JP2014165457A - 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】フラットセル/ハイブリッド構造において書き込み/消去特性を向上させる不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、第1及び第2のゲートパターンをマスクに用いたイオン注入により、半導体層11内に不純物を注入し、半導体層11上に、第1及び第2のゲートパターンの側面を覆う第3の絶縁層23,25を形成し、第1のゲートパターンのダミー層を除去することにより第1の凹部を形成し、第2のゲートパターンのダミー層、第2の絶縁層15、チャージトラップ層14、及び、フローティングゲート層13を除去することにより第2の凹部を形成し、第1の凹部内の第2の絶縁層15上及び第2の凹部内の第1の絶縁層12上にそれぞれ金属層を形成する。
【選択図】図35
【解決手段】製造方法は、第1及び第2のゲートパターンをマスクに用いたイオン注入により、半導体層11内に不純物を注入し、半導体層11上に、第1及び第2のゲートパターンの側面を覆う第3の絶縁層23,25を形成し、第1のゲートパターンのダミー層を除去することにより第1の凹部を形成し、第2のゲートパターンのダミー層、第2の絶縁層15、チャージトラップ層14、及び、フローティングゲート層13を除去することにより第2の凹部を形成し、第1の凹部内の第2の絶縁層15上及び第2の凹部内の第1の絶縁層12上にそれぞれ金属層を形成する。
【選択図】図35
Description
実施形態は、不揮発性半導体記憶装置の製造方法に関する。
NANDフラッシュメモリなどの不揮発性半導体記憶装置においては、メモリセルの微細化が進むにつれて、倒壊などの危険性を有するロケット構造に代わり、フラットセル構造とハイブリッド構造とを組み合わせる技術が注目されている。
フラットセル構造は、コントロールゲート電極(ワード線)が延びるロウ方向に並ぶ複数の電荷蓄積層間にコントロールゲート電極が入り込まないため、それによってカラム方向に延びる複数のビット線のピッチの半分(ハーフピッチ)が制約されない、という利点を有する。
また、ハイブリッド構造は、半導体基板側のフローティングゲート層とコントロールゲート電極側のチャージトラップ層とを備える電荷蓄積層により、チャージトラップ層内により多くの電荷を蓄えることができる。これにより、ハイブリッド構造は、メモリセルが微細化されても、書き込み/消去特性(閾値ウィンドウ)を十分に確保できる、という利点を有する。
しかし、フラットセル構造とハイブリッド構造を組み合わせた場合、半導体基板中に形成された拡散層を活性化する熱処理により、コントロールゲート電極内の元素が高誘電率絶縁層(High-k材料層)及び電荷蓄積層に拡散する。その結果、書き込み/消去特性が劣化するという問題がある。
実施形態は、フラットセル構造とハイブリッド構造を組み合わせた不揮発性半導体記憶装置において、書き込み/消去特性を劣化させない製造方法を提案する。
実施形態によれば、不揮発性半導体記憶装置の製造方法は、半導体層上に、第1の絶縁層、フローティングゲート層、チャージトラップ層、第2の絶縁層、及び、ダミー層の順で積み重ねられる第1及び第2のゲートパターンを形成する工程と、前記第1及び第2のゲートパターンをマスクに用いたイオン注入により、前記半導体層内に不純物を注入する工程と、前記半導体層上に、前記第1及び第2のゲートパターンの側面を覆う第3の絶縁層を形成する工程と、前記第1のゲートパターンの前記ダミー層を除去することにより第1の凹部を形成すると共に、前記第2のゲートパターンの前記ダミー層、前記第2の絶縁層、前記チャージトラップ層、及び、前記フローティングゲート層を除去することにより第2の凹部を形成する工程と、前記第1の凹部内の前記第2の絶縁層上及び第2の凹部内の前記第1の絶縁層上にそれぞれ金属層を形成する工程と、前記イオン注入後、前記金属層を形成する前に、前記不純物を活性化させる熱処理を行う工程と、を備える。
以下、図面を参照しながら実施形態を説明する。
