JP2014173774A - 脱臭処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】有機物を含む被処理ガスが通過するガス通過部材23,24を有し、該被処理ガスの脱臭処理を行う脱臭処理手段と、ガス通過部材23,24に対し、上記脱臭処理時の温度よりも高温に加熱する加熱処理を施すことで、上記脱臭処理の脱臭率を回復させる脱臭率回復手段とを備えた脱臭処理装置1において、経時的に後の加熱処理による脱臭率の回復量の低下を出来る限り抑制するとともに、脱臭率が低下しすぎるのを防止する。
【解決手段】上記脱臭率が所定値まで低下したときに、上記脱臭処理時の温度よりも高温に加熱した上記被処理ガスを上記ガス通過部材に通すことにより、該ガス通過部材に対し上記加熱処理を施すとともに、経時的に後の上記加熱処理において、先の上記加熱処理に比べて上記ガス通過部材に対する加熱処理温度を高く設定する。
【選択図】図2

Description

本発明は、有機物を含む被処理ガスの脱臭処理を行う脱臭処理装置に関する技術分野に属する。
例えば自動車のボディの塗装やその乾燥工程では、トルエンやキシレン等の有機物が排出されるが、そのような排出ガスは環境に悪影響を及ぼすため、脱臭処理装置により脱臭処理される。このような脱臭処理装置としては、被処理ガス中の臭気成分を触媒(例えばPt、Pd)によって燃焼(酸化)させる触媒燃焼式脱臭処理装置や、例えば特許文献1に示されているように、被処理ガス中の臭気成分を700℃〜800℃の高温で燃焼させるとともに、加熱した被処理ガスの熱を蓄熱材に蓄熱して、その蓄熱した熱を、処理前の被処理ガスの余熱に利用するようにした蓄熱式脱臭処理装置がある。
上記触媒燃焼式脱臭処理装置の触媒は、フィルター状部材に担持されており、被処理ガスがその部材を通過する際に酸化燃焼して脱臭処理が行われる。この触媒燃焼式脱臭処理装置では、上記触媒が触媒毒によって性能低下しないように、通常、触媒の上流側に、触媒毒を補足する前処理剤が設けられる。この前処理剤も、フィルター状部材に担持される。また、上記蓄熱式脱臭処理装置の蓄熱材は、ハニカム状に構成され、被処理ガスがそこを通過することで、被処理ガスと蓄熱材との間で熱の授受が行われる。このように脱臭処理装置(触媒燃焼式脱臭処理装置や蓄熱式脱臭処理装置)には、被処理ガスが通過するガス通過部材が設けられている。
上記脱臭処理装置においては、上記被処理ガス中の有機物のヤニ等の炭素分が燃焼カスとなり、これが上記ガス通過部材に付着する。このような燃焼カスにより、脱臭処理が進行すると、ガス通過部材に目詰まりが生じ、これにより、被処理ガスの通過風量が減少して、触媒(通常、被処理ガスを熱源として加熱する)を適切な温度に加熱することができなくなったり、処理前の被処理ガスに十分な余熱を与えることができなくなったりする。このようにガス通過部材に目詰まりが生じると、脱臭率が低下する。
そこで、上記特許文献1に示されているように、脱臭率を回復させるために、定期的に、上記ガス通過部材に対し、被処理ガスの脱臭処理時の温度よりも高温に加熱する加熱処理を施して、ガス通過部材に付着した燃焼カスを燃焼ないし酸化分解させるようにしている。このような加熱処理は、空焼き処理とも呼ばれる。この加熱処理(空焼き処理)の後は再び脱臭処理が行われる。
特開2008−45818号公報
ところで、上記脱臭処理と上記加熱処理(空焼き処理)とを繰り返し行う場合、経時的に後の加熱処理ほど、加熱処理による脱臭率の回復量(上昇量)が低下していく。これは、空焼きしても燃焼ないし酸化分解されない燃焼カスが存在し、このような燃焼カスが蓄積していくからである。また、触媒燃焼式脱臭処理装置では、触媒が触媒毒によって覆われることも、脱臭率の回復量が低下していく要因となる。また、脱臭率の回復量が低下していくために、例えば一定時間間隔で加熱処理を行うようにすると、加熱処理を行う前に脱臭率が低下しすぎて、大気に排出される被処理ガスの臭気濃度が高くなってしまう可能性がある。
本発明は、斯かる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、上記脱臭処理と上記加熱処理(空焼き処理)とを繰り返し行う場合に、経時的に後の加熱処理による脱臭率の回復量の低下を出来る限り抑制するとともに、脱臭率が低下しすぎるのを防止しようとすることにある。
