JP2014501185A - ヒートシール、及び電子部品をパッケージングするためのカバーテープ - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
本発明は、ヒートシールフィルム、及び該ヒートシールフィルムから形成され、格納ポケットが形成されたプラスチックキャリアテープをヒートシールすることが可能なカバーテープに関する。該キャリアテープは、電子部品が格納、輸送、又は実装される際に、電子部品が汚染から保護され、電子回路基板上での組み立てのために配置及び取り出されるような機能を有するパッケージの1つである。
近年、IC、トランジスタ、ダイオード、コンデンサ、圧電素子レジスタなどの表面実装電子部品は、電子部品がその形状を合わせて受容されうる、エンボス成形されたポケットが連続的に形成されたプラスチックキャリアテープと、キャリアテープをヒートシールするカバーテープとからなるパッケージ内にパッキングされた後、供給されている。パッキングされる電子部品は、カバーテープがキャリアテープから剥離された後、パッケージから自動的に取り出されて、電子回路基板上に表面実装される。
本発明の目的の1つは、カバーテープに切断することができ、安定した剥離強度、優れた帯電防止性能を有し、電子部品を汚染せず、透明な外観を有するヒートシールフィルムを開発することにある。
ベース層と、
該ベース層上に設けられる少なくとも1つの中間層であって、該中間層の全重量を100重量%として、
5〜70重量%の酢酸ビニルコポリマーであって、酢酸ビニルに由来する単位がコポリマーの10モル%超を構成する酢酸ビニルコポリマーと、
20〜90重量%のスチレンブタジエンコポリマーと、
0〜40重量%の導電性ポリマーと、を含む混合物を含む中間層と、
前記中間層の、前記ベース層とは反対側の表面に設けられる少なくとも1つのヒートシール層と、を有するヒートシールフィルムが提供される。
ベース層と、
該ベース層上に配置される中間層と、
該中間層上に配置されるヒートシール層と、を有し、カバーテープの平均光透過率が少なくとも75%であり、光学的ヘイズ値が約50%以下であり、表面抵抗率が約1×1011以下であることにより、カバーテープがキャリアテープにヒートシールされて物品を形成する際、キャリアテープに対するカバーテープの平均剥離強度が少なくとも20gf/mm(196N/m)であり、物品が約50℃以上の温度及び約90%以上の相対湿度に少なくとも5日間曝露された場合の剥離強度の低下が約10%以下である、カバーテープを提供する。
本発明においては特に断らないかぎり、「感熱接着剤」なる用語は、ヒートシール可能なポリマー樹脂のことを意味する。「添加型カチオン性帯電防止コーティング」なる用語は、カチオン性帯電防止剤をコーティングに添加することによって得られる帯電防止性能を有するコーティングのことを意味する。
ベース層と、
該ベース層上に設けられる少なくとも1つの中間層であって、該中間層の全重量を100重量%として、
5〜70重量%の酢酸ビニルコポリマーであって、酢酸ビニルに由来する単位がコポリマーの10モル%超を構成する酢酸ビニルコポリマーと、
20〜90重量%のスチレンブタジエンコポリマーと、
0〜40重量%の導電性ポリマーと、を含む混合物を含む中間層と、
前記中間層の、前記ベース層とは反対側の表面に設けられる少なくとも1つのヒートシール層と、を有するヒートシールフィルムを提供する。
ベース層と、
該ベース層上に配置される中間層と、
該中間層上に配置されるヒートシール層と、を有し、カバーテープの平均光透過率が少なくとも75%であり、光学的ヘイズ値が約50%以下であり、表面抵抗率が約1×1011以下であることにより、カバーテープがキャリアテープにヒートシールされて物品を形成する際、キャリアテープに対するカバーテープの平均剥離強度が少なくとも20gf/mm(196N/m)であり、物品が約50℃以上の温度及び約90%以上の相対湿度に少なくとも5日間曝露された場合の剥離強度の低下が約10%以下である、カバーテープを提供する。