1. アレイ構造
図1乃至図3は、アレイ構造の第1の例を示している。
1. アレイ構造
図1乃至図3は、アレイ構造の第1の例を示している。
図1は、メモリセルアレイの平面図、図2は、図1のII−II線に沿う断面図、図3は、図1のIII−III線に沿う断面図である。
このアレイ構造は、フラットセル構造とハイブリッド構造とを組み合わせたメモリセルに関する。
半導体基板(半導体層)11は、例えば、シリコン基板である。半導体基板11の上面は、凹凸形状を有し、複数の凸部は、複数のアクティブエリアAAを構成する。複数のアクティブエリアAAは、ロウ方向に並び、かつ、ロウ方向に直交するカラム方向に延びる。
本例では、複数のアクティブエリアAAは、半導体基板11の一部であるが、これに限られない。例えば、複数のアクティブエリアAAは、半導体基板11上のエピタキシャル層などの半導体層であってもよい。
各アクティブエリアAA上には、複数のメモリセル(Field Effect Transistor: FET)MCが配置される。1つのアクティブエリアAA上の複数のメモリセルMCは、例えば、カラム方向に直列接続されることにより、NANDストリングを構成する。
各メモリセルMCは、アクティブエリアAA上の第1の絶縁層(トンネル絶縁層)12と、第1の絶縁層12上のフローティングゲート層13(FG)と、フローティングゲート層13(FG)上のチャージトラップ層14(CT)と、チャージトラップ層14(CT)上の第2の絶縁層15と、第2の絶縁層15上のコントロールゲート電極16とを備える。コントロールゲート電極16は、ワード線として機能し、ロウ方向に延びる。
これら複数のメモリセルMCのゲートパターンの間におけるアクティブエリアAA内には、不純物領域18が配置される。また、複数のメモリセルMC間のスペースは、第3の絶縁層23,25により満たされる。
第1の絶縁層12は、例えば、酸化シリコン層であり、フィン型アクティブエリアAAの上面を酸化することにより形成される。
フローティングゲート層13(FG)は、電気的にフローティング状態の導電層、例えば、不純物を含む導電性ポリシリコン層を備える。フローティングゲート層13(FG)は、金属層、又は、ポリシリコン層と金属層の積層構造を有していてもよい。
チャージトラップ層14(CT)は、チャージをトラップする機能を有する絶縁層、例えば、SiN、SiON、Al2O3、HfOなどを備える。
第2の絶縁層15は、メモリセルMCのカップリング比を向上させるため、例えば、酸化シリコン層よりも高い誘電率を持つ高誘電率絶縁層(High-k材料層)を備える。高誘電率絶縁層は、例えば、Al2O3、ZrO2、HfAlO、LaAlO3(LAO)、LaAlSiO(LASO)などの金属酸化物又はそれらの積層構造である。また、高誘電率絶縁層は、ONOなどの酸化シリコン層と窒化シリコン層の積層構造でもよい。
コントロールゲート電極16は、金属層を備える。ここで、金属層は、金属化合物層(例えば、金属シリサイド層など)を含むものとする。コントロールゲート電極16は、例えば、チタン(Ti)層、タングステン(W)層、タンタル(Ta)層、チタンシリサイド層、タングステンシリサイド層、タンタルシリサイド層などを含む。
尚、図4及び図5に示すように、フローティングゲート層13(FG)とチャージトラップ層14(CT)との間に、10nm以下の極薄絶縁層(例えば、窒化シリコン層)19を配置してもよい。図4及び図5は、図2及び図3に対応する。
また、図6及び図7に示すように、複数のメモリセルMC間のスペースは、空洞(エアーギャップ)AGにしてもよい。図6及び図7は、図2及び図3に対応する。
以上のようなフラットセル構造とハイブリッド構造とを組み合わせたメモリセルにおいては、例えば、図8A及び図8Bに示すように、半導体基板11中に形成された不純物領域18を活性化する熱処理により、メモリセルMCの書き込み/消去特性が劣化する。
