JP2014175494A - 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法および基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】メンテナンス等による炉内部材の交換により金属汚染レベルが高くなるのを抑制する。
【解決手段】複数枚の基板６０を縦方向に間隔を置いて保持する基板保持具を収容して基板６０を処理する処理室と、処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、処理ガス供給部に接続され、処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給ノズル４０と、を有し、処理ガス供給ノズル４０には基板６０の中心６０１と処理ガス供給ノズル４０の中心４０１とを結ぶ線１００の両側に少なくとも一つずつガス供給孔５２が設けられている。
【選択図】図３

Description

本発明は、基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法および基板の製造方法に係り、特に熱処理炉内に設けられた処理ガス供給ノズルからのガス流の向きを変更することにより炭化珪素ウエハの金属汚染レベルを低減させる技術に関するものである。

炭化珪素（ＳｉＣ）は、珪素（Ｓｉ）に比べてエネルギーバンドキャップが大きいことや、絶縁耐圧が高いことから、特にパワーデバイス用素子材料として注目されている。

基板処理装置である例えばＳｉＣエピタキシャル成膜装置やＳｉＣアニール装置は、ＳｉＣのエピタキシャル成膜温度が９００〜１２００℃であるのに対し、ＳｉＣエピタキシャル成膜温度やＳｉＣアニール処理温度が１５００〜２０００℃程度と高いことから、成膜装置の耐熱構造や原料の分解抑制に技術的な工夫が必要である。また、ＳｉとＣの２元素の反応で成膜が進むため、膜厚や組成均一性の確保、ドーピングレベルの制御技術にもシリコン系の基板処理装置にはない工夫が必要となる。

特開２００５−１９７３７３号公報

従来の基板処理装置においては、炉内部材から発生する金属分子を含むパーティクルが処理ガスの流れに伴って基板上を流通するため、これにより基板の金属汚染レベルが高くなるという課題があった。また、基板処理装置により処理されるデバイスを金属汚染させてしまうおそれがあり、金属汚染されたデバイスが次工程の基板処理装置に搬入されることにより、次工程の基板処理装置も金属汚染させてしまうおそれがあった。

本発明の目的は、メンテナンス等による炉内部材の交換により金属汚染レベルが高くなるのを抑制することができる基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法および基板の製造方法を提供することにある。

本発明の一態様によれば、複数枚の基板を縦方向に間隔を置いて保持する基板保持具を収容して前記基板を処理する処理室と、前記処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理ガス供給部に接続され、前記処理室内に前記処理ガスを供給する処理ガス供給ノズルと、を有し、前記処理ガス供給ノズルには前記基板の中心と前記処理ガス供給ノズルの中心とを結ぶ線の両側に少なくとも一つずつガス供給孔が設けられている基板処理装置が提供される。

本発明の他の一態様によれば、基板保持具に基板を保持して処理室に搬入する工程と、前記基板保持具に基板を保持した際の前記基板の中心と前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給ノズルの中心とを結ぶ線の両側に少なくとも一つずつ設けられたガス供給孔から前記処理室内に前記処理ガスを供給して前記基板を処理する工程と、を有する、半導体装置の製造方法が提供される。

本発明の他の一態様によれば、基板保持具に基板を保持して処理室に搬入する工程と、前記基板保持具に基板を保持した際の前記基板の中心と前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給ノズルの中心とを結ぶ線の両側に少なくとも一つずつ設けられたガス供給孔から前記処理室内に前記処理ガスを供給して前記基板を処理する工程と、を有する基板処理方法が提供される。

本発明の更に他の一態様によれば、基板保持具に基板を保持して処理室に搬入する工程と、前記基板保持具に基板を保持した際の前記基板の中心と前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給ノズルの中心とを結ぶ線の両側に少なくとも一つずつ設けられたガス供給孔から前記処理室内に前記処理ガスを供給して前記基板を処理する工程と、を有する、基板の製造方法が提供される。

本発明によれば、炉内部材により金属汚染レベルが高くなるのを抑制できる基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法および基板の製造方法を提供することが可能となる。

