JP2014186868A - 転写装置、転写方法、及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】デバイス基板とドナー基板との重ね合わせから光照射による転写材料の転写までの工程を真空中において一貫して行うことができる転写装置等を提供する。
【解決手段】デバイス基板１０及びドナー基板２０が配置される真空チャンバ３０と、真空チャンバ３０内において少なくともドナー基板２０を保持する基板保持機構５０であって、転写材料が転写される面であるデバイス基板１０の被転写面と、転写層が設けられた面であるドナー基板２０の転写面とを対向させ、デバイス基板１０及びドナー基板２０を重ね合わせた状態で保持する基板保持機構５０と、基板保持機構５０に向けて光を出射する開口３０７と備え、基板保持機構５０に、開口３０７から出射した光を透過させる光透過部であって、ドナー基板２０に対して移動可能な少なくとも１つの光透過部が設けられている。
【選択図】図１

Description

本発明は、有機ＥＬ素子、有機ＴＦＴ素子、光電変換素子、各種センサー等の有機機能素子が備える機能層のパターンを転写により形成する転写装置、転写方法、及びデバイス製造方法に関する。

近年、有機材料を含み、電力を供給することにより所定の機能を発現する機能層を備える有機機能素子が広く利用されている。一例として、有機ＥＬ素子は、陰極と陽極との間に有機発光材料を含む機能層（発光層）を挟んだ構造を有し、陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔が発光層において再結合することにより生じるエネルギーを発光エネルギーとして外部に取り出す原理を適用した発光素子である。

現在、このような機能層は一般に、真空蒸着等のドライプロセスによる成膜により形成され、機能層のパターニングにはシャドーマスク等が用いられることが多い。しかしながら、このような手法は、材料の利用効率が低く、大面積デバイスの作製が困難といった問題がある。

一方、機能層の形成にあたっては、低コスト且つ大面積化が可能なフォトリソグラフィ（フォトリソ）法、インクジェット法、印刷法等のウェットプロセスも検討されている。しかしながら、ウェットプロセスの場合、有機薄膜の多層構造からなる有機機能素子においては、上層を塗布した際に下地層の膜質が変化してしまうという懸念がある。また、膜厚の均一性等を制御することが難しいことから、例えば有機発光素子の場合、ディスプレイとしての性能が低下するという問題もある。

このような問題に対し、機能層の材料を基板（転写用基板又はドナー基板とも呼ばれる）上に一旦配置し、これを有機機能素子側の基板（被転写基板又はデバイス基板とも呼ばれる）に転写することにより、機能層のパターンを形成する技術が開発されている（例えば、特許文献１及び２参照）。例えば特許文献１においては、図２に示すように、まず、ガラス基板上に設けられた区画パターンにより区切られた領域内に光熱変換層及び機能層の材料（転写材料）を含む転写層を配置したドナー基板を作製する一方、デバイス基板に電極や絶縁層のパターンを形成しておく。そして、ドナー基板の転写層が配置された面をデバイス基板に向け、両基板を重ね合わせ、ドナー基板にレーザを照射して光熱変換層を加熱することにより転写層を昇華又は蒸発させ、デバイス基板に転写材料を転写する。

このような転写工程は、通常、真空中において行われる。この際、デバイス基板のサイズがあまり大きくない場合には、真空装置内においてデバイス基板とドナー基板とを互いにアライメントして重ね合わせ、そのままドナー基板の全面にレーザを照射することにより、転写材料を均一に転写することができる。このため、作製されたデバイスにおいては、真空蒸着等のドライプロセスとほぼ同等の性能を得ることができる。

しかしながら、デバイス基板が大型になると、真空装置内においてドナー基板の全面にレーザを均一に照射することが困難になる。そのため、特許文献２においては、真空装置内で基板同士をアライメントして重ね合わせた後、これらの基板を真空維持可能な筐体に収納し、筐体を真空装置外に搬出してレーザ照射を行っている。

国際公開第２００９／１５４１５６号 特許第４７９７８８９号公報

しかしながら、特許文献２の場合、ドナー基板及びデバイス基板を重ね合わせて収納でき、且つ、大気中に搬出された際にも形状を維持できる強固かつ複雑な構造の筐体を用意する必要がある。また、真空装置内における筐体への基板の出し入れ、並びに真空装置からの筐体の搬入及び搬出といった煩雑な工程が必要となる。さらに、筐体が搬入される真空装置自体も大型化且つ複雑化し、装置全体の負荷が増大してしまう。特に、大面積のデバイス基板を大量に製造する際には、大型且つ強固な筐体を多数に用意しなければならず、そのような筐体の荷重や物量を取り扱うことは現実的ではない。

デバイス基板の面積が大きい場合、大気中においてデバイス基板とドナー基板とをアライメントして重ね合わせ、これらの基板を真空装置内に搬送して転写を行うことも考えられる。しかしながら、この場合、大気中と真空中との間で基板を出し入れする間に、環境中の気体（特に水分）が基板表面に吸着してしまう。そのため、転写材料を転写した後、デバイス基板とドナー基板とを分離する際に、吸着した気体が転写材料内に取り込まれてデバイスの特性が悪化してしまうおそれもある。このような現象は、特に、有機機能素子の一例である有機ＥＬ素子においては大きな問題となる。

ここで、デバイス基板の面積が比較的小さい場合には、真空装置の壁面の一部を透明剛体により形成し、ドナー基板を該透明剛体上に配置してデバイス基板を重ね合わせ、真空チャンバ外から透明剛体を介してドナー基板にレーザを照射する方法を採ることもできる。しかしながら、この方法は、デバイス基板の面積が大きくなると、それに伴って透明剛体に要求される強度が増加し、重量も過大となるため、現実的ではない。

このように、現在のところ、大面積のデバイス基板に対して機能層をなす薄膜パターンを形成する有効な方法がなく、基板の重ね合わせから光照射による転写材料の転写までの一連の工程を、真空中で一貫して行うことができる製造プロセスが望まれている。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、デバイス基板とドナー基板との重ね合わせから光照射による転写材料の転写までの工程を、真空中において一貫して行うことができる転写装置、転写方法、及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る転写装置は、有機機能素子が形成される第１の基板に対し、照射された光を熱に変換する光熱変換層と転写材料を含む転写層とが設けられた第２の基板を重ね合わせ、前記第２の基板に光を照射することにより前記転写層を加熱し、昇華又は蒸発した前記転写材料を前記第１の基板に転写する転写装置において、前記第１及び第２の基板が配置されるチャンバと、前記チャンバ内において少なくとも前記第２の基板を保持する基板保持機構であって、前記転写材料が転写される面である前記第１の基板の被転写面と、前記転写層が設けられた面である前記第２の基板の転写面とを対向させ、前記第１及び第２の基板を重ね合わせた状態で保持する基板保持機構と、前記基板保持機構に向けて光を出射する光出射部と、を備え、前記基板保持機構に、前記光出射部から出射した前記光を透過させる光透過部であって、前記第２の基板に対して移動可能な少なくとも１つの光透過部が設けられていることを特徴とする。

上記転写装置において、前記基板保持機構は、互いに咬合可能な櫛型状をなし、各々が前記第２の基板の前記転写面と反対側の面を支持可能な２つの支持具と、前記２つの支持具の各々を移動させる駆動機構と、を備え、前記光透過部は、前記２つの支持具の各々が有する櫛歯の隙間領域であり、前記２つの支持具に前記第２の基板を交互に支持させることにより、前記第２の基板に対して前記光透過部の位置が変化することを特徴とする。

上記転写装置において、前記基板保持機構は、スリット状をなす少なくとも１つの開口が設けられ、前記第２の基板の前記転写面と反対側の面を支持可能な支持部材と、前記支持部材を移動させる駆動機構と、を備え、前記光透過部は、前記少なくとも１つの開口であり、前記反対側の面に対する前記支持部材の当接位置を移動させることにより、前記第２の基板に対して前記光透過部の位置が変化することを特徴とする。

上記転写装置において、前記基板保持機構は、円柱形状をなし、外周面を前記第２の基板の前記転写面と反対側の面に当接させ、互いに平行な軸を中心としてそれぞれ回転可能な複数の回転体であって、前記反対側の面の側に、互いに平行且つ間隙を空けて配置された複数の回転体を備え、前記光透過部は、隣り合う前記複数の回転体の間隙であり、前記複数の回転体を回転させて、前記第２の基板に対する前記複数の回転体の当接位置を変化させることにより、前記第２の基板に対して前記光透過部の位置が変化することを特徴とする。

上記転写装置は、前記第１の基板を保持する保持機構であって、円柱形状をなし、外周面を前記第１の基板の前記被転写面と反対側の面に当接させて回転可能な複数の第２の回転体を有する保持機構をさらに備え、前記複数の回転体と前記複数の第２の回転体とを回転させることにより、前記第１及び第２の基板が一体的に搬送されることを特徴とする。

上記転写装置は、前記第１の基板を保持する保持機構であって、互いに対向する第１及び第２の面を含み、前記第１の面により前記第１の基板を保持可能な板状部材と、円柱形状をなし、外周面を前記板状部材の前記第２の面に当接させて回転可能な複数の第２の回転体と、を有する保持機構をさらに備え、前記複数の回転体と前記複数の第２の回転体とを同期させて回転させることにより、前記板状部材並びに前記第１及び第２の基板が一体的に搬送されることを特徴とする。

上記転写装置において、前記第１及び第２の基板は、前記転写面及び前記被転写面を水平にして保持されることを特徴とする。

上記転写装置において、前記第１及び第２の基板は、前記転写面及び前記被転写面を鉛直方向と平行に向けて保持されることを特徴とする。

本発明に係る転写方法は、有機機能素子が形成される第１の基板に対し、照射された光を熱に変換する光熱変換層と転写材料を含む転写層とが設けられた第２の基板を重ね合わせ、前記第２の基板に光を照射することにより前記転写層を加熱し、昇華又は蒸発した前記転写材料を前記第１の基板に転写する転写方法において、前記転写材料が転写される面である前記第１の基板の被転写面と、前記転写層が設けられた面である前記第２の基板の転写面とを対向させ、前記第１及び第２の基板を重ね合わせてチャンバ内に配置する基板配置工程と、前記第２の基板に光を照射して前記転写層を加熱することにより、前記転写材料を前記被転写面に転写する光照射工程と、を含み、前記第２の基板は、該第２の基板に向けて照射された光を透過させる少なくとも１つの光透過部が設けられた基板保持機構によって保持され、前記光照射工程は、前記基板保持機構に向けて１回目の光照射を行うことにより、前記光透過部を透過した前記光を前記第２の基板の第１の領域に照射する第１光照射工程と、前記第２の基板に対する前記基板保持機構の位置を移動させて２回目の光照射を行うことにより、前記光透過部を透過した前記光を、前記第２の基板の前記第１の領域とは異なる第２の領域に照射する第２光照射工程と、を含む。

本発明に係るデバイス製造方法は、上記転写方法と、支持体上に下地層を形成することにより、前記転写方法において使用される前記第１の基板を作製する工程と、前記転写方法により前記転写材料が転写された前記第１の基板に上層を形成する工程と、を含むことを特徴とする。

本発明によれば、第２の基板に対して移動可能な少なくとも１つの光透過部が設けられた基板保持機構により第２の基板を保持し、第２の基板に対して光透過部の位置を移動させて第２の基板に光照射を行うので、第１及び第２の基板の重ね合わせから転写材料の転写までの工程を、真空中において一貫して行うことができる。従って、大面積のデバイス基板に対しても、装置を大型化及び複雑化させることなく、真空中において均一な光照射を行うことができる。その結果、装置負荷を抑制しつつ、良好な性能を有する有機機能素子を製造することが可能となる。

図１は、本発明の実施の形態１に係る転写装置の構成の一部を示す一部断面図である。 図２は、図１に示すデバイス基板及びドナー基板を拡大して示す断面図である。 図３は、図１に示す基板保持機構の具体的な構成を示す斜視図である。 図４は、本発明の実施の形態１に係るデバイス製造方法を示すフローチャートである。 図５は、デバイス基板を転写室に搬送する工程を示す模式図である。 図６は、櫛型支持具によってドナー基板を保持している状態を示す模式図である。 図７Ａは、照射光によりドナー基板を照射する工程を示す模式図である。 図７Ｂは、照射光によりドナー基板を照射する工程を示す斜視図である。 図８は、照射光によるドナー基板の走査方法を説明する模式図である。 図９は、照射光によるドナー基板の走査方法を説明する模式図である。 図１０Ａは、基板保持機構の櫛型支持具を入れ替える工程を示す模式図である。 図１０Ｂは、基板保持機構の櫛型支持具を入れ替える工程を示す斜視図である。 図１１Ａは、基板保持機構の櫛型支持具を入れ替える工程を示す模式図である。 図１１Ｂは、基板保持機構の櫛型支持具を入れ替える工程を示す斜視図である。 図１２は、櫛型支持具を退避させる位置の別の例を示す模式図である。 図１３Ａは、照射光によりドナー基板を照射する工程を示す模式図である。 図１３Ｂは、照射光によりドナー基板を照射する工程を示す斜視図である。 図１４は、発光層のパターンが形成されたデバイス基板を示す断面図である。 図１５は、本発明の実施の形態１の変形例１に係る転写方法を説明するための断面図である。 図１６は、有機ＴＦＴ素子用のデバイス基板及びドナー基板を示す断面図である。 図１７は、本発明の実施の形態１の変形例３における基板ステージを示す断面図である。 図１８は、本発明の実施の形態１の変形例４における照明光の照射方法を説明するための模式図である。 図１９は、本発明の実施の形態２に係る転写装置が備える基板保持機構の一部を示す斜視図である。 図２０Ａは、実施の形態２に係る転写方法を説明するための断面図である。 図２０Ｂは、実施の形態２に係る転写方法を説明するための側面図である。 図２０Ｃは、実施の形態２に係る転写方法を説明するための断面図である。 図２１Ａは、本発明の実施の形態３に係る転写装置が備える基板保持機構の一部を示す斜視図である。 図２１Ｂは、図２１Ａに示す基板保持機構を拡大して示す側面図である。 図２２Ａは、本発明の実施の形態４に係る転写装置が備える基板保持機構の一部を示す斜視図である。 図２２Ｂは、図２２Ａに示す基板保持機構を拡大して示す側面図である。 図２３は、本発明の実施の形態５に係る転写装置が備える基板保持機構の一例を示す斜視図である。 図２４は、本発明の実施の形態５に係る転写装置が備える基板保持機構の一例を示す斜視図である。 図２５は、本発明の実施の形態５に係る転写装置が備える基板保持機構の一例を示す斜視図である。 図２６は、本発明の実施の形態５に係る転写装置が備える基板保持機構の一例を示す斜視図である。 図２７は、実施例１において作製した有機ＥＬ素子の点灯試験の結果を示す写真である。 図２８は、実施例２において用いた基板保持機構の構造を示す側面図である。 図２９は、比較例１において用いた基板保持機構の構造を示す側面図である。 図３０は、比較例１において作製した有機ＥＬ素子の点灯試験の結果を示す写真である。 図３１は、比較例２において用いた筐体の構造を示す断面図である。 図３２は、比較例２において作製した有機ＥＬ素子の点灯試験の結果を示す写真である。

