JP2015040985A - マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 Download PDFInfo
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
【解決手段】透光性基板の主表面の表面形状データを取得する工程と、前記透光性基板を露光装置のマスクステージにチャックした時のチャック後の前記透光性基板の主表面形状をシミュレーションにより取得する工程と、極座標系で表現されたゼルニケ多項式によって定義される光学的に実効的な平坦基準面となる仮想基準面を設定する工程と、前記シミュレーションにより取得された透光性基板主表面の形状と前記基準面との差分の最大値と最小値の差のデータ(PV値)を取得する工程と、その値(PV値)が所定の値以下となるマスクブランク用基板を選定する工程、とからなる。
【選択図】図2
Description
(構成1)
対向する1組の主表面を有する透光性基板の一方の主表面に転写パターン形成用の薄膜が設けられたマスクブランクの製造に用いられるマスクブランク用基板の製造方法であって、
前記透光性基板における薄膜が設けられる側の主表面の表面形状を取得する形状測定工程と、
前記透光性基板を露光装置のマスクステージにチャックしたときにおけるチャック後主表面形状をシミュレーションにより得るシミュレーション工程と、
前記チャック後主表面形状を、前記透光性基板の中心を基準とした所定の直径を有する円の内側の算出領域で、極座標系で表現されたゼルニケ多項式によって定義される仮想基準面に対して形状フィッティングを行い、前記チャック後主表面形状と前記仮想基準面との差分データを取得する工程と、
前記差分データの前記算出領域内での最高高さと最低高さとの差が、所定値以下となる表面形状を有する前記透光性基板を選定する工程と
を有することを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
前記所定値は、露光転写に用いられる露光光の波長λの1/8であることを特徴とする構成1記載のマスクブランク用基板の製造方法。
前記所定の直径は、104mmであることを特徴とする構成1または2記載のマスクブランク用基板の製造方法。
前記仮想基準面は、半径に係る変数の次数が2次以下の項のみで構成され、かつ半径に係る変数の次数が2次の項を1以上含むゼルニケ多項式によって定義される形状を有することを特徴とする構成1から3のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
前記差分形状から算出される決定係数R2が0.9以上であることを特徴とする構成1から4のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
前記チャック後主表面形状における前記透光性基板の中心を基準とした一辺が132mmの四角形の内側領域で算出された平坦度は0.2μm以下であることを特徴とする構成1から5のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
前記選定された透光性基板と、当該透光性基板に対して形状フィッティングを行った前記仮想基準面におけるゼルニケ多項式に係る情報とを対応付けして記録装置に記録する工程を有することを特徴とする構成1から6のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
構成1から7のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法で製造されたマスクブランクの一方の主表面に前記転写パターン形成用の薄膜を設ける工程を備えることを特徴とするマスクブランクの製造方法。
対向する1組の主表面を有する透光性基板の一方の主表面に転写パターン形成用の薄膜が設けられたマスクブランクの製造方法であって、
前記マスクブランクにおける前記薄膜の表面形状を取得する形状測定工程と、
前記マスクブランクを露光装置のマスクステージにチャックしたときにおけるチャック後表面形状をシミュレーションにより得るシミュレーション工程と、
前記チャック後表面形状を、前記透光性基板の中心を基準とした所定の直径を有する円の内側の算出領域で、極座標系で表現されたゼルニケ多項式によって定義される仮想基準面に対して形状フィッティングを行い、前記チャック後表面形状と前記仮想基準面との差分データを取得する工程と、
前記差分データの前記算出領域内での最高高さと最低高さとの差が、所定値以下となる表面形状を有する前記マスクブランクを選定する工程と
を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
前記所定値は、露光転写に用いられる露光光の波長λの1/8であることを特徴とする構成9記載のマスクブランクの製造方法
前記所定の直径は、104mmであることを特徴とする構成9または10記載のマスクブランクの製造方法。