即ち、図8Aによれば、不純物領域18を活性化するアニール(熱処理)を行うことにより、書き込み電圧Vpgm[V]で書き込みを行った後のメモリセルMCの閾値Vth[V]と、消去電圧Vera[V]で消去を行った後のメモリセルMCの閾値Vth[V]との差(閾値ウィンドウ)が狭くなることが分かる。
また、図8Bによれば、コントロールゲート電極16のゲート電圧Vg[V]に対するリーク電流Jg[A/cm2]が、不純物領域18を活性化するアニールが無いときよりも、不純物領域18を活性化するアニールがあるときのほうが大きくなることが分かる。但し、ゲート電圧Vgを印加したときの半導体基板11の電圧は0Vとし、また、リーク電流Jgは、半導体基板11及びコントロールゲート電極16間のリーク電流とする。
このようなメモリセルMCの書き込み/消去特性の劣化の原因を検証したところ、不純物領域18を活性化する熱処理により、コントロールゲート電極16内の元素が第2の絶縁層15及びチャージトラップ層14(CT)に拡散するためであることが分かった。そこで、以下では、不純物領域18を活性化する熱処理後に、コントロールゲート電極16を形成する製造方法を提案する。
また、このような製造方法において、メモリセルMCと周辺回路内のトランジスタ(周辺トランジスタ)Tperiとのプロセスの整合性をとる技術を提案する。
2. 製造方法
図1乃至図7のアレイ構造の製造方法を説明する。
図1乃至図7のアレイ構造の製造方法を説明する。
但し、以下では、図1乃至図3の第1の例の構造をメインに説明する。図4及び図5の第2の例、及び、図6及び図7の第3の例についても、以下の製造方法を少しアレンジするのみで形成可能であるため、その点についても、適宜、説明する。
(1) 第1の実施例
まず、図9に示すように、半導体基板11上に、第1の絶縁層12、フローティングゲート層13、チャージトラップ層14、第2の絶縁層15、及び、ダミー層21を、順次、形成する。ダミー層21は、例えば、ポリシリコン層である。
まず、図9に示すように、半導体基板11上に、第1の絶縁層12、フローティングゲート層13、チャージトラップ層14、第2の絶縁層15、及び、ダミー層21を、順次、形成する。ダミー層21は、例えば、ポリシリコン層である。
尚、フローティングゲート層13及びチャージトラップ層14間に極薄絶縁層を形成した後、後述するプロセスを実行すれば、図4及び図5に示すアレイ構造が得られる。
また、PEP(Photo Engraving Process)により、ダミー層21上に、フォトレジスト層22を形成する。フォトレジスト層22は、ロウ方向に一定ピッチで並び、カラム方向に延びるライン&スペースパターンを有する。
そして、フォトレジスト層22をマスクにして、RIE(Reactive Ion Etching)により、ダミー層21、第2の絶縁層15、チャージトラップ層14、フローティングゲート層13、第1の絶縁層12、及び、半導体基板11を、パターニングする。このパターニングは、RIEに代えて、ウエットエッチングを用いてもよい。
この後、フォトレジスト層22を除去すると、図10に示すように、ロウ方向に一定ピッチで並び、カラム方向に延びるライン&スペースパターン(ゲートパターン)が形成される。また、半導体基板11の上面は、凹凸を有するようになり、半導体基板11の凸部は、アクティブエリアAAとなる。
尚、フォトレジスト層22は、ハードマスク層に置き換えてもよい。
次に、図11に示すように、ライン&スペースパターンのスペース(凹部)内に第3の絶縁層23を満たす。例えば、第3の絶縁層23は、スパッタ法により、ライン&スペースパターンの全体を覆うように形成した後、CMP(Chemical Mechanical Polishing)により、ライン&スペースパターンのスペース内のみに残存させる。
次に、図12に示すように、PEPにより、ダミー層21上及び第3の絶縁層23上に、フォトレジスト層24を形成する。フォトレジスト層24は、カラム方向に一定ピッチで並び、ロウ方向に延びるライン&スペースパターンを有する。
そして、フォトレジスト層24をマスクにして、RIEにより、ダミー層21、第2の絶縁層15、チャージトラップ層14、フローティングゲート層13、及び、第1の絶縁層12を、パターニングする。このパターニングは、RIEに代えて、ウエットエッチングを用いてもよい。