以下に、本発明に係る転写装置、転写方法、及びデバイス製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。

本発明は、有機機能素子が形成される第１の基板（以下、デバイス基板という）に対し、照射された光を熱に変換する光熱変換層と有機機能材料（転写材料）を含む転写層とが設けられた第２の基板（以下、ドナー基板という）を重ね合わせ、ドナー基板に光を照射することにより転写層を加熱し、昇華又は蒸発した転写材料をデバイス基板に転写する転写装置及び転写方法、並びに、この転写方法を用いたデバイス製造方法に関するものである。ここで、有機機能素子とは、有機機能材料からなる薄膜に導電性を付与して電流を流すことにより所定の機能を発現する素子のことをいい、例えば、有機ＥＬ素子、有機ＴＦＴ、光電変換素子、各種センサー等が挙げられる。ただし、本発明は、これらの有機機能素子の製造に限定されず、ドナー基板に設けられた転写層を光エネルギーにより加熱して他の基板に転写することにより、転写材料の薄膜パターン（以下、転写膜ともいう）を形成する装置及び方法であれば適用することができる。

以下の実施の形態においては、有機機能素子の例として、主に、有機ＥＬ素子を挙げて説明する。また、有機ＥＬ素子を表す図面においては、カラーディスプレイにおいて多数の画素を構成するＲＧＢ副画素の最小単位を抜き出して示している。これらの図面においては、理解を助けるために、図の横方向（基板面内方向）に比較して縦方向（基板垂直方向）の倍率を拡大している。

（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る転写装置の構成の一部を示す一部断面図である。図１に示すように、実施の形態１に係る転写装置１は、ドナー基板２０からデバイス基板１０への転写材料の転写を含む一連の工程を行うための装置であり、真空チャンバ３０と、デバイス基板１０を保持する保持機構としての基板ステージ４０と、ドナー基板２０を保持する基板保持機構５０と、ドナー基板２０を照射するレーザ等の照射光Ｌを出射する光源６０と、これらの各部の動作を統括して制御する制御部１００とを備える。なお、図１においては、光源６０からの照射光Ｌの出射方向をＺ方向とし、デバイス基板１０及びドナー基板２０は、水平面（ＸＹ平面）と平行に配置されているものとする。また、図１においては、真空チャンバ３０及びその内部のみを断面で示している。

図２は、図１に示すデバイス基板１０及びドナー基板２０を拡大して示す断面図である。図２に示すように、デバイス基板１０は、支持体１１と、該支持体１１の一方の主面に形成されたＴＦＴ層１２と、平坦化層１３と、パターニングされた絶縁層１４と、第１電極層１５と、正孔輸送層１６とを備える。このうち絶縁層１４のパターンによって区分される各区画１０ａ〜１０ｃが、転写材料が転写されることにより、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色で発光する発光層が形成される被転写領域である。以下、転写材料が転写される側の面を、被転写面という。

支持体１１の材料は、その主面上に有機機能材料からなる転写膜をパターニングすることができ、且つ、転写膜を含む構造物を支持可能で、真空中において搬送可能な材料であれば特に限定されない。支持体１１としては、樹脂材料からなるフィルムやガラス板等が用いられる。

支持体１１の主面には、取り出し電極を含む電気制御用のＴＦＴ層１２が設けられている。このＴＦＴ層１２の表面は、ポリイミド、ポリアミドイミド、アクリル、ウレタン、エポキシ等からなる平坦化層１３により覆われている。

平坦化層１３上には、有機ＥＬ素子における各色の発光層を区画する絶縁層１４が格子状に形成されている。ここで、絶縁層１４は必須ではないが、デバイス基板１０とドナー基板２０とを重ね合わせた際に、ドナー基板２０に設けられた区画パターン２４（後述）がデバイス基板１０の下地層（ＴＦＴ層１２〜正孔輸送層１６）に接触して傷付けることを防止する観点から、絶縁層１４を設けておくことが好ましい。

なお、絶縁層１４の平面形状は、格子状に限定されない。例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色でそれぞれ発光する３種類の発光層を設ける場合には、１方向に伸びるストライプ状をなす絶縁層１４を形成しても良い。或いは、ハニカム形状等、さらに複雑な形状としても良い。

第１電極層１５は、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）、ＺＴＯ（亜鉛錫複合酸化物）等の透明導電性膜により形成され、パターニングされている。
さらに、絶縁層１４及び第１電極層１５の上層には、正孔輸送層１６が全面にわたって形成されている。

なお、有機ＥＬ素子等の有機機能素子を製造する際には、支持体１１上に電極等の各種構造物を予め形成した上で有機機能材料を転写しても良いし、支持体１１に有機機能材料を転写した後で、これらの構造物を形成しても良い。実施の形態１においては、前者としている。

一方、ドナー基板２０は、ガラス等からなる支持体２１と、該支持体２１の一方の主面に形成された光熱変換層２３と、区画パターン２４と、光熱変換層２３及び区画パターンを覆うバリア層２５と、区画パターン２４によって区分される各区画に形成された転写層２７（転写層２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｇ）とを備える。以下、転写層２７が設けられた側の面を転写面という。

支持体２１の材料としては、光の吸収率が小さく、主面上に光熱変換層２３、区画パターン２４、及び転写層２７を安定して形成できる材料であれば特に限定されない。具体的には、デバイス基板１０の支持体１１と同様の材料を用いることができる。上述したように、転写工程を真空中で実施する場合には、支持体からのガス放出が少ないことが要求されるので、支持体２１の材料としてもガラス板は特に好ましい。

光熱変換層２３は、照射された光の光エネルギーを熱エネルギーに変換する層であり、カーボンブラック、黒鉛、チタンブラック、有機顔料若しくは金属粒子等を樹脂に分散させた薄膜、又は、金属薄膜を含む無機薄膜等によって形成されている。この光熱変換層２３は光吸収率が大きいことから、転写層２７の形成領域内外の適切な位置に、光熱変換層２３を利用したドナー基板２０の位置マークを形成しても良い。

なお、光熱変換層２３の下層（支持体２１側の境界）に、必要に応じて反射防止層を形成しても良い。反射防止層としては、反射率の高い金属薄膜や屈折率差を利用した光学干渉薄膜が好適に使用され、アルミニウム、銀、銅、シリコン、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化チタン等の単体又は合金薄膜、混合薄膜、或いはこれらの積層薄膜が用いられる。

また、光熱変換層２３の上層、或いは、後述するバリア層２５と転写層２７との間に中間層を形成しても良い。これは、光熱変換層２３の触媒効果により転写層２７が分解されたり、転写層２７の昇華又は蒸発時に表層同士が反応するのを抑制するためである。中間層としては、貴金属類や安定な酸化物等の安定な材料を用いることが好ましい。

区画パターン２４は、光熱変換層２３上又は支持体２１上に直接形成され、転写層２７の形成領域を区画すると共に、デバイス基板１０に対してドナー基板２０を重ね合わせた際に被転写領域を区画する。区画パターン２４は、酸化ケイ素や窒化ケイ素をはじめとする酸化物又は窒化物、ガラス、セラミックス、ポリビニル、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリスチレン、アクリル、ノボラック、シリコーン等の樹脂によって形成されている。

なお、実施の形態１においては、区画パターン２４の平面形状を格子状としているが、区画パターン２４の形状はこれに限定されない。例えば、ドナー基板２０に３種類の転写層２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂを形成する場合には、１方向に伸びるストライプ状をなす区画パターン２４を形成しても良いし、反対に、ハニカム形状等のさらに複雑な形状としても良い。また、区画パターン２４の面積を広げ、転写層２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂのいずれも形成されない領域を設けることにより、デバイス基板１０に対して非転写領域（転写材料を転写しない領域）を設けることも可能である。

バリア層２５は、光熱変換層２３及び区画パターン２４の表面に設けられ、区画パターン２４から転写層２７に含まれる溶液への不純物等の溶出を防ぐと共に、転写層２７に含まれる溶液の溶媒が区画パターン２４に侵入してドナー基板２０の表面を汚染したり、侵入した溶媒が隣の区画へ混入するのを防ぐ。バリア層２５は、一例として、金属、金属酸化物、金属窒化物、珪素酸化物、珪素窒化物等により形成されている。バリア層２５は必須ではないが、少なくとも区画パターン２４の表面を覆うように形成することが好ましい。図２においては、光熱変換層２３及び区画パターン２４表面の全面にバリア層２５を形成している。

転写層２７は、有機ＥＬ素子、有機ＴＦＴ、光電変換素子、各種センサー等の有機機能素子を構成する薄膜（機能層）の材料である転写材料を含み、区画パターン２４によって区分された各区画（区画パターン２４の開口内）に設けられている。転写材料は、有機材料と金属を含む無機材料とのいずれでもよく、加熱された際に、蒸発、昇華、又はアブレーション昇華する材料、或いは、接着性変化や体積変化を利用してドナー基板２０からデバイス基板１０に転写可能な材料であればよい。また、転写材料は、有機機能素子を構成する薄膜材料の前駆体であっても良く、この場合、転写材料の転写前又は転写中に熱や光によって転写材料が薄膜材料に変換され、デバイス基板１０に転写される。実施の形態１においては、有機ＥＬ素子における３色の発光層となる３種類の転写材料により、転写層２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂを形成している。

なお、支持体２１の転写面とは反対側の面（光入射面）には、反射防止層を形成してもよい。反射防止層としては、反射率の高い金属薄膜や屈折率差を利用した光学干渉薄膜が好適に使用される。具体的には、アルミニウム、銀、銅、シリコン、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化チタン等の単体又は合金薄膜、混合薄膜、或いは、これらの積層薄膜を使用することができる。
また、ドナー基板２０の任意の位置にアライメントマークを設けても良い。

再び図１を参照すると、真空チャンバ３０には、ドナー基板２０からデバイス基板１０への転写材料の転写工程が行われる転写室３０２と、デバイス基板１０に対する転写工程の前処理が行われる前処理室３０１と、デバイス基板１０に対する転写工程の後処理が行われる後処理室３０３とが設けられている。これらの前処理室３０１、転写室３０２、及び後処理室３０３は、後述する基板ステージ４０が通過可能な連結口３０４、３０５によって連結されている。

真空チャンバ３０には、減圧機構３００が設けられている。減圧機構３００は、前処理室３０１と、転写室３０２と、後処理室３０３とにおいて共通で用いられるものであっても良いし、前処理室３０１、転写室３０２、後処理室３０３の各々に１つずつ設けられるものであっても良い。連結口３０４には、ゲートバルブ３０６が設けられており、ゲートバルブ３０６を閉じることにより、前処理室３０１と転写室３０２とが遮断される。

転写室３０２を形成する１つの壁面（図１においては下側の壁面）には、Ｙ方向に伸びる互いに平行な直線スリット状の複数の開口３０７が設けられている。実施の形態１において、これらの開口３０７は、光源６０から出射し、窓３０８に入射した照射光Ｌを基板保持機構５０に向けて出射する光出射部である。

各開口３０７は、光透過可能な窓３０８により密閉されている。窓３０８の材料としては、透明でレーザ等の光線を透過するものであれば特に限定されない。一般的には、窓３０８の材料として透明ガラスが使われ、フロートガラスやソーダライムガラスを例とする青板ガラス、Ｂ−２７０を例とする白板ガラス、パイレックス（登録商標）やテンパックス（登録商標）を例とする耐熱ガラス、石英ガラスやＢＫ−７を例とする光学ガラスを用いることが好ましい。また、照射光Ｌの波長を良く通す材料であれば、ガラス以外の透明材料を用いても良い。

基板ステージ４０は、デバイス基板１０を保持し、前処理室３０１、転写室３０２、及び後処理室３０３間でデバイス基板１０を搬送したり、デバイス基板１０をドナー基板２０に対してアライメントして重ね合わせる際に用いられる。なお、図１においては、基板ステージ４０の内部構造の記載を省略している。

基板ステージ４０によるデバイス基板１０の保持方式は特に限定されず、例えば、爪やホック等によりデバイス基板１０を引っ掛ける方式や、粘着、真空吸着、静電吸着、磁力吸着等の方式を用いることができる。これらの方式は、単独で用いても良いし、複数の方式を組み合わせて用いても良い。例えば、大気中においては、爪又は真空吸着によりデバイス基板１０を保持し、真空中においては静電吸着又は磁力吸着によりデバイス基板１０を保持するといった切り替え可能な構成としても良い。

基板ステージ４０のデバイス基板１０との当接面は、該デバイス基板１０を均一の高さで保持するため、平面度を高くすることが好ましい。具体的には、基板の転写予定のエリア内で例えば１００μｍ以内の平面性を持つことが好ましい。

また、基板ステージ４０のデバイス基板１０との当接面に、デバイス基板１０の凹凸を吸収可能な弾性緩衝材を設けても良い。この場合、当接面に要求される平面性を緩和することができる。
さらに、基板ステージ４０に、デバイス基板１０とドナー基板２０とのアライメント用に、カメラ穴等を設けても良い。

このような基板ステージ４０は、該基板ステージ４０を移動させる駆動機構（図示せず）と組み合わせて、基板ステージ４０にデバイス基板１０を保持させたまま、前処理室３０１、転写室３０２、及び後処理室３０３に基板ステージ４０を順次搬送可能な構成としても良い。或いは、別途設けた基板搬送機構（図示せず）によりデバイス基板１０を転写室３０２に搬入した後、転写室３０２内においてデバイス基板１０を基板ステージ４０に保持させてアライメントを行い、転写工程の終了後、別途設けた基板搬送機構（図示せず）によりデバイス基板１０のみを後処理室３０３に搬送するように構成しても良い。

転写工程においてデバイス基板１０及びドナー基板２０が加熱された際に、両者の熱膨張の差によるアライメントのずれを防止するため、基板ステージ４０に、基板温度を均一に保つ温度調節機構や排熱機構を設けることが好ましい。例えば、基板ステージ４０に気密性の水冷管や空冷管を配置し、基板ステージ４０を介してデバイス基板１０及びドナー基板２０に発生した熱を排出しても良い。また、このような温度調節機構又は排熱機構を設ける場合には、温度ムラによる熱膨張の差に起因するデバイス基板１０のそりや歪みによるアライメントのずれが生じないよう、デバイス基板１０を基板ステージ４０に密着させて保持することが好ましい。そのためには、基板ステージ４０に、例えば静電吸着や磁力吸着のように、デバイス基板１０の面全体に対して引力をかけられる保持機構を設けると良い。

基板保持機構５０は、転写室３０２内においてドナー基板２０を保持する。第２基板保持機構５０には、窓３０８の方向から照射される光を透過させてドナー基板２０に照射させる少なくとも１つの移動可能な光透過部が設けられている。