表面抵抗率:以下のESD S11.11の標準的試験方法にしたがい、温度及び湿度の所定の条件下で試験を行う。
機能層の材料の調製
67.5kgのスチレンブタジエンブロックコポリマー(チイメイ社(CHI MEI)、PB−5903)、37.5kgのポリ(酢酸ビニル)(ヒュンダイ社(Hyundai)、VA60)、45kgの本来性帯電防止ポリマー(アイ・ディー・ピー社(IDP)、PolyNova PNC300R−M)、及び0.6kgの酸化防止剤A5(Jinhai Albemarle、シャンハイ・ジンハイ・アルベマール・ファインケミカルズ社(Shanghai Jinhai Albemerie Fine Chemicals Co, Ltd.))を均一に攪拌し、180℃で溶融混合してから冷却、顆粒化して更なる使用に供した。
1.厚さ16μmの、一方の面をコロナ放電処理した二軸延伸ポリエステル薄膜を調製した。コロナ放電処理した表面を厚さ約0.2μmのポリウレタン型のプライマーコーティングでコーティングしてからオーブン中で焼成した。同時に、機能層用に調製したポリマー複合物を、プライマーをコーティングしたポリエステル薄膜に溶融コーティングし、得られた製品を冷却し、巻き取った。機能層は、厚さが30μm、表面抵抗率が1×109Ω/□であった。
機能層の材料の調製
67.5kgのスチレンブタジエンブロックコポリマー(チイメイ社、PB−5903)、37.5kgのポリ(酢酸ビニル)(ヒュンダイ社、VA60)、45kgの本来性帯電防止ポリマー(アイ・ディー・ピー社(IDP)、PolyNova PNC300R−M)、及び0.6kgの酸化防止剤A5(Jinhai Albemarle、シャンハイ・ジンハイ・アルベマール・ファインケミカルズ社)を均一に攪拌し、180℃で溶融混合してから冷却、顆粒化して更なる使用に供した。
1.厚さ16μmの、一方の面をコロナ放電処理した二軸延伸ポリエステル薄膜を調製した。コロナ放電処理した表面を厚さ約0.2μmのポリウレタン型のプライマーコーティングでコーティングしてからオーブン中で焼成した。同時に、機能層用に調製したポリマー複合物を、プライマーをコーティングしたポリエステル薄膜に溶融コーティングし、得られた製品を冷却し、巻き取った。機能層は、厚さが30μm、表面抵抗率が1×109Ω/□であった。
機能層の材料の調製
80kgのスチレンブタジエンブロックコポリマー(チイメイ社、PB−5903)、20kgのポリ(酢酸ビニル)(ヒュンダイ社、VA60)、及び0.4kgの酸化防止剤A5(Jinhai Albemarle、シャンハイ・ジンハイ・アルベマール・ファインケミカルズ社)を均一に攪拌し、180℃で溶融混合してから冷却、顆粒化して更なる使用に供した。
1.機能層用に調製した材料をブロー成形によってフィルムに成形し、巻き取って更なる使用に供した。この薄膜の厚さは35μmであった。
機能層の材料の調製
60kgのスチレンブタジエンブロックコポリマー(チイメイ社、PB−5903)、40kgのポリ(酢酸ビニル)(ヒュンダイ社、VA60)、及び0.4kgの酸化防止剤A5(Jinhai Albemarle、シャンハイ・ジンハイ・アルベマール・ファインケミカルズ社)を均一に攪拌し、180℃で溶融混合してから冷却、顆粒化して更なる使用に供した。
1.機能層用に調製した材料及び直鎖状低密度ポリエチレンLLDPE(1002−YB、エクソン・モービル社)を共押出し、特定の方法によってフィルムに形成してから巻き取って更なる使用に供した。この薄膜は全体の厚さが35μmであり、機能層の厚さが12μm、ポリエチレン層の厚さが23μmであった。
機能層の材料の調製