本発明の実施形態で好適に用いられる縦型処理装置の縦断面図である。 本発明の実施形態で好適に用いられる縦型処理装置の熱処理炉の縦断面図である。 図２の高さＸ位置における円筒発熱体内の処理ガス供給ノズルの横断面図である。 本発明の実施形態で好適に用いられる処理ガス供給ノズルを概略的に示す斜視図である。 図２の高さＹ位置における円筒発熱体内の不活性ガス供給ノズルからの不活性ガスの供給状態を示す図で、（ａ）は横断面図、（ｂ）は部分的拡大縦断面図である。 図２の高さＸ位置における従来の縦型処理装置における円筒発熱体内の処理ガス供給ノズルの横断面図である。 本発明の実施形態で好適に用いられる縦型処理装置の制御構成を示すブロック図である。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。本実施形態に係る基板処理装置として、半導体装置〔ＩＣ（Integrated Circuit）〕の製造に使用される半導体製造装置である縦型処理装置を使用した場合について述べる。

図１に示すように、シリコン等からなる不図示のウエハ（基板）６０を収納したウエハキャリアとしてフープ（基板収容器、以下ポッドという。）Ｐが使用されている本実施形態の縦型処理装置１は、その外殻を形成する筐体２を備えている。筐体２の正面壁２ａの正面前方部にはメンテナンスを可能とするために設けられた開口部として正面メンテナンス口３が開設され、この正面メンテナンス口３にはこれを開閉する正面メンテナンス扉４が設けられている。

筐体２の正面壁２ａにはポッド搬入搬出口５が筐体２の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口５はフロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）６によって開閉されるようになっている。ポッド搬入搬出口５の正面前方側にはロードポート（基板収容器受渡し台）７が設置されており、ロードポート７はポッドＰを載置されて位置合わせするように構成されている。ポッドＰはロードポート７上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、また、ロードポート７上から搬出されるようになっている。

筐体２内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚（基板収容器載置棚）８が設置されており、回転式ポッド棚８は複数個のポッドＰを保管するように構成されている。すなわち、回転式ポッド棚８は垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱８ａと、支柱８ａに上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板（基板収容器載置台）８ｂとを備えており、複数枚の棚板８ｂはポッドＰを複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。

筐体２内におけるロードポート７と回転式ポッド棚８との間には、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）９が設置されており、ポッド搬送装置９は、ポッドＰを保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）９ａ、と搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）９ｂとで構成されており、ポッド搬送装置９はポッドエレベータ９ａとポッド搬送機構９ｂとの連続動作により、ロードポート７、回転式ポッド棚８、ポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１０との間で、ポッドＰを搬送するように構成されている。

筐体２内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体１１が後端にわたって構築されている。サブ筐体１１の正面壁１１ａには、ウエハ６０をサブ筐体１１内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口１２には一対のポッドオープナ１０が設置されている。

ポッドオープナ１０はポッドＰを載置する載置台１３と、ポッドＰのキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１４とを備えている。ポッドオープナ１０は載置台１３に載置されたポッドＰのキャップをキャップ着脱機構１４によって着脱することにより、ポッドＰのウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。

サブ筐体１１は、ポッド搬送装置９や回転式ポッド棚８の設置空間から流体的に隔絶された移載室１５を構成している。移載室１５の前側領域にはウエハ移載装置１６が設置されており、ウエハ移載装置１６は、ウエハ６０を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載機構１６ａと、ウエハ移載機構１６ａを昇降させるためのウエハ移載機構エレベータ１６ｂとで構成されている。図１に模式的に示されているようにウエハ移載機構エレベータ１６ｂは、筐体２とサブ筐体１１の移載室１５との間に設置されている。これら、ウエハ移載機構エレベータ１６ｂおよびウエハ移載機構１６ａの連続動作により、ウエハ移載機構１６ａのツイーザ（基板保持体）１６ｃをウエハ６０の載置部として、ボート（基板保持具）１８に対してウエハ６０を装填（チャージング）および脱装（ディスチャージング）するように構成されている。

移載室１５の後側領域には、ボート１８を収容して待機させる待機部１９が構成されている。待機部１９の上方には、熱処理炉２０が設けられている。熱処理炉２０の下端部は、炉口シャッタ（炉口開閉機構）２１により開閉されるように構成されている。