図３は、基板保持機構５０の具体的な構成を示す斜視図である。基板保持機構５０は、各々が櫛型状をなし、互いに咬合可能な２つの支持具（以下、櫛型支持具）５１０、５２０と、制御部１００の下で動作し、櫛型支持具５１０、５２０をそれぞれ移動させる駆動機構５１５、５２５とを備える。各櫛型支持具５１０、５２０は、互いに間隔を空けて配置された複数の櫛歯５１１、５２１と、複数の櫛歯５１１、５２１を連結する連結部５１２、５２２とを有する。なお、図３においては、櫛型支持具５１０、５２０を識別し易くするために、櫛型支持具５１０の櫛歯５１１の上面及び右側面に網掛けを施している。

基板保持機構５０の材料としては、真空中で剛直な形状を保ち、基板を平坦に保持できるものであれば特に限定されない。一般的には金属が好ましく用いられ、中でも、強度の強いＳＵＳ等の鉄の合金、熱伝導性の良い銅の合金、軽量性に優れたアルミニウムの合金等の材料が好ましい。また、剛直性を確保できるのであれば、基板保持機構５０の材料として、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）等のエンジニアプラスチック等も用いても良い。或いは、これらの金属やプラスチックを組み合わせても良い。

各櫛歯５１１、５２１の上面は、ドナー基板２０の転写面と反対側の面と当接する基板支持面５１３、５２３となっている。また、隣り合う櫛歯５１１、５２１の間隙５１４、５２４が、光源６０から出射した照射光Ｌを透過させてドナー基板２０を照射させる光透過部である。

これらの櫛型支持具５１０、５２０は、互いに咬合させた状態でドナー基板２０を支持可能であると共に、櫛型支持具５１０、５２０単独でもドナー基板２０を支持可能である。櫛型支持具５１０、５２０を互いに咬合させた状態でドナー基板２０を支持し、櫛型支持具５１０、５２０を交互に１つずつ外すと、ドナー基板２０に対する光透過部の位置が変化する。

ここで、櫛型支持具５１０、５２０のいずれか一方でドナー基板２０を保持した際に、櫛歯５１１、５２１にたわみが生じると、デバイス基板１０とドナー基板２０との間のギャップが大きくなり、転写材料が転写された領域が必要以上に拡がり、転写膜のパターン精度が低下してしまう。このため、櫛型支持具５１０、５２０においては、ドナー基板２０をできるだけ多くの点で支持することにより、たわみの発生を抑えることが好ましい。そのためには、好ましくは間隙５１４、５２４の幅を５０ｍｍ以内、さらに好ましくは３０ｍｍ以内にすると良い。

図１に示すように、基板支持面５１３、５２３には、緩衝材として適度な弾力を持った弾性体５０１を配置しても良い。弾性体５０１としては、例えば、ばねやゴム、その他、弾性に富む樹脂材料等を用いることができ、各基板支持面５１３、５２３の複数箇所に突起状に設けても良いし、各基板支持面５１３、５２３にシート状に設けても良い。このような弾性体５０１を設けることにより、デバイス基板１０とドナー基板２０とを当接させ、両者を密着させる際に、適度な弾力でドナー基板２０を押し付けることにより、両基板の持つゆがみや厚みむらによる基板間のギャップを解消することができるからである。

弾性体５０１を突起状とする場合には、基板支持面５１３、５２３のある程度広い範囲に均一に分布させることが好ましい。それにより、基板の重ね合わせの圧力の均一性や、基板間のギャップの均一性を保つことができ、ひいては、転写後の有機機能素子における性能むらを小さくすることができるからである。具体的には、少なくとも３０ｍｍ以下の間隔で突起状の弾性体５０１が配置されることが好ましく、さらには、弾性体５０１の間隔を２０ｍｍ以下とすることが、基板間の均一な重ね合わせのためにも好ましい。突起状の弾性体５０１の変形量は特に限定されないが、一般的に、基板の歪みや厚みむらを解消するためには０．３ｍｍ以上変形可能な部材とすることが望ましく、さらには、１ｍｍ以上変形可能であれば、大面積の基板においても歪みや厚みむらのマージンが大きくなるために好ましい。

また、各櫛型支持具５１０、５２０に対し、櫛歯５１１、５１２を補強するために、ガラス等の透明部材により間隙５１４、５２４を覆っても良い。

光源６０は、各々が照射光Ｌを出射する複数の光出射口６０１と、これらの光出射口６０１を含む光源６０全体を搬送する搬送部６０２とを備え、制御部１００の制御の下で動作する。各光出射口６０１は、対応する位置に設けられた窓３０８の方向（Ｚ方向）に照射光Ｌを出射する。搬送部６０２は、これらの光出射口６０１をＹ方向に沿って搬送することにより、照射光Ｌによりドナー基板２０を走査する。このように、搬送部６０２を含む光源６０を真空チャンバ３０の外部に設ける場合には、真空チャンバ３０のサイズを小さくすることができて好ましい。

なお、光出射口６０１は、各々が自ら光を発生する光源装置により構成されていても良いし、１つの光源装置が発生した光を分割して出射する光分割部等により構成されていても良い。

光源６０の種類としては、ドナー基板２０に形成された光熱変換層２３を加熱して転写層２７を昇華又は蒸発させ、デバイス基板１０に転写膜を形成することができれば特に限定されない。光源６０として、好ましくは、半導体レーザ、ファイバーレーザー、ＹＡＧレーザ、アルゴンイオンレーザー、窒素レーザ、エキシマレーザー等公知のレーザを利用することができる。レーザは、容易に高強度が得られると共に、照射光の形状制御に優れるため、実施の形態１に係る転写方法に好適である。レーザを用いる場合には、光熱変換層２３の材料に対して最適な吸収波長に合わせた波長を選択することが好ましい。実施の形態１においては、短時間においては高強度の光が照射される間欠発振モード（パルス）レーザと、連続発振（Continuous Wave）モードレーザとのいずれを用いても良い。

ここで、光源６０としてパルスレーザを用いる場合、ドナー基板２０に対する照射光Ｌの走査により逐次移動する照射位置がパルスごとにオーバーラップすることが、均一な転写膜を形成する上で望ましい。このため、周波数はある程度大きくする必要があり、具体的には、周波数は約１ｋＨｚ以上とすることが好ましい。一方、周波数が高すぎると（例えば、１ＭＨｚ程度）、１ショット当たりのパワーが小さくなるため、擬似的に連続発振モードのレーザ照射と同様になる。

この他、光源６０として、赤外線ランプ、タングステンランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプ、フラッシュランプ等の光源や、インフラヒーターの集束光等を利用することもできる。

照射光Ｌの波長は、照射雰囲気とドナー基板２０の支持体２１における吸収が小さく、かつ、光熱変換層２３において効率よく吸収される波長であれば特に限定されず、可視光領域だけでなく紫外光から赤外光まで利用することができる。ドナー基板２０に好適な支持体２１の材料を考慮すると、好ましい波長領域として３００ｎｍ〜５μｍ、更に好ましい波長領域として３８０ｎｍ〜２μｍを例示することができる。

また、照射光Ｌの形状（光軸と直交する面における断面形状）は特に限定されず、矩形状、線状、楕円形、正方形、多角形等、転写条件に応じて最適な形状を選択することができる。

搬送部６０２の移動速度（即ち、スキャン速度）は、速いほど転写工程に要する時間が短くなるため好ましいが、一方で機械的な負担が大きくなる。このため、スキャン速度は、５０ｍｍ／ｓ程度〜１０，０００ｍｍ／ｓ程度の間とすることが好ましい。

ここで、真空チャンバ３０に設けられる複数の開口３０７は、光出射口６０１から出射した照射光Ｌにより走査を行うエリアに合わせた形状とすることが好ましい。実施の形態１においては、直線的に走査を行うため、上述したように、複数の開口３０７を、互いに平行な直線スリット状としている。なお、開口３０７の形状や数については、光出射口６０１の配置や走査方向に合わせて適宜変更しても良い。

なお、図１においては、真空チャンバ３０の下側に開口３０７、窓３０８、及び光源６０を設けた例を示しているが、開口３０７、窓３０８、及び光源６０を設ける位置は、真空チャンバ３０の上面でも良いし、側面でも良い。

制御部１００は、例えば汎用のパーソナルコンピュータによって構成され、記憶部に記憶された各種プログラムをＣＰＵに読み込むことにより、記憶部に記憶された各種情報に基づき、デバイス製造層１の各部の動作を統括的に制御する。

次に、実施の形態１に係る転写方法を含むデバイス製造方法について説明する。図４は、実施の形態１に係るデバイス製造方法を示すフローチャートである。また、図５〜図１４は、実施の形態１に係る転写方法を説明する模式図である。以下においては、ドナー基板２０からデバイス基板１０に転写材料を転写することにより、有機ＥＬ素子を製造する場合について説明する。

まず、工程Ｓ１において、デバイス基板１０及びドナー基板２０を作製する。
デバイス基板１０の支持体１１を形成する樹脂材料として、具体的には、ポリエステル、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアクリル、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリイミド、ポリアミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリエポキシ、ポリプロピレン、ポリオレフィン、アラミド樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。これらの有機材料は、高解像度で簡便に形成できるため好ましく用いられる。特に、ポリイミドやポリアミドは高耐熱性を有するため、プロセス途中で加熱されるデバイス基板として好ましい。

また、化学的及び熱的安定性、寸法安定性、機械的強度、並びに透明性といった観点からは、支持体１１としてガラス板を用いることも好ましい。ガラス板の材料としては、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、含鉛ガラス、ホウ珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス、低膨張ガラス、石英ガラス等から条件に応じて適宜選択することができる。実施の形態１においては、有機機能材料の転写工程（後述する工程Ｓ５〜Ｓ８）を真空中で実施するため、支持体１１からのガス放出が少ないことが要求される。このため、ガラス板は特に好ましい支持体である。

この支持体１１の主面に、フォトリソグラフィ法等の公知のパターニング技術によりＴＦＴ層１２を形成する。さらに、ＴＦＴ層１２の表面に、ノズル塗布、スプレー塗布、スピンコート等の公知の塗布技術によりポリイミド、ポリアミドイミド、アクリル、ウレタン、エポキシ等からなる平坦化層１３を形成する。

絶縁層１４の材料は、パターン形成可能な材料であれば特に限定されず、一般には、ポリイミド、アクリル、エポキシ等の感光性材料が用いられる。特に、ポリイミドは、耐久性や素子性能の観点で実績があり、好ましく用いられる。具体的には、ポリイミド前駆体材料を用いた公知のパターニング技術により絶縁層１４を形成することができる。

絶縁層１４の形成方法は特に限定されず、例えば、スピンコート、スリットコート、ディップコート等の公知技術を利用することができる。また、絶縁層１４のパターニング方法も特に限定されず、例えば公知のフォトリソグラフィ法や塗布技術等を利用することができる。或いは、感光性材料を含むバインダーを用いてガラス粉末のパターンを形成し、該パターンを焼成することで、無機材料からなる絶縁層１４を形成しても良い。

絶縁層１４の膜厚は、０．２μｍ程度〜１０μｍ程度とすることが好ましい。薄すぎると絶縁層１４の性能や電気的なリークが問題となることがあり、厚すぎると絶縁層１４から発生する揮発成分が多くなり、完成した有機ＥＬ素子の素子性能に影響を与えるおそれがある。

この絶縁層１４の表面に、真空蒸着法等の公知の成膜技術及びフォトリソグラフィ法等の公知のパターニング技術により、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）、ＺＴＯ（亜鉛錫複合酸化物）等の透明導電性膜からなる第１電極層１５を形成する。

さらに、絶縁層１４及び第１電極層１５の上層に、真空蒸着法等の公知の成膜技術によって正孔輸送層１６を形成する。
なお、デバイス基板１０を構成するこれらの層は、真空チャンバ３０の転写室３０２の前段（前処理室３０１等）において形成しても良い。

一方、ドナー基板２０の支持体２１を形成する材料として、好ましくは上述したガラス板が用いられる。また、ドナー基板２０には、転写工程において照射される光の輻射熱により加熱され、或いは、デバイス基板１０からの伝熱を受けるなどして、温度変化が生じる場合がある。このとき、デバイス基板１０の支持体１１とドナー基板の支持体２１との熱膨張率が互いに異なると、特に大面積の場合には、両基板間でアライメントのずれが生じ、或いは、基板のいずれか一方又は両方にそりが発生するおそれがある。それにより、パターニング精度が低下し、転写層２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｇから昇華又は蒸発した各色の転写材料がデバイス基板１０において混色するなど、完成した有機ＥＬ素子の性能低下といった影響を及ぼしてしまう。このため支持体１１、２１間において熱膨張係数（線膨張率）を合わせておくことが好ましい。

具体的には、支持体１１、２１間における熱膨張係数の差が１０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。より好ましくは、これらの支持体１１、２１を同種の材料、さらに好ましくは両者を同一の材料で形成すると良い。なお、両者の厚さは、互いに同一であっても良いし、異なっていても良い。

また、支持体２１においては、後述する光熱変換層２３が高温に加熱された際にも、支持体２１自体の温度上昇及び熱膨張を許容範囲内に収める必要がある。このため、支持体２１の熱容量は、光熱変換層２３の熱容量よりも十分に大きいことが好ましい。そのためには、例えば、支持体２１の厚さを、光熱変換層２３の厚さの１０倍以上とすると良い。このようにすることで、ドナー基板２０を大型化しても、熱膨張による寸法変位量が少なく、高精度なパターニングが可能になる。

また、支持体２１の光入射面や光熱変換層２３の下層に反射防止層を形成する場合には、この段階で形成する。反射防止膜は、アルミニウム、銀、銅、シリコン、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化チタン等の単体又は合金を用いて、スピンコート、スリットコート、真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の公知技術により形成することができる。

光熱変換層２３は、カーボンブラック、黒鉛、チタンブラック、有機顔料若しくは金属粒子等を樹脂に分散させた薄膜、又は、金属薄膜等の無機薄膜等により形成される。実施の形態１においては光熱変換層２３が５００℃程度に加熱される場合もあるので、耐熱性に優れた無機薄膜により光熱変換層２３を形成することが好ましく、光吸収や成膜性の観点から、金属薄膜により形成することがさらに好ましい。金属材料としては、タングステン、タンタル、ニオブ、マンガン、モリブデン、チタン、クロム、金、銀、銅、白金、鉄、亜鉛、アルミニウム、コバルト、ニッケル、マグネシウム、バナジウム、ジルコニウム、シリコン、カーボン等の単体又は合金の薄膜、或いは、それらの積層薄膜を使用することができる。

光熱変換層２３は、少なくとも、転写層２７が設けられる領域に形成されていれば良く、その平面形状は特に限定されない。例えば、図２に示すように、光熱変換層２３を支持体１１上の全面に形成しても良いし、区画パターン２４以外の領域のみに形成しても良い。例えば、区画パターン２４の密着性が、支持体２１に対しては良好であるが、光熱変換層２３に対しては乏しい場合には、支持体２１上に区画パターン２４を直接形成し、区画パターン２４以外の領域に光熱変換層２３をパターニングするなどして、区画パターン２４の少なくとも一部が支持体２１と接触するようにしても良い。なお、光熱変換層２３をパターニングする場合、区画パターン２４と同種の形状にする必要はなく、例えば、区画パターン２４を格子状のパターンとし、光熱変換層２３をストライプ状のパターンとしても良い。

