JP2014505324A - アクティブマトリクス式希薄ソース使用可能縦型有機発光トランジスタ - Google Patents
アクティブマトリクス式希薄ソース使用可能縦型有機発光トランジスタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014505324A JP2014505324A JP2013543313A JP2013543313A JP2014505324A JP 2014505324 A JP2014505324 A JP 2014505324A JP 2013543313 A JP2013543313 A JP 2013543313A JP 2013543313 A JP2013543313 A JP 2013543313A JP 2014505324 A JP2014505324 A JP 2014505324A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- vfet
- display panel
- source
- coupled
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title description 7
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 544
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 116
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 66
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 55
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 53
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 27
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 22
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 19
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 7
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 5
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920001600 hydrophobic polymer Polymers 0.000 claims 4
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 30
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 17
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 10
- 238000013461 design Methods 0.000 description 9
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- -1 4-butylphenyl Chemical group 0.000 description 7
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 7
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 7
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 5
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 5
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 5
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000011370 conductive nanoparticle Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 4
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000002238 carbon nanotube film Substances 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 description 3
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 description 3
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- ZMKRXXDBXFWSQZ-UHFFFAOYSA-N tris(2,4,6-trimethyl-6-pyridin-3-ylcyclohexa-2,4-dien-1-yl)borane Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)(C=2C=NC=CC=2)C1B(C1C(C=C(C)C=C1C)(C)C=1C=NC=CC=1)C1C(C)=CC(C)=CC1(C)C1=CC=CN=C1 ZMKRXXDBXFWSQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- FTMKAMVLFVRZQX-UHFFFAOYSA-N octadecylphosphonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCP(O)(O)=O FTMKAMVLFVRZQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000003204 osmotic effect Effects 0.000 description 2
- 238000005325 percolation Methods 0.000 description 2
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- DDCBCMPRTJJARO-UHFFFAOYSA-N 3,6-bis(dicyanomethylidene)-2,5-difluorocyclohexa-1,4-diene-1,4-dicarbonitrile Chemical compound FC1=C(C#N)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(C#N)C1=C(C#N)C#N DDCBCMPRTJJARO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUTHCURCAWPHIN-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(1-methyl-5-nitroimidazol-2-yl)ethynyl]pyrimidin-2-amine Chemical compound C1=C([N+]([O-])=O)N(C)C(C#CC=2N=C(N)N=CC=2)=N1 QUTHCURCAWPHIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000270730 Alligator mississippiensis Species 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006125 amorphous polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000004397 blinking Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009954 braiding Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 