JP2014187288A - 静電保護回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】トランジスタ動作方の静電保護回路における電源投入時の誤動作を防止すること。
【解決手段】一実施形態によれば、内部回路と、前記内部回路10に電源電圧を供給する第1および第2の入力端子と、前記入力端子間に第1及び第2電極が接続され、第3電極が抵抗を介して前記第2電極に接続された第1のトランジスタと、この第1のトランジスタに並列に接続されたローパスフィルタと、このローパスフィルタの出力信号が入力される第3電極、前記第1のトランジスタの第3電極及び第2電極間に接続された第1電極及び第2電極を有する第2のトランジスタと、を備える静電保護回路が提供される。
【選択図】図1
【解決手段】一実施形態によれば、内部回路と、前記内部回路10に電源電圧を供給する第1および第2の入力端子と、前記入力端子間に第1及び第2電極が接続され、第3電極が抵抗を介して前記第2電極に接続された第1のトランジスタと、この第1のトランジスタに並列に接続されたローパスフィルタと、このローパスフィルタの出力信号が入力される第3電極、前記第1のトランジスタの第3電極及び第2電極間に接続された第1電極及び第2電極を有する第2のトランジスタと、を備える静電保護回路が提供される。
【選択図】図1
Description
一実施形態は静電保護回路に関する。
車載用の電子制御ユニットに搭載される半導体装置はワンチップ化が進められている。例えばディジタルIC、アナログIC、マイクロプロセッサ、メモリ、電源IC及びパワーデバイスなどを統合した回路はLSIチップに集積化される。半導体集積回路の入力インターフェース回路には厳しいサージ耐量が求められている。サージとは電圧又は電流の急峻な変化であり、例えば、帯電している人体や組立て用機械から加えられる静電気放電(以下、ESD[electro−static dischargeと呼ぶ])がある。
LSIチップのような集積回路にはサージ耐量を確保するため、保護回路が接続されている。この保護回路は入力端子からLSIチップのような内部回路に加えられるサージを吸収し保護する。従来の保護回路のうち、ゲート電極とソース電極とを短絡しダイオード接続によりMOSトランジスタのブレークダウンを利用したESD保護回路が知られている(例えば特許文献1参照)。このESD保護回路ではブレークダウン電流が小さいため、MOSトランジスタのサイズを大型化する必要があり、ICの周囲にMOSトランジスタを設けるため、チップサイズ全体が大型化する。
これに対して、MOSトランジスタのゲート電極を、抵抗を介してソース電位に接続し、ESDに対してMOSトランジスタをトランジスタ動作させることによってチップサイズの小型化を図る保護回路も知られている(例えば特許文献2参照)。
しかしながら、トランジスタ動作による保護回路は、電源投入時の電圧の急峻な立上りに対しても保護回路として動作し、保護用のMOSトランジスタにラッシュ電流が流れ、保護対象である内部回路の誤動作やトランジスタの破壊の原因となっていた。
このような課題を解決するため、一実施形態によれば、内部回路と、前記内部回路に電源電圧を供給する第1および第2の入力端子と、前記入力端子間に第1及び第2電極が接続され、第3電極が抵抗を介して前記第2電極に接続された第1のトランジスタと、この第1のトランジスタに並列に接続されたローパスフィルタと、このローパスフィルタの出力信号が入力される第3電極、前記第1のトランジスタの第3電極及び第2電極間に接続された第1電極及び第2電極を有する第2のトランジスタと、を備えたことを特徴とする静電保護回路が提供される。
ここで、「トランジスタ」とは、MOSトランジスタ及びバイポーラトランジスタを含み、第1電極とはMOSトランジスタのドレイン電極又はバイポーラトランジスタのコレクタ電極を、第2電極とはMOSトランジスタのソース電極又はバイポーラトランジスタのエミッタ電極を、さらに、第3電極とはMOSトランジスタのゲート電極又はバイポーラトランジスタのベース電極を含むものとする。
以下、実施の形態に係る静電保護回路について、図1乃至図7を参照しながら説明する。尚、各図において同一箇所については同一の符号を付すとともに、重複した説明は省略する。
(第1の実施形態)
図1は第1の実施形態に係る静電保護回路の回路図である。本実施形態に係る静電保護回路は、MOSトランジスタスイッチを用いた保護回路であり、保護対象の内部回路10と、この内部回路10へ電源電圧を供給する入力端子11、12と、第1および第2のMOSトランジスタ13、14と、ローパスフィルタ15とを備えている。
