JP2015041447A - 立体形状のセラミックスヒーター - Google Patents
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Abstract
Description
しかし、このセラミックスヒーターは、半導体ウェーハ又は薄膜を形成する際の基板を均熱加熱するために用いられる平板状のヒーターであるから、このセラミックスヒーターを真空蒸着装置の原料ルツボを加熱するためにそのまま適用することはできない。また、加熱温度が1000℃以上に昇温される原料ルツボの加熱に適用したとしても、このセラミックスヒーターのヒーターパターンでは、その折り返し部で流れる電流が内周側に片寄って折り返し部の内周側が局所的に発熱し、外周側では低温化してしまうために、長期間に亘って安定的に使用する上でその耐久性や寿命の点で問題がある。
そして、この改善例のように、電流経路が分割されていれば、電流経路が分割されている範囲内に含まれる折り返し部の数が奇数の場合でも、分割部分の全長が長いために、それぞれの電流経路の抵抗値の差は僅かとなるから、局所発熱を防止するためには、より一層効果的である。
n列目の電流経路の電力 Pn=V×In=V2/Rn
n列目の電流経路の抵抗値 Rn=ρ×Ln/Wn×T
n列目の電流経路の面積 Sn=Wn×Ln
n列目の電流経路の電力密度 Xn=Pn/Sn
ここで、
In:n列目の電流経路を流れる電流
Ln:n列目の電流経路の全長(破線の全長)
Wn:n列目の電流経路の幅
V :分割された電流経路の両端A−A’間の電圧
T :発熱体の厚さ
ρ :発熱体の抵抗率
したがって、以上の関係式から、n列目の分割された電流経路の電力密度Xnは、
Xn=Pn/Sn=(V2×T/ρ)×1/Ln2
の式から求めることができる。
実施例1では、アンモニア4SLMと三塩化ホウ素2SLMを圧力10Torr、温度1900℃で反応させて直径145mm、厚さ1mmの熱分解窒化ホウ素製円板を作製した。次に、この円板上にメタンを圧力5Torr、温度1750℃で熱分解させて厚さ50μmの熱分解グラファイト層を設け、これに機械加工を施して、幅8mmの発熱体が円板の径方向に配列するヒーターパターンを形成した。ヒーターパターン上に形成される折り返し部の1対は、図9(a)に示すように、1対の折り返し部が向かい合う位置Eから30mm離れた地点まで、幅4mmの内周側の電流経路18と幅4mmの外周側の電流経路19の二つの電流経路に分割されている。そして、このセラミックスヒーター上にアンモニア5SLMと三塩化ホウ素2SLMを圧力10Torr、温度1890℃の条件で反応させて熱分解窒化ホウ素の絶縁層を被覆し、セラミックスヒーターを完成させた。この実施例1のセラミックスヒーターについて、上記式1の電力密度比を求めたところ、内側経路の電力密度比は1.30であり、外側経路の電力密度比は0.70であるから、本発明の上記式1を満足するものであった。
比較例1では、実施例1と同様にしてセラミックスヒーターを製作したが、図9(b)に示すように、1対の折り返し部が向かい合う位置Fから15mm離れた地点まで、内側電流経路18と外側電流経路19の二つの電流経路に分割されている。この比較例1のセラミックスヒーターについて、上記式1の電力密度比を求めたところ、内側経路の電力密度比は1.56であり、外側経路の電力密度比は0.44であるから、本発明の範囲外であった。
比較例2では、実施例1と同様にしてセラミックスヒーターを製作したが、図9(c)に示すように、折り返し部での流経路の分割を行わなかった。このセラミックスヒーターを真空チャンバーにセットし、ヒーターに温度測定用の熱電対を取り付けた後に、真空ポンプでチャンバー内部を1Paに減圧した。その後このヒーターに通電して1000℃に昇温した。図9(c)は、1000℃に昇温中のセラミックスヒーターの折り返し部の外観写真であるが、発熱体を流れる電流は、折り返し部の最内周側に集中し、局所発熱(矢印部分)が観察された。