上記の目的を達成するために、本発明では、有機物を含む被処理ガスが通過するフィルター状のガス通過部材を有し、該被処理ガスの脱臭処理を行う脱臭処理手段と、該ガス通過部材に対し、脱臭処理時の温度よりも高温に加熱する加熱処理を施すことで、上記脱臭処理の脱臭率を回復させる脱臭率回復手段とを備えた脱臭処理装置を対象として、上記脱臭率回復手段は、上記脱臭率が所定値まで低下したときに、上記脱臭処理時の温度よりも高温に加熱した上記被処理ガスを上記ガス通過部材に通すことにより、該ガス通過部材に対し上記加熱処理を施すとともに、経時的に後の上記加熱処理において、先の上記加熱処理に比べて上記ガス通過部材に対する加熱処理温度を高く設定するように構成されている、という構成とした。
上記の構成により、脱臭率が所定値まで低下したときに加熱処理を施すので、脱臭率が所定値未満に低下することを防止することができ、この結果、大気に排出される被処理ガスの臭気濃度を常に低レベルに維持することができる。また、脱臭処理時の温度よりも高温に加熱した被処理ガスをガス通過部材に通すことにより、該ガス通過部材に対し加熱処理を施すので、ガス通過部材を直接加熱する加熱手段を設けることなく、ガス通過部材に対する加熱処理を容易に行うことができる。さらに、経時的に後の加熱処理において、先の加熱処理に比べてガス通過部材に対する加熱処理温度を高く設定するので、この高くした加熱処理温度により、ガス通過部材に蓄積した燃焼カスを焼失し易くすることができ、この結果、経時的に後の加熱処理による脱臭率の回復量の低下を抑制することができる。
本発明の一実施形態によれば、上記脱臭率回復手段は、上記ガス通過部材に対する前回の加熱処理による上記脱臭率の上昇量、及び、当該前回の加熱処理後における上記脱臭率の低下状態の少なくとも一方に基づいて、今回の加熱処理における加熱処理温度を設定するように構成されている。
この場合、上記脱臭率の低下状態は、上記脱臭率の時間に対する低下率、又は、上記脱臭率が、予め決められた基準量だけ低下するまでの時間であることが好ましい。
このようにすることで、これから実行しようとしている今回の加熱処理における加熱処理温度を適切に設定することができる。
以上説明したように、本発明の脱臭処理装置によると、脱臭率が所定値まで低下したときに、ガス通過部材に対し加熱処理を施すとともに、経時的に後の上記加熱処理において、先の上記加熱処理に比べて上記ガス通過部材に対する加熱処理温度を高く設定するようにしたことにより、経時的に後の加熱処理による脱臭率の回復量の低下を出来る限り抑制することができるとともに、脱臭率が所定値未満に低下することを防止することができて、大気に排出される被処理ガスの臭気濃度が高くなるのを防止することができる。
本発明の実施形態に係る脱臭処理装置(触媒燃焼式脱臭処理装置)を用いた脱臭処理システム全体の概略構成を示す平面図である。 脱臭処理装置の内部を示す断面図である。 脱臭処理装置の制御系の構成を示すブロック図である。 前回の空焼き処理後における脱臭処理開始直後の脱臭率と、今回の空焼き処理における加熱温度との関係を示すグラフである。 脱臭率dの時間に対する変化の一例を示すグラフである。 脱臭率dの時間に対する変化の別の例を示すグラフである。 コントローラによる処理動作を示すフローチャートである。 脱臭処理装置の別の例である蓄熱式脱臭処理装置の構成を示す概略図である。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
図1は、本発明の実施形態に係る脱臭処理装置1を用いた脱臭処理システム全体の概略構成を示す。この脱臭処理システムは、塗装乾燥炉において発生する、有機物を含む被処理ガスの脱臭処理を行うものである。上記被処理ガスの有機物(臭気成分)は、トルエン、キシレン、ベンゼン、メチルエチルケトン、酢酸エチル等である。本実施形態では、脱臭処理装置1は、被処理ガス中の有機物(臭気成分)を触媒(例えばPt、Pd)によって燃焼(酸化)させる触媒燃焼式脱臭処理装置である。
上記塗装乾燥炉からの被処理ガスは、脱臭処理装置1の入口部2に接続された導入管5を介して該入口部2から該脱臭処理装置1内に入る。そして、脱臭処理装置1内にて後述の如く脱臭処理がなされ、この脱臭処理後の被処理ガスが、出口部3(図2参照)から、該出口部3に接続された導出管6へと排出される(図2における被処理ガスの流れを示す矢印参照)。
