CN106433454A - 在物体表面形成保护层的方法及表面形成有保护层的产品 - Google Patents
在物体表面形成保护层的方法及表面形成有保护层的产品 Download PDFInfo
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Abstract
本发明提供一种在物体表面形成保护层的方法,包括:将所述物体的至少一部分表面暴露于等离子体中,形成所述等离子体的气体至少包括由化学式(I)表示的化合物,其中,R1、R2、R3分别独立地选自氢、烷基、烯烃、卤代烷基、卤代烯烃或任选地氢被卤素取代的芳基。R4、R5、R6分别独立地选自氢、氯、溴、碘、烷基、烯烃、羟基、卤代烷基、卤代烯烃、任选地氢被卤素取代的芳基或者由‑O‑R7的基团,其中R7选自烷基。本发明还提供一种表面形成有保护层的产品,该保护层通过上述方法形成于所述产品的表面。
Description
技术领域
本发明涉及一种在物体表面形成保护层的方法以及表面形成有保护层的产品。
背景技术
在人们生产和日常生活中,经常需要其使用的物体免于被液体(水、油、水溶液或者其他含有水、油的混合液体等等)接触其表面,引起物体被污染、浸湿,或者因为这些液体作用而引起物体损坏。这里,人们使用的物体是产品。例如,产品包括电气设备、电子设备、手表和穿戴产品。
在现有的防止物体被液体接触的技术中,公开了一种通过利用含有聚合物的等离子体在物体表面形成防护聚合物层,例如,中国专利申请号CN200780002557公开了一种在物体表面形成防护聚合物层,以防止物体被液体污染或浸湿。然而,在现有的通过利用含有聚合物的等离子体在物体表面形成防护聚合物层的技术中,存在防止物体被液体接触表面的能力弱,且防护聚合物层与物体表面的结合力差等问题。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提出一种在物体表面形成保护层的方法,通过本发明提出的在物体表面形成保护层的方法,能够提高防止物体被液体接触表面的能力,且提高保护层与物体表面的结合力。本发明还提出一种表面形成有保护层的产品,该产品的保护层能够提高防止产品被液体接触表面的能力,且提高保护层与产品表面的结合力。
根据本发明的一个方面,本发明提供一种在物体表面形成保护层的方法,包括:
将所述物体的至少一部分表面暴露于等离子体中,形成所述等离子体的气体至少包括由化学式(I)表示的化合物,
其中,R1、R2、R3分别独立地选自氢、烷基、烯烃、卤代烷基、卤代烯烃或任选地氢被卤素取代的芳基。R4、R5、R6分别独立地选自氢、氯、溴、碘、烷基、烯烃、羟基、卤代烷基、卤代烯烃、任选地氢被卤素取代的芳基或者由-O-R7的基团,其中R7选自烷基。
根据本发明的一个方面,R1、R2、R3中的至少一个为卤代烷基。
根据本发明的一个方面,R1、R2、R3中的至少一个为CH2CH2(CF2)nCF3,其中n为0或者1至11的中的任一整数。
根据本发明的一个方面,R4、R5、R6中的至少一个包括-O-(CH2)m-Y的基团,其中m为0或者1至10中的任一整数,Y选自氢或者甲基。
根据本发明的一个方面,化学式(I)表示的化合物为CF3(CF2)7CH2CH2Si(OCH3)3。
根据本发明的一个方面,当R4、R5、R6是选自氢、烷基、烯烃、卤代烷基、卤代烯烃或任选地被卤素取代的芳基,形成所述等离子体的气体还包括氧气。
根据本发明的一个方面,形成等离子体的气体还包括载气,载气选自惰性气体、CF4、C3F8、N2、H2中的至少一种。
根据本发明的一个方面,包括由化学式(I)表示的化合物的形成等离子体的气体在等离子体设备的等离子体腔体中形成等离子体。等离子体设备包括成对设置的电极,成对设置的电极容纳在等离子体腔体中。
根据本发明的一个方面,成对设置的电极与连续射频电源相连接,施加到成对设置的电极的连续电功率范围为0.0001-5000w/m3;所述物体的至少一部分表面暴露于等离子体中的时间为0.001秒-60分钟;等离子体腔体中的压强为0.0001-1000毫托。
根据本发明的一个方面,施加到成对设置的电极的连续电功率范围为300-3000w/m3;物体的至少一部分表面暴露于等离子体中的时间为1-60分钟;等离子体腔体中的压强为0.1-500毫托。
根据本发明的一个方面,施加到成对设置的电极的连续电功率范围为600-2000w/m3;物体的至少一部分表面暴露于等离子体中的时间为5-15分钟;等离子体腔体中的压强为0.1-200毫托。
根据本发明的一个方面,成对设置的电极与脉冲射频电源相连接,施加到所述成对的电极的脉冲电功率范围为0.0001-5000w/m3;等离子体腔体中的压强为0.0001-1000毫托;所述物体的至少一部分表面暴露于等离子体中的时间为0.001秒-80分钟;施加到所述成对的电极的脉冲频率为10-5000Hz。占空比为5%-95%。
根据本发明的一个方面,施加到所述成对设置的电极的脉冲电功率范围为10-2000w/m3;等离子体腔体中的压强为0.1-500毫托;物体的至少一部分表面暴露于等离子体中的时间为1-55分钟。