実施例2では、アンモニア4SLMと三塩化ホウ素2SLMを圧力10Torr、温度1900℃で反応させて外径85mm、高さ200mm、厚さ1.3mmの熱分解窒化ホウ素製円筒を作製した。次に、この円板上にメタンを圧力5Torr、温度1750℃で熱分解させて厚さ40μmの熱分解グラファイト層を設け、これに機械加工を施して図4に示すヒーターパターンを形成した。これは、電力供給端子間に分割された二つの電流経路を有するヒーターパターンにおいて、片側の電力供給端子に隣接する折り返し部からもう一方の電力供給端子に隣接する折り返し部まで、電流の流れる方向に沿って連続して2つの電流経路16と17に分割されたヒーターパターンであり、また、折り返し部14とこれに隣接する電力供給端子の間及び折り返し部15とこれに隣接する電力供給端子の間も、2つの電流経路16と17に分割されたヒーターパターンである。電流経路16と17は、いずれも幅が7.3mmであり、電流経路16の全長は141.9cm、また電流経路17の全長は145.2cmである。
比較例3では、実施例1と同様にして熱分解窒化ホウ素製円筒を作製し、円板上に熱分解グラファイト層を設けた。これに機械加工を施して図7に示すヒーターパターンを形成した。これは、電力供給端子間に二つの電流経路はあるが、それぞれの電流経路において折り返し部で分割を行わなかったヒーターパターンである。そして、実施例1と同様にして熱分解窒化ホウ素の絶縁層を被覆し、セラミックスヒーターを完成させた。
2a 溝部
2b 発熱体
3、5、14、15 折り返し部
4 折り返し部の内周側
6、11、12、16、18 内周側の電流経路
7、10、13、17、19 外周側の電流経路
8、9 電流
Claims (9)
- 立体形状の電気絶縁性セラミックスからなる支持基材と、該支持基材上に設けられた導電性セラミックスから成り、折り返し部を含むヒーターパターンが形成された薄膜状の発熱体と、該発熱体上に設けられた電気絶縁性セラミックスからなる絶縁層と、前記発熱体を電源に接続するための電力供給端子とを有するセラミックスヒーターであって、前記ヒーターパターンの折り返し部が電流の流れる方向に沿って複数の電流経路に分割されていると共に、該電流経路の一つの分割区間がN列(Nは2以上の整数)の電流経路に分割されるときに、n列目(nは1〜N)の電流経路の電力密度Xnが、次の式1を満たすことを特徴とする立体形状のセラミックスヒーター。
- 前記ヒーターパターンは、隣り合う折り返し部の間で、電流の流れる方向に沿って複数の電流経路に連続して分割されていることを特徴とする請求項1に記載の立体形状のセラミックスヒーター。
- 前記ヒーターパターンは、一方の電力供給端子に隣接する折り返し部から他のもう一方の電力供給端子に隣接する折り返し部まで、電流の流れる方向に沿って複数の電流経路に連続して分割されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の立体形状のセラミックスヒーター。
- 前記ヒーターパターンは、分割された前記電流経路の範囲内に偶数個の折り返し部を含むことを特徴とする請求項2又は3に記載の立体形状のセラミックスヒーター。
- 前記ヒーターパターンは、電力供給端子と該電力供給端子に隣接する折り返し部の間で電流の流れる方向に沿って複数の電流経路に分割されていることを特徴とする請求項1乃至4の何れかに記載の立体形状のセラミックスヒーター。
- 前記立体形状は、円筒形状、有底容器形状、ボート形状又は樋状の何れかであることを特徴とする請求項1乃至5の何れかに記載の立体形状のセラミックスヒーター。
- 前記支持基材は、その形状が円筒形状である場合に、該円筒形状の円筒外面各部の直径のバラツキが±0.025mmの範囲内であることを特徴とする請求項6に記載の立体形状のセラミックスヒーター。
- 前記支持基材は、熱分解窒化ホウ素からなり、前記発熱体は、熱分解グラファイト、ホウ素及び/又は炭化ホウ素を含有する熱分解グラファイトの何れか1種からなり、前記絶縁層は、熱分解窒化ホウ素又は炭素を含有する熱分解窒化ホウ素の何れか1種からなることを特徴とする請求項1乃至7の何れかに記載の立体形状のセラミックスヒーター。
- Ag、Al、Au、Cr、Cu、Ga、Ge、In、Siの何れか1種の蒸着原料を溶融又は昇華させるために、該蒸着原料が収容される真空蒸着装置の原料ルツボを1000℃以上の温度に加熱するために使用されることを特徴とする請求項1乃至8の何れかに記載の立体形状のセラミックスヒーター。
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