上記導出管6には、上流側熱交換器7と下流側熱交換器8とが設けられている。上流側熱交換器7は、脱臭処理後の被処理ガス(反応熱により500℃程度になっている)により、導入管5を流れる処理前の被処理ガスを余熱するためのものである。また、下流側熱交換器8は、上流側熱交換器7を通過した後の被処理ガス(300℃程度になっている)により、上記塗装乾燥炉に熱風を供給するためのエアー供給管9を流れるエアーを加熱するためのものである。下流側熱交換器8を通過した後の被処理ガスは、大気に排出される。
上記塗装乾燥炉からの被処理ガスは、上流側熱交換器7において、脱臭処理後の被処理ガスによって余熱された後、上記入口部2を通って脱臭処理装置1内の入口側室11に入る。脱臭処理装置1の入口側室11の側壁部には、図2に示すように、バーナー21が設けられており、このバーナー21によって、上記触媒を活性化させるべく、被処理ガスが所定温度(300℃〜400℃)に加熱される。
また、脱臭処理装置1には、バーナー21によって加熱された被処理ガスが通過するフィルター状の上流側及び下流側ガス通過部材23,24が設けられている。これら上流側及び下流側ガス通過部材23,24は、脱臭処理装置1内を入口側室11と出口側室12とに区画する区画壁13に固定された複数の取付部材22のそれぞれに、ガス流動方向に並ぶように取り付けられている。そして、上記加熱された被処理ガスが、上流側及び下流側ガス通過部材23,24を順に通り抜けることで入口側室11から出口側室12に達し、この出口側室12の側壁部に設けられた出口部3から導出管6へと排出される。
上記下流側ガス通過部材24に、上記触媒が担持されている。この触媒によって、被処理ガス中の臭気成分が酸化燃焼して、脱臭処理がなされる。この触媒は、上記バーナー21によって加熱された被処理ガスによって、該触媒が活性化する温度になる。また、上記上流側ガス通過部材23には、上記触媒の性能を低下させる触媒毒(特に有機シリコーン化合物や有機リン化合物)を補足する前処理剤が担持されている。被処理ガス中に有機シリコーン化合物や有機リン化合物が微量でも含有されていると、上記触媒によって酸化されて不揮発性のSiOやPを生成し、これらが触媒の表面を被覆することにより触媒の性能を低下させるので、下流側ガス通過部材24の上流側に、上記触媒毒を取り除くための上流側ガス通過部材23を設ける。本実施形態では、バーナー21、上流側及び下流側ガス通過部材23,24並びに後述のコントローラ51の脱臭処理実行部51aが、被処理ガスの脱臭処理を行う脱臭処理手段を構成する。
脱臭処理装置1には、図3に示すように、上記被処理ガスの脱臭処理時にバーナー21の出力を制御したり、後述の空焼き処理を実行したりするコントローラ51が設けられている。このコントローラ51は、周知のマイクロコンピュータをベースとするものであって、プログラムを実行する中央演算処理装置(CPU)と、例えばRAMやROMにより構成されてプログラム及びデータを格納するメモリと、電気信号の入出力をする入出力(I/O)部と、を備えている。
コントローラ51内には、上記被処理ガスの脱臭処理を実行する脱臭処理実行部51aと、上流側及び下流側ガス通過部材23,24に対して空焼き処理を実行すべきか否かを判定する空焼き判定部51bと、この空焼き判定部51bにより空焼き処理を実行すべきと判定されたときに空焼き条件を設定する空焼き条件設定部51cと、空焼き処理を実行する空焼き処理実行部51dと、上流側及び下流側ガス通過部材23,24の点検及び保守が必要である旨の警報を出力すべきか否かを判定する点検・保守警報判定部51eと、点検・保守警報判定部51eにより上記警報を出力すべきと判定されたときに、警報装置52に、上記警報を出力させる警報出力部51fとが設けられている。
コントローラ51には、温度センサ55、入口側HC濃度センサ56及び出口側HC濃度センサ57からの各検出情報が入力される。上記温度センサ55は、入口側室11に配設されていて、上記バーナー21によって加熱された後でかつ上流側ガス通過部材23に入る手前の被処理ガスの温度を検出するものである。