229920001002 functional polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AIZHGNQYRBRXOZ-UHFFFAOYSA-K iridium(3+) 2-phenyl-1H-pyridine-2-carboxylate Chemical compound [Ir+3].C1(=CC=CC=C1)C1(NC=CC=C1)C(=O)[O-].C1(=CC=CC=C1)C1(NC=CC=C1)C(=O)[O-].C1(=CC=CC=C1)C1(NC=CC=C1)C(=O)[O-] AIZHGNQYRBRXOZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000003828 vacuum filtration Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/125—Active-matrix OLED [AMOLED] displays including organic TFTs [OTFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1606—Graphene
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7827—Vertical transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/491—Vertical transistors, e.g. vertical carbon nanotube field effect transistors [CNT-FETs]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/82—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/30—Organic light-emitting transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
- H10K85/221—Carbon nanotubes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
本願は、2010年12月7日に提出された、通し番号61/420,512を有し、「アクティブマトリクス式ナノチューブ使用可能縦型有機発光トランジスタアレイ(ACTIVE MATRIX NANOTUBE ENABLED VERTICAL ORGANIC LIGHT EMITTING TRANSISTOR ARRAY)」と題する同時係属の米国仮特許出願の優先権を主張し、当該出願の全体が参照によって本明細書に組み込まれる。
本発明は、全米科学財団によって授与された合意ECCS−0824157/00069937の下で政府支援によってなされた。政府は本発明において一定の権利を有する。
Claims (88)
- ディスプレイパネルであって、
ピクセルのアレイを含み、少なくとも1つのピクセルは、
スイッチングトランジスタと、
前記スイッチングトランジスタに結合される駆動トランジスタであって、該駆動トランジスタは、前記スイッチングトランジスタによる起動に応答して光を発するように構成される、駆動トランジスタと
を含む、ディスプレイパネル。 - 前記駆動トランジスタは、前記スイッチングトランジスタに結合される希薄ソース使用可能縦型有機発光トランジスタ(DS−VOLET)である、請求項1に記載のディスプレイパネル。
- 前記DS−VOLETはカーボンナノチューブ使用可能縦型有機発光トランジスタ(CN−VOLET)である、請求項2に記載のディスプレイパネル。
- 前記DS−VOLETは、
基板層と、
ゲート電界を提供するための、前記基板上に位置付けられるゲート電極と、
希薄ソース材料を含むソース層と、
前記ゲート電極と前記ソース層との間に置かれる誘電体層であって、該誘電体層は前記ゲート電極上に位置付けられる、誘電体層と、
ドレイン層であって、該ドレイン層は、前記ソース層によって注入されるもう一方の電荷と相補的である電荷を注入するための導体を含む、ドレイン層と、
前記ソース層と前記ドレイン層との間に配置される能動層であって、前記電荷は結合して光子を生成し、前記ソース層と該能動層との間の電荷注入はゲート電界によって変調される、能動層と
を含む、請求項2に記載のディスプレイパネル。 - 前記基板層は絶縁体である、請求項4に記載のディスプレイパネル。
- 前記基板層はガラスおよびプラスチックのうちの少なくとも一方を含む、請求項5に記載のディスプレイパネル。
- 前記基板層は金属であり、該基板層と前記スイッチングトランジスタとの間、および該基板層と前記DS−VOLETとの間に位置付けられる絶縁ベース層を含む、請求項4に記載のディスプレイパネル。
- 前記絶縁ベース層は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリイミド、および溶解処理可能絶縁ポリマーのうちの少なくとも1つを含む、請求項7に記載のディスプレイパネル。
- 前記基板層は可撓性である、請求項4に記載のディスプレイパネル。
- 前記ゲート電極は導体を含む、請求項4に記載のディスプレイパネル。
- 前記ゲート電極は、スズをドープした酸化インジウム(ITO)、アルミニウム、モリブデン、タンタル、チタンおよび金のうちの少なくとも1つを含む、請求項4に記載のディスプレイパネル。
- 前記ゲート誘電体層は絶縁体である、請求項4に記載のディスプレイパネル。
- 前記ゲート誘電体層は2層である、請求項4に記載のディスプレイパネル。
- 前記2層は無機酸化物層および疎水化ポリマー層を含む、請求項13に記載のディスプレイパネル。
- 前記無機酸化物層は酸化アルミニウムを含み、前記疎水化ポリマー層はベンゾシクロブテン(BCB)を含む、請求項14に記載のディスプレイパネル。
- 前記希薄ソース材料は浸透性希薄ネットワークを含む、請求項4に記載のディスプレイパネル。
- 前記希薄ソース材料は低密度状態材料を含む、請求項4に記載のディスプレイパネル。
- 前記希薄ソース材料はグラフェンを含む、請求項4に記載のディスプレイパネル。
- 前記希薄ソース材料はグラフェンの複数の層を含む、請求項4に記載のディスプレイパネル。
- 前記グラフェンは穿孔を有するようにパターニングされる、請求項19に記載のディスプレイパネル。
- 前記希薄ソース材料はカーボンナノチューブの希薄ネットワークを含む、請求項4に記載のディスプレイパネル。
- 前記能動層は半導体層および発光層を含む、請求項4に記載のディスプレイパネル。
- 前記半導体層は有機半導体または無機半導体を含む、請求項22に記載のディスプレイパネル。
- 前記能動層は複数の半導体層を含む、請求項22に記載のディスプレイパネル。
- 前記複数の半導体層は、多結晶半導体層と、該多結晶半導体層上に位置付けられる溶解処理可能ポリマー層とを含む、請求項24に記載のディスプレイパネル。
- 前記溶解処理可能ポリマー層は架橋可能溶解処理可能ポリマー層である、請求項25に記載のディスプレイパネル。
- 前記能動層は複数の発光層を含む、請求項22に記載のディスプレイパネル。
- 前記能動層は、前記半導体層と前記発光層との間に遷移導電層をさらに含む、請求項22に記載のディスプレイパネル。
- 前記遷移導電層を前記ソース導電線から電気的に絶縁する層間誘電体層をさらに含む、請求項28に記載のディスプレイパネル。
- 前記遷移導電層の一部分は基板層に直接接触する、請求項28に記載のディスプレイパネル。
- 前記ソース層はソース導電線に結合される、請求項4に記載のディスプレイパネル。
- 前記ドレイン層は2層である、請求項4に記載のディスプレイパネル。
- 前記2層はフッ化リチウム層およびアルミニウム層を含む、請求項32に記載のディスプレイパネル。
- 前記ドレイン層は多層である、請求項4に記載のディスプレイパネル。
- 前記多層は、フッ化リチウム層、酸化モリブデン層、およびスズをドープした酸化インジウム(ITO)の層を含む、請求項34に記載のディスプレイパネル。
- 前記スイッチングトランジスタは導電線によって前記DS−VOLETに結合される、請求項2に記載のディスプレイパネル。
- 前記導電線は前記スイッチングトランジスタのドレイン電極を形成する、請求項36に記載のディスプレイパネル。