前記仮想基準面は、半径に係る変数の次数が2次以下の項のみで構成され、かつ半径に係る変数の次数が2次の項を1以上含むゼルニケ多項式によって定義される形状を有することを特徴とする構成9から11のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
前記差分形状から算出される決定係数R2が0.9以上であることを特徴とする構成9から12のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
前記チャック後主表面形状における前記透光性基板の中心を基準とした一辺が132mmの四角形の内側領域で算出された平坦度は0.2μm以下であることを特徴とする構成9から13のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
前記選定されたマスクブランクと、当該マスクブランクに対して形状フィッティングを行った前記仮想基準面におけるゼルニケ多項式に係る情報とを対応付けして記録装置に記録する工程を有することを特徴とする構成9から14のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
構成8から15のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法で製造されたマスクブランクの前記薄膜に転写パターンを形成する工程を備えることを特徴とする転写用マスクの製造方法。
構成16に記載の転写用マスクを露光装置のマスクステージにチャックし、リソグラフィー法により前記転写用マスクの転写パターンを半導体基板上にパターン転写する露光工程を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
前記露光装置は、前記転写用マスクの転写パターンから透過した透過光の波面に対し、ゼルニケ多項式で定義される形状の波面補正を行う機能を有し、かつ、マスクステージが前記シミュレーション工程で用いたものと同じ形状を有するものであることを特徴とする構成17記載の半導体デバイスの製造方法。
構成7記載のマスクブランク用基板の製造方法で製造されたマスクブランク用基板の一方の主表面に前記転写パターン形成用の薄膜を設けてマスクブランクを製造する工程と、
前記製造されたマスクブランクの前記転写パターン形成用の薄膜に転写パターンを形成して転写用マスクを製造する工程と、
製造された前記転写用マスクを露光装置のマスクステージにチャックし、リソグラフィー法により前記転写用マスクの転写パターンを半導体基板上にパターン転写する露光工程とを有し、
前記露光装置は、前記転写用マスクの転写パターンから透過した透過光の波面に対し、ゼルニケ多項式で定義される形状の波面補正を行う機能を有し、かつ、マスクステージが前記シミュレーション工程で用いたものと同じ形状を有するものであり、
前記露光工程は、前記マスクブランク用基板に対応付けされている前記仮想基準面におけるゼルニケ多項式に係る情報を用い、前記転写用マスクの転写パターンから透過した透過光の波面に対して補正を行うことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
構成15記載のマスクブランクの製造方法で製造されたマスクブランクの前記転写パターン形成用の薄膜に転写パターンを形成して転写用マスクを製造する工程と、
製造された前記転写用マスクを露光装置のマスクステージにチャックし、リソグラフィー法により前記転写用マスクの転写パターンを半導体基板上にパターン転写する露光工程とを有し、
前記露光装置は、前記転写用マスクの転写パターンから透過した透過光の波面に対し、ゼルニケ多項式で定義される形状の波面補正を行う機能を有し、かつ、マスクステージが前記シミュレーション工程で用いたものと同じ形状を有するものであり、
前記露光工程は、前記マスクブランクに対応付けされている前記仮想基準面におけるゼルニケ多項式に係る情報を用い、前記転写用マスクの転写パターンから透過した透過光の波面に対して補正を行うことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
ここでは、マスクブランク用基板及びその製造方法に関して説明する。最初に本発明の構成概念を説明し、その後、その概念に基づいて実施した実施例を比較例とともに示す。
以上のマスクブランク用基板の製造方法により、実用的に極めて高い平坦度を有するマスクブランク用基板が、高いスループットを持って製造することが可能となる。ArFエキシマ露光の場合のλ/8は25nm(小数点以下切上げ)であり、従来法より格段に高い光学的平坦度が、マスクブランク用基板の加工時のスループットを低下させることなく得られ、また、製造装置設備負担も抑えることが可能となる。
本発明のマスクブランクの製造方法は、前述のマスクブランク用基板の製造方法で製造されたマスクブランク用基板の一方の主表面に転写パターン形成用の薄膜を設ける工程を備えることを特徴としている。
(1)遷移金属を含む材料からなる遮光膜を備えたバイナリマスクブランク
