JP2014523638A - 炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物及び方法 - Google Patents
炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014523638A JP2014523638A JP2014513739A JP2014513739A JP2014523638A JP 2014523638 A JP2014523638 A JP 2014523638A JP 2014513739 A JP2014513739 A JP 2014513739A JP 2014513739 A JP2014513739 A JP 2014513739A JP 2014523638 A JP2014523638 A JP 2014523638A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- branched
- linear
- precursor
- groups
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 101
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 100
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 99
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 99
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 83
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims abstract description 66
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 250
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims abstract description 40
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 20
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 112
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 89
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 86
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 claims description 81
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 77
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 66
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 64
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 58
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 45
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 44
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 39
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 36
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 125000005865 C2-C10alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 28
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 28
- GRIWNPFFZMMYFL-UHFFFAOYSA-N CC1CCCC(C)N1C[SiH3] Chemical compound CC1CCCC(C)N1C[SiH3] GRIWNPFFZMMYFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 25
- -1 alkoxyalkyl silanes Chemical class 0.000 claims description 23
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 23
- 125000006374 C2-C10 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 19
- IPCODLNIAKRKEY-UHFFFAOYSA-N (2,6-dimethylpiperidin-1-yl)silane Chemical compound CC1CCCC(C)N1[SiH3] IPCODLNIAKRKEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 16
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 125000001997 phenyl group Chemical class [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 9
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 9
- 125000001147 pentyl group Chemical class C(CCCC)* 0.000 claims description 5
- 125000000391 vinyl group Chemical class [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims 3
- 229920002554 vinyl polymer Chemical class 0.000 claims 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 36
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 abstract description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 151
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 30
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 17
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 14
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 7
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 5
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- LKRVHAPLNIUHSK-UHFFFAOYSA-N (2,6-dimethylpiperidin-1-yl)-methylsilane Chemical compound C[SiH2]N1C(C)CCCC1C LKRVHAPLNIUHSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- MLANFFQADVEXAD-UHFFFAOYSA-N chloro-(2,6-dimethylpiperidin-1-yl)silane Chemical compound CC1CCCC(C)N1[SiH2]Cl MLANFFQADVEXAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 4
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 4
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 4
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 4
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 4
- 239000012686 silicon precursor Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 3
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000000005 dynamic secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 3
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 3
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001577 simple distillation Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 2
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 description 2
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- LNENVNGQOUBOIX-UHFFFAOYSA-N azidosilane Chemical compound [SiH3]N=[N+]=[N-] LNENVNGQOUBOIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002837 carbocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000003205 fragrance Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 2
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 2
- SDGKUVSVPIIUCF-KNVOCYPGSA-N (2r,6s)-2,6-dimethylpiperidine Chemical compound C[C@H]1CCC[C@@H](C)N1 SDGKUVSVPIIUCF-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- IVSQMSIRHKTHCB-UHFFFAOYSA-N 1,3,2,4-diazadisiletidine Chemical compound N1[SiH2]N[SiH2]1 IVSQMSIRHKTHCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKYWHPWEQYJUAT-UHFFFAOYSA-N 7-[3-(aminomethyl)-4-propoxyphenyl]-4-methylquinolin-2-amine Chemical compound CCCOC1=C(C=C(C=C1)C2=CC3=C(C=C2)C(=CC(=N3)N)C)CN WKYWHPWEQYJUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVBPERCCSMGKJD-UHFFFAOYSA-N N-(silylmethyl)propan-2-amine Chemical compound CC(C)NC[SiH3] LVBPERCCSMGKJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INHLJSHARULKDI-UHFFFAOYSA-N N-ethyl-N-(silylmethyl)ethanamine Chemical compound CCN(CC)C[SiH3] INHLJSHARULKDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PDPXHRBRYUQCQA-SFOWXEAESA-N [(1s)-1-fluoro-2-(hydroxyamino)-2-oxoethyl]phosphonic acid Chemical compound ONC(=O)[C@@H](F)P(O)(O)=O PDPXHRBRYUQCQA-SFOWXEAESA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000278 alkyl amino alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTQZKEHJTOBVEP-UHFFFAOYSA-N aminomethylsilicon Chemical compound NC[Si] BTQZKEHJTOBVEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007833 carbon precursor Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 125000004803 chlorobenzyl group Chemical group 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 1
