JP2014506400A - finFETプロセスにおいて抵抗器を製造するための構造体及び方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1及び少なくとも第2のフィン構造体を含む構造体が形成される。第1及び少なくとも第2のフィン構造体の各々は、垂直方向に配向された半導体ボディを有する。垂直方向に配向された半導体ボディは、垂直面から成る。第1及び少なくとも第2のフィン構造体の各々内のドープ領域は、第1の抵抗器及び少なくとも第2の抵抗器を形成するように半導体ボディ内に存在するある濃度のドーパント・イオンと、第1及び少なくとも第2のフィン構造体のドープ領域の外部上に形成される一対の併合したフィンとから成る。一対の併合したフィンは、第1及び少なくとも第2の抵抗器が互いに電気的に並列接続されるように、電気的に接続される。
【選択図】 図1
Description
注入ステップは、マスクを用いない又はマスクを用いたイオン注入プロセスを用いて行うことができる。
105、110:フィン構造体
115、116、415、416:半導体ボディ
120、121:垂直面
125、126、160、161:ドープ領域
130、135:抵抗器
140a、140b:一対の併合したフィン
150:基板
150a:基板の下部
150b:基板の上部
152、195:ドーパント・イオン
155、156:フィン・キャップ誘電体層
159:フォトレジスト
170a、170b、171a、171b:半導体ボディの端部
175、475:誘電体層
180、480、485:導電層
185:マスキング層
190:多結晶シリコン(ポリシリコン)
197:コンタクト
Claims (25)
- 各々が垂直方向に配向された半導体ボディを有する第1及び少なくとも第2のフィン構造体であって、前記垂直方向に配向された半導体ボディは垂直面を含む、第1及び少なくとも第2のフィン構造体と、
前記第1及び少なくとも第2のフィン構造体の各々内の、第1の抵抗器及び少なくとも第2の抵抗器を形成するように、前記半導体ボディ内に存在するある濃度のドーパント・イオンを含むドープ領域と、
前記第1及び少なくとも第2のフィン構造体の前記ドープ領域の外側部分上に形成され、かつ、前記第1及び少なくとも第2の抵抗器が互いに電気的に並列接続されるように電気的に接続された、一対の併合したフィンと、
を含む構造体。 - 前記第1及び少なくとも第2のフィン構造体の前記ドープ領域の各々は、前記垂直方向に配向された半導体ボディ内に存在し、前記垂直面から内方に延びる、請求項1に記載の構造体。
- 前記第1及び少なくとも第2のフィン構造体の前記ドーパント・イオンは、前記半導体ボディの厚さ及前記ドーパント・イオンの濃度に依存しない所定の深さまで、前記半導体ボディ内に拡散する、請求項1に記載の構造体。
- 前記第1及び少なくとも第2のフィン構造体の前記半導体ボディの各々は、水平面の上にフィン・キャップ誘電体層を有する、請求項1に記載の構造体。
- 前記フィン・キャップ誘電体層はSiO2から成る、請求項4に記載の構造体。
- 前記第1及び第2のフィン構造体は、基板の絶縁体材料層上に配置される、請求項1に記載の構造体。
- 前記第1及び少なくとも第2のフィン構造体の前記半導体ボディは、
前記半導体ボディの前記垂直面及び上部水平面、並びに、前記第1及び少なくとも第2のフィン半導体ボディの前記垂直面の中間にある下部水平面において、前記第1及び少なくとも第2のフィン構造体の前記半導体ボディに接触する誘電体層と、
前記誘電体層に接触する導電性プレートと、
を含む、請求項1に記載の構造体。 - 前記導電性プレートは、TiN、TaN、又はWNから成る、請求項7に記載の構造体。
- 前記誘電体層はHfO2から成る、請求項7に記載の構造体。
- 前記第1のフィン構造体の前記ドープ領域は、前記少なくとも第2のフィン構造体の前記ドープ領域とは異なるドーパント型又はこれと同じドーパント型を有する、請求項1に記載の構造体。
- 前記併合したフィンの対は、前記併合したフィンの対の上面上に複数のコンタクトを含む、請求項1に記載の構造体。
- 前記併合したフィンの対はシリコンから成る、請求項1に記載の構造体。
- 前記第1及び少なくとも第2のフィン構造体の前記半導体ボディは、
