JP2014192292A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置および半導体装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】 より確実に半導体素子の電極とリードとを接合することが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 ｚ方向を向く上面電極４１０を有する半導体素子４００と、上面電極４１０に対向しかつ導通する先端面１１０、およびこの先端面１１０に繋がり上面電極４１０から離間するように起立した起立部１２０を有する第１リード１００と、半導体素子４００の上面電極４１０と第１リード１００の先端面１１０とを接合するはんだ５１０と、半導体素子４００、第１リード１００の少なくとも一部、およびはんだ５１０を覆う封止樹脂６００と、を備える。
【選択図】 図２

Description

本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
半導体素子、この半導体素子に導通するリード、および上記半導体素子および上記リードの一部を覆う封止樹脂を備える半導体装置が広く用いられている。上記半導体素子の代表例としては、たとえばダイオードやトランジスタが挙げられる。特許文献１に開示された構成においては、上記半導体素子が上面電極および下面電極を有している。また、上記半導体素子を挟むように２つの上記リードが配置されている。一方の上記リードは、上記上面電極に導通し、他方の上記リードは、上記下面電極に導通している。上記２つのリードと上記上面電極および下面電極とは、はんだによって接合されている。平面視においては、上記２つのリードは、上記上面電極および上記下面電極のすべてかそのほとんどを覆う大きさとされている。
上記はんだは、たとえばペースト状のはんだペーストを加熱によって硬化させることにより形成される。この加熱工程においては、上記はんだペーストがいったん軟化することが一般的である。このため、上記半導体素子は、軟化した上記はんだペーストを介して上記２つのリードに挟まれる格好となる。この際に、上記半導体素子が大きくずれると、上記はんだペーストがたとえば上記上面電極からはみ出し、上記半導体素子の側面に至るおそれがある。これは、上記半導体素子の上記側面に露出した導電体部分と上記リードとが不当に導通してしまうという不具合を招来する。
特開２０１２−１８２２５３号公報
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、より確実に半導体素子の電極とリードとを接合することが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することをその課題とする。
本発明の第１の側面によって提供される半導体装置は、第１方向を向く電極を有する半導体素子と、上記電極に対向しかつ導通する先端面、およびこの先端面に繋がり上記電極から離間するように起立した起立部を有する第１リードと、上記半導体素子の上記電極と上記第１リードの上記先端面とを接合する導電性接合材と、上記半導体素子、上記第１リードの少なくとも一部、および上記導電性接合材を覆う封止樹脂と、を備えることを特徴としている。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１方向視において、上記先端面は上記半導体素子の上記電極よりも小である。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１方向視において、上記先端面は上記半導体素子の上記電極の中心に重なっている。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１方向視において、上記導電性接合材は、上記電極に内包されている。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１方向視において、上記半導体素子の外形と上記電極とは相似形である。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記先端面は、正方形である。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１リードは、上記起立部に繋がり、かつ上記第１方向視において上記起立部から離間する方向に延びる横行部を有する。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１方向における上記横行部と上記半導体素子の上記電極との距離は、上記第１方向における上記横行部と上記封止樹脂の外面との距離よりも大である。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１リードは、一端が上記横行部に対して上記起立部とは反対側に繋がり、かつ他端が上記一端よりも上記第１方向において上記半導体素子側に位置する段差部を有する。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１リードは、上記段差部に繋がり、かつ上記第１方向視において上記段差部から離間する方向に延びるとともに、その一部が上記封止樹脂から突出する延伸部を有する。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１リードは、一端が上記延伸部に対して上記段差部とは反対側に繋がり、かつ他端が上記一端よりも上記第１方向において上記段差部から離間した位置にある迂回部を有する。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１リードは、上記延伸部と上記迂回部とが繋がる部分である折り曲げ部分に、その折り曲げ方向に延びるとともに、折り曲げ内側に位置する溝を有する。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記溝は、上記折り曲げ方向において上記折り曲げ部分よりも短い。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１リードは、上記迂回部に繋がる端子部を有する。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記横行部は、上記起立部に繋がる側の部分の幅が上記起立部の幅と同じである等幅部を有する。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記横行部は、上記等幅部に対して上記起立部と反対側に繋がり、上記等幅部よりも幅が広い広幅部を有する。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記横行部は、上記起立部に繋がる側の部分の幅が上記起立部の幅と同じである等幅部とこの等幅部に対して上記起立部と反対側に繋がり、上記等幅部よりも幅が広い広幅部とを有し、上記延伸部は、上記広幅部よりも幅が広い。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記起立部は、上記第１方向に対して傾いており、上記先端面のうち上記起立部が傾く側とは反対側の部分に、バリが形成されている。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記半導体素子に対して上記第１リードの上記先端面とは反対側から接合されたダイパッド部を有する第２リードをさらに備える。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記ダイパッド部に繋がり、第１方向視において上記封止樹脂の外部へと延びる延伸部を有する。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２リードの上記延伸部は、上記ダイパッド部に繋がる部分が上記封止樹脂から突出する部分よりも上記第１方向において上記第１リードの上記先端面に対して離間した位置にある。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記延伸部は、上記ダイパッド部よりも幅が狭い。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２リードは、一端が上記延伸部に対して上記ダイパッド部とは反対側に繋がり、かつ他端が上記一端よりも上記第１方向において上記延伸部から離間した位置にある迂回部を有する。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２リードは、上記延伸部と上記迂回部とが繋がる部分である折り曲げ部分に、その折り曲げ方向に延びるとともに、折り曲げ内側に位置する溝を有する。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記溝は、上記折り曲げ方向において上記折り曲げ部分よりも短い。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２リードは、上記迂回部に繋がる端子部を有する。
本発明の第２の側面によって提供される半導体装置の製造方法は、第１方向を向く電極を有する半導体素子および先端面を有する第１リードを用意し、上記電極に対して上記先端面が対向するように上記第１リードを配置する工程と、上記電極と上記先端面とを接合する工程と、を備えることを特徴としている。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１リードを配置する工程においては、上記先端面が上記第１方向において上記電極と同じ側を向く姿勢から上記先端面が上記電極と対向する姿勢へと上記第１リードを回転させる。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１リードを配置する工程においては、上記第１リードに繋がり、かつ上記回転の軸方向に延びる連結部を捻ることにより上記第１リードを回転させ、上記第１リードを配置する工程の後に、上記連結部を除去する工程を備える。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記連結部を除去する工程は、打ち抜きによって行う。
このような構成によれば、上記第１リードは、上記先端面のみが上記電極と対向する姿勢で、上記導電性接合材によって接合されている。このため、上記半導体装置の製造工程において、上記電極と上記第１リードとの間において、軟化したはんだが広い領域に及んでしまうことを防止することができる。これにより、上記第１リードがずれてしまったり、上記導電性接合材が上記電極を超えて上記半導体素子の側面に及んでしまうことを回避することができる。また、上記電極から離間するように起立した上記起立部を備えることにより、軟化した上記導電性接合材が上記起立部を伝って上昇することが期待できる。これにより、上記導電性接合材を上記起立部の近傍に留まらせることができる。したがって、上記半導体素子の上記電極と上記第１リードとをより確実に接合することが可能である。
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
本発明の第１実施形態に基づく半導体装置を示す斜視図である。 図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。 図１の半導体装置を示す要部拡大断面図である。 図１の半導体装置を示す要部拡大断面図である。 図１の半導体装置を示す平面図である。 図１の半導体装置を示す側面図である。 図１の半導体装置の製造に用いられるリードフレームの一例を示す要部平面図である。 図７のリードフレームを示す要部拡大平面図である。 図８のＩＸ−ＩＸ線に沿う要部拡大断面図である。 図８のＸ−Ｘ線に沿う要部拡大断面図である。 図８のＸＩ−ＸＩ線に沿う要部拡大断面図である。 図８のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う要部拡大断面図である。 図８のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿う要部拡大断面図である。 図１の半導体装置の製造に用いられるリードフレームに折り曲げ加工を施した状態を示す要部拡大平面図である。 図１４のＸＶ−ＸＶ線に沿う要部拡大断面図である。 図１の半導体装置の製造に用いられるリードフレームに反転加工を施した状態を示す要部拡大平面図である。 図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿う要部拡大断面図である。 図１の半導体装置の製造に用いられるリードフレームに打ち抜き加工を施した状態を示す要部拡大断面図である。 図１８のＸＩＸ−ＸＩＸ線に沿う要部拡大断面図である。 図１８のＸＸ−ＸＸ線に沿う要部拡大断面図である。 図１の半導体装置の製造に用いられるリードフレームに折り曲げ加工を施した状態を示す要部拡大断面図である。 図１の半導体装置の第１リードを示す斜視図である。 本発明の第２実施形態に基づく半導体装置を示す断面図である。
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
図１〜図６は、本発明の第１実施形態に基づく半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置１０１は、第１リード１００、第２リード２００、半導体素子４００、はんだ５１０，５２０および封止樹脂６００を備えている。半導体装置１０１は、いわゆる２端子型の封止樹脂電子部品として構成されているが、これは本発明に係る半導体装置の一例であり３以上の端子を有する封止樹脂電子部品であってもよい。
図１は、半導体装置１０１を斜め上方向からみた斜視図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿うｚｘ平面における断面図であり、図３および図４は、その要部拡大断面図である。図５は、半導体装置１０１の平面図であり、図６は、半導体装置１０１の側面図である。これらの図において、ｚ方向は、本発明で言う第１方向に相当する。以下の説明においては、図１〜図３における図中上方を「上」、図中下方を「下」と便宜上称するが、ｚ方向が重力方向と一致することを特定するものではない。また、ｘ方向およびｙ方向は、平面方向を定義する方向として扱う。
半導体装置１０１の外形サイズの一例を挙げると、ｘ方向寸法が５．０ｍｍ程度、ｙ方向寸法が２．６ｍｍ程度、ｚ方向寸法が２．０ｍｍ程度である。
第１リード１００は、半導体素子４００に流れるべき電流の導通経路を構成するものであり、本実施形態においては、たとえばＣｕに代表される金属板からなる。本実施形態においては、第１リード１００は、先端面１１０、起立部１２０、横行部１３０、段差部１４０、延伸部１５０、迂回部１６０および端子部１７０を有する。第１リード１００の厚さは、たとえば０．２ｍｍ程度である。
図２および図３に示すように、先端面１１０は、ｚ方向下方を向いており、後述する半導体装置１０１の製造方法から理解される通り、第１リード１００の厚さ方向に起立する一端面であった面である。本実施形態においては、先端面１１０は、正方形とされており、そのサイズが０．２ｍｍ角程度とされている。
起立部１２０は、先端面１１０に繋がり、後述する半導体素子４００の上面電極４１０から離間するように起立している。本実施形態においては、起立部１２０の断面は、一様な形状およびサイズとされており、先端面１１０と同じ０．２ｍｍ角程度の正方形である。また、起立部１２０の長さはたとえば０．６ｍｍ程度である。
図３によく表れているように、本実施形態においては、起立部１２０がｚ方向に対して若干傾いている。より具体的には、起立部１２０の上方部分が先端面１１０に対して図中右側に位置するように傾いている。また、先端面１１０は、起立部１２０に対して垂直であるため、左方部分が右方部分よりもｚ方向上方に位置するようにｘ方向に対して傾いている。先端面１１０においては、起立部１２０が傾く側（右側）とは反対側（左側）にバリ１９１が形成されている。また、起立部１２０が傾く側（右側）には、ダレ１９２が形成されている。なお、バリ１９１やダレ１９２は、後述するように半導体装置１０１の製造工程において不可避的に生じる可能性がある要素である。同様の製造工程を経た半導体装置１０１であっても、バリ１９１およびダレ１９２の両方が明瞭に形成される場合があれば、いずれか一方のみが形成される場合、もしくはいずれもが明瞭には形成されない場合がある。
横行部１３０は、起立部１２０に繋がり、かつｚ方向視において起立部１２０から離間するように延びる部位であり、本実施形態においては、図１、図２および図５に示すように、起立部１２０からｘ方向右方へと延びている。本実施形態の横行部１３０は、ｚ方向厚さが０．２ｍｍ程度である。また、横行部１３０は、等幅部１３１および広幅部１３２を有している。等幅部１３１は、起立部１２０に繋がっており、ｙ方向幅が起立部１２０と同じである。すなわち、等幅部１３１は、起立部１２０に対して連続的に繋がっており、ｙ方向幅は、たとえば０．２ｍｍ程度である。広幅部１３２は、等幅部１３１に対して起立部１２０とは反対側（ｘ方向右側）に繋がっており、等幅部１３１よりもｙ方向幅が広い。広幅部１３２のｙ方向幅は、たとえば０．９ｍｍ程度である。また、等幅部１３１および広幅部１３２のｘ方向寸法は、いずれもたとえば０．５ｍｍ程度である。なお、図２に示すように、本実施形態においては、横行部１３０は、ｘ方向に対して若干傾いている。この傾き角度は、ｚ方向に対する起立部１２０の傾き角度とほぼ同じである。
段差部１４０は、一端が横行部１３０に対して起立部１２０とは反対側（図中右側）に繋がり、かつ他端が上記一端よりもｚ方向において半導体素子４００側（ｚ方向下方側）に位置する。すなわち、段差部１４０は、第１リード１００に、ｚ方向にシフトするクランク状の部分を生じさせている。さらに、本実施形態においては、段差部１４０は、ｚ方向に対して傾いている。この傾き角度は、ｚ方向に対する起立部１２０の傾き角度およびｘ方向に対する横行部１３０の傾き角度よりも若干大である。段差部１４０の厚さは０．２ｍｍ程度であり、ｙ方向寸法は、１．４ｍｍ程度である。また、段差部１４０のｚ方向寸法は、０．６ｍｍ程度である。
延伸部１５０は、段差部１４０の図中下方側に繋がり、かつｚ方向視において段差部１４０から離間する方向（図中右方）に延びている。また、延伸部１５０は、後述する封止樹脂６００からその一部が突出している。図１および図２に示すように、延伸部１５０は、ｘ方向に対してほぼ平行である。延伸部のｙ方向寸法は１．４ｍｍ程度であり、ｚ方向厚さは、０．２ｍｍ程度である。本実施形態においては、延伸部１５０に開口１８１が形成されている。開口１８１は、延伸部１５０の平面視におけるほぼ中央に配置されており、たとえばｘ方向寸法が０．３ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．４ｍｍ程度の矩形状である。
迂回部１６０は、一端が延伸部１５０に対して段差部１４０とは反対側（図中右側）に繋がり、かつ他端が上記一端よりもｚ方向において段差部１４０よりも離間した位置（図中下方側位置）にある。本実施形態においては、迂回部１６０のｙ方向寸法は１．５ｍｍ程度であり、厚さが０．２ｍｍ程度である。また、本実施形態においては、図４および図５に示すように、延伸部１５０と迂回部１６０とが繋がる部分である折り曲げ部分に、溝１８２が形成されている。溝１８２は、上記折り曲げ部分において折り曲げ方向であるｙ方向に延びている。なお、本発明においては、折り曲げ加工によって形成された折り曲げ線が伸びる方向を便宜上「折り曲げ方向」と称する。また、溝１８２は、上記折り曲げ部分において折り曲げ内側に位置している。また、図５に示すように、溝１８２のｙ方向寸法は、上記折り曲げ部分のｙ方向寸法よりも小であり、溝１８２は上記折り曲げ部分のｙ方向両端には到達していない。後述するように、溝１８２は、たとえば断面三角形の溝であったものが折り曲げ加工の結果、断面形状が偏平となったものである。このため、溝１８２は、明瞭に開いた形状ではなく、ほとんど閉じた形状となる場合がありうる。溝１８２の深さは、たとえば０．０７ｍｍ程度である。
端子部１７０は、迂回部１６０のｚ方向下端に繋がっており、この下端からｘ方向左方に延びている。端子部１７０は、半導体装置１０１がたとえば回路基板（図示略）などに面実装される際に実装端子として用いられる部位である。本実施形態においては、端子部１７０のｙ方向寸法は、たとえば１．５ｍｍ程度、厚さが０．２ｍｍ程度である。
第２リード２００は、第１リード１００とともに半導体素子４００に流れるべき電流の導通経路を構成するものであり、本実施形態においては、たとえばＣｕに代表される金属板からなる。本実施形態においては、第２リード２００は、ダイパッド部２１０、延伸部２３０、迂回部２６０および端子部２７０を有する。第２リード２００の厚さは、たとえば０．２ｍｍ程度である。
ダイパッド部２１０は、半導体素子４００が搭載される部位であり、第１リード１００の先端面１１０に対して半導体素子４００を挟んでｚ方向下方に位置している。図１および図５に示すように、ダイパッド部２１０は、ｚ方向視において半導体素子４００よりも大とされており、たとえばｘ方向寸法が２．２ｍｍ程度、ｙ方向寸法が２．３ｍｍ程度の矩形状である。図２に示すように、本実施形態においては、ダイパッド部２１０は、第１リード１００の延伸部１５０よりもｚ方向下方に位置している。
延伸部２３０は、ダイパッド部２１０に繋がり、ｚ方向視において封止樹脂６００の外部へとｘ方向左方に延びている。延伸部２３０は、ｙ方向寸法がたとえば１．５ｍｍ程度とされており、ダイパッド部２１０よりもｙ方向の幅が狭い。また、図２に示すように、延伸部２３０は、ダイパッド部２１０に繋がる部分が封止樹脂６００から突出する部分よりもｚ方向において第１リード１００の先端面１１０に対して離間した位置、すなわちｚ方向下方側位置にある。より具体的には、延伸部２３０は、緩やかな２つの折り曲げ部分を有するクランク形状とされている。このクランク形状によるｚ方向のシフト距離は、たとえば０．１５ｍｍ程度である。本実施形態においては、延伸部２３０に開口２８１が形成されている。開口２８１は、延伸部２３０の平面視におけるほぼ中央に配置されており、たとえばｘ方向寸法が０．４ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．４ｍｍ程度の矩形状である。
迂回部２６０は、一端が延伸部２３０に対してダイパッド部２１０とは反対側（図中左方側）に繋がり、かつ他端が上記一端よりもｚ方向において延伸部２３０に対して離間した位置、すなわちｚ方向下方位置にある。本実施形態においては、迂回部２６０のｙ方向寸法は１．５ｍｍ程度である。また、本実施形態においては、図４および図５を参照して説明した溝１８２と同様に、延伸部２３０と迂回部２６０とが繋がる部分である折り曲げ部分に、溝２８２が形成されている。溝２８２は、上記折り曲げ部分において折り曲げ方向であるｙ方向に延びている。また、溝２８２は、上記折り曲げ部分において折り曲げ内側に位置している。また、図５に示すように、溝２８２のｙ方向寸法は、上記折り曲げ部分のｙ方向寸法よりも小であり、溝２８２は上記折り曲げ部分のｙ方向両端には到達していない。後述するように、溝２８２は、たとえば断面三角形の溝であったものが折り曲げ加工の結果、断面形状が偏平となったものである。このため、溝２８２は、明瞭に開いた形状ではなく、ほとんど閉じた形状となる場合がありうる。溝２８２の深さは、たとえば０．０７ｍｍ程度である。
本実施形態においては、ダイパッド部２１０と延伸部２３０との間には、溝２８３が形成されている。溝２８３は、ｙ方向に延びておりｚ方向上方に開口している。溝２８３の断面形状は、略三角形あるいは台形である。溝２８３は、後述するはんだ５２０の広がりを防止するとともに、第２リード２００と封止樹脂６００との接合強度を高める機能を果たす。
端子部２７０は、迂回部２６０のｚ方向下端に繋がっており、この下端からｘ方向右方方に延びている。端子部２７０は、半導体装置１０１がたとえば回路基板（図示略）などに面実装される際に実装端子として用いられる部位である。本実施形態においては、端子部２７０のｙ方向寸法は、たとえば１．５ｍｍ程度である。
半導体素子４００は、半導体装置１０１がたとえば電気回路に組み込まれた際に、電気回路の一要素としての機能を果たすものであり、本実施形態においては、たとえばダイオードとして構成されている。半導体素子４００は、上面電極４１０、下面電極４２０および絶縁層４３０を有している。半導体素子４００のサイズの一例を挙げると、ｘ方向寸法が０．９０ｍｍ以上、１．７０ｍｍ以下程度、ｙ方向寸法が０．９０ｍｍ以上、１．７０ｍｍ以下程度、ｚ方向高さが０．２６ｍｍ程度である。
上面電極４１０は、本発明で言う電極に相当し、半導体素子４００のｚ方向上面に形成されており、ｚ方向上方を向いている。上面電極４１０は、たとえばＡｕなどの金属メッキ層からなる。本実施形態においては、図１および５に示すように、上面電極４１０は、平面視において半導体素子４００の外形と相似形である矩形状であり、半導体素子４００の平面視外縁よりも内方に退避した格好となっている。また、第１リード１００の先端面１１０は、上面電極４１０よりも小である。平面視においては、先端面１１０と上面電極４１０との中心が互いにほぼ一致している。上面電極４１０のサイズの一例を挙げると、ｘ方向寸法が０．６０ｍｍ以上、１．４０ｍｍ以下程度、ｙ方向寸法が０．６０ｍｍ以上、１．４０ｍｍ以下程度である。
上面電極４１０と第１リード１００の先端面１１０とは、はんだ５１０によって接合されている。はんだ５１０は、本発明で言う導電性接合材の一例に相当する。図１、図２および図５に示すように、ｚ方向視においてはんだ５１０は上面電極４１０に内包されている。すなわち、はんだ５１０の外縁は、上面電極４１０の外縁よりも内側に退避している。また、はんだ５１０は、第１リード１００の起立部１２０の一部に這い上がるように形成されている。はんだ５１０の這い上がり高さは、たとえば起立部１２０の半分程度である。
絶縁層４３０は、たとえばＳｉＯ2からなり、上面電極４１０を取り囲んでいる。また、絶縁層４３０の外縁は、半導体素子４００のｚ方向視における外縁に到達している。本実施形態においては、絶縁層４３０は、矩形環状とされている。
下面電極４２０は、半導体素子４００のｚ方向下面に形成されており、ｚ方向下方を向いている。下面電極４２０は、はんだ５２０によって第２リード２００のダイパッド部２１０に接合されている。
封止樹脂６００は、半導体素子４００、第１リード１００の一部および第２リード２００の一部を覆っており、これらを保護する機能を果たす。封止樹脂６００は、たとえば黒色のエポキシ樹脂からなり、金型を用いて成形される。本実施形態においては、封止樹脂６００のうち第１リード１００および第２リード２００が突出する位置よりもｚ方向上方に位置する部分は、偏平な錘台形とされている。また、封止樹脂６００のｚ方向下方部分には、第１リード１００の端子部１７０と第２リード２００の端子部２７０とに挟まれた位置に、ｚ方向下方に突出する突起が形成されている。
また、図１および図５に示すように、半導体装置１０１は、４つの保持部１２を有している。４つの保持部１２は、それぞれが第１リード１００および第２リード２００と同様のたとえばＣｕなどの金属からなる。４つの保持部１２は、ｚ方向における位置が、第１リード１００および第２リード２００のうち封止樹脂６００から突出する部位と同じである。４つの保持部１２は、ｚ方向視において封止樹脂６００の四隅寄りに離間配置されている。それぞれの保持部１２の１つのｙ方向端面は、封止樹脂６００から露出している。保持部１２は、半導体装置１０１の製造工程において、封止樹脂６００を保持する役割を果たす。
図２に示すように、本実施形態においては、ｚ方向における第１リード１００の横行部１３０と半導体素子４００の上面電極４１０との距離Ｈ１は、ｚ方向における横行部１３０と封止樹脂６００の外面との距離Ｈ２よりも大である。たとえば、距離Ｈ１が０．４３ｍｍ程度であるのに対し、距離Ｈ２は０．１５ｍｍ程度である。また、横行部１３０の厚さｔは、上述した通り０．２ｍｍ程度である。
次に、半導体装置１０１の製造方法の一例について、図７〜図２２を参照しつつ以下に説明する。
まず、図７および図８に示すように、リードフレーム１０を用意する。リードフレーム１０は、フレーム１１と、このフレーム１１に支持された複数の第１リード１００および第２リード２００とを含む。リードフレーム１０は、たとえばＣｕなどの金属板であり、その厚さがたとえば０．２ｍｍ程度である。なお、図８から理解されるように、本図に示す第１リード１００および第２リード２００は、上述した第１リード１００および第２リード２００のように各所が折り曲げられた形状ではなく、いまだ平板状であり、正確には、第１リード１００および第２リード２００となるべき部位である。ただし、以降の説明においては、便宜上、それぞれを第１リード１００および第２リード２００と称する。また、第１リード１００および第２リード２００のうち折り曲げ加工が施される前の段階では、その形状が明確ではない部位については、かっこを付した符号によって表している。また、図中のｘ方向、ｙ方向、ｚ方向は厳密には妥当しない部分があるが、説明の便宜上、完成した半導体装置１０１を仮定した場合に妥当する方向に当てはめている。
図８に示すように、リードフレーム１０においては、第１リード１００と第２リード２００とがｘ方向に並んで配置されている。第１リード１００は、２つの連結部１３によってフレーム１１に連結されている。２つの連結部１３は、第１リード１００のうち迂回部１６０となるべき部位の近傍に繋がっており、ｙ方向において互いに離間配置されている。連結部１３のｘ方向寸法は０．２ｍｍ程度、ｙ方向寸法は０．３ｍｍ程度である。
第２リード２００は、端子部２７０となるべき部位の近傍がフレーム１１に連結されている。
また、１組の第１リード１００および第２リード２００につき、４つの保持部１２が形成されている。４つの保持部１２は、フレーム１１のうちｙ方向において第１リード１００および第２リード２００を挟む部位から突出している。
本実施形態においては、リードフレーム１０は、Ｃｕの金属板を打ち抜き加工することによって形成されている。この打ち抜き加工においては、ダイとパンチが用いられる。このダイは、上記金属板に対してｚ方向下方に配置されるものであり、ｚ方向視において上記金属板のうちリードフレーム１０として残存すべき部位、すなわちフレーム１１、複数の第１リード１００および複数の第２リード２００などの形状を有している。一方、上記パンチは、ｚ方向視において上記金属板のうちリードフレーム１０を形成するために除去されるべき部位の形状を有している。このパンチは、ｚ方向上方から上記金属板を挟んで上記ダイと交差するようにｚ方向下方に押し下げられる。この結果、上記金属板に打ち抜き加工が施され、リードフレーム１０が得られる。
このような打ち抜き加工を経ることにより、図９および図１０に示すように、第１リード１００が、バリ１９１およびダレ１９２を有し、第２リード２００がバリ２９１およびダレ２９２を有する可能性がある。これらの図に示すように、上記パンチが向かってくるｚ方向上方側にダレ１９２，２９２が形成され、ｚ方向下方側にバリ１９１，２９１が形成される。図７および図８に示す状態においては、すべてのバリ１９１，２９１とダレ１９２，２９２のｚ方向における向きは一律である。なお、上述した通り、バリ１９１，１９２やダレ１９２，２９２は、半導体装置１０１の製造工程において不可避的に生じる可能性がある要素である。同様の製造工程を経た場合であっても、バリ１９１，２９１およびダレ１９２，２９２の両方が明瞭に形成される場合があれば、いずれか一方のみが形成される場合、もしくはいずれもが明瞭には形成されない場合がある。
また、第１リード１００には、溝１８２が形成される。溝１８２は、延伸部１５０となるべき部位と迂回部１６０となるべき部位の間に形成され、図１３に示すようにｚ方向上方の開口した断面三角形の溝である。ただし、溝１８２は、第１リード１００のｙ方向両端には到達していない。一方、第２リード２００には、溝２８２が形成される。溝２８２は、延伸部２３０となるべき部位と迂回部２６０となるべき部位との間に形成され、図１２に示すようにｚ方向下方に開口した断面三角形の溝である。溝２８２も、第２リード２００のｙ方向両端には到達していない。このように、溝１８２と溝２８２は、ｚ方向において開口する向きが互いに逆である。このような溝１８２，２８２は、上述した打ち抜き加工と同時に、あるいは前後して形成してもよいし、後述する複数の折り曲げ加工の間に形成してもよい。
また、第２リード２００には、溝２８３が形成される。溝２８３は、ダイパッド部２１０と延伸部２３０となるべき部位との間に形成され、図１１に示すようにｚ方向上方に開口する断面略三角形または台形の溝である。溝２８３は、第２リード２００のｙ方向両端に到達している。
次いで、図１４および図１５に示すように、第１リード１００および第２リード２００に対して折り曲げ加工を施す。第１リード１００に対しては、先端面１１０が存在する端部から３箇所に対して折り曲げ加工を施す。これにより、起立部１２０、横行部１３０および段差部１４０が明瞭に現れる。また、第２リード２００に対しては、ダイパッド部２１０よりも根元側の２箇所に対して折り曲げ加工を施す。これにより、クランク形状を有する延伸部２３０となるべき部位がより明瞭となる。この折り曲げ加工により、ダイパッド部２１０は、フレーム１１に対してｚ方向下方に平行に移動した格好となる。また、第１リード１００は、先端面１１０がｚ方向上方を向く姿勢となる。
次いで、図１６および図１７に示すように、ダイパッド部２１０に半導体素子４００を搭載する。半導体素子４００の搭載は、たとえばダイパッド部２１０に上述したはんだ５２０となるべきはんだペースト５２０’を塗布し、この上に半導体素子４００をマウントする。また、半導体素子４００の上面電極４１０には、上述したはんだ５１０となるべきはんだペースト５１０’を塗布しておく。このはんだペースト５１０’は、上面電極４１０の中央付近にであって、上面電極４１０の外縁よりも内方に十分に退避した領域に塗布される。そして、第１リード１００を、２つの連結部１３を通るｙ方向に延びる軸を中心として図１７における反時計回りにおよそ１８０°回転させる。これにより、２つの連結部１３は、１８０°捻られる。また、先端面１１０がｚ方向上方を向く姿勢から、半導体素子４００の上面電極４１０と対向する姿勢となる。
なお、第１リード１００を１８０°回転させると、第１リード１００の先端面１１０、起立部１２０および横行部１３０は、図１７において半導体素子４００の近傍に想像線で示した位置に現れる。しかし、先端面１１０が上面電極４１０に当接することにより、第１リードのうち横行部１３０もしくはその近傍が若干撓むこととなる。これにより、起立部１２０がｚ方向に対して傾き、先端面１１０および横行部１３０がｘ方向に対して傾く。また、この際、先端面１１０のうち上面電極４１０に対して積極的に当接させられる部位は、図３に示した通りダレ１９２が形成された部位である。この後に、たとえばはんだペースト５１０’，５２０’を加熱によって硬化させる。これにより、はんだ５１０，５２０が形成され、第１リード１００の先端面１１０と上面電極４１０との接合、および第２リード２００のダイパッド部２１０と下面電極４２０との接合が完了する。
次いで、図１８に示すように、封止樹脂６００を形成する。封止樹脂６００は、たとえば、第１リード１００および第２リード２００の一部ずつを収容するキャビティーを有する金型を用いて成型する。このキャビティーには、４つの保持部１２が収容される。このキャビティーにエポキシ樹脂などの樹脂材料を充填し、これを硬化させることにより、封止樹脂６００が得られる。
次いで、図１８の２つの切断線ＣＬに囲まれた領域を打ち抜き加工によって除去する。各切断線ＣＬは、連結部１３を含んでおり、また第１リード１００の一部およびフレーム１１の一部を含んでいる。本実施形態においては、切断線ＣＬに囲まれた領域は、ｘ方向寸法が２．３ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．６ｍｍ程度である。この打ち抜きにより、２つの連結部１３が除去され、第１リード１００の迂回部１６０となるべき部位および端子部１７０となるべき部位がより明瞭となる。
切断線ＣＬに囲まれた領域の打ち抜きは、上述した打ち抜き加工と同様にダイとパンチとを用いて行う。この場合、上記パンチのｚ方向視形状が切断線ＣＬに囲まれた領域の形状とされる。一方のダイは、このようなパンチが進入可能な開口を有する形状とされる。このダイがリードフレーム１０のｚ方向下方に配置され、上記パンチがｚ方向上方からｚ方向下方へと押し下げられる。この結果、第１リード１００のうち打ち抜き加工によって形成された端縁には、あらたなバリ１９１およびダレ１９２が形成されうる。すなわち、図２０に示すように、第１リード１００の端子部１７０となるべき部位のｙ方向端縁においては、ｚ方向下方側にバリ１９１が存在し、ｚ方向上方側にダレ１９２が存在する。一方、図１９に示すように、たとえば第１リード１００の端子部１７０となるべき部位のｘ方向端縁においては、ｚ方向上方側にバリ１９１が存在し、ｚ方向下方側にダレ１９２が存在する。これは、図８〜図１０を参照して説明したバリ１９１およびダレ１９２を有しうる第１リード１００が、図１７を参照して説明した回転工程により、上下が反転した姿勢とされたからである。このように、第１リード１００は、バリ１９１とダレ１９２とが存在しうる位置がその厚さ方向において互いに逆となる部位を有するものとなっている。
次いで、図１８に示すように、第２リード２００とフレーム１１とが連結された部位を除去する。この除去は、図１８の切断線ＣＬに囲まれた領域を除去するための打ち抜き加工と同時に行なってもよい。この結果、第１リード１００および第２リード２００がフレーム１１から離間した構成となる。ただし、封止樹脂６００は、フレーム１１から延びる４つの保持部１２を覆っている。このため、封止樹脂６００は、フレーム１１に保持された状態が保たれている。また、封止樹脂６００を介して第１リード１００および第２リード２００も、フレーム１１によって保持された状態が保たれている。そして、図２１に示すように、第１リード１００および第２リード２００のうち封止樹脂６００から突出した部位に対して２箇所ずつの折り曲げ加工を施す。これにより、迂回部１６０，２６０と端子部１７０，２７０とが形成される。なお、この際、溝１８２，２８２が、折り曲げの良好な起点となる。なお、図８および図１３において、溝１８２はｚ方向上方に開口していたが、上述した回転工程を経た後は、溝２８２と同様にｚ方向下方に開口している。この後は、フレーム１１から４つの保持部１２を離間させるたとえば打ち抜き加工もしくは切断加工を経ることにより、図１に示した半導体装置１０１が得られる。
図２２は、上述した製造工程を経て形成された第１リード１００の単体を示す斜視図である。同図において、ハーフトーンが施された帯状部分は、破断面が形成されうる部分をしている。この破断面は、上述した製造工程での打ち抜き加工において、せん断過程に続いて第１リード１００や第２リード２００が引きちぎられるように切り離された部分の痕跡である。上記破断面は、第１リード１００や第２リード２００の各部位において、厚さ方向の一方側に現れる。打ち抜き加工の原理から、この破断面が存在する側に上述したバリ１９１が生じうる。本図における複数の微小な矢印は、バリ１９１が生じうる部分を示している。上述した通り、第１リード１００は、反転させられる回転工程を挟んで、２度の打ち抜き加工が施される。このため、上記破断面およびバリ１９１が存在する部分が厚さ方向において互いに反対側となる２種類の部分が混在している。２度目の打ち抜きによって生じた端縁である、迂回部１６０および端子部１７０のｙ方向端縁は、上記破断面およびバリ１９１が生じうる側がそれ以外の部分とは反対となっている。
次に、半導体装置１０１およびその製造方法の作用について説明する。
本実施形態によれば、図１、図２および図５に示すように、第１リード１００は、先端面１１０のみが上面電極４１０と対向する姿勢で、はんだ５１０によって接合されている。このため、半導体装置１０１の製造工程において、上面電極４１０と第１リード１００との間において、軟化したはんだが広い領域に及んでしまうことを防止することができる。これにより、第１リード１００がずれてしまったり、はんだ５１０が上面電極４１０を超えて半導体素子４００の側面に及んでしまうことを回避することができる。また、上面電極４１０から離間するように起立した起立部１２０を備えることにより、軟化したはんだが起立部１２０を伝って上昇することが期待できる。これにより、はんだ５１０を起立部１２０の近傍に留まらせることができる。したがって、半導体素子４００の上面電極４１０と第１リード１００とをより確実に接合することが可能である。
また、先端面１１０が、半導体素子４００の上面電極４１０よりも小であることにより、はんだ５１０をより狭い領域に留まらせることができる。ｚ方向視において、先端面１１０が半導体素子４００の上面電極４１０の中心に重なっていることは、はんだ５１０が上面電極４１０を超えて周囲に及んでしまうことを回避するのに適している。ｚ方向視において、はんだ５１０が、上面電極４１０に内包されていることにより、はんだ５１０と半導体素子４００の側面との意図しない導通を排除することができる。ｚ方向視において、半導体素子４００の外形と上面電極４１０とが相似形であることにより、上面電極４１０を比較的大きくしつつ、上面電極４１０の外縁と半導体素子４００の外縁との距離をばらつきなく小さくすることができる。先端面１１０が、正方形であることは、一般的な半導体素子４００の上面電極４１０と相似形とするのに都合がよい。
第１リード１００が、横行部１３０を有することにより、第１リード１００を外部と導通させるための封止樹脂６００からの突出部分を、半導体素子４００からｘ方向に離間した位置に設けることができる。これは、半導体装置１０１の高さを低減するのに適している。また、図２における距離Ｈ１が、距離Ｈ２よりも大であることにより、はんだ５１０の起立部１２０に対する這い上がり高さをより高くすることができる。これは、はんだ５１０をより小さい領域に留まらせるのに適している。また、これに加えて、封止樹脂６００の高さを低くすることに寄与し、半導体装置１０１の高さを低減するのに適している。
段差部１４０を備えることにより、半導体素子４００のｚ方向上方を横断してきた横行部１３０から、ｚ方向下方の半導体素子４００に近い高さに第１リード１００の一部を位置させることができる。そして、この段差部１４０に繋がる延伸部１５０が、ｘ方向右方に延びて封止樹脂６００から突出することにより、第１リード１００を半導体素子４００に近い高さに置くことができる。これは、封止樹脂６００の高さを低減しつつ、第１リード１００が封止樹脂６００から突出する位置を偏らせないことができるという利点がある。
迂回部１６０および端子部１７０を有することにより、半導体装置１０１をいわゆる面実装タイプとして構成することができる。
延伸部１５０と迂回部１６０とが繋がる部分である折り曲げ部分に、溝１８２を設けることにより、第１リード１００を封止樹脂６００から確実に離間した位置において折り曲げることができる。溝１８２を封止樹脂６００から離間させる一方、溝１８２と封止樹脂６００との距離を適切に近づけることにより、半導体装置１０１の小型化を図ることができる。また、溝１８２が、ｙ方向において上記折り曲げ部分よりも短く、第１リード１００のｙ方向両端に到達していないことにより、上記折り曲げ部分が不当に弱い部分となってしまうことを防止することができる。
横行部１３０が、等幅部１３１を有することにより、横行部１３０と起立部１２０との間の折り曲げ部分を正確に折り曲げ加工することができる。また、横行部１３０が、広幅部１３２を有することにより、横行部１３０の適切な高剛性化と低抵抗化とを図ることができる。
起立部１２０が、ｚ方向に対して傾いており、先端面１１０のうち起立部１２０が傾く側とは反対側の部分（図３における図中左方側部分）に、バリ１９１が形成されている。これにより、バリ１９１を半導体素子４００の上面電極４１０から離間させることができる。したがって、上面電極４１０がバリ１９１によって損傷を受けたり、バリ１９１のみが上面電極４１０と接し、先端面１１０が上面電極４１０から離間してしまうことを防止することができる。また、バリ１９１が形成される側とは反対側には、ダレ１９２が形成されやすい。この部分がバリ１９１よりも上面電極４１０に近い位置関係となることにより、先端面１１０を上面電極４１０により沿わせることができる。
半導体素子４００に対して第１リード１００の先端面１１０とは反対側から接合されたダイパッド部２１０を有することにより、半導体素子４００をより確実に保持することができる。延伸部２３０を有することにより、第２リード２００を外部と導通させるための封止樹脂６００からの突出部分を、半導体素子４００からｘ方向に離間した位置に設けることができる。これは、半導体装置１０１の高さを低減するのに適している。迂回部２６０および端子部２７０を有することにより、半導体装置１０１をいわゆる面実装タイプとして構成することができる。
延伸部２３０と迂回部２６０とが繋がる部分である折り曲げ部分に、溝２８２を設けることにより、第２リード２００を封止樹脂６００から確実に離間した位置において折り曲げることができる。溝２８２を封止樹脂６００から離間させる一方、溝２８２と封止樹脂６００との距離を適切に近づけることにより、半導体装置１０１の小型化を図ることができる。また、溝２８２が、ｙ方向において上記折り曲げ部分よりも短く、第２リード２００のｙ方向両端に到達していないことにより、上記折り曲げ部分が不当に弱い部分となってしまうことを防止することができる。
半導体装置１０１の製造工程においては、上面電極４１０に対して先端面１１０が対向するように第１リード１００を配置する工程と、上面電極４１０と先端面１１０とを接合する工程と、を備える。これにより、第１リード１００のうちたとえばダイパッド部２１０に類似した比較的大きな面積の部位を上面電極４１０に対向させる必要がない。これは、半導体素子４００のずれやはんだ５１０の広がりを抑えるのに適している。
第１リード１００を配置する工程においては、先端面１１０がｚ方向上方を向く姿勢から先端面１１０が上面電極４１０と対向する姿勢へと第１リード１００を回転させる。これにより、半導体素子４００から離れた位置から第１リード１００をたとえばスライドさせるなどの作業を経て第１リード１００を配置する必要がない。したがって、第１リード１００をより容易かつ確実に配置することができる。また、第１リード１００を配置する工程においては、連結部１３を捻ることにより第１リード１００を回転させるとともに、第１リード１００を配置する工程の後に、連結部１３を除去する。これにより、上記第１リード１００を連結部１３を中心に安定して回転させることが可能であり、第１リード１００の先端面１１０を上面電極４１０に対向する位置へと正確に導くことができる。連結部１３を除去することにより、半導体装置１０１に不当に突出した部位が形成されてしまうことを回避することができる。
図２３は、本発明の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。同図に示された半導体装置１０２は、第３リード３００を有する。
本実施形態においては、第１リード１００は、先端面１１０、起立部１２０、横行部１３０、段差部１４０および延伸部１５０を有するものの、上述した迂回部１６０および端子部１７０は有していない。また、延伸部１５０が封止樹脂６００から突出しない点が、上述した実施形態と異なる。第１リード１００の先端面１１０、起立部１２０、横行部１３０、段差部１４０は、たとえば上述した実施形態と同様の構成である。
第３リード３００は、第１リード１００と導通しており、第１リード１００と直列の関係で半導体素子４００への導通経路を構成している。第３リード３００は、延伸部３５０、迂回部３６０および端子部３７０を有する。第３リード３００は、たとえば第１リード１００および第２リード２００と同様にＣｕなどの金属板からなり、その厚さがたとえば０．２ｍｍ程度である。延伸部３５０は、ｘ方向に対して平行であり、第１リード１００の延伸部１５０に対してたとえばはんだ５３０によって接合されている。迂回部３６０および端子部３７０は、上述した実施形態における迂回部１６０および端子部１７０と同様の構成である。また、第３リード３００は、第１リード１００と同様に、開口３８１および溝３８２を有する。
半導体装置１０２を形成する際には、第２リード２００への半導体素子４００の搭載を終えた後に、あらかじめ折り曲げ加工などによって形成した第１リード１００を、半導体素子４００の上面電極４１０と第３リード３００の延伸部３５０とに跨るように配置する。そして、たとえばはんだペーストを硬化させることにより、接合が完了する。
このような実施形態によっても、半導体素子４００の上面電極４１０と第１リード１００とをより確実に接合することが可能である。
本発明に係る半導体装置およびその製造方法は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る半導体装置およびその製造方法の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
本発明で言う先端面と電極とは、確実に接触していることが好ましいが、導電性接合材による接合および導通が確実であれば、両者は離れていてもよい。先端面の形状は、正方形などの矩形状であることが、金属板から第１リードを形成する構成において便利であるが、先端面の形状はこれに限定されず、たとえば円形など電極の形状などに応じて適宜設定すればよい。第１リードは、複数の先端面および起立部を有する構成であってもよい。１つの電極に対して複数の先端面が対向する構成でもよい。あるいは、半導体素子が同じ側を向く複数の電極を有し、それぞれに先端面が個別に対向する構成であってもよい。さらに、１つの半導体素子に対して複数の第１リードが接合されている構成であってもよい。本発明で言う半導体素子は、ダイオードに限定されず、たとえばトランジスタやＬＥＤなど、種々の構成が採用できる。
１０１，１０２ 半導体装置
１０ リードフレーム
１１ フレーム
１２ 保持部
１３ 連結部
１００ 第１リード
１１０ 先端面
１２０ 起立部
１３０ 横行部
１３１ 等幅部
１３２ 広幅部
１４０ 段差部
１５０ 延伸部
１６０ 迂回部
１７０ 端子部
１８１ 開口
１８２ 溝
１９１ バリ
１９２ ダレ
２００ 第２リード
２１０ ダイパッド部
２３０ 延伸部
２６０ 迂回部
２７０ 端子部
２８１ 開口
２８２，２８３ 溝
２９１ バリ
２９２ ダレ
３００ 第３リード
３５０ 延伸部
３６０ 迂回部
３７０ 端子部
３８１ 開口
３８２ 溝
４００ 半導体素子
４１０ 上面電極
４２０ 下面電極
４３０ 絶縁層
５１０，５２０，５３０ はんだ（導電性接合材）
６００ 封止樹脂

Claims (30)

  1. 第１方向を向く電極を有する半導体素子と、
    上記電極に対向しかつ導通する先端面、およびこの先端面に繋がり上記電極から離間するように起立した起立部を有する第１リードと、
    上記半導体素子の上記電極と上記第１リードの上記先端面とを接合する導電性接合材と、
    上記半導体素子、上記第１リードの少なくとも一部、および上記導電性接合材を覆う封止樹脂と、
    を備えることを特徴とする、半導体装置。
  2. 上記第１方向視において、上記先端面は上記半導体素子の上記電極よりも小である、請求項１に記載の半導体装置。
  3. 上記第１方向視において、上記先端面は上記半導体素子の上記電極の中心に重なっている、請求項２に記載の半導体装置。
  4. 上記第１方向視において、上記導電性接合材は、上記電極に内包されている、請求項２または３に記載の半導体装置。
  5. 上記第１方向視において、上記半導体素子の外形と上記電極とは相似形である、請求項２ないし４のいずれかに記載の半導体装置。
  6. 上記先端面は、正方形である、請求項２ないし５のいずれかに記載の半導体装置。
  7. 上記第１リードは、上記起立部に繋がり、かつ上記第１方向視において上記起立部から離間する方向に延びる横行部を有する、請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
  8. 上記第１方向における上記横行部と上記半導体素子の上記電極との距離は、上記第１方向における上記横行部と上記封止樹脂の外面との距離よりも大である、請求項７に記載の半導体装置。
  9. 上記第１リードは、一端が上記横行部に対して上記起立部とは反対側に繋がり、かつ他端が上記一端よりも上記第１方向において上記半導体素子側に位置する段差部を有する、請求項７または８に記載の半導体装置。
  10. 上記第１リードは、上記段差部に繋がり、かつ上記第１方向視において上記段差部から離間する方向に延びるとともに、その一部が上記封止樹脂から突出する延伸部を有する、請求項９に記載の半導体装置。
  11. 上記第１リードは、一端が上記延伸部に対して上記段差部とは反対側に繋がり、かつ他端が上記一端よりも上記第１方向において上記段差部から離間した位置にある迂回部を有する、請求項１０に記載の半導体装置。
  12. 上記第１リードは、上記延伸部と上記迂回部とが繋がる部分である折り曲げ部分に、その折り曲げ方向に延びるとともに、折り曲げ内側に位置する溝を有する、請求項１１に記載の半導体装置。
  13. 上記溝は、上記折り曲げ方向において上記折り曲げ部分よりも短い、請求項１２に記載の半導体装置。
  14. 上記第１リードは、上記迂回部に繋がる端子部を有する、請求項１１ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
  15. 上記横行部は、上記起立部に繋がる側の部分の幅が上記起立部の幅と同じである等幅部を有する、請求項７ないし１４のいずれかに記載の半導体装置。
  16. 上記横行部は、上記等幅部に対して上記起立部と反対側に繋がり、上記等幅部よりも幅が広い広幅部を有する、請求項１５に記載の半導体装置。
  17. 上記横行部は、上記起立部に繋がる側の部分の幅が上記起立部の幅と同じである等幅部とこの等幅部に対して上記起立部と反対側に繋がり、上記等幅部よりも幅が広い広幅部とを有し、
    上記延伸部は、上記広幅部よりも幅が広い、請求項１０ないし１４のいずれかに記載の半導体装置。
  18. 上記起立部は、上記第１方向に対して傾いており、
    上記先端面のうち上記起立部が傾く側とは反対側の部分に、バリが形成されている、請求項１ないし１７のいずれかに記載の半導体装置。
  19. 上記半導体素子に対して上記第１リードの上記先端面とは反対側から接合されたダイパッド部を有する第２リードをさらに備える、請求項１ないし１８のいずれかに記載の半導体装置。
  20. 上記ダイパッド部に繋がり、第１方向視において上記封止樹脂の外部へと延びる延伸部を有する、請求項１９に記載の半導体装置。
  21. 上記第２リードの上記延伸部は、上記ダイパッド部に繋がる部分が上記封止樹脂から突出する部分よりも上記第１方向において上記第１リードの上記先端面に対して離間した位置にある、請求項２０に記載の半導体装置。
  22. 上記延伸部は、上記ダイパッド部よりも幅が狭い、請求項２０または２１に記載の半導体装置。
  23. 上記第２リードは、一端が上記延伸部に対して上記ダイパッド部とは反対側に繋がり、かつ他端が上記一端よりも上記第１方向において上記延伸部から離間した位置にある迂回部を有する、請求項２０ないし２２のいずれかに記載の半導体装置。
  24. 上記第２リードは、上記延伸部と上記迂回部とが繋がる部分である折り曲げ部分に、その折り曲げ方向に延びるとともに、折り曲げ内側に位置する溝を有する、請求項２３に記載の半導体装置。
  25. 上記溝は、上記折り曲げ方向において上記折り曲げ部分よりも短い、請求項２４に記載の半導体装置。
  26. 上記第２リードは、上記迂回部に繋がる端子部を有する、請求項２３ないし２５のいずれかに記載の半導体装置。
  27. 第１方向を向く電極を有する半導体素子および先端面を有する第１リードを用意し、
    上記電極に対して上記先端面が対向するように上記第１リードを配置する工程と、
    上記電極と上記先端面とを接合する工程と、
    を備えることを特徴とする、半導体装置の製造方法。
  28. 上記第１リードを配置する工程においては、上記先端面が上記第１方向において上記電極と同じ側を向く姿勢から上記先端面が上記電極と対向する姿勢へと上記第１リードを回転させる、請求項２７に記載の半導体装置の製造方法。
  29. 上記第１リードを配置する工程においては、上記第１リードに繋がり、かつ上記回転の軸方向に延びる連結部を捻ることにより上記第１リードを回転させ、
    上記第１リードを配置する工程の後に、上記連結部を除去する工程を備える、請求項２８に記載の半導体装置の製造方法。
  30. 上記連結部を除去する工程は、打ち抜きによって行う、請求項２９に記載の半導体装置の製造方法。
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