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000640 cyclooctyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004663 dialkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- KCWYOFZQRFCIIE-UHFFFAOYSA-N ethylsilane Chemical compound CC[SiH3] KCWYOFZQRFCIIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 125000004491 isohexyl group Chemical group C(CCC(C)C)* 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 description 1
- 231100000053 low toxicity Toxicity 0.000 description 1
- CCERQOYLJJULMD-UHFFFAOYSA-M magnesium;carbanide;chloride Chemical compound [CH3-].[Mg+2].[Cl-] CCERQOYLJJULMD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N methylsilane Chemical compound [SiH3]C UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- VBYLGQXERITIBP-UHFFFAOYSA-N n-[dimethylamino(methyl)silyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)[SiH](C)N(C)C VBYLGQXERITIBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005244 neohexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000012264 purified product Substances 0.000 description 1
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- DVHMVRMYGHTALQ-UHFFFAOYSA-N silylhydrazine Chemical compound NN[SiH3] DVHMVRMYGHTALQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
- C09D7/40—Additives
- C09D7/60—Additives non-macromolecular
- C09D7/63—Additives non-macromolecular organic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/0896—Compounds with a Si-H linkage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/10—Compounds having one or more C—Si linkages containing nitrogen having a Si-N linkage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
- C23C16/345—Silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
- H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
- H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
【選択図】図1
Description
(a)以下の群より選択される、少なくとも1種を含む第1の前駆体:
(i) R5Si(NR3R4)xH3−x(ここで、x=1、2、3)の式を有する有機アミノアルキルシラン;
(ii) R6Si(OR7)xH3−x(ここで、x=1、2、3)の式を有する有機アルコキシアルキルシラン;
(iii)R8N(SiR9(NR10R11)H)2の式を有する有機アミノシラン;
(iv) R8N(SiR9LH)2の式を有する有機アミノシラン;及び
これらの組合せ
(ここで、R3、R4及びR7は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;
R5及びR6は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子(halide atom)からなる群よりそれぞれ独立して選択され;
R8及びR9は、水素、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;かつ
R10及びR11は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され、またLは、Cl、Br又はIであり;
R3及びR4は、環又はアルキル置換した環を形成することができ;かつR10及びR11は、環又はアルキル置換した環を形成することができる)、
(b)次の式を有する有機アミノシランを含む第2の前駆体:Si(NR1R2)H3(R1及びR2は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC3〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;かつR1及びR2は、環又はアルキル置換した環を形成することができる)。
以下の群より選択される、少なくとも1種を含む第1の前駆体:
R5Si(NR3R4)xH3−x(ここで、x=1、2、3)の式を有する有機アミノアルキルシラン;
R6Si(OR7)xH3−x(ここで、x=1、2、3)の式を有する有機アルコキシアルキルシラン;
R8N(SiR9(NR10R11)H)2の式を有する有機アミノシラン;
R8N(SiR9LH)2の式を有する有機アミノシラン;及び
これらの組合せ
(ここで、R3、R4及びR7は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;
R5及びR6は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群よりそれぞれ独立して選択され;
R8及びR9は、水素、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;かつ
R10及びR11は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され、またLは、Cl、Br又はIであり;
R3及びR4は、環又はアルキル置換した環を形成することができ;かつR10及びR11は、環又はアルキル置換した環を形成することができる)、
次の式を有する有機アミノシランを含む第2の前駆体:R12Si(NR13R14)xH3−x(ここで、x=1、2、3、4であり;R12、R13及びR14は、H、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;かつR13及びR14は、環又はアルキル置換した環を形成することができる)。
次の式を有する有機アミノアルキルシランを含む第1の前駆体:R5Si(NR3R4)xH3−x(ここで、x=1、2、3;R3及びR4は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;R5は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群より選択され;かつR3及びR4は、環又はアルキル置換した環を形成することができる)。
この実施態様又は他の実施態様において、この組成物は、次の式を有する有機アミノシランを含む第二の前駆体をさらに含有する:Si(NR1R2)H3(R1及びR2は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC3〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;かつR1及びR2は、環又はアルキル置換した環を形成することができる)。
次の式を有する有機アルコキシアルキルシランを含む第1の前駆体:R6Si(OR7)xH3−x(ここで、x=1、2、3;R7は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群より独立して選択され;かつR6は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群より独立して選択され;R8及びR9は、水素、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択される)。
この実施態様又は他の実施態様において、この組成物は、次の式を有する有機アミノシランを含む第二の前駆体をさらに含有する:Si(NR1R2)H3(R1及びR2は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;かつR1及びR2は、環又はアルキル置換した環を形成することができる)。
次の式を有する有機アルコキシアルキルシランを含む第1の前駆体:R8N(SiR9(NR10R11)H)2(R8及びR9は、水素、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;R10及びR11は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;かつR10及びR11は、環又はアルキル置換した環を形成することができる)。
この実施態様又は他の実施態様において、この組成物は、次の式を有する有機アミノシランを含む第二の前駆体をさらに含有する:Si(NR1R2)H3(R1及びR2は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;かつR1及びR2は、環又はアルキル置換した環を形成することができる)。
a.基材を反応器に与える工程;
b.上記反応器に、以下の群より選択される、少なくとも1種の化合物を含む第1の前駆体を導入する工程:
(i) R5Si(NR3R4)xH3−x(ここで、x=1、2、3)の式を有する有機アミノアルキルシラン、
(ii) R6Si(OR7)xH3−x(ここで、x=1、2、3)の式を有する有機アルコキシアルキルシラン、
(iii)R8N(SiR9(NR10R11)H)2の式を有する有機アミノシラン、
(iv) R8N(SiR9LH)2の式を有する有機アミノシラン、及び
これらの組合せ
(ここで、R3、R4及びR7は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;
R5及びR6は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC3〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群よりそれぞれ独立して選択され;
R8及びR9は、水素、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;かつ