- 前記スイッチングトランジスタは薄膜トランジスタ(TFT)を含む、請求項1に記載のディスプレイパネル。
- 前記スイッチングトランジスタはデータ導電線に結合され、該データ導電線は前記スイッチングトランジスタのソース電極を形成する、請求項1に記載のディスプレイパネル。
- 前記スイッチングトランジスタはスキャン導電線に結合されるゲート電極を含む、請求項1に記載のディスプレイパネル。
- 前記スイッチングトランジスタは希薄ソース使用可能縦型電界効果トランジスタ(DS−VFET)を含む、請求項1に記載のディスプレイパネル。
- 前記DS−VFETのソース層は浸透性希薄ネットワークを含む、請求項41に記載のディスプレイパネル。
- 前記DS−VFETのソース層は低密度状態材料を含む、請求項41に記載のディスプレイパネル。
- 前記DS−VFETのソース層はグラフェンの層を含む、請求項41に記載のディスプレイパネル。
- 前記グラフェンは穿孔を有するようにパターニングされる、請求項44に記載のディスプレイパネル。
- 前記DS−VFETはカーボンナノチューブ使用可能縦型電界効果トランジスタ(CN−VFET)である、請求項41に記載のディスプレイパネル。
- 前記CN−VFETのソース層はカーボンナノチューブの希薄ネットワークを含む、請求項46に記載のディスプレイパネル。
- 前記DS−VFETは、データ導電線に結合されるソース層と、前記駆動トランジスタのゲート電極に結合されるドレイン層導電線とを含む、請求項41に記載のディスプレイパネル。
- 前記DS−VFETは、データ導電線に結合されるドレイン層と、前記駆動トランジスタのゲート電極に結合されるドレイン層導電線とを含む、請求項41に記載のディスプレイパネル。
- 前記DS−VFETは、
前記基板上に位置付けられるゲート電極と、
前記ゲート電極上に位置付けられるゲート誘電体層と、
前記ゲート誘電体層上に位置付けられる希薄ソース材料を含むソース層と、
半導体層と、
ドレイン層であって、前記半導体層は前記ソース層と該ドレイン層との間に位置付けられる、ドレイン層と
を含む、請求項41に記載のディスプレイパネル。 - 前記ゲート誘電体層は2層である、請求項50に記載のディスプレイパネル。
- 前記2層は無機酸化物層および疎水化ポリマー層を含む、請求項51に記載のディスプレイパネル。
- 前記無機酸化物層は酸化アルミニウムを含み、前記疎水化ポリマー層はベンゾシクロブテン(BCB)を含む、請求項52に記載のディスプレイパネル。
- 前記スイッチングトランジスタは二重側方希薄ソース使用可能縦型電界効果トランジスタ(DS−VFET)を含む、請求項1に記載のディスプレイパネル。
- 前記二重側方DS−VFETは並列に結合される第1のDS−VFETと第2のDS−VFETとを含む、請求項54に記載のディスプレイパネル。
- 前記第1のDS−VFETおよび前記第2のDS−VFETはゲート電極を共有する、請求項55に記載のディスプレイパネル。
- 前記第1のDS−VFETおよび前記第2のDS−VFETは各々、希薄カーボン・ナノチューブ・ネットワークを含むソース層を含む、請求項55に記載のディスプレイパネル。
- 前記第1のDS−VFETおよび前記第2のDS−VFETは各々、グラフェンの層を含むソース層を含む、請求項55に記載のディスプレイパネル。
- 前記スイッチングトランジスタは導電線によって前記駆動トランジスタのゲート電極に結合され、前記導電線は前記第1のDS−VFETの前記ソース層に結合されて、前記第2のDS−VFET上のドレイン電極を形成し、データ導電線が前記第2のDS−VFETのソース層に結合されて、前記第1のDS−VFETのドレイン電極を形成する、請求項55に記載のディスプレイパネル。
- 前記スイッチングトランジスタは二重反転希薄ソース使用可能縦型電界効果トランジスタ(DS−VFET)を含む、請求項1に記載のディスプレイパネル。
- 前記スイッチングトランジスタは導電線によって前記駆動トランジスタのゲート電極に結合され、前記二重反転DS−VFETは、
スキャン導電線に結合される第1のゲート電極と、
前記第1のゲート電極上に位置付けられる第1のゲート誘電体層と、
前記第1のゲート誘電体層上に位置付けられる第1のソース層であって、該第1のソース層は希薄ソース材料を含み、該第1のソース層はデータ導電線に結合される、第1のソース層と、
前記第1のソース層上に位置付けられる半導体層と、
前記半導体層上に位置付けられる第2のソース層であって、該第2のソース層は希薄ソース材料を含み、該第2のソース層は前記導電線に結合される、第2のソース層と、
前記第2のソース層上に位置付けられる第2のゲート誘電体層と、
前記第2のゲート誘電体層上に位置付けられる第2のゲート電極であって、該第2のゲート電極は前記スキャン導電線に結合される、第2のゲート電極と
を含む、請求項60に記載のディスプレイパネル。 - 前記第1のソース層および前記第2のソース層は浸透性希薄ネットワークを含む、請求項61に記載のディスプレイパネル。
- 前記第1のソース層および前記第2のソース層は低密度状態材料を含む、請求項61に記載のディスプレイパネル。
- 前記第1のソース層および前記第2のソース層は希薄カーボン・ナノチューブ・ネットワークを含む、請求項61に記載のディスプレイパネル。
- 前記第1のソース層および前記第2のソース層はグラフェンを含む、請求項61に記載のディスプレイパネル。
- 前記スイッチングトランジスタは反転直列二重希薄ソース使用可能縦型電界効果トランジスタ(DS−VFET)を含む、請求項1に記載のディスプレイパネル。
- 前記反転直列二重DS−VFETは直列に結合される第1のDS−VFETと第2のDS−VFETとを含む、請求項66に記載のディスプレイパネル。
- 前記第1のDS−VFETおよび前記第2のDS−VFETはゲート電極を共有する、請求項67に記載のディスプレイパネル。
- 前記第1のDS−VFETのドレイン層は前記第第2のDS−VFETのドレイン層に結合される、請求項67に記載のディスプレイパネル。
- 前記スイッチングトランジスタは導電線によって前記駆動トランジスタのゲート電極に結合され、前記導電線は前記第1のDS−VFETのソース層に結合され、データ導電線が前記第2のDS−VFETのソース層に結合される、請求項67に記載のディスプレイパネル。
- 前記第1のDS−VFETのソース層は前記第第2のDS−VFETのソース層に結合される、請求項67に記載のディスプレイパネル。
- 前記スイッチングトランジスタは導電線によって前記駆動トランジスタのゲート電極に結合され、前記導電線は前記第1のDS−VFETのドレイン層に結合され、データ導電線が前記第2のDS−VFETのドレイン層に結合される、請求項67に記載のディスプレイパネル。
- 二重側方希薄ソース使用可能縦型電界効果トランジスタ(DS−VFET)であって、
第1のDS−VFETと、
前記第1のDS−VFETと並列に結合される第2のDS−VFETであって、前記第1のDS−VFETおよび該第2のDS−VFETはゲート電極を共有し、前記第1のDS−VFETおよび該第2のDS−VFETは各々、希薄ソース材料を含むソース層を含む、第2のDS−VFETと
を含む、二重側方希薄ソース使用可能縦型電界効果トランジスタ。 - 前記第1のDS−VFETおよび前記第2のDS−VFETはカーボンナノチューブ使用可能縦型電界効果トランジスタ(CN−VFET)である、請求項73に記載の二重側方DS−VFET。
- 前記第1のDS−VFETおよび前記第2のDS−VFETは基板層上に位置付けられ、該基板層は金属を含む、請求項73に記載の二重側方DS−VFET。
- 前記金属はステンレス鋼である、請求項75に記載の二重側方DS−VFET。
- 前記基板層は可撓性である、請求項75に記載の二重側方DS−VFET。
- 前記基板層と前記第1のDS−VFETとの間、および前記基板層と前記第2のDS−VFETとの間に絶縁ベース層が位置付けられる、請求項75に記載の二重側方DS−VFET。
- 前記第1のDS−VFETのソース層は前記第2のDS−VFETのドレイン電極に結合され、前記第2のDS−VFETのソース層は前記第1のDS−VFETのドレイン電極に結合される、請求項73に記載の二重側方DS−VFET。
- 二重反転希薄ソース使用可能縦型電界効果トランジスタ(DS−VFET)であって、
基板層と、
基板層上に堆積される第1のゲート層と、
前記第1のゲート層上に位置付けられる第1のソース層であって、該第1のソース層は希薄ソース材料を含む、第1のソース層と、
