上部の開口幅５が開口部底部の開口幅６よりも小さい形状を露光・現像処理又はレーザ光照射で形成することは、困難である。

さらに、レーザ光照射によるソルダーレジスト層３への開口部４形成においては、ソルダーレジスト層３の成分（スミア）が分解除去されないで、開口部４周囲や底部、接続部２上に残留する現象が生じる。このようなスミアが残留すると、接続部２と半田の接着強度不足となり、プリント配線板と電子部品との間における接続信頼性に問題が発生する。こうした問題を回避するために、通常このスミアを除去する工程（デスミア工程）が必要となる。このようなデスミア工程では、一般に濃アルカリ溶液でスミアを膨潤させた後、過マンガン酸塩溶液によりスミアを分解除去する湿式法が用いられている。

しかしながら、このような方法で確実にデスミアを実施しようとすると、ソルダーレジスト層３におけるこれらの薬液が接触した面が粗面化されることで、ソルダーレジスト層３の強度が低下してしまい、プリント配線板の信頼性が充分に確保できない場合があった。一方で、この粗面化現象を抑えようとすると、逆にスミアが確実に除去できないという問題があった。

ところで、電子部品をフリップチップ接続により搭載したプリント配線板では、電子部品とプリント配線板との接続信頼性や絶縁信頼性を確保するために、電子部品とプリント配線板との空隙をアンダーフィル（封止樹脂）で充填する。接続信頼性や絶縁信頼性の効果を確保するためには、電子部品とプリント配線板との空隙に充分な量のアンダーフィルを注入しなければならない。このアンダーフィルを注入する際に、アンダーフィルが電子部品とプリント配線板との空隙から周囲へ溢れて、電気的な作動に悪影響を及ぼす場合があった。そのため、アンダーフィルが周囲に溢れてしまうことを防止するために、ダム構造を有するプリント配線板が開示されている（例えば、特許文献３〜４参照）。

特許文献３には、ＳＭＤ構造のプリント配線板が記載されている。このプリント配線板は、図１６に示したように、絶縁基板１上に接続部２が形成された回路基板を有し、回路基板表面にソルダーレジスト層３を有している。このプリント配線板では、電子部品搭載部とその周囲のソルダーレジスト層３が開口されてなることで、第一開口部１１が形成されている。また、第一開口部の底部１２のソルダーレジスト層３の一部を開口することで、接続部２の表面がソルダーレジスト層３から部分的に露出している。特許文献３に開示されているプリント配線板では、ソルダーレジスト層３が多段構造となって、ダム構造２０が形成されていることで、アンダーフィルを充填した際に、アンダーフィルが電子部品とプリント配線板との空隙から溢れてしまうことを防止することができる。

特許文献３のＳＭＤ構造とダム構造を有するプリント配線板は、接続部２を有する回路基板上にソルダーレジスト層３を形成した後、ダム構造２０の領域を活性光線により露光し、その後非露光部のソルダーレジスト層３を薄膜化し、第一開口部１１を形成し、次に、接続部２の表面の一部分以外の領域を活性光線により露光し、現像処理によって、未露光部のソルダーレジスト層３を除去し、第二開口部１４を形成することによって、製造されている。しかしながら、上述したように、特許文献３のプリント配線板はＳＭＤ構造であり、接続部２はその周辺近傍がソルダーレジスト層３に被覆されている。そのため、接続部の高密度化の要求に対応することが難しい。また、接続部２の表面上のソルダーレジスト層３によって、電子部品の電極端子とこれに対応する接続部２との電気的な接続を確実に固定することが難しく、接続部２と半田との電気的な接続が不十分となる場合があった。

特許文献４には、接続部の高密度化に適したＮＳＭＤ構造のプリント配線板が記載されている。このプリント配線板は、図１７に示したように、絶縁基板１上に接続部２が形成された回路基板を有し、回路基板表面にソルダーレジスト層３を有している。このプリント配線板では、電子部品搭載部とその周囲のソルダーレジスト層３が開口されてなることで、第一開口部１１が形成されている。また、第一開口部の底部１２のソルダーレジスト層３の一部を開口することで、接続部２の全体がソルダーレジスト層３から露出している。特許文献４に開示されているプリント配線板では、ソルダーレジスト層３が多段構造となって、ダム構造２０が形成されていることで、アンダーフィルを充填した際に、アンダーフィルが電子部品とプリント配線板との空隙から溢れてしまうことを防止することができる。

特許文献４のＮＳＭＤ構造とダム構造を有するプリント配線板は、接続部２を有する回路基板上に第一ソルダーレジスト層を形成した後、開口部４の領域以外の部分を活性光線により露光し、現像処理によって、未露光部の第一ソルダーレジスト層を除去し、第二開口部１４を形成し、その上に再度、第二ソルダーレジスト層を形成した後、ダム構造２０の領域を活性光線により露光し、現像処理によって、未露光部の第二ソルダーレジスト層を除去し、第一開口部１１を形成することによって、製造されている。

露光・現像処理によって、ソルダーレジスト層３の一部を除去することによって形成されるソルダーレジスト層の開口部は、上述したように、深い部分ほど開口幅が小さい形状となる（図２）。特許文献４のプリント配線板では、第一開口部１１と第二開口部１４の両方が、深い部分ほど開口幅の小さい形状となる。そのため、接続部２と半田との接着強度が不足し、プリント配線板と電子部品との間の接続信頼性に問題が発生する場合がある上に、アンダーフィルとソルダーレジスト層３との接着強度が不足し、プリント配線板の絶縁信頼性に問題が発生する場合もあった。

特許文献１及び２に開示されている図１５に示した構造のプリント配線板も、接続部の高密度化の要求に対応することができる。図１５に示した構造のプリント配線板において、ダム構造２０を設けた場合、例えば、図１１に示したように、絶縁基板１上に接続部２が形成された回路基板を有し、回路基板表面にソルダーレジスト層３を有している。このプリント配線板では、電子部品搭載部とその周囲のソルダーレジスト層３が開口されてなることで、第一開口部１１が形成されている。また、第一開口部の底部１２のソルダーレジスト層３の一部を開口することで、接続部２の表面と側面の一部がソルダーレジスト層３から露出している。図１５に示した構造のプリント配線板でも、ソルダーレジスト層３が多段構造となって、ダム構造２０が形成されていることで、アンダーフィルを充填した際に、アンダーフィルが電子部品とプリント配線板との空隙から溢れてしまうことを防止することができる。

図１５に示した構造を有するプリント配線板の製造において、ソルダーレジスト層３へのレーザ光照射によって、ダム構造２０を形成することが可能である。しかし、レーザ光照射によるソルダーレジスト層３への開口部形成においては、上述したように、ソルダーレジスト層３の強度低下が発生し、プリント配線板の信頼性が充分に確保できない場合があった。

さらに、レーザ光照射によってソルダーレジスト層３の一部を除去することによって形成されるソルダーレジスト層３の開口部４は、上述したように、深い部分ほど開口幅が小さい形状となるため、アンダーフィルとソルダーレジスト層３の接着強度が不足し、プリント配線板の絶縁信頼性に問題が発生する場合があった。

特開平１１−５４８９６号公報 特開２００９−３３０８４号公報 特開２０１１−７７１９１号公報 特開２００６−３５１５５９号公報

接続部と絶縁基板との接着強度および接続部と半田との接着強度が高く、アンダーフィル流出による電気的作動不良が発生し難く、ソルダーレジスト層の強度が高く、ソルダーレジスト層とアンダーフィルの接着強度が強く、スミアが確実に除去されたプリント配線板を提供することが、本発明の課題である。

本発明者らは、下記手段によって、上記課題を解決できることを見出した。

（１）絶縁基板上に電子部品を接続する接続部が形成された回路基板を有し、回路基板表面に開口部を有するソルダーレジスト層を有し、開口部において接続部がソルダーレジスト層から部分的に露出しているプリント配線板であって、ソルダーレジスト層の開口部における開口部上部の開口幅が開口部底部の開口幅以下である構造を有することを特徴とするプリント配線板。
（２）ソルダーレジスト層表面およびソルダーレジスト層開口部底部の表面粗さＲａが０．５０μｍ以下である上記（１）記載のプリント配線板。
（３）絶縁基板上に電子部品を接続する接続部が形成された回路基板を有し、回路基板表面にソルダーレジスト層を有し、電子部品搭載部とその周囲のソルダーレジスト層が開口されてなる第一開口部を有し、第一開口部の底部のソルダーレジスト層の一部が開口されてなる第二開口部を有し、第二開口部において接続部がソルダーレジスト層から露出しているプリント配線板であって、第一開口部における開口部上部の開口幅が開口部底部の開口幅以下である構造Ａと、第二開口部における開口部上部の開口幅が開口部底部の開口幅以下である構造Ｂとからなる群から選ばれる少なくとも一つの構造を有することを特徴とするプリント配線板。
（４）ソルダーレジスト層表面と第一開口部底部と第二開口部底部とからなる群から選ばれる少なくとも一つの面の表面粗さＲａが０．５０μｍ以下である上記（３）記載のプリント配線板。
（５）第二開口部において、接続部の表面全体と側面の一部がソルダーレジスト層から露出している上記（３）又は（４）記載のプリント配線板。

本発明のプリント配線板により、接続部と絶縁基板との接着強度および接続部と半田との接着強度が高く、アンダーフィル流出による電気的作動不良が発生し難く、ソルダーレジスト層の強度が高く、ソルダーレジスト層とアンダーフィルの接着強度が強く、スミアが確実に除去されたプリント配線板を提供することができる。

本発明のプリント配線板の断面構造を示す説明図である。 従来のプリント配線板の断面構造を示す説明図である。 本発明のプリント配線板を製造する方法の一例を示す説明図である。 本発明のプリント配線板の断面構造を示す説明図である。 本発明のプリント配線板の断面構造を示す説明図である。 本発明のプリント配線板の断面構造を示す説明図である。 本発明のプリント配線板を製造する方法の一例を示す説明図である。 本発明のプリント配線板を製造する方法の一例を示す説明図である。 本発明のプリント配線板を製造する方法の一例を示す説明図である。 本発明のプリント配線板を製造する方法の一例を示す説明図である。 本発明のプリント配線板の断面構造を示す説明図である。 本発明のプリント配線板を製造する方法の一例を示す説明図である。 プリント配線板（ＳＭＤ構造）の断面構造を示す説明図である。 プリント配線板（ＮＳＭＤ構造）の断面構造を示す説明図である。 プリント配線板の断面構造を示す説明図である。 ダム構造を有するプリント配線板（ＳＭＤ構造）の断面構造を示す説明図である。 ダム構造を有するプリント配線板（ＮＳＭＤ構造）の断面構造を示す説明図である。

図面を用いて、本発明のプリント配線板を説明する。まず、図１を用いて、本発明のプリント配線板（１）の形状を説明する。本発明のプリント配線板（１）は、絶縁基板１上に接続部２が形成された回路基板を有し、回路基板表面に開口部４を有するソルダーレジスト層３を有し、開口部４において、接続部２がソルダーレジスト層３から部分的に露出しているプリント配線板であって、ソルダーレジスト層３の開口部４における開口部上部の開口幅５が開口部底部の開口幅６以下であることを特徴とするプリント配線板である。「接続部」２は、導体回路の一部であり、半導体素子、他のプリント配線板等の電子部品を接続するために使用される。なお、本発明のプリント配線板（１）において、「開口部４において、接続部２がソルダーレジスト層３から部分的に露出している」状態とは、図１のように、接続部２の表面全体がソルダーレジスト層３から完全に露出している状態であり、尚且つ接続部２の側面の一部がソルダーレジスト層３から露出している状態である。

また、本発明のプリント配線板（２）の形状は、本発明のプリント配線板（１）において、ソルダーレジスト層表面９およびソルダーレジスト層開口部底部１０の表面粗さＲａが０．５０μｍ以下であるプリント配線板である。

次に、図５および図６を用いて、本発明のプリント配線板（３）の形状を説明する。本発明のプリント配線板（３）は、絶縁基板１上に電子部品を接続する接続部２が形成された回路基板を有し、回路基板表面にソルダーレジスト層３を有し、電子部品搭載部とその周囲のソルダーレジスト層３が開口されてなる第一開口部１１を有し、第一開口部の底部１２のソルダーレジスト層３の一部が開口されてなる第二開口部１４を有し、第二開口部１４において接続部２がソルダーレジスト層３から露出しているプリント配線板であって、第一開口部１１における開口部上部の開口幅１５が開口部底部の開口幅１６以下である構造Ａと、第二開口部１４における開口部上部の開口幅１７が開口部底部の開口幅１８以下である構造Ｂとからなる群から選ばれる少なくとも一つの構造を有することを特徴とするプリント配線板である。「接続部」２は、導体回路の一部であり、半導体素子、他のプリント配線板等の電子部品を接続するために使用される。なお、「電子部品搭載部」とはソルダーレジスト層３が形成された回路基板表面に半導体素子、他のプリント配線板等の電子部品が実装された際に、回路基板上で電子部品が占める領域を指す。「電子部品搭載部とその周囲」における「周囲」とは電子部品端部から０ｍｍ〜２ｍｍの範囲を指す。また、本発明において、「接続部がソルダーレジスト層から露出している」状態とは、図５および図６のように、接続部２の表面全体がソルダーレジスト層３から完全に露出している状態である。そして、図５のように、接続部２の側面の一部がソルダーレジスト層３から露出しているプリント配線板（５）がより好ましい状態である。

また、本発明のプリント配線板（４）の形状は、本発明のプリント配線板（３）において、ソルダーレジスト層表面９と第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３とからなる群から選ばれる少なくともひとつの面の表面粗さＲａが０．５０μｍ以下であるプリント配線板である。

本発明のプリント配線板（１）〜（５）における接続部２は、いわゆるバンプまたはボールパッド等として使用することができる。即ち、露出している接続部２には半田ボール等を配置し、この半田ボールを介して、半導体素子、他のプリント配線板等の電子部品を、接続部２に対する導通を確保しつつ、接続することができる。

なお、上記電子部品としては、フリップチップ、ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）、チップスケールパッケージ、チップサイズパッケージ、あるいはＴＣＰ（テープキャリアパッケージ）、リードレスチップキャリア等の電子部品のパッド、あるいはそれらを実装するプリント配線板が挙げられる。

本発明のプリント配線板（１）〜（２）の作用効果について説明する。本発明のプリント配線板（１）においては、接続部２がソルダーレジスト層３の開口部４から露出した状態であり、かつソルダーレジスト層３の開口部４において、開口部上部の開口幅５の長さが開口部底部の開口幅６の長さ以下になっている。

ソルダーレジスト層３の開口部４において、開口部上部の開口幅５が開口部底部の開口幅６以下である本発明の特徴によって、ソルダーレジスト層３が半田に食い込み、そのアンカー効果によって半田と接続部２との接着強度が向上することから、接続部２に配置した半田ボールを介して、電子部品を接続する場合、両者の間に高い接続信頼性を得ることができる。また、本発明のプリント配線板（１）では、接続部２の側面がソルダーレジスト層３によって部分的に覆われることになり、接続部２と絶縁基板１との接着強度が向上する効果と、接続部２と半田との接触面積が増加する効果とが得られる。

本発明のプリント配線板（２）は、本発明のプリント配線板（１）において、ソルダーレジスト層表面９およびソルダーレジスト層開口部底部１０の表面粗さＲａが０．５０μｍ以下である。これにより、本発明のプリント配線板（２）は、本発明のプリント配線板（１）の作用効果に加えて、ソルダーレジスト層３の強度が高く、プリント配線板の信頼性を向上させることができる。