30kgのスチレンブタジエンブロックコポリマー(チイメイ社、PB−5903)、75kgのポリ(酢酸ビニル)(ヒュンダイ社、VA60)、45kgの本来性帯電防止ポリマー(アイ・ディー・ピー社、PolyNova PNC300R−M)、及び0.6kgの酸化防止剤A5(Jinhai Albemarle、シャンハイ・ジンハイ・アルベマール・ファインケミカルズ社)を均一に攪拌し、180℃で溶融混合してから冷却、顆粒化して更なる使用に供した。
1.厚さ16μmの、一方の面をコロナ放電処理した二軸延伸ポリエステル薄膜を調製した。コロナ放電処理した表面を厚さ約2μmのポリウレタン型のプライマーコーティングでコーティングしてからオーブン中で焼成した。同時に、機能層用に調製したポリマー複合物を、プライマーをコーティングしたポリエステル薄膜に溶融コーティングし、得られた製品を冷却し、巻き取った。機能層は、厚さが30μm、表面抵抗率が1×109Ω/□であった。
機能層の材料の調製
30kgのスチレンブタジエンブロックコポリマー(チイメイ社、PB−5903)、70kgのポリ(酢酸ビニル)(ヒュンダイ社、VA60)、及び0.4kgの酸化防止剤A5(Jinhai Albemarle、シャンハイ・ジンハイ・アルベマール・ファインケミカルズ社)を均一に攪拌し、180℃で溶融混合してから冷却、顆粒化して更なる使用に供した。
1.機能層用に調製した材料及び直鎖状低密度ポリエチレンLLDPE(1002−YB、エクソン・モービル社)を共押出し、特定の方法によってフィルムに形成してから巻き取って更なる使用に供した。この薄膜は全体の厚さが35μmであり、機能層の厚さが12μm、ポリエチレン層の厚さが23μmであった。
Claims (32)
- 電子素子をパッケージングするためのヒートシールフィルムであって、
ベース層と、
前記ベース層上に設けられる少なくとも1つの中間層であって、前記中間層の全重量を100重量%として、
5〜70重量%の酢酸ビニルコポリマーであって、酢酸ビニルに由来する単位がコポリマーの10モル%超を構成する酢酸ビニルコポリマーと、
20〜90重量%のスチレンブタジエンコポリマーと、
0〜40重量%の導電性ポリマーと、を含む、混合物を含む中間層と、
前記中間層の、前記ベース層とは反対側の表面に設けられる少なくとも1つのヒートシール層と、を備えるヒートシールフィルム。 - 前記ベース層が、二軸延伸されたポリエステル、ポリオレフィン、又はナイロンからなる群から選択される材料で構成されている、請求項1に記載のヒートシールフィルム。
- 前記ベース層の厚さが10〜30μmである、請求項1に記載のヒートシールフィルム。
- 前記ベース層の光透過率が85%以上であり、引張り強さが50MPa以上である、請求項1に記載のヒートシールフィルム。
- 前記酢酸ビニルコポリマー中において、酢酸ビニルに由来する単位が少なくともコポリマーの20モル%を構成する、請求項1に記載のヒートシールフィルム。
- 前記スチレンブタジエンコポリマーがブロックコポリマーである、請求項1に記載のヒートシールフィルム。
- 前記スチレンブタジエンコポリマー中において、スチレンに由来する単位がコポリマーの全単位数の60モル%超を構成する、請求項1〜6のいずれか一項に記載のヒートシールフィルム。
- 前記スチレンブタジエンコポリマーの重量平均分子量が40,000〜300,000である、請求項1〜6のいずれか一項に記載のヒートシールフィルム。
- 前記酢酸ビニルコポリマーが前記中間層の全重量の10〜60重量%を構成する、請求項1に記載のヒートシールフィルム。
- 前記スチレンブタジエンコポリマーが前記中間層の全重量の30〜70重量%を構成する、請求項1に記載のヒートシールフィルム。
- 前記導電性ポリマーが前記中間層の全重量の0〜30重量%を構成する、請求項1に記載のヒートシールフィルム。
- 前記酢酸ビニルコポリマーが、酢酸ビニルとエチレンとのコポリマーである、請求項1に記載のヒートシールフィルム。