その結果、複数のメモリセルMCのフローティングゲート層13(FG)及びチャージトラップ層14(CT)は、互いに分断される。
この後、フォトレジスト層24を除去する。
尚、フォトレジスト層24は、ハードマスク層に置き換えてもよい。
尚、フォトレジスト層24は、ハードマスク層に置き換えてもよい。
次に、図13及び図14に示すように、イオン注入により、カラム方向に並ぶ複数のメモリセルMC間のスペース内における半導体基板(アクティブエリアAA)11内に、不純物領域18を形成する。
次に、図15に示すように、カラム方向に並ぶ複数のメモリセルMC間のスペース内に第3の絶縁層25を満たす。例えば、第3の絶縁層25は、スパッタ法により、複数のメモリセルMCを覆うように形成した後、CMPにより、カラム方向に並ぶ複数のメモリセルMC間のスペース内のみに残存させる。
尚、第3の絶縁層23,25は、同じ材料であるのが望ましい。
この後、ダミー層21を選択的に除去すると、図16及び図17に示すように、複数のメモリセルMCの第2の絶縁層15上に凹部Conc.が形成される。
また、凹部Conc.内に金属層を満たすと、図18及び図19に示すように、コントロールゲート電極16が形成され、図1乃至図3のアレイ構造が形成される。例えば、コントロールゲート電極16は、スパッタ法により、複数のメモリセルMCを覆うように形成した後、CMPにより、複数のメモリセルMCの第2の絶縁層15上の凹部Conc.内のみに残存させる。
ここで、不純物領域18内の不純物を活性化させる熱処理(アニール)は、不純物領域18を形成するためのイオン注入後、金属層としてのコントロールゲート電極16を形成する前に行う。
最後に、図20に示すように、ロウ方向に並ぶ複数のメモリセルMCのコントロールゲート電極16に接続され、ロウ方向に延びるワード線WLを形成する。
尚、この後、第3の絶縁層23,25を選択的に除去すれば、図6及び図7のアレイ構造が形成される。
(2) 第2の実施例
まず、図21に示すように、半導体基板11上に、第1の絶縁層12、フローティングゲート層13、チャージトラップ層14、及び、第2の絶縁層15を、順次、形成する。尚、フローティングゲート層13及びチャージトラップ層14間に極薄絶縁層を形成した後、後述するプロセスを実行すれば、図4及び図5に示すアレイ構造が得られる。
まず、図21に示すように、半導体基板11上に、第1の絶縁層12、フローティングゲート層13、チャージトラップ層14、及び、第2の絶縁層15を、順次、形成する。尚、フローティングゲート層13及びチャージトラップ層14間に極薄絶縁層を形成した後、後述するプロセスを実行すれば、図4及び図5に示すアレイ構造が得られる。
また、PEPにより、第2の絶縁層15上に、フォトレジスト層を形成する。フォトレジスト層は、ロウ方向に一定ピッチで並び、カラム方向に延びるライン&スペースパターンを有する。
そして、このフォトレジスト層をマスクにして、RIEにより、第2の絶縁層15、チャージトラップ層14、フローティングゲート層13、第1の絶縁層12、及び、半導体基板11を、パターニングする。このパターニングは、RIEに代えて、ウエットエッチングを用いてもよい。
この後、フォトレジスト層を除去すると、ロウ方向に一定ピッチで並び、カラム方向に延びるライン&スペースパターン(ゲートパターン)が形成される。また、半導体基板11の上面は、凹凸を有するようになり、半導体基板11の凸部は、アクティブエリアAAとなる。
尚、フォトレジスト層は、ハードマスク層に置き換えてもよい。
次に、ライン&スペースパターンのスペース(凹部)内に第3の絶縁層23を満たす。例えば、第3の絶縁層23は、スパッタ法により、ライン&スペースパターンの全体を覆うように形成した後、CMPにより、ライン&スペースパターンのスペース内のみに残存させる。
次に、図22に示すように、第2の絶縁層15上及び第3の絶縁層23上にダミー層21を形成する。ダミー層21は、例えば、ポリシリコン層である。