前記第1のソース層上に位置付けられる半導体層と、
前記半導体層上に位置付けられる第2のソース層であって、該第2のソース層は希薄ソース材料を含む、第2のソース層と、
前記第2のソース層上に位置付けられる第2のゲート層と
を含む、二重反転希薄ソース使用可能縦型電界効果トランジスタ。 - 前記第1のソース層および前記第2のソース層は浸透性希薄ネットワークを含む、請求項80に記載の二重反転DS−VFET。
- 前記第1のソース層および前記第2のソース層は低密度状態材料を含む、請求項80に記載の二重反転DS−VFET。
- 前記第1のソース層および前記第2のソース層は希薄カーボン・ナノチューブ・ネットワークを含む、請求項80に記載の二重反転DS−VFET。
- 前記第1のソース層および前記第2のソース層はグラフェンを含む、請求項80に記載の二重反転DS−VFET。
- 前記第1のゲート層および前記第2のゲート層は各々、ゲート電極とゲート誘電体とを含む、請求項80に記載の二重反転DS−VFET。
- 前記基板層は絶縁体を含む、請求項80に記載の二重反転DS−VFET。
- 前記基板層は可撓性である、請求項80に記載の二重反転DS−VFET。
- 前記基板層と前記第1のゲート層との間に絶縁ベース層が位置付けられ、前記基板層は金属を含む、請求項80に記載の二重反転DS−VFET。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US42051210P | 2010-12-07 | 2010-12-07 | |
US61/420,512 | 2010-12-07 | ||
PCT/US2011/063745 WO2012078759A2 (en) | 2010-12-07 | 2011-12-07 | Active matrix dilute source enabled vertical organic light emitting transistor |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014505324A true JP2014505324A (ja) | 2014-02-27 |
JP2014505324A5 JP2014505324A5 (ja) | 2015-01-22 |
JP6272030B2 JP6272030B2 (ja) | 2018-01-31 |
Family
ID=46207712
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013543313A Active JP6272030B2 (ja) | 2010-12-07 | 2011-12-07 | アクティブマトリクス式希薄ソース使用可能縦型有機発光トランジスタ |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9214644B2 (ja) |
EP (1) | EP2649659B1 (ja) |
JP (1) | JP6272030B2 (ja) |
KR (1) | KR101943595B1 (ja) |
CN (2) | CN103460424B (ja) |
AU (1) | AU2011338460A1 (ja) |
BR (1) | BR112013013873A2 (ja) |
CA (1) | CA2820256A1 (ja) |
MX (1) | MX2013006233A (ja) |
RU (1) | RU2013131102A (ja) |
SG (1) | SG190313A1 (ja) |
WO (1) | WO2012078759A2 (ja) |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016025356A (ja) * | 2014-07-18 | 2016-02-08 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | グラフェン素子、その製造及び動作方法、並びにグラフェン素子を含む電子装置 |
JP2016506068A (ja) * | 2012-11-30 | 2016-02-25 | ユニバーシティー オブ フロリダ リサーチ ファウンデーション,インコーポレイテッドUniversity Of Florida Research Foundation,Inc. | アンバイポーラ垂直電界効果トランジスタ |
JPWO2016035413A1 (ja) * | 2014-09-04 | 2017-04-27 | 株式会社Joled | 表示素子および表示装置ならびに電子機器 |
US10089930B2 (en) | 2012-11-05 | 2018-10-02 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Brightness compensation in a display |
JP2018534760A (ja) * | 2015-09-11 | 2018-11-22 | ユニバーシティー オブ フロリダ リサーチ ファウンデーション, インコーポレイテッドUniversity Of Florida Research Foundation, Inc. | 縦型電界効果トランジスタ |
JP2020183968A (ja) * | 2019-04-26 | 2020-11-12 | Jsr株式会社 | ディスプレイの輝度補償方法及びディスプレイ |
JP2020183971A (ja) * | 2019-04-26 | 2020-11-12 | Jsr株式会社 | ディスプレイの点灯方法及びディスプレイ |
KR20220002323A (ko) | 2019-04-26 | 2022-01-06 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 디스플레이의 휘도를 보상하는 방법 및 디스플레이 |
KR20220002324A (ko) | 2019-04-26 | 2022-01-06 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 발광 디스플레이를 구동하는 방법 및 디스플레이 |
KR20220137905A (ko) | 2020-02-07 | 2022-10-12 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 디스플레이 |
JP2023014203A (ja) * | 2018-08-31 | 2023-01-26 | 三国電子有限会社 | キャリア注入量制御電極を有する有機エレクトロルミネセンス素子 |
KR20230051505A (ko) | 2020-08-21 | 2023-04-18 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 디스플레이 |
KR20230142714A (ko) | 2021-02-03 | 2023-10-11 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 디스플레이의 제조 방법 및 디스플레이 |
JP7367635B2 (ja) | 2020-08-21 | 2023-10-24 | Jsr株式会社 | ディスプレイ |
US11929439B2 (en) | 2018-09-26 | 2024-03-12 | Mikuni Electron Corporation | Transistor, method of manufacturing transistor, and display device using the same |
US11937458B2 (en) | 2017-05-31 | 2024-03-19 | Mikuni Electron Corporation | Display device and method for manufacturing the same |
US12027118B2 (en) | 2019-04-26 | 2024-07-02 | Jsr Corporation | Method of driving a light emitting display and display |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9412442B2 (en) * | 2012-04-27 | 2016-08-09 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Methods for forming a nanowire and apparatus thereof |