かかるバイナリマスクブランクは、透光性基板上に遮光膜(転写パターン形成用の薄膜)を有する形態のものであり、この遮光膜は、クロム、タンタル、ルテニウム、タングステン、チタン、ハフニウム、モリブデン、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、パラジウム、ロジウム等の遷移金属単体あるいはその化合物を含む材料からなる。例えば、クロムや、クロムに酸素、窒素、炭素などの元素から選ばれる1種以上の元素を添加したクロム化合物で構成した遮光膜が挙げられる。また、例えば、タンタルに、酸素、窒素、ホウ素などの元素から選ばれる1種以上の元素を添加したタンタル化合物で構成した遮光膜が挙げられる。かかるバイナリマスクブランクは、遮光膜を、遮光層と表面反射防止層の2層構造や、さらに遮光層と基板との間に裏面反射防止層を加えた3層構造としたものなどがある。また、遮光膜の膜厚方向における組成が連続的又は段階的に異なる組成傾斜膜としてもよい。
かかる位相シフトマスクブランクとしては、透光性基板(ガラス基板)上に光半透過膜(転写パターン形成用の薄膜)を有する形態のものであって、該光半透過膜をパターニングしてシフタ部を設けるタイプであるハーフトーン型位相シフトマスクが作製される。かかる位相シフトマスクにおいては、光半透過膜を透過した光に基づき転写領域に形成される光半透過膜パターンによる被転写基板のパターン不良を防止するために、透光性基板上に光半透過膜とその上の遮光膜(遮光帯)とを有する形態とするものが挙げられる。また、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクのほかに、透光性基板をエッチング等により掘り込んでシフタ部を設ける基板掘り込みタイプであるレベンソン型位相シフトマスク用やエンハンサー型位相シフトマスク用のマスクブランクが挙げられる。
この遮光膜(転写パターン形成用の薄膜)は、遷移金属及びケイ素の化合物を含む材料からなり、これらの遷移金属及びケイ素と、酸素又は窒素のうちの少なくとも1つ以上を主たる構成要素とする材料が挙げられる。また、遮光膜は、遷移金属と、酸素、窒素又はホウ素のうちの少なくとも1つ以上を主たる構成要素とする材料が挙げられる。遷移金属には、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、ハフニウム、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、クロム等が適用可能である。特に、遮光膜をモリブデンシリサイドの化合物で形成する場合であって、遮光層(MoSi等)と表面反射防止層(MoSiON等)の2層構造や、さらに遮光層と基板との間に裏面反射防止層(MoSiON等)を加えた3層構造がある。また、遮光膜の膜厚方向における組成が連続的又は段階的に異なる組成傾斜膜としてもよい。
光半透過膜と遮光膜との間に、遮光膜や光半透過膜に対してエッチング耐性を有するエッ
チングストッパー膜を設けてもよい。エッチングストッパー膜は、エッチングストッパー
膜をエッチングするときにエッチングマスク膜を同時に剥離することができる材料として
もよい。
本発明の転写用マスクの製造方法は、前記のマスクブランクの製造方法で製造されたマスクブランクの薄膜に転写パターンを形成する工程を備えることを特徴としている。以下、マスクブランクから転写用マスクを製造する工程について説明する。なお、ここで使用するマスクブランクは、前述(2)の位相シフトマスクブランクであり、透光性基板上に、光半透過膜(転写パターン形成用の薄膜)と遮光膜が順に積層した構造を備える。また、この転写用マスク(位相シフトマスク)の製造方法は一例であり、一部の手順を変えても製造することは可能である。
ここでは、前述の方法で製造したマスクを用いた露光方法及びそれを用いたデバイスの製造方法について述べる。
最初に、露光装置の光学系部分の概要を装置構成の概要を断面図にして示した装置構成概要図である図9を参照しながら説明する。露光装置の光学系部分は以下の構成になっている。光源31から露光光32が発せられ、照明光学系33を介して転写用マスク34に露光光が照射される。転写用マスク34を透過した露光光は投影レンズ35及び38を介してウエハステージ39上に載置されたウエハ40上に照射されて露光が行われる。投影レンズ35及び38の間にある瞳36部分には一般的に可動絞りが設置されていて投影レンズの開口数(NA:Numerical Aperture)が調整できるようになっている。投影レンズ35及び38はこの図では各々1枚のレンズで描かれているが実際には多数のレンズ群から成り立っており、その相互位置は一部微動できるようになっていて低次を中心としたレンズ収差の補正ができる機構が組み込まれている。また、瞳36の近傍には位相フィルタ37が組み込まれていて、この位相フィルタ37を調整することによって高次のレンズ収差、特にレンズ部分ヒーティングによる高次収差のリアルタイム補正が可能なようになっている。
<ハーフトーン型位相シフトマスクのサブピーク転写回避例>