根据本发明的一个方面,施加到成对设置的电极的脉冲电功率范围为50-1200w/m3;等离子体腔体中的压强为0.1-300毫托;物体的至少一部分表面暴露于等离子体中的时间为2-30分钟。
根据本发明的一个方面,保护层为疏液性保护层。
通过本发明的一个方面所提出的在物体表面形成保护层的方法,能够提高防止物体被液体接触表面的能力,且提高保护层与物体表面的结合力。
根据本发明的另一个方面,提供一种表面形成有保护层的产品,该保护层通过上述本发明的一个方面所提出的在物体表面形成保护层的方法形成于所述产品的表面。
根据本发明的另一个方面,所述产品包括:电气设备、电子设备、布匹、渗透膜、手表和穿戴产品中的至少一种。
根据本发明的另一个方面,电气设备包括:通信基站、变电设备、数据切换设备、交通工具、室外照明设备中的至少一种和/或其中任何一种的部件。
根据本发明的另一个方面,电子设备包括:手持通信设备、电子游戏设备、可穿戴电子设备中的至少一种和/或其中任何一种的部件。
根据本发明的另一个方面,穿戴产品包括服装、鞋帽和/或饰品中的至少一种。
根据本发明的另一个方面所提供的表面形成有保护层的产品,该产品的保护层能够提高防止产品被液体接触表面的能力,且提高保护层与产品表面的结合力。
具体实施方式
下面对本发明的一个以上的实施例的技术方案进行描述。显然,所描述的实施例仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。需要说明的是,基于本发明中的这些实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
需要说明的是,在本发明中,“气体”的表述是指或者单独的或者混合物形式的气体或蒸汽以及气溶胶。
在本发明的一个实施例中,提供一种在物体表面形成保护层的方法,包括:
将物体的至少一部分表面暴露于等离子体中,形成等离子体的气体至少包括由化学式(I)表示的化合物,
其中,R1、R2、R3分别独立地选自氢、烷基、烯烃、卤代烷基、卤代烯烃或任选地氢被卤素取代的芳基。R4、R5、R6分别独立地选自氢、氯、溴、碘、烷基、烯烃、羟基、卤代烷基、卤代烯烃、任选地氢被卤素取代的芳基或者由-O-R7的基团,其中R7选自烷基。
根据本发明的实施例的一个实例,R1、R2、R3中的至少一个为卤代烷基。作为该实例的一个例子,R2是卤代烷基。在该实例的其他例子中,也可以是R1或R3是卤代烷基。作为该实施例的另一个实例,R1、R2、R3中有2个为卤代烷基。
进一步地说,根据本发明的实施例的一个实例,R1、R2、R3中的至少一个为CH2CH2(CF2)nCF3,其中n为0或者1至11的中的任一整数。
根据本发明的实施例的一个实例,R4、R5、R6中的至少一个包括-O-(CH2)m-Y的基团,其中m为0或者1至10中的任一整数,Y选自氢或者甲基。
根据本发明的实施例的一个实例,化学式(I)表示的化合物为CF3(CF2)7CH2CH2Si(OCH3)3。也就是说,化学式(I)表示的化合物为1H,1H,2H,2H-全氟葵基三甲氧基硅烷。
根据本发明的实施例的一个实例,当R4、R5、R6是选自氢、烷基、烯烃、卤代烷基、卤代烯烃或任选地被卤素取代的芳基时,形成所述等离子体的气体还包括氧气。
根据本发明的实施例的一个实例,形成等离子体的气体还包括载气,载气选自惰性气体、CF4、C3F8、N2、H2中的至少一种。
根据本发明的实施例的一个实例,包括由化学式(I)表示的化合物的形成等离子体的气体在等离子体设备的等离子体腔体中形成等离子体。等离子体设备包括成对设置的电极,成对设置的电极容纳在等离子体腔体中。
根据本发明的实施例的一个实例,CF3(CF2)nCH2CH2Si(OCH3)3中的n为3-6中的任何一个整数。作为一个例子,n为5或者6。如此,在预定的饱和蒸气压下,其对应的温度较低,包含化学式(I)表示的该化合物的形成等离子体的气体通过管道导入到等离子体设备的等离子体腔体中,以形成等离子体,变得更加容易。
根据本发明的实施例的一个实例,CF3(CF2)nCH2CH2Si(OCH3)3中的n为8-11中的任何一个整数。作为一个例子,n为8或者9。如此,由包含化学式(I)表示的该化合物的气体所形成的等离子体处理后的物体的表面所形成的保护层的疏液性更好。且当n为8或者9时,包含化学式(I)表示的该化合物的形成等离子体的气体通过管道导入到等离子体设备的等离子体腔体中,以形成等离子体,比n为10以上时更加容易。
根据本发明的实施例的一个实例,成对设置的电极与连续射频电源相连接,施加到成对设置的电极的连续电功率范围为0.0001-5000w/m3。所述物体的至少一部分表面暴露于等离子体中的时间为0.001秒-60分钟;等离子体腔体中的压强为0.0001-1000毫托。
进一步地说,根据本发明的实施例的一个实例,施加到成对设置的电极的连续电功率范围为300-3000w/m3。物体的至少一部分表面暴露于等离子体中的时间为1-60分钟。等离子体腔体中的压强为0.1-500毫托。