次に、図23に示すように、PEPにより、ダミー層21上に、フォトレジスト層24を形成する。フォトレジスト層24は、カラム方向に一定ピッチで並び、ロウ方向に延びるライン&スペースパターンを有する。
そして、フォトレジスト層24をマスクにして、RIEにより、ダミー層21、第2の絶縁層15、チャージトラップ層14、フローティングゲート層13、及び、第1の絶縁層12を、パターニングする。このパターニングは、RIEに代えて、ウエットエッチングを用いてもよい。
その結果、複数のメモリセルMCのフローティングゲート層13(FG)及びチャージトラップ層14(CT)は、互いに分断される。
この後、フォトレジスト層24を除去する。
尚、フォトレジスト層24は、ハードマスク層に置き換えてもよい。
尚、フォトレジスト層24は、ハードマスク層に置き換えてもよい。
次に、図24に示すように、イオン注入により、カラム方向に並ぶ複数のメモリセルMC間のスペース内における半導体基板(アクティブエリアAA)11内に不純物を注入すると、例えば、図14に示すように、半導体基板11内に不純物領域18が形成される。
次に、図25に示すように、カラム方向に並ぶ複数のメモリセルMC間のスペース内に第3の絶縁層25を満たす。例えば、第3の絶縁層25は、スパッタ法により、複数のメモリセルMCを覆うように形成した後、CMPにより、カラム方向に並ぶ複数のメモリセルMC間のスペース内のみに残存させる。
尚、第3の絶縁層23,25は、同じ材料であるのが望ましい。
この後、ダミー層21を選択的に除去すると、図26に示すように、複数のメモリセルMCの第2の絶縁層15上に、ロウ方向に延びる凹部Conc.が形成される。
また、凹部Conc.内に金属層を満たすと、図27に示すように、コントロールゲート電極16が形成され、図1乃至図3のアレイ構造が形成される。例えば、コントロールゲート電極16は、スパッタ法により、複数のメモリセルMCを覆うように形成した後、CMPにより、複数のメモリセルMCの第2の絶縁層15上の凹部Conc.内のみに残存させる。
上述の第2の実施例が第1の実施例と異なる点は、コントロールゲート電極16がロウ方向に延び、ワード線WLとして機能している点にある。
ここで、不純物領域18内の不純物を活性化させる熱処理(アニール)は、不純物領域18を形成するためのイオン注入後、金属層としてのコントロールゲート電極16を形成する前に行う。
尚、この後、第3の絶縁層23,25を選択的に除去すれば、図6及び図7のアレイ構造が形成される。
(3) 第3の実施例
第3の実施例は、メモリセルMCと周辺回路内のトランジスタ(周辺トランジスタ)Tperiとのプロセスの整合性をとる技術に関する。
第3の実施例は、メモリセルMCと周辺回路内のトランジスタ(周辺トランジスタ)Tperiとのプロセスの整合性をとる技術に関する。
まず、図28に示すように、半導体基板11上に、第1の絶縁層12、フローティングゲート層13、チャージトラップ層14、及び、第2の絶縁層15を、順次、形成する。尚、フローティングゲート層13及びチャージトラップ層14間に極薄絶縁層を形成した後、後述するプロセスを実行すれば、図4及び図5に示すアレイ構造が得られる。
また、PEPにより、第2の絶縁層15上に、フォトレジスト層を形成する。
ここで、メモリセルMCにおいては、フォトレジスト層は、ロウ方向に一定ピッチで並び、カラム方向に延びるライン&スペースパターンを有する。
また、周辺トランジスタTperiにおいては、フォトレジスト層は、例えば、四角形状(周辺トランジスタのアクティブエリアAAの形状)を有する。
そして、このフォトレジスト層をマスクにして、RIEにより、第2の絶縁層15、チャージトラップ層14、フローティングゲート層13、第1の絶縁層12、及び、半導体基板11を、パターニングする。このパターニングは、RIEに代えて、ウエットエッチングを用いてもよい。
この後、フォトレジスト層を除去すると、メモリセルMCにおいては、ロウ方向に一定ピッチで並び、カラム方向に延びるライン&スペースパターン(ゲートパターン)が形成される。また、半導体基板11の上面は、凹凸を有するようになり、半導体基板11の凸部は、アクティブエリアAAとなる。