上記脱臭処理実行部51aは、上記被処理ガスの脱臭処理時において、温度センサ55による検出温度が上記所定温度になるように上記バーナー21の出力を制御(本実施形態では、PID制御)する。
上記空焼き処理は、上流側及び下流側ガス通過部材23,24に対し、上記脱臭処理時の温度よりも高温に加熱する加熱処理を施すことで、上記脱臭処理の脱臭率を回復させる処理のことである。すなわち、脱臭処理装置1においては、上記被処理ガス中の有機物のヤニ等の炭素分が燃焼カスとなり、これが上流側及び下流側ガス通過部材23,24に付着する。脱臭処理が進行すると、このような燃焼カスにより、上流側及び下流側ガス通過部材23,24に目詰まり等が生じ、これにより、被処理ガスの通過風量が減少して、触媒を適切な温度に加熱することができなくなり、上記脱臭率が低下する。そこで、コントローラ51の空焼き処理実行部51dが、上記空焼き処理を実行する。本実施形態では、上記空焼き処理において、上記被処理ガスを上記所定温度よりも高温に加熱して上流側及び下流側ガス通過部材23,24に通すことにより、該上流側及び下流側ガス通過部材23,24に対し上記加熱処理を施す。
上記脱臭率dは、以下の式(1)
d=(1−出口側臭気濃度/入口側臭気濃度)×100(%) …(1)
で表される。ここで、臭気濃度は、臭気のある気体を無臭の空気で希釈して、人の臭覚で臭いが感じられなくなる希釈倍数のことである。
入口側臭気濃度及び出口側臭気濃度は、入口側HC濃度及び出口側HC濃度とそれぞれ相関関係があるので、脱臭率dは、(1−出口側HC濃度/入口側HC濃度)の値と相関関係がある。この相関関係を予め関数fとして求めておけば、以下の式(2)
d=f(1−出口側HC濃度/入口側HC濃度) …(2)
より、脱臭率dを求めることができる。すなわち、入口側HC濃度及び出口側HC濃度から脱臭率dを求めることができる。
そこで、本実施形態では、脱臭率dを検出するために、入口側HC濃度センサ56及び出口側HC濃度センサ57により、入口側HC濃度及び出口側HC濃度をそれぞれ検出する。入口側HC濃度センサ56は、入口側室11に配設されていて、上流側ガス通過部材23に入る手前の被処理ガスのHC濃度を検出する。出口側HC濃度センサ57は、出口側室12に配設されていて、下流側ガス通過部材24を通過した被処理ガスのHC濃度を検出する。
尚、脱臭率dは、(出口側ガス圧力/入口側ガス圧力)の値、又は、(初期の出入口差圧/現時点の出入口差圧)の値とも相関関係があるので、これらの関係を予め関数g又はhとして求めておけば、以下の式(3)又は式(4)
d=g(出口側ガス圧力/入口側ガス圧力) …(3)
d=h(初期の出入口差圧/現時点の出入口差圧) …(4)
より、脱臭率dを求めることができる。
この場合、入口側室11に、入口側ガス圧力(入口側の被処理ガスの圧力)を検出する入口側ガス圧力センサを配設し、出口側室12に、出口側ガス圧力(出口側の被処理ガスの圧力)を検出する出口側ガス圧力センサを配設して、これら入口側及び出口側ガス圧力センサにより、入口側ガス圧力及び出口側ガス圧力をそれぞれ検出するか、又は、該両圧力の差(出入口差圧)を検出することで、脱臭率dを求めることができる。
上記空焼き判定部51bは、式(2)より上記脱臭率dを算出して、該算出した脱臭率dが所定値d0まで低下したときに、空焼き処理を実行すべきと判定する。上記所定値d0は、脱臭率dが、該所定値d0よりも低下すると、環境に悪影響を及ぼすような値であって、予め上記メモリに記憶されている。
上記空焼き条件設定部51cは、上記記空焼き判定部51bにより空焼き処理を実行すべきと判定されたときに、空焼き条件を設定する。すなわち、被処理ガスの加熱温度(つまり上流側及び下流側ガス通過部材23,24に対する加熱処理温度)と、空焼き処理の時間(上流側及び下流側ガス通過部材23,24に対する加熱処理時間)とを設定する。
上記被処理ガスの加熱温度は、上記所定温度(300℃〜400℃)よりも高い温度でかつ上記触媒の熱劣化発生開始温度(通常、550℃程度)よりも低い温度である。また、この加熱温度は、経時的に後の空焼き処理(加熱処理)において、先の空焼き処理(加熱処理)に比べて高く設定される。上記加熱処理時間は、上記加熱温度とは異なり、経時的な後先には関係なく一定である。