R10及びR11は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され、またLは、Cl、Br又はIであり;
R3及びR4は、環又はアルキル置換した環を形成することができ;かつR10及びR11は、環又はアルキル置換した環を形成することができる);
c.上記反応器を、パージガスでパージする工程;
d.上記反応器に、酸素源を導入する工程;
e.上記反応器に、次の式を有する第二の前駆体を導入する工程:Si(NR1R2)H3(R1及びR2は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;かつR1及びR2は、環又はアルキル置換した環を形成することができる);
f.上記反応器を、パージガスでパージする工程;
g.上記反応器に、酸素源を導入する工程;
h.上記反応器を、パージガスでパージする工程;
i.上記膜の所望の厚みが得られるまで、b〜hの工程を繰り返す工程。
ここに記載した方法の特定の実施態様では、工程bでの前駆体は、(i)としてここに記載した有機アミノアルキルシランを含む。より特定的には、工程bでの前駆体は、2,6−ジメチルピペリジノメチルシランである有機アミノアルキルシランを含む。
a.基材を反応器に与える工程;
b.上記反応器に、以下の群より選択される、少なくとも1種の化合物を含む第1の前駆体を導入する工程:
(i) R5Si(NR3R4)xH3−x(ここで、x=1、2、3)の式を有する有機アミノアルキルシラン、
(ii) R6Si(OR7)xH3−x(ここで、x=1、2、3)の式を有する有機アルコキシアルキルシラン、
(iii)R8N(SiR9(NR10R11)H)2の式を有する有機アミノシラン、
(iv) R8N(SiR9LH)2の式を有する有機アミノシラン、及び
これらの組合せ
(ここで、R3、R4及びR7は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;
R5及びR6は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC3〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群よりそれぞれ独立して選択され;
R8及びR9は、水素、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;かつ
R10及びR11は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され、またLは、Cl、Br又はIであり;
R3及びR4は、環又はアルキル置換した環を形成することができ;かつR10及びR11は、環又はアルキル置換した環を形成することができる);
c.上記反応器を、パージガスでパージする工程;
d.上記反応器に、窒素源を導入する工程;
e.上記反応器に、次の式を有する第二の前駆体を導入する工程:Si(NR1R2)H3(R1及びR2は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;かつR1及びR2は、環又はアルキル置換した環を形成することができる);
f.上記反応器を、パージガスでパージする工程;
g.上記反応器に、窒素源を導入する工程;
h.上記反応器を、パージガスでパージする工程;
i.上記膜の所望の厚みが得られるまで、b〜hの工程を繰り返す工程。
ここに記載した方法の特定の実施態様では、工程bでの前駆体は、(i)としてここに記載した有機アミノアルキルシランを含む。より特定的には、工程bでの前駆体は、2,6−ジメチルピペリジノメチルシランである有機アミノアルキルシランを含む。
a.基材を反応器に与える工程;
b.上記反応器に、以下の群より選択される、少なくとも1種の化合物を含む第1の前駆体を導入する工程:
(i) R5Si(NR3R4)xH3−x(ここで、x=1、2、3)の式を有する有機アミノアルキルシラン、
(ii) R6Si(OR7)xH3−x(ここで、x=1、2、3)の式を有する有機アルコキシアルキルシラン、
(iii)R8N(SiR9(NR10R11)H)2の式を有する有機アミノシラン、
(iv) R8N(SiR9LH)2の式を有する有機アミノシラン、及び
これらの組合せ
(ここで、R3、R4及びR7は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;
R5及びR6は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC3〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群よりそれぞれ独立して選択され;
R8及びR9は、水素、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;かつ
R10及びR11は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され、またLは、Cl、Br又はIであり;
R3及びR4は、環又はアルキル置換した環を形成することができ;かつR10及びR11は、環又はアルキル置換した環を形成することができる);
c.上記反応器を、パージガスでパージする工程;
d.上記反応器に、酸素源を導入する工程;
e.上記反応器に、次の式を有する第二の前駆体を導入する工程:R12Si(NR13R14)xH3−x(ここで、x=1、2、3、4であり;R12、R13及びR14は、H、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;かつR13及びR14は、環又はアルキル置換した環を形成することができる);
f.上記反応器を、パージガスでパージする工程;
g.上記反応器に、酸素源を導入する工程;
h.上記反応器を、パージガスでパージする工程;
i.上記膜の所望の厚みが得られるまで、b〜hの工程を繰り返す工程。
ここに記載した方法の特定の実施態様では、工程bでの前駆体は、(i)としてここに記載した有機アミノアルキルシランを含む。より特定的には、工程bでの前駆体は、2,6−ジメチルピペリジノメチルシランである有機アミノアルキルシランを含む。
a.基材を反応器に与える工程;
b.上記反応器に、以下の群より選択される、少なくとも1種の化合物を含む第1の前駆体を導入する工程:
(i) R5Si(NR3R4)xH3−x(ここで、x=1、2、3)の式を有する有機アミノアルキルシラン、
(ii) R6Si(OR7)xH3−x(ここで、x=1、2、3)の式を有する有機アルコキシアルキルシラン、
(iii)R8N(SiR9(NR10R11)H)2の式を有する有機アミノシラン、
(iv) R8N(SiR9LH)2の式を有する有機アミノシラン、及び
これらの組合せ
(ここで、R3、R4及びR7は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;
R5及びR6は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC3〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群よりそれぞれ独立して選択され;
R8及びR9は、水素、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;かつ
R10及びR11は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され、またLは、Cl、Br又はIであり;
R3及びR4は、環又はアルキル置換した環を形成することができ;かつR10及びR11は、環又はアルキル置換した環を形成することができる);
c.上記反応器を、パージガスでパージする工程;
d.上記反応器に、窒素源を導入する工程;
e.上記反応器に、次の式を有する第二の前駆体を導入する工程:R12Si(NR13R14)xH3−x(ここで、x=1、2、3、4であり;R12、R13及びR14は、H、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;かつR13及びR14は、環又はアルキル置換した環を形成することができる);
f.上記反応器を、パージガスでパージする工程;
g.上記反応器に、窒素源を導入する工程;
h.上記反応器を、パージガスでパージする工程;
i.上記膜の所望の厚みが得られるまで、b〜hの工程を繰り返す工程。
ここに記載した方法の特定の実施態様では、工程bでの前駆体は、(i)としてここに記載した有機アミノアルキルシランを含む。より特定的には、工程bでの前駆体は、2,6−ジメチルピペリジノメチルシランである有機アミノアルキルシランを含む。
この実施態様又は他の実施態様において、この組成物は、次の式を有する有機アミノシランを含む第二の前駆体をさらに含有する:Si(NR1R2)H3(R1及びR2は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC3〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;かつR1及びR2は、環又はアルキル置換した環を形成することができる)。
R5Si(NR3R4)xH3−xの式を有するこの有機アミノアルキルシランの特定の実施態様では、R3及びR4は結合して環状基を形成できる。これらの実施態様では、この環状基は、炭素環基又は複素環基となることができる。この環状基は、飽和していてもよく、また不飽和であってもよい。R5Si(NR3R4)xH3−xの式を有するこの有機アミノアルキルシランの他の実施態様では、R3及びR4は、環状基を形成するための結合をしていない。
R8N(SiR9(NR10R11)H)2の式を有するこの有機アミノシランの特定の実施態様では、R10及びR11は結合して環状基を形成できる。これらの実施態様では、この環状基は、炭素環基又は複素環基となることができる。この環状基は、飽和していてもよく、また不飽和であってもよい。R8N(SiR9(NR10R11)H)2の式を有するこの有機アミノシランの他の実施態様では、R10及びR11は、環状基を形成するための結合をしていない。
Si(NR1R2)H3の式を有するこの有機アミノシランの特定の実施態様では、R1及びR2は結合して環状基を形成できる。これらの実施態様では、この環は、複素環基を含む。この環又は複素環は、飽和していてもよく、また不飽和であってもよい。Si(NR1R2)H3の式を有するこの有機アミノシランの他の実施態様では、R1及びR2は、環状基を形成するための結合をしていない。
この式を有する有機アミノシランの特定の実施態様では、R13及びR14は結合して環状基を形成できる。これらの実施態様では、この環は、複素環基を含む。この環又は複素環は、飽和していてもよく、また不飽和であってもよい。この式を有するこの有機アミノシランの他の実施態様では、R13及びR14は、環状基を形成するための結合をしていない。
工程1.有機アルコキシアルキルシランを含む第1の前駆体を含有し、かつ有機アミノシランを含む第2の前駆体を随意に含有する組成物からの蒸気を、基材と接触させて、加熱した基材上に前駆体を化学吸着させる工程;
工程2.あらゆる未反応の前駆体をパージする工程;
工程3.酸素源を加熱した基材に導入して、吸着した前駆体と反応させる工程;及び
工程4.未反応の酸素源をパージする工程。
工程1〜4を所望の厚みが得られるまで繰り返す。
工程1.第1の前駆体から生成した蒸気を、基材と接触させて、加熱した基材上に前駆体を化学吸着させる工程、ここでその第1の前駆体は、次の式を有する化合物から選択される少なくとも1種の化合物である:
(a) R5Si(NR3R4)xH3−x(ここで、x=1、2、3)の式を有する有機アミノアルキルシラン;
(b) R6Si(OR7)xH3−x(ここで、x=1、2、3)の式を有する有機アルコキシアルキルシラン;
(c) R8N(SiR9(NR10R11)H)2の式を有する有機アミノシラン;
(ここで、R3、R4及びR7は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;
R5及びR6は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子(halide atom)からなる群よりそれぞれ独立して選択され;
R8及びR9は、水素、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;かつ
R10及びR11は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;
R3及びR4は、環又はアルキル置換した環を形成することができ;かつR10及びR11は、環又はアルキル置換した環を形成することができ;Lは、Cl、Br又はIである);
工程2.あらゆる未反応の前駆体をパージする工程;
工程3.酸素源を加熱した基材に導入して、吸着したケイ素前駆体と反応させる工程;及び
工程4.未反応の酸素源をパージする工程;
