JP2015012047A - 受光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】バンドギャップに拘束される材料選択に伴う様々な問題点を解消して、赤外線などの長波長光に感度を有する受光素子を簡易に得る。【解決手段】受光素子1は、pn接合部10jを有する半導体層10と、pn接合部10jを挟む一対の電極11,12とを備え、一対の電極11,12間に順方向バイアス電圧Vを印加すると共に特定波長の光Lを照射することでpn接合部10j付近に近接場光を発生させた受光素子であって、一対の電極11,12の光Lが照射される側の電極11を、特定波長の光が透過するワイヤーグリッド偏光子Wgによって構成した。【選択図】図1
Description
本発明は、受光素子及びその製造方法に関するものである。
下記特許文献1に記載の従来技術は、特定波長の光に対して感度を持たせた受光素子を、材料の選定を行うことなく容易に作成可能にするために、電極間に形成したpn接合部を有する半導体層に特殊なアニール処理を施すことで、この半導体層に近接場光(ドレスト光子)を発生させ、近接場光の発生箇所を所望の波長の光に対して感度を有する受光部とするものである。
ここでのアニール処理は、pn接合部を有する半導体層に順方向バイアス電圧を印加すると共に光を照射することで、照射した光の波長に対し感度を持たせた受光部を得ている。
一般に、近赤外波長や赤外線などの長波長光に感度を有する受光素子を得るためには、受光部のバンドギャップエネルギーが受光する長波長光の光エネルギーより小さいことが求められ、光エネルギーは波長に反比例することから、受光部の材料が限定されたものにならざるを得ない。一般には、Hg1-XCdXTeや、InSbなどのバンドギャップが小さい半導体材料、或いは多重量子井戸層などが長波長光の受光部に用いられているが、これらはそれぞれ、人体への悪影響、材料の不安定性やデバイスプロセスの困難性、製造工程の煩雑さなどが問題になっている。
これに対して、前述した従来技術のように、近接場光を利用した新たな光励起系によって得られる受光素子は、バンドギャップに拘束される材料選択に伴う前述した問題点を解消して、アニール処理時に照射する特定波長の光によって任意の波長に対して感度を有する受光部を得ることができる。しかしながら、この従来技術によると、順方向バイアス電圧を印加すると共に光を照射するアニール処理を行うために、pn接合部を挟む電極の一方を光透過性の電極にする必要があり、ITOなどの透明電極では波長2.5μm以上の中赤外線を透過することができないため、中赤外線などの長波長光に感度を有する受光素子を得ることができない。
本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、バンドギャップに拘束される材料選択に伴う様々な問題点を解消して、中赤外線などの長波長光に感度を有する受光素子を簡易に得ることができること、等が本発明の目的である。
このような目的を達成するために、本発明は、以下の構成を少なくとも具備するものである。
pn接合部を有する半導体層と、前記pn接合部を挟む一対の電極とを備え、前記一対の電極間に順方向バイアス電圧を印加すると共に特定波長の光を照射することで前記pn接合部付近に近接場光を発生させた受光素子であって、前記一対の電極の前記光が照射される側の電極を、前記特定波長の光が透過するワイヤーグリッド偏光子によって構成したことを特徴とする受光素子。
ワイヤーグリッド偏光子によって電極を構成することで、中赤外線又は赤外線を透過する電極を得ることができるので、一対の電極間に順方向バイアス電圧を印加すると共に中赤外線又は赤外線を照射することで、pn接合部付近に近接場光を発生させることができ、簡易に赤外線などの長波長光に感度を有する受光素子を得ることができる。
これによって、赤外線などの長波長光に感度を有する受光素子を得るに際して、バンドギャップに拘束される材料選択が不要になり、人体への悪影響、材料の不安定性やデバイスプロセスの困難性、製造工程の煩雑さなどの各種問題を解消することができる。
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。図1は、本発明の実施形態に係る受光素子を説明する説明図である。受光素子1は、pn接合部10jを有する半導体層10と、pn接合部10jを挟む一対の電極11,12とを備えている。半導体層10は、例えば、p層(p型半導体層)10pとn層(n型半導体層)10nによって構成することができ、この場合はp層10pとn層10nの境界付近にpn接合部10jが形成される。半導体層10は、更に多数の層が積層されたものや図示省略した基板上に形成したものなどであってもよい。
p層は、例えば、Si(シリコン)に第1物質をドープしたp型Si層とすることができる。ここでの第1物質としては、例えば、13族元素(B(ボロン),Al(アルミニウム),Ga(ガリウム))から選択される物質を挙げることができる。n層は、例えば、Si(シリコン)に第2物質をドープしたn型Si層とすることができる。ここでの第2物質としては、例えば、15族元素(As(ヒ素),P(リン),Sb(アンチモン))から選択される物質を挙げることができる。
電極11,12の少なくとも一方の電極11は、ワイヤーグリッド偏光子Wgによって構成される。ワイヤーグリッド偏光子Wgは、後述するアニール処理を施す際にpn接合部10jに照射される特定波長の光を透過することができるものであり、光が照射される側の電極11となる導電性を有するものである。光が照射されない側の電極12は、金属電極層などで構成することができる。pn接合部10jの両側から光を照射する場合には、両方の電極11,12がワイヤーグリッド偏光子Wgによって構成される。
受光素子1は、アニール処理によってpn接合部10j付近に近接場光(ドレスト光子)を発生させたものである。アニール処理は、図1に示すように、電極11,12を介してpn接合部10jに順方向バイアス電圧Vを印加すると共に特定波長の光Lを照射するものであり、これによってpn接合部10jに、照射された光の特定波長に対して感度を有する受光部が形成される。