このような光熱変換層２３は、スピンコート、スリットコート、真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の公知技術により形成することができる。また、光熱変換層２３等をパターニングする場合には、公知のフォトリソグラフィ法やレーザーアブレーション法等を利用することができる。

なお、光熱変換層２３の上面は、平滑であっても良いし、転写層２７をなす転写材料との濡れ性向上のために粗化処理しても良い。

また、この後で、光熱変換層２３の上層に、貴金属類や安定な酸化物等の安定な材料からなる中間層を形成しても良い。中間層は、スピンコート、スリットコート、真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の公知技術により形成することができる。

この光熱変換層２３上（光熱変換層２３をパターニングした場合には、支持体２１上）に、区画パターン２４を形成する。区画パターン２４の材料及び構成としては、光熱変換層２３において発生した熱に対して安定であれば特に限定されない。具体的な材料としては、無機物では酸化ケイ素や窒化ケイ素をはじめとする酸化物又は窒化物、ガラス、セラミックス等、有機物ではポリビニル、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリスチレン、アクリル、ノボラック、シリコーン等の樹脂を例示することができる。また、プラズマテレビの隔壁に用いられるガラスペースト材料を、区画パターン２４の形成材料として用いることもできる。区画パターン２４の熱伝導性は特に限定されないが、区画パターン２４を介して接触するデバイス基板１０に熱が拡散するのを防ぐ観点から、区画パターン２４を有機物のように熱伝導率が小さい材料で形成する方が好ましい。さらに、パターニング特性及び耐熱性の面でも優れた材料として、ポリイミド及びポリベンゾオキサゾールを好ましい材料として例示することができる。

区画パターン２４の形成方法は特に限定されず、無機物により形成する場合には真空蒸着、ＥＢ蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、ＣＶＤ、レーザーアブレーション等の公知技術を、有機物により形成する場合には、スピンコート、スリットコート、ディップコート等の公知技術を利用することができる。また、区画パターン２４のパターニング方法も特に限定されず、例えば公知のフォトリソグラフィ法や塗布技術等を利用することができる。

区画パターン２４の厚さは特に限定されないが、ドナー基板２０をデバイス基板１０に重ね合わせた際に、転写層２７がデバイス基板１０の被転写面に直接接触しない方が好ましい。具体的には、転写層２７と被転写面との間隔を１μｍ〜１００μｍ程度、特には２〜２０μｍ程度の範囲に保つことが好ましい。このため、区画パターン２４を、転写層２７よりも厚く、好ましくは、転写層２７の厚さに１μｍ〜１００μｍ程度、特には２μｍ〜２０μｍ程度の厚さを加えた厚さにすると良い。

次いで、光熱変換層２３及び区画パターン２４の表面にバリア層２５を形成する。バリア層２５の材料としては、一例として、金属、金属酸化物、金属窒化物、珪素酸化物、珪素窒化物等が挙げられる。ここで、ドナー基板２０は、強酸、強アルカリ、有機溶剤により繰り返し洗浄され再利用されることが多く、光熱変換層２３等の膜の剥離が生じないように耐久性が求められることから、バリア層２５として、光熱変換層２３及び区画パターン２４との密着性が高い材料を選ぶことが好ましい。上記例示した材料の中でも、金属、具体的には、クロム、ニッケル、亜鉛、チタン、バナジウム、タンタル、マンガン等が、密着性の観点で好ましい材料である。さらに、光熱変換層２３と同種の金属であれば光熱変換層２３との密着性が向上するので、より好ましい。

また、以下の理由からも、バリア層２５として金属を用いることが好ましい。即ち、金属は密度が高く、被覆性が高いことから、区画パターン２４からの低分子成分の溶出を大きく抑えることができる。また、金属は塑性変形に対して延性を有するため、熱応力に対してクラックが発生しにくく、不純物溶出の点で大きな利点がある。

バリア層２５の形成方法は特に限定されないが、一般的にはスパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法等の公知技術が挙げられる。また、バリア層２５の厚みも特に限定されないが、耐久性の観点から０．０５μｍ以上とすることが好ましい。

このバリア層２５の表面に、転写層２７の昇華又は蒸発時における表層同士の反応を防ぐための中間層を設けても良い。
また、バリア層２５の表面（バリア層２５を設けない場合には、区画パターン２４の表面）には、転写層２７をなす転写材料を溶解させた溶液を撥液し、該溶液を区画パターン２４の開口内に留めるための撥液処理層を設けても良い。

転写層２７の材料は、デバイス基板１０に形成する有機機能素子の種類に応じて選択される。有機機能素子として有機ＥＬ素子を作製する場合、転写により形成される発光層は単層でも複数層でもよく、複数層の場合、各層の発光材料は単一材料によって形成されていても良いし、複数材料の混合物により形成されていても良い。発光効率、色純度、耐久性の観点から、発光層はホスト材料とドーパント材料との混合物の単層構造であることが好ましい。この場合、発光層を形成するための転写材料は、ホスト材料とドーパント材料との混合物とすることが好ましい。

転写層２７を形成する際に後述する塗布法を用いる場合、ホスト材料とドーパント材料との混合溶液を塗布し、乾燥させれば良い。或いは、ホスト材料とドーパント材料との溶液を別に塗布してもよい。転写層２７を形成した段階でホスト材料とドーパント材料とが均一に混合されていなくても、転写時に両者が均一に混合されればよい。また、転写時におけるホスト材料とドーパント材料との蒸発温度の違いを利用して、発光層中のドーパント材料の濃度を膜厚方向に変化させることもできる。

転写層２７の形成方法は特に限定されず、公知の成膜技術を用いることができる。具体的には、真空蒸着、スパッタリング、エレクトロデポジション等のドライプロセスが挙げられる。ドライプロセスは、膜厚を均一に形成することができるという利点がある。また、常圧下、減圧下、管理されたガス雰囲気下でのインクジェット、ノズル塗布、スプレー塗布、スピンコート、電界重合や電着、或いは、オフセット、フレキソ、平版、凸版、グラビア、スクリーン等の各種印刷といった塗布法も挙げられる。塗布法においては、転写材料及び溶媒を含む溶液を区画パターン２４の開口内に塗布し、溶媒を乾燥させることにより転写層２７が形成される。塗布法は、ドナー基板２０の大型化に対応しつつ、材料を効率的に利用できるという利点がある。特に、実施の形態１においては、ドナー基板２０の各区画パターン２４の開口内に定量の転写材料を正確に配置することが重要であり、この観点から、インクジェット又はノズル塗布が特に好ましい方法として例示することができる。

なお、転写層２７を塗布法により形成する場合において、転写層２７の材料が溶解性と転写耐性と転写後のデバイス性能との全てを満たすときには、転写材料自体（デバイス構成材料）を溶媒に溶解させることが好ましい。転写材料が溶解性に乏しいときには、可溶性を改良して後に原型材料に復帰させることができる、薄膜材料の前駆体を利用することができる。前駆体は、転写材料にアルキル基などの溶媒に対する可溶性基を導入したり、有機機能素子材料としての性能に優れる材料に含まれることが多いベンゼン環にエチレン基やジケト基などの分子内架橋構造を導入したりすることで得ることができる。このような可溶性基や分子内架橋構造は、転写工程（後述する図４の工程Ｓ５〜Ｓ８）のいずれかの段階で、光照射や加熱により脱離させ、前駆体を原型材料に復帰させることができる。また、工程Ｓ６の転写の際の熱を利用して脱離させ、前駆体を原型材料に復帰させることもできる。

なお、転写層２７を塗布法により形成する場合には、転写材料を含む溶液の濡れ性を向上させ、膜厚の均一性を改善するために、支持体２１又は光熱変換層２３に粗化処理を施すと良い。

転写層２７の厚さは、形成する機能性薄膜の機能や、１つのドナー基板２０からデバイス基板１０に転写を行う転写回数によって異なる。例えば、フッ化リチウム等のドナー材料（電子注入材料）を転写する場合、転写層２７の厚さは１ｎｍで十分である。一方、電極材料の場合には、転写層２７の厚さが１００ｎｍ以上になることもある。実施の形態１のように、有機ＥＬ素子用のデバイス基板１０に発光層を形成する場合には、転写層２７の厚さを１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度、さらには２０ｎｍ〜５０ｎｍ程度とすることが好ましい。

続く工程Ｓ２において、作製したドナー基板２０を真空チャンバ３０の転写室３０２に搬入し、基板保持機構５０に保持させる。この際、転写面とは反対側の光入射面を基板保持機構５０に当接させる。なお、この段階では、基板保持機構５０の櫛型支持具５１０、５２０のいずれか一方でドナー基板２０を保持しても良いし、互いに咬合させた２つの櫛型支持具５１０、５２０によってドナー基板を保持しても良い。

続く工程Ｓ３において、図５に示すように、デバイス基板１０を転写室３０２内に搬送する。なお、これに先立って、デバイス基板１０に対して前処理室３０１において所定の前処理を施しても良い。前処理としては、ＴＦＴ層１２〜正孔輸送層１６の形成プロセスや、これらの構造物の表面の薬液によるウェット処理、加熱処理、プラズマやイオン衝撃によるドライ処理といった表面処理プロセス等が挙げられる。これらの処理は、大気中、不活性ガス中、又は真空中において適宜実施される。実施の形態１において、デバイス基板１０は、基板ステージ４０に保持された状態でこれらの前処理が施され、基板ステージ４０に保持されたまま転写室３０２に搬入される。

続く工程Ｓ４において、減圧機構３００により転写室３０２内を減圧する。
ここで、転写工程の雰囲気は、一般には、大気圧でも減圧下でもよい。例えば、反応性転写の場合には、酸素等の活性ガス雰囲気下で行うことも可能である。しかしながら、本発明においては、転写工程における転写材料のダメージの低減が課題の１つであるため、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気、或いは真空下で行うことが好ましい。また、圧力を適切に制御することにより、転写層の膜厚ムラの均一化を促進することが可能である。転写材料のダメージ低減、転写層への不純物混入の低減、及び蒸発温度の低温化といった観点では、転写工程を真空下で行うことが特に好ましい。

転写を行う際には、デバイス基板１０とドナー基板２０との基板間距離内において、転写材料の分子に、雰囲気中の残留ガスの分子との衝突による劣化を生じさせないことが重要である。ここで、基板間距離は、デバイス基板１０及びドナー基板２０の一方又は両方に形成された構造物の高さによって決まる。例えば、一方の基板にのみ構造物が形成されている場合には、該構造物の高さにより基板間距離が決まる。また、実施の形態１のように、両方の基板に構造物（絶縁層１４及び区画パターン２４）が形成されている場合には、これらの構造物の高さの合計で基板間距離が決まる。

このため、真空チャンバ３０の真空度は高いことが望ましい。一般的な基板間距離である２μｍ〜２０μｍの間を転写材料の分子が移動する場合、両基板に挟まれた転写空間において残留ガスとの衝突を起こさない平均自由行程から計算される真空度は、好ましくは１００Ｐａ以下であり、さらに好ましくは１Ｐａ以下である。

なお、転写室３０２とその前後の前処理室３０１及び後処理室３０３とは、前段及び後段の工程における雰囲気に応じて、開口したままでも良く、図６に示すようにゲートバルブ３０６で区切っても良い。例えば、デバイス基板１０に対する前処理が真空プロセスによりなされた場合には、真空雰囲気を解除することなく、ゲートバルブ３０６を開放したまま前処理室３０１から転写室３０２にデバイス基板１０を搬送しても良い。

続く工程Ｓ５において、転写室３０２内において基板保持機構５０を上昇させ、ドナー基板２０を所定位置に配置すると共に、基板ステージ４０の位置をＸＹ面内において調整することにより、デバイス基板１０とドナー基板２０とのアライメントを行う。そして、アライメントされたデバイス基板１０の被転写面とドナー基板２０の転写面とを対向させ、両者を重ね合わせて保持する。なお、この際には、例えば、液晶ディスプレイの製造プロセスにおいて使用される液晶材料の真空滴下・貼り合わせ等の公知技術を利用することができる。

また、この際、基板ステージ４０を介してデバイス基板１０に上部から均一の圧力をかけ、ドナー基板２０に対して押し付けると良い。加圧方法は特に限定されないが、平面度の高い押さえ板を基板ステージ４０上に載置して加圧する方法や、基板保持機構５０に配置された弾性体５０１を圧縮させた状態で、デバイス基板１０及びドナー基板２０を保持する方法や、これらを組み合わせた方法が挙げられる。特に、基板保持機構５０に弾性体５０１を配置しておくことにより、デバイス基板１０及びドナー基板２０を基板面全体にわたって均一に加圧することができるので好ましい。このようにデバイス基板１０及びドナー基板２０を押さえ付け、デバイス基板１０とドナー基板２０との間のギャップをなくすことにより、転写先（デバイス基板１０の発光層）での転写材料の混色を防ぐことができる。

また、デバイス基板１０とドナー基板とのアライメントずれを抑制するため、アライメント後に両基板を固定しても良い。固定方法は特に限定されないが、例えば、デバイス基板１０及びドナー基板２０の周縁部をクリップ等の固定具で挟持する方法や、両基板の周縁部を接着剤や粘着材により仮止めする方法が挙げられる。接着剤としては、紫外線（ＵＶ）で硬化する樹脂を用いても良い。

なお、基板保持機構５０の２つの櫛型支持具５１０、５２０によりドナー基板２０を保持していた場合には、この後、いずれか一方を退避させる。図６は、櫛型支持具５１０によってドナー基板２０を保持している状態を示している。

続く工程Ｓ６において、図７Ａに示すように、基板保持機構５０の櫛型支持具５１０に向けて照射光Ｌを照射し、ドナー基板２０からデバイス基板１０に転写材料を転写する。即ち、光源６０から照射光Ｌを出射させ、窓３０８、開口３０７、及び櫛型支持具５１０の櫛歯５１１の間隙５１４を通過した照射光Ｌによりドナー基板２０を照射する。それにより、照射光Ｌがドナー基板２０に設けられた光熱変換層２３に吸収され、光熱変換層２３から発生した熱により転写層２７が加熱されて昇華又は蒸発し、デバイス基板１０の正孔輸送層１６（図２参照）上に堆積し、デバイス基板１０に転写膜（発光層）が形成される。

このようにドナー基板２０を照射しつつ、図７Ｂに示すように、ドナー基板２０に対して光源６０を、真空チャンバ３０に設けられた開口３０７の長辺方向（Ｙ方向）に沿って移動させる。それにより、櫛型支持具５１０の間隙５１４と対向するドナー基板２０の領域が、照射光Ｌにより走査され、転写層２７がデバイス基板１０に転写される。なお、図７Ｂにおいては、真空チャンバ３０及び基板ステージ４０の記載を省略している。また、図７Ａにおける櫛型支持具５１０は、図７ＢのＡ１−Ａ１における断面を示している。