本発明のプリント配線板（３）の作用効果について説明する。本発明のプリント配線板（３）は、接続部２の上部に相当する電子部品搭載部とその周囲のソルダーレジスト層３が開口されてなる第一開口部１１を有する。また、第一開口部の底部１２のソルダーレジスト層３の一部が開口された第二開口部１４によって、接続部２がソルダーレジスト層３から露出している。そして、ソルダーレジスト層３の第一開口部１１における開口部上部の開口幅１５が開口部底部の開口幅１６以下である構造Ａと、第二開口部１４における開口部上部の開口幅１７が開口部底部の開口幅１８以下である構造Ｂとからなる群から選ばれる少なくとも一つの構造を有する。

これにより、本発明のプリント配線板（３）は、電子部品と回路基板の空隙にアンダーフィルを充填した際に、アンダーフィルが電子部品と回路基板の空隙から溢れてしまうことを防止するダム構造２０を有している。そのため、アンダーフィルが電子部品と回路基板の空隙から周囲へ溢れてしまうことによる、電気的な作動に悪影響の発生を防止する効果が得られる。また、本発明のプリント配線板（５）では、接続部２の側面がソルダーレジスト層３によって部分的に覆われることになり、接続部２と絶縁基板１との接着強度が向上する効果と、接続部２と半田との接触面積が増加する効果とが得られる。そのうえ、ソルダーレジスト層３の第一開口部１１における開口部上部の開口幅１５が開口部底部の開口幅１６以下である構造Ａと、第二開口部１４における開口部上部の開口幅１７が開口部底部の開口幅１８以下である構造Ｂとからなる群から選ばれる少なくとも一つの構造を有することによって、ソルダーレジスト層３がアンダーフィルに食い込み、そのアンカー効果によってソルダーレジスト層３とアンダーフィルとの接着強度が向上することから、プリント配線板の絶縁信頼性を向上させることができる。尚且つ、ソルダーレジスト層３が半田に食い込み、そのアンカー効果によって半田と接続部２との接着強度が向上することから、接続部２に配置した半田ボールを介して、電子部品を接続する場合、両者の間に高い接続信頼性を得ることができる。

本発明のプリント配線板（４）の作用効果について説明する。本発明のプリント配線板（４）は、本発明のプリント配線板（３）において、ソルダーレジスト層表面９と第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３とからなる群から選ばれる少なくともひとつの面の表面粗さＲａが０．５０μｍ以下である。これにより、本発明のプリント配線板（４）は、本発明のプリント配線板（３）の作用効果に加えて、ソルダーレジスト層３の強度が高く、プリント配線板の信頼性を向上させることができる。

図３を用いて、本発明のプリント配線板（１）及び（２）を製造する方法の一例を説明する。この方法では、接続部２周囲のソルダーレジスト層３を薄膜化することで開口部４を形成し、接続部２をソルダーレジスト層３から部分的に露出させる。まず、絶縁基板１上に接続部２が形成された回路基板を準備する（図３ａ）。回路基板には、接続部２以外の導体回路１９が形成されていてもよい。接続部２は、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、アディティブ法等を用いて形成することができる。次に、回路基板全面を覆うように、アルカリ現像型のソルダーレジスト層３を形成する（図３ｂ）。次いで、ソルダーレジスト層３のうち、開口部４を形成する領域以外の部分を活性光線７により露光する（図３ｃ）。図３ｃでは、フォトマスク８を介しているが、直接描画方式でもかまわない。続いて、非露光部のソルダーレジスト層３を薄膜化して開口部４を形成することで、図３ｄに示すように、接続部２がソルダーレジスト層３から部分的に露出したプリント配線板が形成できる。

この方法によると、加工条件を変更することで、開口部上部の開口幅５と開口部底部の開口幅６の関係を容易に制御することができる。ソルダーレジストにはフィラーが多く含まれているために、ソルダーレジスト層３の絶縁性基板１に近い部分ほど、露光の際の活性光線が届き難く、光硬化が弱くなる。このことにより、ソルダーレジスト層３を薄膜化して開口部４を形成した場合には、開口部上部の開口幅５が開口部底部の開口幅６以下になりやすく、ソルダーレジスト層３に形成された開口部４の断面形状は、図１や図４に示した形状になりやすい。また、各種ソルダーレジストの推奨露光条件よりも露光量を小さくすることで、開口部上部の開口幅５を開口部底部の開口幅６よりも小さくすることができる。開口部上部の開口幅５が開口部底部の開口幅６よりも小さい場合、開口部上部の開口幅５と開口部底部の開口幅６とが等しい場合と比較して、半田と接続部２との接着強度がより向上するので好ましい。

さらに、この方法によって製造されたプリント配線板では、ソルダーレジスト層表面９とソルダーレジスト層開口部底部１０の表面粗さＲａが０．５０μｍ以下になる。より具体的には、ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａが０．１０μｍ以下であり、ソルダーレジスト層開口部底部１０の表面粗さＲａが０．５０μｍ以下である。また、ソルダーレジスト層開口部底部１０のソルダーレジスト層３は、活性光線による光硬化を受けていないために、柔軟な状態であり、容易に表面粗さを変化させ、平滑化することが可能である。例えば、平滑化処理として、８０℃の環境に１５秒さらすことで、ソルダーレジスト層開口部底部１０の表面粗さＲａは０．１５μｍ以下にすることが可能である。また、８０℃の環境に３０秒さらすことでソルダーレジスト層開口部底部１０の表面粗さＲａは０．１０μｍ以下にすることが可能である。ソルダーレジスト層表面９およびソルダーレジスト層開口部底部１０の表面粗さＲａが低いほど、ソルダーレジスト層の強度が向上するため、好ましい。平滑化処理の好ましい温度は２５〜１２０℃であり、好ましい時間は５〜１８００秒である。平滑化処理温度が２５℃より低い場合には、平滑化処理に要する時間が長くなりすぎてしまうので、生産性を考慮すると、２５℃以上であることが好ましい。また、平滑化処理温度が１２０℃より高い場合には、ソルダーレジスト層の熱硬化が始まることがあるため、１２０℃以下で平滑化処理をすることが好ましい。

図７を用いて、本発明のプリント配線板（３）〜（５）を製造する方法の一例を説明する。この方法では、電子部品搭載部とその周囲のソルダーレジスト層３を薄膜化することで第一開口部１１を形成し、次に第一開口部の底部１２のソルダーレジスト層３の一部を薄膜化することで、接続部２をソルダーレジスト層３から部分的に露出させる。

まず、絶縁基板１上に接続部２が形成された回路基板を準備する（図７ａ）。回路基板には、接続部２以外の導体回路１９が形成されていてもよい。接続部２は、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、アディティブ法等を用いて形成することができる。次に、回路基板全面を覆うように、アルカリ現像型のソルダーレジスト層３を形成する（図７（Ａ））。次いで、ソルダーレジスト層３のうち、第一開口部１１を形成する領域以外の部分を活性光線７により露光する（図７（Ｃ１））。図７（Ｃ１）では、フォトマスク８を介して露光しているが、直接描画方式で露光してもかまわない。続いて、ソルダーレジスト層３上のキャリアフィルムを剥離した後、非露光部のソルダーレジスト層３を薄膜化して第一開口部１１を形成する（図７（Ｂ１））。

次いで、第一開口部の底部１２のソルダーレジスト層３のうち、接続部２を部分的にソルダーレジスト層３から露出させるための開口部を形成する領域以外の部分を活性光線７により露光する（図７（Ｃ２））。図７（Ｃ２）では、フォトマスク８を介して露光しているが、直接描画方式で露光してもかまわない。また、工程（Ｂ１）で薄膜化された後、ソルダーレジスト層３上にはキャリアフィルムがない。このキャリアフィルムがない状態で、工程（Ｃ２）で露光されると、空気中の酸素の影響によりソルダーレジスト層３の表層で重合阻害が発生する場合がある。重合阻害が発生した部分は、後工程の工程（Ｂ２）で薄膜化され、ソルダーレジスト層３の膜減りが発生する。続いて、非露光部のソルダーレジスト層３を薄膜化して、第一開口部の底部１２のソルダーレジスト層３に、接続部２を部分的にソルダーレジスト層３から露出させるための開口部を形成することで、図７（Ｂ２）に示すように、回路基板表面のソルダーレジスト層３に第一開口部１１が形成され、第一開口部の底部１２のソルダーレジスト層３を開口することで、第二開口部１４が形成され、接続部２がソルダーレジスト層３から部分的に露出したプリント配線板が形成できる。

この方法によると、加工条件を変更することで、第一開口部上部の開口幅１５と第一開口部底部の開口幅１６の関係、および第二開口部上部の開口幅１７と第二開口部底部の開口幅１８の関係を容易に制御することができる。ソルダーレジストにはフィラーが多く含まれているために、ソルダーレジスト層３の絶縁性基板１に近い部分ほど、露光の際の活性光線が届き難く、光硬化が弱くなる。このことにより、ソルダーレジスト層３を薄膜化して第一開口部１１と第二開口部１４を形成した場合には、第一開口部上部の開口幅１５が第一開口部底部の開口幅１６以下になりやすく、第二開口部上部の開口幅１７が第二開口部底部の開口幅１８以下になりやすい。また、各種ソルダーレジストの推奨露光条件よりも露光量を小さくすることで、第一開口部上部の開口幅１５を第一開口部底部の開口幅１６よりも小さくすることができる。第一開口部上部の開口幅１５が第一開口部底部の開口幅１６よりも小さい場合、第一開口部上部の開口幅１５と第一開口部底部の開口幅１６とが等しい場合と比較して、ソルダーレジスト層３とアンダーフィルとの接着強度が向上するので好ましい。また、同様に、第二開口部上部の開口幅１７を第二開口部底部の開口幅１８よりも小さくすることができる。第二開口部上部の開口幅１７が第二開口部底部の開口幅１８よりも小さい場合、第二開口部上部の開口幅１７と第二開口部底部の開口幅１８とが等しい場合と比較して、半田と接続部２との接着強度がより向上するので好ましい。

また、図７の手順による本発明のプリント配線板（３）〜（５）の作製方法では、工程（Ｃ１）および工程（Ｃ２）の露光領域を任意の形状に変化させることが可能であり、露光領域の変更により、例えば、図１１に示す断面形状の回路基板を作製することが可能である。図１１のａでは、接続部２の間のソルダーレジスト層３の厚みが接続部２よりも薄くなっている。図１１のｂでは、露出した接続部２とソルダーレジスト層３で被覆されている導体回路１９が存在している。

この方法によって製造されたプリント配線板では、ソルダーレジスト層表面９と第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３の表面粗さＲａが０．５０μｍ以下になりやすい。より具体的には、ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａが０．１０μｍ以下であり、第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３の表面粗さＲａが０．５０μｍ以下であることが好ましい。

また、第一開口部１１の形成後（図７（Ｂ１））であり、第一開口部の底部１２のソルダーレジスト層３のうち、接続部２を部分的にソルダーレジスト層３から露出させるための開口部を形成する領域以外の部分を活性光線７により露光する（図７（Ｃ２））以前の状態の第一開口部の底部１２のソルダーレジスト層３は、活性光線による光硬化を受けていないために、柔軟な状態であり、容易に表面粗さを変化させ、平滑化することが可能である。同様に第二開口部の底部１３のソルダーレジスト層３も、活性光線による光硬化を受けていないために、柔軟な状態であり、容易に表面粗さを変化させ、平滑化することが可能である。

例えば、平滑化処理として、８０℃の環境に１５秒さらすことで、第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．１５μｍ以下にすることが可能である。また、８０℃の環境に３０秒さらすことで第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．１０μｍ以下にすることが可能である。ソルダーレジスト層表面９および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３の表面粗さＲａが低いほど、ソルダーレジスト層の強度が向上するため、好ましい。平滑化処理の好ましい温度は２５〜１２０℃であり、好ましい時間は５〜１８００秒である。平滑化処理温度が２５℃より低い場合には、平滑化処理に要する時間が長くなりすぎてしまうので、生産性を考慮すると、２５℃以上であることが好ましい。また、平滑化処理温度が１２０℃より高い場合には、ソルダーレジスト層の熱硬化が始まることがあるため、１２０℃以下で平滑化処理をすることが好ましい。

図８を用いて、本発明のプリント配線板（３）〜（５）の作製方法の別の一例を説明する。この方法では、まず、回路基板の表面に形成した第一ソルダーレジスト層３−１のうち、接続部２周囲の第一ソルダーレジスト層３−１を薄膜化することで、接続部２を第一ソルダーレジスト層３−１から部分的に露出させる。次に、第一ソルダーレジスト層３−１の表面上に第二ソルダーレジスト層３−２を形成し、電子部品搭載部とその周囲の第二ソルダーレジスト層３−２を現像処理することで、第一開口部１１を形成する。

まず、絶縁基板１上に接続部２が形成された回路基板を準備する（図８ａ）。回路基板には、接続部２以外の導体回路１９が形成されていてもよい。接続部２は、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、アディティブ法等を用いて形成することができる。次に、工程（Ａ１）において、回路基板全面を覆うように、アルカリ現像型の第一ソルダーレジスト層３−１を形成する（図８（Ａ１））。次いで、工程（Ｃ１）において、第一ソルダーレジスト層３−１のうち、接続部２を部分的に第一ソルダーレジスト層３−１から露出させるための開口部を形成する領域以外の部分を活性光線７により露光する（図８（Ｃ１））。図８（Ｃ１）では、フォトマスク８を介して露光しているが、直接描画方式で露光してもかまわない。次いで、第一ソルダーレジスト層３−１上のキャリアフィルムを剥離した後、工程（Ｂ）において、非露光部の第一ソルダーレジスト層３−１を薄膜化して、接続部２を部分的に第一ソルダーレジスト層３−１から露出させるための開口部を形成する（図８（Ｂ））。続いて、工程（Ｃ２）において、工程（Ｂ）にて薄膜化された領域を活性光線７により露光する（図８（Ｃ２））。図８（Ｃ２）では、フォトマスク８を介して露光しているが、直接描画方式で露光してもかまわない。また、工程（Ｂ）で薄膜化された後、第一ソルダーレジスト層３−１上にはキャリアフィルムがない。このキャリアフィルムがない状態で、工程（Ｃ２）で露光されると、空気中の酸素の影響により第一ソルダーレジスト層３−１の表層で重合阻害が発生する場合がある。重合阻害が発生した部分は、後工程の工程（Ｄ）で現像され、第一ソルダーレジスト層３−１の膜減りが発生する。

次いで、工程（Ａ２）において、工程（Ｃ２）までの工程が完了した第一ソルダーレジスト層３−１上の全体に、アルカリ現像型の第二ソルダーレジスト層３−２を形成する（図８（Ａ２））。次いで、工程（Ｃ３）において、第二ソルダーレジスト層３−２のうち、第一開口部１１の領域以外の部分を活性光線７により露光する（図８（Ｃ３））。図８（Ｃ３）では、フォトマスク８を介して露光しているが、直接描画方式で露光してもかまわない。続いて、工程（Ｄ）において、未露光部の第二ソルダーレジスト層３−２を現像処理によって除去することで、図８（Ｄ）に示すように、回路基板表面に第一ソルダーレジスト層３−１と第二ソルダーレジスト層３−２とから構成されるソルダーレジスト層３が形成され、ソルダーレジスト層３に第一開口部１１が形成され、第一開口部の底部１２のソルダーレジスト層３に形成された第二開口部１４によって、接続部２がソルダーレジスト層３から部分的に露出したプリント配線板が形成できる。

この方法によると、加工条件を変更することで、第二開口部上部の開口幅１７と第二開口部底部の開口幅１８の関係を容易に制御することができる。ソルダーレジストにはフィラーが多く含まれているために、ソルダーレジスト層３の絶縁性基板１に近い部分ほど、露光の際の活性光線が届き難く、光硬化が弱くなる。このことにより、ソルダーレジスト層３を薄膜化して第二開口部１４を形成した場合には、第二開口部上部の開口幅１７が第二開口部底部の開口幅１８以下になりやすい。また、各種ソルダーレジストの推奨露光条件よりも露光量を小さくすることで、第二開口部上部の開口幅１７を第二開口部底部の開口幅１８よりも小さくすることができる。第二開口部上部の開口幅１７が第二開口部底部の開口幅１８よりも小さい場合、第二開口部上部の開口幅１７と第二開口部底部の開口幅１８とが等しい場合と比較して、半田と接続部２との接着強度がより向上するので好ましい。