図1は第1の実施形態に係る静電保護回路の回路図である。本実施形態に係る静電保護回路は、MOSトランジスタスイッチを用いた保護回路であり、保護対象の内部回路10と、この内部回路10へ電源電圧を供給する入力端子11、12と、第1および第2のMOSトランジスタ13、14と、ローパスフィルタ15とを備えている。
第1のMOSトランジスタは、入力端子11、12間にそれぞれドレイン電極及びソース電極が接続され、ゲート電極が抵抗17を介してソース電極に接続されている。第2のMOSトランジスタは、ゲート電極にローパスフィルタ15からの出力信号が入力され、ドレイン電極が第1のMOSトランジスタ13のゲート電極にソース電極が第1のMOSトランジスタ13のソース電極に接続されている、ローパスフィルタ15は、第1のMOSトランジスタ13に並列に入力端子11、12間に接続されている。
内部回路10は例えば、各種の機能回路が組み込まれたLSIチップであり、入力端子11、12間に接続される電源により動作する回路である。
第1の入力端子11及び第2の入力端子12は例えば車載バッテリから正の電源電位及び接地電位にそれぞれ接続されている。また、入力端子11、12には、帯電した人体又は車両組立て用機器の接触によってパルス状のESDサージが加わる。
第1のMOSトランジスタ13はトランジスタ動作により内部回路10をESDサージの印加から保護する。第1のMOSトランジスタ13はNMOSトランジスタであり、ドレイン、ゲート電極間に寄生容量を有する。
第1のMOSトランジスタ13のゲート電極と接地電位間には過電圧保護用のツェナーダイオード16および抵抗17が並列に接続されている。抵抗17は第1のMOSトランジスタ13のゲート電極に電圧バイアスを与えるための抵抗素子であり、抵抗値R1を有する。
ローパスフィルタ15は抵抗23及びコンデンサ24の直列接続によるローパスフィルタであり、入力端子11、12間の端子電圧を、抵抗値R2及び容量C1の積で決まるフィルタ時定数により平滑出力する。
第2のMOSトランジスタ14はNMOSトランジスタである。第2のMOSトランジスタ14のゲート電極はローパスフィルタ15の抵抗器及びコンデンサの接続点に接続されている。第2のMOSトランジスタ14のゲート電極と接地電位間には過電圧保護用のツェナーダイオード18が接続されている。
次に、図1の静電保護回路の動作を図2乃至図4を用いて説明する。
静電保護回路に電源電圧が印加されていない状態においては、第2のMOSトランジスタ14は図2(a)に示すようにオフ状態である。この状態において入力端子11、12間に図3(a)に示すような波形のESD電圧が印加されると、第1のMOSトランジスタ13のゲート寄生容量及び抵抗17から成るCR時定数回路に電流が流れ、ゲート電圧が上昇する。この結果、第1のMOSトランジスタ13はオン状態になり、図2(a)に示すように第1のMOSトランジスタ13にサージ電流が流れる。従って、内部回路にはラッシュ電流は流れず、ESD電圧から有効に保護される。
ESD電圧は、ローパスフィルタ15にも印加されるが、ESD電圧は高周波成分により構成されているため、ローパスフィルタ15はこれを出力しない。このため、第2のMOSトランジスタ14はオフ状態のままである。
次に、入力端子11、12間に電源電圧が印加された場合について説明する。通常時、入力端子11、12間にESDの立上り速さよりも遅い波形の電圧が印加される。この場合、電源電圧は、接地電位から急峻な傾斜角度を持って立上がる(図4(a))。この電源電圧の立上がり時の変化割合は急峻ではあるが、ESD電圧の変化に比較しては小さく、ESD電圧の周波数成分よりも低周波成分により構成されている。電源電圧は、ローパスフィルタ15を通過して第2のMOSトランジスタ14のゲート電極に供給される。この結果、第2のMOSトランジスタ14は、オン状態となる。第2のMOSトランジスタ14がオン状態であると、第1のMOSトランジスタ13のゲート電極が接地電位になり、第1のMOSトランジスタ13はオフ状態となる。
電源電圧の立上がり時においては、第1のMOSトランジスタ13は電源電圧の立上がり時の変化に対してもESD電圧と同様に、瞬間的に応答してオン状態となる。しかし、第2のMOSトランジスタ14がオン状態となることにより、強制的に第1のMOSトランジスタ13はオフ状態になる。このため、第1のMOSトランジスタ13のドレイン、ソース電極間には図4に示すように、わずかなラッシュ電流が流れるのみであり、内部回路10に対する保護回路としては動作しない。