ここで、図８及び図９は、照射光Ｌによるドナー基板２０の走査方法を説明する模式図であり、櫛型支持具５１０及びドナー基板２０を図７Ａの下方側から見た様子を示している。図８に示すように、間隙５１４の幅（Ｘ方向における長さ）Ｗ_Gが照射光Ｌの幅（同上）Ｗ_Lよりも大きい場合、照射光ＬをＹ方向に沿って複数回往復させることにより、１つの間隙５１４内に露出するドナー基板２０の領域を走査する。この場合、照射光Ｌの走査ラインをＸ方向にずらす際に、照射光Ｌをオーバーラップさせると良い。或いは、照射光Ｌの重なりが生じないように間隙５１４内を一通り走査した後、照射光Ｌの継ぎ目の領域を重ねて走査しても良い。このような走査を行うことにより、間隙５１４と対向するドナー基板２０の領域に照射光Ｌを均一に照射することができる。

なお、照射光Ｌの走査ラインをＸ方向にずらす際には、光源６０（図７Ａ参照）側を移動させても良いし、基板保持機構５０、ドナー基板２０、デバイス基板１０、及び基板ステージ４０側を一括して移動させても良い。

また、図９に示すように、間隙５１４の幅Ｗ_Gが照射光Ｌの幅Ｗ_Lと同程度である場合には、間隙５１４内に露出するドナー基板２０の領域を、照射光ＬによりＹ方向に沿って少なくとも１回走査すれば良い。或いは、照射光Ｌに間隙５１４内を往復させても良く、この場合、転写材料の転写を複数回に分けて行うことができる。

ここで、ドナー基板２０に対する照射光Ｌの照射回数は１回でも良いが、転写層２７が受ける熱による転写材料の劣化や、転写された膜の持つエネルギーが被転写面の下地層に及ぼす影響等を考慮すると、照射光Ｌを複数回照射し、多段階で転写を行うことが好ましい。照射回数は特に限定されないが、照射回数が少なすぎる場合には、１回あたりの熱量が大きくなるため、転写材料の劣化や下地層の劣化を招くおそれがある。反対に、照射回数が多すぎる場合には、走査に要する時間が増大し、生産スループットが低下してしまう。このため、好ましくは照射回数を２回〜１００回程度とし、さらに好ましくは４回〜５０回程度にすると良い。

照射光Ｌの強度や転写層２７の加熱温度の好ましい範囲は、照射光Ｌの均一性、照射時間（走査速度）、ドナー基板２０の支持体２１及び光熱変換層２３の材料や厚さ、反射率、区画パターン２４の材料や形状、転写層２７の材料や厚さ等の様々な条件に基づいて設定される。実施の形態１においては、光熱変換層２３に吸収されるエネルギー密度が０．０１〜１０Ｊ／ｃｍ^２程度、転写層２７が２２０〜４００℃程度に加熱されるように照射条件を整えると良い。

照射光Ｌによる全ての間隙５１４内の走査終了後、照射光Ｌの出射を一旦停止（又は照射光Ｌを遮蔽）すると共に、デバイス基板１０及びドナー基板２０間の加圧を緩める。そして、図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、基板保持機構５０のもう一方の櫛型支持具５２０を、櫛型支持具５１０に咬合させるようにしてドナー基板２０に近づけ、櫛型支持具５１０、５２０によりドナー基板２０を一旦保持する。なお、図１０Ａに示す櫛型支持具５１０は、図１０ＢのＡ２−Ａ２における断面を示している。

続く工程Ｓ７において、ドナー基板２０に対する基板保持機構５０の位置を移動させる。本実施の形態１においては、まず、図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、櫛型支持具５２０にドナー基板２０を保持させたまま、櫛型支持具５１０を照射光Ｌの光路から退避させる。なお、図１１Ａにおける櫛型支持具５１０、５２０は、図１１ＢのＡ３−Ａ３における断面を示している。

ここで、櫛型支持具５１０を退避させる位置は特に限定されず、ドナー基板２０と光源６０との間の領域から抜去しても良いし、例えば図１２に示すように、櫛型支持具５１０の櫛歯５１１が照射光Ｌの光路を遮らないように、櫛歯５１１、５１２が上下に重なる位置に櫛型支持具５１０を移動させても良い。

続いて、基板ステージ４０によりデバイス基板１０を上方から再び加圧して、デバイス基板１０とドナー基板２０とを密着させる。なお、この際に、デバイス基板１０とドナー基板２０とのアライメントがずれた場合には、再度アライメントをやり直しても良い。

また、この際、開口３０７の上方に櫛型支持具５２０の間隙５２４が位置するように、基板ステージ４０、デバイス基板１０、ドナー基板２０、及び櫛型支持具５２０を一括してＸ方向に沿って移動させる。

続く工程Ｓ８において、図１３Ａに示すように、基板保持機構５０の櫛型支持具５２０に向けて照射光Ｌを照射し、ドナー基板２０からデバイス基板１０に転写材料を転写する。即ち、光源６０から照射光Ｌを出射させ、窓３０８、開口３０７、及び櫛型支持具５２０の櫛歯５２１の間隙５２４を通過した照射光Ｌによりドナー基板２０を照射しつつ、図１３Ｂに示すように、ドナー基板２０に対して光源６０をＹ方向に沿って移動させる。それにより、櫛型支持具５２０の間隙５２４と対向するドナー基板２０の領域を照射光Ｌにより走査し、転写層２７をデバイス基板１０に転写する。なお、図１３Ｂにおいては、真空チャンバ３０及び基板ステージ４０の記載を省略している。また、図１３Ａにおける櫛型支持具５１０は、図１３ＢのＡ４−Ａ４における断面を示している。

照射光Ｌによる全ての間隙５２４内の走査終了後、基板ステージ４０による加圧を緩めると共に、基板保持機構５０を下方に移動させ、デバイス基板１０からドナー基板２０を離間させる。これにより、転写工程が終了し、正孔輸送層１６上に、転写膜、即ち、発光層１７Ｒ、１７Ｇ、１７Ｂ（図１４参照）がパターニングされたデバイス基板１０が得られる。

続く工程Ｓ９において、発光層１７Ｒ、１７Ｇ、１７Ｂ（転写膜）が形成されたデバイス基板１０を基板ステージ４０により後処理室３０３に搬送し、真空雰囲気のまま、上層として電子輸送層１８及び第２電極層１９を、真空蒸着等の公知技術により形成する。それにより、図１４に示す有機ＥＬ素子が完成する。

なお、ドナー基板２０については、所定回数繰り返して使用することが可能であるため、転写室３０２内の基板保持機構５０に保持させたままにしても良い。

以上説明したように、実施の形態１によれば、光透過部としての間隙５１４、５２４が設けられた櫛型支持具５１０、５２０によりドナー基板２０を交互に支持することにより、ドナー基板２０に対する間隙５１４、５２４の位置を変化させることができる。このため、これらの間隙５１４、５２４に向けて照射光Ｌを順次照射することにより、ドナー基板２０の全面にわたって照射光Ｌを照射することが可能となる。従って、従来では困難であった真空中における大面積基板の重ね合わせ及び転写工程を、装置の大型化や複雑化を招くことなく、一貫して行うことが可能となる。

ここで、デバイス基板１０と重ね合わせられたドナー基板２０の周縁部のみを、内側に開口が設けられた枠体で保持し、該開口に光を照射する従来の方法においては、自重によりドナー基板２０に歪みが生じてデバイス基板１０との間にギャップが発生し、転写時に転写材料が混色するという問題があった。また、ガラス等の透明剛体をドナー基板２０の株式会社に配置し、透明剛体を通して光を照射する従来の方法においては、透明剛体とドナー基板２０との間に発生する干渉光により、透明剛体を透過した透過光に強度ムラが生じ、転写膜にもムラが生じるという問題があった。

それに対し、実施の形態１によれば、複数の光透過部としての間隙５１４、５２４が設けられた剛体からなる櫛型支持具５１０、５２０を用いるので、ドナー基板２０が大型化した場合であっても、歪みを生じさせることなく該ドナー基板２０を保持することができる。従って、デバイス基板１０との間のギャップの発生を抑制し、転写材料の混色や転写膜のムラを生じさせることなく、転写工程を行うことができる。その結果、素子性能の高い、大面積の有機ＥＬ素子を製造することが可能となる。

また、有機ＥＬ素子をはじめとする各種有機機能素子は、大面積の基板を用いて加工を行うことで、部材の利用効率が上がり生産性が大きく向上する。また、ディスプレイのように画面自体が大面積化する製品については、特に、加工プロセスの大面積化による生産性の改善効果が大きい。そのため、実施の形態１により基板の大面積化が可能となることで、各種有機機能素子の生産性を大幅に向上させることが可能となる。

また、従来の有機機能素子の製造方法において、塗布法によりデバイス基板に直接形成した薄膜を機能層として用いる場合、膜厚ムラが問題となっていた。それに対し、実施の形態１においては、塗布法によりドナー基板２０に転写層２７を形成した時点では転写層２７に膜厚ムラが発生し得るが、その後の転写工程において、転写材料が分子（原子）レベルにほぐれた状態で昇華又は蒸発してデバイス基板１０に堆積するため、転写層２７の膜厚ムラの影響は軽減される。このため、例えば、転写材料が顔料のような分子集合体からなる場合、転写層２７として転写材料をドナー基板２０に塗布した際に連続的な膜を形成できなくても、転写工程において転写材料は分子レベルにほぐされて蒸発するので、デバイス基板１０には膜厚均一性にすぐれた転写膜を形成することができる。

また、蒸着法によりドナー基板２０に転写層２７を形成する場合には、膜厚が均一な転写層２７が得られるので、これを転写することにより、デバイス基板１０に膜厚均一性に優れた転写膜を形成することができる。

なお、上記実施の形態１においては、照射光Ｌの走査を行う際に光源６０を移動させたが、反対に、光源６０の位置を固定し、デバイス基板１０及びドナー基板２０を移動させても良い。この場合、基板の移動速度は、上記実施の形態１における光源６０の移動速度と同様、５０ｍｍ／ｓ程度から１０，０００ｍｍ／ｓ程度の範囲にすると良い。

上記実施の形態１においては、光源６０を真空チャンバ３０外部の大気中に設置した。この場合、真空チャンバ３０を小型化できるという利点がある。一方、光源６０を真空チャンバ３０（転写室３０２）の内部に設けることも可能である。この場合、光源６０が、基板保持機構５０に向けて照射光Ｌを出射する光出射部となり、ガラス等を介することなく照射光Ｌをドナー基板２０に直接照射することができる。

また、上記実施の形態１においては、蒸着モードによる転写が好ましいため、１回の転写により単層の転写層をパターニングした。しかしながら、剥離モードやアブレーションモードを利用することで、複数層の転写を一括して行うことも可能である。例えば、ドナー基板上に電子輸送層及び発光層の積層構造をこの順で形成し、この積層状態を維持した状態でデバイス基板に転写することで、発光層及び電子輸送層がこの順で積層された転写膜のパターンを１回で形成することができる。

なお、転写材料の転写工程において、基板ステージ４０等のデバイス基板１０を保持する機構は必須ではない。例えば、デバイス基板１０の自重により、デバイス基板１０をドナー基板２０に対して押し付け、両者を密着させることも可能である。

（変形例１）
次に、本発明の実施の形態１の変形例１を説明する。
図１５は、本変形例１に係る転写方法を説明するための断面図である。
ここで、デバイス基板に対して複数種類の転写膜のパターンを形成する場合、これらの転写膜に対応する複数種類の転写材料を必ずしも同時に転写する必要はなく、転写材料が１種類ずつ設けられたドナー基板を順次用いて転写を行っても良い。

例えば、有機ＥＬ素子を製造する場合、図１５に示すように、デバイス基板１０側の絶縁層１４と同程度の区画パターン２４ａと、幅広い区画パターン２４ｂとが設けられ、区画パターン２４ａ、２４ｂの開口に単色（例えば赤色）の転写層２７Ｒが配置されたドナー基板２０−１を作製する。そして、区画パターン２４ｂをデバイス基板１０の区画１０ａ、１０ｂと対向させ、デバイス基板１０とドナー基板２０−１とを重ね合わせる。これより、区画パターン２４ｂと対向する区画１０ａ、１０ｂは、転写材料が転写されない非転写領域となる。この状態でドナー基板２０−１に光を照射すると、転写層２７Ｒが区画１０ｃのみに転写され、デバイス基板１０に発光層１７Ｒが形成される。同様にして、青色及び緑色の転写材料がそれぞれ配置されたドナー基板を順次用いて、デバイス基板１０の区画１０ａ、１０ｂに転写材料を転写する。

ここで、現在の真空蒸着技術により有機ＥＬ素子の発光層を形成する場合、数十μｍピッチのパターニング精度しか得ることができない。しかしながら、本変形例１によれば、デバイス基板１０に対して転写材料の転写領域及び非転写領域を、区画パターン２４ａ、２４ｂの形成と同程度の精度で設定することができ、転写領域のみに必要な転写材料を転写することができる。従って、特に転写材料の高精細のパターニングを行う場合、本変形例１は有効である。

（変形例２）
次に、本発明の実施の形態１の変形例２について説明する。
図１６は、本変形例２に係る転写方法を説明するための断面図であり、有機機能素子の一例である有機ＴＦＴ素子用のデバイス基板７０及びドナー基板２０−２を示している。

図１６に示すように、デバイス基板７０は、支持体７１と、該支持体７１上に形成されたゲート電極７３と、該ゲート電極７３を被覆するように設けられたゲート絶縁層７２、転写膜（有機半導体層）７７、ソース電極（第１電極）７４、ドレイン電極（第２電極）７５と、絶縁層７６とを備える。これらのうち、第１電極７４と第２電極７５とは、水平方向に並べて配置されている。また、絶縁層７６の表面には凹凸が形成されている。

一方、ドナー基板２０−２は、支持体１１と、該支持体１１上に形成された光熱変換層２３と、区画パターン２４ｃと、バリア層２５と、転写層２８とを備える。
これらのデバイス基板７０とドナー基板２０−２を重ね合わせ、ドナー基板２０−２に光照射を行うと、加熱された転写層２８が蒸発してデバイス基板７０に転写される。その結果、デバイス基板７０の第１電極７４と第２電極７５との間の領域、及び第１電極７４と第２電極７５の表面に乗り上げるようにして転写膜７７が形成される。

このように、転写膜７７が形成される領域（下地層）は必ずしも平坦である必要はなく、下地層に凹凸がある場合には、下値層の凹凸に沿って、膜厚が均一な転写膜７７を形成することができる。
なお、ドナー基板２０−２には、区画パターン２４ｃの開口ごとに異なる転写材料を配置しても構わない。

本変形例２に示すように、有機ＴＦＴ素子を製造する場合においても、転写材料を必要な領域以外に拡散させることなく、高精度に配置することができる。従って、高密度の有機ＴＦＴ素子を高精度に製造することが可能となる。なお、必要に応じて電極等のパターニングも、同様の方法により形成することができる。
このように実施の形態１は有機ＥＬ素子に限定されず、材料のパターニングが必要となる有機機能素子の製造に用いることができる。