US8901547B2 (en) * | 2012-08-25 | 2014-12-02 | Polyera Corporation | Stacked structure organic light-emitting transistors |
US8653516B1 (en) | 2012-08-31 | 2014-02-18 | Eastman Kodak Company | High performance thin film transistor |
TWI569491B (zh) * | 2012-10-11 | 2017-02-01 | Joled Inc | Organic EL display device and manufacturing method thereof, ink and electronic machine |
TWI467301B (zh) * | 2012-10-24 | 2015-01-01 | Au Optronics Corp | 顯示面板 |
KR102081891B1 (ko) * | 2013-02-15 | 2020-02-26 | 삼성전자주식회사 | 그래핀 소자 및 이를 포함하는 전자 기기 |
US9373685B2 (en) * | 2013-02-15 | 2016-06-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Graphene device and electronic apparatus |
US8975121B2 (en) * | 2013-05-09 | 2015-03-10 | Johnson & Johnson Vision Care, Inc. | Methods and apparatus to form thin film nanocrystal integrated circuits on ophthalmic devices |
CN104576744A (zh) * | 2013-10-24 | 2015-04-29 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 碳纳米管薄膜晶体管、amoled像素柔性驱动电路及制作方法 |
GB201321285D0 (en) * | 2013-12-03 | 2014-01-15 | Plastic Logic Ltd | Pixel driver circuit |
IL229837A0 (en) * | 2013-12-08 | 2014-03-31 | Technion Res & Dev Foundation | electronic means |
KR102445520B1 (ko) | 2014-04-24 | 2022-09-20 | 유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 인크. | 고전력 전자기기를 위한 조정 가능한 배리어 트랜지스터 |
EP2978038A1 (en) * | 2014-07-24 | 2016-01-27 | E.T.C. S.r.l. | Organic electroluminescent transistor |
US9379166B2 (en) * | 2014-11-04 | 2016-06-28 | Atom Nanoelectronics, Inc. | Active matrix light emitting diodes display module with carbon nanotubes control circuits and methods of fabrication |
EP3021373A1 (en) | 2014-11-14 | 2016-05-18 | E.T.C. S.r.l. | Display containing improved pixel architectures |
CN105679949A (zh) * | 2014-12-04 | 2016-06-15 | 广州华睿光电材料有限公司 | 有机发光晶体管及其应用 |
WO2017044805A1 (en) | 2015-09-11 | 2017-03-16 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Light emitting phototransistor |
CN105304830A (zh) * | 2015-10-09 | 2016-02-03 | Tcl集团股份有限公司 | 量子点发光场效应晶体管及其制备方法 |
CN105355799A (zh) * | 2015-10-12 | 2016-02-24 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点发光场效应晶体管及其制备方法 |
KR101730902B1 (ko) * | 2015-10-19 | 2017-04-27 | 서울대학교산학협력단 | 누설 전류가 저감된 수직형 유기 발광 트랜지스터 및 이의 제조 방법 |
WO2017112932A1 (en) * | 2015-12-23 | 2017-06-29 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Patterning and inverted deposition engineering for solution-processed electrodes and semiconducting films |
KR20170129983A (ko) | 2016-05-17 | 2017-11-28 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지, 이를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
CN106684251B (zh) * | 2016-12-09 | 2018-06-01 | 武汉华星光电技术有限公司 | 柔性垂直沟道有机薄膜晶体管及其制作方法 |
RU175418U1 (ru) * | 2016-12-12 | 2017-12-04 | Российская Федерация, от имени которой выступает федеральное государственное казенное учреждение "Войсковая часть 68240" (ФГКУ "В/ч" 68240) | Полевой транзистор на углеродной пленке с вертикальным каналом проводимости |
CN107170748B (zh) * | 2017-04-20 | 2019-11-08 | 上海天马微电子有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及显示设备 |
CN108731855B (zh) | 2018-05-18 | 2019-07-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种压力传感单元及压力传感器、压力传感装置 |
CN108493229A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-09-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
KR102135503B1 (ko) | 2018-09-06 | 2020-07-17 | 광운대학교 산학협력단 | 저차원 전자구조의 물질로 구성되는 전극을 사용하는 유기 트랜지스터 소자와 유기 발광 트랜지스터 소자 및 그 제조방법 |
CN109036283B (zh) | 2018-09-06 | 2020-06-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光场效应晶体管的驱动电路及驱动方法、显示装置 |