図１に模式的に示されているように、筐体２とサブ筐体１１の待機部１９との間にはボート１８を昇降させるためのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）（図示省略）が設置されている。ボートエレベータの昇降台に連結された連結具としてのアーム２２には蓋体としてのシールキャップ２３が水平に据え付けられている。シールキャップ２３は、ボート１８を垂直に支持し、反応管２５の下端開口部を閉塞可能なように構成されている。

ボート１８は、複数本の保持部材１８ａを備えており、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウエハ６０をその中心を揃えて鉛直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。なお、図１のサブ筐体１１におけるボート１８の背面側には清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエアを供給するファンおよび防塵フィルタで構成されたクリーンユニット（図示省略）が設置されている。ウエハ移載機構１６とクリーンユニットとの間には、ウエハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置（図示省略）が設置されていても良い。

クリーンユニットから吹き出されたクリーンエアは、ウエハ移載装置１６、待機部１９にあるボート１８に流通された後、図示しないダクトにより吸い込まれ、筐体２の外部に排気がなされるか、クリーンユニット内に吸い込まれて再びクリーンユニットから移載室１５内に吹き出されるように構成されている。

また、縦型処理装置には、縦型処理装置自体の動作を制御するコントローラ２４が設けられている。コントローラ２４は信号線Ａを通じてフロントシャッタ６およびポッドオープナ１０を、信号線Ｂを通じてポッド搬送装置９を、信号線Ｃを通じて支柱８ａを、信号線Ｄを通じてウエハ移載機構１６を、信号線Ｅ通じて圧力コントローラを、信号線Ｆを通じて駆動コントローラを、信号線Ｇを通じて温度コントローラを、信号線Ｈを通じてクリーンユニットを、信号線Ｉを通じて熱移動部を、制御するように構成されている。

図２に示すように熱処理炉２０には、ＳｉＣ基板であるウエハ６０を処理する例えば石英製の反応管２５が設けられ、反応管２５の下端には、上端と下端にそれぞれ上部フランジ２６ａと下部フランジ２６ｂを有する円筒形状のインレットフランジ２６が気密に設けられている。インレットフランジ２６の下端開口は、炉口部２７を形成しており、炉口部２７はシールキャップ２３、炉口シャッタ２１の何れかによって択一的に閉塞されるようになっている。

反応管２５内には、ボート１８の装入時に該ボート１８を覆うように、有天筒状の円筒発熱体２８がインレットフランジ２６に立設され、反応管２５の外側には、反応管２５を取り巻くように磁場発生用のコイル２９がアルミナ等のセラミック材からなるコイル支持柱３０を介して配置されている。円筒発熱体２８と反応管２５との間には、円筒発熱体２８を覆うように有天筒状の断熱部３１がインレットフランジ２６に立設されている。断熱部３１は、内層側に設けられたカーボンフェルト等からなる断熱材３２と、外層側に設けられた断熱材ケーシング３３とが一体化された２重構造となっている。

コイル２９は、図７に示す温度制御部５４と電気的に接続され、該温度制御部５４によりコイル２９による加熱が制御される。また、コイル２９およびコイル支持柱３０は、反応管２５を冷却する水冷壁３４や電磁波および熱の外部への漏洩を防止する筐体カバー等の外壁３５によって覆われており、コイル支持柱３０および外壁３５はヒータベース３６によって支持されている。

また、少なくとも円筒発熱体２８、インレットフランジ２６およびシールキャップ２３により反応室３７が区画形成される。ボート１８が反応室３７に装入された状態では、コイル２９と対向する位置にウエハ６０が装填され、該ウエハ６０よりも下方には断熱板３８が装填されている。これにより、反応管２５とインレットフランジ２６、該インレットフランジ２６とシールキャップ２３の接続部等に設けられたシール部材（図示省略）の温度上昇が抑制されるようになっている。また、シールキャップ２３は、図示しない昇降機構に支持されている。シールキャップ２３には、ボート１８を回転するボート回転機構３９が設けられている。

インレットフランジ２６の周面には、処理ガス供給ノズル４０に接続された処理ガス供給部である処理ガス供給管４１と、第１，第２のパージガス供給ノズル４２、４３に接続されたパージガス供給管４４とが貫通した状態で設けられていると共に、反応管２５内を排気する排気管４５が設けられている。処理ガス供給管４１はバルブ４６および流量調節器４７を介して処理ガス供給源に接続されている。パージガス供給管４４はバルブ４８および流量調節器４９を介して例えばアルゴン等のパージガスを供給するパージガス供給源に接続されている。排気管４５は、圧力調整弁５０を介して真空ポンプ５１に接続されている。