（変形例３）
次に、本発明の実施の形態１の変形例３について説明する。
上記実施の形態１においては、デバイス基板１０の被転写面と反対側の面を基板ステージ４０に当接させて該デバイス基板１０を保持した。しかしながら、図１７に示すように、デバイス基板１０と基板ステージ４０との間に弾性体４２を設けても良い。弾性体４２としては、ばねやゴム、その他、弾性に富む樹脂材料等を用いることができる。このような弾性体４２を用いることにより、デバイス基板１０とドナー基板２０との重ね合わせた際の押圧力を均一にすることができる。

（変形例４）
次に、本発明の実施の形態１の変形例４について説明する。
上記実施の形態１においては、基板保持機構５０において、ドナー基板２０を支持する部材を、櫛型支持具５１０から櫛型支持具５２０に入れ替えた際に、基板ステージ４０、デバイス基板１０、ドナー基板２０、及び櫛型支持具５２０の位置をＸ方向に沿って調節し、光源６０から出射し、開口３０７を通過した照射光Ｌを間隙５２４に入射させた。しかしながら、図１８に示すように、板ステージ４０、デバイス基板１０、ドナー基板２０、及び櫛型支持具５２０の位置は移動させず、光源６０の位置をＸ方向に沿ってずらし、光源６０から開口３０７の方向に向けて照射光Ｌを斜めに出射し、間隙５２４に入射させても良い。

（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２について説明する。
本発明の実施の形態２に係る転写装置の構成は、全体として図１と同様であり、ドナー基板２０を保持する基板保持機構の構成が実施の形態１とは異なる。

図１９は、実施の形態２に係る転写装置が備える基板保持機構の一部を示す斜視図である。図１９に示すように、実施の形態２において、基板保持機構は、剛体からなり、光透過部として複数のスリット状の開口５３１が複数設けられた板状の支持部材（以下、スリット板という）５３と、制御部１００の制御の下で動作し、スリット板５３を移動させる駆動機構５３３を備える。

図２０Ａ〜図２０Ｃは、実施の形態２に係る転写方法を説明するための図である。
図２０Ａに示すように、スリット板５３は、ドナー基板２０の光入射面側を下方から支持する。なお、スリット板５３はドナー基板２０に当接させても良いし、スリット板５３とドナー基板２０との間に、ばねやゴム、その他、弾性に富む樹脂材料等からなる弾性体５３２を設けても良い。弾性体５３２を設ける場合、デバイス基板１０とドナー基板２０とを重ね合わせる際に、適度な弾力でドナー基板２０を押し付けることができるので、両基板を密着させつつ、基板が持つゆがみや厚みむらによる基板間のギャップを解消することができる。

この状態で、スリット板５３の開口５３１に向けて照射光Ｌを照射し、開口５３１の長手方向に沿って走査する。それにより、開口５３１と対向するドナー基板２０の領域が加熱され、当該領域において転写材料の転写が行われる。

ドナー基板２０に対する開口５３１の位置を変更する際には、まず、図２０Ｂに示すように、複数の突起が設けられた支持体５３４の突起部分を開口５３１に挿入し、該支持体５３４によってドナー基板２０を支持する。この支持体５３４は、制御部１００の制御の下で動作する駆動機構５３５により移動可能な構成となっている。

続いて、スリット板５３をドナー基板２０から離間してＸ方向に沿ってずらした後、再びスリット板５３によりドナー基板２０を支持する。その後、支持体５３４を開口５３１から抜去する。これより、ドナー基板２０に対する開口５３１の位置が変化する（図２０Ｃ参照）。

この状態で、開口５３１に向けて照射光Ｌを照射することにより、図２０Ａとは異なるドナー基板２０の領域が加熱され、転写材料が転写される。

（実施の形態３）
次に、本発明の実施の形態３について説明する。
本発明の実施の形態３に係る転写装置の構成は、全体として図１と同様であり、デバイス基板１０及びドナー基板２０を保持する機構の構成が実施の形態１とは異なる。

図２１Ａは、実施の形態３に係る転写装置が備える基板保持機構の一部を示す斜視図であり、図２１Ｂは、該基板保持機構を拡大して示す側面図である。なお、図２１Ａ及び図２１Ｂにおいては、光源６０（図１参照）から出射する照射光Ｌを明確に示すため、図１に対して天地を逆に示している。

デバイス基板１０を保持する第１基板保持機構４５は、互いに径が等しい円柱状をなし、互いに平行に配置され、互いに平行な軸を中心に回転可能な回転体である複数の搬送ロール４５１と、該複数の搬送ロール４５１を互いに連結する連結部４５２とを備える。また、第１基板保持機構４５には、制御部１００の制御の下で動作し、各搬送ロール４５１を回転させる駆動機構４５６が設けられている。

一方、ドナー基板２０を保持する第２基板保持機構５５は、上記搬送ロール４５１と同様の複数の搬送ロール５５１と、該複数の搬送ロール５５１を互いに連結する連結部５５２とを備える。搬送ロール５５１は、所定の間隔を空けて配置されており、隣り合う搬送ロール５５１間の間隙５５３が、光源６０（図１参照）から出射して開口３０７を通過した照射光Ｌを透過させる光透過部である。また、第２基板保持機構５５には、制御部１００の制御の下で動作し、各搬送ロール５５１を回転させる駆動機構５５６が設けられている。

第１基板保持機構４５及び第２基板保持機構５５は、搬送ロール４５１、５５１を互いに平行に向けて配置されている。これらの搬送ロール４５１と搬送ロール５５１との間に、互いにアライメントされて重ね合わせられたデバイス基板１０及びドナー基板２０が挟持される。また、搬送ロール４５１、５５１が回転することにより、デバイス基板１０及びドナー基板２０が一体的に搬送され、ドナー基板２０に対する間隙５５３の位置が変化する。

搬送ロール４５１、５５１の材料及び構造については、デバイス基板１０及びドナー基板２０を均一に押圧しつつ保持可能な構造であり、且つ減圧下で使用可能なものであれば特に限定されない。

一例として、各搬送ロール４５１、５５１は、軸部４５４、５５４の周囲にロール部４５５、５５５が設けられた構造を有する。ロール部４５５、５５５は、例えば、ブチルゴムやイソプレンゴム、ネオプレンゴム、ブタジエンゴム、フッ素ゴムや、シリコーンゴム、又は天然のゴム等の弾性体によって形成されている。ロール部４５５、５５５を弾性体によって形成することにより、デバイス基板１０及びドナー基板２０を重ね合わせて挟持する際に、両基板を均一に加圧することができるので好ましい。

一方、ロール部４５５、５５５を、ポリエチレン、ポリプロピレン、塩化ビニル、ポリカーボネート、フッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ナイロン、アクリル、ＰＥＥＫ等の一般的なプラスチック材料や、ＳＵＳ、アルミニウム等の金属又は合金によって形成しても良い。ロール部４５５、５５５を弾性体によって形成しない場合には、連結部４５２、５５２にバネ等の弾性部材やサスペンション等を設けることにより、重ね合わせられたデバイス基板１０及びドナー基板２０に与えられる押圧力を均一にすることが好ましい。

ロール部４５５、５５５の表面には、滑り止めのために凹凸を設けても良い。凹凸の形状は、溝状でも突起状でも構わない。また、ロール部４５５、５５５の表面に設けた凹凸から生じる弾性力により、重ね合わせられた両基板を加圧しても良い。

実施の形態３における転写工程（図４の工程Ｓ５〜Ｓ８参照）は、次のようにして行われる。即ち、第１基板保持機構４５及び第２基板保持機構５５によりデバイス基板１０及びドナー基板２０を挟持した状態で、搬送ロール４５１、５５１の動きを止め、間隙５５３に向けて照射光Ｌを照射し、搬送ロール４５１、５５１の回転軸Ｒの方向に沿って走査する。それにより、間隙５５３から露出するドナー基板２０の領域が加熱され、当該領域において転写材料の転写が行われる。

続いて、搬送ロール４５１、５５１を所定量だけ回転させ、デバイス基板１０及びドナー基板２０を回転軸Ｒと直交する方向に搬送する。それにより、ドナー基板２０に対する間隙５５３の位置が変化する。なお、搬送中におけるデバイス基板１０とドナー基板２０とのアライメントずれを防止するため、クリップ等の固定具を用いて、両基板の周縁部を予め固定しておいても良い。

この状態で、間隙５５３に向けて照射光Ｌを照射することにより、搬送ロール４５１、５５１の回転前とは異なるドナー基板２０の領域が加熱され、当該領域において転写材料の転写が行われる。

実施の形態３によれば、ドナー基板２０の持ち替えを行うことなく、ドナー基板２０に対する光透過部（間隙５５３）の位置を変化させることができる。従って、ドナー基板２０の持ち替えを行う場合と比較して、装置負荷を低減することができる。また、デバイス基板１０及びドナー基板２０を押圧して両者を密着させたまま、ドナー基板２０の全領域における転写を行うことができる。さらに、第１基板保持機構４５及び第２基板保持機構５５による基板の搬送タイミング及び搬送速度と、光源６０による照射光Ｌの照射タイミング及び走査速度とを同期させることにより、間欠的又は連続的に転写材料の転写を行うことができる。その結果、デバイス基板の加工速度を上げ、生産性を向上させることが可能となる。

なお、上記実施の形態３においては、搬送ロール４５１、５５１の径を互いに等しくした。この場合、搬送ロール４５１、５５１を同じ速度で回転させることにより、デバイス基板１０及びドナー基板２０を一体的に搬送することができる。しかしながら、搬送ロール４５１、５５１の径を互いに異ならせても良い。この場合、搬送ロール４５１、５５１それぞれの回転速度を適宜調整することにより、デバイス基板１０及びドナー基板２０を一体的に搬送することができる。

（実施の形態４）
次に、本発明の実施の形態４について説明する。
図２２Ａは、実施の形態４に係る転写装置が備える基板保持機構の一部を示す斜視図であり、図２２Ｂは、該基板保持機構を拡大して示す側面図である。なお、図２２Ａ及び図２２Ｂにおいては、光源６０（図１参照）から出射する照射光Ｌを明確に示すため、図１に対して天地を逆に示している。

上記実施の形態３においては、搬送ロール４５１をデバイス基板１０に直接当接させて保持及び搬送を行ったが、図２２Ａ及び図２２Ｂに示すように、デバイス基板１０を搬送板４６に載置し、搬送板４６に搬送ロール４５１を当接させても良い。

搬送板４６は、真空中で剛直な形状を保ち、デバイス基板１０を平坦に保持可能な材料であれば特に限定されず、例えば、金属やガラス等を用いることができる。また、搬送板４６の厚みも特に限定されないが、デバイス基板１０を十分に支持可能な厚みとして、１ｍｍ以上であることが好ましく、十分な強度を兼ね備えるためには、３ｍｍ以上であることが好ましい。さらに、搬送板４６の平面性は高いことが好ましい。

このような搬送板４６を用いることにより、デバイス基板１０及びドナー基板２０を搬送ロール４５１、５５１により挟持する際に生じる歪みを矯正することができる。
なお、ドナー基板２０側にも、デバイス基板１０と同様に搬送板を設けても良い。この場合、搬送板を介してドナー基板２０に照射光Ｌを照射できるように、ガラス等の透明剛体を用いると良い。

（変形例）
以上説明した実施の形態３及び４においては、１つの軸部４５４、５５４に対し、軸方向の長さが挟持する基板の１辺よりも長いロール部４５５、５５５を設けることにより搬送ロール４５１、５５１を構成した。しかしながら、１つの軸部に、円盤状又は軸方向の長さが挟持する基板の１辺よりも短い円柱状をなす複数のロール部を設けても良い。この場合、挟持する基板を均一に加圧できるように、ロール部の数や軸方向の長さを決定することが好ましい。

（実施の形態５）
次に、本発明の実施の形態５について説明する。
上記実施の形態１〜４においては、デバイス基板１０及びドナー基板２０を水平に保持して搬送し、転写工程（図４の工程Ｓ５〜Ｓ８参照）を行った。しかしながら、搬送及び転写工程におけるこれらの基板の姿勢は、鉛直軸と主面を平行にした状態であっても良いし、鉛直軸に対して主面を斜めに向けた状態であっても良い。これらの姿勢で基板を保持して搬送することを縦型搬送という。

縦型搬送を行う場合、基板が重力によって移動して、アライメントのずれが生じるのを防ぐために、両基板の端部を保持する機構を設けることが好ましい。

図２３は、デバイス基板１０を保持する基板ステージ４０及びドナー基板２０を保持するスリット板５３（実施の形態２参照）を縦型に配置した例を示す。図２３において、基板ステージ４０、デバイス基板１０、及びドナー基板２０は重ね合わせられて、これらの基板等を把持する基板固定具８１により密着固定されている。基板固定具８１を用いることにより、これらの基板等が密着固定された状態を維持すると共に、搬送中における基板のアライメントのズレを防ぐことができる。また、基板ステージ４０、デバイス基板１０、及びドナー基板２０は、複数（例えば２つ）の搬送具８２により下方から支持されている。搬送具８２は、例えば、これらの基板等を嵌合させる凹部が設けられた軸によって２つの車輪を連結した構造を有する。搬送具８２は、密着固定された基板等を縦型の状態で支持しつつ搬送する。さらに、スリット板５３は、例えばクリップ等の保持具８３によりドナー基板２０側に保持され、搬送具８２と共に移動可能に設けられている。

このように基板保持具（基板ステージ４０、スリット板５３）及び基板を縦型に配置する場合、真空チャンバ３０（図１参照）の側面に開口３０７及び窓３０８を設けると共に、光源６０を真空チャンバ３０の側方に配置する。そして、光源６０から出射した照射光Ｌを窓３０８及び開口３０７を介して転写室３０２内に入射させ、スリット板５３に設けられた開口５３１に照射し、該開口５３１の長手方向に沿って走査する。この際、照射強度の均一性を維持するためには、照射光Ｌのスキャン方向と基板との搬送方向とを略直交させることが好ましい。具体的には、図２３に示すように、基板を水平方向に搬送する場合には、スキャン方向が鉛直方向となるように、スリット板５３の配置方向を決定すると良い。

図２４は、デバイス基板１０及びドナー基板２０を複数の搬送ロール４５１、５５１により保持する機構（第１基板保持機構４５、第２基板保持機構５５、実施の形態３参照）を縦型にした例を示す。図２４において、デバイス基板１０及びドナー基板２０は重ね合わせられて、両者を把持する基板固定具８１により密着固定されている。また、デバイス基板１０及びドナー基板２０は、複数（例えば２つ）の搬送具８２により下方から支持されている。搬送具８２は、密着固定された基板を縦型の状態で支持しつつ搬送する。さらに、第１基板保持機構４５及び第２基板保持機構５５は、転写が行われる真空チャンバに固定されており、デバイス基板１０及びドナー基板２０を挟持しつつ、搬送ロール４５１、５５１を回転させることによりこれらの基板を移動させる。