また、周辺トランジスタTperiにおいては、四角形状のゲートパターンとアクティブエリアAAが形成される。
尚、フォトレジスト層は、ハードマスク層に置き換えてもよい。
次に、メモリセルMC及び周辺トランジスタTperiのアクティブエリアAAを取り囲む第3の絶縁層23を形成する。例えば、第3の絶縁層23は、スパッタ法により、メモリセルMC及び周辺トランジスタTperiの全体を覆うように形成した後、CMPにより、素子分離領域内のみに残存させる。
次に、図29に示すように、第2の絶縁層15上及び第3の絶縁層23上にダミー層21を形成する。ダミー層21は、例えば、ポリシリコン層である。
次に、図30に示すように、PEPにより、ダミー層21上に、フォトレジスト層24を形成する。メモリセルMCにおいては、フォトレジスト層24は、カラム方向に一定ピッチで並び、ロウ方向に延びるライン&スペースパターンを有する。周辺トランジスタTperiにおいては、フォトレジスト層24は、直線状のゲートパターンを有する。
そして、フォトレジスト層24をマスクにして、RIEにより、ダミー層21、第2の絶縁層15、チャージトラップ層14、フローティングゲート層13、及び、第1の絶縁層12を、パターニングする。このパターニングは、RIEに代えて、ウエットエッチングを用いてもよい。
その結果、メモリセルMCにおいては、フローティングゲート層13(FG)及びチャージトラップ層14(CT)が互いに分断される。
この後、フォトレジスト層24を除去する。
尚、フォトレジスト層24は、ハードマスク層に置き換えてもよい。
尚、フォトレジスト層24は、ハードマスク層に置き換えてもよい。
次に、図31及び図32に示すように、イオン注入により、メモリセルMCにおいては、カラム方向に並ぶ複数のメモリセルMC間のスペース内における半導体基板(アクティブエリアAA)11内に、不純物領域18が形成される。
また、イオン注入により、周辺トランジスタTperiにおいては、ゲートパターンの左右における半導体基板(アクティブエリアAA)11内に、不純物領域18が形成される。周辺トランジスタTperiにおいては、ゲートパターンの側壁上にサイドウォール絶縁層20を形成してもよい。
次に、図33に示すように、カラム方向に並ぶ複数のメモリセルMC間の不純物領域18上の凹部内、及び、周辺トランジスタTperiの不純物領域18上の凹部内に、それぞれ、第3の絶縁層25を満たす。
例えば、第3の絶縁層25は、スパッタ法により、メモリセルMC及び周辺トランジスタTperiを覆うように形成した後、CMPにより、複数のメモリセルMC間の不純物領域18上の凹部内、及び、周辺トランジスタTperiの不純物領域18上の凹部内に、それぞれ、残存させる。
尚、第3の絶縁層23,25は、同じ材料であるのが望ましい。
この後、ダミー層21を選択的に除去すると、図34及び図35に示すように、複数のメモリセルMCの第2の絶縁層15上にロウ方向に延びる凹部Conc.が形成され、かつ、周辺トランジスタTperiの第2の絶縁層15上に直線状の凹部Conc.が形成される。
また、図36に示すように、本例では、さらに、周辺トランジスタTperiにおいて、第2の絶縁層15、チャージトラップ層14、及び、フローティングゲート層13を、それぞれ、選択的に除去する。
そして、凹部Conc.内に金属層を満たすと、図37及び図38に示すように、メモリセルMCにおいては、コントロールゲート電極16が形成され、図1乃至図3のアレイ構造が形成される。また、選択トランジスタTperiにおいては、ロジックゲート電極16が形成される。
尚、コントロールゲート電極/ロジックゲート電極16は、スパッタ法により、複数のメモリセルMC及び周辺トランジスタTperiを覆うように形成した後、CMPにより、複数のメモリセルMCの第2の絶縁層15上の凹部Conc.内のみ、及び、周辺トランジスタTperiの第1の絶縁層12上の凹部Conc.内のみに残存させる。