进一步地说,根据本发明的实施例的一个实例,施加到成对设置的电极的连续电功率范围为600-2000w/m3。物体的至少一部分表面暴露于等离子体中的时间为5-15分钟。等离子体腔体中的压强为0.1-200毫托。
根据本发明的实施例的一个实例,成对设置的电极与脉冲射频电源相连接,施加到所述成对的电极的脉冲电功率范围为0.0001-5000w/m3。等离子体腔体中的压强为0.0001-1000毫托。所述物体的至少一部分表面暴露于等离子体中的时间为0.001秒-80分钟。施加到所述成对的电极的脉冲频率为10-5000Hz。占空比为5%-95%。
进一步地说,根据本发明的实施例的一个实例,施加到所述成对设置的电极的脉冲电功率范围为10-2000w/m3。等离子体腔体中的压强为0.1-500毫托。物体的至少一部分表面暴露于等离子体中的时间为1-55分钟。
进一步地说,根据本发明的实施例的一个实例,施加到成对设置的电极的脉冲电功率范围为50-1200w/m3。等离子体腔体中的压强为0.1-300毫托。物体的至少一部分表面暴露于等离子体中的时间为2-30分钟。如此,有助于提高保护层的疏液性。
根据本发明的实施例的一个实例,保护层为疏液性保护层。这里,疏液性的“液”是指液体。具体地说,液体包括水、油、水溶液或者其他含有水或油的混合液体等等中的至少一种。
通过本发明的一个方面所提出的在物体表面形成保护层的方法,能够提高防止物体被液体接触表面的能力,且提高保护层与物体表面的结合力。
根据本发明的另一个实施例,提供一种表面形成有保护层的产品,该保护层通过上述本发明的一个方面所提出的在物体表面形成保护层的方法形成于所述产品的表面。
根据本发明的另一个实施例的一个实例,产品包括:电气设备、电子设备、布匹、过滤膜、手表和穿戴产品中的至少一种。
根据本发明的另一个实施例的一个实例,电气设备包括:通信基站、变电设备、数据切换设备、交通工具和室外照明设备中的至少一种。电气设备还可以包括:通信基站、变电设备、数据切换设备、交通工具和室外照明设备中的任何一种的部件。
根据本发明的另一个实施例的一个实例,电子设备包括:手持通信设备、电子游戏设备、可穿戴电子设备中的任何一种。电子设备还可以包括手持通信设备、电子游戏设备、可穿戴电子设备中的任何一种的任意部件。
根据本发明的另一个实施例的一个实例,穿戴产品包括服装、鞋帽和/或饰品。
根据本发明的另一个方面所提供的表面形成有保护层的产品,该产品的保护层能够提高防止产品被液体接触表面的能力,且提高保护层与产品表面的结合力。
虽然以上对本发明没有特别说明,本领域的技术人员可以理解,现有技术所公开的内容可以通过结合应用到本发明中。现有技术包括但不限于中国专利申请号CN200780002629、CN200780048614、CN200980120491、CN200780002557和CN200880114449。例如,本领域的技术人员可以知道,本发明中的物体和产品并不止限于上面的描述所限定的,还可以包括这些专利公开的所有物体和产品。例如,本发明所描述的电子设备还包括中国专利申请号CN200780002557所公开的所有电子设备。又例如,如果本发明未做具体说明,这些现有技术中公开的工艺参数、方法、实施例等等也可以通过替换的方式结合到本发明中。
以上对本发明所提供的一种在物体表面形成保护层的方法以及表面形成有保护层的产品进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及发明构思;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (22)
1.一种在物体表面形成保护层的方法,其特征在于,包括:
将所述物体的至少一部分表面暴露于等离子体中,形成所述等离子体的气体至少包括由化学式(I)表示的化合物,
其中,R1、R2、R3分别独立地选自氢、烷基、烯烃、卤代烷基、卤代烯烃或任选地氢被卤素取代的芳基;
R4、R5、R6分别独立地选自氢、氯、溴、碘、烷基、烯烃、羟基、卤代烷基、卤代烯烃、任选地氢被卤素取代的芳基或者由-O-R7的基团,其中R7选自烷基。
2.根据权利要求1所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于,
R1、R2、R3中的至少一个为卤代烷基。
3.根据权利要求2所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于,
R1、R2、R3中的至少一个为CH2CH2(CF2)nCF3,其中n为0或者1至11中的任一整数。
4.根据权利要求1所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于,
R4、R5、R6中的至少一个包括-O-(CH2)m-Y的基团,其中m为0或者1至10中的任一整数,Y选自氢或者甲基。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于,
所述化学式(I)表示的化合物为CF3(CF2)7CH2CH2Si(OCH3)3。
6.根据权利要求1所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于,