ここで示すのは、ハーフトーン型位相シフトマスクを用いた時にしばしば問題となるサブピーク転写不良を改善した例である。ウエハ用レジストとしてポジレジストを用いた場合、サブピーク現象によってレジスト部であるべき場所にレジストくぼみが生じることがある。このくぼみは被加工膜のエッチングの際に突き抜けを起こし、デバイス回路の欠陥の巣となって、デバイスの製造歩留まりを落としたり、回路動作の不安定要因になったりする。レジスト膜厚を厚くできればこの問題は解消されるが、レジスト解像度の問題やパターン倒れの問題などがあってレジストを厚くすることは困難である。この問題の解決法の一つはレンズに低次の収差を与え、サブピークが出にくくすることであるが、一方でこの方法では露光裕度、特にフォーカス裕度が小さくなる。したがってマスクブランク用基板や転写用マスクに対してはより厳しい平坦度が要求される。そこで、本実施の形態のマスクブランク用基板及び転写用マスクを用い、このマスクブランク用基板や転写用マスクに対して光学平坦面を与えるべく投影レンズに対し、極座標表示のゼルニケ多項式によって定義される収差補正を加え、さらにその補正の上にサブピーク転写防止の低次の補正を加えて露光を行った。その結果、必要な焦点裕度を確保した上で、上記ハーフトーン型位相シフトマスクを用いた時のサブピーク転写の問題を回避することができた。これは、本実施の形態のマスクブランク用基板及び転写用マスクでは、光学平坦度λ/8以下が達成されることによる。
ここで示すのは、露光装置の品質管理(QC:Quality Control)に適用した例である。露光装置の投影レンズの高次の収差補正は前述の通り、露光状況に応じて逐次調整されるものであるが、半径に係る変数の次数が2次以下の項のみで構成され、かつ半径に係る変数の次数が2次の項を1以上含むゼルニケ多項式で記述されるような低次の項は、前述のように半導体デバイスの適用層によっては変化させるが、露光装置管理という観点では基準値は半固定で運用すべきものである。通常はこれらの低次のレンズ収差補正は経時的に変化しないものであるが、停電や、温度調整チャンバーの異常停止による露光装置の温度環境変化、及び地震などが起こると変化が生じる。そこで、露光装置の低次のレンズ収差補正管理のQCが必要になるが、このQCには極めて平坦で、波面の揃った基準マスクが必要となる。レンズ収差の評価であるため、そこで使用する基準マスクに関しては、高度な光学測定器に要求されるのと同様の光学平坦度λ/8以下の平坦性が要求される。本実施の形態のマスクブランク用基板及び転写用マスクはこの要求を満たすので、露光装置のレンズ収差補正機能調整に最適であった。
ここでは、露光装置のレンズ収差補正機能調整に適用した例を示す。上記の通り、露光装置にはレンズ収差補正機能が組み込まれている。この機能を調整、評価するにあたっては極めて平坦で、波面収差の源とならない基準マスクが必要となる。レンズ収差の評価であるため、そこで使用する基準マスクに関しては、高度な光学測定器に要求されるのと同様の光学平坦度λ/8以下の平坦性が要求される。本実施の形態のマスクブランク用基板及び転写用マスクはこの要求を満たすので、露光装置のレンズ収差補正機能調整に最適であった。
本実施の形態のマスクブランク用基板の製造方法に従って3枚のマスクブランク用基板のサンプルを作成し、評価を行った。サンプルAが実施例、サンプルB及びCの2枚が参考例の位置づけとなる。マスクブランク用基板選別まで、この3枚は全て以下に示す同一の工程で製造した。
研磨パッド:軟質ポリシャ(スウェードタイプ)
研磨液:コロイダルシリカ砥粒(平均粒径100nm)と水
加工圧力:50〜100g/cm2
加工時間:60分
超精密研磨終了後、ガラス基板を希フッ酸液中に浸漬させてコロイダルシリカ砥粒を除去する洗浄を行った。その後、ガラス基板の主表面及び端面に対してスクラブ洗浄を行い、その後純水によるスピン洗浄、及びスピン乾燥を行って、表面が研磨加工されたガラス基板を3枚準備した。そしてそのガラス基板の表面形状(フラットネス)をフリースタンディング状態で平坦度測定装置(Corning Tropel社製 UltraFlat200M)を用いて実測した。
サンプルA、B及びCの機械的平坦度の実測値、すなわち、マスクステージへチャックする前のフリー状態の機械的平坦度は、最高点の絶対値と最低点での絶対値の和であるTIR(Total Indicator Reading)で表して、転写露光領域(ショット領域)が収まる132mm×132mm領域の場合は、順番に、358nm、195nm及び266nmであり、また、104mm直径の円領域の場合は順番に、190nm、87nm及び147nmであった。
ここでは、ハーフトーン用マスクブランクを製造した例を示す。まず前述の方法で製造し、選別基準を通過したマスクブランク用基板(実施例サンプルA、B)を準備し、その上に窒化されたモリブデン及びシリコンからなる光半透過膜を形成した。具体的には、モリブデン(Mo)とシリコン(Si)との混合ターゲット(Mo:Si=10mol%:90mol%)を用い、アルゴン(Ar)と窒素(N2)とヘリウム(He)との混合ガス雰囲気(ガス流量比 Ar:N2:He=5:49:46)で、ガス圧0.3Pa、DC電源の電力を3.0kWとして、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、モリブデン、シリコン及び窒素からなるMoSiN膜を69nmの膜厚で形成した。次いで、上記MoSiN膜が形成された基板に対して、加熱炉を用いて、大気中で加熱温度を450℃、加熱時間を1時間として、加熱処理を行った。なお、このMoSiN膜は、ArFエキシマレーザーにおいて、透過率は6.16%、位相差が184.4度となっていた。