また、図８の手順による本発明のプリント配線板（３）〜（５）の作製方法では、工程（Ｃ１）および工程（Ｃ３）の露光領域を任意の形状に変化させることが可能であり、露光領域の変更により、例えば、図１１に示す断面形状の回路基板を作製することが可能である。図１１のａでは、接続部２の間のソルダーレジスト層３の厚みが接続部２よりも薄くなっている。図１１のｂでは、露出した接続部２とソルダーレジスト層３で被覆されている導体回路１９が存在している。

この方法によって製造されたプリント配線板では、ソルダーレジスト層表面９と第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３の表面粗さＲａが０．５０μｍ以下になりやすい。また、本発明では、ソルダーレジスト層表面９と第一開口部の底部１２の表面粗さＲａが０．１０μｍ以下であることが好ましく、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａが０．５０μｍ以下であることが好ましい。表面粗さＲａは算術平均表面粗さである。

また、工程（Ｂ）後であり、工程（Ｃ２）以前の状態の第二開口部の底部１３の第一ソルダーレジスト層３−１は、活性光線による光硬化を受けていないために、柔軟な状態であり、容易に表面粗さを変化させ、平滑化することが可能である。

図９を用いて、本発明のプリント配線板（３）〜（５）の作製方法の別の一例を説明する。この方法では、まず、回路基板の表面に形成した第一ソルダーレジスト層３−１の全面を薄膜化することで、接続部２を第一ソルダーレジスト層３−１から部分的に露出させる。次に、第一ソルダーレジスト層３−１の表面上に第二ソルダーレジスト層３−２を形成し、電子部品搭載部とその周囲の第二ソルダーレジスト層３−２を接続部２が露出しない範囲で薄膜化することで、第一開口部を形成する。次に、第一開口部の底部の第二ソルダーレジスト層３−２の一部を現像処理することで、接続部２をソルダーレジスト層３から部分的に露出させる。

まず、絶縁基板１上に接続部２が形成された回路基板を準備する（図９ａ）。回路基板には、接続部２以外の導体回路１９が形成されていてもよい。接続部２は、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、アディティブ法等を用いて形成することができる。次に、工程（Ａ１）において、回路基板全面を覆うように、アルカリ現像型の第一ソルダーレジスト層３−１を形成する（図９（Ａ１））。次いで、第一ソルダーレジスト層３−１上のキャリアフィルムを剥離した後、工程（Ｂ１）において、第一ソルダーレジスト層３−１の全面を薄膜化することで、第一ソルダーレジスト層３−１から接続部２を部分的に露出させる（図９（Ｂ１））。次いで、工程（Ｃ１）において、第一ソルダーレジスト層３−１の全面を露光する（図９（Ｃ１））。また、工程（Ｂ１）で薄膜化された後、第一ソルダーレジスト層３−１上にはキャリアフィルムがない。このキャリアフィルムがない状態で、工程（Ｃ１）で露光されると、空気中の酸素の影響により第一ソルダーレジスト層３−１の表層で重合阻害が発生する場合がある。重合阻害が発生した部分は、後工程の工程（Ｄ）で現像され、第一ソルダーレジスト層３−１の膜減りが発生する。

次いで、工程（Ａ２）において、工程（Ｃ１）までの工程が完了した第一ソルダーレジスト層３−１上の全体に、アルカリ現像型の第二ソルダーレジスト層３−２を形成する（図９（Ａ２））。次いで、工程（Ｃ２）において、第二ソルダーレジスト層３−２のうち、第一開口部１１の領域以外の部分を活性光線７により露光する（図９（Ｃ２））。図９（Ｃ２）では、フォトマスク８を介して露光しているが、直接描画方式で露光してもかまわない。次いで、第二ソルダーレジスト層３−２上のキャリアフィルムを剥離した後、工程（Ｂ２）において、未露光部の第二ソルダーレジスト層３−２を薄膜化することによって、第一開口部１１を形成する（図９（Ｂ２））。

次いで、工程（Ｃ３）において、第一開口部の底部１２の第二ソルダーレジスト層３−２のうち、接続部２を部分的にソルダーレジスト層３から露出させるための開口部を形成する領域以外の部分を活性光線７により露光する（図９（Ｃ３））。図９（Ｃ３）では、フォトマスク８を介して露光しているが、直接描画方式で露光してもかまわない。また、工程（Ｂ２）で薄膜化された後、第二ソルダーレジスト層３−２上にはキャリアフィルムがない。このキャリアフィルムがない状態で、工程（Ｃ３）で露光されると、空気中の酸素の影響により第二ソルダーレジスト層３−２の表層で重合阻害が発生する場合がある。重合阻害が発生した部分は、後工程の工程（Ｄ）で現像され、第二ソルダーレジスト層３−２の膜減りが発生する。続いて、工程（Ｄ）において、未露光部の第二ソルダーレジスト層３−２を現像処理によって除去することで、図９（Ｄ）に示すように、回路基板表面に第一ソルダーレジスト層３−１と第二ソルダーレジスト層３−２とから構成されるソルダーレジスト層３が形成され、ソルダーレジスト層３に第一開口部１１が形成され、第一開口部の底部１２のソルダーレジスト層３に形成された第二開口部１４によって、接続部２がソルダーレジスト層３から部分的に露出したプリント配線板が形成できる。

この方法によると、加工条件を変更することで、第一開口部上部の開口幅１５と第一開口部底部の開口幅１６の関係を容易に制御することができる。ソルダーレジストにはフィラーが多く含まれているために、ソルダーレジスト層３の絶縁性基板１に近い部分ほど、露光の際の活性光線が届き難く、光硬化が弱くなる。このことにより、ソルダーレジスト層３を薄膜化して第一開口部１１を形成した場合には、第一開口部上部の開口幅１５が第一開口部底部の開口幅１６以下になりやすい。また、各種ソルダーレジストの推奨露光条件よりも露光量を小さくすることで、第一開口部上部の開口幅１５を第一開口部底部の開口幅１６よりも小さくすることができる。第一開口部上部の開口幅１５が第一開口部底部の開口幅１６よりも小さい場合、第一開口部上部の開口幅１５と第一開口部底部の開口幅１６とが等しい場合と比較して、ソルダーレジスト層３とアンダーフィルとの接着強度が向上するので好ましい。

また、図９の手順による本発明のプリント配線板（３）〜（５）の作製方法では、工程（Ｃ２）および工程（Ｃ３）の露光領域を任意の形状に変化させることが可能であり、露光領域の変更により、例えば、図１１に示す断面形状の回路基板を製造することが可能である。図１１のａでは、接続部２の間のソルダーレジスト層３の厚みが接続部２よりも薄くなっている。図１１のｂでは、露出した接続部２とソルダーレジスト層３で被覆されている導体回路１９が存在している。

この方法によって製造されたプリント配線板では、ソルダーレジスト層表面９と第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３の表面粗さＲａが０．５０μｍ以下になりやすい。また、本発明では、ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａが０．１０μｍ以下であることが好ましく、第二開口部の底部１３と第一開口部の底部１２の表面粗さＲａが０．５０μｍ以下であることが好ましい。表面粗さＲａは算術平均表面粗さである。

また、工程（Ｂ１）後であり、工程（Ｃ１）以前の状態における第二開口部の底部１３の第一ソルダーレジスト層３−１と、工程（Ｂ２）後であり、工程（Ｃ３）以前の状態の第一開口部の底部１２の第二ソルダーレジスト層３−２は、活性光線による光硬化を受けていないために、柔軟な状態であり、容易に表面粗さを変化させ、平滑化することが可能である。

図１０を用いて、本発明のプリント配線板（３）〜（５）の作製方法の別の一例を説明する。この方法では、まず、回路基板の表面に形成した第一ソルダーレジスト層３−１の全面を薄膜化することで、接続部２を第一ソルダーレジスト層３−１から部分的に露出させる。次に、第一ソルダーレジスト層３−１の表面上に第二ソルダーレジスト層３−２を形成し、接続部２周囲の第二ソルダーレジスト層３−２を現像によって除去し、ソルダーレジスト層３から再び接続部２を露出させる。次に第二ソルダーレジスト層３−２表面上に第三ソルダーレジスト層３−３を形成し、半導体等の部品搭載部とその周囲の第三ソルダーレジスト層３−３を現像によって除去することで、第一開口部１１を形成すると共に、再び接続部２をソルダーレジスト層３から露出させる。

まず、絶縁基板１上に接続部２が形成された回路基板を準備する（図１０ａ）。回路基板には、接続部２以外の導体回路１９が形成されていてもよい。接続部２は、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、アディティブ法等を用いて形成することができる。次に、工程（Ａ１）において、回路基板全面を覆うように、アルカリ現像型の第一ソルダーレジスト層３−１を形成する（図１０（Ａ１））。次いで、第一ソルダーレジスト層３−１上のキャリアフィルムを剥離した後、工程（Ｂ１）において、第一ソルダーレジスト層３−１の全面を薄膜化することで、第一ソルダーレジスト層３−１から接続部２を部分的に露出させる（図１０（Ｂ１））。次いで、工程（Ｃ１）において、第一ソルダーレジスト層３−１の全面を露光する（図１０（Ｃ１））。また、工程（Ｂ１）で薄膜化された後、第一ソルダーレジスト層３−１上にはキャリアフィルムがない。このキャリアフィルムがない状態で、工程（Ｃ１）で露光されると、空気中の酸素の影響により第一ソルダーレジスト層３−１の表層で重合阻害が発生する場合がある。重合阻害が発生した部分は、後工程の工程（Ｄ１）で現像され、第一ソルダーレジスト層３−１の膜減りが発生する。

次いで、工程（Ａ２）において、工程（Ｃ１）までの工程が完了した第一ソルダーレジスト層３−１上の全体に、アルカリ現像型の第二ソルダーレジスト層３−２を形成する（図１０（Ａ２））。次いで、工程（Ｃ２）において、第二ソルダーレジスト層３−２のうち、接続部２を部分的にソルダーレジスト層３から露出させるための開口部を形成する領域以外の部分を活性光線７により露光する（図１０（Ｃ２））。図１０（Ｃ２）では、フォトマスク８を介して露光しているが、直接描画方式で露光してもかまわない。次いで、工程（Ｄ１）において、未露光部の第二ソルダーレジスト層を現像処理することによって、第一ソルダーレジスト層３−１から接続部２を部分的に露出させる（図１０（Ｄ１））。

次いで、工程（Ａ３）において、工程（Ｄ１）までの工程が完了した第一ソルダーレジスト層３−１および第二ソルダーレジスト層３−２上の全体に、アルカリ現像型の第三ソルダーレジスト層３−３を形成する（図１０（Ａ３））。次いで、工程（Ｃ３）において、第三ソルダーレジスト層３−３のうち、第一開口部を形成する領域以外の部分を活性光線７により露光する（図１０（Ｃ３））。図１０（Ｃ３）では、フォトマスク８を介して露光しているが、直接描画方式で露光してもかまわない。続いて、工程（Ｄ２）において、未露光部の第三ソルダーレジスト層３−３を現像処理によって除去することで、図１０（Ｄ２）に示すように、回路基板表面に第一ソルダーレジスト層３−１と第二ソルダーレジスト層３−２と第３ソルダーレジスト層３−３から構成されるソルダーレジスト層３が形成され、ソルダーレジスト層３に第一開口部１１が形成され、第一開口部の底部１２のソルダーレジスト層３に形成された第二開口部１４によって、接続部２がソルダーレジスト層３から部分的に露出したプリント配線板が形成できる。

また、図１０の手順による本発明によるプリント配線板の製造方法では、工程（Ｃ２）および工程（Ｃ３）の露光領域を任意の形状に変化させることが可能であり、露光領域の変更により、例えば、図１１に示す断面形状の回路基板を製造することが可能である。図１１のａでは、接続部２の間のソルダーレジスト層３の厚みが接続部２よりも薄くなっている。図１１のｂでは、露出した接続部２とソルダーレジスト層３で被覆されている導体回路１９が存在している。

この方法によって製造されたプリント配線板では、ソルダーレジスト層表面９と第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３の表面粗さＲａが０．５０μｍ以下になりやすい。また、本発明では、ソルダーレジスト層表面９と第一開口部の底部１２の表面粗さＲａが０．１０μｍ以下であることが好ましく、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａが０．５０μｍ以下であることが好ましい。表面粗さＲａは算術平均表面粗さである。

また、工程（Ｂ１）後であり、工程（Ｃ１）以前の状態における第二開口部の底部１３の第一ソルダーレジスト層３−１は、活性光線による光硬化を受けていないために、柔軟な状態であり、容易に表面粗さを変化させ、平滑化することが可能である。

図１２を用いて、本発明のプリント配線板（３）〜（５）を製造する方法の別の一例を説明する。この方法では、電子部品搭載部とその周囲のソルダーレジスト層３を薄膜化することで第一開口部１１を形成し、次に第一開口部の底部１２のソルダーレジスト層３の一部を現像することで、接続部２をソルダーレジスト層３から露出させる。

まず、絶縁基板１上に接続部２が形成された回路基板を準備する（図１２ａ）。回路基板には、接続部２以外の導体回路１９が形成されていてもよい。接続部２は、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、アディティブ法等を用いて形成することができる。次に、回路基板全面を覆うように、アルカリ現像型のソルダーレジスト層３を形成する（図１２（Ａ））。次いで、ソルダーレジスト層３のうち、第一開口部１１を形成する領域以外の部分を活性光線７により露光する（図１２（Ｃ１））。図１２（Ｃ１）では、フォトマスク８を介して露光しているが、直接描画方式で露光してもかまわない。続いて、ソルダーレジスト層３上のキャリアフィルムを剥離した後、非露光部のソルダーレジスト層３を薄膜化して第一開口部１１を形成する（図１２（Ｂ））。

次いで、第一開口部の底部１２のソルダーレジスト層３のうち、接続部２を部分的にソルダーレジスト層３から露出させるための開口部を形成する領域以外の部分を活性光線７により露光する（図１２（Ｃ２））。図１２（Ｃ２）では、フォトマスク８を介して露光しているが、直接描画方式で露光してもかまわない。また、工程（Ｂ）で薄膜化された後、ソルダーレジスト層３上にはキャリアフィルムがない。このキャリアフィルムがない状態で、工程（Ｃ２）で露光されると、空気中の酸素の影響によりソルダーレジスト層３の表層で重合阻害が発生する場合がある。重合阻害が発生した部分は、後工程の工程（Ｄ）で現像され、ソルダーレジスト層３の膜減りが発生する。続いて、非露光部のソルダーレジスト層３を現像処理によって除去して、第一開口部の底部１２のソルダーレジスト層３に、接続部２をソルダーレジスト層３から露出させるための開口部を形成することで、図１２（Ｄ）に示すように、回路基板表面のソルダーレジスト層３に第一開口部１１が形成され、第一開口部の底部１２のソルダーレジスト層３を開口することで、第二開口部１４が形成され、接続部２がソルダーレジスト層３から露出したプリント配線板が形成できる。

この方法によると、加工条件を変更することで、第一開口部上部の開口幅１５と第一開口部底部の開口幅１６の関係を容易に制御することができる。ソルダーレジストにはフィラーが多く含まれているために、ソルダーレジスト層３の絶縁性基板１に近い部分ほど、露光の際の活性光線が届き難く、光硬化が弱くなる。このことにより、ソルダーレジスト層３を薄膜化して第一開口部１１を形成した場合には、第一開口部上部の開口幅１５が第一開口部底部の開口幅１６以下になりやすい。また、各種ソルダーレジストの推奨露光条件よりも露光量を小さくすることで、第一開口部上部の開口幅１５を第一開口部底部の開口幅１６よりも小さくすることができる。第一開口部上部の開口幅１５が第一開口部底部の開口幅１６よりも小さい場合、第一開口部上部の開口幅１５と第一開口部底部の開口幅１６とが等しい場合と比較して、ソルダーレジスト層３とアンダーフィルとの接着強度が向上するので好ましい。