KR20210065586A (ko) | 2019-11-27 | 2021-06-04 | 삼성전자주식회사 | 표시 패널 및 표시 장치 |
CN111863892B (zh) * | 2020-07-13 | 2022-08-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示装置及其制备方法 |
RU204091U1 (ru) * | 2020-12-25 | 2021-05-06 | Общество с ограниченной ответственностью "Сенсор Микрон" | Полевой транзистор с вертикальным каналом для СВЧ - техники |
CN113345967B (zh) * | 2021-05-21 | 2022-09-09 | Tcl华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管及led背板 |
US20230403918A1 (en) * | 2022-06-09 | 2023-12-14 | Jsr Corporation | Method for producing vertical organic light-emitting transistor device, display |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003108034A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-04-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2003330412A (ja) * | 2002-05-10 | 2003-11-19 | Canon Inc | アクティブマトリックス型ディスプレイ及びスイッチ回路 |
JP2005128310A (ja) * | 2003-10-24 | 2005-05-19 | Seiko Epson Corp | 表示装置、及び電子機器 |
JP2006171745A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
JP2006301629A (ja) * | 2005-04-16 | 2006-11-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 単結晶シリコン薄膜トランジスタの有機発光ディスプレイ及びその製造方法 |
JP2007200788A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機発光トランジスタ素子及びその製造方法並びに発光表示装置 |
US20090230384A1 (en) * | 2008-03-14 | 2009-09-17 | National Chiao Tung University | Vertical organic light emitting transistor assembly and horizontal organic light emitting transistor assembly |
JP2010062549A (ja) * | 2008-08-08 | 2010-03-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
US20100237336A1 (en) * | 2006-06-29 | 2010-09-23 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Nanotube enabled, gate-voltage controlled light emitting diodes |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FI107109B (fi) | 1998-10-21 | 2001-05-31 | Nokia Networks Oy | Digitaalinen tietoliikennejärjestelmä |
KR100379566B1 (ko) * | 2000-08-30 | 2003-04-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 제조방법 |
GB0130321D0 (en) * | 2001-12-19 | 2002-02-06 | Avecia Ltd | Electronic devices |
US7002302B2 (en) * | 2002-10-07 | 2006-02-21 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Flat panel display |
KR100603334B1 (ko) | 2004-04-06 | 2006-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 능동형 유기 el 픽셀 |
TWI489519B (zh) * | 2004-04-28 | 2015-06-21 | Semiconductor Energy Lab | 基板上配線,半導體裝置及其製造方法 |
US7416924B2 (en) * | 2004-11-11 | 2008-08-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light emitting display with single crystalline silicon TFT and method of fabricating the same |
EP2264690A1 (en) * | 2005-05-02 | 2010-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Display device and gray scale driving method with subframes thereof |
JP4808479B2 (ja) * | 2005-11-28 | 2011-11-02 | 大日本印刷株式会社 | 有機発光トランジスタ素子及びその製造方法並びに発光表示装置 |
KR101097454B1 (ko) * | 2009-02-16 | 2011-12-23 | 네오뷰코오롱 주식회사 | Oled 패널의 화소 회로, 이를 이용한 표시 장치 및 oled 패널의 구동 방법 |
WO2010135539A1 (en) * | 2009-05-20 | 2010-11-25 | The Trustees Of The University Of Pennsylvania | Self-adaptive bio-signal and modulation device |
CN101615613B (zh) * | 2009-08-12 | 2010-10-06 | 友达光电股份有限公司 | 像素结构、有机电激发光显示单元及其制造方法 |
KR20110058126A (ko) * | 2009-11-25 | 2011-06-01 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US8952361B2 (en) | 2010-03-04 | 2015-02-10 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Semiconductor devices including an electrically percolating source layer and methods of fabricating the same |
-
2011
- 2011-12-07 WO PCT/US2011/063745 patent/WO2012078759A2/en active Application Filing
- 2011-12-07 EP EP11846649.9A patent/EP2649659B1/en active Active
- 2011-12-07 MX MX2013006233A patent/MX2013006233A/es unknown
- 2011-12-07 JP JP2013543313A patent/JP6272030B2/ja active Active