工程5.随意の第2の前駆体から生成した蒸気を、基材と接触させて、加熱した基材上に第2の前駆体を化学吸着させる随意の工程、ここでその第2の前駆体は、次の式を有する:Si(NR1R2)H3(R1及びR2は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;かつR1及びR2は、環又はアルキル置換した環を形成することができる)。
工程6.あらゆる未反応の前駆体をパージする工程;
工程7.酸素源を加熱した基材に導入して、吸着したケイ素前駆体と反応させる工程;及び
工程8.未反応の酸素源をパージする工程。
所望の厚みが達成されるまで工程1〜8を繰り返す。
2,6−ジメチルピペリジノ(クロロ)シランを、6Lの撹拌反応器中で、窒素雰囲気下、−20℃で、0.052Nm3のジクロロシランを、4.36Lのヘキサンに溶解することによって調製した。−20℃を維持しながら、この溶液に、244gのトリエチルアミンを加え、そして撹拌しながら260gのシス−2,6−ジメチルピペリジンをゆっくりと添加した。この添加が完了したら、混合物を20℃に温めて、16時間撹拌した。多量の白い沈殿物が形成し、これをろ過により除去した。この沈殿物をヘキサンでリンスした。リンスしたろ過物は、2,6−ジメチルピペリジノ(クロロ)シランを含んでおり、これを減圧でストリッピングしてヘキサンを除去することで単離した。さらに、減圧下で100℃で残渣を単蒸留することによって、精製物を得た。2,6−ジメチルピペリジノ(クロロ)シランの同定は、質量分光法によって決定され、これは2,6−ジメチルピペリジノ(クロロ)シランの分子量(177.75)と一致する、177(M+)、162(M−CH3)でピークを示した。
ケイ素含有膜の原子層堆積を、次の前駆体を用いて行った:2,6−ジメチルピペリジノ(メチル)シラン、及び2,6−ジメチルピペリジノ(メチル)シラン。堆積を、実験室スケールのALDプロセスツールで行った。全てのガス(例えば、パージガス、反応ガス又は前駆体及び酸素源)を、堆積ゾーンに入る前に100℃に余熱した。ガス及び前駆体の流量を、高速作動するALDダイアフラムバルブで制御した。堆積に用いた基材は、基材の温度を確認するためにサンプルホルダーに取り付けた熱電対を有する12インチの長さのシリコンストリップであった。酸素源ガスとしてオゾンを用いて、400サイクルを基準として用いて、堆積を行った。また、堆積のプロセスパラメーターを表2に与える。
工程1:2,6−ジメチルピペリジノシランの蒸気を接触させる工程;
工程2:あらゆる未吸着の2,6−ジメチルピペリジノシランをパージする工程;
工程3:オゾンを導入して、吸着した2,6−ジメチルピペリジノシランと反応させる工程;
工程4:未反応のオゾンをパージする工程。
方法(a)に関する上記の工程を500回繰り返した。堆積した膜を、FTIRで確認したところ、2800〜2960cm−1でのあらゆる有意なC−Hサイン、又は約1250cm−1でのあらゆる有意なSi−CH3ピークを示さなかった。
工程1:2,6−ジメチルピペリジノメチルシランの蒸気を接触させる工程;
工程2:あらゆる未吸着の2,6−ジメチルピペリジノメチルシランをパージする工程;
工程3:オゾンを導入して、吸着した2,6−ジメチルピペリジノメチルシランと反応させる工程;
工程4:未反応のオゾンをパージする工程。
これらの工程を500回繰り返した。300℃で堆積した膜は、方法(a)の2,6−ジメチルピペリジノシランと非常に類似したIRの特徴を示した(例えば、2800〜2960cm−1でのC−Hサインの不存在、及び約1250cm−1でのSi−CH3サインの不存在)。C−HとSi−CH3との両方の吸収ピークが、150℃で堆積させた膜に現れ、100℃で堆積させた膜ではより強まった。
工程1:2,6−ジメチルピペリジノシランの蒸気を接触させる工程;
工程2:あらゆる未吸着の2,6−ジメチルピペリジノシランをパージする工程;
工程3:オゾンを導入して、吸着した2,6−ジメチルピペリジノシランと反応させる工程;
工程4:未反応のオゾンをパージする工程;
工程5:2,6−ジメチルピペリジノメチルシランの蒸気を接触させる工程;
工程6:あらゆる未吸着の2,6−ジメチルピペリジノメチルシランをパージする工程;
工程7:オゾンを導入して、吸着した2,6−ジメチルピペリジノメチルシランと反応させる工程;
工程8:未反応のオゾンをパージする工程。
これらの工程を250回繰り返した。
Claims (22)
- 以下の群から選択される少なくとも1種の化合物を含む第1の前駆体を含有する、炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物:
(i) R5Si(NR3R4)xH3−x(ここで、x=1、2、3)の式を有する有機アミノアルキルシラン;
(ii) R6Si(OR7)xH3−x(ここで、x=1、2、3)の式を有する有機アルコキシアルキルシラン;
(iii)R8N(SiR9(NR10R11)H)2の式を有する有機アミノシラン;
(iv) R8N(SiR9LH)2の式を有する有機アミノシラン;及び
これらの組合せ
(ここで、R3、R4及びR7は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;
R5及びR6は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群よりそれぞれ独立して選択され;
R8及びR9は、水素、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;かつ
R10及びR11は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され、;
R3及びR4は、環又はアルキル置換した環を形成することができ;かつR10及びR11は、環又はアルキル置換した環を形成することができ;かつLは、Cl、Br又はIである)。 - 次の式を有する有機アミノシランを含む第2の前駆体をさらに含有する、請求項1に記載の組成物:Si(NR1R2)H3(ここで、R1及びR2は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;かつR1及びR2は、環又はアルキル置換した環を形成することができる)。
- 以下を含有する請求項2に記載の組成物:
(iPr2N)R5SiH2(ここで、R5は、Me、Et、nPr、iPr、nBu、iBu、sBu、tBu、ペンチルの異性体、フェニル、ビニル、並びにアルキル置換フェニルからなる群より選択される)の式を有する第1の前駆体;及び
(iPr2N)SiH3を含む第2の前駆体。 - 以下を含有する請求項2に記載の組成物:
(sBu2N)R5SiH2(ここで、R5は、Me、Et、nPr、iPr、nBu、iBu、sBu、tBu、ペンチルの異性体、フェニル、ビニル、及びアルキル置換フェニルからなる群より選択される)の式を有する第1の前駆体;及び
(sBu2N)SiH3を含む第2の前駆体。 - 以下を含有する請求項2に記載の組成物:
(2,6−ジメチルピペリジノ)R5SiH2(ここで、R5は、Me、Et、nPr、iPr、nBu、iBu、sBu、tBu、ペンチルの異性体、フェニル、ビニル、及びアルキル置換フェニルからなる群より選択される)の式を有する第1の前駆体;及び
(2,6−ジメチルピペリジノ)SiH3を含む第2の前駆体。 - 以下を含有する請求項2に記載の組成物:
(フェニルメチルアミノ)R5SiH2(ここで、R5は、Me、Et、nPr、iPr、nBu、iBu、sBu、tBu、ペンチルの異性体、フェニル、ビニル、及びアルキル置換フェニルからなる群より選択される)の式を有する第1の前駆体;及び
(フェニルメチルアミノ)SiH3を含む第2の前駆体。 - 次の工程を含む、原子層堆積プロセスによって炭素ドープ酸化ケイ素膜を形成する方法:
a.反応器に基材を与える工程;
b.前記反応器に、以下の群より選択される少なくとも1種の化合物を含む第1の前駆体を導入する工程:
(i) R5Si(NR3R4)xH3−x(ここで、x=1、2、3)の式を有する有機アミノアルキルシラン、
(ii) R6Si(OR7)xH3−x(ここで、x=1、2、3)の式を有する有機アルコキシアルキルシラン、
(iii)R8N(SiR9(NR10R11)H)2の式を有する有機アミノシラン、
(iv) R8N(SiR9LH)2の式を有する有機アミノシラン、及び
これらの組合せ
(ここで、R3、R4及びR7は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;
R5及びR6は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群よりそれぞれ独立して選択され;
R8及びR9は、水素、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;かつ
R10及びR11は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され、;
R3及びR4は、環又はアルキル置換した環を形成することができ;R10及びR11は、環又はアルキル置換した環を形成することができ;かつLは、Cl、Br又はIである);
c.前記反応器を、パージガスでパージする工程;
d.前記反応器に、酸素源を導入する工程;
e.前記反応器に、次の式を有する第二の前駆体を導入する工程:Si(NR1R2)H3(R1及びR2は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;かつR1及びR2は、環又はアルキル置換した環を形成することができる);
f.前記反応器を、パージガスでパージする工程;
g.前記反応器に、酸素源を導入する工程;
h.前記反応器を、パージガスでパージする工程;
ここで、前記b〜hの工程は、前記膜の所望の厚みが得られるまで繰り返される。 - 前記第1の前駆体が、2,6−ジメチルピペリジノメチルシランを含む、請求項7に記載の方法。
- 前記第2の前駆体が、2,6−ジメチルピペリジノシランを含む、請求項8に記載の方法。
- 前記炭素ドープ酸化ケイ素膜の炭素量を、前記第1の前駆体の前記第2の前駆体に対する比を調節することによって、調節する、請求項7に記載の方法。
- 次の工程を含む、炭素ドープ窒化ケイ素膜を形成する方法:
a.反応器に基材を与える工程;
b.前記反応器に、以下の群より選択される少なくとも1種の化合物を含む第1の前駆体を導入する工程:
(i) R5Si(NR3R4)xH3−x(ここで、x=1、2、3)の式を有する有機アミノアルキルシラン、
(ii) R6Si(OR7)xH3−x(ここで、x=1、2、3)の式を有する有機アルコキシアルキルシラン、
(iii)R8N(SiR9(NR10R11)H)2の式を有する有機アミノシラン、
(iv) R8N(SiR9LH)2の式を有する有機アミノシラン、及び
これらの組合せ
(ここで、R3、R4及びR7は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;
R5及びR6は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群よりそれぞれ独立して選択され;
R8及びR9は、水素、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC3〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;かつ
R10及びR11は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され、;
R3及びR4は、環又はアルキル置換した環を形成することができ;R10及びR11は、環又はアルキル置換した環を形成することができ;かつLは、Cl、Br又はIである);
c.前記反応器を、パージガスでパージする工程;
d.前記反応器に、窒素源を導入する工程;
e.前記反応器に、次の式を有する第二の前駆体を導入する工程:Si(NR1R2)H3(R1及びR2は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;かつR1及びR2は、環又はアルキル置換した環を形成することができる);
f.前記反応器を、パージガスでパージする工程;
g.前記反応器に、窒素源を導入する工程;
h.前記反応器を、パージガスでパージする工程;
ここで、前記b〜hの工程は、前記膜の所望の厚みが得られるまで繰り返される。 - 前記第1の前駆体が、2,6−ジメチルピペリジノメチルシランを含む、請求項11に記載の方法。
- 前記第2の前駆体が、2,6−ジメチルピペリジノシランを含む、請求項12に記載の方法。
- 前記炭素ドープ窒化ケイ素膜の炭素量を、前記第1の前駆体の前記第2の前駆体に対する比を調節することによって調節する、請求項11に記載の方法。
- 以下を含有する、炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物:
R5Si(NR3R4)xH3−xの式を有する第1の前駆体(ここで、x=1、2、3;R3及びR4は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;R5は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群より選択され;かつR3及びR4は、環又はアルキル置換した環を形成することができる)。 - ステンレス鋼容器に与えられている、請求項15に記載の組成物。
- 以下を含有する、炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物:
R6Si(OR7)xH3−xの式を有する第1の前駆体(ここで、x=1、2、3;R7は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群より独立して選択され;かつR6は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基、並びにハロゲン原子からなる群より独立して選択され;R8及びR9は、水素、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC3〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択される)。 - ステンレス鋼容器に与えられている、請求項17に記載の組成物。
- 以下を含有する、炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物:
R8N(SiR9(NR10R11)H)2の式を有する第1の前駆体(ここで、R8及びR9は、水素、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC3〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;R10及びR11は、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC3〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;かつR10及びR11は、環又はアルキル置換した環を形成することができる)。 - ステンレス鋼容器に与えられている、請求項19に記載の組成物。
- 以下を含有する、炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物:
R8N(SiR9LH)2の式を有する第1の前駆体(ここで、R8及びR9は、水素、C1〜C10の直鎖又は分岐鎖アルキル基、C3〜C10の環状アルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2〜C10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC3〜C10のアルキニル基、C5〜C10の芳香族基、及びC3〜C10の飽和又は不飽和の複素環基からなる群よりそれぞれ独立して選択され;かつL=Cl、Br、Iからなる群より選択されるハロゲンである)。 - ステンレス鋼容器に与えられている、請求項21に記載の組成物。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161493031P | 2011-06-03 | 2011-06-03 | |
US61/493,031 | 2011-06-03 | ||
PCT/US2012/040433 WO2012167060A2 (en) | 2011-06-03 | 2012-06-01 | Compositions and processes for depositing carbon-doped silicon-containing films |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015144696A Division JP6050441B2 (ja) | 2011-06-03 | 2015-07-22 | ケイ素含有膜を堆積するための方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014523638A true JP2014523638A (ja) | 2014-09-11 |
JP5785325B2 JP5785325B2 (ja) | 2015-09-30 |
Family
ID=46276000
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014513739A Active JP5785325B2 (ja) | 2011-06-03 | 2012-06-01 | 炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物及び方法 |
JP2015144696A Active JP6050441B2 (ja) | 2011-06-03 | 2015-07-22 | ケイ素含有膜を堆積するための方法 |
JP2016227697A Active JP6466897B2 (ja) | 2011-06-03 | 2016-11-24 | 炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物及び方法 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015144696A Active JP6050441B2 (ja) | 2011-06-03 | 2015-07-22 | ケイ素含有膜を堆積するための方法 |
JP2016227697A Active JP6466897B2 (ja) | 2011-06-03 | 2016-11-24 | 炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物及び方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US9447287B2 (ja) |
EP (3) | EP3929326A3 (ja) |
JP (3) | JP5785325B2 (ja) |
KR (3) | KR20160093093A (ja) |
CN (2) | CN106048557B (ja) |
TW (1) | TWI496934B (ja) |
WO (1) | WO2012167060A2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014183218A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム |
JP2020514552A (ja) * | 2017-03-14 | 2020-05-21 | シュンク・コーレンストッフテヒニーク・ゲーエムベーハー | コーティングされた製品及びその製造方法 |
JP2020516067A (ja) * | 2017-03-29 | 2020-05-28 | ディーエヌエフ カンパニー リミテッドDNF Co. Ltd. | ビス(アミノシリル)アルキルアミン化合物を含むシリコン含有薄膜蒸着用組成物、およびそれを用いたシリコン含有薄膜の製造方法 |
JP2020516062A (ja) * | 2017-03-29 | 2020-05-28 | ディーエヌエフ カンパニー リミテッドDNF Co. Ltd. | シリコン含有薄膜蒸着用組成物およびそれを用いたシリコン含有薄膜の製造方法 |
CN114231947A (zh) * | 2016-02-26 | 2022-03-25 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 组合物和使用其沉积含硅膜的方法 |
Families Citing this family (251)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10707082B2 (en) * | 2011-07-06 | 2020-07-07 | Asm International N.V. | Methods for depositing thin films comprising indium nitride by atomic layer deposition |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US8993072B2 (en) * | 2011-09-27 | 2015-03-31 | Air Products And Chemicals, Inc. | Halogenated organoaminosilane precursors and methods for depositing films comprising same |
US9809711B2 (en) | 2012-01-17 | 2017-11-07 | Versum Materials Us, Llc | Catalyst and formulations comprising same for alkoxysilanes hydrolysis reaction in semiconductor process |
US20130243968A1 (en) * | 2012-03-16 | 2013-09-19 | Air Products And Chemicals, Inc. | Catalyst synthesis for organosilane sol-gel reactions |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9564309B2 (en) | 2013-03-14 | 2017-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Si precursors for deposition of SiN at low temperatures |
US9824881B2 (en) * | 2013-03-14 | 2017-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Si precursors for deposition of SiN at low temperatures |
US9796739B2 (en) * | 2013-06-26 | 2017-10-24 | Versum Materials Us, Llc | AZA-polysilane precursors and methods for depositing films comprising same |
US10170297B2 (en) * | 2013-08-22 | 2019-01-01 | Versum Materials Us, Llc | Compositions and methods using same for flowable oxide deposition |
US9905415B2 (en) | 2013-10-03 | 2018-02-27 | Versum Materials Us, Llc | Methods for depositing silicon nitride films |
US20150275355A1 (en) * | 2014-03-26 | 2015-10-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Compositions and methods for the deposition of silicon oxide films |
CN104157567A (zh) * | 2014-08-20 | 2014-11-19 | 上海华力微电子有限公司 | 一种氧化硅膜的制备方法 |
US9576792B2 (en) | 2014-09-17 | 2017-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of SiN |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10566187B2 (en) * | 2015-03-20 | 2020-02-18 | Lam Research Corporation | Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control |
US9777025B2 (en) * | 2015-03-30 | 2017-10-03 | L'Air Liquide, Société pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Si-containing film forming precursors and methods of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US11035039B2 (en) * | 2015-07-31 | 2021-06-15 | Versum Materials Us, Llc | Compositions and methods for depositing silicon nitride films |