また、図１２の手順による本発明のプリント配線板（３）〜（５）の作製方法では、工程（Ｃ１）および工程（Ｃ２）の露光領域を任意の形状に変化させることが可能であり、露光領域の変更により、例えば、図１７に示す断面形状の回路基板を作製することが可能である。図１７のａでは、接続部２の間のソルダーレジスト層３が除去され、接続部２の側面が完全に露出している。図１７のｂでは、露出した接続部２とソルダーレジスト層３で被覆されている導体回路１９が存在している。

この方法によって製造されたプリント配線板では、ソルダーレジスト層表面９と第一開口部の底部１２の表面粗さＲａが０．５０μｍ以下になりやすい。より具体的には、ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａが０．１０μｍ以下であり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａが０．５０μｍ以下であることが好ましい。

また、第一開口部１１の形成後（図１２（Ｂ））であり、第一開口部の底部１２のソルダーレジスト層３のうち、接続部２をソルダーレジスト層３から露出させるための開口部を形成する領域以外の部分を活性光線７により露光する（図１２（Ｃ２））以前の状態の第一開口部の底部１２のソルダーレジスト層３は、活性光線による光硬化を受けていないために、柔軟な状態であり、容易に表面粗さを変化させ、平滑化することが可能である。

例えば、平滑化処理として、８０℃の環境に１５秒さらすことで、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．１５μｍ以下にすることが可能である。また、８０℃の環境に３０秒さらすことで第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．１０μｍ以下にすることが可能である。ソルダーレジスト層表面９および第一開口部の底部１２の表面粗さＲａが低いほど、ソルダーレジスト層の強度が向上するため、好ましい。平滑化処理の好ましい温度は２５〜１２０℃であり、好ましい時間は５〜１８００秒である。平滑化処理温度が２５℃より低い場合には、平滑化処理に要する時間が長くなりすぎてしまうので、生産性を考慮すると、２５℃以上であることが好ましい。また、平滑化処理温度が１２０℃より高い場合には、ソルダーレジスト層の熱硬化が始まることがあるため、１２０℃以下で平滑化処理をすることが好ましい。

本発明における絶縁基板１には、例えば、合成樹脂からなる基板、合成樹脂と無機フィラーとからなる複合樹脂基板、合成樹脂と無機布帛からなる複合樹脂基板等を用いることができる。絶縁基板は、その表面または内部に接続部、スルーホール等を設けることができる。また、絶縁基板には、電子部品を搭載するためのバンプまたはボールパッド等を設けることができる。

本発明における回路基板とは、絶縁基板１上に銅等の金属からなる接続部２が形成された基板である。半導体チップ等の電子部品を接続するためのバンプまたはボールパッド等が形成されていてもよい。回路基板を作製する方法は、例えばサブトラクティブ法、セミアディティブ法、アディティブ法等が挙げられる。サブトラクティブ法では、例えば、ガラス基材エポキシ樹脂に銅箔を張り合わせた銅張積層板にエッチングレジストを形成し、露光、現像、エッチング、レジスト剥離を実施して回路基板が作製される。

本発明に係わるソルダーレジストは、アルカリ現像型のものが使用できる。また、１液性、２液性、どちらの液状レジストであってもよく、ドライフィルム状レジストであってもよく、アルカリ水溶液によって現像できるものであればいかなるものでも使用できる。アルカリ現像型ソルダーレジストの組成は、例えば、アルカリ可溶性樹脂、多官能アクリルモノマー、光重合開始剤、エポキシ樹脂、無機フィラー等を含有してなる。

アルカリ可溶性樹脂としては、光硬化性と熱硬化性の両方の特性をもつアルカリ可溶性樹脂が挙げられ、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂にアクリル酸を付加させてエポキシアクリレート化した樹脂の２級の水酸基に酸無水物を付加させた樹脂が挙げられる。多官能アクリルモノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート等が挙げられる。光重合開始剤としては、２−メチル−１−（４−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン等が挙げられる。エポキシ樹脂は、硬化剤として用いられる。アルカリ可溶性樹脂のカルボン酸と反応させることで架橋させ、耐熱性や耐薬品性の特性の向上を図っているが、カルボン酸とエポキシは常温でも反応が進むために、保存安定性が悪く、アルカリ現像型ソルダーレジストは一般的に使用前に混合する２液性の形態をとっている場合が多い。無機フィラーとしては、例えば、硫酸バリウム、シリカ等が挙げられる。

回路基板の表面にソルダーレジスト層３を形成する方法は、いかなる方法でもよいが、例えば、スクリーン印刷法、ロールコート法、スプレー法、浸漬法、カーテンコート法、バーコート法、エアナイフ法、ホットメルト法、グラビアコート法、刷毛塗り法、オフセット印刷法が挙げられる。ドライフィルム形状のソルダーレジストの場合は、ラミネート法が挙げられる。

ソルダーレジスト層３に対する露光では活性光線を照射することで行い、キセノンランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超高圧水銀灯、ＵＶ蛍光灯を光源とした反射画像露光、フォトマスクを用いた片面、両面密着露光や、プロキシミティ方式、プロジェクション方式やレーザ走査露光等を使用することができる。走査露光を行う場合には、ＵＶレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザ、アルゴンレーザ、クリプトンイオンレーザ、ルビーレーザ、ＹＡＧレーザ、窒素レーザ、色素レーザ、エキシマレーザ等のレーザ光源を発光波長に応じてＳＨＧ波長変換した走査露光、あるいは、液晶シャッター、マイクロミラーアレイシャッターを利用した走査露光によって露光することができる。

ソルダーレジスト層３を薄膜化することによって、開口部を形成する方法について説明する。ソルダーレジスト層３を薄膜化する工程とは、薄膜化処理液によって非露光部ソルダーレジスト層３中の光架橋性樹脂成分をミセル化させるミセル化処理（薄膜化処理）、次にミセル除去液によってミセルを除去するミセル除去処理を含む工程である。さらに、除去しきれなかったソルダーレジスト層表面や残存付着した薄膜化処理液及びミセル除去液を水洗によって洗い流す水洗処理、水洗水を除去する乾燥処理を含んでもよい。

薄膜化処理（ミセル化処理）とは、薄膜化処理液によって、ソルダーレジスト層の樹脂成分をミセル化し、このミセルを薄膜化処理液に対して不溶化する処理である。薄膜化処理液は高濃度のアルカリ水溶液である。薄膜化処理液として使用されるアルカリ水溶液としては、例えば、リチウム、ナトリウムまたはカリウム等のアルカリ金属ケイ酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属炭酸塩、アンモニウムリン酸塩、アンモニウム炭酸塩等の無機アルカリ性化合物の水溶液；モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、シクロヘキシルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキサイド（コリン）等の有機アルカリ性化合物の水溶液が挙げられる。上記無機アルカリ性化合物及び有機アルカリ性化合物は、混合物としても使用できる。

アルカリ性化合物の含有量は、０．１質量％以上５０質量％以下で使用できる。また、レジスト層表面をより均一に薄膜化するために、薄膜化処理液に、硫酸塩、亜硫酸塩を添加することもできる。硫酸塩または亜硫酸塩としては、リチウム、ナトリウムまたはカリウム等のアルカリ金属硫酸塩または亜硫酸塩、マグネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属硫酸塩または亜硫酸塩が挙げられる。

薄膜化処理液としては、これらの中でも特に、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物、及び、ＴＭＡＨ、コリンから選ばれる有機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか１種を含み、該無機アルカリ性化合物及び有機アルカリ性化合物の含有量が５〜２５質量％である薄膜化処理液が、表面をより均一に薄膜化できるため、好適に使用できる。５質量％未満では、薄膜化する処理でムラが発生しやすくなる場合がある。また、２５質量％を超えると、無機アルカリ性化合物の析出が起こりやすく、液の経時安定性、作業性に劣る場合がある。アルカリ性化合物の含有量は７〜１７質量％がより好ましく、８〜１３質量％がさらに好ましい。薄膜化処理液のｐＨは１０以上とすることが好ましい。また、界面活性剤、消泡剤、溶剤等を適宜添加することもできる。

薄膜化処理は、浸漬処理、パドル処理、スプレー処理、ブラッシング、スクレーピング等の方法を用いることができるが、浸漬処理が好ましい。浸漬処理以外の処理方法は、薄膜化処理液中に気泡が発生しやすく、その発生した気泡が薄膜化処理中にソルダーレジスト層表面に付着して、膜厚が不均一となる場合がある。

ソルダーレジスト層形成後の厚みとソルダーレジスト層が薄膜化された量で、ソルダーレジスト層開口部の深さが決定される。また、０．０１〜５００μｍの範囲でレジスト層の薄膜化量を自由に調整することができる。

薄膜化処理液に対して不溶化されたソルダーレジスト層の樹脂成分のミセルを除去するミセル除去処理において、ミセル除去液をスプレーすることによって、一挙にミセルを溶解除去する。

ミセル除去液としては、水道水、工業用水、純水等を用いることができる。また、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか１種を含むｐＨ５〜１０の水溶液をミセル除去液として用いることによって、薄膜化処理液で不溶化された光架橋性樹脂成分が再分散しやすくなる。ミセル除去液のｐＨが５未満の場合、光架橋性樹脂成分が凝集し、不溶性のスラッジとなって、薄膜化したソルダーレジスト層表面に付着するおそれがある。一方、ミセル除去液のｐＨが１０を超えた場合、ソルダーレジスト層が過度に溶解拡散し、面内で膜厚ムラが発生しやすくなることがある。また、ミセル除去液は、硫酸、リン酸、塩酸等を用いて、ｐＨを調整することができる。

ミセル除去処理におけるスプレーの条件について説明する。スプレーの条件（温度、時間、スプレー圧）は、薄膜化処理されるソルダーレジスト層の溶解速度に合わせて適宜調整される。具体的には、処理温度は１０〜５０℃が好ましく、より好ましくは１５〜３５℃である。また、スプレー圧は０．０１〜０．５ＭＰａとするのが好ましく、より好ましくは０．１〜０．３ＭＰａである。ミセル除去液の供給流量は、ソルダーレジスト層１ｃｍ^２当たり０．０３０〜１．０Ｌ／ｍｉｎが好ましく、０．０５０〜１．０Ｌ／ｍｉｎがより好ましく、０．１０〜１．０Ｌ／ｍｉｎがさらに好ましい。供給流量がこの範囲であると、薄膜化後のソルダーレジスト層表面に不溶解成分を残すことなく、面内略均一にミセルを除去することができる。ソルダーレジスト層１ｃｍ^２当たりの供給流量が０．０３０Ｌ／ｍｉｎ未満では、不溶化したレジスト層の樹脂成分の溶解不良が起こる場合がある。一方、供給流量が１．０Ｌ／ｍｉｎを超えると、供給のために必要なポンプなどの部品が巨大になり、大掛かりな装置が必要となる場合がある。さらに、１．０Ｌ／ｍｉｎを超えた供給量では、ソルダーレジスト層の樹脂成分の溶解拡散に与える効果が変わらなくなることがある。

ミセル除去処理後、さらに、除去しきれなかったソルダーレジスト層やソルダーレジスト層の表面に残存付着した薄膜化処理液及びミセル除去液を水洗処理によって洗い流すことができる。水洗処理の方法としては、拡散速度と液供給の均一性の点からスプレー方式が好ましい。水洗水としては、水道水、工業用水、純水等を用いることができる。このうち純水を使用することが好ましい。純水は、一般的に工業用に用いられるものを使用することができる。

乾燥処理では、熱風乾燥、室温送風乾燥のいずれも用いることができるが、好ましくは高圧空気をエアガンからあるいはブロアから大量の空気を送気してエアナイフでソルダーレジスト層表面に残存している水を吹き飛ばす乾燥方法がよい。

薄膜化処理によって形成された開口部内部の表面粗さをさらに低下させるために、平滑化処理を行うことができる。平滑化処理の方法としては、熱風乾燥、室温送風乾燥等を使用して、２５〜１２０℃、５秒〜３０分間の加熱を行う。なお、薄膜化処理による開口部形成工程とその後の平滑化処理工程を経たプリント配線板には、レーザを使用した従来技術によるソルダーレジスト層への開口部形成において発生するスミアの残留は無く、またデスミア工程が無いためにソルダーレジスト層の粗面化も発生しない。

現像方法としては、使用するソルダーレジスト層に見合った現像液を用い、回路基板の表面にスプレーを噴射して、ソルダーレジスト層の不要な部分を除去する。現像液には、希薄なアルカリ水溶液が使用され、一般的には、０．３〜３質量％の炭酸ナトリウム水溶液や炭酸カリウム水溶液が使用される。

以下、実施例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。

実施例１〜６は、図３の製造方法で、プリント配線板を製造している。

（実施例１）
銅張積層板（面積１７０ｍｍ×２００ｍｍ、銅箔厚１８μｍ、基材厚み０．４ｍｍ）にエッチングレジストを使用したサブトラクティブ法にて、直径５０μｍの円形の接続部２を有する回路基板を作製した。次に、ソルダーレジストフィルム（太陽インキ製造株式会社製、商品名：ＰＦＲ−８００ ＡＵＳ４１０）を上記回路基板上に真空熱圧着させた（ラミネート温度７５℃、吸引時間３０秒、加圧時間１０秒）。これにより絶縁基板１表面からソルダーレジスト層３表面までのドライ膜厚が３８．０μｍのソルダーレジスト層３を形成した。

次に、接続部２の中心から外側に８０μｍ外側までの領域以外に活性光線が照射されるようなパターンを有するフォトマスク８を用いて、密着露光機にて、３００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギーにて、ソルダーレジスト層３に露光を実施した。

次に、キャリアフィルムを剥離した後、１０質量％のメタケイ酸ナトリウム（液温度２５℃）に２８秒間浸漬することで、未露光部のソルダーレジスト層３の薄膜化処理を行った。その後、ミセル除去処理、水洗処理、乾燥処理の後に、ソルダーレジスト層３の開口部４の各部の測定を行ったところ、開口部４の深さは２６．０μｍであり、開口部上部の開口幅５は１６０μｍ、開口部底部の開口幅６は１６０μｍであった。また、超深度形状測定顕微鏡（株式会社キーエンス（ＫＥＹＥＮＣＥ）製、品番「ＶＫ−８５００」）を用いて表面粗さを測定したところ、ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、ソルダーレジスト層開口部底部１０の表面粗さＲａは０．４０μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層３の開口部４の周囲およびソルダーレジスト層開口部底部１０を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

超深度形状測定顕微鏡（株式会社キーエンス製、品番「ＶＫ−８５００」）による算術平均表面粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４ 表面粗さ−定義に準じた計算式を用いている。なお、測定領域は９００μｍ^２、基準長さは４０μｍとした。

（実施例２）
薄膜化処理後の乾燥処理を行った後に平滑化処理（８０℃、１５秒）を行うこと以外は実施例１と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、開口部４の深さは２６．０μｍであり、開口部上部の開口幅５は１６０μｍ、開口部底部の開口幅６は１６０μｍであった。また、同様に表面粗さを測定したところ、ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、ソルダーレジスト層開口部底部１０の表面粗さＲａは０．１４μｍであった。

（実施例３）
薄膜化処理後の乾燥処理を行った後に平滑化処理（８０℃、３０秒）を行うこと以外は実施例１と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、開口部４の深さは２６．０μｍであり、開口部上部の開口幅５は１６０μｍ、開口部底部の開口幅６は１６０μｍであった。また、同様に表面粗さを測定したところ、ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、ソルダーレジスト層開口部底部１０の表面粗さＲａは０．０８μｍであった。

