JP2014506015A - 少なくとも1つのオプトエレクトロニクス半導体装置を製造する方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1E
Description
、堆積またはポッティングにより形成される。溶射皮膜の場合、変換層の材料は、溶射フェーズにおいて例えば溶射ガンにより目標の場所に吹き飛ばされる。一例として、電気泳動法は、電圧を一方は表面、例えば放射通過領域および/または導電材料の表面と、反対側の電極との間に印加する方法であり、その結果、変換層の材料は、溶けた状態で表面に向かって移動し前記表面に堆積する。一例として、表面は導電性がある。言い換えれば、電気泳動法は、電気泳動析出法(EPDも)であってもよい。
Claims (12)
- 少なくとも1つのオプトエレクトロニクス半導体装置(100)を製造する方法であって、
a)キャリア(1)を設けるステップであって、前記キャリアは、上面(12)と、前記キャリア(1)の前記上面(12)の反対側に位置する下面(11)と、前記上面(12)に横方向(L)に並んで配置された複数の接続領域(13)とを有する、前記ステップと、
b)複数のオプトエレクトロニクス半導体チップ(2)を前記キャリア(1)の前記上面(12)に取り付けるステップであって、前記チップは横方向(L)に互いに間隔をおいて配置され、前記チップ(2)はそれぞれ前記キャリア(1)と反対側に少なくとも1つのコンタクト領域(22)を有する、前記ステップと、
c)少なくとも1つの反射コーティング(3)を前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(2)の側面領域(24)と前記キャリア(1)の露出した位置に形成する前記ステップと、
d)反射コーティング(3)に開口(5)を導入するステップであって、前記開口(5)は前記反射コーティング(3)を完全に貫き、前記キャリア(1)の反対側の前記反射コーティング(3)の上面(31)から前記キャリア(1)の上面(12)の方向に延在する前記ステップと、
e)導電材料(8)を前記反射コーティング(3)上および前記開口(5)の少なくとも一部に配置するステップであって、
−前記導電材料(8)は、前記コンタクト領域(22)を前記コンタクト領域(22)に割り当てられた前記接続領域(13)にそれぞれ導電的に接続し、
− 前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(2)の放射通過領域(25)には前記反射コーティング(3)が存在せず、
− 前記反射コーティング(3)は前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(2)を横方向に越えて突き出ることはない、前記ステップと、を備える、方法。 - 前記反射コーティング(3)は、ポッティングプロセスにより形成されたポッティング(33)である、
請求項1に記載の方法。 - 前記導電材料(8)は、少なくとも1つの前記開口(5)を部分的にだけ満たし、少なくとも1つの電気絶縁充填材(14)が、少なくとも所々導電材料(8)の露出した位置に開口(5)内で配置されている、
請求項1または2に記載の方法。 - 前記電気絶縁充填材(14)は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(2)もしくは前記反射コーティング(3)またはその両方を越えて横方向に突き出ることはない、
請求項1から3のいずれかに記載の方法。 - 前記電気絶縁充填材(14)は、シリコン、エポキシド、およびシリコンとエポキシドの複合物のうち少なくとも1つにより形成される、
請求項3または4に記載の方法。 - 導電材料(8)を少なくとも1つの放射通過領域(25)に少なくとも部分的に配置し、前記導電材料(8)の露出した位置に少なくとも所々配置した後、少なくとも1つの変換層(9)が形成され、
− 前記変換層(9)は、少なくとも1つの発光変換材料(91)を含んでおり、
− 前記変換層(9)の側面領域(93)には反射コーティング(3)が存在しない、
請求項1から5のいずれかに記載の方法。 - 前記発光変換材料(91)が導入される前記変換層(9)の基本材料(92)と前記電気絶縁充填材(14)とは同じ材料で形成される、
請求項1から6のいずれかに記載の方法。 - 前記変換層(9)は、溶射皮膜、電気泳動法
、堆積またはポッティングにより形成される、
請求項6または7に記載の方法。 - オプトエレクトロニクス半導体装置(100)であって、
− キャリア(1)であって、前記キャリアは、上面(12)と、前記キャリア(1)の前記上面(12)の反対側に位置する下面(11)と、前記上面(12)に配置される少なくとも1つの接続領域(13)とを有する前記キャリア(1)と、
− 前記キャリア(1)の上面(12)に配置され、前記キャリア(1)と反対の側に少なくとも1つのコンタクト領域(22)を有する少なくとも1つのオプトエレクトロニクス半導体チップ(2)と、
− 前記キャリア(1)の露出した位置および前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(2)の露出した位置に形成された少なくとも1つの反射コーティング(3)と、
− 前記接続領域(13)の上に配置された少なくとも1つの開口(5)は、前記反射コーティング(3)を完全に貫いて、前記キャリア(1)の反対側の前記反射コーティング(3)の上面(31)から前記キャリア(1)の上面(12)の方向に延在しており、
− 前記反射コーティング(3)上および前記開口(5)内の少なくとも所々に配置された導電材料(8)と、を備え、
− 前記導電材料(8)は、前記コンタクト領域(22)を前記接続領域(13)に導電的に接続し、
− 前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(2)の放射通過領域(25)には前記反射コーティング(3)が存在せず、
− 前記反射コーティング(3)は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(2)を越えて横方向に突き出ることはない、オプトエレクトロニクス半導体装置(100)。 - 前記導電材料(8)は前記開口(5)を部分的にだけ満たし、少なくとも1つの電気絶縁充填材(14)が、前記導電材料(8)の露出した位置に対して、前記開口(5)において少なくとも部分的に配置されている、
請求項9に記載のオプトエレクトロニクス半導体装置(100)。 - 少なくとも1つの変換層(9)が前記放射通過領域(25)上に少なくとも部分的に配置され、前記導電材料(8)の露出した位置に対して少なくとも部分的に、
− 前記変換層(9)は、少なくとも1つの発光変換材料(91)を含み、
− 前記変換層(9)の側面領域(93)には、前記反射コーティング(3)が存在しない、
請求項9に記載のオプトエレクトロニクス半導体装置(100)。 - 請求項1〜8のいずれかの方法により製造される、オプトエレクトロニクス半導体装置(100)。
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