US10410857B2 (en) | 2015-08-24 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiN thin films |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
CN108603287B (zh) * | 2015-12-21 | 2021-11-02 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 用于沉积含硅膜的组合物及使用其的方法 |
KR102458309B1 (ko) | 2015-12-28 | 2022-10-24 | 삼성전자주식회사 | SiOCN 물질막의 형성 방법 및 반도체 소자의 제조 방법 |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10053775B2 (en) | 2015-12-30 | 2018-08-21 | L'air Liquide, Societé Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procédés Georges Claude | Methods of using amino(bromo)silane precursors for ALD/CVD silicon-containing film applications |
US9701695B1 (en) | 2015-12-30 | 2017-07-11 | American Air Liquide, Inc. | Synthesis methods for amino(halo)silanes |
US9777373B2 (en) | 2015-12-30 | 2017-10-03 | American Air Liquide, Inc. | Amino(iodo)silane precursors for ALD/CVD silicon-containing film applications and methods of using the same |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102451069B1 (ko) * | 2016-09-01 | 2022-10-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 탄화수소-기반 극박막을 형성하여 층을 보호하기 위한 방법 |
CN106433454A (zh) * | 2016-09-12 | 2017-02-22 | 上海至纯洁净***科技股份有限公司 | 在物体表面形成保护层的方法及表面形成有保护层的产品 |
US10464953B2 (en) * | 2016-10-14 | 2019-11-05 | Versum Materials Us, Llc | Carbon bridged aminosilane compounds for high growth rate silicon-containing films |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
CN106684035B (zh) * | 2016-10-28 | 2019-07-23 | 复旦大学 | 一种抗铜扩散阻挡层薄膜及其制备方法 |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US11049714B2 (en) * | 2017-09-19 | 2021-06-29 | Versum Materials Us, Llc | Silyl substituted organoamines as precursors for high growth rate silicon-containing films |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
WO2019103613A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
KR102633318B1 (ko) | 2017-11-27 | 2024-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 청정 소형 구역을 포함한 장치 |
DE102018124675A1 (de) | 2017-11-30 | 2019-06-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Glühen von Film bei unterschiedlichen Temperaturen und dadurch ausgebildete Strukturen |
US10748760B2 (en) * | 2017-11-30 | 2020-08-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Varying temperature anneal for film and structures formed thereby |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
WO2019158960A1 (en) | 2018-02-14 | 2019-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US10580645B2 (en) | 2018-04-30 | 2020-03-03 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) of SiN using silicon-hydrohalide precursors |
KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
TW202405221A (zh) | 2018-06-27 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
TW202409324A (zh) | 2018-06-27 | 2024-03-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10985010B2 (en) * | 2018-08-29 | 2021-04-20 | Versum Materials Us, Llc | Methods for making silicon and nitrogen containing films |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
CN112969816A (zh) * | 2018-10-04 | 2021-06-15 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 用于高质量氧化硅薄膜的高温原子层沉积的组合物 |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
EP3766888A1 (en) * | 2018-11-30 | 2021-01-20 | Hansol Chemical Co., Ltd | Silicon precursor and method of manufacturing silicon-containing thin film using the same |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102157137B1 (ko) * | 2018-11-30 | 2020-09-17 | 주식회사 한솔케미칼 | 실리콘 전구체 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막의 제조방법 |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR102274412B1 (ko) | 2019-01-24 | 2021-07-07 | 주식회사 엘지에너지솔루션 | 배터리 특성 측정 장치 |
CN113330141B (zh) | 2019-01-24 | 2023-10-17 | 应用材料公司 | 沉积氮化硅的方法 |
JP7178918B2 (ja) * | 2019-01-30 | 2022-11-28 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、プラズマ処理装置、及び処理システム |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
JP2022519295A (ja) * | 2019-02-05 | 2022-03-22 | バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー | 炭素ドープされた酸化ケイ素の堆積 |
JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20220057617A (ko) * | 2019-09-10 | 2022-05-09 | 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨 | 규소 함유 필름의 비등각 증착을 위한 조성물 및 이를 이용하는 방법 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210078405A (ko) | 2019-12-17 | 2021-06-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
KR20210089079A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 채널형 리프트 핀 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
CN113555279A (zh) | 2020-04-24 | 2021-10-26 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
KR20210145080A (ko) | 2020-05-22 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
KR20220081905A (ko) | 2020-12-09 | 2022-06-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 증착용 실리콘 전구체 |
CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
CN117716062A (zh) * | 2021-09-17 | 2024-03-15 | 株式会社国际电气 | 半导体装置的制造方法、基板处理装置、程序以及涂布方法 |
Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5424095A (en) * | 1994-03-07 | 1995-06-13 | Eniricerche S.P.A. | Ceramic vapor deposited coating using a steam-containing carrier gas and non-alkoxy silane precursors |
JPH0870042A (ja) * | 1994-08-30 | 1996-03-12 | Fujitsu Ltd | 絶縁膜の形成方法 |
US5888662A (en) * | 1996-11-26 | 1999-03-30 | Motorola, Inc. | Modified electrodes for display devices |
JP2000080476A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-03-21 | Toshiba Corp | 気相成長方法および気相成長装置およびハロゲン化アンモニウム除去装置 |
JP2003179054A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-06-27 | Tokyo Electron Ltd | 絶縁膜の形成方法及び絶縁膜の形成装置 |