- 前記導電性ポリマーが、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリエーテルアミド系若しくはポリエステルアミド系の本来性の帯電防止ポリマー、又はこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項1に記載のヒートシールフィルム。
- 前記中間層の厚さが10〜50μmである、請求項1に記載のヒートシールフィルム。
- 前記中間層の表面抵抗率が1×106〜1×1014Ω/□である、請求項1に記載のヒートシールフィルム。
- 前記中間層が、前記中間層の全重量の10〜60重量%を構成するポリエチレンを更に含む、請求項1に記載のヒートシールフィルム。
- 前記ポリエチレンの全体がポリエチレンの副層として前記中間層中に存在する、請求項16に記載のヒートシールフィルム。
- 前記ポリエチレンの重量平均分子量が100,000〜1,000,000である、請求項16に記載のヒートシールフィルム。
- 前記ポリエチレンのメルトインデックスが1〜100g/10分である、請求項16に記載のヒートシールフィルム。
- 前記ポリエチレンの副層の厚さが10〜30μmである、請求項16に記載のヒートシールフィルム。
- 前記ヒートシール層が、ポリ(メタ)アクリレート又はそのコポリマーからなる群から選択される材料で構成されている、請求項1又は16に記載のヒートシールフィルム。
- 前記ヒートシール層が、ヒートシール層全体の全重量に対して60%以下の含有率の導電性充填剤を更に含む、請求項1又は16に記載のヒートシールフィルム。
- 前記ヒートシール層の厚さが0.01〜10μmである、請求項22に記載のヒートシールフィルム。
- 前記ヒートシール層の表面抵抗率が1×107〜1×1012Ω/□である、請求項22に記載のヒートシールフィルム。
- 前記導電性充填剤が、ナノ酸化物、カーボンナノチューブ、カーボンパウダー、金属粉末、又はこれらの混合物からなる群から選択される、請求項22に記載のヒートシールフィルム。
- 前記ポリ(メタ)アクリレート又はポリ(メタ)アクリレートコポリマーのガラス転移温度が30〜90℃である、請求項21に記載のヒートシールフィルム。
- 前記ポリ(メタ)アクリレート又はポリ(メタ)アクリレートコポリマーの熱活性化温度が少なくとも90℃である、請求項21に記載のヒートシールフィルム。
- 前記中間層と前記ベース層との間に位置する接着剤層を更に含む、請求項1に記載のヒートシールフィルム。
- 前記ベース層の、前記中間層とは反対側の表面に配置された帯電防止コーティングを更に含む、請求項1に記載のヒートシールフィルム。
- 前記帯電防止コーティングの乾燥膜の厚さが0.01〜2μmである、請求項29に記載のヒートシールフィルム。
- 前記帯電防止コーティングの表面抵抗率が1×106〜1×1012Ω/□である、請求項29に記載のヒートシールフィルム。
- 電子素子を備えるキャリアテープをヒートシールするためのカバーテープであって、
請求項1〜31のいずれか一項に記載のベース層と、
電荷を消失させるためにベース層上に配置された、請求項1〜31のいずれか一項に記載の中間層と、
中間層上に配置された、請求項1〜31のいずれか一項に記載のヒートシール層と、
前記ベース層の、前記中間層とは反対側の表面に配置された、請求項29〜31のいずれか一項に記載の、場合により設けられる帯電防止コーティングと、を備え、
前記カバーテープの平均光透過率が少なくとも75%であり、光学的ヘイズ値が約50%以下であり、表面抵抗率が約1×1011以下であることにより、前記カバーテープがキャリアテープにヒートシールされて物品を形成する際、前記キャリアテープに対する前記カバーテープの平均剥離強度が少なくとも20gf/mm(196N/m)であり、物品が約50℃以上の温度及び約90%以上の相対湿度に少なくとも5日間曝露された場合の剥離強度の低下が約10%以下である、カバーテープ。
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