図２５は、デバイス基板１０及びドナー基板２０を、搬送板４６及び複数の搬送ロール４５１、５５１により保持する機構（第１基板保持機構４５、第２基板保持機構５５、実施の形態４参照）を縦型にした例を示す。図２５において、搬送板４６、デバイス基板１０、及びドナー基板２０は重ね合わせられて、これらの基板等を把持する基板固定具８１により密着固定されている。また、搬送板４６、デバイス基板１０、及びドナー基板２０は、複数（例えば２つ）の搬送具８２により下方から支持されている。搬送具８２は、密着固定された基板等を縦型の状態で支持しつつ搬送する。さらに、第１基板保持機構４５及び第２基板保持機構５５は、転写が行われる真空チャンバに固定されており、搬送板４６、デバイス基板１０、及びドナー基板２０を挟持しつつ、搬送ロール４５１、５５１を回転させることによりこれらの基板等を移動させる。

図２６は、デバイス基板１０及びドナー基板２０を、円盤状をなす複数の搬送ロールにより保持する機構（実施の形態３及び４の変形例参照）を縦型にした例を示す。図２６において、デバイス基板１０を保持する第１基板保持機構４７は、連結部４７１により連結された複数の軸部４７２と、各軸部４７２に設けられた互いに径が等しい複数の搬送ロール４７３とを備える。また、ドナー基板２０を保持する第２基板保持機構５７は、連結部５７１により連結された複数の軸部５７２と、各軸部５７２に設けられた互いに径が等しい複数の搬送ロール５７３とを備える。これらの搬送ロール４７３、５７３は、互いにアライメントされた重ね合わせられたデバイス基板１０及びドナー基板２０を均一に押圧し、両者を密着させた状態で保持する。ドナー基板２０側の軸部５７２と平行な領域であって、搬送ロール５７３が設けられていない間隙５７４の領域は、光源６０（図１参照）から出射して開口３０７を通過した照射光を透過させる光透過部である。照射光Ｌを間隙５７４に照射し、軸部５７２と平行な方向に走査することにより、該間隙５７４から露出するドナー基板２０の領域を加熱し、当該領域において転写材料の転写を行うことができる。

図２６において、デバイス基板１０及びドナー基板２０は重ね合わせられて、両者を把持する基板固定具８１により密着固定されている。また、デバイス基板１０及びドナー基板２０は、複数（例えば２つ）の搬送具８２により下方から支持されている。搬送具８２は、これらの基板を縦型の状態で支持しつつ搬送する。さらに、第１基板保持機構４７及び第２基板保持機構５７は、転写が行われる真空チャンバに固定されており、デバイス基板１０及びドナー基板２０を挟持しつつ、搬送ロール４７３、５７３を回転させることによりこれらの基板を移動させる。

このように、デバイス基板１０及びドナー基板２０を縦型に保持する場合には、両基板の下端を搬送具８２に嵌合させることにより、両基板で対向する面と平行な方向における移動の自由度を減らすことができる。従って、両基板間におけるアライメント精度を向上させることが可能となる。

以下、実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
（実施例１）
ドナー基板を以下のとおり作製した。
支持体として２１４ｍｍ×２００ｍｍの無アルカリガラス基板を用い、光熱変換層として厚さ０．２μｍのチタン膜をスパッタリング法により全面形成した。続いて、光熱変換層上にポジ型ポリイミド系感光性コーティング剤（東レ株式会社製、ＰＷ−１２７０）をスピンコート塗布し、プリベーキング及びＵＶ露光を行った後、現像液（ＴＭＡＨ ２．３８％）によりストライプ状に露光部を溶解して除去した。このようにパターニングしたポリイミド前駆体膜をホットプレートにより約３５０℃で約１０分間ベーキングすることにより、基板内の中央部１６０ｍｍ角を有効エリアとしてポリイミド系樹脂の区画パターンを形成した。この区画パターンの厚さは８μｍ、断面は順テーパーの半円形状であり、その幅は２０μｍであった。区画パターン内部にはストライプ状の幅８０μｍの光熱変換層を露出する開口部が、それぞれ１００μｍのピッチで配置されていた。

続いて、区画パターンの全面にバリア層としてタンタルの金属層を０．４μｍの厚さでスパッタ製膜した。そして、スパッタ膜の表面にポジ型感光性レジスト（東京応化工業株式会社製：ＰＭＥＲ−Ｐ３００ＲＨ）を塗布し、区画パターン部以外を露光・溶解除去した。さらに、レジストの開口部にパーフルオロシランカップリング剤（フッ素を含むシランカップリング剤）のフッ素撥液処理剤（フロロテクノロジー社製：ＦＧ−５０１０）をスピンコート塗布した後に不要な薬剤を水洗し、フォトレジストを剥離した。

それによって得られた基板に、以下のように調製した転写材料の溶液を塗布することで、転写層を形成した。
下記化学式ＲＨ−１で示される赤色ホスト材料に対し、下記化学式ＲＤ−１で示される赤色ドーパント材料を０．５質量％の比率で混合した赤色発光材料を０．５質量％含むキシレン溶液を調製した。このキシレン溶液を、基板上のストライプ状をなす開口部に２行間隔で、３００μｍのピッチにてインクジェット塗布し、区画パターンの開口部に平均厚さ３５ｎｍの転写層を形成した。

また、下記化学式ＧＨ−１で示される緑色ホスト材料（トリス（８−キノリノラート）アルミニウムＡｌｑ３）を０．５質量％含むキシレン溶液を調製し、基板上のストライプ状をなす開口部のうち上記赤色の転写層と隣接する行に、３００μｍピッチにてインクジェット塗布し、区画パターンの開口部に３０ｎｍの転写層を形成した。

また、下記化学式ＢＨ−１で示される青色ホスト材料に対し、下記化学式ＢＤ−１で示される青色ドーパント材料を０．５質量％の比率で混合した青色発光材料を０．３質量％含むキシレン溶液を調製した。このキシレン溶液を、基板上のストライプ状をなす開口部の残りの行に、３００μｍピッチにてインクジェット塗布し、区画パターンの開口部に平均厚さ２０ｎｍの転写層を形成した。

一方、デバイス基板を以下のとおり作製した。
ＩＴＯ透明導電膜を１４０ｎｍ堆積させた無アルカリガラス基板（ジオマテック株式会社製、スパッタリング成膜品）を２１４×１９０ｍｍに切断し、フォトリソグラフィ法によりＩＴＯを所望の形状にエッチングした。この上層に、ドナー基板と同様にパターニングされたポリイミド前駆体膜を形成し、３００℃、１０分間ベーキングすることにより、ポリイミド系の絶縁層を形成した。この絶縁層の厚さは２．０μｍ、幅は３０μｍであった。また、絶縁層のパターン内部には幅７０μｍ、長さ２７０μｍのＩＴＯが露出した開口部が、それぞれ１００、３００μｍのピッチで配置されていた。この基板をＵＶオゾン処理し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が３×１０^−４Ｐａ以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、正孔輸送層として、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を２０ｎｍ厚、ＮＰＤを４０ｎｍ厚で、発光領域全面に蒸着により積層した。

続いて、実施の形態１に係る転写装置を用い、デバイス基板とドナー基板を重ね合わせて転写材料の転写を行った（図５〜図１３Ｂ参照）。このとき、ドナー基板の保持機構として、櫛型状をなす互い咬合可能な２つの櫛型支持具（図３参照）を用いた。これらの櫛型視治具の櫛歯の幅は１０ｍｍ、櫛歯の長さは２００ｍｍ、厚さは１５ｍｍ、櫛歯の間隔は２０ｍｍであった。また、各櫛型支持具のドナー基板との当接面には、縦横２０ｍｍの間隔で弾性体が設けられていた。

まず、真空内において、ドナー基板を一方の櫛型支持具に載置する一方、デバイス基板を基板ステージに静電吸着させて固定した。続いて、デバイス基板の被転写面とドナー基板の転写面とを対向させた。そして、ドナー基板に設けられた区画パターンとデバイス基板に設けられた絶縁層との位置が合うようにアライメントし、重ね合わせた。このとき、真空チャンバ内の圧力は３×１０^−４Ｐａ以下であった。また、このときのアライメント精度は±３μｍ以内であった。

さらに、櫛型支持具に設けられた弾性体を介してドナー基板をデバイス基板に多点で押し付け、基板の歪みや厚み誤差を吸収して均一に押圧することとした。このときの加重は全体で１００Ｎであった。

この状態で転写層の一部と区画パターンの一部が同時に加熱されるように、ドナー基板の支持体（ガラス基板）側から中心波長８００ｎｍのレーザー（半導体レーザーダイオード）を照射し、ドナー基板の転写層を加熱し、デバイス基板の下地層である正孔輸送層上に転写材料を転写した。このときのレーザ強度は約３００Ｗ／ｍｍ^２、スキャン速度は１．２５ｍ／ｓであり、発光領域全面に転写されるように、レーザをオーバーラップさせる方式で１０回に分けて繰り返しスキャンを実施した。これより、ドナー基板に対する照射予定エリアの半分に対する照射が終了し、予定の半分量の転写が完了した。

次に、ドナー基板保持機構のもう一方の櫛型支持具を先の櫛型支持具の間隙に挿入してドナー基板を保持した後、先の櫛型支持具を抜去し、間隙に露出したドナー基板のレーザ未照射部にレーザを照射した。これより、ドナー基板に対する照射予定エリア全体の照射を完了した。その後、ドナー基板からデバイス基板を離間させた。

続いて、真空中において、転写により発光領域が形成されたデバイス基板の全面に対し、電子輸送層として下記化学式Ｅ−１で示される材料を、抵抗加熱蒸着法により約２５ｎｍの厚さに形成した。次に、ドナー材料（電子注入層）としてフッ化リチウムを０．５ｎｍの厚さに形成した。さらに、陰極としてアルミニウムを１００ｎｍの厚さに蒸着することにより、５ｍｍ角の発光領域をもつ有機ＥＬ素子を作製した。

続いて、有機ＥＬ素子を窒素雰囲気中に取り出し、発光領域が外気に触れて劣化しないようにカバーガラスで封止し、該有機ＥＬ素子に２．５ｍＡ／ｃｍ^２の電流を流して点灯試験を行った。

その結果を図２７に示す。図２７は、実施例１に係る有機ＥＬ素子の発光領域を点灯させた状態で撮像した写真を拡大したものである。なお、発光領域の各行を指す色名は、当該行に転写された発光材料の色を示す。この有機ＥＬ素子においては、赤、緑、及び青の３色とも均一で良好な発光を示した。これは、隣接する区画間において混色が生じていないことを示しており、実施の形態１に係るデバイス製造方法により、良好な有機ＥＬ素子が得られることが確認された。

（実施例２）
実施の形態３に係る転写装置を用い、デバイス基板とドナー基板を重ね合わせて転写材料の転写を行った。このとき使用した基板保持機構は、図２８に示すように、複数の搬送ロールを備える機構であった。なお、デバイス基板及びドナー基板の構成及び作製方法は、実施例１と同様である。

ここで、図２８に示すように、デバイス基板１０を保持する基板保持機構４８は、連結部４８２によって互いに連結された円柱状の複数の搬送ロール４８１を備える。本実施例２において、デバイス基板１０は、５ｍｍ厚のＳＵＳからなる補強板４９により支持されており、複数のロール４８１は、補強板４９に当接するように設けられている。一方、ドナー基板２０を保持する基板保持機構５８は、連結部５８２によって互いに連結された複数の搬送ロール５８１を備える。各搬送ロール５８１は、つるまきバネ状の弾性体５８３を介して連結部５８２に取り付けられている。また、各搬送ロール５８１は、ドナー基板２０の光入射面に当接するように設けられている。さらに、補強板４９、デバイス基板１０、及びドナー基板は、端部を基板固定具８５に把持されることにより、互い固定されている。

各搬送ロール４８１、５８１の軸方向の長さは２１０ｍｍ、外径は１０ｍｍであり、隣接する搬送ロール４８１、５８１の間隔は２０ｍｍであった。各搬送ロール４８１、５８１は、ＳＵＳからなる軸部（図示せず）と、該軸部の周囲に設けられた、例えばブチルゴム等の弾性体からなるロール部４８５、５８５とによって形成した。このロール部４８５、５８５の表面に凹凸を形成することにより、デバイス基板及びドナー基板を均一に押圧できるようにした。

また、実施例２においては、光源６０（図１参照）の光出射口６０１を２箇所に設け、両者の間隔を６０ｍｍとして互いに平行に配置した。

このような転写装置において、まず、デバイス基板１０とドナー基板２０とをアライメントして重ね合わせ、位置ズレが生じないように端部を強力に固定した。そして、デバイス基板１０の支持体側にＳＵＳ製の補強板４９を重ね合わせ、並列に配置された搬送ロール４８１、５８１により挟持した。この際、弾性体５８３の作用により、搬送ロール５８１全体が上方に押し付けられ、ドナー基板をデバイス基板に密着させることができた。

互いに重ね合わせられた基板を搬送ロール４８１、５８１の間で連続的に２ｍｍ／ｍｉｎの速度で水平搬送しながら、搬送ロール５８１の間隙５８４にレーザによる照射光Ｌを照射した。このときの、レーザの条件は実施例１と同様である。この際、ドナー基板２０の幅の中央に存在する１６０ｍｍ角の有効エリアにレーザを照射できるように、レーザの幅（光軸と直交する断面における長さ）ｄを１７０ｍｍとし、基板の搬送方向（Ｘ方向）と直交する方向（Ｚ方向）に照射した。照射光Ｌは、一部をオーバーラップさせつつ、１つの間隙５８４を１０回走査することにより、１０回に分けて転写を行った。
この後、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、点灯評価を行った。

その結果、この有機ＥＬ素子においては、赤、緑、及び青の３色とも均一で良好な発光を示した。これは、隣接する区画間において混色が生じていないことを示しており、実施の形態３に係るデバイス製造方法により、良好な有機ＥＬ素子が得られることが確認された。

（実施例３）
実施の形態２に係る転写装置を用い、デバイス基板とドナー基板を重ね合わせて転写材料の転写を行った。このとき使用した基板保持機構は、図１９に示すように、互いに平行な複数のスリット状の開口５３１が設けられたスリット板５３であった。開口５３１の幅（短手方向の長さ）は１２ｍｍであり、長さ（長手方向の長さ）は１７５ｍｍであり、開口５３１は２０ｍｍ間隔で設けられていた。また、スリット板５３のドナー基板の支持面には、図２０Ａに示すような弾性体５３２が設けられていた。なお、デバイス基板及びドナー基板の構成及び作製方法は、実施例１と同様である。

このような転写装置において、まず、ドナー基板を基板保持機構（スリット板５３）上に載置し、上方から基板ステージに保持されたデバイス基板を近づけ、両者をアライメントして重ね合わせて加圧した。このとき加圧力は、全体として約１００Ｎであった。この状態で、スリット板５３の開口５３１にレーザによる照射光を、実施例１と同様にオーバーラップさせながら照射した。これより、ドナー基板に対する照射予定エリアの半分に対する照射が終了し、予定の半分量の転写が完了した。

