JP2014203949A - 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
Description
特許文献2 特許第4455228号公報
次いで、前記基板の当該表面に洗浄液を供給し、前記現像により生じた残渣を基板から除去する洗浄工程と、
次いで、前記レジストパターンを構成するレジストの壁部への浸透が抑えられるように浸透抑制剤が含まれ、その表面張力が50mN/m以下である置換液を前記基板の表面に供給し、前記基板上の洗浄液を前記置換液により置換する置換工程と、
次いで、前記基板を回転させながら、基板の中心部にガスを供給して乾燥領域を形成し、遠心力により前記乾燥領域を基板の周縁部に広げることにより基板の表面を乾燥させる乾燥工程と、
を備えることを特徴とする。
σ>6γcosθ/D(H/W)・・・式1
また上記の乾燥処理中、凹部47内に液が残留していると、壁部48には凹部47内に向かって、液の表面張力λに基づく応力ΔP(式3参照)が横向きに作用する。式3中、Patmは乾燥処理中のウエハWの回転による遠心力、P1は凹部47内の液の圧力である。
F=γsinθ・・・式2
ΔP=Patm−P1=2γcosθ/D・・・式3
そこで、前記現像装置1の処理においては、このように置換液33Bが残留することによるパターン倒れを防ぐために、後述するようにガスノズル34を用いてウエハWに乾燥領域を形成する。
(評価試験1)
続いて、本発明に関連して行われた評価試験について説明する。評価試験1では、実施形態で説明した現像液31Bの供給、洗浄液32Bの供給、置換液33Bの供給、液の振り切りによるウエハWの乾燥を順次行った。そして、乾燥後、形成されたレジストパターンのCDの測定と、パターン倒れの発生度合の測定とを行った。ただし、この評価試験1では、ウエハWの乾燥時に、上記のガス供給による乾燥領域30の形成を行っていない。この評価試験1は、互いに成分が異なる2種類のレジスト膜(レジスト膜A、Bとする)が形成されたウエハWを用いて行われた。また、対照試験として、置換液の供給を行わない他は評価試験1と同様の条件で試験を行った。
評価試験2として、実施形態の第1の処理手法で説明した現像液31Bの供給、洗浄液32Bの供給、置換液33Bの供給、液の振り切りによる乾燥をウエハWに対して順次行った。ただし、この評価試験2では評価試験1と同様に、上記のガス供給による乾燥領域30の形成を行っていない。また、置換液33Bの供給時におけるウエハWの回転数は250rpmとし、その後の回転数はウエハWごとに500〜2000rpmの範囲で互いに異なるように設定した。そして、この設定回転数でウエハWを回転させたときのウエハWの表面状態を観察し、設定回転数にした後に乾燥が終了するまでに要する時間を測定した。この評価試験2において、設定回転数が500rpmであるものを評価試験2−1、設定回転数が1000rpmであるものを評価試験2−2、設定回転数が1500rpmであるものを評価試験2−3、設定回転数が2000rpmであるものを評価試験2−4とする。
図22は、レジスト膜が形成された試験用のウエハW1の模式図である。ウエハW1の方位を示す切り欠き(ノッチ)を下に向けて平面で見て、縦横のマトリクス状に多数の矩形状の露光領域61を設定した。そして、前記平面で見たときに横方向に配列された露光領域61は互いに同じDose量(露光量)となるように設定し、下側に位置する露光領域61ほど、前記Dose量を大きく設定した。図22では、上下方向に互いに異なる3つの露光領域61について、各鎖線の矢印の向かう先に、各露光領域61から形成されるレジストパターン46の上面を模式的に示している。示したようにDose量が大きいほど、形成されるレジストパターン46のCDが小さくなる。即ち、線幅が細くなり、パターン倒れが発生しやすくなる。また、1つの露光領域61において、多数の直線状のレジストパターン46が形成される。なお、ウエハW1について、横方向をX方向、縦方向をY方向として夫々説明する場合がある。
評価試験4−1として、評価試験3−1で処理したウエハW1について、パターン倒れの発生割合を調べる代わりに、現像欠陥の数及び現像欠陥の種類を調べた。評価試験4−2として、評価試験3−2で処理したウエハW1について、評価試験4−1と同様に、現像欠陥の数及び現像欠陥の種類を調べた。
評価試験5−1としてウエハW1に対して、評価試験3−2と同様に現像液31Bの供給、洗浄液32Bの供給、置換液33Bの供給、液の振り切りによる乾燥を順次行った。この評価試験5−1では、前記乾燥領域30の形成を行っていない。また、ウエハW1の回転数は、評価試験3−2で説明したように制御している。評価試験5−2としてウエハW1に対して、回転数の制御が若干異なることを除き、概ね上記の実施形態の第1の処理手法に従って処理を行った。つまり、この評価試験5−2では乾燥領域30の形成を行っている。評価試験5−1、5−2ともに、ウエハW1の処理後、パターン倒れの発生割合、現像欠陥の数及び現像欠陥の種類を調べた。
評価試験6−1として、実施形態の第1の処理手法と略同様にウエハW1に処理を行った。差異点としては、置換液33Bの供給を停止した後、1500rpmで0.5秒間ウエハWを回転させながらN2ガスの吐出を行い、然る後ウエハWの回転数を上昇させて2000rpmとした。回転数を上昇させてからも1秒間ウエハWにN2ガスの吐出を続けて行い、ガスの吐出を停止すると共に回転数を2000rpmから低下させた。評価試験6−2として、評価試験6−1と略同様にウエハW1に処理を行った。ただし、評価試験6−1と異なり、回転数が2000rpmになるように上昇させ、その後2000rpmから回転数を低下させるまでの時間は4秒間とし、この4秒間N2ガスを吐出している。つまり0.5秒+4秒間、N2ガスの吐出を行った。これら評価試験6−1、6−2において、処理後のウエハW1の各露光領域61におけるパターン倒れの発生割合を調べた。
この評価試験6より、N2ガスの吐出時間が評価試験6−1と略同じ程度、具体的には1秒〜2秒であれば、ウエハWの中心部にパターン倒れが起きないものと考えられる。
評価試験7−1として、上記の評価試験6−2と同様にウエハW1に処理を行った。つまり、ウエハWの回転数が1500rpmであるときにN2ガスの吐出を開始し、その後N2ガスの吐出を続けながら回転数を上昇させて2000rpmになるようにし、2000rpmで回転させながらさらにガスの吐出を続けた。
評価試験7−2として、評価試験7−1と略同様にウエハW1に処理を行ったが、ウエハWの回転数を1500rpmから、2000rpmになるように上昇させる代わりに2500rpmになるように上昇させて処理を行った。
これら評価試験7−1、7−2において、処理後のウエハW1について、各露光領域61のパターン倒れの発生割合を調べた。
評価試験8−1として、上記の実施形態の第1の処理手法に従ってウエハW1の処理を行った。つまり、ウエハW1の回転数を2000rpmでN2ガスの吐出を行い、N2ガスの吐出停止後、ウエハW1の回転数を1500rpmに低下させて、乾燥領域30をウエハW1の外周へ向けて広げた。評価試験8−2として、N2ガスの吐出停止後、ウエハW1の回転数を2000rpmから1500rpmに低下させずに、乾燥領域30をウエハW1の外周へ向けて広げた。評価試験8−2では、このように回転数の低下を行わなかった他は、評価試験8−1と同様に処理を行った。評価試験8−1、8−2ともに、処理後のウエハW1について、各露光領域61のパターン倒れの発生割合と、現像欠陥の発生状況とを調べた。
評価試験9−1として、上記の実施形態にて示した第1の処理手法と略同様にウエハW1に処理を行った。つまり、ウエハW1の回転数を2000rpmにしたときにN2ガスの吐出を行い、この2000rpmで回転中にN2ガスの吐出を停止させ、吐出停止後の所定のタイミングにおいてウエハW1の回転数を一定の回転数とし、乾燥領域30をウエハW1の周縁部へ向けて広げた後、回転を停止させた。ただし、前記一定の回転数は1500rpmとする代わりに500rpmとした。
評価試験10−1として、前記第1の処理手法と同様に、ウエハW1の回転数が2000rpmにしてN2ガスの吐出を行い、この2000rpmで回転中にN2ガスの吐出を停止させ、吐出停止後の所定のタイミングにおいてウエハW1の回転数を低下させて1500rpmとし、回転数を低下させた時点から設定時間経過後、回転数が0rpmになるように回転数を低下させた。そして、前記設定時間は5秒とした。評価試験10−2として、前記設定時間を10秒とした他は、評価試験10−1と同様にウエハW1に処理を行った。評価試験10−3として、前記設定時間を15秒とした他は、評価試験10−1と同様にウエハW1に処理を行った。これら評価試験10−1〜10−3において、処理後のウエハW1について各露光領域61のパターン倒れの発生割合を調べた。
評価試験11−1として、上記の実施形態の第1の処理手法に従ってウエハW1に処理を行った。即ち、N2ガスを吐出する位置はウエハWの中心部に固定した。評価試験11−2として、上記の第2の処理手法に従って処理を行った。即ち、ウエハWの中心部にN2ガスを吐出後、ガスノズル44を移動させてN2ガスの吐出位置をウエハWの周縁部側に移動させた。評価試験11−1、11−2ともに、処理後のウエハW1について各露光領域61のパターン倒れの発生割合を調べた。
1 現像装置
11 スピンチャック
30 乾燥領域
32 洗浄液ノズル
32B 洗浄液
33 置換液ノズル
33B 置換液
34 ガスノズル
40 乾燥縞
46 レジストパターン
47 凹部
48 壁部
61 露光領域
Claims (11)
- レジストパターンを形成するために露光後の基板の表面に現像液を供給する現像工程と、
次いで、前記基板の当該表面に洗浄液を供給し、前記現像により生じた残渣を基板から除去する洗浄工程と、
次いで、前記レジストパターンを構成するレジストの壁部への浸透が抑えられるように浸透抑制剤が含まれ、その表面張力が50mN/m以下である置換液を前記基板の表面に供給し、前記基板上の洗浄液を前記置換液により置換する置換工程と、
次いで、前記基板を回転させながら、基板の中心部にガスを供給して乾燥領域を形成し、遠心力により前記乾燥領域を基板の周縁部に広げることにより基板の表面を乾燥させる乾燥工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。 - 前記浸透抑制剤は、塩基性の窒素化合物であることを特徴とする請求項1記載の基板処理方法。
- 前記乾燥工程は、
基板の中心部にガスを供給するときに基板を第1の回転数で回転させる工程と、
次いで前記乾燥領域が基板の周縁部に達するまでに基板を第1の回転数よりも低い第2の回転数で回転させる工程と、
を含むことを特徴とする請求項1または2記載の基板処理方法。 - 前記洗浄工程は、
前記基板の中心部に前記洗浄液を供給する工程と、当該洗浄液を遠心力により当該基板の周縁部へ広げるために当該基板を第3の回転数で回転させる工程と、を含み、
前記置換工程は、
前記基板の中心部に前記置換液を供給する工程と、当該置換液を遠心力により当該基板の周縁部へ広げるために、当該基板を前記第3の回転数よりも大きい第4の回転数で回転させる工程と、を含むことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の基板処理方法。 - 前記第1の回転数は1500rpm〜2500rpmであることを特徴とする請求項3または4記載の基板処理方法。
- 前記第2の回転数は1500rpm以上であることを特徴とする請求項5記載の基板処理方法。
- 前記乾燥領域が形成された後、当該乾燥領域において基板の中心部から偏心した位置にガスを供給する工程を含むことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一つに記載の基板処理方法。
- 現像されたレジストパターンをその表面に備える基板を保持して鉛直軸回りに回転させるための保持部と、
前記基板の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、
前記レジストパターンを構成するレジストの壁部への浸透が抑えられるように浸透抑制剤が含まれ、その表面張力が50mN/m以下である置換液を、前記基板の表面に供給する置換液供給部と、
前記基板の中心部にガスを供給するガス供給部と、
前記保持部、前記洗浄液供給部、前記置換液供給部及び前記ガス供給部の各動作を制御するように制御信号を出力する制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記現像にて生じた残渣を除去するために前記基板の表面に前記洗浄液を供給するステップと、
次いで前記基板の表面上の洗浄液を前記置換液により置換するために、前記置換液を基板の表面に供給するステップと、
次いで、前記基板を回転させながら、基板の中心部にガスを供給して乾燥領域を形成し、遠心力により前記乾燥領域を基板の周縁部に広げることにより基板の表面を乾燥させるステップと、
を行うように制御信号を出力することを特徴とする基板処理装置。 - 前記制御部は、
基板の中心部にガスを供給するときに基板を第1の回転数で回転させるステップと、
次いで当該乾燥領域が基板の周縁部に達するまでに基板を第1の回転数よりも低い第2の回転数で回転させるステップと、
を行うように制御信号を出力することを特徴とする請求項8記載の基板処理装置。 - 前記洗浄液供給部は、基板の中心部に洗浄液を供給し、
前記置換液供給部は、基板の中心部に置換液を供給し、
前記制御部は、
前記洗浄液を遠心力により当該基板の周縁部へ広げるために、当該基板を第3の回転数で回転させるステップと、
前記置換液を遠心力により当該基板の周縁部へ広げるために、前記第3の回転数よりも大きい第4の回転数で回転させるステップと、を行うように制御信号を出力することを特徴とする請求項9記載の基板処理装置。 - 現像されてパターンが形成されたレジスト膜をその表面に備える基板を洗浄する基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは請求項1ないし7のいずれか一つに記載された基板処理方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
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Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5886935B1 (ja) * | 2014-12-11 | 2016-03-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理方法、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 |
CN104617018B (zh) * | 2015-01-23 | 2017-07-11 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种基板处理装置及基板处理方法 |
CN106356316B (zh) * | 2015-07-14 | 2018-10-09 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种工艺单元排废积液检测装置 |
JP6588819B2 (ja) * | 2015-12-24 | 2019-10-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6611652B2 (ja) * | 2016-03-30 | 2019-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置の管理方法、及び基板処理システム |
CN109786209B (zh) * | 2017-11-15 | 2021-04-02 | 长鑫存储技术有限公司 | 器件清洗方法 |
KR102139605B1 (ko) * | 2018-11-06 | 2020-08-12 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
JP7194645B2 (ja) * | 2019-05-31 | 2022-12-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
TWI756850B (zh) * | 2019-09-30 | 2022-03-01 | 日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 | 基板處理裝置 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04323658A (ja) * | 1991-04-24 | 1992-11-12 | Hitachi Ltd | 現像方法および装置 |
JP2002174908A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-06-21 | Nikon Corp | 現像方法およびデバイス製造方法 |
JP2004184648A (ja) * | 2002-12-03 | 2004-07-02 | Clariant (Japan) Kk | リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたレジストパターン形成方法 |
JP2004336081A (ja) * | 2004-08-19 | 2004-11-25 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法 |
JP2005202121A (ja) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版の製版方法及び平版印刷版用リンス液 |
JP2006189755A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-07-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | リソグラフィー用洗浄液及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
JP2007095888A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Tokyo Electron Ltd | リンス処理方法、現像処理方法及び現像装置 |
JP2008098598A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-04-24 | Tokyo Electron Ltd | 露光・現像処理方法 |
JP4455228B2 (ja) * | 2004-08-26 | 2010-04-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP4504229B2 (ja) * | 2004-04-13 | 2010-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | リンス処理方法および現像処理方法 |
JP2010256849A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-11-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | リソグラフィー用洗浄液及びこれを用いたレジストパターンの形成方法 |
JP2012211949A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-01 | Daikin Ind Ltd | リソグラフィ用リンス液及びパターン形成方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005101468A1 (ja) * | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Tokyo Electron Limited | リンス処理方法および現像処理方法 |
JP4762098B2 (ja) * | 2006-09-28 | 2011-08-31 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP4926678B2 (ja) * | 2006-12-04 | 2012-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 液浸露光用洗浄装置および洗浄方法、ならびにコンピュータプログラムおよび記憶媒体 |
JP5012651B2 (ja) | 2008-05-14 | 2012-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置、塗布方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 |
JP4927158B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2012-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置 |
JP5591623B2 (ja) * | 2010-08-13 | 2014-09-17 | AzエレクトロニックマテリアルズIp株式会社 | リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたパターン形成方法 |
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- 2014-04-07 US US14/246,714 patent/US9627232B2/en active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04323658A (ja) * | 1991-04-24 | 1992-11-12 | Hitachi Ltd | 現像方法および装置 |
JP2002174908A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-06-21 | Nikon Corp | 現像方法およびデバイス製造方法 |
JP2004184648A (ja) * | 2002-12-03 | 2004-07-02 | Clariant (Japan) Kk | リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたレジストパターン形成方法 |
JP2005202121A (ja) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版の製版方法及び平版印刷版用リンス液 |
JP4504229B2 (ja) * | 2004-04-13 | 2010-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | リンス処理方法および現像処理方法 |
JP2004336081A (ja) * | 2004-08-19 | 2004-11-25 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法 |
JP4455228B2 (ja) * | 2004-08-26 | 2010-04-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2006189755A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-07-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | リソグラフィー用洗浄液及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
JP2007095888A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Tokyo Electron Ltd | リンス処理方法、現像処理方法及び現像装置 |
JP2008098598A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-04-24 | Tokyo Electron Ltd | 露光・現像処理方法 |
JP2010256849A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-11-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | リソグラフィー用洗浄液及びこれを用いたレジストパターンの形成方法 |
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