当R4、R5、R6是选自氢、烷基、烯烃、卤代烷基、卤代烯烃或任选地被卤素取代的芳基时,形成所述等离子体的气体还包括氧气和/或氩气。
7.根据权利要求1所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于,
形成所述等离子体的气体还包括载气,所述载气选自惰性气体、CF4、C3F8、N2、H2中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于,
所述化学式(I)表示的化合物为CF3(CF2)nCH2CH2Si(OCH3)3,n为3-6中的任何一个整数。
9.根据权利要求1所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于,
所述化学式(I)表示的化合物为CF3(CF2)nCH2CH2Si(OCH3)3,n为8-11中的任何一个整数。
10.根据权利要求1所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于:
包括由化学式(I)表示的化合物的形成所述等离子体的气体在等离子体设备的等离子体腔体中形成所述等离子体;
所述等离子体设备包括成对设置的电极,所述成对设置的电极容纳在所述等离子体腔体中。
11.根据权利要求10所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于:
所述成对设置的电极与连续射频电源相连接,施加到所述成对的电极的连续电功率范围为0.0001-5000w/m3;所述物体的至少一部分表面暴露于等离子体中的时间为0.001秒-60分钟;等离子体腔体中的压强为0.0001-10000毫托。
12.根据权利要求11所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于:
施加到所述成对的电极的连续电功率范围为100-3000w/m3;所述物体的至少一部分表面暴露于等离子体中的时间为1-60分钟;等离子体腔体中的压强为0.1-1000毫托。
13.根据权利要求12所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于:
施加到所述成对的电极的连续电功率范围为600-2000w/m3;所述物体的至少一部分表面暴露于等离子体中的时间为5-15分钟;等离子体腔体中的压强为0.1-200毫托。
14.根据权利要求10所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于:
所述成对的电极与脉冲射频电源相连接,施加到所述成对的电极的脉冲电功率范围为0.0001-5000w/m3;等离子体腔体中的压强为0.0001-1000毫托;所述物体的至少一部分表面暴露于等离子体中的时间为0.001秒-80分钟;施加到所述成对的电极的脉冲频率为10-5000Hz。占空比为5%-95%。
15.根据权利要求14所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于:
施加到所述成对的电极的脉冲电功率范围为10-2000w/m3;等离子体腔体中的压强为0.1-500毫托;所述物体的至少一部分表面暴露于等离子体中的时间为1-55分钟。
16.根据权利要求15所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于:
施加到所述成对的电极的脉冲电功率范围为50-1200w/m3;等离子体腔体中的压强为0.1-300毫托;所述物体的至少一部分表面暴露于等离子体中的时间为2-30分钟。
17.根据权利要求1所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于:
所述保护层为疏液性保护层。
18.一种表面形成有保护层的产品,其特征在于:
所述保护层通过如权利要求1-17中任何一项所述的在物体表面形成保护层的方法形成于所述产品的表面。
19.根据权利要求18所述的表面形成有保护层的产品,其特征在于:所述产品包括:
电气设备、电子设备、手表、布匹、渗透膜和穿戴产品中的至少一种。
20.根据权利要求19所述的表面形成有保护层的产品,其特征在于:
所述电气设备包括:通信基站、变电设备、数据切换设备、交通工具、室外照明设备中的任何一种和/或通信基站、变电设备、数据切换设备、交通工具、室外照明设备中的任何一种的任意部件。
21.根据权利要求19所述的表面形成有保护层的产品,其特征在于:
所述电子设备包括:手持通信设备、电子游戏设备、可穿戴电子设备中的任何一种和/或手持通信设备、电子游戏设备、可穿戴电子设备中的任何一种的任意部件。
22.根据权利要求19所述的表面形成有保护层的产品,其特征在于:
所述穿戴产品包括服装、鞋帽和/或饰品。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20170222 |