続いて、デバイス基板とドナー基板とを重ね合わせたまま、スリット板をドナー基板から一端離間させ、ドナー基板２０に対する位置を１０ｍｍ移動させた後に、再びドナー基板に当接させた。この際、デバイス基板とドナー基板とにアライメントのズレは生じていなかった。

続いて、デバイス基板とドナー基板とを互いに加圧した状態で、スリット板５３の開口５３１にレーザによる照射光を照射した。これより、ドナー基板に対する照射予定エリア全体の照射を完了した。
この後、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、点灯評価を行った。

その結果、この有機ＥＬ素子においては、赤、緑、及び青の３色とも均一で良好な発光を示した。これは、隣接する区画間において混色が生じていないことを示しており、実施の形態２に係るデバイス製造方法により、良好な有機ＥＬ素子が得られることが確認された。

（実施例４）
実施の形態５に係る転写装置を用い、デバイス基板とドナー基板を重ね合わせて転写材料の転写を行った。このとき使用した基板保持機構は、図２３に示すように、両基板を縦型に保持する機構であった。また、ドナー基板に当接するスリット板５３の開口５３１の幅は１２ｍｍであり、長さは１７５ｍｍであり、開口５３１は２０ｍｍ間隔で設けられていた。スリット板５３のドナー基板の支持面には、図２０Ａに示すような弾性体５３２が設けられていた。なお、デバイス基板及びドナー基板の構成及び作製方法は、実施例１と同様である。

このような転写装置において、まず、予めアライメントされたデバイス基板及びドナー基板に対し、ドナー基板の光入射面側にスリット板５３を当接させて加圧した。このときの加圧力は、全体として１００Ｎであった。この状態で、スリット板５３の開口５３１にレーザによる照射光を、実施例１と同様にオーバーラップさせながら照射した。これより、ドナー基板に対する照射予定エリアの半分に対する照射が終了し、予定の半分量の転写が完了した。

続いて、デバイス基板とドナー基板とを重ね合わせたまま、スリット板をドナー基板から一端離間させ、ドナー基板２０に対する位置を１０ｍｍ移動させた後に、再びドナー基板に当接させた。この際、デバイス基板とドナー基板とにアライメントのズレは生じていなかった。

続いて、デバイス基板とドナー基板とを互いに加圧した状態で、スリット板５３の開口５３１にレーザによる照射光を照射した。これより、ドナー基板に対する照射予定エリア全体の照射を完了した。
この後、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、点灯評価を行った。

その結果、この有機ＥＬ素子においては、赤、緑、及び青の３色とも均一で良好な発光を示した。これは、隣接する区画間において混色が生じていないことを示しており、実施の形態５に係るデバイス製造方法により、良好な有機ＥＬ素子が得られることが確認された。

（比較例１）
ドナー基板を保持する基板保持機構として、図２９に示すように、枠体９２からなる基板保持具を用いた。即ち、真空中において、枠体９２上にドナー基板２０を載置し、基板ステージ９１により保持されたデバイス基板を対向させてアライメントを行った。なお、図２９においては、理解を助けるために、基板ステージ９１、デバイス基板１０、ドナー基板２０、及び枠体９２を互いに分離して示している。なお、デバイス基板１０及びドナー基板２０は、実施例１と同様である。

この状態で、枠体９２の開口部９３に対し、レーザによる照射光を実施例１と同様に走査しながら照射することにより、転写材料の転写を行った。
この後、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、点灯評価を行った。

その結果を図３０に示す。図３０は、比較例１に係る有機ＥＬ素子の発光領域を点灯させた状態で撮像した写真を拡大したものである。なお、発光領域の各行を指す色名は、当該行に転写されるべき発光材料の色を示し、「赤混色」と追記された行は、当該行に赤色の発光材料が混入したことを示す。なお、図３０における発光領域の色調（例えば、混色が生じていない赤色の発光領域参照）は、図２７における色調と異なっているが、これは撮影条件に起因するものである。

この有機ＥＬ素子においては、本来転写されるべきではない領域に転写がなされ、各区画に混色が発生していることが認められた。これは、枠体９２でドナー基板２０を支持したことにより、ドナー基板２０が自重により撓み、デバイス基板１０とドナー基板２０との間にギャップが生じ、転写時に、隣接する区画間で転写材料が混入してしまったものと考えられる。これより、比較例１による方式では、混色のない有機ＥＬ素子を作製することが困難であることが確認された。

（比較例２）
図３１に示す筐体９３の内部にデバイス基板及びドナー基板を封入し、大気中において転写を行うこととした。
筐体９３は、厚みが約１ｍｍのＳＵＳ等の金属によって形成されている。筐体９３は、デバイス基板１０が載置されるベース部９３１と、デバイス基板１０及びドナー基板２０を覆う蓋部９３２とを備える。ベース部９３１と蓋部９３２との間には両者間を密閉するシール部材９３３、９３４が配置されている。このシール部材９３３、９３４をゴム等の弾性部材で形成することにより、蓋部９３２をベース部９３１に押し付けることにより、ドナー基板２０を均一に押圧することができる。また、蓋部９３２には、照射光Ｌが透過可能な透明剛体からなる光透過部９３５が設けられている。

このような筐体９３並びにデバイス基板１０及びドナー基板２０を真空チャンバ内に配置し、ベース部９３１上において、減圧下で基板同士をアライメントした。続いて、蓋部９３２により筐体９３を密閉して、筐体９３を大気中に取り出した。このとき、筐体９３内は真空に保たれていた。そして、光透過部９３５にレーザ等の光源９４から出射した照射光Ｌを照射することにより、転写材料の転写を行った。続いて、筐体９３を再び真空チャンバ内に戻し、減圧下で筐体９３を開き、デバイス基板１０を取り出した。
この後、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、点灯評価を行った。

その結果を図３２に示す。図３２は、比較例２に係る有機ＥＬ素子の発光領域を点灯させた状態で撮像した写真を拡大したものである。なお、発光領域の各行を指す色名は、当該行に転写されるべき発光材料の色を示し、「赤混色」と追記された行は、当該行に赤色の発光材料が混入したことを示す。なお、図３２における発光領域の色調（例えば、混色が生じていない赤色の発光領域参照）は、図２７における色調と異なっているが、これは撮影条件に起因するものである。

デバイス基板１０の中央部においては、部分的に混色が少ない領域もあったが、有効エリア内であっても、発光ムラが発生する部分が認められた。これは、筐体９３を大気中に取り出した際に、大気圧により筐体９３に歪みが生じ、互いに重ね合わせられた基板間にギャップが発生して混色が生じたものと考えられる。

このように、基板を大面積化する場合には筐体９３も大型になるため、筐体９３の強度を保つための負担が過大となる。

以上の結果より、本発明の各実施の形態においては、真空チャンバ内における転写を複数段階で行う必要があるものの、基板の歪みによるギャップの発生を防ぎ、転写先のデバイス基板における発光領域の混色を抑制できることがわかった。

上記実施例１〜４においては、２００ｍｍ程度のサイズのデバイス基板を作製したが、各実施の形態において用いられる基板保持機構を大型化することにより、さらに大きな基板の加工も可能となる。また、基板保持機構に適宜補強部材を設けることにより、十分な強度を得ることも可能となる。

以上説明した本発明は、実施の形態１〜５及びそれらの変形例に限定されるものではなく、各実施の形態や変形例に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることによって、種々の発明を形成できる。例えば、各実施の形態や変形例に示される全構成要素からいくつかの構成要素を除外して形成しても良いし、異なる実施の形態や変形例に示した構成要素を適宜組み合わせて形成しても良い。

１ 転写装置
１０、７０ デバイス基板
１１、２１、７１ 支持体
１２ ＴＦＴ層
１３ 平坦化層
１４ 絶縁層
１５ 第１電極層
１６ 正孔輸送層
１７Ｒ、１７Ｇ、１７Ｂ 発光層
１８ 電子輸送層
１９ 第２電極層
２０、２０−１、２０−２ ドナー基板
２１ 支持体
２３ 光熱変換層
２４、２４ａ、２４ｂ、２４ｃ 区画パターン
２５ バリア層
２７、２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂ、２８ 転写層
３０ 真空チャンバ
４０、９１ 基板ステージ
４２ 弾性体
４５、４７、４８、５０、５５、５７、５８ 基板保持機構
４６ 搬送板
４９ 補強板
５３ スリット板
６０ 光源
７２ ゲート絶縁層
７３ ゲート電極
７４ 第１電極
７５ 第２電極
７６ 絶縁層
７７ 転写膜
８１、８５ 基板固定具
８２ 搬送具
８３ 保持具
９２ 枠体
９３ 筐体
１００ 制御部
３００ 減圧機構
３０１ 前処理室
３０２ 転写室
３０３ 後処理室
３０４ 連結口
３０６ ゲートバルブ
３０７ 開口
３０８ 窓
４５１、４７３、４８１、５５１、５７３、５８１ 搬送ロール
４５２、４７１、４８２、５１２、５２２、５５２、５７１、６０２ 連結部
４５４、４７２、５７２ 軸部
４５５、４８５ ロール部
５０１ 弾性体
５１０、５２０ 櫛型支持具
５１１、５２１ 櫛歯
５１３、５２３ 基板支持面
５１４、５２４、５５３、５７４、５８４ 間隙
５１５、５２５、５３３、４５６、５５６ 駆動機構
５３１ 開口
５３２、５８３ 弾性体
５３４ 支持体
５８２ 連結部
６０１ 光出射口
９３１ ベース部
９３２ 蓋部
９３３ シール部材
９３５ 光透過部

Claims (10)

1. 有機機能素子が形成される第１の基板に対し、照射された光を熱に変換する光熱変換層と転写材料を含む転写層とが設けられた第２の基板を重ね合わせ、前記第２の基板に光を照射することにより前記転写層を加熱し、昇華又は蒸発した前記転写材料を前記第１の基板に転写する転写装置において、
   前記第１及び第２の基板が配置されるチャンバと、
   前記チャンバ内において少なくとも前記第２の基板を保持する基板保持機構であって、前記転写材料が転写される面である前記第１の基板の被転写面と、前記転写層が設けられた面である前記第２の基板の転写面とを対向させ、前記第１及び第２の基板を重ね合わせた状態で保持する基板保持機構と、
   前記基板保持機構に向けて光を出射する光出射部と、
   を備え、
   前記基板保持機構に、前記光出射部から出射した前記光を透過させる光透過部であって、前記第２の基板に対して移動可能な少なくとも１つの光透過部が設けられていることを特徴とする転写装置。
2. 前記基板保持機構は、互いに咬合可能な櫛型状をなし、各々が前記第２の基板の前記転写面と反対側の面を支持可能な２つの支持具と、
   前記２つの支持具の各々を移動させる駆動機構と、
   を備え、
   前記光透過部は、前記２つの支持具の各々が有する櫛歯の隙間領域であり、
   前記２つの支持具に前記第２の基板を交互に支持させることにより、前記第２の基板に対して前記光透過部の位置が変化することを特徴とする請求項１に記載の転写装置。
3. 前記基板保持機構は、スリット状をなす少なくとも１つの開口が設けられ、前記第２の基板の前記転写面と反対側の面を支持可能な支持部材と、
   前記支持部材を移動させる駆動機構と、
   を備え、
   前記光透過部は、前記少なくとも１つの開口であり、
   前記反対側の面に対する前記支持部材の当接位置を移動させることにより、前記第２の基板に対して前記光透過部の位置が変化することを特徴とする請求項１に記載の転写装置。
4. 前記基板保持機構は、円柱形状をなし、外周面を前記第２の基板の前記転写面と反対側の面に当接させ、互いに平行な軸を中心としてそれぞれ回転可能な複数の回転体であって、前記反対側の面の側に、互いに平行且つ間隙を空けて配置された複数の回転体を備え、
   前記光透過部は、隣り合う前記複数の回転体の間隙であり、
   前記複数の回転体を回転させて、前記第２の基板に対する前記複数の回転体の当接位置を変化させることにより、前記第２の基板に対して前記光透過部の位置が変化することを特徴とする請求項１に記載の転写装置。
5. 前記第１の基板を保持する保持機構であって、円柱形状をなし、外周面を前記第１の基板の前記被転写面と反対側の面に当接させて回転可能な複数の第２の回転体を有する保持機構をさらに備え、
   前記複数の回転体と前記複数の第２の回転体とを回転させることにより、前記第１及び第２の基板が一体的に搬送されることを特徴とする請求項４に記載の転写装置。
6. 前記第１の基板を保持する保持機構であって、
   互いに対向する第１及び第２の面を含み、前記第１の面により前記第１の基板を保持可能な板状部材と、
   円柱形状をなし、外周面を前記板状部材の前記第２の面に当接させて回転可能な複数の第２の回転体と、
   を有する保持機構をさらに備え、
   前記複数の回転体と前記複数の第２の回転体とを同期させて回転させることにより、前記板状部材並びに前記第１及び第２の基板が一体的に搬送されることを特徴とする請求項４に記載の転写装置。
7. 前記第１及び第２の基板は、前記転写面及び前記被転写面を水平にして保持されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の転写装置。
8. 前記第１及び第２の基板は、前記転写面及び前記被転写面を鉛直方向と平行に向けて保持されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の転写装置。
9. 有機機能素子が形成される第１の基板に対し、照射された光を熱に変換する光熱変換層と転写材料を含む転写層とが設けられた第２の基板を重ね合わせ、前記第２の基板に光を照射することにより前記転写層を加熱し、昇華又は蒸発した前記転写材料を前記第１の基板に転写する転写方法において、
   前記転写材料が転写される面である前記第１の基板の被転写面と、前記転写層が設けられた面である前記第２の基板の転写面とを対向させ、前記第１及び第２の基板を重ね合わせてチャンバ内に配置する基板配置工程と、
   前記第２の基板に光を照射して前記転写層を加熱することにより、前記転写材料を前記被転写面に転写する光照射工程と、
   を含み、
   前記第２の基板は、該第２の基板に向けて照射された光を透過させる少なくとも１つの光透過部が設けられた基板保持機構によって保持され、
   前記光照射工程は、
   前記基板保持機構に向けて１回目の光照射を行うことにより、前記光透過部を透過した前記光を前記第２の基板の第１の領域に照射する第１光照射工程と、
   前記第２の基板に対する前記基板保持機構の位置を移動させて２回目の光照射を行うことにより、前記光透過部を透過した前記光を、前記第２の基板の前記第１の領域とは異なる第２の領域に照射する第２光照射工程と、
   を含むことを特徴とする転写方法。
10. 請求項９に記載の転写方法と、
    支持体上に下地層を形成することにより、前記転写方法において使用される前記第１の基板を作製する工程と、
    前記転写方法により前記転写材料が転写された前記第１の基板に上層を形成する工程と、
    を含むことを特徴とするデバイス製造方法。