処理ガス供給ノズル４０は、図３ないし図４に示すようにウエハ６０の中心６０１と処理ガス供給ノズル４０の中心４０１とを結ぶ線１００の左右に少なくとも一つずつガス供給孔５２，５２が設けられており、これにより処理ガスの噴出方向がウエハ６０に直接当たらない方向になるように構成されている。

ＳｉＣエピタキシャル膜を成膜する縦型処理装置１を構成する各部の制御構成について説明すると、図７に示すように温度制御部５４、処理ガスや不活性ガス等のガス流量制御部５５、圧力制御部５６、駆動制御部５７は、操作部および入出力部を構成し、縦型処理装置１全体を制御する主制御部５８に電気的に接続されている。また、温度制御部５４、ガス流量制御部５５、圧力制御部５６、駆動制御部５７は、制御装置５９として構成されている。

次に、基板処理方法について説明する。先ず、反応管２５にウエハ６０を載せてないボート１８を搬入し（基板保持具搬入工程Ｓ１）、この工程Ｓ１後に反応管２５内を所定圧力例えば１３３００Ｐａ以下の減圧状態で基板処理温度以上例えば１５００〜２２００℃に昇温し、所定時間例えば１時間以上熱処理する（空焼き工程Ｓ２）。ボート１８を含む反応管２５内の空焼きにより、メンテナンス等により交換された炉内部材に付着している金属汚染物質を除去し、炉内の金属汚染レベルを低下させることができる。熱処理する時間は例えば１時間以上としたが、炉内部材に付着した金属汚染物質が十分に除去されれば１時間以下であっても良い。

この空焼き工程Ｓ２後に、反応管２５をウエハ６０が搬入できる温度に降温させ（降温工程Ｓ３）、ボート１８を反応管２５から搬出し（搬出工程Ｓ４）、ボート１８にウエハ６０を搭載してボート１８を反応管２５に搬入し（搬入工程Ｓ５）、ボート１８にウエハ６０を保持した際のウエハの中心６０１と反応管２５内に処理ガスを供給する処理ガス供給ノズル４０の中心４０１とを結ぶ線１００の左右両側に少なくとも一つずつ、計２つのガス供給孔５２，５２が設けられるように構成された処理ガス供給ノズル４０より反応管２５内に処理ガスを供給して所定の処理を行う（処理工程Ｓ６）。

これにより、処理ガス供給ノズル４０の中心４０１とウエハ６０の中心６０１とを結ぶ線１００の左右両側に少なくとも一つずつ、計２つのガス供給孔５２，５２から処理ガスがウエハ６０の外周の接線方向に噴射されるため、従来の縦型処理装置１と異なり、図６に示すように処理ガスがウエハ６０上を通過することがなくなる。このため、処理ガスに伴って吹き上げられるパーティクルや金属汚染物質がウエハ６０の表面に付着することが抑制され、メンテナンス等による炉内部材の交換後であってもウエハ６０の金属汚染レベルが高くなるのを抑制することができる。

また、処理ガスがウエハ６０に向って直接吹き付けられることがなくなるため、ボート１８上におけるウエハ６０のズレを防止することができる。処理終了後は、反応管２５内の雰囲気を不活性ガスで置換し、ウエハ６０を搬出できる温度に降温し（降温工程）、ボート１８を反応管２５より搬出すればよい。

本発明を適用した基板処理装置における金属汚染レベルを測定すると、一般的な金属汚染レベルの規格を超えて出ているものはなく、本発明を適用する前の金属汚染レベルと比べて約80％以上低減されることが分かった。

一方、ボート１８の下方においては、処理終了後、図５の（ａ）、（ｂ）に示すようにパージガス供給管４２の不活性ガス供給孔５３から断熱板３８の中心方向に向って不活性ガスが直接供給されるため、ボートの下方および断熱板３８を効率よく冷却することができる。また、断熱材ケーシング３３内の断熱材３２は、パージガス供給管から噴射される不活性ガスにより冷却されるため、反応管２５が過熱するのを抑制することができる。