ここでは、前述の方法で製造したマスクブランク上の薄膜に対してパターン形成を行って転写用マスクを製造した。転写用マスクの製造工程については、上記[転写用マスク及びその製造方法]で記載した方法と同様であるので説明は省略する。また、この転写用マスクを用いた露光にあたっては、適用したゼルニケ多項式のパラメータを露光装置のレンズ収差補正機能に反映させて、転写用マスクの転写主面54が光学的平坦面になる設定とした。
ここでは、実施例で作製した3枚のサンプルA、B及びCを用いて、機械的平坦面による従来技術によって評価した場合を示す。したがって物自体はマスクブランク用基板の段階から、転写用マスクに至るまで実施例と同じものである。マスクステージへのチャック時のマスクブランク用基板の主表面(転写用主面)形状のシミュレーションも実施例と同様に行っている。実施例との違いは、機械的平坦面を利用したか光学的平坦面を利用したかにある。実施例で行ったゼルニケ多項式で記述される仮想基準面を算出し、シミュレーションによって求めたマスクステージにチャックした時のマスクブランク用基板の主面形状(転写主面形状)との差分形状データを取得し、PV計算値から選定を行うという工程は比較例では行っていない。比較例ではチャックのシミュレーションで求めた機械的平坦面を用いている。したがってこの転写用マスクを用いた露光においても、露光装置へこの転写用マスク固有のレンズ収差補正、すなわち光学的平坦面とするためのゼルニケ多項式パラメータの反映を行っていない。
Claims (20)
- 対向する1組の主表面を有する透光性基板の一方の主表面に転写パターン形成用の薄膜が設けられたマスクブランクの製造に用いられるマスクブランク用基板の製造方法であって、
前記透光性基板における薄膜が設けられる側の主表面の表面形状を取得する形状測定工程と、
前記透光性基板を露光装置のマスクステージにチャックしたときにおけるチャック後主表面形状をシミュレーションにより得るシミュレーション工程と、
前記チャック後主表面形状を、前記透光性基板の中心を基準とした所定の直径を有する円の内側の算出領域で、極座標系で表現されたゼルニケ多項式によって定義される仮想基準面に対して形状フィッティングを行い、前記チャック後主表面形状と前記仮想基準面との差分データを取得する工程と、
前記差分データの前記算出領域内での最高高さと最低高さとの差が、所定値以下となる表面形状を有する前記透光性基板を選定する工程と
を有することを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。 - 前記所定値は、露光転写に用いられる露光光の波長λの1/8であることを特徴とする請求項1記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記所定の直径は、104mmであることを特徴とする請求項1または2記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記仮想基準面は、半径に係る変数の次数が2次以下の項のみで構成され、かつ半径に係る変数の次数が2次の項を1以上含むゼルニケ多項式によって定義される形状を有することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記差分形状から算出される決定係数R2が0.9以上であることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記チャック後主表面形状における前記透光性基板の中心を基準とした一辺が132mmの四角形の内側領域で算出された平坦度は0.2μm以下であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記選定された透光性基板と、当該透光性基板に対して形状フィッティングを行った前記仮想基準面におけるゼルニケ多項式に係る情報とを対応付けして記録装置に記録する工程を有することを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 請求項1から7のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法で製造されたマスクブランクの一方の主表面に前記転写パターン形成用の薄膜を設ける工程を備えることを特徴とするマスクブランクの製造方法。
- 対向する1組の主表面を有する透光性基板の一方の主表面に転写パターン形成用の薄膜が設けられたマスクブランクの製造方法であって、
前記マスクブランクにおける前記薄膜の表面形状を取得する形状測定工程と、
前記マスクブランクを露光装置のマスクステージにチャックしたときにおけるチャック後表面形状をシミュレーションにより得るシミュレーション工程と、
前記チャック後表面形状を、前記透光性基板の中心を基準とした所定の直径を有する円の内側の算出領域で、極座標系で表現されたゼルニケ多項式によって定義される仮想基準面に対して形状フィッティングを行い、前記チャック後表面形状と前記仮想基準面との差分データを取得する工程と、