前記半導体ボディの前記垂直面及び上部水平面、並びに、前記第1及び少なくとも第2のフィン半導体ボディの前記垂直面の中間にある下部水平面において、前記第1及び少なくとも第2のフィン構造体の前記半導体ボディに接触する第1の導電性プレートと、
前記第1の導電性プレートに接触する誘電体層と、
前記誘電体層に接触する第2の導電性プレートと、
を含む、請求項1に記載の構造体。 - 前記第1及び第2の導電性プレートは、W、TiN、TaN、又はWNから成る、請求項13に記載の構造体。
- 前記第1及び少なくとも第2のフィン構造体の前記半導体ボディの各々は、単結晶Si又はSiGeから成る、請求項1に記載の構造体。
- 構造体を形成する方法であって、
各々が垂直方向に配向された半導体ボディを有する、第1及び少なくとも第2のフィン構造体を形成するステップであって、前記垂直方向に配向された半導体ボディは垂直面を含む、形成するステップと、
前記第1及び少なくとも第2のフィン構造体の各々内に、第1の抵抗器及び少なくとも第2の抵抗器を形成するように前記半導体ボディ内に存在するある濃度のドーパント・イオンを含むドープ領域を形成するステップと、
前記第1及び少なくとも第2のフィン構造体の前記ドープ領域の外側部分上に形成され、かつ、前記第1及び少なくとも第2の抵抗器が互いに電気的に並列接続されるように電気的に接続された一対の併合したフィンを形成するステップと、
を含む方法。 - 前記第1及び少なくとも第2のフィン構造体の前記ドープ領域の各々は、前記垂直方向に配向された半導体ボディ内に存在し、前記垂直面から内方に延びる、請求項16に記載の方法。
- 前記第1及び少なくとも第2のフィン構造体の前記ドーパント・イオンは、前記半導体ボディの厚さ及前記ドーパント・イオンの前記濃度に依存しない所定の深さまで、前記半導体ボディ内に拡散する、請求項16に記載の方法。
- 前記第1及び少なくとも第2のフィン構造体の前記半導体ボディの各々は、水平面の上にフィン・キャップ誘電体層を有する、請求項16に記載の方法。
- 前記第1及び少なくとも第2のフィン構造体は、基板の絶縁体材料層の上に配置される、請求項16に記載の方法。
- 前記第1及び少なくとも第2のフィン構造体の前記半導体ボディは、
前記第1及び少なくとも第2のフィン構造体の各々内の、第1の抵抗器及び少なくとも第2の抵抗器を形成するように、前記半導体ボディ内に存在するある濃度のドーパント・イオンを含むドープ領域と、
前記第1及び少なくとも第2のフィン構造体の前記ドープ領域の外側部分上に形成され、かつ、前記第1及び少なくとも第2の抵抗器が互いに電気的に並列接続されるように電気的に接続された、一対の併合したフィンと、
を含む、請求項16に記載の方法。 - 前記第1のフィン構造体の前記ドープ領域は、前記少なくとも第2のフィン構造体の前記ドープ領域とは異なるドーパント型又はこれと同じドーパント型を有する、請求項16に記載の方法。
- 前記併合したフィンの対は、前記併合したフィンの対の上面上に複数のコンタクトを含む、請求項16に記載の方法。
- 前記第1及び少なくとも第2のフィン構造体の前記半導体ボディは、
前記半導体ボディの前記垂直面及び上部水平面、並びに、前記第1及び少なくとも第2のフィン半導体ボディの前記垂直面の中間にある下部水平面において、前記第1及び少なくとも第2のフィン構造体の前記半導体ボディに接触する第1の導電性プレートと、
前記第1の導電性プレートに接触する誘電体層と、
前記誘電体層に接触する第2の導電性プレートと、
を含む、請求項16に記載の方法。 - 少なくとも1つの並列抵抗回路を含む集積回路であって、前記少なくとも1つの並列抵抗回路は、
各々が垂直方向に配向された半導体ボディを有する、第1及び少なくとも第2のフィン構造体であって、前記垂直方向に配向された半導体ボディは垂直面を含む、第1及び少なくとも第2のフィン構造体と、
前記第1及び少なくとも第2のフィン構造体の各々内の、第1の抵抗器及び少なくとも第2の抵抗器を形成するように前記半導体ボディ内に存在するある濃度のドーパント・イオンを含むドープ領域と、
前記第1及び少なくとも第2のフィン構造体の前記ドープ領域の外側部分上に形成され、かつ、前記第1及び少なくとも第2の抵抗器が互いに電気的に並列接続されるように電気的に接続された、一対の併合したフィンと、
を含む、集積回路。
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