（実施例４）
露光量を２００ｍＪ／ｃｍ^２で行うこと以外は実施例１と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、開口部４の深さは２６．０μｍであり、開口部上部の開口幅５は１６０μｍ、開口部底部の開口幅６は１８０μｍであった。また、同様に表面粗さを測定したところ、ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、ソルダーレジスト層開口部底部１０の表面粗さＲａは０．４０μｍであった。

（実施例５）
露光量を２００ｍＪ／ｃｍ^２で行い、薄膜化処理後の乾燥処理を行った後に平滑化処理（８０℃、１５秒）を行うこと以外は実施例１と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、開口部４の深さは２６．０μｍであり、開口部上部の開口幅５は１６０μｍ、開口部底部の開口幅６は１８０μｍであった。また、同様に表面粗さを測定したところ、ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、ソルダーレジスト層開口部底部１０の表面粗さＲａは０．１４μｍであった。

（実施例６）
露光量を２００ｍＪ／ｃｍ^２で行い、薄膜化処理後の乾燥処理を行った後に平滑化処理（８０℃、３０秒）を行うこと以外は実施例１と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、開口部４の深さは２６．０μｍであり、開口部上部の開口幅５は１６０μｍ、開口部底部の開口幅６は１８０μｍであった。また、同様に表面粗さを測定したところ、ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、ソルダーレジスト層開口部底部１０の表面粗さＲａは０．０８μｍであった。

（比較例１）
銅張積層板（面積１７０ｍｍ×２００ｍｍ、銅箔厚１８μｍ、基材厚み０．４ｍｍ）にエッチングレジストを使用したサブトラクティブ法にて、直径５０μｍの円形の接続部２を有する回路基板を作製した。次に、ソルダーレジストフィルム（太陽インキ製造株式会社製、商品名：ＰＦＲ−８００ ＡＵＳ４１０）を上記回路基板上に真空熱圧着させた（ラミネート温度７５℃、吸引時間３０秒、加圧時間１０秒）。これにより絶縁基板１表面からソルダーレジスト層３表面までのドライ膜厚が３８．０μｍのソルダーレジスト層３を形成した。その後、密着露光機を使用し、１０００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギーにてソルダーレジスト層３全面を露光し、さらに熱風乾燥機を使用して１５０℃にて３０分の加熱を行った。

次に、接続部２の中心から外側に８０μｍ外側までの領域にエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ、出力５０Ｗ）を照射し、ソルダーレジスト層３に開口部４を形成した。

レーザ光を照射したソルダーレジスト層表面９を顕微鏡観察したところ、開口部４の形成と接続部２を露出させる際のレーザ光照射によって、ソルダーレジスト層表面９と接続部２上部と開口部４の底部にスミアが発生していた。

次に、水酸化ナトリウムを主成分とした溶液（メルテックス（Ｍｅｌｔｅｘ）株式会社製、商品名：エンプレート（ＥＮＰＬＡＴＥ、登録商標）ＭＬＢ−４９６Ａ）および１−メトキシ−２−プロパノールを含む溶液（メルテックス株式会社製、商品名：エンプレート（ＥＮＰＬＡＴＥ、登録商標）ＭＬＢ−４９６Ｂ）と蒸留水の混合液に、スミアが発生したソルダーレジスト層３を６０℃にて１５分間浸漬し、スミアを膨潤させた。次いで、過マンガン酸ナトリウムを主成分とした溶液（メルテックス株式会社製、商品名：エンプレート（ＥＮＰＬＡＴＥ、登録商標）ＭＬＢ−４９７Ａ）および水酸化ナトリウムを主成分とする溶液（メルテックス株式会社製、商品名：エンプレート（ＥＮＰＬＡＴＥ、登録商標）ＭＬＢ−４９７Ｂ）と蒸留水の混合液に８０℃にて１０分間浸漬して、膨潤したスミアを分解除去した。

プリント配線板の各部の測定を行ったところ、開口部４の深さは２６．０μｍであり、開口部上部の開口幅５は１６０μｍ、開口部底部の開口幅６は１５０μｍであった。また、同様に表面粗さを測定したところ、ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．８０μｍであり、ソルダーレジスト層開口部底部１０の表面粗さＲａは０．９０μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層開口部４周辺のソルダーレジスト層表面９と、開口部４と、接続部２周囲のソルダーレジスト層開口部底部１０を顕微鏡観察したところ、ソルダーレジスト層３全面が粗面化されていた。

（比較例２）
銅張積層板（面積１７０ｍｍ×２００ｍｍ、銅箔厚１８μｍ、基材厚み０．４ｍｍ）にエッチングレジストを使用したサブトラクティブ法にて、直径５０μｍの円形の接続部２を有する回路基板を作製した。次に、ソルダーレジストフィルム（太陽インキ製造株式会社製、商品名：ＰＦＲ−８００ ＡＵＳ４１０）を上記回路基板上に真空熱圧着させた（ラミネート温度７５℃、吸引時間３０秒、加圧時間１０秒）。これにより絶縁基板１表面からソルダーレジスト層３表面までのドライ膜厚が３８．０μｍのソルダーレジスト層３を形成した。その後、密着露光機を使用し、１０００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギーにてソルダーレジスト層３全面を露光し、さらに熱風乾燥機を使用して１５０℃にて３０分の加熱を行った。

次に、ブラスト用レジストフィルム（三菱製紙株式会社製、商品名：ＭＳ７１００）を熱圧着させた。次に、接続部２の中心から外側に８０μｍ外側までの領域以外の領域に活性光線が照射されるようなパターンを有するフォトマスク８を用いて、密着露光機にて、１００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギーにて、ブラスト用レジストフィルムに露光を実施し、その後、現像処理を行い、未露光のブラスト用レジストフィルムを除去した。

次に、ブラスト用レジストフィルムの上からサンドブラスト処理（研磨材：ＳｉＣ ＃８００、ブラスト圧０．１５ＭＰａ）し、ソルダーレジスト層３に開口部４を形成した後、ブラスト用レジストフィルムを剥離した。ソルダーレジスト層表面９からソルダーレジスト層開口部底部１０までの深さを測定したところ、深さは２６．０μｍであり、開口部上部の開口幅５は１６０μｍ、開口部底部の開口幅６は１４０μｍであった。また、ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、ソルダーレジスト層開口部底部１０の表面粗さＲａは１．２０μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層開口部底部１０のソルダーレジスト層３を顕微鏡観察したところ、全面が粗面化されていた。

実施例１〜６並びに比較例１および２によって製造されたプリント配線板は、接続部２が開口部４によってソルダーレジスト層３から部分的に露出した状態であるため、このプリント配線板を使用して、開口部４において露出した接続部２をバンプまたはボールパッドとして、半田ボール等によって電子部品を接続する場合、接続部２が高密度に配置されたプリント配線板においても、接続部２と絶縁基板１との接着強度および接続部２と半田との接着強度が大きくなり、高い接続信頼性が得られる。

さらに、実施例１〜６によって作製製造されたプリント配線板は、レーザ加工、デスミア処理やサンドブラストによって、ソルダーレジスト層に開口部４を形成した比較例３および比較例４のプリント配線板と比べて、ソルダーレジスト層３の強度が高く、高い接続信頼性が得られる。

実施例１から６では、ソルダーレジスト層３の開口部４における開口部上部の開口幅５が開口部底部の開口幅６以下であるプリント配線板が得られた。これらのプリント配線板では、開口部４において露出した接続部２をバンプまたはボールパッドとして、半田ボール等によって、電子部品を接続する場合、開口部上部の開口幅５が開口部底部の開口幅６より大きい従来のプリント配線板よりも、半田と接続部２との接着強度が大きくなり、高い接続信頼性が得られる。また、実施例１〜３と実施例４〜６を比較すると、開口部上部の開口幅５が開口部底部の開口幅６より小さい実施例４〜６のプリント配線板の方が、開口部上部の開口幅５と開口部底部の開口幅６が等しい実施例１〜３のプリント配線板よりも高い接続信頼性が得られる。また、平滑化処理によって開口部の底部４の表面粗さＲａが低下した実施例２、３、５および６のプリント配線板は、実施例１、４のプリント配線板よりも、ソルダーレジスト層３の強度が高く、プリント配線板の信頼性を向上させることができる。

実施例７〜２２は、図７の製造方法で、プリント配線板を製造している。

（実施例７）
＜工程（Ａ）＞
銅張積層板（面積１７０ｍｍ×２００ｍｍ、銅箔厚１８μｍ、基材厚み０．４ｍｍ）の一部を６００μｍ×６００μｍの電子部品搭載部として想定した領域を設定し、その領域内にエッチングレジストを使用したサブトラクティブ法にて、直径１００μｍの円形の接続部２を有する回路基板を作製した。次に、ドライフィルム形状ソルダーレジスト（太陽インキ製造株式会社製、商品名：ＰＦＲ−８００ ＡＵＳ４１０）を真空熱圧着させた。これにより絶縁基板１表面からソルダーレジスト層表面９までのドライ膜厚が３８．０μｍのソルダーレジスト層３を形成した。

＜工程（Ｃ１）＞
次に、電子部品搭載部として想定した領域以外に活性光線が照射されるようなパターンを有するフォトマスク８を用いて、密着露光機にて、３００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギーにて、ソルダーレジスト層３に露光を実施した。

＜工程（Ｂ１）＞
次に、キャリアフィルムを剥離した後、１０質量％のメタケイ酸ナトリウム水溶液（液温度２５℃）に１６秒間浸漬することで、未露光部のソルダーレジスト層３を薄膜化し、ソルダーレジスト層３に第一開口部１１を形成した。ミセル除去処理、水洗処理、乾燥処理の後に、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１５．０μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６００μｍであった。

＜工程（Ｃ２）＞
次に、接続部２の端部から外側に１００μｍ外側までの領域以外に活性光線が照射されるようなパターンを有するフォトマスク８を用いて、密着露光機にて、３００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギーにて、ソルダーレジスト層３に露光を実施した。

＜工程（Ｂ２）＞
次に、１０質量％のメタケイ酸ナトリウム水溶液（液温度２５℃）に１２秒間浸漬することで、未露光部のソルダーレジスト層３を薄膜化し、ソルダーレジスト層３から接続部２を露出させた。ミセル除去処理、水洗処理、乾燥処理の後に、ソルダーレジスト層表面９から第二開口部の底部１３までの深さを測定したところ、深さは２６．０μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３００μｍであった。また、工程（Ｂ２）により、第一開口部の底部１２のソルダーレジスト層３が膜減りしたため、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１５．５μｍになっていた。さらに、超深度形状測定顕微鏡（株式会社キーエンス（ＫＥＹＥＮＣＥ）製、品番「ＶＫ−８５００」）を用いて表面粗さを測定したところ、ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．４０μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層３の開口部の周囲および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

超深度形状測定顕微鏡（株式会社キーエンス製、品番「ＶＫ−８５００」）による算術平均表面粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４ 表面粗さ−定義に準じた計算式を用いている。なお、測定領域は９００μｍ^２、基準長さは４０μｍとした。

（実施例８）
工程（Ｂ２）の後に平滑化処理（８０℃、３０秒）を行うこと以外は実施例７と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１５．５μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９から第二開口部の底部１３までの深さを測定したところ、深さは２６．０μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．４０μｍであり、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．０８μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層３の開口部の周囲および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

（実施例９）
工程（Ｂ１）の後に平滑化処理（８０℃、３０秒）を行うこと以外は実施例７と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１５．５μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９から第二開口部の底部１３までの深さを測定したところ、深さは２６．０μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．０８μｍであり、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．４０μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層３の開口部の周囲および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

（実施例１０）
工程（Ｂ１）と工程（Ｂ２）の後に平滑化処理（８０℃、３０秒）を行うこと以外は実施例７と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１５．５μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９から第二開口部の底部１３までの深さを測定したところ、深さは２６．０μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．０８μｍであり、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．０８μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層３の開口部の周囲および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

（実施例１１）
工程（Ｃ２）の露光量を２００ｍＪ／ｃｍ^２で行うこと以外は実施例７と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１６．０μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９から第二開口部の底部１３までの深さを測定したところ、深さは２６．０μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３２０μｍであった。ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．４０μｍであり、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．４０μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層３の開口部の周囲および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

（実施例１２）
工程（Ｃ２）の露光量を２００ｍＪ／ｃｍ^２で行い、工程（Ｂ２）の後に平滑化処理（８０℃、３０秒）を行うこと以外は実施例７と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１６．０μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９から第二開口部の底部１３までの深さを測定したところ、深さは２６．０μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３２０μｍであった。ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．４０μｍであり、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．０８μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層３の開口部の周囲および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

（実施例１３）
工程（Ｃ２）の露光量を２００ｍＪ／ｃｍ^２で行い、工程（Ｂ１）の後に平滑化処理（８０℃、３０秒）を行うこと以外は実施例７と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１６．０μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９から第二開口部の底部１３までの深さを測定したところ、深さは２６．０μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３２０μｍであった。ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．０８μｍであり、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．４０μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層３の開口部の周囲および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

（実施例１４）
工程（Ｃ２）の露光量を２００ｍＪ／ｃｍ^２で行い、工程（Ｂ１）と工程（Ｂ２）の後に平滑化処理（８０℃、３０秒）を行うこと以外は実施例７と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１６．０μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９から第二開口部の底部１３までの深さを測定したところ、深さは２６μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３２０μｍであった。ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．０８μｍであり、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．０８μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層３の開口部の周囲および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

（実施例１５）
工程（Ｃ１）の露光量を２００ｍＪ／ｃｍ^２で行うこと以外は実施例７と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１５．５μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６２０μｍであった。ソルダーレジスト層表面９から第二開口部の底部１３までの深さを測定したところ、深さは２６．０μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．４０μｍであり、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．４０μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層３の開口部の周囲および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

（実施例１６）
工程（Ｃ１）の露光量を２００ｍＪ／ｃｍ^２で行い、工程（Ｂ２）の後に平滑化処理（８０℃、３０秒）を行うこと以外は実施例７と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１５．５μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６２０μｍであった。ソルダーレジスト層表面９から第二開口部の底部１３までの深さを測定したところ、深さは２６．０μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．４０μｍであり、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．０８μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層３の開口部の周囲および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

（実施例１７）
工程（Ｃ１）の露光量を２００ｍＪ／ｃｍ^２で行い、工程（Ｂ１）の後に平滑化処理（８０℃、３０秒）を行うこと以外は実施例７と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１５．５μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６２０μｍであった。ソルダーレジスト層表面９から第二開口部の底部１３までの深さを測定したところ、深さは２６．０μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．０８μｍであり、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．４０μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層３の開口部の周囲および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

（実施例１８）
工程（Ｃ１）の露光量を２００ｍＪ／ｃｍ^２で行い、工程（Ｂ１）と工程（Ｂ２）の後に平滑化処理（８０℃、３０秒）を行うこと以外は実施例７と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１５．５μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６２０μｍであった。ソルダーレジスト層表面９から第二開口部の底部１３までの深さを測定したところ、深さは２６．０μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．０８μｍであり、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．０８μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層３の開口部の周囲および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

（実施例１９）
工程（Ｃ１）と工程（Ｃ２）の露光量を２００ｍＪ／ｃｍ^２で行うこと以外は実施例７と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１６．０μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６２０μｍであった。ソルダーレジスト層表面９から第二開口部の底部１３までの深さを測定したところ、深さは２６．０μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３２０μｍであった。ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．４０μｍであり、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．４０μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層３の開口部の周囲および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