このように、本実施形態に係る静電保護回路によれば、ESDパルスと、このESDパルスとは異なる電源電圧の立上りとを峻別することができる。従って、電源電圧の急峻な立上りに対して誤動作することなく内部回路10を保護することができる。
ESD破壊は主にLSIの製造工程で発生する。静電保護回路に何も繋がっていないときは図2(a)のように動作することでESD耐量が確保される。一方、LSIがユニットにアセンブリされた後のESD印加に対しては、そのESDの電荷が分散される。LSI単体に比べてアセンブリ後のESD耐量は向上するため、電圧が印加されれば図2(a)から図2(b)のように切替えることで、ESD耐量を確保しつつ誤動作を防ぐことができる。
(第2の実施形態)
第1実施形態のMOSトランジスタはNMOSトランジスタにより構成したが、PMOSトランジスタで構成してもよい。
第1実施形態のMOSトランジスタはNMOSトランジスタにより構成したが、PMOSトランジスタで構成してもよい。
図5は第2の実施形態に係る静電保護回路の回路図である。この静電保護回路においては、第1のMOSトランジスタ19及び第2のMOSトランジスタ20はPMOSトランジスタである。入力端子11が正側となる電源電圧が供給され、入力端子12は負側となる。入力端子11、12間には、第1のMOSトランジスタ19のドレイン電極及びソース電極が接続されている。又、入力端子11と第1のMOSトランジスタ19のゲート電極との間には、第2のMOSトランジスタ20のドレイン電極及びソース電極および抵抗17が並列に接続されている。抵抗17は、第1のMOSトランジスタ19のゲート電極に電圧バイアスを与える。
また、入力端子11、12間には、抵抗23とコンデンサ24の直列接続回路からなるローパスフィルタ15が接続されている。このローパスフィルタ15の抵抗23とコンデンサ24との接続点は第2のMOSトランジスタ20のゲート電極に接続されている。抵抗23とコンデンサ24との接続点はローパスフィルタ15の出力端子となる。
第1のMOSトランジスタ19のゲート電極と入力端子11間には過電圧保護用のツェナーダイオード16が接続されている。又、第2のMOSトランジスタ20のゲート電極と入力端子11間には過電圧保護用のツェナーダイオード18が接続されている。
このように構成された第2の実施形態に係る静電保護回路の動作は、第1の実施形態に係る静電保護回路の動作と同じであるため、その説明は省略する。
(変形例)
第1のMOSトランジスタ13、19に二重拡散型のDMOSFET(double diffused metal oxide semiconductor field effect transistor)構造を用いてもよい。第1のMOSトランジスタ13は例えばN型シリコン基板上にP型ウェルを形成し、このP型ウェル内にN型のソース電極領域及びドレイン領域を形成し、P型ウェル上に絶縁膜を介してゲート電極を形成して製造される。DMOSトランジスタでも上記例と動作は同様である。
第1のMOSトランジスタ13、19に二重拡散型のDMOSFET(double diffused metal oxide semiconductor field effect transistor)構造を用いてもよい。第1のMOSトランジスタ13は例えばN型シリコン基板上にP型ウェルを形成し、このP型ウェル内にN型のソース電極領域及びドレイン領域を形成し、P型ウェル上に絶縁膜を介してゲート電極を形成して製造される。DMOSトランジスタでも上記例と動作は同様である。
(第3の実施形態)
第3の実施形態の静電保護回路では、バイポーラトランジスタを用いる。
第3の実施形態の静電保護回路では、バイポーラトランジスタを用いる。
図6は第3の実施形態に係る静電保護回路の回路図である。第1及び第2のバイポーラトトランジスタ21、22はNPNバイポーラトランジスタである。入力端子11は正側となる電源電圧が供給され、入力端子12は負側となる。入力端子11、12間には、第1のバイポーラトトランジスタ21のエミッタ電極及びコレクタ電極が接続されている。第1のバイポーラトトランジスタ21のベース電極は抵抗17を介してエミッタ電位に接続され、ESDに対してこの第1のバイポーラトランジスタ21をトランジスタ動作させる。