以上の構成からなる基板処理装置である縦型処理装置ないし基板処理方法によれば、ボート１８にウエハ６０を保持した際のウエハの中心６０１と反応管２５内に処理ガスを供給する処理ガス供給ノズル４０の中心４０１とを結ぶ線１００の左右に少なくとも一つずつ、計２つのガス供給孔５２が設けられるように構成された処理ガス供給ノズル４０より反応管２５内に処理ガスを供給して所定の処理を行うため、メンテナンス等による炉内部材の交換により金属汚染レベルが高くなるのを抑制できる縦型処理装置および基板処理方法を提供することが可能となる。

本実施形態の基板処理装置である縦型処理装置によれば、メンテナンス等による炉内部材の交換により金属汚染レベルが高くなるのを抑制することができ、本縦型処理装置によって処理するデバイスに重大な欠陥および悪影響を及ぼすことがなくなり、次期工程の基板処理装置を金属汚染させてしまう可能性もなくなる。

以上は、本発明の好ましい一実施形態を述べたに過ぎず、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。例えば、処理ガス供給ノズルは、基板の中心と処理ガス供給ノズルの中心とを結ぶ中心線の左右に少なくとも一つずつ設けられるガス供給孔は、ノズルの長手方向に沿って左右同じ高さに２個ずつ配置されていてもよく、或いは左右高さを違えて千鳥に配置されていてもよい。

また、左右のガス供給孔のそれぞれの中心とノズルの中心とを結ぶ中心線が交わる中心角としては、９０〜１８０度が好ましい。また、上記実施形態においては処理ガス供給ノズルが１本の場合について説明したが、ノズルは複数本あっても良い。ノズルが複数本設けられる場合は、隣り合うノズルのガス供給孔は互いに対向しない位置に設けることが望ましい。例えば、基板の中心と処理ガス供給ノズルの中心とを結ぶ中心線の左右に少なくとも一つずつ設けられているガス供給孔のうち、各ノズルと隣り合う側に設けられているガス供給孔は、各ノズルの中心と中心とを結ぶ線よりウエハが設けられている側に配置されることが望ましい。さらに、本発明は、半導体ウエハだけでなく、液晶表示素子を形成するためのガラス基板用処理装置にも適用することができる。

以上、本発明を実施形態に沿って説明してきたが、ここで本発明の主たる態様を付記する。

[付記１]
本発明の一態様によれば、
基板を複数枚積載し保持する基板保持具と、
前記基板保持具を収容し前記基板を処理する処理室と、
前記処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理室から前記処理ガスを排気する排気管と、
前記処理ガス供給部に接続され、前記処理室内に前記処理ガスを噴射する処理ガス供給ノズルと、を有し、
前記処理ガス供給ノズルは前記基板の中心と前記処理ガス供給ノズルの中心とを結ぶ線の左右に少なくとも一つずつガス供給孔が設けられている基板処理装置が提供される。

[付記２]
付記１に記載の基板処理装置であって、
前記処理室を囲むように設置され、前記処理室を加熱する円筒発熱体と、
前記円筒発熱体の温度を制御する温度制御部と、
前記処理室内の圧力を制御する圧力制御部と、
をさらに有し、
前記基板を処理する前に、前記圧力制御部は前記処理室内を減圧状態に制御し、前記温度制御部は前記処理室内を前記円筒発熱体によって前記基板の処理温度以上の温度に制御し、前記処理ガス供給ノズルより前記処理ガスを反応室内に噴射する。

[付記３]
付記１の基板処理装置であって、好ましくは、
前記ガス供給孔は前記処理ガス供給ノズルの長手方向に沿って複数設けられている。

[付記４]
付記１の基板処理装置であって、好ましくは、
前記ガス供給孔は前記処理ガス供給ノズルの長手方向に沿って等間隔に複数設けられている。

[付記５]
付記１の基板処理装置であって、好ましくは、
前記ガス供給孔は前記処理ガス供給ノズルの長手方向に沿ってガス流の上流側よりも下流側に前記ガス供給孔の数が多く設けられている。

[付記６]
付記１の基板処理装置であって、好ましくは、
前記基板保持具は下部に断熱板を保持するための断熱板保持領域をさらに有し、前記処理ガス供給ノズルは前記断熱板保持領域では前記断熱板に直接処理ガスを噴射する方向に前記ガス供給孔が設けられている。