（実施例２０）
工程（Ｃ１）と工程（Ｃ２）の露光量を２００ｍＪ／ｃｍ^２で行い、工程（Ｂ２）の後に平滑化処理（８０℃、３０秒）を行うこと以外は実施例７と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１６．０μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６２０μｍであった。ソルダーレジスト層表面９から第二開口部の底部１３までの深さを測定したところ、深さは２６．０μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３２０μｍであった。ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．４０μｍであり、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．０８μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層３の開口部の周囲および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

（実施例２１）
工程（Ｃ１）と工程（Ｃ２）の露光量を２００ｍＪ／ｃｍ^２で行い、工程（Ｂ１）の後に平滑化処理（８０℃、３０秒）を行うこと以外は実施例７と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１６．０μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６２０μｍであった。ソルダーレジスト層表面９から第二開口部の底部１３までの深さを測定したところ、深さは２６．０μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３２０μｍであった。ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．０８μｍであり、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．４０μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層３の開口部の周囲および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

（実施例２２）
工程（Ｃ１）と工程（Ｃ２）の露光量を２００ｍＪ／ｃｍ^２で行い、工程（Ｂ１）と工程（Ｂ２）の後に平滑化処理（８０℃、３０秒）を行うこと以外は実施例７と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１６．０μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６２０μｍであった。ソルダーレジスト層表面９から第二開口部の底部１３までの深さを測定したところ、深さは２６．０μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３２０μｍであった。ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．０８μｍであり、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．０８μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層３の開口部の周囲および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

実施例７から２２では、ソルダーレジスト層３の第一開口部上部の開口幅１５が第一開口部底部の開口幅１６以下である構造Ａを有するプリント配線板が得られた。これらのプリント配線板では、ソルダーレジスト層３とアンダーフィルとの接着強度が向上することから、プリント配線板の絶縁信頼性を向上させる効果が得られる。また、実施例７から２２によって製造されたプリント配線板は、ソルダーレジスト層３の第一開口部１１における開口部上部の開口幅１５が開口部底部の開口幅１６以下である構造Ａを有する上に、尚且つ第二開口部１４における開口部上部の開口幅１７が開口部底部の開口幅１８以下である構造Ｂを有することによって、ソルダーレジスト層３とアンダーフィルとの接着強度が向上することから、プリント配線板の絶縁信頼性を向上させることができ、尚且つ半田と接続部２との接着強度が向上することから、接続部２に配置した半田ボールを介して、電子部品を接続する場合、両者の間に高い接続信頼性を得ることができる。

また、ソルダーレジスト層３の第一開口部１１における開口部上部の開口幅１５が開口部底部の開口幅１６より小さいため、ソルダーレジスト層３がアンダーフィルに食い込み、そのアンカー効果によって、実施例１５〜２２のプリント配線板は、ソルダーレジスト層３の第一開口部１１における開口部上部の開口幅１５が開口部底部の開口幅１６と等しい実施例７〜１４のプリント配線板よりも、高い絶縁信頼性が得られる。また、ソルダーレジスト層３の第二開口部１４における開口部上部の開口幅１７が開口部底部の開口幅１８より小さいため、ソルダーレジスト層３が半田に食い込み、そのアンカー効果によって実施例１１〜１４および実施例１９〜２２のプリント配線板は、ソルダーレジスト層３の第二開口部１４における開口部上部の開口幅１７が開口部底部の開口幅１８と等しい実施例７〜１０および実施例１５〜１８のプリント配線板よりも、高い接続信頼性が得られる。

また、平滑化処理によって第一開口部の底部１２の表面粗さＲａが低下した実施例９、１３、１７、２１のプリント配線板、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａが低下した実施例８、１２、１６、２０のプリント配線板、および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３の表面粗さＲａが低下した実施例１０、１４、１８、２２のプリント配線板は、実施例７、１１、１５、１９のプリント配線板よりも、ソルダーレジスト層３の強度が高く、プリント配線板の信頼性を向上させることができる。

実施例２３〜２６は、図８の製造方法で、プリント配線板を製造している。

（実施例２３）
＜工程（Ａ１）＞
銅張積層板（面積１７０ｍｍ×２００ｍｍ、銅箔厚１８μｍ、基材厚み０．４ｍｍ）の一部を６００μｍ×６００μｍの電子部品搭載部として想定した領域を設定し、その領域内にエッチングレジストを使用したサブトラクティブ法にて、直径１００μｍの円形の接続部２を有する回路基板を作製した。次に、ドライフィルム状ソルダーレジスト（太陽インキ製造株式会社製、商品名：ＰＦＲ−８００ ＡＵＳ４１０）を真空熱圧着させた。これにより絶縁基板１表面にドライ膜厚が３８．０μｍの第一ソルダーレジスト層３−１を形成した。

＜工程（Ｃ１）＞
次に、接続部２の端部から外側に１００μｍ外側までの領域以外に活性光線が照射されるようなパターンを有するフォトマスク８を用いて、密着露光機にて、３００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギーにて、第一ソルダーレジスト層３−１に露光を実施した。

＜工程（Ｂ）＞
次に、キャリアフィルムを剥離した後、１０質量％のメタケイ酸ナトリウム水溶液（液温度２５℃）に２６秒間浸漬することで、未露光部の第一ソルダーレジスト層３−１の薄膜化処理を行った。その後、ミセル除去処理、水洗処理、乾燥処理を行い、第一ソルダーレジスト層３−１から接続部２を露出させた。第一ソルダーレジスト層３−１の表面から第二開口部の底部１３までの深さを測定したところ、深さは２５．０μｍであった。

＜工程（Ｃ２）＞
次に、接続部２の端部から外側に１００μｍ外側までの領域に活性光線が照射されるようなパターンを有するフォトマスク８を用いて、密着露光機にて、３００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギーにて、第一ソルダーレジスト層３−１に露光を実施した。

＜工程（Ａ２）＞
次に、工程（Ｃ２）が完了した第一ソルダーレジスト層３−１の上からソルダーレジストフィルム（太陽インキ製造株式会社製、商品名：ＰＦＲ−８００ ＡＵＳ４１０）を真空熱圧着させた。これにより第一ソルダーレジスト層３−１表面にドライ膜厚が１８．０μｍの第二ソルダーレジスト層３−２が形成され、絶縁基板１表面からソルダーレジスト層表面９までのドライ膜厚は５６．０μｍとなった。

＜工程（Ｃ３）＞
次に、電子部品搭載部として想定した領域以外に活性光線が照射されるようなパターンを有するフォトマスク８を用いて、密着露光機にて、３００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギーにて、第二ソルダーレジスト層３−２に露光を実施した。

＜工程（Ｄ）＞
１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度３０℃、スプレー圧０．１５ＭＰａ）を用いて５０秒間現像処理を行うことで、未露光部の第二ソルダーレジスト層３−２が除去され、第一開口部１１を形成すると共に、第二ソルダーレジスト層３−２によって覆われていた、第一ソルダーレジスト層３−１から露出した状態の接続部２と接続部周囲の第一ソルダーレジスト層３−１が再び露出した。ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１８．０μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６００μｍであった。また、工程（Ｄ）により、第二開口部の底部１３の第一ソルダーレジスト層３−１が０．５μｍ膜減りしたため、ソルダーレジスト層表面９から第二開口部の底部１３までの深さは４３．５μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３００μｍであった。

また、超深度形状測定顕微鏡（株式会社キーエンス（ＫＥＹＥＮＣＥ）製、品番「ＶＫ−８５００」）を用いて表面粗さを測定したところ、ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．０５μｍであり、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．４０μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層表面９および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

超深度形状測定顕微鏡（株式会社キーエンス製、品番「ＶＫ−８５００」）による算術平均表面粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４ 表面粗さ−定義に準じた計算式を用いている。なお、測定領域は９００μｍ^２、基準長さは４０μｍとした。

（実施例２４）
工程（Ｂ）の後に平滑化処理（８０℃、３０秒）を行うこと以外は実施例２３と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１８．０μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９から第二開口部の底部１３までの深さを測定したところ、深さは４３．５μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．０５μｍであり、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．０８μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層３の開口部の周囲および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

（実施例２５）
工程（Ｃ１）の露光量を２００ｍＪ／ｃｍ^２で行うこと以外は実施例２３と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１８．０μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９から第二開口部の底部１３までの深さを測定したところ、深さは４３．５μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３２０μｍであった。ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．０５μｍであり、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．４０μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層３の開口部の周囲および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

（実施例２６）
工程（Ｃ１）の露光量を２００ｍＪ／ｃｍ^２で行い、工程（Ｂ）の後に平滑化処理（８０℃、３０秒）を行うこと以外は実施例２３と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１８．０μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９から第二開口部の底部１３までの深さを測定したところ、深さは４３．５μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３２０μｍであった。ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．０５μｍであり、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．０８μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層３の開口部の周囲および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

実施例２３から２６では、ソルダーレジスト層３の第一開口部上部の開口幅１５が第一開口部底部の開口幅１６以下である構造Ａを有するプリント配線板が得られた。これらのプリント配線板では、ソルダーレジスト層３とアンダーフィルとの接着強度が向上することから、プリント配線板の絶縁信頼性を向上させる効果が得られる。また、実施例２３から２６によって製造されたプリント配線板は、ソルダーレジスト層３の第一開口部１１における開口部上部の開口幅１５が開口部底部の開口幅１６以下である構造Ａを有する上に、尚且つ第二開口部１４における開口部上部の開口幅１７が開口部底部の開口幅１８以下である構造Ｂを有することによって、ソルダーレジスト層３とアンダーフィルとの接着強度が向上することから、プリント配線板の絶縁信頼性を向上させることができ、尚且つ半田と接続部２との接着強度が向上することから、接続部２に配置した半田ボールを介して、電子部品を接続する場合、両者の間に高い接続信頼性を得ることができる。

また、ソルダーレジスト層３の第二開口部１４における開口部上部の開口幅１７が開口部底部の開口幅１８より小さいために、ソルダーレジスト層３が半田に食い込み、そのアンカー効果によって、実施例２５と実施例２６のプリント配線板は、ソルダーレジスト層３の第二開口部１４における開口部上部の開口幅１７が開口部底部の開口幅１８と等しい実施例２３と実施例２４のプリント配線板よりも、高い接続信頼性が得られる。また、平滑化処理によって第二開口部の底部１３の表面粗さＲａが低下した実施例２４と実施例２６のプリント配線板は、実施例２３と実施例２５のプリント配線板よりも、ソルダーレジスト層３の強度が高く、プリント配線板の信頼性を向上させることができる。

実施例２７〜３４は、図９の製造方法で、プリント配線板を製造している。

（実施例２７）
＜工程（Ａ１）＞
銅張積層板（面積１７０ｍｍ×２００ｍｍ、銅箔厚１８μｍ、基材厚み０．４ｍｍ）の一部を６００μｍ×６００μｍの部品搭載部として想定した領域を設定し、その領域内にエッチングレジストを使用したサブトラクティブ法にて、直径１００μｍの円形の接続部２を有する回路基板を製造した。次に、ドライフィルム状ソルダーレジスト（太陽インキ製造株式会社製、商品名：ＰＦＲ−８００ ＡＵＳ４１０）を真空熱圧着させた。これにより絶縁基板１表面にドライ膜厚が３８．０μｍの第一ソルダーレジスト層３−１を形成した。

＜工程（Ｂ１）＞
次に、キャリアフィルムを剥離した後、１０質量％のメタケイ酸ナトリウム水溶液（液温度２５℃）に２６秒間浸漬することで、第一ソルダーレジスト層３−１の薄膜化処理を行った。その後、ミセル除去処理、水洗処理、乾燥処理を行い、第一ソルダーレジスト層３−１から接続部２を露出させた。薄膜化処理後の第一ソルダーレジスト層３−１表面から接続部２上部までの高さを測定したところ、高さは５．０μｍであった。

＜工程（Ｃ１）＞
次に、密着露光機にて、３００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギーにて第一ソルダーレジスト層３−１の全面に露光を実施した。

＜工程（Ａ２）＞
次に、工程（Ｃ１）が完了した第一ソルダーレジスト層３−１の上からソルダーレジストフィルム（太陽インキ製造株式会社製、商品名：ＰＦＲ−８００ ＡＵＳ４１０）を真空熱圧着させた。これにより第一ソルダーレジスト層３−１表面にドライ膜厚が２８．０μｍの第二ソルダーレジスト層３−２が形成され、絶縁基板１表面から第二ソルダーレジスト層３−２の表面までのドライ膜厚は４１．０μｍとなった。

＜工程（Ｃ２）＞
次に、電子部品搭載部として想定した領域以外に活性光線が照射されるようなパターンを有するフォトマスク８を用いて、密着露光機にて、３００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギーにて、第二ソルダーレジスト層３−２に露光を実施した。

＜工程（Ｂ２）＞
次に、キャリアフィルムを剥離した後、１０質量％のメタケイ酸ナトリウム水溶液（液温度２５℃）に１９秒間浸漬することで、未露光部の第二ソルダーレジスト層３−２の薄膜化処理を行った。その後、ミセル除去処理、水洗処理、乾燥処理を行い、第一開口部１１を形成した。第二ソルダーレジスト層３−２表面から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１８．０μｍであった。

＜工程（Ｃ３）＞
次に、接続部２の端部から外側に１００μｍ外側までの領域以外に活性光線が照射されるようなパターンを有するフォトマスク８を用いて、密着露光機にて、３００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギーにて、第二ソルダーレジスト層３−２に露光を実施した。

＜工程（Ｄ）＞
１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度３０℃、スプレー圧０．１５ＭＰａ）を用いて１５秒間現像処理を行うことで、未露光部の第二ソルダーレジスト層３−２が除去され、第二ソルダーレジスト層３−２によって覆われていた、第一ソルダーレジスト層３−１から露出した状態の接続部２と接続部周囲の第一ソルダーレジスト層３−１が再び露出し、第一開口部の底部１２の第二ソルダーレジスト層３−２と第二開口部の底部１３の第一ソルダーレジスト層３−１が膜減りしていた。第一開口部の底部１２から第二開口部の底部１３までの深さは１０．０μｍであり、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１８．５μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６００μｍであった。また、ソルダーレジスト層表面９から第二開口部の底部１３までの深さは２８．５μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３００μｍであった。

また、超深度形状測定顕微鏡（株式会社キーエンス（ＫＥＹＥＮＣＥ）製、品番「ＶＫ−８５００」）を用いて表面粗さを測定したところ、ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．４０μｍであり、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．４２μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層表面９および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

超深度形状測定顕微鏡（株式会社キーエンス製、品番「ＶＫ−８５００」）による算術平均表面粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４ 表面粗さ−定義に準じた計算式を用いている。なお、測定領域は９００μｍ^２、基準長さは４０μｍとした。

（実施例２８）
工程（Ｂ１）の後に平滑化処理（８０℃、３０秒）を行うこと以外は実施例２７と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１８．５μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９から第二開口部の底部１３までの深さを測定したところ、深さは２８．５μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．４０μｍであり、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．１０μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層３の開口部の周囲および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

（実施例２９）
工程（Ｂ２）の後に平滑化処理（８０℃、３０秒）を行うこと以外は実施例２７と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１８．５μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９から第二開口部の底部１３までの深さを測定したところ、深さは２８．５μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．０８μｍであり、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．４０μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層３の開口部の周囲および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

（実施例３０）
工程（Ｂ１）と工程（Ｂ２）の後に平滑化処理（８０℃、３０秒）を行うこと以外は実施例２７と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１８．５μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９から第二開口部の底部１３までの深さを測定したところ、深さは２８．５μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．０８μｍであり、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．１０μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層３の開口部の周囲および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

（実施例３１）
工程（Ｃ２）の露光量を２００ｍＪ／ｃｍ^２で行うこと以外は実施例２７と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１８．５μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６２０μｍであった。ソルダーレジスト層表面９から第二開口部の底部１３までの深さを測定したところ、深さは２８．５μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．４０μｍであり、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．４０μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層３の開口部の周囲および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