ここで、不純物領域18内の不純物を活性化させる熱処理(アニール)は、不純物領域18を形成するためのイオン注入後、金属層としてのコントロールゲート電極/ロジックゲート電極16を形成する前に行う。
尚、この後、第3の絶縁層23,25を選択的に除去すれば、図6及び図7のアレイ構造が形成される。
図39乃至図41は、第3の実施例の第1の変形例を示している。
この変形例では、図39に示すように、周辺トランジスタTperiにおいて、ダミー層21、第2の絶縁層15、チャージトラップ層14、フローティングゲート層13、及び、第1の絶縁層12を、それぞれ、選択的に除去する。
また、図40に示すように、周辺トランジスタTperiにおいて、半導体基板(アクティブエリアAA)11上に、新たに、ゲート絶縁層12’を形成する。
そして、図41に示すように、周辺トランジスタTperiにおいて、凹部Conc.内のゲート絶縁層12’上に、金属層としてのロジックゲート電極16を満たす。
このようなプロセスにおいても、不純物領域18内の不純物を活性化させる熱処理(アニール)は、不純物領域18を形成するためのイオン注入後、金属層としてのコントロールゲート電極/ロジックゲート電極16を形成する前に行う。
図42及び図43は、第3の実施例の第2の変形例を示している。
この変形例では、図42に示すように、周辺トランジスタTperiにおいて、ダミー層21、第2の絶縁層15、及び、チャージトラップ層14を、それぞれ、選択的に除去する。そして、図43に示すように、周辺トランジスタTperiにおいて、凹部Conc.内のフローティングゲート層13上に、金属層としてのロジックゲート電極16を満たす。
このようなプロセスにおいても、不純物領域18内の不純物を活性化させる熱処理(アニール)は、不純物領域18を形成するためのイオン注入後、金属層としてのコントロールゲート電極/ロジックゲート電極16を形成する前に行う。
この変形例では、フローティングゲート層13がポリシリコン層のとき、フローティングゲート層(ポリシリコン層)13とコントロールゲート電極(金属層)16とを化学反応させることにより、凹部Conc.内に金属化合物層(金属シリサイド層)を形成してもよい。
3. 適用例
以上の実施例において、アレイ構造(メモリセルMC)は、NAND型に限られない。メモリセルMCは、フラットセル構造及びハイブリッド構造を有するフラッシュメモリセルであればよい。また、上述の実施例は、二次元メモリの例であるが、半導体基板11上に複数のメモリセルMCが積み重ねられる三次元メモリにも適用可能である。さらに、メモリセルMCは、二値を記憶可能な二値メモリであってもよいし、三値以上の多値を記憶可能な多値メモリであってもよい。
以上の実施例において、アレイ構造(メモリセルMC)は、NAND型に限られない。メモリセルMCは、フラットセル構造及びハイブリッド構造を有するフラッシュメモリセルであればよい。また、上述の実施例は、二次元メモリの例であるが、半導体基板11上に複数のメモリセルMCが積み重ねられる三次元メモリにも適用可能である。さらに、メモリセルMCは、二値を記憶可能な二値メモリであってもよいし、三値以上の多値を記憶可能な多値メモリであってもよい。
4. むすび
実施形態によれば、フラットセル構造とハイブリッド構造を組み合わせた不揮発性半導体記憶装置において、書き込み/消去特性を劣化させない製造方法を実現できる。
実施形態によれば、フラットセル構造とハイブリッド構造を組み合わせた不揮発性半導体記憶装置において、書き込み/消去特性を劣化させない製造方法を実現できる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
11: 半導体基板、 12: 第1の絶縁層、 13(FG): フローティングゲート層、 14(CT): チャージトラップ層、 15: 第2の絶縁層、 16: コントロールゲート電極/ロジックゲート電極、 18: 不純物領域、 19: 極薄絶縁層、 20: サイドウォール絶縁層、 21: ダミー層、 22,24: フォトレジスト層、 23,25: 第3の絶縁層。