空焼き条件設定部51cは、本実施形態では、前回の空焼き処理(加熱処理)による上記脱臭率の上昇量(回復量)に基づいて、これから実行しようとしている今回の加熱処理における加熱温度を設定する。前回の加熱処理開始直前における上記脱臭率は、基本的には上記所定値d0であるので、上記上昇量(回復量)が大きいほど、前回の空焼き処理後における脱臭処理開始直後の脱臭率が大きくなる。したがって、上記上昇量は、前回の空焼き処理後における脱臭処理開始直後の脱臭率で代用することができる。今回の空焼き処理における加熱温度は、図4に示すように、前回の空焼き処理後における脱臭処理開始直後の脱臭率が小さくなるほど、高くなる。1回目の空焼き処理時の加熱温度は、w0(上記所定温度よりも僅かに高い温度)とする。図4の加熱温度は、前回の空焼き処理後における脱臭処理開始直後の脱臭率がd0ないしその近傍から100%までの間で設定されている。そして、経時的に後の空焼き処理ほど、上記回復量は小さくなる(図5参照)。したがって、上記空焼き条件設定部51cは、経時的に後の加熱処理(空焼き処理)において、先の加熱処理に比べて加熱温度を高く設定することになる。
経時的に後の空焼き処理ほど、上記回復量が小さくなるのは、空焼き処理しても燃焼ないし酸化分解されない燃焼カスが存在し、このような燃焼カスが上流側及び下流側ガス通過部材23,24に蓄積していくとともに、触媒が触媒毒によって覆われるからである。そこで、上記燃焼カスを焼失し易くして経時的に後の加熱処理による脱臭率の回復量の低下を出来る限り抑制するべく、各回の空焼き処理における加熱温度を、上記のように設定する。
各回の空焼き処理においては、加熱処理時間を長くしても、加熱処理開始から或る時間が経過した後は、上流側及び下流側ガス通過部材23,24に付着した燃焼カスの燃焼ないし酸化分解は殆どしなくなるので、加熱処理時間は、このことを考慮して設定すればよい。
尚、上記前回の加熱処理による上記脱臭率の上昇量(前回の空焼き処理後における脱臭処理開始直後の脱臭率)に代えて、又は、該上昇量に加えて、当該前回の加熱処理後における上記脱臭率の低下状態に基づいて、今回の加熱処理における加熱処理時間を設定するようにしてもよい。上記低下状態は、上記脱臭率の時間に対する低下率、又は、上記脱臭率が、予め決められた基準量だけ低下するまでの時間等である。すなわち、経時的に後の空焼き処理ほど、脱臭率の低下度合いが大きくなるので、上記低下状態に応じて、加熱温度を適切に設定することができる。
上記空焼き処理実行部51dは、上記空焼き条件設定部51cにより設定された空焼き条件に従って、空焼き処理を実行する。すなわち、空焼き処理実行部51dは、上記脱臭率dが上記所定値d0まで低下したときに、空焼き処理を上記空焼き条件に従って実行することになる。このとき、空焼き処理実行部51dは、温度センサ55による検出温度が、上記空焼き条件設定部51cにより設定された加熱温度になるようにバーナー21の出力を制御(本実施形態では、PID制御)する。
空焼き処理実行部51dは、上記空焼き処理を、上記設定された加熱処理時間だけ実行した後に終了する。これにより、脱臭処理実行部51aは、再び脱臭処理を実行する、つまり、温度センサ55による検出温度が上記所定温度になるようにバーナー21の出力を制御する。
本実施形態では、コントローラ51の空焼き判定部51b、空焼き条件設定部51c及び空焼き処理実行部51d並びにバーナー21が、上記脱臭処理の脱臭率を回復させる脱臭率回復手段を構成する。
図5は、脱臭処理の進行に伴う脱臭率dの変化の一例を示す。このように、脱臭率dが所定値d0に低下する毎に、空焼き処理が実行されて脱臭率dが回復する(上昇する)。但し、経時的に後の空焼き処理ほど、上記回復量(つまり、空焼き処理後における脱臭処理開始直後の脱臭率)は小さくなる。そして、本実施形態では、経時的に後の加熱処理(空焼き処理)において、先の加熱処理に比べて、被処理ガスの加熱温度(上流側及び下流側ガス通過部材23,24に対する加熱処理温度)を高く設定する。これにより、上流側及び下流側ガス通過部材23,24に蓄積した燃焼カスを焼失し易くすることができ、経時的に後の加熱処理による脱臭率の回復量の低下を出来る限り抑制することができる。