（実施例３２）
工程（Ｂ１）の後に平滑化処理（８０℃、３０秒）を行い、工程（Ｃ２）の露光量を２００ｍＪ／ｃｍ^２で行うこと以外は実施例２７と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１８．５μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６２０μｍであった。ソルダーレジスト層表面９から第二開口部の底部１３までの深さを測定したところ、深さは２８．５μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．４０μｍであり、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．１０μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層３の開口部の周囲および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

（実施例３３）
工程（Ｃ２）の露光量を２００ｍＪ／ｃｍ^２で行い、工程（Ｂ２）の後に平滑化処理（８０℃、３０秒）を行うこと以外は実施例２７と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１８．５μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６２０μｍであった。ソルダーレジスト層表面９から第二開口部の底部１３までの深さを測定したところ、深さは２８．５μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．０８μｍであり、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．４０μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層３の開口部の周囲および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

（実施例３４）
工程（Ｂ１）と工程（Ｂ２）の後に平滑化処理（８０℃、３０秒）を行い、工程（Ｃ２）の露光量を２００ｍＪ／ｃｍ^２で行うこと以外は実施例２７と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１８．５μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６２０μｍであった。ソルダーレジスト層表面９から第二開口部の底部１３までの深さを測定したところ、深さは２８．５μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．０８μｍであり、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．１０μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層３の開口部の周囲および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

実施例２７から３４では、ソルダーレジスト層３の第一開口部上部の開口幅１５が第一開口部底部の開口幅１６以下である構造Ａを有するプリント配線板が得られた。これらのプリント配線板では、ソルダーレジスト層３とアンダーフィルとの接着強度が向上することから、プリント配線板の絶縁信頼性を向上させる効果が得られる。また、実施例２７から３４によって製造されたプリント配線板は、ソルダーレジスト層３の第一開口部１１における開口部上部の開口幅１５が開口部底部の開口幅１６以下である構造Ａを有する上に、尚且つ第二開口部１４における開口部上部の開口幅１７が開口部底部の開口幅１８以下である構造Ｂを有することによって、ソルダーレジスト層３とアンダーフィルとの接着強度が向上することから、プリント配線板の絶縁信頼性を向上させることができ、尚且つ半田と接続部２との接着強度が向上することから、接続部２に配置した半田ボールを介して、電子部品を接続する場合、両者の間に高い接続信頼性を得ることができる。

また、ソルダーレジスト層３の第一開口部１１における開口部上部の開口幅１５が開口部底部の開口幅１６より小さいため、ソルダーレジスト層３がアンダーフィルに食い込み、そのアンカー効果によって、実施例３１〜３４のプリント配線板は、ソルダーレジスト層３の第一開口部１１における開口部上部の開口幅１５が開口部底部の開口幅１６と等しい実施例２７〜３０のプリント配線板よりも、高い絶縁信頼性が得られる。また、平滑化処理によって第一開口部の底部１２の表面粗さＲａが低下した実施例２９、３３のプリント配線板、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａが低下した実施例２８、３２のプリント配線板、および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３の表面粗さＲａが低下した実施例３０、３４のプリント配線板は、実施例２７、３１のプリント配線板よりも、ソルダーレジスト層３の強度が高く、プリント配線板の信頼性を向上させることができる

実施例３５〜３６は、図１０の製造方法で、プリント配線板を製造している。

（実施例３５）
＜工程（Ａ１）＞
銅張積層板（面積１７０ｍｍ×２００ｍｍ、銅箔厚１８μｍ、基材厚み０．４ｍｍ）の一部を６００μｍ×６００μｍの電子部品搭載部として想定した領域を設定し、その領域内にエッチングレジストを使用したサブトラクティブ法にて、直径１００μｍの円形の接続部２を有する回路基板を製造した。次に、ドライフィルム状ソルダーレジスト（太陽インキ製造株式会社製、商品名：ＰＦＲ−８００ ＡＵＳ４１０）を真空熱圧着させた。これにより絶縁基板１表面にドライ膜厚が３８．０μｍの第一ソルダーレジスト層３−１を形成した。

＜工程（Ｂ１）＞
次に、キャリアフィルムを剥離した後、１０質量％のメタケイ酸ナトリウム水溶液（液温度２５℃）に２６秒間浸漬することで、第一ソルダーレジスト層３−１の薄膜化処理を行った。その後、ミセル除去処理、水洗処理、乾燥処理を行い、第一ソルダーレジスト層３−１から接続部２を露出させた。薄膜化処理後の第一ソルダーレジスト層３−１表面から接続部２上部までの高さを測定したところ、高さは５．０μｍであった。

＜工程（Ｃ１）＞
次に、密着露光機にて、３００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギーにて第一ソルダーレジスト層３−１の全面に露光を実施した。

＜工程（Ａ２）＞
次に、工程（Ｃ１）が完了した第一ソルダーレジスト層３−１の上からソルダーレジストフィルム（太陽インキ製造株式会社製、商品名：ＰＦＲ−８００ ＡＵＳ４１０）を真空熱圧着させた。これにより第一ソルダーレジスト層３−１表面にドライ膜厚が１８．０μｍの第二ソルダーレジスト層３−２が形成され、絶縁基板１表面から第二ソルダーレジスト層３−２の表面までのドライ膜厚は３１．０μｍとなった。

＜工程（Ｃ２）＞
次に、接続部２の端部から外側に１００μｍ外側までの領域以外に活性光線が照射されるようなパターンを有するフォトマスク８を用いて、密着露光機にて、３００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギーにて、第二ソルダーレジスト層３−２に露光を実施した。

＜工程（Ｄ１）＞
次に、キャリアフィルムを剥離した後、１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度３０℃、スプレー圧０．１５ＭＰａ）を用いて２２秒間現像処理を行うことで、未露光部の第二ソルダーレジスト層３−２が除去され、第二ソルダーレジスト層３−２によって覆われていた、第一ソルダーレジスト層３−１から露出した状態の接続部２と接続部周囲の第一ソルダーレジスト層３−１が再び露出し、第二開口部の底部１３の第一ソルダーレジスト層３−１が膜減りしていた。第二ソルダーレジスト層３−２表面から第二開口部の底部１３までの深さは１８．５μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３００μｍであった。

＜工程（Ａ３）＞
次に、工程（Ｄ１）が完了した第一ソルダーレジスト層３−１および第二ソルダーレジスト層３−２の上からソルダーレジストフィルム（太陽インキ製造株式会社製、商品名：ＰＦＲ−８００ ＡＵＳ４１０）を真空熱圧着させた。これにより、第一ソルダーレジスト層３−１および第二ソルダーレジスト層３−２表面にドライ膜厚が１８．０μｍの第三ソルダーレジスト層３−３が形成され、絶縁基板１表面から第三ソルダーレジスト層３−３の表面までのドライ膜厚は４９．０μｍとなった。

＜工程（Ｃ３）＞
次に、電子部品搭載部として想定した領域以外に活性光線が照射されるようなパターンを有するフォトマスク８を用いて、密着露光機にて、３００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギーにて、第三ソルダーレジスト層３−３に露光を実施した。

＜工程（Ｄ２）＞
１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度３０℃、スプレー圧０．１５ＭＰａ）を用いて３６秒間現像処理を行うことで、未露光部の第三ソルダーレジスト層３−３が除去され、第三ソルダーレジスト層３−３によって覆われていた、第二ソルダーレジスト層の表面であった第一開口部の底部１２が露出し、第一ソルダーレジスト層３−１から露出した状態の接続部２と接続部周囲の第一ソルダーレジスト層３−１（第二開口部の底部１３）が再び露出した。第三ソルダーレジスト層３−３の表面であるソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さは１８．０μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９から第二開口部の底部１３までの深さは３６．５μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３００μｍであった。

また、超深度形状測定顕微鏡（株式会社キーエンス（ＫＥＹＥＮＣＥ）製、品番「ＶＫ−８５００」）を用いて表面粗さを測定したところ、ソルダーレジスト層表面９と第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．４２μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層表面９および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

超深度形状測定顕微鏡（株式会社キーエンス製、品番「ＶＫ−８５００」）による算術平均表面粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４ 表面粗さ−定義に準じた計算式を用いている。なお、測定領域は９００μｍ^２、基準長さは４０μｍとした。

（実施例３６）
工程（Ｂ１）の後に平滑化処理（８０℃、３０秒）を行うこと以外は実施例３５と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１８．０μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９から第二開口部の底部１３までの深さを測定したところ、深さは３６．５μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．０８μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層３の開口部の周囲および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

実施例３５、３６では、ソルダーレジスト層３の第一開口部上部の開口幅１５が第一開口部底部の開口幅１６以下である構造Ａを有するプリント配線板が得られた。これらのプリント配線板では、ソルダーレジスト層３とアンダーフィルとの接着強度が向上することから、プリント配線板の絶縁信頼性を向上させる効果が得られる。また、実施例３５、３６によって製造されたプリント配線板は、ソルダーレジスト層３の第一開口部１１における開口部上部の開口幅１５が開口部底部の開口幅１６以下である構造Ａを有する上に、尚且つ第二開口部１４における開口部上部の開口幅１７が開口部底部の開口幅１８以下である構造Ｂを有することによって、ソルダーレジスト層３とアンダーフィルとの接着強度が向上することから、プリント配線板の絶縁信頼性を向上させることができ、尚且つ半田と接続部２との接着強度が向上することから、接続部２に配置した半田ボールを介して、電子部品を接続する場合、両者の間に高い接続信頼性を得ることができる。

また、平滑化処理によって第二開口部の底部１３の表面粗さＲａが低下した実施例３６のプリント配線板は実施例３５のプリント配線板よりもソルダーレジスト層３の強度が高く、プリント配線板の信頼性を向上させることができる

（比較例３）
銅張積層板（面積１７０ｍｍ×２００ｍｍ、銅箔厚１８μｍ、基材厚み０．４ｍｍ）の一部を６００μｍ×６００μｍの電子部品搭載部として想定した領域を設定し、その領域内にエッチングレジストを使用したサブトラクティブ法にて、直径１００μｍの円形の接続部２を有する回路基板を製造した。次に、ドライフィルム状ソルダーレジスト（太陽インキ製造株式会社製、商品名：ＰＦＲ−８００ ＡＵＳ４１０）を真空熱圧着させた。これにより絶縁基板１表面からソルダーレジスト層表面９までのドライ膜厚が４１．０μｍのソルダーレジスト層３を形成した。その後、密着露光機を使用し、１０００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギーにてソルダーレジスト層３全面を露光し、さらに熱風乾燥機を使用して１５０℃にて３０分の加熱を行った。

次に、電子部品搭載部として想定した領域にエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ、出力５０Ｗ）を照射し、ソルダーレジスト層３に第一開口部１１を形成した。

次に、接続部２の端部から外側に１００μｍ外側までの領域にエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ、出力５０Ｗ）を照射し、ソルダーレジスト層３から接続部２を露出させた。

レーザ光を照射したソルダーレジスト層表面９を顕微鏡観察したところ、第一開口部１１の形成と接続部２を露出させる際のレーザ光照射によって、ソルダーレジスト層表面９と第一開口部の底部１２と接続部２上部と第二開口部の底部１３にスミアが発生していた。

次に、水酸化ナトリウムを主成分とした溶液（メルテックス（Ｍｅｌｔｅｘ）株式会社製、商品名：エンプレート（ＥＮＰＬＡＴＥ、登録商標）ＭＬＢ−４９６Ａ）および１−メトキシ−２−プロパノールを含む溶液（メルテックス株式会社製、商品名：エンプレート（ＥＮＰＬＡＴＥ、登録商標）ＭＬＢ−４９６Ｂ）と蒸留水の混合液に、スミアが発生したソルダーレジスト層３を６０℃にて１５分間浸漬し、スミアを膨潤させた。次いで、過マンガン酸ナトリウムを主成分とした溶液（メルテックス株式会社製、商品名：エンプレート（ＥＮＰＬＡＴＥ、登録商標）ＭＬＢ−４９７Ａ）および水酸化ナトリウムを主成分とする溶液（メルテックス株式会社製、商品名：エンプレート（ＥＮＰＬＡＴＥ、登録商標）ＭＬＢ−４９７Ｂ）と蒸留水の混合液に８０℃にて１０分間浸漬して、膨潤したスミアを分解除去した。

また、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１８．０μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は５９０μｍであった。また、第一開口部の底部１２から接続部２周囲の第二開口部の底部１３までの深さを測定したところ、深さは１０．０μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は２９０μｍであった。また、ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．８０μｍであり、第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは０．９０μｍであった。さらに、第一開口部１１周辺のソルダーレジスト層表面９と、第一開口部１１と、接続部２周囲の第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、ソルダーレジスト層３全面が粗面化されていた。

（比較例４）
銅張積層板（面積１７０ｍｍ×２００ｍｍ、銅箔厚１８μｍ、基材厚み０．４ｍｍ）の一部を６００μｍ×６００μｍの電子部品搭載部として想定した領域を設定し、その領域内にエッチングレジストを使用したサブトラクティブ法にて、直径１００μｍの円形の接続部２を有する回路基板を製造した。次に、ソルダーレジストフィルム（太陽インキ製造株式会社製、商品名：ＰＦＲ−８００ ＡＵＳ４１０）を真空熱圧着させた。これにより絶縁基板１表面からソルダーレジスト層表面９までのドライ膜厚が４１．０μｍのソルダーレジスト層３を形成した。その後、密着露光機を使用し、１０００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギーにてソルダーレジスト層３全面を露光し、さらに熱風乾燥機を使用して１５０℃にて３０分の加熱を行った。

次に、ブラスト用レジストフィルム（三菱製紙株式会社製、商品名：ＭＳ７１００）を熱圧着させた。次に、電子部品搭載部として想定した領域以外に活性光線が照射されるようなパターンを有するフォトマスク８を用いて、密着露光機にて、１００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギーにて、ブラスト用レジストフィルムに露光を実施し、その後、現像処理を行い、未露光のブラスト用レジストフィルムを除去した。

次に、ブラスト用レジストフィルムの上からサンドブラスト処理（研磨材：ＳｉＣ ＃８００、ブラスト圧０．１５ＭＰａ）し、ソルダーレジスト層３に第一開口部１１を形成した後、ブラスト用レジストフィルムを剥離した。

次に、ブラスト用レジストフィルム（三菱製紙株式会社製、商品名：ＭＳ７１００）を真空熱圧着させた。次に、接続部２の端部から外側に１００μｍ外側までの領域以外に活性光線が照射されるようなパターンを有するフォトマスク８を用いて、密着露光機にて、１００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギーにて、ブラスト用レジストフィルムに露光を実施し、その後、現像処理を行い、未露光のブラスト用レジストフィルムを除去した。

次に、ブラスト用レジストフィルムの上からサンドブラスト処理（研磨材：ＳｉＣ ＃８００、ブラスト圧０．１５ＭＰａ）し、第一開口部の底部１２のソルダーレジスト層３に開口部を形成し接続部２を露出させた後、ブラスト用レジストフィルムを剥離した。ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１８．０μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は５８０μｍであった。また、第一開口部の底部１２から接続部２周囲の第二開口部の底部１３までの深さを測定したところ、深さは１０．０μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は２８０μｍであった。また、ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３の表面粗さＲａは１．２０μｍであった。さらに、第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３のソルダーレジスト層３を顕微鏡観察したところ、全面が粗面化されていた。

実施例７〜３６および比較例３、比較例４によって製造されたプリント配線板は、電子部品搭載部とその周囲のソルダーレジスト層３に形成された第一開口部１１を有し、尚且つ、第一開口部の底部１２に形成された第二開口部１４によって、接続部２がソルダーレジスト層３から部分的に露出した状態であるため、このプリント配線板を使用してフリップチップ接続を行った場合、電子部品と回路基板との接続信頼性を確保するために充分なアンダーフィルを注入した際に、アンダーフィルが電子部品と回路基板の空隙から周囲へ溢れて、電気的な作動に悪影響を及ぼしてしまうことを防ぐことができ、また、接続部２が高密度に配置されたプリント配線板においても、接続部２と絶縁基板１との接着強度および接続部２と半田との接着強度が大きくなり、高い接続信頼性が得られる。