前記差分データの前記算出領域内での最高高さと最低高さとの差が、所定値以下となる表面形状を有する前記マスクブランクを選定する工程と
を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。 - 前記所定値は、露光転写に用いられる露光光の波長λの1/8であることを特徴とする請求項9記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記所定の直径は、104mmであることを特徴とする請求項9または10記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記仮想基準面は、半径に係る変数の次数が2次以下の項のみで構成され、かつ半径に係る変数の次数が2次の項を1以上含むゼルニケ多項式によって定義される形状を有することを特徴とする請求項9から11のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記差分形状から算出される決定係数R2が0.9以上であることを特徴とする請求項9から12のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記チャック後主表面形状における前記透光性基板の中心を基準とした一辺が132mmの四角形の内側領域で算出された平坦度は0.2μm以下であることを特徴とする請求項9から13のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記選定されたマスクブランクと、当該マスクブランクに対して形状フィッティングを行った前記仮想基準面におけるゼルニケ多項式に係る情報とを対応付けして記録装置に記録する工程を有することを特徴とする請求項9から14のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
- 請求項8から15のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法で製造されたマスクブランクの前記薄膜に転写パターンを形成する工程を備えることを特徴とする転写用マスクの製造方法。
- 請求項16に記載の転写用マスクを露光装置のマスクステージにチャックし、リソグラフィー法により前記転写用マスクの転写パターンを半導体基板上にパターン転写する露光工程を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
- 前記露光装置は、前記転写用マスクの転写パターンから透過した透過光の波面に対し、ゼルニケ多項式で定義される形状の波面補正を行う機能を有し、かつ、マスクステージが前記シミュレーション工程で用いたものと同じ形状を有するものであることを特徴とする請求項17記載の半導体デバイスの製造方法。
- 請求項7記載のマスクブランク用基板の製造方法で製造されたマスクブランク用基板の一方の主表面に前記転写パターン形成用の薄膜を設けてマスクブランクを製造する工程と、
前記製造されたマスクブランクの前記転写パターン形成用の薄膜に転写パターンを形成して転写用マスクを製造する工程と、
製造された前記転写用マスクを露光装置のマスクステージにチャックし、リソグラフィー法により前記転写用マスクの転写パターンを半導体基板上にパターン転写する露光工程とを有し、
前記露光装置は、前記転写用マスクの転写パターンから透過した透過光の波面に対し、ゼルニケ多項式で定義される形状の波面補正を行う機能を有し、かつ、マスクステージが前記シミュレーション工程で用いたものと同じ形状を有するものであり、
前記露光工程は、前記マスクブランク用基板に対応付けされている前記仮想基準面におけるゼルニケ多項式に係る情報を用い、前記転写用マスクの転写パターンから透過した透過光の波面に対して補正を行うことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 請求項15記載のマスクブランクの製造方法で製造されたマスクブランクの前記転写パターン形成用の薄膜に転写パターンを形成して転写用マスクを製造する工程と、
製造された前記転写用マスクを露光装置のマスクステージにチャックし、リソグラフィー法により前記転写用マスクの転写パターンを半導体基板上にパターン転写する露光工程とを有し、
前記露光装置は、前記転写用マスクの転写パターンから透過した透過光の波面に対し、ゼルニケ多項式で定義される形状の波面補正を行う機能を有し、かつ、マスクステージが前記シミュレーション工程で用いたものと同じ形状を有するものであり、
前記露光工程は、前記マスクブランクに対応付けされている前記仮想基準面におけるゼルニケ多項式に係る情報を用い、前記転写用マスクの転写パターンから透過した透過光の波面に対して補正を行うことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
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