また、図5から分かるように、経時的に後であるほど、上記回復量が小さくて脱臭率dが早く所定値d0に達するために、空焼き処理が実行される周期T1、T2、…は、基本的に短くなる。すなわち、T1>T2>…となる。
上記点検・保守警報判定部51eは、空焼き処理後における脱臭処理開始直後の脱臭率dが、予め設定されかつ上記メモリに記憶された設定値d1以下であるとき(図5の例では、3回目の空焼き処理後における脱臭処理開始直後の脱臭率が設定値d1以下である)、上流側及び下流側ガス通過部材23,24の点検及び保守が必要である旨の警報を出力すべきと判定する。上記設定値d1は、上記所定値d0よりも大きい値であって、所定値d0に近い値である。
上記警報出力部51fは、点検・保守警報判定部51eにより上記警報を出力すべきと判定されたときに、警報装置52に、上流側及び下流側ガス通過部材23,24の点検及び保守が必要である旨の警報を出力させる。警報装置52により上記警報が出力されたときには、作業者は、脱臭処理装置1の運転を停止して上流側及び下流側ガス通過部材23,24の点検及び保守を早期に実施する必要がある。すなわち、上流側及び下流側ガス通過部材23,24への燃焼カスや触媒毒の付着量が多くなりすぎたために、空焼き処理を実行しても、脱臭率dが殆ど回復せず、このまま放置しておけば、大気に排出される被処理ガスの臭気濃度が高くなってしまうので、上流側及び下流側ガス通過部材23,24を薬液等によって洗浄して燃焼カスや触媒毒等を除去し、これによって上流側及び下流側ガス通過部材23,24を再生する。或いは、上流側及び下流側ガス通過部材23,24を新品のものに交換してもよい。こうして上流側及び下流側ガス通過部材23,24を再生又は新品のものに交換すれば、図5に二点鎖線で示すように、脱臭処理の開始直後と同様の高い脱臭率となり、こうして、脱臭処理の開始から上記再生又は交換までの動作と同様の動作を繰り返すことになる。
図6は、脱臭処理の進行に伴う脱臭率dの変化の別の例を示す。図6では、縦軸の脱臭率dは、図5とは逆に、上側に行くほど小さくなる。図6では、脱臭率dの低下の要因を併せて示しており、上流側及び下流側ガス通過部材23,24を再生する時刻taまでは、経時劣化による影響(触媒が触媒毒によって覆われる等)の分が徐々に増えていく。また、空焼き処理後における脱臭処理開始直後から次回の空焼き処理開始直前までは、目詰まりによる影響及びヤニ付着による影響の分が徐々に増えていき、これらの影響は空焼き処理によってなくなる。尚、経時劣化による影響、目詰まりによる影響及びヤニ付着による影響の分は明確には区別できない。
図5の例と同様に、空焼き処理が実行される周期T001、T002、…は、経時的に後であるほど、基本的に短くなる。上流側及び下流側ガス通過部材23,24の再生後の上記周期T101、T102、…も、経時的に後であるほど、基本的に短くなる。また、完全に再生するのは困難であるので、再生後の上記周期T101、T102、…は、対応する周期T001、T002、…よりも短くなる(T101<T001、T102<T002)。
ここで、上記コントローラ51による処理動作について、図7のフローチャートに基づいて説明する。
最初のステップS1で、作業者の操作により脱臭処理装置1の運転が開始されたか否かを判定する。このステップS1の判定がNOであるときには、ステップS1の動作を繰り返し、ステップS1の判定がYESになると、ステップS2に進む。
上記ステップS2では、脱臭処理実行部51aが、脱臭処理を実行する。すなわち、脱臭処理実行部51aが、温度センサ55による検出温度が上記所定温度になるようにバーナー21の出力を制御する。
次のステップS3では、空焼き判定部51bが、入口側及び出口側HC濃度センサ56,57より入口側及び出口側HC濃度をそれぞれ入力して、式(2)より脱臭率dを算出する。
次のステップS4では、空焼き判定部51bが、上記メモリから所定値d0を読み出し、次のステップS5で、空焼き判定部51bが、d≦d0であるか否か(つまり、空焼き処理を実行すべきか否か)を判定する。このステップS5の判定がYESであるときには、ステップS6に進む一方、ステップS5の判定がNOであるときには、ステップS15に進む。
上記ステップS6では、空焼き条件設定部51cが、空焼き条件(上記加熱温度及び上記加熱処理時間)を設定する。このとき、後述のステップS11で記憶した、前回の空焼き処理後における脱臭処理開始直後の脱臭率daに基づいて、上記加熱温度を設定する。
次のステップS7では、空焼き処理実行部51dが、上記ステップS6で設定された空焼き条件に従って空焼き処理を実行し、次のステップS8では、空焼き処理実行部51dが、上記ステップS6で設定された加熱処理時間の経過後に空焼き処理を終了する。
次のステップS9では、脱臭処理実行部51aが、脱臭処理を実行する、つまり、温度センサ55による検出温度が上記所定温度になるようにバーナー21の出力を制御する。
次のステップS10では、空焼き処理後における脱臭処理開始直後の脱臭率daを算出し、次のステップS11で、ステップS10で算出した脱臭率daを上記メモリに更新記憶する。
次のステップS12では、点検・保守警報判定部51eが、上記メモリから設定値d1を読み出し、次のステップS13で、点検・保守警報判定部51eが、da≦d1であるか否かを判定する。このステップS13の判定がYESであるときには、ステップS14に進む一方、ステップS13の判定がNOであるときには、ステップS15に進む。
上記ステップS14では、警報出力部51fが、警報装置52に、上流側及び下流側ガス通過部材23,24の点検及び保守が必要である旨の警報を出力させ、しかる後にステップS15に進む。
上記ステップS15では、作業者の操作により脱臭処理装置1の運転を停止するか否かを判定する。このステップS15の判定がNOであるときには、上記ステップS2に戻る一方、ステップS15の判定がYESであるときには、本処理動作を終了する。
したがって、本実施形態では、経時的に後の空焼き処理(加熱処理)において、先の空焼き処理(加熱処理)に比べて加熱温度を高く設定するようにしたので、経時的に後の加熱処理による脱臭率の回復量の低下を出来る限り抑制することができる。
また、脱臭処理の脱臭率dが所定値d0まで低下したときに、上流側及び下流側ガス通過部材23,24に対し空焼き処理(加熱処理)を施すようにしたので、脱臭率が所定値d0未満に低下することを防止することができ、この結果、大気に排出される被処理ガスの臭気濃度を常に低レベルに維持することができる。
尚、上記実施形態では、脱臭処理装置1を触媒燃焼式脱臭処理装置としたが、本発明は、例えば図8に示すような蓄熱式脱臭処理装置71にも適用することができる。この蓄熱式脱臭処理装置71は、第1蓄熱材76が配設された第1蓄熱槽72と、第2蓄熱材77が配設された第2蓄熱槽73とを有している。第1及び第2蓄熱槽72,73の長手方向の一端部同士は、上記実施形態のコントローラ51と同様のコントローラにより出力が制御されるバーナー81が配設された連結通路74で接続され、第1及び第2蓄熱槽72,73の他端部の各々には、2つの切替弁82が設けられている。上記コントローラは、これら切替弁82の開閉を制御して、被処理ガスの流動状態を、予め設定された設定時間間隔(例えば90s)で、第1状態と第2状態とに交互に切り替えるようになっている。上記第1及び第2蓄熱材76,77はハニカム状に構成され、被処理ガスがそこを通過することで、被処理ガスと第1又は第2蓄熱材76,77との間で熱の授受が行われる。第1及び第2蓄熱材76,77は、フィルター状のガス通過部材と見做すことが可能である。
上記第1状態では、第1蓄熱槽72に流入した被処理ガスが、第1蓄熱材76(前回の第2状態であったときに蓄熱されている)を通過することで余熱され、この被処理ガスがバーナー81で所定温度(本例では、700℃〜800℃)に加熱される。これにより、被処理ガスの臭気成分が熱分解されて、脱臭処理がなされる。この加熱された被処理ガスが第2蓄熱材77を通過することで第2蓄熱材77に蓄熱し、この後、被処理ガスが第2蓄熱槽73から流出する(上記第1状態での被処理ガスの流れを示す実線の矢印参照)。また、上記第2状態では、第2蓄熱槽73に流入した被処理ガスが、前回の第1状態であるときに蓄熱された第2蓄熱材77を通過することで余熱され、この被処理ガスがバーナー81で上記所定温度に加熱されて脱臭され、この加熱された被処理ガスが第1蓄熱材76を通過することで第1蓄熱材76に蓄熱し、この後、被処理ガスが第1蓄熱槽72から流出する(上記第2状態での被処理ガスの流れを示す破線の矢印参照)。本例では、第1及び第2蓄熱材76,77、バーナー81、切替弁82並びに上記コントローラが、被処理ガスの脱臭処理を行う脱臭処理手段を構成する。
上記蓄熱式脱臭処理装置71においても、燃焼カスにより第1及び第2蓄熱材76,77に目詰まり等が生じ、これにより、処理前の被処理ガスに十分な余熱を与えることができなくなって、脱臭処理の脱臭率が低下する。そして、上記実施形態と同様に、脱臭率が所定値まで低下したとき、第1及び第2蓄熱材76,77に対し、脱臭処理時の温度よりも高温に加熱する加熱処理(空焼き処理)を実行する。このとき、上記コントローラの制御により、被処理ガスの流動状態を上記第1状態にして、バーナー81により、被処理ガスを上記所定温度よりも高温(例えば900℃〜1000℃)に加熱して上記第2蓄熱材77に通すことにより、該第2蓄熱材77に対し上記加熱処理を施し、次いで、被処理ガスの流動状態を上記第2状態にして、バーナー81により、被処理ガスを上記所定温度よりも高温(例えば900℃〜1000℃)に加熱して上記第1蓄熱材76に通すことにより、該第1蓄熱材76に対し上記加熱処理を施す。第1及び第2蓄熱材76,77に対する空焼き処理(加熱処理)の条件は、上記実施形態と同様であり(加熱処理時間及び加熱温度の値自体は異なる)、経時的に後の空焼き処理(加熱処理)において、先の空焼き処理(加熱処理)に比べて被処理ガスの加熱温度(つまり第1及び第2蓄熱材76,77に対する加熱処理温度)を高く設定し、加熱処理時間は、経時的な後先に関係なく一定とする。本例では、バーナー81、切替弁82及び上記コントローラが、上記脱臭処理の脱臭率を回復させる脱臭率回復手段を構成する。
したがって、上記蓄熱式脱臭処理装置71においても、上記実施形態の触媒燃焼式脱臭処理装置1と同様に、経時的に後の加熱処理による脱臭率の回復量の低下を出来る限り抑制することができるとともに、脱臭率が所定値未満に低下することを防止することができて、大気に排出される被処理ガスの臭気濃度が高くなるのを防止することができる。
本発明は、有機物を含む被処理ガスの脱臭処理を行う脱臭処理装置(触媒燃焼式脱臭処理装置や蓄熱式脱臭処理装置)に有用である。
1 脱臭処理装置(触媒燃焼式脱臭処理装置)
21 バーナー(脱臭処理手段)(脱臭率回復手段)
23 上流側ガス通過部材(脱臭処理手段)
24 下流側ガス通過部材(脱臭処理手段)
51 コントローラ
51a 脱臭処理実行部(脱臭処理手段)
51b 空焼き判定部(脱臭率回復手段)
51c 空焼き条件設定部(脱臭率回復手段)
51d 空焼き処理実行部(脱臭率回復手段)
71 蓄熱式脱臭処理装置
76 第1蓄熱材(脱臭処理手段)
77 第2蓄熱材(脱臭処理手段)
81 バーナー(脱臭処理手段)(脱臭率回復手段)
82 切替弁(脱臭処理手段)(脱臭率回復手段)

Claims (3)

  1. 有機物を含む被処理ガスが通過するフィルター状のガス通過部材を有し、該被処理ガスの脱臭処理を行う脱臭処理手段と、該ガス通過部材に対し、脱臭処理時の温度よりも高温に加熱する加熱処理を施すことで、上記脱臭処理の脱臭率を回復させる脱臭率回復手段とを備えた脱臭処理装置であって、
    上記脱臭率回復手段は、上記脱臭率が所定値まで低下したときに、上記脱臭処理時の温度よりも高温に加熱した上記被処理ガスを上記ガス通過部材に通すことにより、該ガス通過部材に対し上記加熱処理を施すとともに、経時的に後の上記加熱処理において、先の上記加熱処理に比べて上記ガス通過部材に対する加熱処理温度を高く設定するように構成されていることを特徴とする脱臭処理装置。
  2. 請求項1記載の脱臭処理装置において、
    上記脱臭率回復手段は、上記ガス通過部材に対する前回の加熱処理による上記脱臭率の上昇量、及び、当該前回の加熱処理後における上記脱臭率の低下状態の少なくとも一方に基づいて、今回の加熱処理における加熱処理温度を設定するように構成されていることを特徴とする脱臭処理装置。
  3. 請求項2記載の脱臭処理装置において、
    上記脱臭率の低下状態は、上記脱臭率の時間に対する低下率、又は、上記脱臭率が、予め決められた基準量だけ低下するまでの時間であることを特徴とする脱臭処理装置。
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