このアニール処理では、順方向バイアス電圧Vが印加された状態で、pn接合部10jのバンドギャップ幅に相当するエネルギー吸収端に応じた波長を吸収端波長としたとき、この吸収端波長より長波長である特定波長の光Lを照射する。この吸収端波長より長波長の光を照射した場合には、その光の持つエネルギーはpn接合部10jのバンドギャップ幅に満たないため、伝導帯へ電子を励起させることができない。このため、光を照射しても通常のpn接合と同様、順方向バイアス電圧を印加することにより、正孔はn層10n側へ、電子はp層10p側へ移動することになり、この電子の移動に伴うジュール熱が発生する。
このジュール熱の特に大きな発生部位は、大きな電位差を生じるpn接合部10jやn層10n、p層10pの表面などであるが、ジュール熱が発生することにより、pn接合部10j付近の流動性が増加し、pn接合部10j付近の表面形状やドーパント分布のランダムな変化が生じ、照射された光に基づいて近接場光が発生する。このような近接場光を発生させるpn接合部10j付近の状態は、アニール処理を継続することで拡大させることができ、更にジュール熱を低下させることで固定することができる。
このようなアニール処理を施すことによって形成された受光素子1は、アニール処理の際に照射された特定波長の光を受光すると、既にその波長に対して好適に近接場光を発生する状態が作り込まれていることから、近接場光が多くの領域で発生する。そして、発生した近接場光により受光した光が振動準位を介して多段階に励起され、最終的に伝導帯へ電子が励起されることになって、特定波長の光に感度を有する受光素子としての機能が得られる。
図2は、特定波長の光を照射する側に形成された光透過性の電極として機能するワイヤーグリッド偏光子の平面構造を示した説明図である。ワイヤーグリッド偏光子Wgは、Al,Zn,Ti,Ag,Auなどの導電性を有する金属によって構成することができ、幅W,間隔d,ピッチpの縦線状パターンP1と全ての縦線状パターンを同電位にするために連結する横線状パターンP2を備えている。
ワイヤーグリッド偏光子Wgのピッチpは、透過光波長の最小値をλminとすると、p≦λmin/2の関係になる。したがって、前述した特定波長を5μm以上の赤外線とする場合には、ピッチp≦2.5μmに設定される。また、ワイヤーグリッド偏光子Wgの間隔dと幅Wはpn接合部10j付近の電流密度分布に影響するパラメータとなる。p層の厚さを1μm程度と設定した場合にpn接合部10jにおける電流密度分布の均一性を確保するためには、d≦2μmとすることが好ましい。
ワイヤーグリッド偏光子Wgの構成例を以下に示す。第1の例は、厚さ0.5mmのシリコンウェハの両面にNi−Crの反射防止膜を設け、その片面に高さ(深さ)100nmのAuワイヤーグリッドを形成した。ワイヤーグリッドのピッチpは、透過光の設計波長3〜6μmに対して0.56μmとし、ワイヤーグリッドの線幅Wはピッチpの60%とした。第2の例は、ワイヤーグリッドのピッチpを透過光の設計波長10μm付近に対して0.84μmとした以外は第1の例と同様にした。第1の例及び第2の例は、いずれもそれぞれの透過光の設計波長域でのS偏光(グリッドの方向と垂直な偏光成分)の透過率が70%以上あり、反射防止膜のNi−Crは導電性を有するので、前述したアニール処理を施すための電極11として機能する。
このように、受光素子1は、電極11をワイヤーグリッド偏光子Wgにすることで、電極11,12間に順方向バイアス電圧Vを印加しながら、電極11,12間のpn接合部10jに3μm以上の中赤外線を照射して、pn接合部10j付近に近接場光を発生させることができる。これよって、3μm以上の中赤外線に感度を有する受光部をpn接合部10jのバンドギャップに拘束されること無くpn接合部10j付近に形成することができる。
このようにして形成された受光素子1は、ワイヤーグリッド偏光子Wgが形成された側を受光面とすることで、受光面を介してpn接合部10j付近に形成された受光部に入射される波長3μm以上の長波長の中赤外線を、電極11,12間の起電力変化として検出することができる。この場合、電極11,12間に適度の逆方向バイアス電圧を印加するようにしてもよい。
以上説明したように、本発明の実施形態に係る受光素子1は、赤外線などの長波長光に感度を有する受光素子を得るに際して、バンドギャップに拘束される材料選択が不要になり、人体への悪影響、材料の不安定性やデバイスプロセスの困難性、製造工程の煩雑さなどの各種問題を解消することができる。
1:受光素子,10:半導体層,
10p:p層,10n:n層,10j:pn接合部,
11,12:電極,
Wg:ワイヤーグリッド偏光子
10p:p層,10n:n層,10j:pn接合部,
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Claims (3)
- pn接合部を有する半導体層と、前記pn接合部を挟む一対の電極とを備え、前記一対の電極間に順方向バイアス電圧を印加すると共に特定波長の光を照射することで前記pn接合部付近に近接場光を発生させた受光素子であって、
前記一対の電極の前記光が照射される側の電極を、前記特定波長の光が透過するワイヤーグリッド偏光子によって構成したことを特徴とする受光素子。 - 前記特定波長の光は、波長3μm以上の中赤外線であることを特徴とする請求項1記載の受光素子。
- pn接合部を有する半導体層に前記pn接合部を挟むように電極を形成し、
前記電極の少なくとも一方を特定波長の光が透過するワイヤーグリッド偏光子で形成し、
前記電極間に順方向バイアス電圧を印加すると共に前記ワイヤーグリッド偏光子を介して前記特定波長の光を照射することで、前記pn接合部付近に近接場光を発生させることを特徴とする受光素子の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Family Cites Families (5)
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019219672A (ja) * | 2019-08-05 | 2019-12-26 | デクセリアルズ株式会社 | 偏光板およびその製造方法 |
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