JP2004047090A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド、その製造方法及びそれを用いた磁気ディスク装置 |
JP2004103688A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Sony Corp | 絶縁膜の形成方法およびゲート絶縁膜 |
JP2006025356A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Fujitsu Ltd | ホームエージェント |
JP2008258591A (ja) * | 2007-02-27 | 2008-10-23 | Air Products & Chemicals Inc | ケイ素含有膜の周期的プラズマ化学気相堆積 |
JP2010021551A (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-28 | Air Products & Chemicals Inc | シャロートレンチアイソレーション膜のためのアミノシラン |
JP2010066597A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | パターン形成方法 |
JP2010118664A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Air Products & Chemicals Inc | 応力を加えたSiN膜用アミノ・ビニルシラン前駆体 |
JP2010183069A (ja) * | 2009-01-07 | 2010-08-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
JP2010530127A (ja) * | 2007-03-30 | 2010-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 歪みシリコン窒化物膜及び該膜を含むデバイスの作製方法 |
JP2010275602A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Adeka Corp | 化学気相成長用原料とこれを用いたシリコン含有薄膜形成方法 |
JP2010539730A (ja) * | 2007-09-18 | 2010-12-16 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | シリコン含有膜を形成する方法 |
JP2011040741A (ja) * | 2005-05-16 | 2011-02-24 | Air Products & Chemicals Inc | 化学気相成長用組成物 |
JP2011097017A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-05-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IL22431A (en) | 1964-11-12 | 1968-11-27 | Fuchs J | Process for the production of disilazanes and the products obtained by this method |
FR2599037B1 (fr) | 1986-05-26 | 1990-05-04 | Europ Propulsion | Dihydrogeno-1,3 disilazanes fonctionnels et procede pour leur preparation |
US4988573A (en) * | 1988-07-14 | 1991-01-29 | Tdk Corporation | Medium related members |
JPH0812845B2 (ja) | 1989-04-06 | 1996-02-07 | 松下電子工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US4950950A (en) | 1989-05-18 | 1990-08-21 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with silazane-containing luminescent zone |
TW285753B (ja) | 1995-01-04 | 1996-09-11 | Air Prod & Chem | |
US7005392B2 (en) | 2001-03-30 | 2006-02-28 | Advanced Technology Materials, Inc. | Source reagent compositions for CVD formation of gate dielectric thin films using amide precursors and method of using same |
US6995948B2 (en) * | 2002-07-11 | 2006-02-07 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head, method for producing the same and magnetic disk device using the same |
US7365029B2 (en) * | 2002-12-20 | 2008-04-29 | Applied Materials, Inc. | Method for silicon nitride chemical vapor deposition |
JP4954448B2 (ja) * | 2003-04-05 | 2012-06-13 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. | 有機金属化合物 |
US7553769B2 (en) * | 2003-10-10 | 2009-06-30 | Tokyo Electron Limited | Method for treating a dielectric film |
US20050287747A1 (en) | 2004-06-29 | 2005-12-29 | International Business Machines Corporation | Doped nitride film, doped oxide film and other doped films |
US7488690B2 (en) * | 2004-07-06 | 2009-02-10 | Applied Materials, Inc. | Silicon nitride film with stress control |
US20060045986A1 (en) * | 2004-08-30 | 2006-03-02 | Hochberg Arthur K | Silicon nitride from aminosilane using PECVD |
US8748003B2 (en) | 2004-09-01 | 2014-06-10 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Gas barrier laminate and production method of the same |
JP4894153B2 (ja) * | 2005-03-23 | 2012-03-14 | 株式会社アルバック | 多孔質膜の前駆体組成物及びその調製方法、多孔質膜及びその作製方法、並びに半導体装置 |
US20060228903A1 (en) | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Mcswiney Michael L | Precursors for the deposition of carbon-doped silicon nitride or silicon oxynitride films |
CN1834288A (zh) * | 2006-04-07 | 2006-09-20 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种低温化学气相沉积制备氮化硅薄膜的方法 |
US7875312B2 (en) | 2006-05-23 | 2011-01-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for producing silicon oxide films for organoaminosilane precursors |
US20080124946A1 (en) | 2006-11-28 | 2008-05-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Organosilane compounds for modifying dielectrical properties of silicon oxide and silicon nitride films |
DE102008037896A1 (de) | 2008-08-15 | 2010-02-18 | Ksb Aktiengesellschaft | Energierückgewinnungseinrichtung und Verfahren zur Auslegung |
KR20110084517A (ko) | 2008-10-20 | 2011-07-25 | 다우 코닝 코포레이션 | Cvd 전구체 |
JP5547418B2 (ja) * | 2009-03-19 | 2014-07-16 | 株式会社Adeka | 化学気相成長用原料及びこれを用いたシリコン含有薄膜形成方法 |
US8889235B2 (en) * | 2009-05-13 | 2014-11-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Dielectric barrier deposition using nitrogen containing precursor |
US8329599B2 (en) * | 2011-02-18 | 2012-12-11 | Asm Japan K.K. | Method of depositing dielectric film by ALD using precursor containing silicon, hydrocarbon, and halogen |
-
2012
- 2012-06-01 EP EP21192244.8A patent/EP3929326A3/en active Pending
- 2012-06-01 JP JP2014513739A patent/JP5785325B2/ja active Active
- 2012-06-01 EP EP18151101.5A patent/EP3330404B1/en active Active
- 2012-06-01 KR KR1020167020402A patent/KR20160093093A/ko active Search and Examination
- 2012-06-01 EP EP12727508.9A patent/EP2714960B1/en active Active
- 2012-06-01 US US14/122,825 patent/US9447287B2/en active Active
- 2012-06-01 KR KR1020147000044A patent/KR101659463B1/ko active IP Right Grant
- 2012-06-01 CN CN201610536821.6A patent/CN106048557B/zh active Active
- 2012-06-01 CN CN201280027268.3A patent/CN103582719B/zh active Active
- 2012-06-01 KR KR1020197001364A patent/KR102072348B1/ko active IP Right Grant
- 2012-06-01 WO PCT/US2012/040433 patent/WO2012167060A2/en active Application Filing
- 2012-06-04 TW TW101120022A patent/TWI496934B/zh active
-
2015
- 2015-07-22 JP JP2015144696A patent/JP6050441B2/ja active Active
-
2016
- 2016-08-10 US US15/233,018 patent/US10319584B2/en active Active