Claims (5)
- 半導体層上に、第1の絶縁層、フローティングゲート層、チャージトラップ層、第2の絶縁層、及び、ダミー層の順で積み重ねられる第1及び第2のゲートパターンを形成する工程と、
前記第1及び第2のゲートパターンをマスクに用いたイオン注入により、前記半導体層内に不純物を注入する工程と、
前記半導体層上に、前記第1及び第2のゲートパターンの側面を覆う第3の絶縁層を形成する工程と、
前記第1のゲートパターンの前記ダミー層を除去することにより第1の凹部を形成すると共に、前記第2のゲートパターンの前記ダミー層、前記第2の絶縁層、前記チャージトラップ層、及び、前記フローティングゲート層を除去することにより第2の凹部を形成する工程と、
前記第1の凹部内の前記第2の絶縁層上及び第2の凹部内の前記第1の絶縁層上にそれぞれ金属層を形成する工程と、
前記イオン注入後、前記金属層を形成する前に、前記不純物を活性化させる熱処理を行う工程と
を具備する不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 半導体層上に、第1の絶縁層、フローティングゲート層、チャージトラップ層、第2の絶縁層、及び、ダミー層の順で積み重ねられる第1及び第2のゲートパターンを形成する工程と、
前記第1及び第2のゲートパターンをマスクに用いたイオン注入により、前記半導体層内に不純物を注入する工程と、
前記半導体層上に、前記第1及び第2のゲートパターンの側面を覆う第3の絶縁層を形成する工程と、
前記第1のゲートパターンの前記ダミー層を除去することにより第1の凹部を形成すると共に、前記第2のゲートパターンの前記ダミー層、前記第2の絶縁層、前記チャージトラップ層、前記フローティングゲート層、及び、前記第1の絶縁層を除去することにより第2の凹部を形成する工程と、
前記第2の凹部内の前記半導体層上にゲート絶縁層を形成する工程と、
前記第1の凹部内の前記第2の絶縁層上及び第2の凹部内の前記ゲート絶縁層上にそれぞれ金属層を形成する工程と、
前記イオン注入後、前記金属層を形成する前に、前記不純物を活性化させる熱処理を行う工程と
を具備する不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 半導体層上に、第1の絶縁層、フローティングゲート層、チャージトラップ層、第2の絶縁層、及び、ダミー層の順で積み重ねられる第1及び第2のゲートパターンを形成する工程と、
前記第1及び第2のゲートパターンをマスクに用いたイオン注入により、前記半導体層内に不純物を注入する工程と、
前記半導体層上に、前記第1及び第2のゲートパターンの側面を覆う第3の絶縁層を形成する工程と、
前記第1のゲートパターンの前記ダミー層を除去することにより第1の凹部を形成すると共に、前記第2のゲートパターンの前記ダミー層、前記第2の絶縁層、及び、前記チャージトラップ層を除去することにより第2の凹部を形成する工程と、
前記第1の凹部内の前記第2の絶縁層上及び第2の凹部内の前記フローティングゲート層上にそれぞれ金属層を形成する工程と、
前記イオン注入後、前記金属層を形成する前に、前記不純物を活性化させる熱処理を行う工程と
を具備する不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 前記フローティングゲート層と前記金属層とを化学反応させることにより、前記第2の凹部内に金属化合物層を形成する工程をさらに具備する請求項3に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
- 前記チャージトラップ層は、チャージをトラップする機能を有する第4の絶縁層と、前記フローティングゲート層及び前記第4の絶縁層間の10nm以下の厚さを持つ第5の絶縁層とを備える請求項1乃至4のいずれか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
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