- 2011-12-07 CN CN201180064181.9A patent/CN103460424B/zh active Active
- 2011-12-07 CN CN201610835745.9A patent/CN106887449B/zh active Active
- 2011-12-07 SG SG2013037866A patent/SG190313A1/en unknown
- 2011-12-07 US US13/519,176 patent/US9214644B2/en active Active
- 2011-12-07 AU AU2011338460A patent/AU2011338460A1/en not_active Withdrawn
- 2011-12-07 BR BR112013013873A patent/BR112013013873A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2011-12-07 KR KR1020137017559A patent/KR101943595B1/ko active IP Right Grant
- 2011-12-07 RU RU2013131102/28A patent/RU2013131102A/ru not_active Application Discontinuation
- 2011-12-07 CA CA2820256A patent/CA2820256A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003108034A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-04-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2003330412A (ja) * | 2002-05-10 | 2003-11-19 | Canon Inc | アクティブマトリックス型ディスプレイ及びスイッチ回路 |
JP2005128310A (ja) * | 2003-10-24 | 2005-05-19 | Seiko Epson Corp | 表示装置、及び電子機器 |
JP2006171745A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
JP2006301629A (ja) * | 2005-04-16 | 2006-11-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 単結晶シリコン薄膜トランジスタの有機発光ディスプレイ及びその製造方法 |
JP2007200788A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機発光トランジスタ素子及びその製造方法並びに発光表示装置 |
US20100237336A1 (en) * | 2006-06-29 | 2010-09-23 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Nanotube enabled, gate-voltage controlled light emitting diodes |
US20090230384A1 (en) * | 2008-03-14 | 2009-09-17 | National Chiao Tung University | Vertical organic light emitting transistor assembly and horizontal organic light emitting transistor assembly |
JP2010062549A (ja) * | 2008-08-08 | 2010-03-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10089930B2 (en) | 2012-11-05 | 2018-10-02 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Brightness compensation in a display |
JP2016506068A (ja) * | 2012-11-30 | 2016-02-25 | ユニバーシティー オブ フロリダ リサーチ ファウンデーション,インコーポレイテッドUniversity Of Florida Research Foundation,Inc. | アンバイポーラ垂直電界効果トランジスタ |
JP2016025356A (ja) * | 2014-07-18 | 2016-02-08 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | グラフェン素子、その製造及び動作方法、並びにグラフェン素子を含む電子装置 |
JPWO2016035413A1 (ja) * | 2014-09-04 | 2017-04-27 | 株式会社Joled | 表示素子および表示装置ならびに電子機器 |
JP2018534760A (ja) * | 2015-09-11 | 2018-11-22 | ユニバーシティー オブ フロリダ リサーチ ファウンデーション, インコーポレイテッドUniversity Of Florida Research Foundation, Inc. | 縦型電界効果トランジスタ |
US11937458B2 (en) | 2017-05-31 | 2024-03-19 | Mikuni Electron Corporation | Display device and method for manufacturing the same |
JP2023014203A (ja) * | 2018-08-31 | 2023-01-26 | 三国電子有限会社 | キャリア注入量制御電極を有する有機エレクトロルミネセンス素子 |
JP7364286B2 (ja) | 2018-08-31 | 2023-10-18 | 三国電子有限会社 | キャリア注入量制御電極を有する有機エレクトロルミネセンス素子 |
US11929439B2 (en) | 2018-09-26 | 2024-03-12 | Mikuni Electron Corporation | Transistor, method of manufacturing transistor, and display device using the same |
KR20220002324A (ko) | 2019-04-26 | 2022-01-06 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 발광 디스플레이를 구동하는 방법 및 디스플레이 |
KR20220002323A (ko) | 2019-04-26 | 2022-01-06 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 디스플레이의 휘도를 보상하는 방법 및 디스플레이 |
JP2020183971A (ja) * | 2019-04-26 | 2020-11-12 | Jsr株式会社 | ディスプレイの点灯方法及びディスプレイ |
JP2020183968A (ja) * | 2019-04-26 | 2020-11-12 | Jsr株式会社 | ディスプレイの輝度補償方法及びディスプレイ |
US11996042B2 (en) | 2019-04-26 | 2024-05-28 | Mattrix Technologies, Inc. | Method of compensating brightness of display and display |
US12027118B2 (en) | 2019-04-26 | 2024-07-02 | Jsr Corporation | Method of driving a light emitting display and display |
KR20220137905A (ko) | 2020-02-07 | 2022-10-12 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 디스플레이 |
KR20230051505A (ko) | 2020-08-21 | 2023-04-18 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 디스플레이 |