[付記７]
付記６の基板処理装置であって、好ましくは、
第１のパージガスノズルは第２のパージガスノズルよりも長手方向に短く構成されている。

[付記８]
付記１に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記基板保持具は、基板を保持する基板保持領域と、前記基板保持領域の下部に設けられ、縦方向に間隔を置いて断熱板を有する断熱領域と、を有し、前記処理室には前記断熱板に向って不活性ガスを供給する不活性ガス供給ノズルが設けられている。

[付記９]
本発明の他の態様によれば、
基板を複数枚積載し保持する基板保持具と、
前記基板保持具を収容し前記基板を処理する処理室と、
前記処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理室から前記処理ガスを排気する排気管と、
前記処理ガス供給部に接続され、前記処理室内に前記処理ガスを噴射する処理ガス供給ノズルと、を有し、
前記処理ガス供給ノズルは前記基板の中心と前記処理ガス供給ノズルの中心とを結ぶ線の左右に少なくとも一つずつガス供給孔が設けられており、前記基板処理後に前記処理室内を降温する時に前記処理ガス供給ノズルより大流量のガスを前記処理室内に供給する基板処理装置を提供することができる。

［付記１０］
本発明のさらに他の態様によれば、
基板保持具に基板を保持して処理室に搬入する工程と、
前記基板保持具に基板を保持した際の前記基板の中心と前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給ノズルの中心とを結ぶ線の両側に少なくとも一つずつ設けられたガス供給孔から前記処理室内に前記処理ガスを供給して前記基板を処理する工程と、を有する、基板処理方法を提供することができる。

［付記１１］
付記１０の基板処理方法であって、好ましくは、
前記基板を処理する工程の前に、前記処理室に前記基板保持具を搬入して前記処理室を減圧状態で基板処理温度以上に昇温して熱処理する工程と、
前記熱処理工程後に、前記処理室を前記基板が搬入できる温度に降温して前記基板保持具を前記処理室より搬出する工程と、を有する。

１ 縦型処理装置（基板処理装置）
１８ ボート（基板保持具）
２５ 反応管（処理室）
４０ 処理ガス供給ノズル
４１ 処理ガス供給管（処理ガス供給部）
５２ ガス供給孔
６０ ウエハ（基板）
４０１ 処理ガス供給ノズルの中心
６０１ 基板の中心

Claims (5)

1. 複数枚の基板を縦方向に間隔を置いて保持する基板保持具を収容して前記基板を処理する処理室と、
   前記処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
   前記処理ガス供給部に接続され、前記処理室内に前記処理ガスを供給する処理ガス供給ノズルと、を有し、
   前記処理ガス供給ノズルには前記基板の中心と前記処理ガス供給ノズルの中心とを結ぶ線の両側に少なくとも一つずつガス供給孔が設けられている、基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記処理室を囲むように設置され、前記処理室を加熱する円筒発熱体と、
   前記処理室内を減圧状態に制御する圧力制御部と、
   前記処理室内を前記円筒発熱体により所定の温度に制御する温度制御部と、を有する、基板処理装置。
3. 基板保持具に基板を保持して処理室に搬入する工程と、
   前記基板保持具に基板を保持した際の前記基板の中心と前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給ノズルの中心とを結ぶ線の両側に少なくとも一つずつ設けられたガス供給孔から前記処理室内に前記処理ガスを供給して前記基板を処理する工程と、を有する、半導体装置の製造方法。
4. 基板保持具に基板を保持して処理室に搬入する工程と、
   前記基板保持具に基板を保持した際の前記基板の中心と前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給ノズルの中心とを結ぶ線の両側に少なくとも一つずつ設けられたガス供給孔から前記処理室内に前記処理ガスを供給して前記基板を処理する工程と、を有する、基板処理方法。
5. 基板保持具に基板を保持して処理室に搬入する工程と、
   前記基板保持具に基板を保持した際の前記基板の中心と前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給ノズルの中心とを結ぶ線の両側に少なくとも一つずつ設けられたガス供給孔から前記処理室内に前記処理ガスを供給して前記基板を処理する工程と、を有する、基板の製造方法。

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