又、入力端子12と第1のバイポーラトトランジスタ21のベース電極との間には、第2のバイポーラトトランジスタ22のエミッタ電極及びコレクタ電極が接続されている。入力端子11、12間には、抵抗23とコンデンサ24の直列接続回路からなるローパスフィルタ15が接続されている。こ抵抗23とコンデンサ24との接続点は第2のバイポーラトトランジスタ22のベース電極に接続されている。抵抗23とコンデンサ24との接続点はローパスフィルタ15の出力端子となる。
このように構成された第3の実施形態に係る静電保護回路の動作は、第1の実施形態に係る静電保護回路の動作と同じであるため、その説明は省略する。なお、バイポーラトランジスタとして、NPNトランジスタの代わりにPNPトランジスタを用いてもよい。また、バイポーラトトランジスタ21による静電保護回路では、抵抗17は必ずしも必須ではない。
(第4の実施形態)
第1の実施形態の変形例について説明する。図7は第4の実施形態に係る静電保護回路の回路図である。既述の符号はそれらと同じ要素を表す。
第1の実施形態の変形例について説明する。図7は第4の実施形態に係る静電保護回路の回路図である。既述の符号はそれらと同じ要素を表す。
本実施形態に係る静電保護回路のローパスフィルタ15は、第2の入力端子12および第3の入力端子(電源端子)25間に接続されている。それ以外の重複説明は省略する。第3の入力端子には図示しない電源が供給される。
第3の入力端子25に電圧が掛かっていれば第2のMOSトランジスタ14は常にVdssモード(図2(a)のオフ状態に相当)になるため、入力端子11、12間の電圧がどんなに急峻に変化しても第1のMOSトランジスタ13がトランジスタ動作せず誤動作が起きない。また、ESD印加時はVdsrモードで第1のMOSトランジスタ13にサージ電流が流れるので、内部回路10が保護される。
あるいは、図7の第3の入力端子25に電圧源を接続してもよい。緩やかな電圧変化を持つ波形を持つ電圧源に入力端子25に接続することによって、同様に誤動作が起きない。
本実施形態に係る静電保護回路によれば、第1の実施形態と同様な保護が可能になる。
ESD破壊は主にLSIの製造工程で発生する。静電保護回路に何も繋がっていないときはVdsr動作することでESD耐量が確保される。一方、LSIがユニットにアセンブリされた後のESD印加に対しては、そのESDの電荷が分散される。LSI単体に比べてアセンブル後のESD耐量は向上するため、電源が入っていれば誤動作防止を主眼にVdss動作させる。
以上本発明について種々の実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。
ローパスフィルタ15の構成は最も簡単な例では抵抗17とコンデンサとの直列接続であるが、オペアンプあるいはトランジスタ回路による能動型のローパスフィルタでもよい。ローパスフィルタ15の受動素子の組合わせあるいは直並列の接続方法などは種々変更可能である。
第1のトランジスタ、第2のトランジスタのゲート電極に接続されるツェナーダイオード16、18はゲート電極保護用であるが、これらのツェナーダイオード16、18は必ずしも必須ではない。
以上の各実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
10…内部回路、11,12…入力端子、13,19…第1のMOSトランジスタ、14,20…第2のMOSトランジスタ、15…ローパスフィルタ、16,18…ツェナーダイオード、21…第1のバイポーラトランジスタ、22…第2のバイポーラトランジスタ、17、23…抵抗、24…コンデンサ、25…第3の入力端子(電源端子)。
Claims (3)
- 内部回路と、
前記内部回路に電源電圧を供給する第1および第2の入力端子と、
前記入力端子間に第1及び第2電極が接続され、第3電極が抵抗を介して前記第2電極に接続された第1のトランジスタと、
この第1のトランジスタに並列に接続されたローパスフィルタと、
このローパスフィルタの出力信号が入力される第3電極、前記第1のトランジスタの第3電極及び第2電極間に接続された第1電極及び第2電極を有する第2のトランジスタと、
を備えたことを特徴とする静電保護回路。 - 前記ローパスフィルタは、前記電源電圧の立上り時における高い周波数成分を通過させることを特徴とする請求項1に記載の静電保護回路。
- 前記ローパスフィルタは前記入力端子間に接続された抵抗とコンデンサの直列接続回路からなる請求項2に記載の静電保護回路。
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