JP7367635B2 (ja) | 2020-08-21 | 2023-10-24 | Jsr株式会社 | ディスプレイ |
US11963413B2 (en) | 2020-08-21 | 2024-04-16 | Jsr Corporation | Display |
KR20230142714A (ko) | 2021-02-03 | 2023-10-11 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 디스플레이의 제조 방법 및 디스플레이 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2649659A2 (en) | 2013-10-16 |
MX2013006233A (es) | 2013-08-15 |
US9214644B2 (en) | 2015-12-15 |
RU2013131102A (ru) | 2015-01-20 |
CN103460424A (zh) | 2013-12-18 |
BR112013013873A2 (pt) | 2016-09-13 |
EP2649659A4 (en) | 2015-01-07 |
KR20130130011A (ko) | 2013-11-29 |
US20130240842A1 (en) | 2013-09-19 |
CA2820256A1 (en) | 2012-06-14 |
AU2011338460A1 (en) | 2013-06-06 |
CN106887449B (zh) | 2021-11-05 |
KR101943595B1 (ko) | 2019-04-17 |
SG190313A1 (en) | 2013-06-28 |
WO2012078759A3 (en) | 2012-09-27 |
WO2012078759A2 (en) | 2012-06-14 |
JP6272030B2 (ja) | 2018-01-31 |
EP2649659B1 (en) | 2020-05-06 |
CN103460424B (zh) | 2016-10-26 |
CN106887449A (zh) | 2017-06-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6272030B2 (ja) | アクティブマトリクス式希薄ソース使用可能縦型有機発光トランジスタ | |
US10418595B2 (en) | Devices, structures, materials and methods for vertical light emitting transistors and light emitting displays | |
Ju et al. | Transparent active matrix organic light-emitting diode displays driven by nanowire transistor circuitry | |
KR100994677B1 (ko) | 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
KR101497744B1 (ko) | 나노튜브 가능한, 게이트 전압이 제어된 발광 다이오드 | |
US8933450B2 (en) | Organic electro-luminescent display device | |
TWI248322B (en) | Organic electro luminescence device and fabrication method thereof | |
US9053932B2 (en) | Methods of preparing graphene and device including graphene | |
TW200522771A (en) | Organic electroluminescent device and method of fabricating the same | |
US8124963B2 (en) | Thin film transistor, method of fabricating the thin film transistor, organic light emitting diode display device, method of fabricating the organic light emitting diode display device, and donor substrate for laser induced thermal imaging | |
US20150108450A1 (en) | Thin-film transistor array substrate, organic light-emitting display apparatus, and manufacturing method thereof | |
JP2011515844A (ja) | 有機薄膜トランジスタ | |
US11495767B2 (en) | Photoelectronic device, flat panel display using the same, and fabrication method of photoelectronic device | |
KR100625994B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법 | |
KR20070099883A (ko) | 세로형 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 | |
Park et al. | Full-surface emission of graphene-based vertical-type organic light-emitting transistors with high on/off contrast ratios and enhanced efficiencies | |
JP2012144456A (ja) | 有機薄膜、有機薄膜の製造方法、電界効果トランジスタ、有機発光素子、太陽電池、表示装置用アレイ及び表示装置 | |
WO2014006700A1 (ja) | 有機薄膜の製造方法 | |
CN114582928A (zh) | 电致发光显示装置 | |
KR20040092530A (ko) | 전자 발광 소자 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141128 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141128 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150831 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150908 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20151208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160607 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160906 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160916 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170307 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170606 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171205 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171228 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6272030 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |