JP2014171356A - 駆動制御装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】駆動IC24Bの電流比較回路25は、センス抵抗7Bに生じるセンス電圧VSLとしきい値電圧Vtとの比較信号SCLを出力する。制御回路27は、PWM信号FLがH(オン指令)になると、半導体素子1Bにゲート駆動電圧VGLを印加する。PWM信号FLがHの期間、ゲート駆動電圧VGLを印加または遮断した時点から、センス電圧VSLにゲート駆動状態の変化に伴う過渡的な変動が生じ得る期間が経過した後、センス電圧VSLとしきい値電圧Vtとの比較結果を参照する。センス電圧VSLがしきい値電圧Vt以上であるとの比較結果を得ると、ダイオード素子6に電流が流れていると判定し、ゲート駆動電圧VGLを遮断して順方向電圧Vfを低下させる。
【選択図】図1
Description
第1の原因は、図10(a)に示すように、半導体素子1Bのセンス端子S1、S2からセンス抵抗7Bまでの配線に寄生するインダクタンスLS1、LS2による発振である。この発振は、ゲート駆動電圧VGLが印加または遮断されて半導体素子1Bに流れる電流が変化した時にセンス電圧VSLに生じる。半導体素子1Bに流れる実際の電流は殆ど変動しない。図10(b)は素子電流が小さい場合、図10(c)は素子電流が大きい場合を示している。素子電流が小さい場合には、ダイオード素子6に電流が流れているか否かの判定を誤る虞がある。
Claims (6)
- ゲート駆動電圧が印加される絶縁ゲート型のトランジスタ構造(5)とダイオード構造(6)とが同一の半導体基板(8)に形成され、前記トランジスタ構造の通電電極と前記ダイオード構造の通電電極とが共通の電極(15,18)とされた半導体素子(1A,1B)の駆動制御装置(31A,31B)であって、
少なくとも前記ダイオード構造に流れる電流に応じた電流検出信号を出力する電流検出手段(7A,7B)と、
オン指令信号が入力されると前記半導体素子に前記ゲート駆動電圧を印加し、当該オン指令信号が入力されている期間において、前記ゲート駆動電圧を印加した時点または前記ゲート駆動電圧を遮断した時点から、前記電流検出信号にゲート駆動状態の変化に伴う過渡的な変動が生じ得る期間を経た後、前記電流検出信号と前記ダイオード構造の順方向電流の向きに設定した電流しきい値との比較に基づいて、前記電流検出信号が前記電流しきい値以上であるとの比較結果により前記ゲート駆動電圧を遮断し、前記電流検出信号が前記電流しきい値よりも小さいとの比較結果により前記ゲート駆動電圧を印加する制御手段(27)とを備えていることを特徴とする駆動制御装置。 - 前記制御手段は、前記オン指令信号が入力されている期間において、前記ゲート駆動電圧の印加を指令した時点または前記ゲート駆動電圧の遮断を指令した時点から、少なくとも前記過渡的な変動が生じ得る期間を含むように設定されたマスク期間を経た後、前記電流検出信号と前記電流しきい値との比較に基づいて前記ゲート駆動電圧を遮断または印加することを特徴とする請求項1記載の駆動制御装置。
- 前記制御手段は、前記半導体素子のゲート容量を充放電するゲート駆動能力が高いほど前記マスク期間を短く設定することを特徴とする請求項2記載の駆動制御装置。
- 前記制御手段は、前記オン指令信号の入力が開始されてから終了するまでの期間において、前記電流検出信号が前記電流しきい値よりも小さいとの比較結果を得た後は、前記ゲート駆動電圧を印加し続けることを特徴とする請求項1から3の何れか一項に記載の駆動制御装置。
- 前記制御手段は、前記電流検出信号が前記電流しきい値以上であるとの比較結果により前記ゲート駆動電圧を遮断するときには、前記オン指令信号の入力が終了したことに応じて前記ゲート駆動電圧を遮断するときに比べてゲート駆動能力を高めることを特徴とする請求項1から4の何れか一項に記載の駆動制御装置。
- 前記半導体素子は、出力端子を挟んで高電位側と低電位側に直列に配されてハーフブリッジ回路(4)を構成するスイッチング素子であることを特徴とする請求項1から5の何れか一項に記載の駆動制御装置。
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