さらに、実施例７〜３６によって製造されたプリント配線板は、レーザ加工、デスミア処理やサンドブラストによって、ソルダーレジスト層に第一開口部１１や第二開口部１４を形成した比較例３および比較例４のプリント配線板と比べて、ソルダーレジスト層３の強度が高く、高い接続信頼性が得られる。

実施例３７〜４０は、図１２の製造方法で、プリント配線板を製造している。

（実施例３７）
＜工程（Ａ）＞
銅張積層板（面積１７０ｍｍ×２００ｍｍ、銅箔厚１８μｍ、基材厚み０．４ｍｍ）の一部を６００μｍ×６００μｍの電子部品搭載部として想定した領域を設定し、その領域内にエッチングレジストを使用したサブトラクティブ法にて、直径１００μｍの円形の接続部２を有する回路基板を作製した。次に、ドライフィルム形状ソルダーレジスト（太陽インキ製造株式会社製、商品名：ＰＦＲ−８００ ＡＵＳ４１０）を真空熱圧着させた。これにより絶縁基板１表面からソルダーレジスト層表面９までのドライ膜厚が３８．０μｍのソルダーレジスト層３を形成した。

＜工程（Ｃ１）＞
次に、電子部品搭載部として想定した領域以外に活性光線が照射されるようなパターンを有するフォトマスク８を用いて、密着露光機にて、３００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギーにて、ソルダーレジスト層３に露光を実施した。

＜工程（Ｂ）＞
次に、キャリアフィルムを剥離した後、１０質量％のメタケイ酸ナトリウム水溶液（液温度２５℃）に１６秒間浸漬することで、未露光部のソルダーレジスト層３を薄膜化し、ソルダーレジスト層３に第一開口部１１を形成した。ミセル除去処理、水洗処理、乾燥処理の後に、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１５．０μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６００μｍであった。

＜工程（Ｃ２）＞
次に、接続部２の端部から外側に１００μｍ外側までの領域以外に活性光線が照射されるようなパターンを有するフォトマスク８を用いて、密着露光機にて、３００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギーにて、ソルダーレジスト層３に露光を実施した。

＜工程（Ｄ）＞
１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度３０℃、スプレー圧０．１５ＭＰａ）を用いて５０秒間現像処理を行うことで、未露光部のソルダーレジスト層３が除去され第二開口部１４を形成すると共に、接続部２がソルダーレジスト層３から露出し、第一開口部の底部１２のソルダーレジスト層３が膜減りしていた。ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１５．５μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６００μｍであった。また、第一開口部の底部１２から絶縁基板１表面までの深さを測定したところ、深さは２２．５μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３００μｍであった。また、超深度形状測定顕微鏡（株式会社キーエンス（ＫＥＹＥＮＣＥ）製、品番「ＶＫ−８５００」）を用いて表面粗さを測定したところ、ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．４０μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層３の開口部の周囲および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

超深度形状測定顕微鏡（株式会社キーエンス製、品番「ＶＫ−８５００」）による算術平均表面粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４ 表面粗さ−定義に準じた計算式を用いている。なお、測定領域は９００μｍ^２、基準長さは４０μｍとした。

（実施例３８）
工程（Ｂ）の後に平滑化処理（８０℃、３０秒）を行うこと以外は実施例３７と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１５．５μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６００μｍであった。また、第一開口部の底部１２から絶縁基板１表面までの深さを測定したところ、深さは２２．５μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．０８μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層３の開口部の周囲および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

（実施例３９）
工程（Ｃ１）の露光量を２００ｍＪ／ｃｍ^２で行うこと以外は実施例３７と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１５．５μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６２０μｍであった。また、第一開口部の底部１２から絶縁基板１表面までの深さを測定したところ、深さは２２．５μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．４０μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層３の開口部の周囲および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

（実施例４０）
工程（Ｃ１）の露光量を２００ｍＪ／ｃｍ^２で行い、工程（Ｂ）の後に平滑化処理（８０℃、３０秒）を行うこと以外は実施例３７と同様の方法で作製したプリント配線板の各部の測定を行ったところ、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１５．５μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は６２０μｍであった。また、第一開口部の底部１２から絶縁基板１表面までの深さを測定したところ、深さは２２．５μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は３００μｍであった。ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．０８μｍであった。さらに、ソルダーレジスト層３の開口部の周囲および第一開口部の底部１２と第二開口部の底部１３を顕微鏡観察したところ、スミアの残留は確認できなかった。

実施例３７から４０では、ソルダーレジスト層３の第一開口部上部の開口幅１５が第一開口部底部の開口幅１６以下である構造Ａを有するプリント配線板が得られた。これらのプリント配線板では、ソルダーレジスト層３とアンダーフィルとの接着強度が向上することから、プリント配線板の絶縁信頼性を向上させる効果が得られる。また、実施例３７から４０によって製造されたプリント配線板は、ソルダーレジスト層３の第一開口部１１における開口部上部の開口幅１５が開口部底部の開口幅１６以下である構造Ａを有する上に、尚且つ第二開口部１４における開口部上部の開口幅１７が開口部底部の開口幅１８以下である構造Ｂを有することによって、ソルダーレジスト層３とアンダーフィルとの接着強度が向上することから、プリント配線板の絶縁信頼性を向上させることができ、尚且つ半田と接続部２との接着強度が向上することから、接続部２に配置した半田ボールを介して、電子部品を接続する場合、両者の間に高い接続信頼性を得ることができる。

また、ソルダーレジスト層３の第一開口部１１における開口部上部の開口幅１５が開口部底部の開口幅１６より小さいため、ソルダーレジスト層３がアンダーフィルに食い込み、そのアンカー効果によって、実施例３９、４０のプリント配線板は、ソルダーレジスト層３の第一開口部１１における開口部上部の開口幅１５が開口部底部の開口幅１６と等しい実施例３７、３８のプリント配線板よりも、高い絶縁信頼性が得られる。

また、平滑化処理によって第一開口部の底部１２の表面粗さＲａが低下した実施例３８、４０のプリント配線板は、実施例３７、３９のプリント配線板よりも、ソルダーレジスト層３の強度が高く、プリント配線板の信頼性を向上させることができる。

（比較例５）
銅張積層板（面積１７０ｍｍ×２００ｍｍ、銅箔厚１８μｍ、基材厚み０．４ｍｍ）の一部を６００μｍ×６００μｍの電子部品搭載部として想定した領域を設定し、その領域内にエッチングレジストを使用したサブトラクティブ法にて、直径１００μｍの円形の接続部２を有する回路基板を製造した。次に、ドライフィルム状ソルダーレジスト（太陽インキ製造株式会社製、商品名：ＰＦＲ−８００ ＡＵＳ４１０）を真空熱圧着させた。これにより絶縁基板１表面からソルダーレジスト層表面９までのドライ膜厚が４１．０μｍのソルダーレジスト層３を形成した。その後、密着露光機を使用し、１０００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギーにてソルダーレジスト層３全面を露光し、さらに熱風乾燥機を使用して１５０℃にて３０分の加熱を行った。

次に、電子部品搭載部として想定した領域にエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ、出力５０Ｗ）を照射し、ソルダーレジスト層３に第一開口部１１を形成した。

次に、接続部２の端部から外側に１００μｍ外側までの領域にエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ、出力５０Ｗ）を照射し、ソルダーレジスト層３から接続部２を完全に露出させた。

レーザ光を照射したソルダーレジスト層表面９を顕微鏡観察したところ、第一開口部１１の形成と接続部２を露出させる際のレーザ光照射によって、ソルダーレジスト層表面９と第一開口部の底部１２と接続部２上部と第二開口部の底部１３にスミアが発生していた。

次に、水酸化ナトリウムを主成分とした溶液（メルテックス（Ｍｅｌｔｅｘ）株式会社製、商品名：エンプレート（ＥＮＰＬＡＴＥ、登録商標）ＭＬＢ−４９６Ａ）および１−メトキシ−２−プロパノールを含む溶液（メルテックス株式会社製、商品名：エンプレート（ＥＮＰＬＡＴＥ、登録商標）ＭＬＢ−４９６Ｂ）と蒸留水の混合液に、スミアが発生したソルダーレジスト層３を６０℃にて１５分間浸漬し、スミアを膨潤させた。次いで、過マンガン酸ナトリウムを主成分とした溶液（メルテックス株式会社製、商品名：エンプレート（ＥＮＰＬＡＴＥ、登録商標）ＭＬＢ−４９７Ａ）および水酸化ナトリウムを主成分とする溶液（メルテックス株式会社製、商品名：エンプレート（ＥＮＰＬＡＴＥ、登録商標）ＭＬＢ−４９７Ｂ）と蒸留水の混合液に８０℃にて１０分間浸漬して、膨潤したスミアを分解除去した。

また、ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１８．０μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は５９０μｍであった。また、第一開口部の底部１２から絶縁基板１表面までの深さを測定したところ、深さは２３．０μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は２９０μｍであった。また、ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．８０μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは０．９０μｍであった。さらに、第一開口部１１周辺のソルダーレジスト層表面９と第一開口部１１を顕微鏡観察したところ、ソルダーレジスト層３全面が粗面化されていた。

（比較例６）
銅張積層板（面積１７０ｍｍ×２００ｍｍ、銅箔厚１８μｍ、基材厚み０．４ｍｍ）の一部を６００μｍ×６００μｍの電子部品搭載部として想定した領域を設定し、その領域内にエッチングレジストを使用したサブトラクティブ法にて、直径１００μｍの円形の接続部２を有する回路基板を製造した。次に、ソルダーレジストフィルム（太陽インキ製造株式会社製、商品名：ＰＦＲ−８００ ＡＵＳ４１０）を真空熱圧着させた。これにより絶縁基板１表面からソルダーレジスト層表面９までのドライ膜厚が４１．０μｍのソルダーレジスト層３を形成した。その後、密着露光機を使用し、１０００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギーにてソルダーレジスト層３全面を露光し、さらに熱風乾燥機を使用して１５０℃にて３０分の加熱を行った。

次に、ブラスト用レジストフィルム（三菱製紙株式会社製、商品名：ＭＳ７１００）を熱圧着させた。次に、電子部品搭載部として想定した領域以外に活性光線が照射されるようなパターンを有するフォトマスク８を用いて、密着露光機にて、１００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギーにて、ブラスト用レジストフィルム層３に露光を実施し、その後、現像処理を行い、未露光のブラスト用レジストフィルムを除去した。

次に、ブラスト用レジストフィルムの上からサンドブラスト処理（研磨材：ＳｉＣ ＃８００、ブラスト圧０．１５ＭＰａ）し、ソルダーレジスト層３に第一開口部１１を形成した後、ブラスト用レジストフィルムを剥離した。

次に、ブラスト用レジストフィルム（三菱製紙株式会社製、商品名：ＭＳ７１００）を真空熱圧着させた。次に、接続部２の端部から外側に１００μｍ外側までの領域以外に活性光線が照射されるようなパターンを有するフォトマスク８を用いて、密着露光機にて、１００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギーにて、ブラスト用レジストフィルムに露光を実施し、その後、現像処理を行い、未露光のブラスト用レジストフィルムを除去した。

次に、ブラスト用レジストフィルムの上からサンドブラスト処理（研磨材：ＳｉＣ ＃８００、ブラスト圧０．１５ＭＰａ）し、第一開口部の底部１２のソルダーレジスト層３に開口部を形成し接続部２を露出させた後、ブラスト用レジストフィルムを剥離した。ソルダーレジスト層表面９から第一開口部の底部１２までの深さを測定したところ、深さは１８．０μｍであり、第一開口部上部の開口幅１５は６００μｍ、第一開口部底部の開口幅１６は５８０μｍであった。また、第一開口部の底部１２から絶縁基板１表面までの深さを測定したところ、深さは２３．０μｍであり、第二開口部上部の開口幅１７は３００μｍ、第二開口部底部の開口幅１８は２８０μｍであった。また、ソルダーレジスト層表面９の表面粗さＲａは０．０３μｍであり、第一開口部の底部１２の表面粗さＲａは１．２０μｍであった。さらに、第一開口部の底部１２のソルダーレジスト層３を顕微鏡観察したところ、全面が粗面化されていた。

実施例３７〜４０および比較例５〜６によって製造されたプリント配線板は、電子部品搭載部とその周囲のソルダーレジスト層３に形成された第一開口部１１を有し、尚且つ、第一開口部の底部１２に形成された第二開口部１４によって、接続部２がソルダーレジスト層３から露出した状態であるため、このプリント配線板を使用してフリップチップ接続を行った場合、電子部品と回路基板との接続信頼性を確保するために充分なアンダーフィルを注入した際に、アンダーフィルが電子部品と回路基板の空隙から周囲へ溢れて、電気的な作動に悪影響を及ぼしてしまうことを防ぐことができ、また、接続部２が高密度に配置されたプリント配線板においても、接続部２と半田との接着強度が大きくなり、高い接続信頼性が得られる。

さらに、実施例３７〜４０によって製造されたプリント配線板は、レーザ加工、デスミア処理やサンドブラストによって、ソルダーレジスト層に第一開口部１１や第二開口部１４を形成した比較例５および６のプリント配線板と比べて、ソルダーレジスト層３の強度が高く、高い接続信頼性が得られる。

本発明は、電子部品を接続する接続部を設けたプリント配線板に利用することができる。

１ 絶縁基板
２ 導体回路（接続部）
３ ソルダーレジスト層
４ 開口部
５ 開口部上部の開口幅
６ 開口部底部の開口幅
７ 活性光線
８ フォトマスク
９ ソルダーレジスト層表面
１０ ソルダーレジスト層開口部底部
１１ 第一開口部
１２ 第一開口部の底部
１３ 第二開口部の底部
１４ 第二開口部
１５ 第一開口部上部の開口幅
１６ 第一開口部底部の開口幅
１７ 第二開口部上部の開口幅
１８ 第二開口部底部の開口幅
１９ 導体回路
２０ ダム構造

Claims (5)

1. 絶縁基板上に電子部品を接続する接続部が形成された回路基板を有し、回路基板表面に開口部を有するソルダーレジスト層を有し、開口部において接続部がソルダーレジスト層から部分的に露出しているプリント配線板であって、ソルダーレジスト層の開口部における開口部上部の開口幅が開口部底部の開口幅以下である構造を有することを特徴とするプリント配線板。
2. ソルダーレジスト層表面およびソルダーレジスト層開口部底部の表面粗さＲａが０．５０μｍ以下である請求項１記載のプリント配線板。
3. 絶縁基板上に電子部品を接続する接続部が形成された回路基板を有し、回路基板表面にソルダーレジスト層を有し、電子部品搭載部とその周囲のソルダーレジスト層が開口されてなる第一開口部を有し、第一開口部の底部のソルダーレジスト層の一部が開口されてなる第二開口部を有し、第二開口部において接続部がソルダーレジスト層から露出しているプリント配線板であって、第一開口部における開口部上部の開口幅が開口部底部の開口幅以下である構造Ａと、第二開口部における開口部上部の開口幅が開口部底部の開口幅以下である構造Ｂとからなる群から選ばれる少なくとも一つの構造を有することを特徴とするプリント配線板。
4. ソルダーレジスト層表面と第一開口部底部と第二開口部底部とからなる群から選ばれる少なくともひとつの面の表面粗さＲａが０．５０μｍ以下である請求項３記載のプリント配線板。
5. 第二開口部において、接続部の表面全体と側面の一部がソルダーレジスト層から露出している請求項３又は４記載のプリント配線板。