- 2016-11-24 JP JP2016227697A patent/JP6466897B2/ja active Active
-
2019
- 2019-04-29 US US16/398,209 patent/US20190287798A1/en not_active Abandoned
-
2021
- 2021-10-21 US US17/507,771 patent/US11725111B2/en active Active
-
2023
- 2023-06-20 US US18/337,945 patent/US20230348736A1/en active Pending
Patent Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5424095A (en) * | 1994-03-07 | 1995-06-13 | Eniricerche S.P.A. | Ceramic vapor deposited coating using a steam-containing carrier gas and non-alkoxy silane precursors |
JPH0870042A (ja) * | 1994-08-30 | 1996-03-12 | Fujitsu Ltd | 絶縁膜の形成方法 |
US5888662A (en) * | 1996-11-26 | 1999-03-30 | Motorola, Inc. | Modified electrodes for display devices |
JP2000080476A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-03-21 | Toshiba Corp | 気相成長方法および気相成長装置およびハロゲン化アンモニウム除去装置 |
JP2003179054A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-06-27 | Tokyo Electron Ltd | 絶縁膜の形成方法及び絶縁膜の形成装置 |
JP2004047090A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド、その製造方法及びそれを用いた磁気ディスク装置 |
JP2004103688A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Sony Corp | 絶縁膜の形成方法およびゲート絶縁膜 |
JP2006025356A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Fujitsu Ltd | ホームエージェント |
JP2011040741A (ja) * | 2005-05-16 | 2011-02-24 | Air Products & Chemicals Inc | 化学気相成長用組成物 |
JP2008258591A (ja) * | 2007-02-27 | 2008-10-23 | Air Products & Chemicals Inc | ケイ素含有膜の周期的プラズマ化学気相堆積 |
JP2010530127A (ja) * | 2007-03-30 | 2010-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 歪みシリコン窒化物膜及び該膜を含むデバイスの作製方法 |
JP2010539730A (ja) * | 2007-09-18 | 2010-12-16 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | シリコン含有膜を形成する方法 |
JP2010021551A (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-28 | Air Products & Chemicals Inc | シャロートレンチアイソレーション膜のためのアミノシラン |
JP2010066597A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | パターン形成方法 |
JP2010118664A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Air Products & Chemicals Inc | 応力を加えたSiN膜用アミノ・ビニルシラン前駆体 |
JP2010183069A (ja) * | 2009-01-07 | 2010-08-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
JP2010275602A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Adeka Corp | 化学気相成長用原料とこれを用いたシリコン含有薄膜形成方法 |
JP2011097017A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-05-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
Non-Patent Citations (5)
Title |
---|
A.M. WROBEL: "REACTIVITY OF ORGANOSILICON PRECURSORS IN REMOTE HYDROGEN MICROWAVE PLASMA 以下備考", APPLIED ORGANOMETALLIC CHEMISTRY, vol. V24 N3, JPN5014007343, 1 March 2010 (2010-03-01), pages 201 - 207, ISSN: 0003016441 * |
ARKLES B: "SILICON NITRIDE FROM ORGANOSILAZANE CYCLIC AND LINEAR PREPOLYMERS", JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, vol. V133 N1, JPN5014007344, January 1986 (1986-01-01), US, pages 233 - 234, ISSN: 0003016442 * |
BLASZCZYK-LEZAK: "SILICON CARBONITRIDE BY REMOTE MICROWAVE PLASMA CVD FROM ORGANOSILICON PRECURSOR: 以下備考", APPLIED SURFACE SCIENCE, vol. V253 N18, JPN5014007342, 7 June 2007 (2007-06-07), NL, pages 7404 - 7411, ISSN: 0003016440 * |
ERIC BACQUE: "SYNTHESIS AND CHEMICAL PROPERTIES OF 1,3-DICHLORO-1,3-DIHYDRIDODISILAZANES", JOURNAL OF ORGANOMETALLIC CHEMISTRY, vol. V481, JPN5014007346, 1 January 1994 (1994-01-01), pages 167 - 172, XP055043403, ISSN: 0003016443, DOI: 10.1016/0022-328X(94)85021-6 * |
HOLGER FLEISCHER: "GAS-PHASE MOLECULAR STRUCTURES OF BIS(CHLOROMETHYLSILYL)AMINE 以下備考", JOURNAL OF THE CHEMICAL SOCIETY, vol. N4, JPN5014007345, 1 January 1998 (1998-01-01), pages 593 - 600, XP055043355, ISSN: 0003016444, DOI: 10.1039/a708219c * |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014183218A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム |
CN114231947A (zh) * | 2016-02-26 | 2022-03-25 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 组合物和使用其沉积含硅膜的方法 |
JP2020514552A (ja) * | 2017-03-14 | 2020-05-21 | シュンク・コーレンストッフテヒニーク・ゲーエムベーハー | コーティングされた製品及びその製造方法 |
US11932937B2 (en) | 2017-03-14 | 2024-03-19 | Schunk Kohlenstofftechnik Gmbh | Coated product and production method |
JP2020516067A (ja) * | 2017-03-29 | 2020-05-28 | ディーエヌエフ カンパニー リミテッドDNF Co. Ltd. | ビス(アミノシリル)アルキルアミン化合物を含むシリコン含有薄膜蒸着用組成物、およびそれを用いたシリコン含有薄膜の製造方法 |
JP2020516062A (ja) * | 2017-03-29 | 2020-05-28 | ディーエヌエフ カンパニー リミテッドDNF Co. Ltd. | シリコン含有薄膜蒸着用組成物およびそれを用いたシリコン含有薄膜の製造方法 |
US11393676B2 (en) | 2017-03-29 | 2022-07-19 | Dnf Co., Ltd. | Composition for depositing silicon-containing thin film containing bis(aminosilyl)alkylamine compound and method for manufacturing silicon-containing thin film using the same |
US11749522B2 (en) | 2017-03-29 | 2023-09-05 | Dnf Co., Ltd. | Composition for depositing silicon-containing thin film containing bis(aminosilyl)alkylamine compound and method for manufacturing silicon-containing thin using the same |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6466897B2 (ja) | 炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための組成物及び方法 | |
KR101910020B1 (ko) | 유기아미노디실란 전구체 및 이를 포함하는 막을 증착시키는 방법 | |
CN109963963B (zh) | 用于沉积氧化硅膜的组合物和方法 | |
US9371338B2 (en) | Organosilane precursors for ALD/CVD silicon-containing film applications | |
JP6445375B2 (ja) | 有機アミノジシラン前駆体、及びそれを含む膜の堆積方法 | |
JP6100734B2 (ja) | アザ−ポリシラン前駆体、及びそれを含む膜の堆積方法 | |
JP6404540B2 (ja) | 有機アミノシラン前駆体、並びにその製造方法及び使用方法 | |
KR102430845B1 (ko) | 고성장률 규소-함유 필름을 위한 전구체로서 작용성화된 사이클로실라잔 | |
JP2023542236A (ja) | ゲルマニウムシード層のための組成物およびそれを使用する方法 | |
JPWO2022020705A5 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150223 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150303 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150603 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150623 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150723 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5785325 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |